JPH1050789A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JPH1050789A JPH1050789A JP20033596A JP20033596A JPH1050789A JP H1050789 A JPH1050789 A JP H1050789A JP 20033596 A JP20033596 A JP 20033596A JP 20033596 A JP20033596 A JP 20033596A JP H1050789 A JPH1050789 A JP H1050789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- transfer
- processing
- dummy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
にすることなく、そしてロードロック室LL1,LL2
を大きくすることのない基板処理の装置および方法を提
供すること。 【解決手段】 処理チャンバPC1,PC2,PC3と
ロードロック室LL1,LL2とシェルフチャンバSC
をトランスファチャンバTCの周囲に配置されたクラス
タ型の基板処理装置において、ダミー基板を予めシェル
フチャンバSC内に納めておき、処理チャンバPC1,
PC2,PC3の立ち上げ調整やクリーニングが必要に
なったときは、シェルフチャンバSCからダミー基板を
取り出し、処理チャンバPC1,PC2,PC3に搬送
する。そして調整やクリーニングが終了すると、再びダ
ミー基板をシェルフチャンバSCに戻し、つぎの処理対
象の基板を処理チャンバ内にロードし処理を続行させ
る。
Description
板,半導体ウエハ等(以下「基板」という)の基板処理
において立ち上げ調整時あるいはクリーニング時などに
おいてダミー基板を取り扱う基板処理装置に関する。
チャンバは、内部のクリーニングと、装置の予備加熱な
どの立ち上げ調整とを行わなければならない。さらに、
ロット生産の実行中に、処理チャンバ内をクリーニング
しなければならない場合がある。これらのクリーニング
時や立ち上げ調整時に使用する基板を、「ダミー基板」
という。
ロック室から基板を処理チャンバに搬送するためのトラ
ンスファチャンバと、各種処理を行うための処理チャン
バとが設けられたクラスタ型の基板処理装置が知られて
いる。
ク室LLのカセットステージ101の下にダミー基板収
納室102が設けられている。このような構成におい
て、実際にダミー基板収納室102に収納されているダ
ミー基板DWを用いて処理チャンバのクリーニングや立
ち上げ調整を行う際は、真空エレベータ103を駆動
し、基板入出口105の高さにダミー基板収納室102
の高さを合わせる。そして、トランスファチャンバの搬
送アームがダミー基板DWを取り出し、処理チャンバ内
にダミー基板DWを搬送する。
ー基板DWの処理方法は、ロードロック室LLの真空エ
レベータ103の送り距離をカセットCにアクセスでき
る長さ以上にしなければならないので、ロードロック室
LLが大きくなり、室内を真空に保つための排気系の負
荷が増えると共に、ロードロック室内を真空状態にした
り、大気圧状態にするための時間(ベント時間)が長く
なるという問題がある。
いても、上記のようにカセットステージの下にダミー基
板収納室が設けられているような構成であると、一般的
に上下駆動機構の送り距離をカセットにアクセスできる
長さ以上にする必要があるため、装置が大きくなるとい
う問題がある。
のであって、ダミー基板の使用に関して、受け渡し室を
大きくすることのない基板処理装置を提供することを目
的とする。
に、請求項1に記載の発明は、外部との間で基板の受け
渡しを行う受け渡し室と、前記基板に対して処理を施す
処理室とが前記基板の搬送室の周囲に配置され、前記処
理室と前記受け渡し室とに対する前記基板の搬送が前記
搬送室を介して行われる基板処理装置において、さら
に、前記搬送室に接合してダミー基板を収納するための
ダミー基板収納室が設けられている。
の基板処理装置において、前記ダミー基板収納室は、前
記ダミー基板または前記基板を複数枚収納するために複
数の棚を備えている。
請求項2に記載の基板処理装置において、前記ダミー基
板収納室と床面との間に、作業空間が設けられている。
板の受け渡しを行う受け渡し室と、前記基板に対して処
理を施す処理室とが前記基板の搬送室の周囲に配置さ
れ、前記搬送室は、前記基板を搬送するための搬送手段
を備え、前記搬送手段による前記処理室と前記受け渡し
室とに対する前記基板の搬送を制御する制御手段を有す
る基板処理装置において、さらに、前記搬送室に接合し
てダミー基板を収納するためのダミー基板収納室が設け
られており、前記処理室のクリーニングまたは立ち上げ
調整を行う際に、前記搬送手段を駆動制御することによ
って、前記ダミー基板収納室に収納されている前記ダミ
ー基板を取り出し、前記処理室に搬送させるダミー基板
搬送制御手段を有している。
の基板処理装置において、前記ダミー基板搬送制御手段
による駆動制御に先立って、前記搬送手段を駆動制御す
ることにより、前記ダミー基板を前記受け渡し室から前
記搬送室を介して前記ダミー基板収納室に収納させるダ
ミー基板準備搬送制御手段をさらに有している。
板処理装置の全体構成図である。図に示すように、この
基板処理装置は、内部に基板搬送機構を有するトランス
ファチャンバTCの周囲に第1のロードロック室LL
1,第2のロードロック室LL2,第1の処理チャンバ
PC1,第2の処理チャンバPC2,第3の処理チャン
バPC3,およびダミー基板または基板を複数枚収容す
ることができるシェルフチャンバ(ダミー基板収納室)
SCが放射状に設けられたクラスタ型の基板処理装置で
あり、各部に接続された制御部によるタイミング制御に
よって、トランスファチャンバTCを介してロードロッ
ク室LL1,LL2から順に第1の処理チャンバPC1
から第3の処理チャンバPC3において処理対象である
複数の基板を枚葉式に搬送しながら熱処理等を行い、全
処理が終了した基板をロードロック室LL1,LL2内
のカセットに収納するように構成されている。そして、
シェルフチャンバSCには、各処理チャンバPC1,P
C2,PC3のクリーニングまたは立ち上げ調整を行う
ためのダミー基板や処理対象の基板を収納することがで
きる。
Cとロードロック室LL1,LL2との間には、遮蔽扉
13が設けられている。また、同様にトランスファチャ
ンバTCと各処理チャンバPC1,PC2,PC3との
間にも遮蔽扉13が設けられている。これに対して、シ
ェルフチャンバSCとトランスファチャンバTCとの間
には、遮蔽扉は設けられていない。
L2と、各処理チャンバPC1,PC2,PC3と、ト
ランスファチャンバTCとのそれぞれの内部雰囲気を独
立に制御する必要があるために設けられている。そし
て、トランスファチャンバTC内部は、常に真空状態を
保持し続けるように構成されている。そして、シェルフ
チャンバSCはダミー基板や基板を収納しておくための
チャンバであるため、当該シェルフチャンバSC内にお
いては、ダミー基板または基板に対して、何も処理を施
さない。したがって、シェルフチャンバSC内は、常に
真空状態で良いため、トランスファチャンバTC内と同
じ雰囲気で良い。このような理由により、シェルフチャ
ンバSCとトランスファチャンバTCとの間には、遮蔽
扉は設けられていない。これによりシェルフチャンバS
Cを真空状態にするための機構を設ける必要が無くな
る。
チャンバPC1,PC2,PC3の立ち上げを行う際に
は、予備加熱などの立ち上げ調整を行う必要があるた
め、トランスファチャンバTCの搬送アームは、シェル
フチャンバSCからダミー基板を取り出し、各処理チャ
ンバPC1,PC2,PC3に搬送する。各処理チャン
バPC1,PC2,PC3においては、ダミー基板を使
用してチャンバ内の立ち上げ調整を行う。そして、この
調整が終了すると、トランスファチャンバTCの搬送ア
ームは、各処理チャンバからダミー基板を取り出し、再
びシェルフチャンバSCに格納する。なお、各処理チャ
ンバ内をクリーニングする際も、同様にダミー基板を使
用して行われる。
基板または基板を複数枚収容することができるように、
複数の棚が形成されている。図2は、シェルフチャンバ
SCの内部に形成された基板収容用の棚を示す図であ
る。図2(a)は4つの棚T1,T2,T3,T4が形
成されている状態を示す斜視図である。このようにダミ
ー基板または基板を複数枚収容することができるため、
ダミー基板を複数枚収納できると共に、処理チャンバの
トラブル発生時や処理チャンバの処理速度の遅い時など
に処理対象の基板の一時待機場所として使用できる。棚
は、ダミー基板DWの外形に沿う形状をしている。1つ
の棚には1枚のダミー基板DWが収納可能である。ここ
で、ダミー基板DWの外形および大きさは、基板と略等
しい形状である。
ミー基板DWを収納している状態を示す図である。図に
示すように、ダミー基板DWは、棚T1の凹部Gに納め
られ、振動などにより、収納位置が変化せず、常に一定
の場所に固定されるように構成されている。なお、当該
シェルフチャンバSCには、ダミー基板だけでなく、処
理対象である基板も収納することが可能である。そし
て、シェルフチャンバSCに収容することができる基板
の枚数は、トランスファチャンバTCの搬送アームのZ
軸方向の移動可能距離によって決まる。
である。図3において、第1,2,3の処理チャンバP
C1,PC2,PC3は、図示していない。図に示すよ
うに、ロードロック室LLとトランスファチャンバTC
が床面FLに設置されているのに対して、シェルフチャ
ンバSCは、トランスファチャンバTCに固着されてお
り、床面FLから浮いた状態となっている。これは、ト
ランスファチャンバTCなどのメンテナンスを行う際に
シェルフチャンバSCの下方に作業者が入り込んで作業
が行えるためである。
ついて説明する。図1に示すように、通常クラスタ型の
基板処理装置には、ロードロック室が2つ備えられてい
る。このうち一方は、未処理の基板を処理チャンバに導
くためのローダとして利用され、他方は、処理済み基板
を収納するためのアンローダとして利用される。
L2)の側面断面図である。ロードロック室LLは、カ
セットCを保持するカセット保持部40を真空エレベー
タ30上に備えている。したがって、真空エレベータ3
0を駆動することによってカセット保持部40をZ軸に
沿って昇降させることができ、その結果カセットCが昇
降する。先述のように、この基板処理装置にはダミー基
板を収納することができるシェルフチャンバSCを備え
ており、ロードロック室LLには、ダミー基板を収納し
ておく必要がない。したがって、真空エレベータ30の
駆動範囲は、カセットC内の基板Wに対して、トランス
ファチャンバTC内の基板搬送機構がアクセスできる程
度で良い。すなわち、従来に比べると真空エレベータ3
0の送り距離を短くすることができる。
は、カセットC搬入用の開口部10aと、基板Wの受け
渡し用の開口部10cを有している。そして、これらの
開口部10a,10cには、それぞれ密閉型の遮蔽扉1
2,13が設けられている。そしてこれらの遮蔽扉1
2,13を閉じると、ロードロック室LL内部は完全に
外部雰囲気を遮断することができる。
にガス供給用の給気口10bと、下部に内部雰囲気の排
気用の排気口10dが設けられている。そして上部の給
気口10bにはバルブ14aを備えた給気管14bが設
けられており、さらに内部底面の排気口10dにはバル
ブ15aを備えた排気管15bが設けられており、内部
の雰囲気を排出するように構成されている。
について説明する。図5はトランスファチャンバTCの
側面断面図である。このトランスファチャンバTCの筐
体11は六角柱状(図1参照)をなしており、6つの各
側面には各チャンバに通じる基板の受け渡し用の開口部
(図5には開口部11a,11cのみ表示)が設けられ
ている。そして、これらの開口部のうちシェルフチャン
バSCに接合している側面の開口部を除いて、すべての
側面の開口部には他のチャンバの雰囲気を遮断するため
の遮蔽扉13が設けられている。さらに上面にガス供給
用の給気口11bと内部雰囲気の排出用の排気口11d
が設けられている。なお、トランスファチャンバTCの
形状は六角柱状であることに限定されるものではなく、
一般的に多角柱状であってよい。
の中央部には、基板搬送機構20が設けられている。基
板搬送機構20は底部に固定された基台21上に機構支
持部22が設けられており、さらに機構支持部22の内
部にはZ軸方向に伸縮する鉛直駆動部23が設けられて
いる。この鉛直駆動部23は昇降自在に設けられてお
り、上昇すると機構支持部22の上面の開口部から上方
に突出し、逆に降下すると機構支持部22の内部に収納
される。さらに、この鉛直駆動部23の上面には水平方
向に伸びる第1アーム24の一方端が回動軸A1の周り
に回動自在に取り付けられている。また、第1アーム2
4の他方端に第2アーム25の一方端が、また第2アー
ム25の他方端に第3アーム26の一方端が、それぞれ
回動軸A2,A3を中心として回動自在となっており、
図示しない内蔵のモータの回転により各アームがそれぞ
れ回動し、任意の角度をとることが可能となっている。
そして第3アーム26の他方端において、基板を保持す
ることができるようになっている。なお、第1アーム2
4,第2アーム25,第3アーム26によって基板の搬
送アーム27が実現されている。
の上部にガス供給用の給気口11bと、下部に内部雰囲
気の排気用の排気口11dが設けられている。そして上
部の給気口11bにはバルブ16aを備えた給気管16
bが設けられており、さらに内部底面の排気口11dに
はバルブ17aを備えた排気管17bが設けられてお
り、内部の雰囲気を排出するように構成されている。
置におけるダミー基板または基板の搬送は、図6に示す
ような制御構成によって制御されている。図6に示すよ
うに、ロードロック室LL1,LL2と処理チャンバP
C1,PC2,PC3とトランスファチャンバTCとは
それぞれコントローラ50に接続されている。そしてコ
ントローラ50には、CRTディスプレイなどの表示装
置51とキーボードなどの操作入力装置52が接続され
ている。このような構成においてコントローラ50は、
CPUやメモリを有しており、メモリ内に記憶されてい
るプログラムに従ってトランスファチャンバTC内の基
板搬送機構を駆動制御し、ロードロック室LL1,LL
2と処理チャンバPC1,PC2,PC3に対してダミ
ー基板や基板の搬送を行う。
ら操作入力装置52よりコマンドを入力することによ
り、ダミー基板や基板などの搬送手順を設定する。コン
トローラ50は設定された搬送手順を記憶し、この搬送
手順に適合する処理シーケンスを実行する。なお、この
処理シーケンスにおいてコントローラ50は、基板処理
装置の全体を統括的に制御する。
板の処理シーケンスについて説明する。図7乃至図9
は、この発明の処理シーケンスを示すフローチャートで
ある。
ダミー基板をシェルフチャンバ内に納める場合の搬送手
順の制御について説明する。図7に示すように、最初に
ロードロック室のカセット保持部にダミー基板が入れら
れたカセットを載置する(ステップS1)。そしてその
後ロードロック室のカセット搬入用の開口部に設けられ
た遮蔽扉を閉じる。この状態でロードロック室内部は、
外部から遮蔽された状態になる。そして、ロードロック
室内を真空状態にする(ステップS2)。そしてあらか
じめ真空状態となっているトランスファチャンバ内と同
程度の真空状態となると、基板の受け渡し用の開口部に
設けられた遮蔽扉を開き、ロードロック室とトランスフ
ァチャンバとの間で基板の受け渡しができるようにす
る。そして、トランスファチャンバの搬送アームがロー
ドロック室内にセットされたカセットからダミー基板を
取り出し、シェルフチャンバ内に納める(ステップS
3)。なお、カセットにダミー基板が複数枚収納されて
いる場合は、そのすべてをシェルフチャンバ内に納める
まで搬送動作は繰り返される。ここで、先にも説明した
ように、シェルフチャンバとトランスファチャンバとの
間には遮蔽扉が存在しないため、シェルフチャンバ内
は、トランスファチャンバ内と同じ雰囲気(真空状態)
になっている。
に収まると、ロードロック室とトランスファチャンバと
の間の遮蔽扉が閉まり、ロードロック室内を再び大気圧
に戻す(ステップS4)。その後、空になったカセット
をロードロック室内から取り出し、処理対象である基板
が納められたカセットをロードロック室内のカセット保
持部に載置し、基板の処理準備を整える(ステップS
5)。
基板の処理の途中に調整やクリーニングが必要となるよ
うな場合に、ロードロック室には特別な動作は発生しな
いため、処理の効率化につながる。
が発生した場合の搬送手順の制御について、図8を参照
して説明する。まず、トラブルの発生時に搬送アームが
処理対象の基板を搬送中か否かを判断する(ステップS
11)。基板の搬送中であれば、搬送アーム上の基板を
シェルフチャンバ内の空いている棚に納める(ステップ
S12)。搬送アームが基板の搬送を行っていない場合
には、搬送アーム上に基板が存在しないため、処理をス
テップS13に移す。ステップS13では、実際に作業
者がトラブルの発生した処理チャンバに対して、トラブ
ル対応処理を施す。処理チャンバのトラブルが解決する
と再び処理チャンバを立ち上げるために、立ち上げ調整
を行う必要がある。したがって、搬送アームは、シェル
フチャンバに納められているダミー基板をプロセスチャ
ンバ内に搬送する(ステップS14)。そして処理チャ
ンバでは、ダミー基板を用いて立ち上げ調整を行う(ス
テップS15)。そして処理チャンバの立ち上げ調整が
終了すると、搬送アームが処理チャンバ内からダミー基
板を取り出し、シェルフチャンバの棚に収納(ステップ
S16)して処理は終了する。
ンバ内をクリーニングする必要がある場合の搬送手順の
制御について、図9を参照して説明する。まず、トラン
スファチャンバの搬送アームに処理対象の基板が載って
いるか否かを判断する(ステップS21)。ここで搬送
アーム上に基板が存在する場合は、搬送アーム上の基板
をシェルフチャンバの空いている棚に納める(ステップ
S22)。また、ステップS21において搬送アーム上
に基板が存在しなかった場合には、処理をステップS2
3に移す。そして、搬送アームがシェルフチャンバ内の
ダミー基板を取り出し、クリーニングを必要としている
処理チャンバ内に搬送する(ステップS23)。そして
処理チャンバにダミー基板が納められると、処理チャン
バとトランスファチャンバとの間の遮蔽扉を閉じ、処理
チャンバ内のクリーニングを行う(ステップS24)。
クリーニングが終了すると、再び遮蔽扉を開き、搬送ア
ームが処理チャンバ内からダミー基板を取り出し、シェ
ルフチャンバ内の棚に収納する(ステップS25)。こ
れで処理は終了する。
ャンバの立ち上げ調整やクリーニングを行う際には、ダ
ミー基板をシェルフチャンバから取り出すことができる
ため、ロードロック室はこの動作に関係しない。したが
って、ロードロック室の真空エレベータの動作や、真空
状態や大気圧状態への変更のための時間が省略でき、処
理が効率化できると共に、ロードロック室の真空エレベ
ータの送り距離を短くすることができ、装置の大型化を
防ぐことが可能である。
用することによって、クラスタ型の基板処理装置に枚葉
式の処理チャンバと、複数枚の基板を同時に処理するバ
ッチ式の処理チャンバを統合さることが可能になる。こ
れについて以下に説明する。
例を示す図である。図に示すように、シェルフチャンバ
SCの一方は、トランスファチャンバTCに接続されて
おり、他方は、絶縁バルブIVを介してバッチ式処理チ
ャンバBPCに接続されている。すなわち、シェルフチ
ャンバSCにはトランスファチャンバTC側とバッチ式
処理チャンバBPC側との両方に開口部を有しており、
基板を2方向から搬送することが可能である。このよう
な構成において、バッチ式処理チャンバBPCは複数枚
の基板を同時に処理することができる処理チャンバであ
るにも関わらず、その他の処理チャンバPC1,PC
2,PC3は枚葉式の処理チャンバであり、さらに、ト
ランスファチャンバTC内の基板搬送機構も基板を枚葉
式で搬送するものである。したがって、シェルフチャン
バSCは、枚葉式で搬送されてくる基板をバッチ式処理
チャンバBPCに搬送する前の待機場所として利用され
る。例えば、バッチ式処理チャンバBPCが一度に20
枚の基板を処理することが可能である場合には、シェル
フチャンバSC内にトランスファチャンバTCから枚葉
式に搬送されてくる基板が20枚になるまで待機させ、
その後シェルフチャンバSC内に待機していた20枚の
基板をバッチ式処理チャンバBPCに渡す。
式処理チャンバBPCが常圧処理である場合と真空処理
である場合があるが、どちらの場合でも枚葉式処理側と
バッチ式処理側との雰囲気分離の必要性からシェルフチ
ャンバSCとバッチ式処理チャンバBPCとの間、また
はトランスファチャンバTCとシェルフチャンバSCと
の間に絶縁バルブIVを設ける必要がある。
基板枚数が多いために、トランスファチャンバTCの基
板搬送機構のZ軸方向の駆動可能範囲内ですべての基板
をシェルフチャンバSCに納めることができない場合に
は、シェルフチャンバSC内に真空エレベータを設ける
ことによって、この問題を解消することができる。
応じて、他のチャンバとは独立した排気機構および給気
機構を備えても良い。
空状態においてダミー基板または基板を搬送する装置で
あった。しかし、この発明の目的は、ダミー基板の使用
に関して、受け渡し室を大きくすることのない基板処理
装置を提供することであるため、常圧においてダミー基
板または基板を搬送する装置にも適用可能である。シェ
ルフチャンバにダミー基板や基板を収納することは常圧
において処理される基板処理装置にも適用することがで
き、これによってロードロック室のカセットを昇降駆動
する機構部の可動範囲を小さくすることが可能であり、
これによって受け渡し室を大きくする必要がなくなる。
発明によれば、ダミー基板を収納するためのダミー基板
収納室が設けられているため、必要なときに速やかにダ
ミー基板を処理室に搬送することができると共に、受け
渡し室を大きくする必要がない。
板収納室は、ダミー基板または基板を複数枚収納するた
めに複数の棚を備えるため、ダミー基板を複数枚収納で
きると共に、処理室のトラブル発生時や処理室の処理速
度の遅い時などに処理対象の基板の一時待機場所として
使用できる。
板収納室と床面との間に、作業空間が設けられているた
め、ダミー基板収納室の下方に作業者が入り込んで作業
を行うことができる。
クリーニングまたは立ち上げ調整を行う際に、ダミー基
板収納室に収納されているダミー基板を取り出し、処理
室に搬送するため、従来のように処理室へのダミー基板
の搬送の際に受け渡し室での操作を必要としない。この
ため、そのような操作のための機構的要請から受け渡し
室が大型化することはなく、ダミー基板の取り出しに付
随して受け渡し室での気圧調整を行う時間も不要であ
る。すなわち、受け渡し室に真空エレベータを設けてお
くような典型的な場合には、受け渡し室の真空エレベー
タの動作や、真空状態や大気圧状態への変更のための時
間が省略でき、処理が効率化できると共に、受け渡し室
の真空エレベータの送り距離を短くすることができ、装
置の大型化を防ぐことが可能である。
板を、あらかじめ受け渡し室から搬送室を介してダミー
基板収納室に自動的に収納することができる。
成図である。
用の棚を示す図である。
ック図である。
トである。
トである。
トである。
ある。
ロック室を示す図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 外部との間で基板の受け渡しを行う受け
渡し室と、前記基板に対して処理を施す処理室とが前記
基板の搬送室の周囲に配置され、 前記処理室と前記受け渡し室とに対する前記基板の搬送
が前記搬送室を介して行われる基板処理装置において、 さらに、前記搬送室に接合してダミー基板を収納するた
めのダミー基板収納室が設けられていることを特徴とす
る基板処理装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記ダミー基板収納室は、前記ダミー基板または前記基
板を複数枚収納するために複数の棚を備えることを特徴
とする基板処理装置。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の基板処
理装置において、 前記ダミー基板収納室と床面との間に、作業空間が設け
られていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項4】 外部との間で基板の受け渡しを行う受け
渡し室と、前記基板に対して処理を施す処理室とが前記
基板の搬送室の周囲に配置され、 前記搬送室は、前記基板を搬送するための搬送手段を備
え、 前記搬送手段による前記処理室と前記受け渡し室とに対
する前記基板の搬送を制御する制御手段を有する基板処
理装置において、 さらに、前記搬送室に接合してダミー基板を収納するた
めのダミー基板収納室が設けられており、 前記処理室のクリーニングまたは立ち上げ調整を行う際
に、前記搬送手段を駆動制御することによって、前記ダ
ミー基板収納室に収納されている前記ダミー基板を取り
出し、前記処理室に搬送させるダミー基板搬送制御手段
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項5】 請求項4に記載の基板処理装置におい
て、 前記ダミー基板搬送制御手段による駆動制御に先立っ
て、前記搬送手段を駆動制御することにより、前記ダミ
ー基板を前記受け渡し室から前記搬送室を介して前記ダ
ミー基板収納室に収納させるダミー基板準備搬送制御手
段をさらに有することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20033596A JP3737570B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20033596A JP3737570B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1050789A true JPH1050789A (ja) | 1998-02-20 |
JP3737570B2 JP3737570B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=16422589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20033596A Expired - Fee Related JP3737570B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3737570B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6805748B1 (en) * | 1999-10-19 | 2004-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing system with load-lock chamber |
US7024266B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus, method of controlling substrate, and exposure apparatus |
JP2007511896A (ja) * | 2003-05-22 | 2007-05-10 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | ロードロックおよびバッファを有するワークピース取り扱い装置 |
JP2009259870A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Canon Inc | 露光装置、測定方法、安定化方法及びデバイスの製造方法 |
JP2010065305A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Seiko Epson Corp | スパッタリング装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2012151447A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Canon Anelva Corp | 基板処理方法、基板処理装置 |
CN102683243A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
JP2015146414A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP20033596A patent/JP3737570B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6805748B1 (en) * | 1999-10-19 | 2004-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing system with load-lock chamber |
US7024266B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus, method of controlling substrate, and exposure apparatus |
JP2007511896A (ja) * | 2003-05-22 | 2007-05-10 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | ロードロックおよびバッファを有するワークピース取り扱い装置 |
JP4935987B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2012-05-23 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオン注入機と共に使用するための移送装置及びその方法 |
JP2009259870A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Canon Inc | 露光装置、測定方法、安定化方法及びデバイスの製造方法 |
JP2010065305A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Seiko Epson Corp | スパッタリング装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2012151447A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Canon Anelva Corp | 基板処理方法、基板処理装置 |
US10236199B2 (en) | 2010-12-28 | 2019-03-19 | Canon Anelva Corporation | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN102683243A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
US8765002B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-07-01 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2015146414A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3737570B2 (ja) | 2006-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6802934B2 (en) | Processing apparatus | |
KR101176238B1 (ko) | 가열 처리 장치, 가열 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체 | |
US6314658B2 (en) | Vacuum processing apparatus and operating method therefor | |
JP3947761B2 (ja) | 基板処理装置、基板搬送機および基板処理方法 | |
JP5046435B2 (ja) | 基板搬送装置及び方法 | |
KR100269097B1 (ko) | 기판처리장치 | |
JP2000174091A (ja) | 搬送装置及び製造装置 | |
JP2005197752A (ja) | 基板製造装置及びそれに使用される基板移送モジュール | |
JPH04190840A (ja) | 真空処理装置 | |
JP3737570B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPH09104982A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3549674B2 (ja) | ロードロック室を備えた基板の処理装置 | |
JP2004319761A (ja) | 真空処理装置 | |
JPH0729963A (ja) | 半導体製造装置 | |
KR20070024517A (ko) | 종형 열처리 장치 및 그 운용 방법 | |
JP2002158273A (ja) | 真空処理装置 | |
JPH1079412A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP4383636B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2000058619A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP3121022B2 (ja) | 減圧処理装置 | |
KR20230130775A (ko) | 처리 장치, 배기 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP4456727B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JPH09213764A (ja) | 真空処理装置 | |
USRE39824E1 (en) | Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors | |
US20200291516A1 (en) | Substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040907 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041026 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20041217 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050712 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050908 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20050913 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051025 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051027 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |