JPH10501728A - カルボン酸塩の製造方法及び該方法において有用な触媒 - Google Patents

カルボン酸塩の製造方法及び該方法において有用な触媒

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JPH10501728A JP7523724A JP52372495A JPH10501728A JP H10501728 A JPH10501728 A JP H10501728A JP 7523724 A JP7523724 A JP 7523724A JP 52372495 A JP52372495 A JP 52372495A JP H10501728 A JPH10501728 A JP H10501728A
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Abstract

(57)【要約】 カルボン酸塩を製造する方法であって、有効量の触媒の存在下に第一級アルコールの水溶液を塩基性水酸化物と接触させることを含み、前記触媒は実質的に耐アルカリ性担体と、触媒総重量に基づき約0.05〜約10重量%の白金、パラジウム、ルテニウム及び金の中から選択されたアンカー金属と、前記アンカー金属と組み合わせられた、触媒総重量に基づき約1〜約50重量%の銅、コバルト、ニッケル及びカドミウムの中から選択された元素とから成る方法を開示する。

Description

【発明の詳細な説明】 カルボン酸塩の製造方法及び該方法において有用な触媒 発明の背景 本発明は、カルボン酸塩の製造に係わり、特に新規な触媒の存在下に第一級ア ルコールを水酸化物塩基と反応させることによりカルボン酸塩を製造する方法に 係わる。本発明は、上記触媒の製造、及び上記触媒の組成物の調製にも係わる。 カルボン酸は様々な用途において有用である。カルボン酸は中和させて、幾つ かの用途においてやはり有用である対応する塩にすることができ、この塩は医薬 、農業用化学薬剤、農薬、またはこれらの前駆体などに用いられる。上記カルボ ン酸の多くは大量に市販されている。 Goto等の米国特許第4,782,183号には、酸化ジルコニウムに担持 されたラネー銅触媒または銅触媒の存在下にアミノアルコールをアルカリ金属水 酸化物と接触させることを含むアミノカルボン酸塩の製造方法が開示されている 。 Fields等の米国特許第4,810,426号には、N−ホスホノメチル エタノールアミンまたはその環状内部 エステルを銅触媒存在下に過剰量のアルカリ水溶液で酸化し、その後温度200 〜300℃に加熱することによってN−ホスホノメチルグリシンを製造する方法 が開示されている。得られた塩を酸で中和して所望のN−ホスホノメチルグリシ ンを製造する。 Franczykの米国特許第5,292,936号には、改良されたアミノ カルボン酸塩製造方法が開示されている。この方法によれば、有効量のクロム、 チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、バナジウム、モリブデン、マンガン 、タングステン、コバルト、ニッケル及びこれらの混合物の中から選択された元 素を約50〜約10,000ppm含有するラネー銅触媒の存在下にアミノアル コールの水溶液をアルカリ金属水酸化物と接触させる。 銅触媒、更にはラネー銅触媒を用いてアルコールをカルボン酸塩に変換する従 来技術による方法でも十分な成果は得られるが、本発明の教示によれば今や、本 発明の新規な触媒を用いればラネー銅触媒を含めた他の銅触媒を用いた場合より 短時間でアルコールを対応する酸塩に変換し得ることが判明した。このことは、 上記のような反応を商業的規模で生起させる場合に資本及び運転コストの著しい 節約 を実現する。 Hsin−Fu Chang等による雑誌論文“Dependence of Selectivity on the Preparation Meth od of Copper/α−Alumina Catalysts in the Dehydrogenation of Cyclohexanol, ”Applied Catalysls A:General 103,pp. 233−242,1993には、11種の銅/α−アルミナ触媒を製造する無電 解銅めっき法、沈澱法及び含浸法が開示されている。製造方法がシクロヘキサノ ールの脱水素化反応に及ぼす影響が調べられた。報告された結果は、脱水素化活 性は或る限度までは銅負荷の増大につれて上昇するが、それ以降は銅負荷が更に 増大しても低下することを示している。発明の概要 本発明は、新規でかつ有用なカルボン酸塩の製造方法を提供し、この方法は、 水を存在させつつ第一級アルコールをアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属 水酸化物、テトラアルキルアンモニウム水酸化物等といった水酸化物強 塩基と、水中に懸濁させた有効量の触媒の存在下に接触させることを含む。触媒 は、耐水酸化物性の担体と、この担体にデポジットされたかまたは埋め込まれた 、触媒総重量に基づき約0.05〜約10重量%の微粉状の貴金属などのアンカ ー金属と、銅、コバルト、ニッケル、カドミウム及びこれらの混合物の中から選 択されてアンカー金属粒子の少なくとも幾分かを覆う無電解めっき膜を構成する 、触媒総重量に基づき約1〜約50重量%の元素状態の金属とを含む。本明細書 中に用いた「無電解めっき」という語は、付着性金属被膜を適当な支持体に、外 部電源を適用することなく化学的にデポジットすることを意味すると理解される べきである。 本発明は、カルボン酸塩の製造に有用な触媒にも係わり、本発明の触媒は炭素 、好ましくは活性炭などの耐水酸化物性担体と、好ましくは白金、パラジウム、 ルテニウム、金及びこれらの混合物の中から選択して前記担体にデポジットされ たかまたは埋め込まれた、触媒総重量に基づき約0.05〜約10重量%の粒状 アンカー金属と、銅、コバルト、ニッケル、カドミウム及びこれらの混合物の中 から選択されてアンカー金属粒子の少なくとも幾分かを覆う無電解 めっき膜を構成する、触媒総重量に基づき約1〜約50重量%の元素とを含む。 本発明の触媒は、銅、コバルト、ニッケル、カドミウム及びこれらの混合物の中 から選択した、触媒総重量に基づき約1〜約50重量%の元素を、白金、パラジ ウム、ルテニウム、金及びこれらの混合物の中から選択した約0.05〜約10 重量%のアンカー金属を担持させた耐水酸化物性担体にデポジットすることを含 む方法によって製造できる。 本発明はまた、銅、コバルト、ニッケル、カドミウム及びこれらの混合物の中 から選択した元素での無電解めっきによって触媒を製造する新規で有用な方法も 提供する。この方法は、上記めっき金属の水溶性イオン源と、適当な錯化剤と、 埋め込まれたアンカー金属粒子を担持する耐アルカリ性担体とを水中で混合する ステップ、及びその後得られた混合物に還元剤をゆっくり添加して前記イオンを 元素形態に還元し、還元によって得られた金属でアンカー金属の非埋没表面の少 なくとも幾分かを無電解めっきするステップを含む。図面の簡単な説明 添付図面の図1は、本発明の新規な触媒の拡大横断面図 である。参照符号1によって示した耐アルカリ性担体に、アンカー金属粒子2が 部分的に埋め込まれている。アンカー金属の非埋没表面は、元素状態の触媒活性 非貴金属の無電解めっき膜3で被覆されている。図2に1個のアンカー金属粒子 2を、無電解めっきしていない状態で示す。担体に結合しているがアンカー金属 を覆うめっき膜とはならなかった非貴金属粒子に参照符号4を付す。発明の詳細な説明 本発明の方法において出発物質として有用である第一級アルコールは、強塩基 と反応してカルボン酸塩を形成するポリエーテルグリコールを含めた一価または 多価の脂肪族、環式または芳香族化合物であり得る。アルコール、及び得られる カルボン酸塩は強塩基性溶液中で安定でなければならず、またアルコールは少な くとも或る程度は水溶性でなければならない。 適当な第一級一価アルコールには、分枝鎖状、直鎖状または環状であり得る脂 肪族アルコール、及びベンジルアルコールなどの芳香族アルコールが含まれ、こ れらのアルコールは、当該アルコールを酸に変換するのに用いられる温度及び圧 力において強塩基、耐水酸化物性担体または触 媒と不都合に反応しないものにかぎり様々な非立体障害性基で置換可能である。 適当な脂肪族アルコールにはエタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノ ール等が含まれる。 式 によって表わされるアミノアルコールも本発明の方法において出発物質として有 用であり、前記式中nは2〜10、またはそれより大きい整数であり、mは少な くとも1で、50以上の大きい値を取ることも可能である。R1とR2とが共に水 素であり、かつnが2である場合、アミノアルコールはモノエタノールアミンで ある。R1及びR2の一方が−CH2CH2OHまたは−CH2COOHで、他方の 基Rは水素であり、かつnが2である場合は、アミノアルコールから得られる生 成物はイミノ二酢酸塩である。R1とR2との両方が−CH2CH2OHまたは−C H2COOHである場合は、アミノアルコールから得られる生成物 はニトリロ三酢酸塩となる。アミノアルコールの特定例には、モノエタノールア ミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−メチルエタノールアミ ン、N−エチルエタノールアミン、N−イソプロピルエタノールアミン、N−ブ チルエタノールアミン、N−ノニルエタノールアミン、N−(2−アミノエチル )エタノールアミン、N−(3−アミノプロピル)エタノールアミン、N,N− ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、N,N−ジブ チルエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタノー ルアミン、N−プロピルジエタノールアミン、N−ブチルジエタノールアミン、 N−メチル−N−(3−アミノプロピル)エタノールアミン、及び3−アミノプ ロパノールが含まれる。 上記式中、R1及び/またはR2は1〜6個の炭素原子を有するアルキル基、例 えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル等であって もよい。その場合には本発明の実施により、幾つかの用途において有用である、 上記アルキル基を有する対応するアミノ酸塩がもたらされる。R1またはR2をホ スホノメチル基とし、それによって出発アミノ酸をN−ホスホノメチルエタノー ルアミンとし、得られるアミノ酸塩をN−ホスホノメチルグリシンの塩とするこ とも可能である。R1及びR2の一方がホスホノメチルであり、他方が−CH2C H2OHである場合、得られるアミノ酸塩はN−ホスホノメチルイミノ二酢酸の 塩であり、この塩は当業者に公知である幾つかの技術によってN−ホスホノメチ ルグリシンに変換できる。R1及びR2の一方がホスホノメチルであり、他方が低 級アルキル基である場合は、得られるアミノ酸塩はN−アルキル−N−ホスホノ メチルグリシン酸塩であり、この塩はMiller及びBalthazorの米 国特許第5,068,404号の教示によってN−ホスホノメチルグリシンに変 換可能である。 本発明は本発明の触媒の使用も提供し、その際脱水素化して対応するカルボン 酸塩とするべきアミノアルコールは式 〔式中R1はC4〜C7アリールであり、好ましくはフェニルまたは置換フェニル である〕を有する化合物であり、得られるカルボン酸塩はN−ホスホノメチルグ リシンのアルカリ金属塩である。 アルコールを対応する酸に変換するのに用いるべき触媒の量は、出発アルコー ルの量に基づいて約1〜約70重量%、好ましくは1〜40重量%であり得る。 本発明の触媒は通常、従来のラネー銅触媒よりも多数回繰り返して反応に使用で きることが判明した。 本発明の方法で用いるのに適した水酸化物塩基には、水酸化マグネシウム、水 酸化カルシウム、水酸化バリウム等といったアルカリ土類金属水酸化物が含まれ る。水酸化物塩基は、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ジメチルジプロ ピルアンモニウム、水酸化トリブチルエチルアンモニウム等といった、各アルキ ル基中に5個以下の炭素原子を有するテトラアルキルアンモニウム水酸化物であ っても、またグアニジン及びアミノグアニジンなど、他の有機強塩基であっても よい。しかし、好ましいのはアルカリ金属水酸化物である。本発明の方法で用い るのに適したアルカリ金属水酸化物には、水酸化リチウム、水酸化ナトリウ ム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム及び水酸化セシウムが含まれる。容易に 入手でき、かつ取り扱いも容易であることから水酸化ナトリウム及び水酸化カリ ウムが好ましく、水酸化ナトリウムが特に好ましい。水酸化物塩基は、アミノア ルコール出発物質の任意の酸官能基の中和及び/または任意のエステル官能基の 加水分解の後に測定される、反応に用いるべきアルコールのヒドロキシル基の量 に対して1.0〜2.0当量の量で用いる。水酸化物は、フレーク、粉末、ペレ ットまたは水溶液の形態とし得る。 本発明の方法では、温度約70〜250℃、好ましくは約100〜約190℃ 、更に好ましくは約140〜180℃において本発明の触媒の存在下に、反応容 器内でアルコールをアルカリ金属水酸化物と接触させさえすればよい。約220 ℃より高い温度では通常、触媒の選択性が幾らか失われ始める。約50℃より低 い温度では、十分な結果を得ることは可能であるが、反応に望ましくないほど時 間が掛かる恐れが有る。概して、ポリエーテルグリコールを反応させて対応する カルボン酸塩を生成させるにはもっと高い温度が必要である。 上記のような温度において反応を適当な速度で進行させ るには、大気圧より高い圧力が必須ではないにせよ通常必要である。しかし、反 応圧力は、適度に高い反応速度を実現する上で可能なかぎり小さいことが望まし い。通常、反応圧力は液相中で反応が進行する最小圧力より大きくなければなら ず、好ましくは約1.96×105Paから約2.94×106Pa、更に好まし くは約4.90×105Paから約1.96×106Paでなければならない。ア ルコールの対応する酸塩への変換は水素の放出と共に進行し、前記水素は加圧反 応容器から慎重に排出される。水素の排出を監視すれば、反応の速度及び完了を 確認することができる。 当業者に良く知られているように、無電解金属めっきではデポジットするべき 金属の水溶性塩の水性めっき浴もしくはデポジション水溶液を用いることにより 、外部からの電流適用をもはや行なわない。好ましい金属は、硫酸銅(第二銅) 等のような水溶性塩としてめっき浴中に存在する銅である。他の通常の浴成分に は、還元剤、アルカリ性水酸化物、錯化剤もしくはキレート化剤、並びに場合に よっては安定剤、界面活性剤、光沢剤及び湿潤剤等といった他の配合添加物が含 まれる。 いずれの特定の浴組成物を用いるかの選択は、当業者に良く知られた幾つかの 要因に基づいて定まる。 銅デポジション用として好ましい還元剤は、XCOO-イオンに還元可能なホ ルムアルデヒドまたは他の物質であり、前記式中Xはホルムアルデヒドでは水素 であり、アセトアルデヒドではCH3である。ニッケルの無電解還元に適した還 元剤には、例えば次亜リン酸ナトリウム、ホウ水素化ナトリウム、ジメチルアミ ンボラン(DMAB)及びヒドラジンが含まれる。 適当なキレート化剤もしくは錯化剤には、ロシェル塩(酒石酸塩)、エチレン ジアミン四酢酸(EDTA)、N−ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸( HEEDTA)、ニトリロ三酢酸(NTA)、N,N,N′,N′−テトラキス (2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン(Quadrolキレート化剤) 、または金属イオンを無電解金属浴中で適宜溶解可能に維持することを保証する 他の物質が含まれる。 被覆するべきアンカー金属粒子を耐アルカリ性担体の表面に埋め込んで支持体 を形成する。炭素担体に埋め込んだ白金微粒子が好ましい。このような支持体を 、キレート化 した金属をアンカー金属に最も好ましくデポジットし、時には自立した金属粒子 として支持体に結合させるべく適宜選択した圧力、温度及び時間条件下に接触さ せる。適当な温度は、デポジション溶液の凝固点から還流温度までである。金属 めっき膜の厚みは、触媒性表面が得られるように選択する。通常、めっきしたア ンカー金属粒子の卑金属被膜の厚みは約0.3〜500nm、好ましくは1〜5 nmである。 無電解めっき浴中に界面活性剤を用いることも可能である。適当な界面活性剤 は、液体の表面張力、または液体と固体との間の界面張力を低下させ得る物質で ある。このような物質は、水溶性(親水性)部分が有機(疎水性)部分に結合し ているという共通の特徴を有し、洗剤及び乳化剤を包含する。 アルコールが対応する酸塩に変化する反応を強塩基溶液中で生起させるので、 触媒の担体は耐水酸化物性でなければならない。適当な担体に酸化チタン、酸化 ジルコニウム及び炭素が含まれる。なかでも炭素が好ましい。活性炭であれば更 に好ましい。 耐水酸化物性担体にデポジットする粒状のアンカー金属 は貴金属であり得る。ここで貴金属とは、金、白金、パラジウム、ルテニウム、 またはこれらの混合物のことである。なかでも白金が好ましい。耐水酸化物性担 体にデポジットするべきアンカー金属の量は、触媒の総重量に基づき約0.05 重量%から約10重量%まで様々とし得る。耐水酸化物性担体にデポジットする アンカー金属量を約0.05重量%より少なくすると、銅、コバルト、ニッケル 及び/またはカドミウムと結合し、それによって多くの反応に有効な触媒をもた らすには不十分なアンカー金属しかデポジットできない。他方、触媒総重量に基 づき約10重量%より多量のアンカー金属を担体にデポジットした場合は、めっ き膜を構成する金属のクリスタリット寸法が増大する傾向を示す。めっき膜を構 成する元素状金属の結晶寸法が比較的大きいと、時に触媒性能が低下する。触媒 総重量に基づき約0.1〜約5重量%のアンカー金属を用いることが好ましい。 適当なアンカー金属を担持した適当な耐水酸化物性担体は購入可能である。 本発明の触媒は、触媒総重量に基づき約1〜約50重量%の銅、コバルト、ニ ッケル、カドミウム及びこれらの 混合物の中から選択した元素を、約0.05〜約10重量%の、好ましくは白金 、パラジウム、ルテニウム、金及びこれらの混合物の中から選択したアンカー金 属を担持させた耐水酸化物性担体にデポジットすることによって製造する。デポ ジットする元素(即ち銅、コバルト、ニッケル及び/またはカドミウム)の量は 、埋め込まれた粒子の少なくとも幾分かを被覆するのに十分とするべきである。 アンカー金属が銀でない場合は、アンカー金属に銀をデポジットしてもよい。め っき金属粒子は被膜を構成する以外にも、少なくともその幾分かはアンカー金属 に付着せず、担体に埋没した状態で存在し得る。 X線光電子分光法(XPS)は、本発明の触媒においてデポジットした表面原 子の相対濃度を測定するのに用い得る技術である。この技術を用いて、本発明の 触媒では好ましくは、アンカー金属にデポジットした金属のXPS表面原子比が 2.0より大きく、更に好ましくは対応する沖合原子比より大きいことが判明し た。 アンカー金属を耐アルカリ性担体にデポジットし、また銅、コバルト、ニッケ ル及び/またはカドミウムをアンカー金属にデポジットするのに、幾つかの技術 が使用可能 である。しかし、無電解金属デポジションを用いることが好ましい。上記無電解 金属デポジションとは、付着性金属被膜を適当な支持体に、外部電源を適用する ことなく化学的にデポジットすることである。 アンカー金属を担体にデポジットする際、その方法にかかわらずアンカー金属 粒子の寸法は、後にデポジットする銅、コバルト、ニッケル及び/またはカドミ ウムの結晶寸法に影響する点において重要なパラメーターである。銅、コバルト 、ニッケル、カドミウム、またはこれらの混合物の平均クリスタリット寸法は約 500Åを下回るべきであり、銅であれば約300Å未満が好ましい。いかなる 特定理論にも拘泥するつもりは無いが、アンカー金属の均一な分布は高い反応収 率を達成する上で最良であるが、高い反応速度の実現には必要ないと考えられる 。更に、アンカー金属粒子は小型で、十分に少なく(well−reduced )、かつ高度に分散した状態で得ることが重要であるとも考えられる。 実際には、アンカー金属を担持した担体を水に添加してスラリーを得る。次に めっき液、例えば銅めっき液を錯化剤及び還元剤と適当な比率で混合し、その間 担体と水とか ら成るスラリーを開放容器内で、約0〜30℃または更に高い温度で穏やかに攪 拌する。スラリーに錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を少量ずつ、添加の度 にpHを監視しながら添加する。適当な時間間隔の後に、スラリーへの次の添加 をゆっくり行なう。添加するめっき液の量は、触媒のアンカー金属上に存在させ る触媒元素の所望の重量比率に依存する。触媒元素のデポジションが完了すると 、実質的に無色の濾液が得られる。 本発明の一具体例において得られる水溶液は、次の活性成分を含有する。 硫酸銅 4.0g/l ホルムアルデヒド 6.0g/l 水酸化ナトリウム 9.0g/l 過剰EDTAキレート化剤 0.06M 次に、完成した触媒を濾別し、蒸留水で洗浄する。前記濾別は窒素層などの不 活性雰囲気下に実施し、それによって触媒の空気への曝露を回避することが最良 である。触媒を洗浄することによって、ppm程度の微量の不純物などの未反応 成分、及び未反応のホルムアルデヒドなどの還元剤を除去する。触媒には通常約 0.5〜1.5重量%のア ルカリ金属が残留することが判明したが、このことは普通有害ではない。触媒は 、好ましくは水中に維持することによって、酸素への曝露が回避されるように貯 蔵するべきである。 本発明を、以下の非限定的な実施例によって更に詳述する。 先に述べたように、本発明の触媒を製造する好ましい方法は、まず水溶性の銅 イオンなどの金属イオンの供給源と、適当な錯化剤と、埋め込まれたアンカー金 属粒子を担持する耐アルカリ性担体とを水中で撹拌もしくは混合するステップ、 及びその後攪拌混合物にホルムアルデヒド、ヒドラジン等といった還元剤を滴下 などによってゆっくり添加するステップを含む。金属イオンを還元して金属元素 形態とし、還元によって得られた金属でアンカー金属の非埋没表面の少なくとも 幾分かを無電解めっきする。還元金属の幾分かはアンカー金属にデポジットされ ず、自立した金属粒子として担体にデポジットされ得る。 実施例1 この実施例では本発明の触媒の製造法を示す。 磁気攪拌プレート上にテフロンポリマーでコーティング した長さ5cmの磁気攪拌棒を含む1リットルガラスビーカーに、169mlの 蒸留水及びRidgefield Park、NJのDegussa Corp orationから入手し得る、5重量%(乾量13.37gに相当)の粉末形 態の白金−活性炭を加える。別の1リットルビーカーに、以下の成分(殆どは、 Waterbury,CTのMacDermid,Inc.から入手)を以下の 順序で攪拌しながら加えて、銅めっき溶液を調製する: (1)687mlの脱イオン水 (2)90mlのMACuPlex Ultra Depl 000B* (3)54mlのMACuPlex Ultra Depl 000A* (4)18mlのMACuPlex Ultra Depl 000D* (5)5mlの37%w/wホルムアルデヒド *MacDermidの商標製品 総容量 854ml。 製品コード番号17970についてのMacDermid製品説明書によれば 、得られた水溶液は、以下の有効成分を含む: 硫酸銅 4.0g/l ホルムアルデヒド 6.0g/l 水酸化ナトリウム 9.0g/l 過剰なEDTAキレート化剤 0.06モル 得られためっき溶液を濾過し、次いで3分毎に40℃で122mlずつ5%白 金−活性炭の攪拌スラリーに加えた。pHをモニターして反応度を確認する。ガ スの放出が激しくなりすぎる場合には添加間隔を長くする。 めっき溶液の添加が完結した後、4リットル真空フラスコ及び350ml粗( coarse)ガラスフィルター漏斗を用い、該漏斗頭部を覆うガラスドームを 窒素でパージして、触媒を濾過、回収する。濾過後、固体物質を1回につき25 0mlの脱イオン水で3〜4回洗浄する。この製造法における触媒の乾量収量は 18.4gである。該触媒の微量分析により、元素組成は、触媒の総重量の13 .4重量%が銅で、3.4重量%が白金であることが示される。 XRD腺の広がりにより測定した銅結晶の平均サイズは157Åである。 実施例2 この実施例では、本発明の触媒の別の製造法を示す。 磁気攪拌プレート上にテフロンポリマーでコーティングした長さ2.5cmの 磁気攪拌棒を含む2リットルガラスビーカーに、蒸留水(190ml)、次いで 5重量%(乾量16.42gに相当)の白金−活性炭(Degussa Cor porationから入手)を加える。4リットルビーカーに以下の成分を攪拌 しながら加えて、銅めっき水溶液を調製する: (1)50mlの脱イオン水 (2)NaKC446・4H2O(酒石酸塩)(29.99g、0.106mo l)を攪拌して溶解 (3)別のビーカー中で、脱イオン水400ml中に11.79gのCuSO4 ・5H2O(3gのCu)(0.047mol)を溶解 (4)得られた酒石酸塩溶液(2)に銅溶液(3)を添加 (5)13.60gの50重量%NaOH(0.17mol)を添加 (6)11.35mlの37重量%ホルムアルデヒド(0.15mol) 総容量 1125ml。 得られためっき溶液を、2.5分間隔で別個に79mlずつ合計約12回5重 量%白金−炭のスラリーに加える。pHをモニターして反応度を確認し、溶液の ガス放出が激しくなりすぎる場合には増分の添加を遅らせる。めっき溶液をスラ リーに加えた後、触媒を実施例1のように濾過して回収する。乾量収量は20. 03gである。組成を分析すると、触媒の総重量の14.5%が銅で、3.8% が白金であることが示される。銅結晶の平均寸法は119Åである。 実施例3 実施例2を繰り返すが、但し、成分(1)〜(5)を白金−炭支持体と共に混 合し、その後で、得られた混合物にホルムアルデヒドを30分かけて滴下する。 その結果、実施例2の方法に従って調製した触媒組成物を用いた場合に比べて白 金上への銅の付着が改良される。触媒を、ジエタノールアミンから対応する酸塩 への変換率として評価する。該反応により、95%を超える収率で対応する酸塩 が得ら れる。 実施例4 この実施例は、実施例1の触媒を用いた、ジエタノールアミンからイミノ二酢 酸二ナトリウム塩(DSIDA)への変換を示す。 底部に攪拌装置及び0.5ミクロンのフィルターを備えた300mlオートク レーブに、アルゴン雰囲気下に実施例1の触媒(15g)、50%水酸化ナトリ ウム溶液(61.5g、0.77mol)、ジエタノールアミン水溶液(78. 9重量%、0.36mol)及び蒸留水(4.7.5g)を装入する。圧力を1 .03×106パスカルに保ちながら、約800rpmで攪拌してオートクレー ブを所望反応温度に急速に加熱する。反応物質からの水素排ガスを測定して反応 をモニターする。反応が完結した後、オートクレーブを室温に冷却する。得られ た反応混合物をフィルターを介してオートクレーブの底部から排出、回収する。 次いで、オートクレーブに蒸留水を加え、触媒を水と共に攪拌し、次いで、オー トクレーブの底部から排出させる。約100〜200mlの水を用いる。オート クレーブを窒素ブランケット下に維持しながら、反応物質(触媒を除 く)を再装入して、上記と同じ実験を行う。9サイクルの実験の結果を表1に示 す。 実施例5 この実施例は、実施例2の触媒を用いたジエタノールアミンからイミノ二酢酸 二ナトリウム塩への変換を示す。 実施例4の手順を繰り返すが、但し、実施例1の触媒の代わりに実施例2の触 媒を用いる。結果を表2に示す。 実施例6 この実施例は、本発明の別の触媒の製造法及び該触媒の使用を示す。 磁気攪拌プレート上にテフロンポリマーでコーティングされた長さ5cmの磁 気攪拌棒を含む4リットルガラスビーカーに、蒸留水(471ml)及び3重量 %白金−活性炭(乾量では3重量%パラジウム−活性炭40.5gに相当)を加 える。別の4リットルビーカーに以下の成分を以下の順序で攪拌しながら加えて 、銅めっき溶液を調製する: (1)1918.6mlの脱イオン水 (2)251.2mlのMACuPlex Ultra D ep 1000B (3)150.73mlのMACuPlex UltraD ep 1000A (4)50.24mlのMACuPlex Ultra D ep 1000D (5)13.96mlの37重量%ホルムアルデヒド 総容量 2384.8ml。 このめっき溶液を、2.5分毎に200mlずつ3重量%白金−活性炭(Is elin,NJのEngelhard Corporationから入手)のス ラリーに加える。pHをモニターして反応度を確認する。ガスの放出が激しくな りすぎる場合には増分の添加間隔を長くする。 めっき溶液の添加が完結した後、4リットル真空フラスコ及び500ml粗ガ ラスフィルター漏斗を用い、該漏斗頭部を覆うガラスドームを窒素でパージして 、触媒を濾過、回収する。濾過後、固体物質を250mlずつの脱イオン水で3 〜4回洗浄する。この製造法における触媒の乾量収量は54.27gである。触 媒の微量分析により、元素組 成は、触媒の総重量の13.5重量%が銅で、2.1重量%が白金であることが 示される。XRD線の広がりにより測定した銅結晶の平均サイズは127Åであ る。 実施例4の手順を繰り返すが、但し、上記触媒を用いる。結果を表3に示す。 実施例7 この実施例は、本発明の触媒を用いた、N−(2−ヒドロキシエチル)アミノ メチルホスホン酸のN−ホスホノメチルグリシンへの変換を示す。 攪拌装置を備えた300mlニッケルオートクレーブに、 N−(2−ヒドロキシエチル)アミノメチルホスホン酸(12.0g、0.07 7mol)、水(120g)、50重量%水酸化ナトリウム(21.7g、0. 271mol)及び12.5gの実施例2の触媒を装入する。オートクレーブを 密閉し、水素の放出が実質的に終わるまでオートクレーブ中の液相を攪拌しなが ら、9.32×105パスカルの圧力下に150℃に加熱する。N−ホスホノメ チルグリシンのナトリウム塩としての収率は94重量%であった。 実施例8 この実施例は、本発明の触媒を用いた、2−オキソ−3−オキサゾリジニルメ チルホスホン酸から塩形態のN−ホスホノメチルグリシンへの変換を示す。 実施例7の手順を繰り返すが、但し、N−2−(ヒドロキシエチル)アミノメ チルホスホン酸の代わりに米国特許第4,547,324号に記載の方法により 調製したN−ホスホノメチル−2−オキサゾリドンを用いる。水素の放出が終わ った後のN−ホスホノメチルグリシンの収率をHPLC分析で測定すると86重 量%である。 実施例9 この実施例は、実施例2の触媒を用いた、3−アミノプロパノールから3−ア ミノプロピオン酸ナトリウムへの変換を示す。 攪拌装置、一定の背圧を維持するためのガスレギュレーター及びIBMコンピ ューターに連結したPorter水素量フローインジケーターを備えた300m lニッケルParr反応器に、3−アミノプロパノール(49.8g、0.66 mol)、水50g中12gの実施例2の触媒のスラリー、50重量%NaOH (57g、0.7mol)及び25gの脱イオン水からなる混合物を装入する。 160℃に加熱して急速な水素の放出を誘発させる。水素放出が終わった後で、 濾過した生成物混合物をNMRで分析すると、85:15比の3−アミノプロピ オン酸ナトリウム及びプロピオン酸ナトリウムに一致する。 実施例10 この実施例は、本発明の触媒を用いた、芳香族アルコールから対応する酸の塩 への変換を示す。 ベンジルアルコール(62.6g、0.58mol)、水50g中12gの実 施例2の触媒のスラリー、50重量%NaOH(50.3g、0.63mol) 及び24g の脱イオン水を含む混合物を実施例7に記載の反応器に装入する。160℃に加 熱して水素を放出させる。30分後、温度を170℃に上げて変換を促進する。 水素の放出が終った後、濾過した反応混合物をNMRで分析する。該生成物から 得た1H及び13C NMRスペクトルは安息香酸ナトリウムのものと一致する。 該生成物混合物のアリコートをHClで酸性化し、水から再結晶して、白色プレ ートを得る:融点 121−122℃(文献、融点 122.4℃)。 実施例11 この実施例は、本発明の触媒を用いたポリオールから対応する酸への変換を示 す。 実施例7のオートクレーブに、エチレングリコール(30.3g、0.49m ol)、水50g中12gの実施例2の触媒、50重量%NaOH(39.77 g、0.497mol)及び70gの脱イオン水を装入する。混合物を160℃ に加熱して、水素を急速に放出させる。水素の放出が終わった後、濾過した反応 混合物をHPLCで分析すると、約90モル重量%のグリコール酸ナトリウム及 び10モル%のシュウ酸ナトリウムからなる95重量%の収率 が示される。 実施例12 この実施例は、シンナミルアルコールから対応する酸への変換を示す。 300mlニッケルオートクレーブに、シンナミルアルコール(50.0g、 0.37mol)、水酸化ナトリウム(34.6g、0.43mol)、実施例 2の触媒(水48.6gに懸濁した12.8gの触媒)及び水(75g)を装入 する。オートクレーブを密閉し、窒素でパージする。オートクレーブを、1.0 ×106パスカルの圧力下に170℃に加熱する。水素の放出が終わった後、反 応生成物を濾過し、塩基性濾液をジエチルエーテルで抽出する。水性相を酸性化 し、エーテルで抽出する。酸抽出物及び塩基抽出物を蒸発させて分析する。該反 応により、3−フェニルプロピオン酸ナトリウム(69モル%)、3−フェニル プロパノール(25モル%)及び安息香酸ナトリウム(9モル%)を得る。 実施例13 この実施例は、ポリテトラヒドロフラン(PTHF)から対応する酸塩への変 換を示す。この実施例に用いたポリ テトラヒドロフランは、約250の平均分子量を有する式H(OCH2CH2CH2 CH2nOHの直鎖ポリマーである。 300mlオートクレーブに、実施例2に従って調製した触媒(15g)、5 0重量%水酸化ナトリウム(35.0g)、ポリテトラヒドロフラン(37.8 g)及び脱イオン水(61g)を装入する。圧力を1.03×106パスカルに 維持しながら、オートクレーブの内容物を160〜170℃の温度に急速に加熱 する。800rpmでスラリー状態を維持する。水素の放出が終わった後、反応 生成物を95℃に冷却し、オートクレーブから取り出す。オートクレーブを約1 50mlの蒸留水でリンスする。濾液及び水洗液とを合わせ、二塩基酸について 分析する。ジオールポリマーから対応する二酸塩への変換は実質的に定量である 。 実施例14 実施例13を繰り返すが、但し、ポリテトラヒドロフランの代わりに、分子量 約200のポリエチレングリコールを用いる。結局、100%のジオールが、化 学式NaOOCCH2−(OCH2CH2x−OCH2COONaを有 する対応する二塩基酸二ナトリウム塩に変換される。 実施例15 この実施例では、N−ベンジル−N−ホスホノメチル−アミノエタノールを対 応するN−ホスホノメチルグリシンのアルカリ金属塩に変換する。 実施例13を繰り返すが、但し、PTHFの代わりに35gのN−ベンジル− N−ホスホノメチルアミノエタノールを用いる。95%を超える収率でN−ホス ホノメチルグリシンを得る。 かなり詳細に記載する特定の実施態様に関して本発明を説明したが、本開示を 考慮すれば当業者には代替実施態様及び操作手順は明らかになると思われるので 、上記実施例は例示のみを目的とするものであると理解されたい。例えば、本発 明の銅触媒はアルコールから酸への変換以外にも多くの他の反応、例えば、銅触 媒には一般的な水素化反応及び脱水素反応に用い得る。さらに、ニッケル、コバ ルト、カドミウム、又はアンカー金属との混合物である、本発明の無電解めっき 触媒を用いて、一般にそのような金属が触媒として用いられる反応を触媒し得る 。従って、記載されている本発明の精神から逸脱しなければ、本発明の改変は 可能である。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1996年6月12日 【補正内容】請求の範囲 1.カルボン酸塩の製造に有用な触媒であって、耐アルカリ性担体に部分的に埋 め込まれた微粉状アンカー金属を含み、アンカー金属の表面の少なくとも幾分か は500Å未満の平均クリスタリット寸法を有する元素状態の触媒活性非貴金属 から成る無電解めっき膜で被覆されていることを特徴とする触媒。 2.アンカー金属が白金、パラジウム、ルテニウム、金、またはこれらの混合物 であることを特徴とする請求項1に記載の触媒。 3.めっき金属が銅、コバルト、ニッケル、カドミウム、またはこれらの混合物 であることを特徴とする請求項1に記載の触媒。 4.担体が酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは炭素であることを特徴とする請 求項1に記載の触媒。 5.めっきされていないアンカー金属粒子も担体に埋め込まれていることを特徴 とする請求項1に記載の触媒。 6.アンカー金属の量が触媒の0.05〜10重量%であることを特徴とする請 求項1に記載の触媒。 7.触媒活性粉末の形態であることを特徴とする請求項1 に記載の触媒。 8.めっき金属の量が触媒の1〜50重量%であることを特徴とする請求項1に 記載の触媒。 9.銅の離散粒子も担体に埋め込まれていることを特徴とする請求項1に記載の 触媒。 10.触媒存在下に第一級アルコールを水酸化物塩基と反応させることによりカ ルボン酸塩を製造する方法であって、請求項1から9のいずれか1項に記載の担 持された触媒を触媒量で用いることを特徴とする方法。 11.水酸化物塩基が水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムであることを特徴 とする請求項10に記載の方法。 12.第一級アルコールがアミノ第一級アルコールであり、このアルコールを請 求項1から9のいずれか1項に記載の触媒の存在下に水酸化物塩基で脱水素化す ることを特徴とする請求項10に記載の方法。 13.担体が炭素であることを特徴とする請求項12に記載の方法。 14.アミノアルコールがモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエ タノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、 N−イソプ ロピルエタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、N−ノニルエタノール アミン、N−(2−アミノエチル)エタノールアミン、N−(3−アミノプロピ ル)エタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチル エタノールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N−メチルジエタノー ルアミン、N−エチルジエタノールアミン、N−プロピルジエタノールアミン、 N−ブチルジエタノールアミン、N−メチル−N−(3−アミノプロピル)エタ ノールアミン、または3−アミノプロパノールであることを特徴とする請求項1 2に記載の方法。 15.アミノアルコールがジエタノールアミンであり、得られるカルボン酸塩は イミノ二酢酸の二アルカリ金属塩であることを特徴とする請求項14に記載の方 法。 16.アルカリ金属がナトリウムまたはカリウムであることを特徴とする請求項 15に記載の方法。 17.アミノアルコールがモノエタノールアミンであることを特徴とする請求項 14に記載の方法。 18.アミノアルコールが式 〔式中R1はC4〜C7である〕を有する化合物であり、得られるカルボン酸塩は N−ホスホノメチルグリシンのアルカリ金属塩であることを特徴とする請求項1 2に記載の方法。 19.R1がフェニルであることを特徴とする請求項18に記載の方法。 20.アミノアルコールがN−(2−ヒドロキシエチル)アミノメチルホスホン 酸であり、得られるカルボン酸塩はN−ホスホノメチルグリシンのアルカリ金属 塩であることを特徴とする請求項12に記載の方法。 21.アミノアルコールが2−オキソ−3−オキサゾリジニルメチルホスホン酸 であり、得られるカルボン酸塩はN−ホスホノメチルグリシンのアルカリ金属塩 であることを特徴とする請求項12に記載の方法。 22.アンカー金属に対する元素状態の銅、コバルト、 ニッケル、カドミウム、またはこれらの混合物の無電解めっきによって請求項1 から9のいずれか1項に記載の触媒の触媒組成物を調製する方法であって、めっ きイオン源と、適当な錯化剤と、埋め込まれたアンカー金属粒子を担持する耐ア ルカリ性担体とを水の存在下に混合するステップ、及びその後得られた混合物に 還元剤をゆっくり添加してめっきイオンを金属に還元するステップを含むことを 特徴とする方法。 23.めっきイオンが銅であり、銅イオン源は硫酸銅であることを特徴とする請 求項22に記載の方法。 24.錯化剤が酒石酸塩、EDTA、HEETA、NTA、またはこれらの混合 物であることを特徴とする請求項22または23に記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI B01J 37/02 301 9538−4D B01J 37/02 301N C07C 51/377 2115−4H C07C 51/377 227/02 9734−4H 227/02 229/08 9734−4H 229/08 229/12 9734−4H 229/12 229/16 9734−4H 229/16 // C07B 61/00 300 7419−4H C07B 61/00 300 (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AP(KE,MW,SD,SZ,UG), AM,AU,BB,BG,BR,BY,CA,CN,C Z,EE,FI,GE,HU,IS,JP,KG,KR ,KZ,LK,LR,LT,LV,MD,MG,MN, MX,NO,NZ,PL,RO,RU,SG,SI,S K,TJ,TM,TT,UA,UZ,VN

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  1. 【特許請求の範囲】 1.カルボン酸塩の製造に有用な触媒であって、耐アルカリ性担体に部分的に埋 め込まれた微粉状アンカー金属を含み、アンカー金属の表面の少なくとも幾分か は元素状態の触媒活性非貴金属での無電解めっきによって被覆されている触媒。 2.アンカー金属が白金、パラジウム、ルテニウム、金、またはこれらの混合物 であることを特徴とする請求項1に記載の触媒。 3.めっき金属が銅、コバルト、ニッケル、カドミウム、またはこれらの混合物 であることを特徴とする請求項1に記載の触媒。 4.担体が酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは炭素であることを特徴とする請 求項1に記載の触媒。 5.めっきされていないアンカー金属粒子も担体に埋め込まれていることを特徴 とする請求項1に記載の触媒。 6.カルボン酸の製造に有用な触媒であって、炭素担体に部分的に埋め込まれた 微粉状アンカー金属を含み、アンカー金属の非埋没表面の少なくとも幾分かは銅 金属での無電解めっきによって被覆されている触媒。 7.アンカー金属の量が触媒の約0.05〜約10重量%であることを特徴とす る請求項1または6に記載の触媒。 8.触媒活性粉末の形態であることを特徴とする請求項1または6に記載の触媒 。 9.めっき金属の量が触媒の約1〜約50重量%であることを特徴とする請求項 1または6に記載の触媒。 10.銅の離散粒子も担体に埋め込まれていることを特徴とする請求項1または 6に記載の触媒。 11.触媒存在下に第一級アルコールを水酸化物塩基と反応させることによりカ ルボン酸塩を製造する方法であって、耐アルカリ性担体に部分的に埋め込まれた 微粉状アンカー金属を含む触媒を触媒量で用い、前記アンカー金属の非埋没表面 の少なくとも幾分かは元素状態の触媒活性非貴金属での無電解めっきによって被 覆されていることを特徴とする方法。 12.アンカー金属が白金、パラジウム、ルテニウム、銀、金、またはこれらの 混合物であることを特徴とする請求項11に記載の方法。 13.めっき金属が銅、コバルト、ニッケル、カドミウム、またはこれらの混合 物であることを特徴とする請求項11 に記載の方法。 14.銅の離散粒子も担体に埋め込まれていることを特徴とする請求項13に記 載の触媒。 15.触媒存在下に第一級アルコールを水酸化物塩基と反応させることによりカ ルボン酸塩を製造する方法であって、活性炭担体に部分的に埋め込まれた微粉状 白金金属を含む触媒を触媒量で用い、前記白金金属の非埋没表面の少なくとも幾 分かは銅金属での無電解めっきによって被覆されていることを特徴とする方法。 16.アンカー金属が触媒の約0.05〜約10重量%を構成することを特徴と する請求項11または15に記載の方法。 17.めっき金属の量が触媒の約1〜約50重量%であることを特徴とする請求 項11または15に記載の方法。 18.水酸化物塩基が水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムであることを特徴 とする請求項11または15に記載の方法。 19.銅の離散粒子も埋め込まれていることを特徴とする請求項15に記載の方 法。 20.触媒存在下にアミノ第一級アルコールを水酸化物塩 基で脱水素化することによりカルボン酸塩を製造する方法であって、耐アルカリ 性担体に部分的に埋め込まれた微粉状アンカー金属を含む触媒を触媒量で用い、 前記アンカー金属の非埋没表面は元素状態の触媒活性非貴金属での無電解めっき によって被覆されていることを特徴とする方法。 21.アンカー金属が白金、パラジウム、ルテニウム、銀、金、またはこれらの 混合物であることを特徴とする請求項20に記載の方法。 22.めっき金属が銅、コバルト、ニッケル、カドミウム、またはこれらの混合 物であることを特徴とする請求項21に記載の方法。 23.担体が炭素であることを特徴とする請求項22に記載の方法。 24.アミノアルコールがモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエ タノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、 N−イソプロピルエタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、N−ノニル エタノールアミン、N−(2−アミノエチル)エタノールアミン、N−(3−ア ミノプロピル)エタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N − ジエチルエタノールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N−メチルジ エタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N−プロピルジエタノール アミン、N−ブチルジエタノールアミン、N−メチル−N−(3−アミノプロピ ル)エタノールアミン、または3−アミノプロパノールであることを特徴とする 請求項20に記載の方法。 25.アミノアルコールがジエタノールアミンであり、得られるカルボン酸塩は イミノ二酢酸の二アルカリ金属塩であることを特徴とする請求項24に記載の方 法。 26.アルカリ金属がナトリウムまたはカリウムであることを特徴とする請求項 25に記載の方法。 27.アミノアルコールがモノエタノールアミンであることを特徴とする請求項 24に記載の方法。 28.アルカリ金属がナトリウムまたはカリウムであることを特徴とする請求項 27に記載の方法。 29.アミノアルコールが式 〔式中R1はC4〜C7アリールである〕を有する化合物であり、得られるカルボ ン酸塩はN−ホスホノメチルグリシンのアルカリ金属塩であることを特徴とする 請求項20に記載の方法。 30.R1がフェニルであることを特徴とする請求項29に記載の方法。 31.アミノアルコールがN−(2−ヒドロキシエチル)アミノメチルホスホン 酸であり、得られるカルボン酸塩はN−ホスホノメチルグリシンのアルカリ金属 塩であることを特徴とする請求項20に記載の方法。 32.アミノアルコールが2−オキソ−3−オキサゾリジニルメチルホスホン酸 であり、得られるカルボン酸塩はN−ホスホノメチルグリシンのアルカリ金属塩 であることを特徴とする請求項20に記載の方法。 33.第一級アルコール基を有するポリオールと水酸化物塩基との脱水素化反応 によってカルボン酸塩を製造する方法であって、耐アルカリ性担体に部分的に埋 め込まれた微粉状アンカー金属を含む触媒を触媒量で用い、前記アンカー金属の 非埋没表面は元素状態の触媒活性非貴金属での無電解めっきによって被覆されて いることを特徴とする方 法。 34.アンカー金属が白金、パラジウム、ルテニウム、銀、金、またはこれらの 混合物であることを特徴とする請求項33に記載の方法。 35.めっき金属が銅、コバルト、ニッケル、カドミウム、またはこれらの混合 物であることを特徴とする請求項33に記載の方法。 36.ポリオールがエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレング リコール、トリエチレングリコール、テトラメチレングリコール、テトラエチレ ングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、またはエ チレングリコールとプロピレングリコールとのランダムもしくはブロックコポリ マーであることを特徴とする請求項33に記載の方法。 37.ポリオールがポリテトラヒドロフランであることを特徴とする請求項33 に記載の方法。 38.第一級アルコールがベンジルアルコールまたはシンナミルアルコールであ ることを特徴とする請求項20に記載の方法。 39.水の存在下にめっきイオン源と、適当な錯化剤と、 適当な還元剤と、埋め込まれたアンカー金属粒子を担持する不活性担体とを混合 することを含む触媒組成物の調製方法。 40.銅イオン源が硫酸銅であることを特徴とする請求項39に記載の方法。 41.元素状態の銅、コバルト、ニッケル、カドミウム、またはこれらの混合物 でのアンカー金属の無電解めっきによって触媒組成物を調製する方法であって、 めっきイオン源と、適当な錯化剤と、埋め込まれたアンカー金属粒子を担持する 耐アルカリ性担体とを水の存在下に混合するステップ、及びその後得られた混合 物に還元剤をゆっくり添加してめっきイオンを金属に還元するステップを含む方 法。 42.銅金属でのアンカー金属の無電解めっきによって触媒組成物を調製する方 法であって、銅イオン源と、適当な錯化剤と、埋め込まれたアンカー金属粒子を 担持する耐アルカリ性担体とを水の存在下に混合するステップ、及びその後得ら れた混合物にホルムアルデヒドをゆっくり添加して銅イオンを銅金属に還元する ステップを含む方法。 43.銅イオン源が硫酸銅であることを特徴とする請求項42に記載の方法。 44.錯化剤が酒石酸塩、EDTA、HEETA、NTA、またはこれらの混合 物であることを特徴とする請求項43に記載の方法。 45.めっき金属の厚みが約0.3〜500nmであることを特徴とする請求項 1または6に記載の触媒。 46.めっき金属の厚みが約1〜5nmであることを特徴とする請求項1または 6に記載の触媒。
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