JPH10335379A - 半導体素子の実装方法 - Google Patents
半導体素子の実装方法Info
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- JPH10335379A JPH10335379A JP13972097A JP13972097A JPH10335379A JP H10335379 A JPH10335379 A JP H10335379A JP 13972097 A JP13972097 A JP 13972097A JP 13972097 A JP13972097 A JP 13972097A JP H10335379 A JPH10335379 A JP H10335379A
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- Japan
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- semiconductor element
- resin
- semiconductor device
- electrodes
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度、狭ピッチ配線仕様の基板において
も、隣接電極を短絡することなく、確実に半導体素子を
基板に接合できる半導体素子の実装方法を提供するこ
と。 【解決手段】 絶縁性基材１の表面に複数の電極４ａを
形成してなる基板３、もしくは半導体素子２のうち少な
くとも一方に未硬化性樹脂８を被覆させ、未硬化性樹脂
８が被覆された部分のうち、電極間領部１２を硬化させ
る。その後、半導体素子２を、異方性導電材料５を介し
て基板３に接合させる。
も、隣接電極を短絡することなく、確実に半導体素子を
基板に接合できる半導体素子の実装方法を提供するこ
と。 【解決手段】 絶縁性基材１の表面に複数の電極４ａを
形成してなる基板３、もしくは半導体素子２のうち少な
くとも一方に未硬化性樹脂８を被覆させ、未硬化性樹脂
８が被覆された部分のうち、電極間領部１２を硬化させ
る。その後、半導体素子２を、異方性導電材料５を介し
て基板３に接合させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性基材の表面
に複数の電極を形成してなる基板上に、半導体素子を実
装する半導体素子の実装方法に関するものである。
に複数の電極を形成してなる基板上に、半導体素子を実
装する半導体素子の実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、絶縁性基材の表面に複数の電極を
形成してなる基板上に、半導体素子を実装する半導体素
子の実装方法として、導電性材料、特に、異方性導電材
料を用いて半導体素子を基板に実装する方法が実施され
ていた。
形成してなる基板上に、半導体素子を実装する半導体素
子の実装方法として、導電性材料、特に、異方性導電材
料を用いて半導体素子を基板に実装する方法が実施され
ていた。
【０００３】以下、従来の半導体素子の実装方法につい
て簡単に説明する。
て簡単に説明する。
【０００４】図２は、従来の半導体素子の実装方法を説
明する説明図である。図２（ａ）において、基板３は、
絶縁性基材１の表面に複数の電極４ｂを形成してなり、
半導体素子２は、その本体に複数の電極４ａを備えてい
る。この基板３に半導体素子２を実装する場合、基板３
の複数の電極４ｂの位置と、半導体素子２の複数の電極
４ａの位置とを合わせた後、異方性導電材料５を介して
熱圧着して実装していた。すなわち、異方性導電材料５
は、銀やニッケル等の導電粒子６と、エポキシ系樹脂等
からなる接着剤層７とからなっているので、矢印方向に
熱圧着されることにより、導電粒子６の一部は、図２
（ｂ）に示すように、電極４ａ及び電極４ｂと接触する
とともに、接着剤層７は、硬化するので、半導体素子２
と基板３とは、電気的に接続され、固定されていた。
明する説明図である。図２（ａ）において、基板３は、
絶縁性基材１の表面に複数の電極４ｂを形成してなり、
半導体素子２は、その本体に複数の電極４ａを備えてい
る。この基板３に半導体素子２を実装する場合、基板３
の複数の電極４ｂの位置と、半導体素子２の複数の電極
４ａの位置とを合わせた後、異方性導電材料５を介して
熱圧着して実装していた。すなわち、異方性導電材料５
は、銀やニッケル等の導電粒子６と、エポキシ系樹脂等
からなる接着剤層７とからなっているので、矢印方向に
熱圧着されることにより、導電粒子６の一部は、図２
（ｂ）に示すように、電極４ａ及び電極４ｂと接触する
とともに、接着剤層７は、硬化するので、半導体素子２
と基板３とは、電気的に接続され、固定されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極４
ａ及び電極４ｂの配線の高密度化、高集積度化が進むに
伴い、隣接する電極間の間隔が狭くなってきた。その結
果、図２（ｃ）に示すように、隣接する電極４ｃと４ｄ
との間に複数の導電粒子６ａ及び６ｂが入り込んだ場合
には、これら両者が接触するとともに、電極４ｃ及び電
極４ｄにも接触し、電極４ｃと４ｄとを短絡させるとい
う問題があった。
ａ及び電極４ｂの配線の高密度化、高集積度化が進むに
伴い、隣接する電極間の間隔が狭くなってきた。その結
果、図２（ｃ）に示すように、隣接する電極４ｃと４ｄ
との間に複数の導電粒子６ａ及び６ｂが入り込んだ場合
には、これら両者が接触するとともに、電極４ｃ及び電
極４ｄにも接触し、電極４ｃと４ｄとを短絡させるとい
う問題があった。
【０００６】本発明は上述した問題を解決するためにな
されたものであり、高密度、狭ピッチ配線仕様の基板に
おいても、隣接電極を短絡することなく、確実に半導体
素子を基板に接合できる半導体素子の実装方法を提供す
ることを目的としている。
されたものであり、高密度、狭ピッチ配線仕様の基板に
おいても、隣接電極を短絡することなく、確実に半導体
素子を基板に接合できる半導体素子の実装方法を提供す
ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の請求項１に記載の半導体素子の実装方法
は、絶縁性基材の表面に複数の電極を形成してなる基板
上に半導体素子を実装するものを対象として、特に、前
記基板もしくは前記半導体素子のうち、少なくとも一方
に未硬化性樹脂を被覆させる第１の工程と、その第１の
工程により前記未硬化性樹脂が被覆された部分のうち、
前記電極以外の部分を硬化させる第２の工程と、その第
２の工程の後に、前記半導体素子を、導電性の接着剤を
介して前記基板に接合させる第３の工程とを備えたこと
を特徴としている。
に、本発明の請求項１に記載の半導体素子の実装方法
は、絶縁性基材の表面に複数の電極を形成してなる基板
上に半導体素子を実装するものを対象として、特に、前
記基板もしくは前記半導体素子のうち、少なくとも一方
に未硬化性樹脂を被覆させる第１の工程と、その第１の
工程により前記未硬化性樹脂が被覆された部分のうち、
前記電極以外の部分を硬化させる第２の工程と、その第
２の工程の後に、前記半導体素子を、導電性の接着剤を
介して前記基板に接合させる第３の工程とを備えたこと
を特徴としている。
【０００８】上記構成を有する本発明の請求項１に記載
の半導体素子の実装方法において、第１の工程は、絶縁
性基材の表面に複数の電極を形成してなる基板、もしく
は半導体素子のうち少なくとも一方に未硬化性樹脂を被
覆させ、第２の工程は、第１の工程によって未硬化性樹
脂が被覆された部分のうち、電極以外の部分を硬化させ
る。その後、第３の工程は、半導体素子を、導電性の接
着剤を介して前記基板に接合させる。
の半導体素子の実装方法において、第１の工程は、絶縁
性基材の表面に複数の電極を形成してなる基板、もしく
は半導体素子のうち少なくとも一方に未硬化性樹脂を被
覆させ、第２の工程は、第１の工程によって未硬化性樹
脂が被覆された部分のうち、電極以外の部分を硬化させ
る。その後、第３の工程は、半導体素子を、導電性の接
着剤を介して前記基板に接合させる。
【０００９】また、請求項２に記載の半導体素子の実装
方法は、前記第２の工程が、前記電極以外の部分に対応
して貫通孔が設けられたマスクプレートを使用して、前
記貫通孔に対応する部分を硬化させることを特徴として
いる。
方法は、前記第２の工程が、前記電極以外の部分に対応
して貫通孔が設けられたマスクプレートを使用して、前
記貫通孔に対応する部分を硬化させることを特徴として
いる。
【００１０】上記構成を有する請求項２に記載の半導体
素子の実装方法において、第２の工程は、第１の工程に
よって未硬化性樹脂が被覆された部分のうち、マスクプ
レートに設けられた貫通孔に対応する部分を硬化させ、
その後に、第３の工程は、半導体素子を、導電性の接着
剤を介して前記基板に接合させる。
素子の実装方法において、第２の工程は、第１の工程に
よって未硬化性樹脂が被覆された部分のうち、マスクプ
レートに設けられた貫通孔に対応する部分を硬化させ、
その後に、第３の工程は、半導体素子を、導電性の接着
剤を介して前記基板に接合させる。
【００１１】また、請求項３に記載の半導体素子の実装
方法は、前記未硬化性樹脂を、光硬化性樹脂としたこと
を特徴としている。
方法は、前記未硬化性樹脂を、光硬化性樹脂としたこと
を特徴としている。
【００１２】上記構成を有する請求項３に記載の半導体
素子の実装方法において、未硬化性樹脂を光硬化性樹脂
としたので、高密度、狭ピッチ配線仕様の電極基板にお
いても、光の作用により電極以外の微細な領域を硬化す
ることができる。
素子の実装方法において、未硬化性樹脂を光硬化性樹脂
としたので、高密度、狭ピッチ配線仕様の電極基板にお
いても、光の作用により電極以外の微細な領域を硬化す
ることができる。
【００１３】また、請求項４に記載の半導体素子の実装
方法は、前記未硬化性樹脂を、熱硬化性樹脂としたこと
を特徴としている。
方法は、前記未硬化性樹脂を、熱硬化性樹脂としたこと
を特徴としている。
【００１４】上記構成を有する請求項４に記載の半導体
素子の実装方法において、未硬化性樹脂を、熱硬化性樹
脂としたので、熱エネルギーをスポット的に与える装置
を使用した場合には、高密度、狭ピッチ配線仕様の電極
基板においても、電極以外の微細な領域を硬化すること
ができる。
素子の実装方法において、未硬化性樹脂を、熱硬化性樹
脂としたので、熱エネルギーをスポット的に与える装置
を使用した場合には、高密度、狭ピッチ配線仕様の電極
基板においても、電極以外の微細な領域を硬化すること
ができる。
【００１５】さらに、請求項５に記載の半導体素子の実
装方法は、前記未硬化性樹脂を、前記絶縁性基材と同一
の材質としたことを特徴としている。
装方法は、前記未硬化性樹脂を、前記絶縁性基材と同一
の材質としたことを特徴としている。
【００１６】上記構成を有する請求項５に記載の半導体
素子の実装方法において、未硬化性樹脂を、絶縁性基材
と同一の材質としたので、未硬化性樹脂を、絶縁性基材
に対して、確実に固定することができる。
素子の実装方法において、未硬化性樹脂を、絶縁性基材
と同一の材質としたので、未硬化性樹脂を、絶縁性基材
に対して、確実に固定することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１８】図１は、本発明の実施の形態における半導
体素子の実装方法を説明する説明図である。図１（ａ）
において、基板３は、ポリイミドフィルムやエポキシ系
樹脂等の絶縁性基材１の表面に複数の電極４ｂを形成し
てなり、未硬化性樹脂８は、スクリーン印刷法等によ
り、前記表面に、電極４ｂを被覆するように、スクリー
ン印刷法等で塗布される。未硬化性樹脂８には、アクリ
ル系の紫外線硬化性樹脂や、エポキシ系もしくはポリイ
ミド系の熱硬化性樹脂等が適しており、特に、絶縁性基
材１と同一の材質にするのが望ましい。
体素子の実装方法を説明する説明図である。図１（ａ）
において、基板３は、ポリイミドフィルムやエポキシ系
樹脂等の絶縁性基材１の表面に複数の電極４ｂを形成し
てなり、未硬化性樹脂８は、スクリーン印刷法等によ
り、前記表面に、電極４ｂを被覆するように、スクリー
ン印刷法等で塗布される。未硬化性樹脂８には、アクリ
ル系の紫外線硬化性樹脂や、エポキシ系もしくはポリイ
ミド系の熱硬化性樹脂等が適しており、特に、絶縁性基
材１と同一の材質にするのが望ましい。
【００１９】次に、図１（ｂ）に示すように、未硬化性
樹脂８が塗布された面の上部にマスクプレート９を配置
し、高エネルギー線１１をマスクプレートを介して矢印
方向に照射する。マスクプレート９には、予め電極４ｂ
以外の部分である電極間部１２に対応する位置に貫通孔
１０が設けられている。そのため、貫通孔１０を通過し
た高エネルギー線１１は、電極間部１２に達し、電極間
部１２のみが選択的に硬化される。未硬化性樹脂８に光
硬化性樹脂を用いた場合には、高エネルギー線１１とし
て紫外線、レーザー光線等を適用でき、熱硬化性樹脂を
用いた場合には、レーザー光線や各種熱線を適用でき
る。
樹脂８が塗布された面の上部にマスクプレート９を配置
し、高エネルギー線１１をマスクプレートを介して矢印
方向に照射する。マスクプレート９には、予め電極４ｂ
以外の部分である電極間部１２に対応する位置に貫通孔
１０が設けられている。そのため、貫通孔１０を通過し
た高エネルギー線１１は、電極間部１２に達し、電極間
部１２のみが選択的に硬化される。未硬化性樹脂８に光
硬化性樹脂を用いた場合には、高エネルギー線１１とし
て紫外線、レーザー光線等を適用でき、熱硬化性樹脂を
用いた場合には、レーザー光線や各種熱線を適用でき
る。
【００２０】なお、熱エネルギーをスポット的に与える
装置を使用した場合には、高密度、狭ピッチの配線使用
の基板においても、電極以外の微細な領域を硬化するこ
とができる。
装置を使用した場合には、高密度、狭ピッチの配線使用
の基板においても、電極以外の微細な領域を硬化するこ
とができる。
【００２１】次に、図１（ｃ）に示すように、接合する
半導体素子２に備えられた電極４ａと、基板３に備えら
れた電極４ｂとの位置合わせを正確に行った後、導電性
の接着剤である異方性導電材料５を介して矢印方向に基
板３と半導体素子２とを熱圧着する。異方性導電材料５
は、導電粒子６と接着剤層７とから構成されており、接
着剤層７に複数の導電粒子６が分散した状態になってい
る。導電粒子６には、ニッケルや銀等の金属導体粒子が
一般によく用いられるが、表面が金属メッキされた樹脂
製粒子や、樹脂中にカーボン等を分散させた導電性樹脂
粒子等を用いてもよい。また、接着剤層７には、一般に
エポキシ系樹脂を使用する。
半導体素子２に備えられた電極４ａと、基板３に備えら
れた電極４ｂとの位置合わせを正確に行った後、導電性
の接着剤である異方性導電材料５を介して矢印方向に基
板３と半導体素子２とを熱圧着する。異方性導電材料５
は、導電粒子６と接着剤層７とから構成されており、接
着剤層７に複数の導電粒子６が分散した状態になってい
る。導電粒子６には、ニッケルや銀等の金属導体粒子が
一般によく用いられるが、表面が金属メッキされた樹脂
製粒子や、樹脂中にカーボン等を分散させた導電性樹脂
粒子等を用いてもよい。また、接着剤層７には、一般に
エポキシ系樹脂を使用する。
【００２２】熱圧着を行った結果、図１（ｄ）に示すよ
うに、電極間部１２には導電粒子６が入り込むことがな
いため、隣接電極の短絡を確実に防止することができ、
半導体素子２の電極４ａと基板３の電極４ｂとを確実に
電気的に接続することができる。
うに、電極間部１２には導電粒子６が入り込むことがな
いため、隣接電極の短絡を確実に防止することができ、
半導体素子２の電極４ａと基板３の電極４ｂとを確実に
電気的に接続することができる。
【００２３】なお、本実施の形態においては、基板３の
片側一面に半導体素子２を実装したが、基板３の両面に
半導体素子２を実装してもよい。
片側一面に半導体素子２を実装したが、基板３の両面に
半導体素子２を実装してもよい。
【００２４】また、本実施の形態においては、未硬化性
樹脂８を基板３に塗布する方法を示したが、これに限定
するものではなく、半導体素子２に塗布してもよく、基
板３及び半導体素子２の両方に塗布してもよい。
樹脂８を基板３に塗布する方法を示したが、これに限定
するものではなく、半導体素子２に塗布してもよく、基
板３及び半導体素子２の両方に塗布してもよい。
【００２５】また、未硬化性樹脂の塗布方法を、スクリ
ーン印刷法としたが、スピンコーティング法、ディッピ
ング法等を適用してもよい。
ーン印刷法としたが、スピンコーティング法、ディッピ
ング法等を適用してもよい。
【００２６】さらに、本実施の形態では、接合性をよく
するために基板３側の電極４ｂを、電極４ａに比べ突起
状にバンプを形成したが、これに限定するものではな
く、半導体素子２側の電極４ａにバンプを形成してもよ
く、基板３及び半導体素子２の両方に形成してもよい。
するために基板３側の電極４ｂを、電極４ａに比べ突起
状にバンプを形成したが、これに限定するものではな
く、半導体素子２側の電極４ａにバンプを形成してもよ
く、基板３及び半導体素子２の両方に形成してもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明の請求項１に記載の半導体素子の実装方法によれ
ば、第１の工程が、絶縁性基材の表面に複数の電極を形
成してなる基板、もしくは半導体素子のうち、少なくと
も一方に未硬化性樹脂を被覆させ、第２の工程が、第１
の工程によって未硬化性樹脂が被覆された部分のうち、
電極以外の部分を硬化させ、その後に、第３の工程が、
半導体素子を、導電性の接着剤を介して前記基板に接合
させるので、高密度、狭ピッチ配線仕様の基板において
も、隣接電極を短絡することなく、確実に半導体素子を
基板に接合することができる。
本発明の請求項１に記載の半導体素子の実装方法によれ
ば、第１の工程が、絶縁性基材の表面に複数の電極を形
成してなる基板、もしくは半導体素子のうち、少なくと
も一方に未硬化性樹脂を被覆させ、第２の工程が、第１
の工程によって未硬化性樹脂が被覆された部分のうち、
電極以外の部分を硬化させ、その後に、第３の工程が、
半導体素子を、導電性の接着剤を介して前記基板に接合
させるので、高密度、狭ピッチ配線仕様の基板において
も、隣接電極を短絡することなく、確実に半導体素子を
基板に接合することができる。
【００２８】また、請求項２に記載の半導体素子の実装
方法によれば、第２の工程が、第１の工程によって未硬
化性樹脂が被覆された部分のうち、マスクプレートに設
けられた貫通孔に対応する部分を硬化させ、その後に、
第３の工程が、半導体素子を、導電性の接着剤を介して
前記基板に接合させるので、高密度、狭ピッチ配線仕様
の基板においても、隣接電極を短絡することなく、簡単
かつ確実に、半導体素子を基板に接合することができ
る。
方法によれば、第２の工程が、第１の工程によって未硬
化性樹脂が被覆された部分のうち、マスクプレートに設
けられた貫通孔に対応する部分を硬化させ、その後に、
第３の工程が、半導体素子を、導電性の接着剤を介して
前記基板に接合させるので、高密度、狭ピッチ配線仕様
の基板においても、隣接電極を短絡することなく、簡単
かつ確実に、半導体素子を基板に接合することができ
る。
【００２９】また、請求項３に記載の半導体素子の実装
方法によれば、未硬化性樹脂を光硬化性樹脂としたの
で、高密度、狭ピッチ配線仕様の電極基板においても、
光の作用により電極以外の微細な領域を硬化することが
できる。
方法によれば、未硬化性樹脂を光硬化性樹脂としたの
で、高密度、狭ピッチ配線仕様の電極基板においても、
光の作用により電極以外の微細な領域を硬化することが
できる。
【００３０】また、請求項４に記載の半導体素子の実装
方法によれば、未硬化性樹脂を、熱硬化性樹脂としたの
で、熱エネルギーをスポット的に与える装置を使用した
場合には、高密度、狭ピッチ配線仕様の電極基板におい
ても、その作用により電極以外の微細な領域を硬化する
ことができる。
方法によれば、未硬化性樹脂を、熱硬化性樹脂としたの
で、熱エネルギーをスポット的に与える装置を使用した
場合には、高密度、狭ピッチ配線仕様の電極基板におい
ても、その作用により電極以外の微細な領域を硬化する
ことができる。
【００３１】さらに、請求項５に記載の半導体素子の実
装方法によれば、未硬化性樹脂を、絶縁性基材と同一の
材質としたので、未硬化性樹脂を、絶縁性基材に対し
て、確実に固定することができる。
装方法によれば、未硬化性樹脂を、絶縁性基材と同一の
材質としたので、未硬化性樹脂を、絶縁性基材に対し
て、確実に固定することができる。
【図１】本発明の実施の形態における半導体素子の実装
方法を説明する説明図である。
方法を説明する説明図である。
【図２】従来の半導体素子の実装方法を説明する説明図
である。
である。
１ 絶縁性基材 ２ 半導体素子 ３ 基板 ４ａ 電極 ４ｂ 電極 ５ 異方性導電材料 ８ 未硬化性樹脂 １１ 高エネルギー線 １２ 電極間部
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性基材の表面に複数の電極を形成し
てなる基板上に半導体素子を実装する半導体素子の実装
方法において、 前記基板もしくは前記半導体素子のうち、少なくとも一
方に未硬化性樹脂を被覆させる第１の工程と、 その第１の工程により前記未硬化性樹脂が被覆された部
分のうち、前記電極以外の部分を硬化させる第２の工程
と、 その第２の工程の後に、前記半導体素子を、導電性の接
着剤を介して前記基板に接合させる第３の工程とを備え
たことを特徴とする半導体素子の実装方法。 - 【請求項２】 前記第２の工程は、前記電極以外の部分
に対応して貫通孔が設けられたマスクプレートを使用し
て、前記貫通孔に対応する部分を硬化させることを特徴
とする請求項１に記載の半導体素子の実装方法。 - 【請求項３】 前記未硬化性樹脂を、光硬化性樹脂とし
たことを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の
半導体素子の実装方法。 - 【請求項４】 前記未硬化性樹脂を、熱硬化性樹脂とし
たことを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の
半導体素子の実装方法。 - 【請求項５】 前記未硬化性樹脂を、前記絶縁性基材と
同一の材質としたことを特徴とする請求項１乃至請求項
４のいずれかに記載の半導体素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13972097A JPH10335379A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13972097A JPH10335379A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体素子の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335379A true JPH10335379A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15251842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13972097A Pending JPH10335379A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335379A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012054568A (ja) * | 2011-09-29 | 2012-03-15 | Sony Chemical & Information Device Corp | 接合体の製造方法 |
| JP2016139827A (ja) * | 2016-04-19 | 2016-08-04 | デクセリアルズ株式会社 | 接合体 |
-
1997
- 1997-05-29 JP JP13972097A patent/JPH10335379A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012054568A (ja) * | 2011-09-29 | 2012-03-15 | Sony Chemical & Information Device Corp | 接合体の製造方法 |
| JP2016139827A (ja) * | 2016-04-19 | 2016-08-04 | デクセリアルズ株式会社 | 接合体 |
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