JPH104054A - 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ面の位置を高精度に検出し、レチクル
面上のパターンを投影光学系によりウエハ面上に高い光
学性能を有して投影することのできる面位置検出装置及
びそれを用いたデバイスの製造方法を得ること。 【解決手段】 投影光学系の結像面近傍に設けた物体面
に該投影光学系の光軸に対して斜方向から投光光学系に
よりパターンを投影し、該物体面上に形成したパターン
の像を受光光学系によって拡散面上に再結像し、該拡散
面上のパターン像を撮像手段で撮像し、該撮像手段から
の信号を利用して処理回路により該物体面の光軸方向の
位置情報を検出する際、該物体面と該拡散面が該受光光
学系に対してシャインプルーフの関係となるように設定
していること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は面位置検出装置及び
それを用いたデバイスの製造方法に関し、例えばＩＣや
ＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや
液晶パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイス
を製造する工程のうち、リソグラフィー工程において使
用される投影露光装置や走査型露光装置においてレチク
ル等の第１物体面上のパターンをウエハ等の第２物体面
上に投影光学系により投影する際のウエハの光軸方向の
位置合わせ（焦点合わせ）を行う場合に好適なものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス
の微細加工技術として、マスク（レチクル）の回路パタ
ーン像を投影光学系（投影レンズ）により感光基板上に
形成し、感光基板をステップアンドリピート方式で露光
する縮小投影露光装置（ステッパー）が種々と提案され
ている。このステッパーにおいては、レチクル上の回路
パターンを所定の縮小倍率を持った投影光学系を介して
ウエハ面上の所定の位置に縮小投影して転写を行い、１
回の投影転写終了後、ウエハが載ったステージを所定の
量移動して、再び転写を行うステップを繰り返してウエ
ハ全面の露光を行っている。

【０００３】一般に投影光学系を有したステッパーを用
いて微細な回路パターンの転写を行うには、ウエハ面へ
のフォーカス位置（投影光学系の光軸方向の位置）を適
切に設定することが重要になってくる。特に最近は、高
集積化に伴ってウエハ表面を投影光学系に対してサブミ
クロンの精度で設置することが要求されている。

【０００４】図１１は従来のウエハ面の位置情報（光軸
方向情報）を検出する面位置検出装置を有した投影露光
装置の要部概略図である。

【０００５】同図において、１は回路原版であるところ
のレチクル、２は原版１を１／５に縮小投影する投影レ
ンズ、３はレジストを塗布したウエハ、１４はウエハを
移動するステージである。光源４を点灯し光源４からの
光束でレチクル１を照明すると、レチクル１上の回路パ
ターンはウエハ３上に結像し、回路パターンがレジスト
に焼き付けられる。１ショットの焼き付けが完了する
と、ステージ１４をステップ駆動し、隣に焼き付ける。
このようにして１枚のウエハ全面にマトリクス状に回路
パターンが焼き付けられていく。ＩＣの量産工程では、
露光装置の常時稼働により、ウエハを１時間に６０枚程
度の速さで焼き付けていく。

【０００６】光源１０１と光束位置検出器１０２は、ウ
エハ３の高さ位置（光軸方向位置）を検出する面位置検
出装置を構成している。面位置検出装置は投影レンズ２
によるレチクル１上の回路パターンの結像位置にウエハ
３が位置するようにしている。

【０００７】図１２は図１１のウエハ３の高さ位置を検
出する検出原理の説明図である。

【０００８】同図において、光源１０１から出射した光
束１０４はウエハ表面１０３（ウエハ高さ１）で反射
し、光束位置検出器１０２で光束の位置（例えばピーク
位置１０２ａ）を検出する。

【０００９】次にウエハ３が表面１０３ａ（ウエハ高さ
２）に動くと、反射光は位置１０２ｂまで移動する。ウ
エハ３の高さ変動量δと光束位置の変動量Δは比例関係
があり、変動量Δを測定することにより高さ変動量δを
検出している。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図１１に示す面位置検
出装置では、ウエハ３の高さと傾きが分離されずに検出
する為、高さのみを検出することが困難となっている。
図１３はこのことを改良した面位置検出装置の構成を示
している。

【００１１】図１３において、照明ユニット５２４によ
り複数のスリット開口５６０，５６１，５６２を有する
スリット群６を照射し、結像光学系５２１によるスリッ
ト像をウエハ３上にスリット像６ａとして結像する。さ
らにそのスリット像６ａのウエハ３による反射像を再び
撮像素子５２３上にスリット像６ｂとして結像する。そ
のスリット像６ｂの重心位置を検出することにより、ウ
エハ３が傾いたときに生じる検出誤差を原理的にキャン
セルしている。

【００１２】次に図１２で説明したようなスリット６が
単純に一つの開口の場合は、ウエハ３上のスリット像６
ａ内にウエハ３の下地の反射率が異なる境界を含むと
き、その反射率の場所むらにより光束位置検出器１０２
上のスリット像が歪み、重心位置が変わり、検出誤差が
発生する。

【００１３】図１３の面位置検出装置では、この影響を
軽減する為、複数のスリットを用いている。例えば図１
３に示すような、狭い３本のスリット５６０，５６１，
５６２を用いてスリット群６をウエハ３上に結像し、そ
のスリット像をさらに撮像素子５２３上に再結像する構
成にしている。この方式はスリットが狭い為、反射率の
異なる領域に投射する確率は低いこと、及び複数のスリ
ットのそれぞれの重心を検出し、それらの重心の平均値
をスリット６の重心とすることで、ウエハの下地の反射
むらの影響をさらに低減している。

【００１４】しかしながら図１３に示す面位置検出装置
では、例えば図１４に示すように複数のスリット５６
０，５６１，５６２のうち軸上の１つのスリット５６０
のみ結像光学系５２１に関してウエハ３面上で共役関係
になるため集光するが、他のスリット５６１，５６２は
非共役関係となるためウエハ３面上に広がった発散光も
しくは集束光の形で照射する。

【００１５】ところで、複数回のプロセス工程処理を経
たウエハ面上は、μｍオーダーの段差構造をした回路パ
ターが描かれており、投射光はこの段差の影響でここを
発生源とした２次光源となる。従って図１５に示すよう
に、撮像素子面上ではウエハ面の該１スリットのみが共
役関係になるため結像する。しかしながら、他のスリッ
トは非共役関係となるためウエハの高さを正しく反映し
ない位置となるばかりでなく、ぼけたスリット像となる
ため、これらのスリット像の重心は本来の位置からずれ
る。この為、複数のスリット像の重心位置の平均値する
方式では、検出誤差を本質的に生ずることになるという
問題点があった。

【００１６】本発明は投影光学系の結像面近傍に配置し
た物体面の光軸方向の面位置情報を投光光学系側のスリ
ット群又は受光光学系側の受光面（結像面）とウエハ面
とがシャインプルーフの関係となるようにし、又受光光
学系の受光面に拡散板を配置し、これによってウエハ表
面の光軸方向の面位置情報を高精度に検出し、ウエハ表
面を投影光学系の結像位置に高精度に位置させ、高集積
度のデバイスを容易に製造することができる面位置検出
装置及びそれを用いたデバイスの製造方法の提供を目的
とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の面位置検出装置
は、（１−１）投影光学系の結像面近傍に設けた物体面
に該投影光学系の光軸に対して斜方向から投光光学系に
よりパターンを投影し、該物体面上に形成したパターン
の像を受光光学系によって拡散面上に再結像し、該拡散
面上のパターン像を撮像手段で撮像し、該撮像手段から
の信号を利用して処理回路により該物体面の光軸方向の
位置情報を検出する際、該物体面と該拡散面が該受光光
学系に対してシャインプルーフの関係となるように設定
していることを特徴としている。

【００１８】特に、(1-1-1) 前記処理回路からの信号に
基づいて駆動手段により前記物体面を前記投影光学系の
像面に一致させていること、(1-1-2) 前記投光光学系は
前記物体面上に複数のパターンより成るパターン群を投
影していること等を特徴としている。

【００１９】本発明の走査型露光装置は、（２−１）第
１物体面上のパターンを投影光学系により可動ステージ
に載置した第２物体面上に走査手段により該第１物体と
該可動ステージを該投影光学系の撮影倍率に対応させた
速度比で同期させて走査させながら投影露光する走査型
露光装置において、投影光学系の結像面近傍に設けた第
２物体面に該投影光学系の光軸に対して斜方向から投光
光学系によりパターンを投影し、該第２物体面上に形成
したパターンの像を受光光学系によって拡散面上に再結
像し、該拡散面上のパターン像を撮像手段で撮像し、該
撮像手段からの信号を利用して処理回路により該第２物
体面の光軸方向の位置情報を検出する際、該第２物体面
と該拡散面が該受光光学系に対してシャインプルーフの
関係となるように設定していることを特徴としている。

【００２０】特に、(2-1-1) 前記処理回路からの信号に
基づいて駆動手段により前記物体面を前記投影光学系の
像面に一致させていること、(2-1-2) 前記投光光学系は
前記第２物体面上に複数のパターンより成るパターン群
を投影していること等を特徴としている。

【００２１】本発明のデバイスの製造方法は、構成（１
−１）の面位置検出装置又は構成（２−１）の走査型露
光装置を用いてレチクルとウエハとの位置合わせを行っ
た後に、レチクル面上のパターンをウエハ面上に投影露
光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介してデバイ
スを製造していることを特徴としている。

【００２２】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態１の要部
概略図、図２は図１の一部分の拡大説明図である。本実
施形態は本発明をデバイス製造用のステップアンドリピ
ード方式やステップアンドスキャン方式等を用いた投影
露光装置に適用した場合を示している。

【００２３】図中、４は露光光を照射する照明系であ
り、ＤＵＶのｉ線やＫｒＦ，ＡｒＦのエキシマレーザ等
からの露光光を出射している。１は回路パターンが描画
されたレチクル（第１物体）である。２は投影レンズ
（投影光学系）であり、レチクル１上の回路パターン
（投影光学系２側に描画されている。）をレジストが塗
布されたウエハ（第２物体）３に縮小投影している。ウ
エハ３はウエハチャック１５に吸着保持されている。
尚、本実施形態がステップアンドスキャン方式の投影露
光装置の場合には、レチクル１とウエハ３とを投影光学
系２の結像倍率に応じて同期をとりながら所定の速度比
で走査（スキャン）させながら投影露光を行っている。

【００２４】本実施形態では、面位置検出装置（５〜１
２）を用いてウエハ３の面位置情報を検出することによ
ってウエハ３の投影光学系２の光軸方向の高さが投影光
学系２に関して、レチクル１と共役関係となるようにし
ている。即ち、ウエハが投影光学系２の最良結像面に位
置するように駆動制御している。

【００２５】次に本実施形態における面位置検出装置に
ついて説明する。５は照明光源であり、複数のスリット
開口を有するスリット群６を照明している。７は投影光
学系であり、スリット群６をウエハ３上に結像する倒立
等倍のテレセントリックな光学系より成っている。スリ
ット群６とウエハ３は投影光学系７に関しシャインプル
ーフの関係にある。８は受光光学系であり、倒立等倍の
テレセントリックな光学系より成っている。９は反射型
の拡散面であり、その面上には受光光学系８によるウエ
ハ３面上のスリット像が再結像している。拡散板９とウ
エハ３は受光光学系８に関しシャインプルーフの関係に
ある。

【００２６】１０は撮像カメラ（撮像手段）であり、拡
散板９に投影したスリット像を撮像している。撮像カメ
ラ１０は略垂直の位置から拡散板９上のスリット像を撮
像し、その光強度分布を撮像カメラ１０内の光電変換器
で電気信号に変換している。ウエハ３の光軸ＡＸ方向の
位置が変化すると、それに伴って投影光学系７によって
形成されるウエハ３面上のスリット像が変化し、又拡散
板９上のスリット像も変化する。撮像カメラ１０はこの
ときのスリット像の変化を検出している。

【００２７】１１は処理回路であり、撮像カメラ１０で
撮像し光電変換した光強度分布データからウエハ３の光
軸ＡＸ方向の変位を検出し、ウエハ３の所望高さとの差
を算出している。１２は駆動手段であり、処理回路１１
からの信号に基づいてステージ１４を光軸ＡＸ方向に移
動させている。これによってステージ１４に載置したウ
エハチャック１５上のウエハ３を投影光学系２の光軸方
向に移動させて所望の高さに設定している。

【００２８】本実施形態では、スリット群６とウエハ３
は投光光学系に関してシャインプルーフの関係にある。
又、ウエハ３と拡散面９も受光光学系８に関してシャイ
ンプルーフの関係にある。

【００２９】シャインプルーフ関係を投光側を例にとっ
て説明する。光学系は両テレセントリックで、横倍率が
倒立等倍（β＝−１）系を採用すると、複数のスリット
を構成するスリット群６とウエハ表面がその光軸に対し
同じ角度でミラー対象に傾いているとき共役関係が保た
れる。このようなシャインプルーフの関係では全スリッ
トが被検面上で全く合同なスリット像で結像する為、発
散光もしくは集束光で２次光源を発生することはない。

【００３０】次に受光側も同様に両テレセントリックで
倒立等倍の光学系を採用し、ウエハ面と受光面がこの光
学系に関しシャインプルーフ関係にすると、受光面で該
全スリット像が物体であるスリットと全く合同で結像す
る為、結像面上では像がぼけたり、スリット像の位置が
被検面からの２次光源の為に変化することなく、面の高
さを正しく反映した位置に結像する。これによってウエ
ハ面の高さを正しく検出している。

【００３１】次に検出するウエハ面は厳密に表現すると
ウエハ上にコーティングされたレジストの表面である
為、レジストの下のパターンの影響をさける為、投射角
及び受光角はウエハの法線に対し通常８０°程度で、水
平すれすれに光束を投受光する。その為シャインプルー
フ関係の受光面に撮像素子をおくと、入射角も８０°程
度となる為、撮像素子表面の保護面でほとんど反射し、
光電変換面に有効に光エネルギーが到達しない場合があ
る。

【００３２】そこで本実施形態では、受光光学系の結像
面に無指向性の拡散板を用い、そこに結像したスリット
像を別の結像系で撮像素子１６上に結像することによ
り、良好なるスリット像を得ている。

【００３３】次に図２を用いて本実施形態における投光
光学系７側のシャインプルーフの関係について説明す
る。図２では、スリット群６とそのスリット群像６ａが
等倍のテレセントリックな投光光学系７に関しシャイン
プルーフ関係にあるとき、幾何学的関係においては合同
になることを示している。

【００３４】２０は物平面で、ここにスリット群６が配
置してある。７は等倍のテレセントリックな投光光学系
で、基本的には焦点距離の等しい２つのレンズＬ１，Ｌ
２を共焦点に配置した構成である。２１は像平面でスリ
ット群像６ａがこの像平面に沿って結像する。物平面２
０、像平面２１の光軸とのそれぞれの交点の位置はレン
ズＬ１，Ｌ２のもう１つの焦点距離の位置にそれぞれ配
置してある。物平面２０が光軸ＢＸとの法線との成す角
をθとすると、像平面２１の光軸ＢＸとの法線との成す
角も図に示すようにθとなる。そして物平面２０上のス
リット群６と像平面２１上のスリット群像６ａは倒立等
倍の像となる。

【００３５】図３は図１の受光光学系８の受光面である
拡散板９と撮像カメラ１０との位置関係を示した説明図
である。拡散板９上に再結像したスリット群像６ｂはス
リット群６のウエハ３上にできるスリット群像６ａを受
光光学系８でつくるスリット群像である。拡散板９は完
全拡散板である為、スリット群像６ｂは拡散板９の法線
との成す角φとして、ｃｏｓφの強度分布で拡散する。
この拡散光束を撮像カメラ１０により光電変換素子（撮
像素子）１６上にスリット群像６ｃとして結像し、これ
の光強度分布を電気信号に変換し、処理回路１１でその
スリット群の光強度分布の重心を計算し、その重心位置
からウエハ３の光軸ＡＸ方向の高さの変位を求めてい
る。

【００３６】図４，図５は各々本実施形態で用いる１チ
ップ上のスリット群の説明図である。図中、１７，１８
は各々１チップを示している。

【００３７】図４は１チップ１７上にスリット群を中心
スリット群７０ａの他に周辺に４つのスリット群７０ｂ
〜７０ｅを配置することによりウエハの傾きや反りを検
出することができるようにしている。

【００３８】図５はスリット群上の露光領域対応の配置
である。同図において、７０ａ〜７０ｆはスリット群を
示している。本実施形態はスキャンしながら露光するス
テップアンドスキャン露光方式に好適なものである。こ
のステップアンドスキャン方式は大フィールドが可能
で、しかもフォーカスをスリット内で合わすことにより
プロセス歪によるウエハのゆるい凹凸に対応できる為、
本実施形態の面位置検出装置に特に好適である。

【００３９】図６は本発明の実施形態２の一部分の説明
図である。同図は撮像カメラ１０の近傍のみを示してい
る。同図において、６１〜６３は各々１次元の撮像素子
である。

【００４０】図７は図６の３つの１次元の撮像素子６１
〜６３の正面図である。本実施形態では、図１の２次元
ＣＣＤを用いる代わりにスリット群が形成される面上に
３つの１次元撮像素子６１〜６３を用いて、図１の実施
形態１と同様の効果を得ている。一般に１次元の撮像素
子は２次元の撮像素子に比べ価格も安価で高解像の撮像
ができるので、これによって高精度にウエハの高さ変位
を検出している。

【００４１】図８は本発明の実施形態３の要部概略図で
ある。本実施形態は図１の実施形態１に比べて、ウエハ
３面上のスリット群像を受光光学系８で再結像する拡散
面を透過型の拡散面１３としたことが異なっており、そ
の他の構成は同じである。図８において図１で示した要
素と同一要素には同符番を付している。

【００４２】本実施形態においても透過型拡散板１３と
ウエハ３は受光光学系８に関しシャインプルーフの関係
にある。撮像カメラ１０は透過型拡散板１３に投影した
スリット群像を垂直方向から撮像している。そして撮像
カメラ１０内の光電変換器で電気信号に変換している。
処理回路１１は撮像カメラ１０で撮像し光電変換した光
強度分布データからウエハ３の変位を検出し、ウエハ３
の所望高さとの差を算出している。そして駆動手段１２
により処理回路１１からの信号に基づいて、ステージ１
４を移動させてウエハチャック１５上のウエハ３を投影
光学系２の光軸方向に移動させ所望の高さに設定してい
る。

【００４３】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施形態を説明する。

【００４４】図９は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。

【００４５】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマスクとウエハを
用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路
を形成する。

【００４６】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。

【００４７】図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では前記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。

【００４８】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

【００４９】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば以上のように、投影光学
系の結像面近傍に配置した物体面の光軸方向の面位置情
報を投光光学系側のスリット群又は受光光学系側の受光
面（結像面）とウエハ面とがシャインプルーフの関係と
なるようにし、又受光光学系の受光面に拡散板を配置
し、これによってウエハ表面の光軸方向の面位置情報を
高精度に検出し、ウエハ表面を投影光学系の結像位置に
高精度に位置させ、高集積度のデバイスを容易に製造す
ることができる面位置検出装置及びそれを用いたデバイ
スの製造方法を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態１の要部概略図

【図２】 図におけるシャインプルーフの関係の説明図

【図３】 図１の一部分の拡大説明図

【図４】 図１の一部分の拡大説明図

【図５】 図１の一部分の拡大説明図

【図６】 本発明の実施形態２の一部分の要部概略図

【図７】 図６の一部分の拡大説明図

【図８】 本発明の実施形態３の要部概略図

【図９】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト

【図１０】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャ
ート

【図１１】 従来の面位置検出装置の要部概略図

【図１２】 図１１の一部分と図１１における受光器か
らの出力信号の説明図

【図１３】 従来の面位置検出装置の要部概略図

【図１４】 図１３の一部分の説明図

【図１５】 図１３の受光器で得られる出力信号の説明
図

【符号の説明】

１ レチクル（第１物体） ２ 投影光学系 ３ ウエハ（第２物体） ４ 照明系 ５ 光源手段 ６ スリット群 ７ 投光光学系 ８ 受光光学系 ９ 拡散板（受光面） １０ 撮像カメラ １１ 処理回路 １２ 駆動手段 １４ ステージ １５ ウエハチャック １６ 撮像面

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 投影光学系の結像面近傍に設けた物体面
   に該投影光学系の光軸に対して斜方向から投光光学系に
   よりパターンを投影し、該物体面上に形成したパターン
   の像を受光光学系によって拡散面上に再結像し、該拡散
   面上のパターン像を撮像手段で撮像し、該撮像手段から
   の信号を利用して処理回路により該物体面の光軸方向の
   位置情報を検出する際、該物体面と該拡散面が該受光光
   学系に対してシャインプルーフの関係となるように設定
   していることを特徴とする面位置検出装置。
2. 【請求項２】 前記処理回路からの信号に基づいて駆動
   手段により前記物体面を前記投影光学系の像面に一致さ
   せていることを特徴とする請求項１の面位置検出装置。
3. 【請求項３】 前記投光光学系は前記物体面上に複数の
   パターンより成るパターン群を投影していることを特徴
   とする請求項１の面位置検出装置。
4. 【請求項４】 第１物体面上のパターンを投影光学系に
   より可動ステージに載置した第２物体面上に走査手段に
   より該第１物体と該可動ステージを該投影光学系の撮影
   倍率に対応させた速度比で同期させて走査させながら投
   影露光する走査型露光装置において、投影光学系の結像
   面近傍に設けた第２物体面に該投影光学系の光軸に対し
   て斜方向から投光光学系によりパターンを投影し、該第
   ２物体面上に形成したパターンの像を受光光学系によっ
   て拡散面上に再結像し、該拡散面上のパターン像を撮像
   手段で撮像し、該撮像手段からの信号を利用して処理回
   路により該第２物体面の光軸方向の位置情報を検出する
   際、該第２物体面と該拡散面が該受光光学系に対してシ
   ャインプルーフの関係となるように設定していることを
   特徴とする走査型露光装置。
5. 【請求項５】 前記処理回路からの信号に基づいて駆動
   手段により前記物体面を前記投影光学系の像面に一致さ
   せていることを特徴とする請求項４の走査型露光装置。
6. 【請求項６】 前記投光光学系は前記第２物体面上に複
   数のパターンより成るパターン群を投影していることを
   特徴とする請求項４の走査型露光装置。
7. 【請求項７】 請求項１〜３の何れか１項記載の面位置
   検出装置を用いてレチクルとウエハとの位置合わせを行
   った後に、レチクル面上のパターンをウエハ面上に投影
   露光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介してデバ
   イスを製造していることを特徴とするデバイスの製造方
   法。
8. 【請求項８】 請求項４〜６の何れか１項記載の走査型
   露光装置を用いてレチクルとウエハとの位置合わせを行
   った後に、レチクル面上のパターンをウエハ面上に投影
   露光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介してデバ
   イスを製造していることを特徴とするデバイスの製造方
   法。