JP3323071B2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージに関し、より詳細には
高周波用半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケ
ージに関するものである。
する半導体素子収納用パッケージに関し、より詳細には
高周波用半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケ
ージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージは一般に、酸化アルミニウム質
焼結体から成り、上面に半導体素子を収容すための凹部
及び該凹部周辺から下面に導出するタングステンから成
るメタライズ配線層を有する絶縁基体と、蓋体と、から
構成されており、絶縁基体の凹部底面に半導体素子をガ
ラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定すると
ともに半導体素子の各電極をメタライズ配線層にボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続し、しかる後、絶縁
基体に蓋体を封止部材を介して接合させ、絶縁基体と蓋
体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容するこ
とによって製品としての半導体装置となり、絶縁基体の
下面に導出するメタライズ配線層を外部電気回路基板の
配線導体に半田等を介して接続させれば容器内部に収容
する半導体素子が外部電気回路に接続されることとな
る。
体素子収納用パッケージは一般に、酸化アルミニウム質
焼結体から成り、上面に半導体素子を収容すための凹部
及び該凹部周辺から下面に導出するタングステンから成
るメタライズ配線層を有する絶縁基体と、蓋体と、から
構成されており、絶縁基体の凹部底面に半導体素子をガ
ラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定すると
ともに半導体素子の各電極をメタライズ配線層にボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続し、しかる後、絶縁
基体に蓋体を封止部材を介して接合させ、絶縁基体と蓋
体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容するこ
とによって製品としての半導体装置となり、絶縁基体の
下面に導出するメタライズ配線層を外部電気回路基板の
配線導体に半田等を介して接続させれば容器内部に収容
する半導体素子が外部電気回路に接続されることとな
る。
【０００３】また、かかる従来の半導体素子収納用パッ
ケージは、タングステンから成るメタライズ配線層が酸
化腐蝕するのを有効に防止するために、またメタライズ
配線層とボンディングワイヤーとの接続及びメタライズ
配線層と外部電気回路基板の配線導体との接続を良好と
するためにメタライズ配線導体の露出表面には耐蝕性に
優れ、且つ半田等と濡れ性の良いニッケルがめっきによ
り鍍着されており、更に必要に応じて金がめっきにより
鍍着されている。
ケージは、タングステンから成るメタライズ配線層が酸
化腐蝕するのを有効に防止するために、またメタライズ
配線層とボンディングワイヤーとの接続及びメタライズ
配線層と外部電気回路基板の配線導体との接続を良好と
するためにメタライズ配線導体の露出表面には耐蝕性に
優れ、且つ半田等と濡れ性の良いニッケルがめっきによ
り鍍着されており、更に必要に応じて金がめっきにより
鍍着されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージによれば、メタライズ
配線層に鍍着されたニッケルめっき層が磁性を有してお
り、該ニッケルめっき層の有する磁性のためにメタライ
ズ配線層のインダクタンスが大きなものとなっている。
そのため内部に高速駆動を行う半導体素子を収容し、メ
タライズ配線層を介して半導体素子に電気信号を高速で
出し入れするとメタライズ配線層を伝搬する電気信号の
波形にメタライズ配線層の持つ大きなインダクタンスに
起因して乱れが生じ、その結果、半導体素子に正確な電
気信号を供給することができなくなって半導体素子を誤
動作させてしまうという欠点を有していた。
来の半導体素子収納用パッケージによれば、メタライズ
配線層に鍍着されたニッケルめっき層が磁性を有してお
り、該ニッケルめっき層の有する磁性のためにメタライ
ズ配線層のインダクタンスが大きなものとなっている。
そのため内部に高速駆動を行う半導体素子を収容し、メ
タライズ配線層を介して半導体素子に電気信号を高速で
出し入れするとメタライズ配線層を伝搬する電気信号の
波形にメタライズ配線層の持つ大きなインダクタンスに
起因して乱れが生じ、その結果、半導体素子に正確な電
気信号を供給することができなくなって半導体素子を誤
動作させてしまうという欠点を有していた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は内部に半導体素
子を収容する絶縁容器に半導体素子の電極を外部電気回
路に接続させるタングステンメタライズ配線層を被着さ
せるとともに該タングステンメタライズ配線層表面にニ
ッケルめっき層を鍍着させて成る半導体素子収納用パッ
ケージであって、前記ニッケルめっき層は、その内部に
タングステンが１５重量％以上含有されていることを特
徴とするものである。
子を収容する絶縁容器に半導体素子の電極を外部電気回
路に接続させるタングステンメタライズ配線層を被着さ
せるとともに該タングステンメタライズ配線層表面にニ
ッケルめっき層を鍍着させて成る半導体素子収納用パッ
ケージであって、前記ニッケルめっき層は、その内部に
タングステンが１５重量％以上含有されていることを特
徴とするものである。
【０００６】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
ればタングステンメタライズ配線層の表面に鍍着されて
いるニッケルめっき層にタングステンを１５重量％以上
含有させたためニッケルめっき層は略非磁性となり、そ
の結果、メタライズ配線層のインダクタンスは小さくな
ってメタライズ配線層を伝搬する電気信号に大きな波型
乱れを発生することが有効に防止され、半導体素子に正
確な電気信号を出し入れすることが可能となって半導体
素子を正常に作動させるこができる。
ればタングステンメタライズ配線層の表面に鍍着されて
いるニッケルめっき層にタングステンを１５重量％以上
含有させたためニッケルめっき層は略非磁性となり、そ
の結果、メタライズ配線層のインダクタンスは小さくな
ってメタライズ配線層を伝搬する電気信号に大きな波型
乱れを発生することが有効に防止され、半導体素子に正
確な電気信号を出し入れすることが可能となって半導体
素子を正常に作動させるこができる。
【０００７】尚、従来、メタライズ配線層にニッケルめ
っき層を鍍着し、しかる後、これに４００〜８００℃の
温度を約１０分程度印加して加熱処理し、メタライズ配
線層とニッケルめっき層との密着を強固なものとなすこ
とが行われており、この場合、メタライズ配線層中のタ
ングステンの一部がニッケルめっき層中に拡散すること
があるが、その拡散量は微量でニッケルめっき層中のタ
ングステンの含有量はせいぜい数重量％であり、ニッケ
ルめっき層が略非磁性となることは期待できない。
っき層を鍍着し、しかる後、これに４００〜８００℃の
温度を約１０分程度印加して加熱処理し、メタライズ配
線層とニッケルめっき層との密着を強固なものとなすこ
とが行われており、この場合、メタライズ配線層中のタ
ングステンの一部がニッケルめっき層中に拡散すること
があるが、その拡散量は微量でニッケルめっき層中のタ
ングステンの含有量はせいぜい数重量％であり、ニッケ
ルめっき層が略非磁性となることは期待できない。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は本発明の半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２
は蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子
３を収容する容器４が構成される。
細に説明する。図１は本発明の半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２
は蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子
３を収容する容器４が構成される。
【０００９】前記絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼
結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、
炭化珪素質焼結体、ガラスセラミック焼結体等の電気絶
縁材料から成り、その上面に凹部１ａを有し、該凹部１
ａ底面には半導体素子３がガラス、樹脂、ロウ材等の接
着剤を介して接着固定される。
結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、
炭化珪素質焼結体、ガラスセラミック焼結体等の電気絶
縁材料から成り、その上面に凹部１ａを有し、該凹部１
ａ底面には半導体素子３がガラス、樹脂、ロウ材等の接
着剤を介して接着固定される。
【００１０】前記絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪
素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の原料粉末に
適当な有機バインダー、溶剤を添加混合して泥漿状とな
すとともにこれを従来周知のドクターブレード法等を採
用してシート状となすことによって複数枚のセラミック
グリーンシートを得、しかる後、前記セラミックグリー
ンシートの各々に適当な打ち抜き加工を施すとともにこ
れらを上下に積層し、高温（約１６００℃）で焼成する
ことによって製作される。
ム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪
素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の原料粉末に
適当な有機バインダー、溶剤を添加混合して泥漿状とな
すとともにこれを従来周知のドクターブレード法等を採
用してシート状となすことによって複数枚のセラミック
グリーンシートを得、しかる後、前記セラミックグリー
ンシートの各々に適当な打ち抜き加工を施すとともにこ
れらを上下に積層し、高温（約１６００℃）で焼成する
ことによって製作される。
【００１１】また前記絶縁基体１は、凹部１ａ周辺から
下面にかけて複数個のメタライズ配線層が５が被着形成
されており、該メタライズ配線層５の凹部１ａ周辺部位
には半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ６を介
して電気的に接続され、また絶縁基体１下面に導出され
た部位は外部電気回路基板の配線導体に半田等を介して
電気的に接続される。
下面にかけて複数個のメタライズ配線層が５が被着形成
されており、該メタライズ配線層５の凹部１ａ周辺部位
には半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ６を介
して電気的に接続され、また絶縁基体１下面に導出され
た部位は外部電気回路基板の配線導体に半田等を介して
電気的に接続される。
【００１２】前記メタライズ配線層５は、タングステン
から成り、タングステン粉末に適当な有機バインダー、
溶剤を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１とな
るセラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリー
ン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことに
よって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から下面にかけて被着
される。
から成り、タングステン粉末に適当な有機バインダー、
溶剤を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１とな
るセラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリー
ン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことに
よって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から下面にかけて被着
される。
【００１３】前記メタライズ配線層５は、またその露出
する表面にニッケルめっき層７が被着されており、該ニ
ッケルめっき層７によりメタライズ配線層５が酸化腐食
するのが防止されるとともにメタライズ配線層５とボン
ディングワイヤー６との接続及びメタライズ配線層５と
外部電気回路基板の配線導体との接続が良好なものとな
っている。
する表面にニッケルめっき層７が被着されており、該ニ
ッケルめっき層７によりメタライズ配線層５が酸化腐食
するのが防止されるとともにメタライズ配線層５とボン
ディングワイヤー６との接続及びメタライズ配線層５と
外部電気回路基板の配線導体との接続が良好なものとな
っている。
【００１４】前記ニッケルめっき層７は、従来周知の電
解めっき法や無電解めっき法を採用することによってメ
タライズ配線層５の露出表面に所定厚み（１〜１０μｍ
程度）に鍍着される。
解めっき法や無電解めっき法を採用することによってメ
タライズ配線層５の露出表面に所定厚み（１〜１０μｍ
程度）に鍍着される。
【００１５】更に、前記ニッケルめっき層７は、その内
部にタングステンが１５重量％以上含有されている。
部にタングステンが１５重量％以上含有されている。
【００１６】前記ニッケルめっき層７に含有されるタン
グステンはニッケルめっき層７の磁性を弱くする作用を
なし、これよってニッケルめっき層７が鍍着されたメタ
ライズ配線層５のインダクタンスは小さくなり、メタラ
イズ配線層５を介して内部に収容する半導体素子３に電
気信号を高速で出し入れしても、電気信号がメタライズ
配線層５を伝搬する際に大きな波型乱れを発生すること
はなく、半導体素子３に正確な電気信号を出し入れする
ことが可能となって半導体素子３を正常に作動させるこ
が可能となる。
グステンはニッケルめっき層７の磁性を弱くする作用を
なし、これよってニッケルめっき層７が鍍着されたメタ
ライズ配線層５のインダクタンスは小さくなり、メタラ
イズ配線層５を介して内部に収容する半導体素子３に電
気信号を高速で出し入れしても、電気信号がメタライズ
配線層５を伝搬する際に大きな波型乱れを発生すること
はなく、半導体素子３に正確な電気信号を出し入れする
ことが可能となって半導体素子３を正常に作動させるこ
が可能となる。
【００１７】尚、前記ニッケルめっき層７は、これに含
有されるタングステンの含有量が１５重量％未満である
とニッケルめっき層７の磁性が高いものとなり、メタラ
イズ配線層５を伝搬する電気信号に乱れを発生し、半導
体素子３を正常に作動させることができなくなる。従っ
て、前記ニッケルめっき層７に含有されるタングステン
の含有量は１５重量％以上に特定される。更に前記ニッ
ケルめっき層７に含有されるタングステンの含有量を１
８重量％以上とするとニッケルめっき層７の磁性は実質
的にゼロとなり、メタライズ配線層５に電気信号を伝搬
させた際、電気信号に乱れを発生するのをより有効に防
止することができる。従って、前記ニッケルめっき層７
に含有されるタングステンはその含有量を１８重量％以
上としておくことが好ましい。
有されるタングステンの含有量が１５重量％未満である
とニッケルめっき層７の磁性が高いものとなり、メタラ
イズ配線層５を伝搬する電気信号に乱れを発生し、半導
体素子３を正常に作動させることができなくなる。従っ
て、前記ニッケルめっき層７に含有されるタングステン
の含有量は１５重量％以上に特定される。更に前記ニッ
ケルめっき層７に含有されるタングステンの含有量を１
８重量％以上とするとニッケルめっき層７の磁性は実質
的にゼロとなり、メタライズ配線層５に電気信号を伝搬
させた際、電気信号に乱れを発生するのをより有効に防
止することができる。従って、前記ニッケルめっき層７
に含有されるタングステンはその含有量を１８重量％以
上としておくことが好ましい。
【００１８】また前記ニッケルめっき層７にタングステ
ンを１５重量％以上含有させるには、メタライズ配線層
５の表面にニッケルめっき層７を被着させた後、これを
例えば約９００〜１０００℃の温度で３０分乃至１時間
熱処理してメタライズ配線層中のタングステンをニッケ
ルめっき層７中に熱拡散させる方法が採用される。
ンを１５重量％以上含有させるには、メタライズ配線層
５の表面にニッケルめっき層７を被着させた後、これを
例えば約９００〜１０００℃の温度で３０分乃至１時間
熱処理してメタライズ配線層中のタングステンをニッケ
ルめっき層７中に熱拡散させる方法が採用される。
【００１９】かくして本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子
３をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定
するとともに該半導体素子３の各電極をメタライズ配線
層５にボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、
しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２をガラス、樹脂、
ロウ材等の封止材を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体
２とから成る容器４内部に半導体素子３を気密に収容す
ることによって製品としての半導体装置が完成する。
ージによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子
３をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定
するとともに該半導体素子３の各電極をメタライズ配線
層５にボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、
しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２をガラス、樹脂、
ロウ材等の封止材を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体
２とから成る容器４内部に半導体素子３を気密に収容す
ることによって製品としての半導体装置が完成する。
【００２０】尚、本発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば前記ニッケルめっき層
の上に更に金めっき層を０．１〜３μｍ程度の厚みに鍍
着させても良く、この場合、メタライズ配線層が酸化腐
食するのを更に有効に防止することができるとともにメ
タライズ配線層とボンディングワイヤーとの接続及びメ
タライズ配線層と外部電気回路基板の配線導体との接続
を更に良好なものとすることができる。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば前記ニッケルめっき層
の上に更に金めっき層を０．１〜３μｍ程度の厚みに鍍
着させても良く、この場合、メタライズ配線層が酸化腐
食するのを更に有効に防止することができるとともにメ
タライズ配線層とボンディングワイヤーとの接続及びメ
タライズ配線層と外部電気回路基板の配線導体との接続
を更に良好なものとすることができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、メタライズ配線層に鍍着させた前記ニッケルめ
っき層中にタングステンを１５重量％以上含有させたこ
とから該ニッケルめっき層が略非磁性となり、その結
果、メタライズ配線層に高速の信号を正確に伝搬させる
ことができる。
よれば、メタライズ配線層に鍍着させた前記ニッケルめ
っき層中にタングステンを１５重量％以上含有させたこ
とから該ニッケルめっき層が略非磁性となり、その結
果、メタライズ配線層に高速の信号を正確に伝搬させる
ことができる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１・・・・・・絶縁基体 ２・・・・・・蓋体 ３・・・・・・半導体素子 ４・・・・・・容器 ５・・・・・・メタライズ配線層 ７・・・・・・ニッケルめっき層
Claims (1)
- 【請求項１】内部に半導体素子を収容する絶縁容器に半
導体素子の電極を外部電気回路に接続させるタングステ
ンメタライズ配線層を被着させるとともに該タングステ
ンメタライズ配線層表面にニッケルめっき層を鍍着させ
て成る半導体素子収納用パッケージであって、前記ニッ
ケルめっき層は、その内部にタングステンが１５重量％
以上含有されていることを特徴とする半導体素子収納用
パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20048596A JP3323071B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20048596A JP3323071B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050873A JPH1050873A (ja) | 1998-02-20 |
| JP3323071B2 true JP3323071B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=16425106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20048596A Expired - Fee Related JP3323071B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3323071B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5366706B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2013-12-11 | パナソニック株式会社 | 基板接続用雌側コネクタ及びそれを含むコネクタアッセンブリー |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP20048596A patent/JP3323071B2/ja not_active Expired - Fee Related
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