JPH10335169A - 非還元性誘電体磁器材料 - Google Patents
非還元性誘電体磁器材料Info
- Publication number
- JPH10335169A JPH10335169A JP10090751A JP9075198A JPH10335169A JP H10335169 A JPH10335169 A JP H10335169A JP 10090751 A JP10090751 A JP 10090751A JP 9075198 A JP9075198 A JP 9075198A JP H10335169 A JPH10335169 A JP H10335169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitance
- mol
- dielectric
- range
- ceramic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｎｉ等の卑金属を内部電極とする積層磁器コ
ンデンサーに用いた場合、１３００℃以下で焼結し、容
量温度係数が小さく、かつ−１５０〜＋１５０ ppm／℃
の範囲で任意に制御可能で、２５℃での比抵抗が１×１
０13Ωcm以上で、比誘電率、誘電正接（ tanδ）の周波
数依存性が少なく、絶縁抵抗の加速寿命時間の長い非還
元性磁器材料を実現する。 【解決手段】 主組成を〔（ＣａXＳｒ1-X）Ｏ〕
m〔（ＴｉYＺｒ1-Y）Ｏ2〕と表したとき、Ｘ，Ｙおよび
ｍの値がそれぞれ、０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦０．１０、
０．７５≦ｍ≦１．０４、の範囲にある主成分と、この
主成分に対し副成分としてＭｎ酸化物をＭｎＯに換算し
て０．２〜５ mol ％、Ａｌ酸化物をＡｌ2Ｏ3に換算し
て０．１〜１０ mol％、および〔（ＢａZＣａ1-Z）Ｏ〕
VＳｉＯ2で表され、Ｚ，Ｖがそれぞれ、０≦Ｚ≦１、
０．５≦Ｖ≦４．０、の範囲の成分を０．５〜１５ mol
％含有する非還元性誘電体磁器材料とした。
ンデンサーに用いた場合、１３００℃以下で焼結し、容
量温度係数が小さく、かつ−１５０〜＋１５０ ppm／℃
の範囲で任意に制御可能で、２５℃での比抵抗が１×１
０13Ωcm以上で、比誘電率、誘電正接（ tanδ）の周波
数依存性が少なく、絶縁抵抗の加速寿命時間の長い非還
元性磁器材料を実現する。 【解決手段】 主組成を〔（ＣａXＳｒ1-X）Ｏ〕
m〔（ＴｉYＺｒ1-Y）Ｏ2〕と表したとき、Ｘ，Ｙおよび
ｍの値がそれぞれ、０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦０．１０、
０．７５≦ｍ≦１．０４、の範囲にある主成分と、この
主成分に対し副成分としてＭｎ酸化物をＭｎＯに換算し
て０．２〜５ mol ％、Ａｌ酸化物をＡｌ2Ｏ3に換算し
て０．１〜１０ mol％、および〔（ＢａZＣａ1-Z）Ｏ〕
VＳｉＯ2で表され、Ｚ，Ｖがそれぞれ、０≦Ｚ≦１、
０．５≦Ｖ≦４．０、の範囲の成分を０．５〜１５ mol
％含有する非還元性誘電体磁器材料とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層磁器コンデン
サに関し、詳しくは卑金属を内部電極とする積層磁器コ
ンデンサに用いられる温度補償用誘電体磁器材料に関す
る。
サに関し、詳しくは卑金属を内部電極とする積層磁器コ
ンデンサに用いられる温度補償用誘電体磁器材料に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】積層磁器コンデンサは小型、大容量、高
信頼性の電子部品として広く利用されており、１台の電
子機器の中で使用される個数も多数にのぼる。近年、機
器の小型・高性能化にともない、積層型セラミックチッ
プコンデンサに対する更なる小型、大容量、低価格、高
信頼性化への要求はますます厳しくなっている。
信頼性の電子部品として広く利用されており、１台の電
子機器の中で使用される個数も多数にのぼる。近年、機
器の小型・高性能化にともない、積層型セラミックチッ
プコンデンサに対する更なる小型、大容量、低価格、高
信頼性化への要求はますます厳しくなっている。
【０００３】積層磁器コンデンサは、通常、内部電極層
用のペーストと誘電体層用のペーストとをシート法や印
刷法等により積層し、同時焼成して製造される。
用のペーストと誘電体層用のペーストとをシート法や印
刷法等により積層し、同時焼成して製造される。
【０００４】ところで、従来の積層磁器コンデンサ等に
用いられる誘電体磁器材料は、還元性の雰囲気下で焼成
すると還元され、半導体化するという性質を有してい
た。このため内部電極の材料として、誘電体磁器材料の
焼結する温度で溶融せず、かつ誘電体磁器材料を半導体
化しない高い酸素分圧の下で焼成しても酸化されない、
Ｐｄ等の貴金属が用いられてきた。しかし、Ｐｄ等の貴
金属は高価なため、積層磁器コンデンサの低価格化、大
容量化を図る上での大きな妨げとなっていた。
用いられる誘電体磁器材料は、還元性の雰囲気下で焼成
すると還元され、半導体化するという性質を有してい
た。このため内部電極の材料として、誘電体磁器材料の
焼結する温度で溶融せず、かつ誘電体磁器材料を半導体
化しない高い酸素分圧の下で焼成しても酸化されない、
Ｐｄ等の貴金属が用いられてきた。しかし、Ｐｄ等の貴
金属は高価なため、積層磁器コンデンサの低価格化、大
容量化を図る上での大きな妨げとなっていた。
【０００５】内部電極材として、比較的安価なＮｉやＮ
ｉ合金等の卑金属の使用が検討されつつある。内部電極
層の導電材として卑金属を用いる場合、大気中で焼成を
行なうと内部電極層が酸化してしまう。従って、誘電体
層と内部電極層との同時焼成を、還元性雰囲気中で行な
う必要がある。しかし、還元性雰囲気中で焼成すると、
上述のように誘電体層が還元され、比抵抗が低くなって
しまう。このため、非還元性の誘電体材料が提案されて
いる。
ｉ合金等の卑金属の使用が検討されつつある。内部電極
層の導電材として卑金属を用いる場合、大気中で焼成を
行なうと内部電極層が酸化してしまう。従って、誘電体
層と内部電極層との同時焼成を、還元性雰囲気中で行な
う必要がある。しかし、還元性雰囲気中で焼成すると、
上述のように誘電体層が還元され、比抵抗が低くなって
しまう。このため、非還元性の誘電体材料が提案されて
いる。
【０００６】ところが、非還元性の誘電体材料を用いた
積層磁器コンデンサは、誘電体層の厚みを薄くした際に
（５μm 以下）、絶縁抵抗（ＩＲ）の寿命が短くなり、
信頼性が低下するという問題がある。
積層磁器コンデンサは、誘電体層の厚みを薄くした際に
（５μm 以下）、絶縁抵抗（ＩＲ）の寿命が短くなり、
信頼性が低下するという問題がある。
【０００７】非還元性の誘電体磁器材料として、特開昭
６３−１２６１１７号公報、特開昭６３−２８９７０９
号公報、特開平５−２１７４２６号公報等には、（Ｃａ
Ｓｒ）（ＴｉＺｒ）Ｏ3系誘電体磁器組成物にシリカ、
リチウムガラス、ケイ酸リチウム＋アルカリ土類フッ化
物、ホウ素−リチウムガラス等を添加し、Ｎｉ，Ｃｕ等
の卑金属との同時焼成を可能としたものが開示されてい
る。
６３−１２６１１７号公報、特開昭６３−２８９７０９
号公報、特開平５−２１７４２６号公報等には、（Ｃａ
Ｓｒ）（ＴｉＺｒ）Ｏ3系誘電体磁器組成物にシリカ、
リチウムガラス、ケイ酸リチウム＋アルカリ土類フッ化
物、ホウ素−リチウムガラス等を添加し、Ｎｉ，Ｃｕ等
の卑金属との同時焼成を可能としたものが開示されてい
る。
【０００８】しかしながら、前記材料を用いた誘電体磁
器コンデンサは、 Ｌｉ系ガラス、ＣａＦ＋Ｌｉ2ＳｉＯ3系ガラスの添
加のものは、比誘電率、誘電正接（ tanδ）に周波数依
存性が見られ、特に１００℃以上の高温、数百Hzの低周
波で誘電率、誘電正接（ tanδ）の増加が顕著になる。
また、Ｌｉガラスを添加したものは、ＩＲ加速寿命が短
く、誘電体層を薄層化したときの信頼性に欠ける。 ＳｉＯ2添加のものは、絶縁抵抗の加速寿命時間が
短く、誘電体層の厚みを薄くしたときの信頼性に欠け
る。等の問題があった。
器コンデンサは、 Ｌｉ系ガラス、ＣａＦ＋Ｌｉ2ＳｉＯ3系ガラスの添
加のものは、比誘電率、誘電正接（ tanδ）に周波数依
存性が見られ、特に１００℃以上の高温、数百Hzの低周
波で誘電率、誘電正接（ tanδ）の増加が顕著になる。
また、Ｌｉガラスを添加したものは、ＩＲ加速寿命が短
く、誘電体層を薄層化したときの信頼性に欠ける。 ＳｉＯ2添加のものは、絶縁抵抗の加速寿命時間が
短く、誘電体層の厚みを薄くしたときの信頼性に欠け
る。等の問題があった。
【０００９】また、静電容量の温度変化が少なく、つま
り容量温度係数が小さく、かつ−１５０〜＋１５０ ppm
／℃の範囲で任意にコントロール可能な温度補償用誘電
体磁器組成物の要求が高まり、このような制御可能な低
温度係数のコンデンサを提供しうる磁器材料が必要とな
っている。
り容量温度係数が小さく、かつ−１５０〜＋１５０ ppm
／℃の範囲で任意にコントロール可能な温度補償用誘電
体磁器組成物の要求が高まり、このような制御可能な低
温度係数のコンデンサを提供しうる磁器材料が必要とな
っている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｎｉ
等の卑金属を内部電極とする積層磁器コンデンサーに用
いた場合、１３００℃以下で焼結し、静電容量の温度係
数が小さく、かつ−１５０〜＋１５０ ppm／℃の範囲で
任意に制御可能で、２５℃での比抵抗が１×１０13Ωcm
以上で、比誘電率、誘電正接（ tanδ）の周波数依存性
が少なく、絶縁体層を薄くしても絶縁抵抗の加速寿命時
間が長く、高信頼性の非還元性誘電体磁器材料を実現す
ることである。
等の卑金属を内部電極とする積層磁器コンデンサーに用
いた場合、１３００℃以下で焼結し、静電容量の温度係
数が小さく、かつ−１５０〜＋１５０ ppm／℃の範囲で
任意に制御可能で、２５℃での比抵抗が１×１０13Ωcm
以上で、比誘電率、誘電正接（ tanδ）の周波数依存性
が少なく、絶縁体層を薄くしても絶縁抵抗の加速寿命時
間が長く、高信頼性の非還元性誘電体磁器材料を実現す
ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（８）のいずれかの構成により達成される。 （１） 主組成を〔（ＣａXＳｒ1-X）Ｏ〕m〔（ＴｉYＺ
ｒ1-Y）Ｏ2〕と表したとき、Ｘ，Ｙおよびｍの値がそれ
ぞれ、 ０≦Ｘ≦１、 ０≦Ｙ≦０．１０、 ０．７５≦ｍ≦１．０４、 の範囲にある主成分と、この主成分に対し副成分として
Ｍｎ酸化物をＭｎＯに換算して０．２〜５ mol％、Ａｌ
酸化物をＡｌ2Ｏ3に換算して０．１〜１０ mol％、およ
び〔（ＢａZＣａ1-Z）Ｏ〕VＳｉＯ2で表され、Ｚ，Ｖが
それぞれ、 ０≦Ｚ≦１、 ０．５≦Ｖ≦４．０、 の範囲の成分を０．５〜１５ mol％含有する非還元性誘
電体磁器材料。 （２） さらに、ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮ
ｂ，Ｍｏ，ＴａおよびＷの酸化物の１種または２種以上
を０．０２〜１．５ mol％含有する上記（１）の非還元
性誘電体磁器材料。 （３） 焼成温度が１３００℃以下である上記（１）ま
たは（２）の非還元性誘電体磁器材料。 （４） 結晶平均粒径が３μm 以下である上記（１）〜
（３）のいずれかの非還元性誘電体磁器材料。 （５） 誘電体として上記（１）〜（４）のいずれかの
非還元性誘電体磁器材料を有する積層磁器コンデンサ。 （６） １ MHzで、２５℃における静電容量Ｃ２５およ
び１２５℃における静電容量Ｃ１２５から、 τＣ（ ppm／℃）＝｛（Ｃ１２５−Ｃ２５）／Ｃ２５｝
×｛１／（１２５−２５）｝×１０6 で求められる静電容量の温度係数τＣと、１ MHz、２５
℃の容量温度係数を基準とし、１００ Hz 、１２５℃の
容量値の変化率から求められる静電容量の変化率ΔＣ／
Ｃ（ ppm／℃）との差が±３０以内である上記（５）の
積層磁器コンデンサ。 （７） ２００℃,７０V/μm の直流電界下にて、絶縁
抵抗（ＩＲ）が２×１０5 Ω以下になるまでの加速寿命
時間が１００時間以上である上記（５）または（６）の
積層磁器コンデンサ。 （８） 少なくともニッケルを含有する内部導体を有す
る上記（５）〜（７）のいずれかの積層磁器コンデン
サ。
（１）〜（８）のいずれかの構成により達成される。 （１） 主組成を〔（ＣａXＳｒ1-X）Ｏ〕m〔（ＴｉYＺ
ｒ1-Y）Ｏ2〕と表したとき、Ｘ，Ｙおよびｍの値がそれ
ぞれ、 ０≦Ｘ≦１、 ０≦Ｙ≦０．１０、 ０．７５≦ｍ≦１．０４、 の範囲にある主成分と、この主成分に対し副成分として
Ｍｎ酸化物をＭｎＯに換算して０．２〜５ mol％、Ａｌ
酸化物をＡｌ2Ｏ3に換算して０．１〜１０ mol％、およ
び〔（ＢａZＣａ1-Z）Ｏ〕VＳｉＯ2で表され、Ｚ，Ｖが
それぞれ、 ０≦Ｚ≦１、 ０．５≦Ｖ≦４．０、 の範囲の成分を０．５〜１５ mol％含有する非還元性誘
電体磁器材料。 （２） さらに、ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮ
ｂ，Ｍｏ，ＴａおよびＷの酸化物の１種または２種以上
を０．０２〜１．５ mol％含有する上記（１）の非還元
性誘電体磁器材料。 （３） 焼成温度が１３００℃以下である上記（１）ま
たは（２）の非還元性誘電体磁器材料。 （４） 結晶平均粒径が３μm 以下である上記（１）〜
（３）のいずれかの非還元性誘電体磁器材料。 （５） 誘電体として上記（１）〜（４）のいずれかの
非還元性誘電体磁器材料を有する積層磁器コンデンサ。 （６） １ MHzで、２５℃における静電容量Ｃ２５およ
び１２５℃における静電容量Ｃ１２５から、 τＣ（ ppm／℃）＝｛（Ｃ１２５−Ｃ２５）／Ｃ２５｝
×｛１／（１２５−２５）｝×１０6 で求められる静電容量の温度係数τＣと、１ MHz、２５
℃の容量温度係数を基準とし、１００ Hz 、１２５℃の
容量値の変化率から求められる静電容量の変化率ΔＣ／
Ｃ（ ppm／℃）との差が±３０以内である上記（５）の
積層磁器コンデンサ。 （７） ２００℃,７０V/μm の直流電界下にて、絶縁
抵抗（ＩＲ）が２×１０5 Ω以下になるまでの加速寿命
時間が１００時間以上である上記（５）または（６）の
積層磁器コンデンサ。 （８） 少なくともニッケルを含有する内部導体を有す
る上記（５）〜（７）のいずれかの積層磁器コンデン
サ。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。本発明の誘電体磁器材料は、主組成
を〔（ＣａXＳｒ1-X）Ｏ〕m〔（ＴｉYＺｒ1-Y）Ｏ2〕と
表したとき、Ｘ，Ｙおよびｍの値がそれぞれ、 ０≦Ｘ≦１、 ０≦Ｙ≦０．１０、 ０．７５≦ｍ≦１．０４、 の範囲にある主成分と、この主成分に対し、Ｍｎ酸化物
をＭｎＯに換算して０．２〜５ mol％、Ａｌ酸化物をＡ
ｌ2Ｏ3に換算して０．１〜１０ mol％、および〔（Ｂａ
ZＣａ1-Z）Ｏ〕VＳｉＯ2で表され、Ｚ，Ｖがそれぞれ、 ０≦Ｚ≦１、 ０．５≦Ｖ≦４．０、 の範囲の副成分を０．５〜１５ mol％含有する。
て詳細に説明する。本発明の誘電体磁器材料は、主組成
を〔（ＣａXＳｒ1-X）Ｏ〕m〔（ＴｉYＺｒ1-Y）Ｏ2〕と
表したとき、Ｘ，Ｙおよびｍの値がそれぞれ、 ０≦Ｘ≦１、 ０≦Ｙ≦０．１０、 ０．７５≦ｍ≦１．０４、 の範囲にある主成分と、この主成分に対し、Ｍｎ酸化物
をＭｎＯに換算して０．２〜５ mol％、Ａｌ酸化物をＡ
ｌ2Ｏ3に換算して０．１〜１０ mol％、および〔（Ｂａ
ZＣａ1-Z）Ｏ〕VＳｉＯ2で表され、Ｚ，Ｖがそれぞれ、 ０≦Ｚ≦１、 ０．５≦Ｖ≦４．０、 の範囲の副成分を０．５〜１５ mol％含有する。
【００１３】主組成のＸの値は、 ０≦Ｘ≦１ の範囲である。すなわち、主組成のＣａおよびＳｒは、
どちらか一方のみでもよく、その混合比の好適値はＹと
の関係で決められるが、任意である。
どちらか一方のみでもよく、その混合比の好適値はＹと
の関係で決められるが、任意である。
【００１４】主組成のＹの値は、 ０≦Ｙ≦０．１０ の範囲であり、好ましくは、 ０≦Ｙ≦０．０７ の範囲である。主組成のＹの値が０．１０以上になる
と、容量、 tanδの周波数依存性が大きくなる。
と、容量、 tanδの周波数依存性が大きくなる。
【００１５】主組成のｍの値は、 ０．７５≦ｍ≦１．０４ の範囲である。ｍの値が０．７５未満だと容量、 tanδ
の周波数依存性が大きくなる。ｍの値が１．０４超だ
と、１３００℃以下の焼成温度では焼成し難くなる。
の周波数依存性が大きくなる。ｍの値が１．０４超だ
と、１３００℃以下の焼成温度では焼成し難くなる。
【００１６】副成分のＭｎ酸化物は耐還元性付与と、焼
結助剤として添加される。その添加量はＭｎＯ換算で、
０．２〜５ mol％、好ましくは０．２〜３ mol％の範囲
である。添加量が少なすぎると、焼結性が低下し、多す
ぎると誘電率、静電容量の温度係数、誘電正接（ tan
δ）の周波数依存性が大きくなってくる。
結助剤として添加される。その添加量はＭｎＯ換算で、
０．２〜５ mol％、好ましくは０．２〜３ mol％の範囲
である。添加量が少なすぎると、焼結性が低下し、多す
ぎると誘電率、静電容量の温度係数、誘電正接（ tan
δ）の周波数依存性が大きくなってくる。
【００１７】副成分のＡｌ酸化物は耐還元性付与と、焼
結助剤として添加される。その添加量はＡｌ2Ｏ3に換算
して０．１〜１０ mol％、好ましくは０．１〜５ mol
％、さらには０．２〜０．５ mol％の範囲が好ましい。
添加量が少なすぎると、比抵抗、焼結性が低下し、多す
ぎると比誘電率が低下してくる。
結助剤として添加される。その添加量はＡｌ2Ｏ3に換算
して０．１〜１０ mol％、好ましくは０．１〜５ mol
％、さらには０．２〜０．５ mol％の範囲が好ましい。
添加量が少なすぎると、比抵抗、焼結性が低下し、多す
ぎると比誘電率が低下してくる。
【００１８】副組成のケイ酸バリウム／カルシウム
〔（ＢａZＣａ1-Z）Ｏ〕VＳｉＯ2は、焼結助剤として添
加される。Ｚ，Ｖの値はそれぞれ、 ０≦Ｚ≦１、 ０．５≦Ｖ≦４．０、 好ましくは、 ０．５≦Ｚ≦１、 ０．５５≦Ｖ≦３．０、 の範囲である。
〔（ＢａZＣａ1-Z）Ｏ〕VＳｉＯ2は、焼結助剤として添
加される。Ｚ，Ｖの値はそれぞれ、 ０≦Ｚ≦１、 ０．５≦Ｖ≦４．０、 好ましくは、 ０．５≦Ｚ≦１、 ０．５５≦Ｖ≦３．０、 の範囲である。
【００１９】Ｖの値が０．５未満だと誘電体層を５μm
以下としたときにＩＲ加速寿命が短くなってくる。Ｖの
値が４．０を超えると焼結性が低下する。〔（ＢａZＣ
ａ1-Z）Ｏ〕VＳｉＯ2の添加量は、０．５〜１５ mol
％、好ましくは０．１〜５ mol％の範囲である。〔（Ｂ
ａZＣａ1-Z）Ｏ〕VＳｉＯ2の添加量が０．５ mol％未満
だと焼結性が低下し、１５ mol％を超えると焼結性を阻
害する。
以下としたときにＩＲ加速寿命が短くなってくる。Ｖの
値が４．０を超えると焼結性が低下する。〔（ＢａZＣ
ａ1-Z）Ｏ〕VＳｉＯ2の添加量は、０．５〜１５ mol
％、好ましくは０．１〜５ mol％の範囲である。〔（Ｂ
ａZＣａ1-Z）Ｏ〕VＳｉＯ2の添加量が０．５ mol％未満
だと焼結性が低下し、１５ mol％を超えると焼結性を阻
害する。
【００２０】上記主成分および副成分に加え、好ましく
は、ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮｂ，Ｍｏ，Ｔａ
およびＷの酸化物の１種または２種以上を添加すること
が好ましい。これらの酸化物を添加することにより、静
電容量の温度係数、誘電正接の周波数依存性を抑制す
る。これらの酸化物の添加量は、前記主成分に対し０．
０２〜１．５ mol％、好ましくは０．１０〜１．０ mol
％の範囲である。添加量が多いと焼結温度が高くなり、
添加量が少ないと静電容量の温度係数、誘電正接の周波
数依存性の抑制効果が得難くなる。なお、前記mol％は
ＳｃＯ3/2、ＹＯ3/2、ＬａＯ3/2、ＣｅＯ2、Ｐｒ
Ｏ11/6、ＮｄＯ3/2、ＳｍＯ3/2、ＥｕＯ3/2、Ｇｄ
Ｏ3/2、ＴｂＯ3/2、ＤｙＯ3/2、ＨｏＯ3/2、Ｅｒ
Ｏ3/2、ＴｍＯ3/2、ＹｂＯ3/2、ＬｕＯ3/2、Ｎｂ
Ｏ5/2、ＭｏＯ3、ＴａＯ5/2、ＷＯ3 に換算したときの
値である。なお、上記の各酸化物は、通常上記の化学量
論組成で含有されるが、それらから多少偏倚した組成で
あってもよい。
は、ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮｂ，Ｍｏ，Ｔａ
およびＷの酸化物の１種または２種以上を添加すること
が好ましい。これらの酸化物を添加することにより、静
電容量の温度係数、誘電正接の周波数依存性を抑制す
る。これらの酸化物の添加量は、前記主成分に対し０．
０２〜１．５ mol％、好ましくは０．１０〜１．０ mol
％の範囲である。添加量が多いと焼結温度が高くなり、
添加量が少ないと静電容量の温度係数、誘電正接の周波
数依存性の抑制効果が得難くなる。なお、前記mol％は
ＳｃＯ3/2、ＹＯ3/2、ＬａＯ3/2、ＣｅＯ2、Ｐｒ
Ｏ11/6、ＮｄＯ3/2、ＳｍＯ3/2、ＥｕＯ3/2、Ｇｄ
Ｏ3/2、ＴｂＯ3/2、ＤｙＯ3/2、ＨｏＯ3/2、Ｅｒ
Ｏ3/2、ＴｍＯ3/2、ＹｂＯ3/2、ＬｕＯ3/2、Ｎｂ
Ｏ5/2、ＭｏＯ3、ＴａＯ5/2、ＷＯ3 に換算したときの
値である。なお、上記の各酸化物は、通常上記の化学量
論組成で含有されるが、それらから多少偏倚した組成で
あってもよい。
【００２１】本発明の誘電体磁器材料と組み合わせて用
いられる内部導電体としては、好ましくはニッケル、ま
たはニッケル合金が挙げられ、ニッケル合金としては、
ＮｉとＭｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌの１種以上との合金が好
ましく、これらの合金中のＮｉの含有率は９５wt％以上
が好ましい。
いられる内部導電体としては、好ましくはニッケル、ま
たはニッケル合金が挙げられ、ニッケル合金としては、
ＮｉとＭｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌの１種以上との合金が好
ましく、これらの合金中のＮｉの含有率は９５wt％以上
が好ましい。
【００２２】本発明の非還元性誘電体磁器材料を、キャ
パシタ等の容量性デバイスに適用する場合、比誘電率ε
は大きいほど好ましく、例えば１ KHz、１Vrms、２５℃
の条件で、好ましくは２８以上、より好ましくは３０以
上、特に３３以上が好ましい。誘電率が低いと容量性デ
バイスの小型化・大容量化を図る上で不利となってく
る。比抵抗ρ（Ωcm）は、好ましくは２５℃で１×１０
13Ω・cm以上、より好ましくは１×１０14以上が好まし
い。比抵抗が低すぎると、損失が大きくなる傾向にあ
る。比抵抗ρ（Ωcm）は、例えば一定の温度下で、ＤＣ
電圧を一定時間印加した後の抵抗値から求めることがで
きる。
パシタ等の容量性デバイスに適用する場合、比誘電率ε
は大きいほど好ましく、例えば１ KHz、１Vrms、２５℃
の条件で、好ましくは２８以上、より好ましくは３０以
上、特に３３以上が好ましい。誘電率が低いと容量性デ
バイスの小型化・大容量化を図る上で不利となってく
る。比抵抗ρ（Ωcm）は、好ましくは２５℃で１×１０
13Ω・cm以上、より好ましくは１×１０14以上が好まし
い。比抵抗が低すぎると、損失が大きくなる傾向にあ
る。比抵抗ρ（Ωcm）は、例えば一定の温度下で、ＤＣ
電圧を一定時間印加した後の抵抗値から求めることがで
きる。
【００２３】静電容量の温度係数τＣは、例えば１ MHz
で、２５℃における静電容量Ｃ２５および１２５℃にお
ける静電容量Ｃ１２５から、 τＣ（ ppm／℃）＝｛（Ｃ１２５−Ｃ２５）／Ｃ２５｝
×｛１／（１２５−２５）｝×１０6 と規定することができ、静電容量の変化率ΔＣ／Ｃ（ p
pm／℃）は、例えば１ MHz、２５℃の容量温度係数を基
準とし、１００ Hz 、１２５℃の容量値から変化率を求
めた。この容量変化率は１ MHzの容量温度係数と近い程
好ましく、その差が±３０以内、特に±１５以内が好ま
しい。静電容量の温度係数τＣと静電容量の変化率ΔＣ
／Ｃの差が大きいと、容量精度が要求される回路で使用
した場合、周波数により容量が大きく変動してしまい、
回路の動作の変動や動作不良等を生じ、好ましくない。
で、２５℃における静電容量Ｃ２５および１２５℃にお
ける静電容量Ｃ１２５から、 τＣ（ ppm／℃）＝｛（Ｃ１２５−Ｃ２５）／Ｃ２５｝
×｛１／（１２５−２５）｝×１０6 と規定することができ、静電容量の変化率ΔＣ／Ｃ（ p
pm／℃）は、例えば１ MHz、２５℃の容量温度係数を基
準とし、１００ Hz 、１２５℃の容量値から変化率を求
めた。この容量変化率は１ MHzの容量温度係数と近い程
好ましく、その差が±３０以内、特に±１５以内が好ま
しい。静電容量の温度係数τＣと静電容量の変化率ΔＣ
／Ｃの差が大きいと、容量精度が要求される回路で使用
した場合、周波数により容量が大きく変動してしまい、
回路の動作の変動や動作不良等を生じ、好ましくない。
【００２４】絶縁抵抗（ＩＲ）の加速寿命は長いほど好
ましく、例えば２００℃にて７０V/μm の直流電界下で
加速試験を行ない、抵抗（ＩＲ）が２×１０5 Ω以下に
なるまでの時間が好ましくは１００時間以上、より好ま
しくは２００時間以上、特に３００時間以上が好まし
い。
ましく、例えば２００℃にて７０V/μm の直流電界下で
加速試験を行ない、抵抗（ＩＲ）が２×１０5 Ω以下に
なるまでの時間が好ましくは１００時間以上、より好ま
しくは２００時間以上、特に３００時間以上が好まし
い。
【００２５】本発明の非還元性誘電体磁器材料の結晶平
均粒径は、３μm 以下が好ましく、より好ましくは２．
５μm 以下、特に１．５μm 以下が好ましい。またその
下限値は特に規制するものではないが、通常０．１μm
程度である。結晶平均粒径が３μm を超えると、積層セ
ラミックコンデンサの誘電体層を５μm 以下の厚さとし
た場合、ＩＲ加速寿命時間が短くなり、信頼性が低下し
てくる。
均粒径は、３μm 以下が好ましく、より好ましくは２．
５μm 以下、特に１．５μm 以下が好ましい。またその
下限値は特に規制するものではないが、通常０．１μm
程度である。結晶平均粒径が３μm を超えると、積層セ
ラミックコンデンサの誘電体層を５μm 以下の厚さとし
た場合、ＩＲ加速寿命時間が短くなり、信頼性が低下し
てくる。
【００２６】次に、本発明の非還元性誘電体磁器材料を
用いた積層磁器コンデンサを作製する方法について説明
する。
用いた積層磁器コンデンサを作製する方法について説明
する。
【００２７】原料としては、例えば、水熱合成法等で合
成した、ＣａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＺｒＯ3，Ｓ
ｒＺｒＯ3，等の主成分原料に、ＭｎＣＯ3，Ａｌ2Ｏ3，
ＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＳｒＣｏ3，ＺｒＯ2，Ｔｉ
Ｏ2，ＳｉＯ2および、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗの酸化物等副成
分原料等を用いることができ、また、前記主成分原料と
副成分原料等との混合物を仮焼して固相反応させる乾式
合成法を用いてもよい。
成した、ＣａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＺｒＯ3，Ｓ
ｒＺｒＯ3，等の主成分原料に、ＭｎＣＯ3，Ａｌ2Ｏ3，
ＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＳｒＣｏ3，ＺｒＯ2，Ｔｉ
Ｏ2，ＳｉＯ2および、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗの酸化物等副成
分原料等を用いることができ、また、前記主成分原料と
副成分原料等との混合物を仮焼して固相反応させる乾式
合成法を用いてもよい。
【００２８】上記各粉末を、最終組成が上記の本発明の
組成範囲となるように秤量し、有機ビヒクルと混練して
誘電体ペーストを得る。有機ビヒクルに用いられるバイ
ンダは特に限定されるものではなく、例えばエチルセル
ロース等各種バインダから適宜選択すればよい。また、
有機溶剤も特に限定されるものではなく、印刷法やシー
ト法など利用する積層方法に応じて適宜選択すればよ
く、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、ア
セトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すれば
よい。内部電極としては上記の導電性金属や合金を用
い、これらと上記有機ビヒクルとを混練して内部電極材
料ペーストとする。また、外部電極用ペーストも同様に
して調整すればよい。
組成範囲となるように秤量し、有機ビヒクルと混練して
誘電体ペーストを得る。有機ビヒクルに用いられるバイ
ンダは特に限定されるものではなく、例えばエチルセル
ロース等各種バインダから適宜選択すればよい。また、
有機溶剤も特に限定されるものではなく、印刷法やシー
ト法など利用する積層方法に応じて適宜選択すればよ
く、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、ア
セトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すれば
よい。内部電極としては上記の導電性金属や合金を用
い、これらと上記有機ビヒクルとを混練して内部電極材
料ペーストとする。また、外部電極用ペーストも同様に
して調整すればよい。
【００２９】印刷法を用いる場合、誘電体ペーストおよ
び内部電極材料ペーストを、ＰＥＴ（ポリエチレンテレ
フタレート）等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断
した後、基板から剥離してグリーンチップを得る。
び内部電極材料ペーストを、ＰＥＴ（ポリエチレンテレ
フタレート）等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断
した後、基板から剥離してグリーンチップを得る。
【００３０】シート法を用いる場合、誘電体ペーストを
用いてグリーンシートを形成し、このグリーンシート上
に内部電極材料ペーストを印刷して積層し、所定形状に
切断してグリーンチップを得る。
用いてグリーンシートを形成し、このグリーンシート上
に内部電極材料ペーストを印刷して積層し、所定形状に
切断してグリーンチップを得る。
【００３１】得られたグリーンチップは、脱バインダー
される。グリーンチップの脱バインダー処理は、好まし
くは空気中にて２００〜４００℃前後で、約０．５〜２
４時間程度保持する。
される。グリーンチップの脱バインダー処理は、好まし
くは空気中にて２００〜４００℃前後で、約０．５〜２
４時間程度保持する。
【００３２】内部電極の酸化を防止するため、還元雰囲
気（酸素分圧が１０-8〜１０-12 atm）中で所定時間、
好ましくは１３００℃以下、特に１３００〜１２００℃
の範囲で焼成した後、誘電体の再酸化処理を行うため、
酸素分圧が１０-5 〜１０-8atmの雰囲気中で、好ましく
は１１００℃以下、特に１１００〜８００℃の範囲で熱
処理し、チップ焼結体を得る。
気（酸素分圧が１０-8〜１０-12 atm）中で所定時間、
好ましくは１３００℃以下、特に１３００〜１２００℃
の範囲で焼成した後、誘電体の再酸化処理を行うため、
酸素分圧が１０-5 〜１０-8atmの雰囲気中で、好ましく
は１１００℃以下、特に１１００〜８００℃の範囲で熱
処理し、チップ焼結体を得る。
【００３３】このようにして得られたチップ焼結体に、
バレル研磨やサンドブラスト等により端面研磨を施し、
外部電極用ペーストを印刷ないし転写して焼き付けを行
い、外部電極を形成する。焼き付け条件は、例えば窒素
ガス中で、６００〜８００℃前後で、０．１〜１時間程
度保持して焼き付けることが好ましい。また、必要に応
じて、外部電極表面にメッキなどによる被覆層を形成す
ることが好ましい。
バレル研磨やサンドブラスト等により端面研磨を施し、
外部電極用ペーストを印刷ないし転写して焼き付けを行
い、外部電極を形成する。焼き付け条件は、例えば窒素
ガス中で、６００〜８００℃前後で、０．１〜１時間程
度保持して焼き付けることが好ましい。また、必要に応
じて、外部電極表面にメッキなどによる被覆層を形成す
ることが好ましい。
【００３４】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。 ＜実施例１＞原料として、ＣａＺｒＯ3，ＳｒＺｒＯ3，
ＣａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3，ＭｎＣＯ3，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ
ａＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＳｉＯ2およびＳｃ，Ｙ，Ｌａ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗの
酸化物の各粉末を用意した。
をさらに詳細に説明する。 ＜実施例１＞原料として、ＣａＺｒＯ3，ＳｒＺｒＯ3，
ＣａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3，ＭｎＣＯ3，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ
ａＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＳｉＯ2およびＳｃ，Ｙ，Ｌａ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗの
酸化物の各粉末を用意した。
【００３５】これらを最終組成が表１、表２となるよう
に秤量して、湿式混合した後、脱水、乾燥して各試料を
得た。また比較例として、リチウムガラスを添加したサ
ンプルNo.３９のガラス組成は下記表５に示したものと
同様である。これら誘電体原料１００wt％に、アクリル
樹脂５．４wt％、塩化メチレン４５wt％、酢酸エチル１
６wt％、ミネラルスピリット６wt％およびアセトン４wt
％をボールミルで混合して誘電体ペーストを得た。ま
た、平均粒径０．８μm のニッケル粉末１００wt％に、
有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８wt％をブチルカ
ルビトール９２wt％に溶解したもの）３５wt％およびブ
チルカルビトール７wt％とを混練し、内部電極用ペース
トを得た。また、平均粒径０．５μm の銅粉末１００wt
％に、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８wt％をブ
チルカルビトール９２wt％に溶解したもの）３５wt％お
よびブチルカルビトール７wt％とを混練し、外部電極用
ペーストを得た。
に秤量して、湿式混合した後、脱水、乾燥して各試料を
得た。また比較例として、リチウムガラスを添加したサ
ンプルNo.３９のガラス組成は下記表５に示したものと
同様である。これら誘電体原料１００wt％に、アクリル
樹脂５．４wt％、塩化メチレン４５wt％、酢酸エチル１
６wt％、ミネラルスピリット６wt％およびアセトン４wt
％をボールミルで混合して誘電体ペーストを得た。ま
た、平均粒径０．８μm のニッケル粉末１００wt％に、
有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８wt％をブチルカ
ルビトール９２wt％に溶解したもの）３５wt％およびブ
チルカルビトール７wt％とを混練し、内部電極用ペース
トを得た。また、平均粒径０．５μm の銅粉末１００wt
％に、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８wt％をブ
チルカルビトール９２wt％に溶解したもの）３５wt％お
よびブチルカルビトール７wt％とを混練し、外部電極用
ペーストを得た。
【００３６】先ず、誘電体ペーストを用いてＰＥＴフィ
ルム上に厚さ７μm のグリーンシートを形成し、この上
に内部電極用ペーストを印刷した後、ＰＥＴフィルム上
からシートを剥離した。このようにして作製したシート
を複数枚積層し、加圧接着してグリーン積層体を得た。
次いで、このグリーン積層体を所定の大きさに切断して
グリーンチップとし、脱バインダー処理、焼成、アニー
ルを以下の条件で行い、チップ焼結体を得た。
ルム上に厚さ７μm のグリーンシートを形成し、この上
に内部電極用ペーストを印刷した後、ＰＥＴフィルム上
からシートを剥離した。このようにして作製したシート
を複数枚積層し、加圧接着してグリーン積層体を得た。
次いで、このグリーン積層体を所定の大きさに切断して
グリーンチップとし、脱バインダー処理、焼成、アニー
ルを以下の条件で行い、チップ焼結体を得た。
【００３７】脱バインダ処理：２８０℃、８時間保持
（空気中） 焼成：１２００〜１３００℃、２時間保持、雰囲気ガス
＝加湿したＮ2とＨ2の混合ガス、酸素分圧１０-11 atm アニール：１１００℃、３時間保持、雰囲気ガス＝加湿
したＮ2ガス、酸素分圧１０-5 atm
（空気中） 焼成：１２００〜１３００℃、２時間保持、雰囲気ガス
＝加湿したＮ2とＨ2の混合ガス、酸素分圧１０-11 atm アニール：１１００℃、３時間保持、雰囲気ガス＝加湿
したＮ2ガス、酸素分圧１０-5 atm
【００３８】得られたチップ焼結体の端面を、サンドブ
ラストにて研磨した後、上記外部電極ペーストをチップ
端面に転写し、Ｎ2雰囲気中で８００℃にて３０分間焼
成して外部電極を形成し、積層型セラミックコンデンサ
を得た。
ラストにて研磨した後、上記外部電極ペーストをチップ
端面に転写し、Ｎ2雰囲気中で８００℃にて３０分間焼
成して外部電極を形成し、積層型セラミックコンデンサ
を得た。
【００３９】このようにして得られた各サンプルのサイ
ズは、３．２×１．６×０．６mmで、誘電体層の厚さは
５μm 、誘電体層数４、内部電極の厚さ２μm であっ
た。
ズは、３．２×１．６×０．６mmで、誘電体層の厚さは
５μm 、誘電体層数４、内部電極の厚さ２μm であっ
た。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】次に得られたコンデンサの比誘電率ε、比
抵抗ρ（Ωcm）、静電容量の温度係数τＣ（ ppm／
℃）、静電容量の変化率ΔＣ／Ｃ（ ppm／℃）および絶
縁抵抗（ＩＲ）加速寿命（ｈ）をそれぞれ測定した。
抵抗ρ（Ωcm）、静電容量の温度係数τＣ（ ppm／
℃）、静電容量の変化率ΔＣ／Ｃ（ ppm／℃）および絶
縁抵抗（ＩＲ）加速寿命（ｈ）をそれぞれ測定した。
【００４３】誘電率εは１ KHz、１Vrms、２５℃の条件
で測定した。静電容量の温度係数τＣは、１ MHzで、２
５℃における静電容量Ｃ２５および１２５℃における静
電容量Ｃ１２５から、次式により求めた。
で測定した。静電容量の温度係数τＣは、１ MHzで、２
５℃における静電容量Ｃ２５および１２５℃における静
電容量Ｃ１２５から、次式により求めた。
【００４４】τＣ（ ppm／℃）＝｛（Ｃ１２５−Ｃ２
５）／Ｃ２５｝×｛１／（１２５−２５）｝×１０6 また、比抵抗ρ（Ωcm）は２５℃において、ＤＣ５０Ｖ
を６０秒間印加した後の抵抗値から求めた。静電容量の
変化率ΔＣ／Ｃ（ ppm／℃）は、１ MHz、２５℃の容量
温度係数を基準とし、１００ Hz 、１２５℃の容量値か
ら変化率を求めた。絶縁抵抗（ＩＲ）加速寿命は、２０
０℃にて７０V/μm の直流電界下で加速試験を行ない、
抵抗（ＩＲ）が２×１０5 Ω以下になるまでの時間を寿
命時間とした。また、結晶平均粒径は、誘電体層の研磨
面を化学エッチングもしくは熱エッチングした後、走査
型電子顕微鏡像の画像解析処理により算出した。結果を
表３、表４に示す。
５）／Ｃ２５｝×｛１／（１２５−２５）｝×１０6 また、比抵抗ρ（Ωcm）は２５℃において、ＤＣ５０Ｖ
を６０秒間印加した後の抵抗値から求めた。静電容量の
変化率ΔＣ／Ｃ（ ppm／℃）は、１ MHz、２５℃の容量
温度係数を基準とし、１００ Hz 、１２５℃の容量値か
ら変化率を求めた。絶縁抵抗（ＩＲ）加速寿命は、２０
０℃にて７０V/μm の直流電界下で加速試験を行ない、
抵抗（ＩＲ）が２×１０5 Ω以下になるまでの時間を寿
命時間とした。また、結晶平均粒径は、誘電体層の研磨
面を化学エッチングもしくは熱エッチングした後、走査
型電子顕微鏡像の画像解析処理により算出した。結果を
表３、表４に示す。
【００４５】
【表３】
【００４６】
【表４】
【００４７】表３、表４から本発明の結果が明らかであ
る。すなわち、本発明の誘電体磁器組成物を用いたコン
デンサは、比抵抗が１×１０13Ωcm以上であり、静電容
量の温度係数の周波数依存性が小さく〔１ MHz、の容量
温度係数と、１ MHz、２５℃を基準にしたときの１００
Hz、１２５℃の容量変化率との差が３０（ ppm／℃）
以下〕、絶縁抵抗の加速寿命時間が１２０時間以上（特
に２００時間以上）と長くなっている。
る。すなわち、本発明の誘電体磁器組成物を用いたコン
デンサは、比抵抗が１×１０13Ωcm以上であり、静電容
量の温度係数の周波数依存性が小さく〔１ MHz、の容量
温度係数と、１ MHz、２５℃を基準にしたときの１００
Hz、１２５℃の容量変化率との差が３０（ ppm／℃）
以下〕、絶縁抵抗の加速寿命時間が１２０時間以上（特
に２００時間以上）と長くなっている。
【００４８】＜実施例２＞実施例１で作成した試料No.
１（図中ＳＴＤと表す）と、これに微量添加物として、
ＣｅおよびＴａの酸化物を、ＣｅＯ2およびＴａＯ5/2換
算で、それぞれ０．２ mol％添加した試料を作成し、１
００ Hzにおける２０〜１６０℃の誘電正接を測定し
た。結果のグラフを図１に示す。図１から明らかなよう
に、Ｔａ，Ｃｅの酸化物を添加したものは、試料No. １
（ＳＴＤ）より、高温域での誘電正接の上昇が抑制され
ている。また、他の微量添加物、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗの酸化物
でも同様の効果が得られることが確認された。
１（図中ＳＴＤと表す）と、これに微量添加物として、
ＣｅおよびＴａの酸化物を、ＣｅＯ2およびＴａＯ5/2換
算で、それぞれ０．２ mol％添加した試料を作成し、１
００ Hzにおける２０〜１６０℃の誘電正接を測定し
た。結果のグラフを図１に示す。図１から明らかなよう
に、Ｔａ，Ｃｅの酸化物を添加したものは、試料No. １
（ＳＴＤ）より、高温域での誘電正接の上昇が抑制され
ている。また、他の微量添加物、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗの酸化物
でも同様の効果が得られることが確認された。
【００４９】＜実施例３＞実施例１で作成した試料No.
３０（図中ＳＴＤと表す）と、これに微量添加物とし
て、表５に示すＬｉガラスをＬｉＯ1/2換算で１．０ mo
l％、３．０ mol％、６．０ mol％それぞれ添加した試
料を作成し、１ MHzと１００ Hz における２０〜１６０
℃の誘電正接を測定した。結果のグラフを図２，３にそ
れぞれ示す。図２，３から明らかなように、１ MHzの高
周波ではＬｉイオンの影響は確認できないが、１００ H
z の低周波ではＬｉの添加量が多い程、高温域での誘電
正接の増加が顕著となっている。
３０（図中ＳＴＤと表す）と、これに微量添加物とし
て、表５に示すＬｉガラスをＬｉＯ1/2換算で１．０ mo
l％、３．０ mol％、６．０ mol％それぞれ添加した試
料を作成し、１ MHzと１００ Hz における２０〜１６０
℃の誘電正接を測定した。結果のグラフを図２，３にそ
れぞれ示す。図２，３から明らかなように、１ MHzの高
周波ではＬｉイオンの影響は確認できないが、１００ H
z の低周波ではＬｉの添加量が多い程、高温域での誘電
正接の増加が顕著となっている。
【００５０】
【表５】
【００５１】＜実施例４＞実施例１で用いた試料の中
で、結晶粒径の影響を調べるため、試料No. ５，７，８
についてそれぞれ焼成温度を変えて焼成した。すなわ
ち、試料No.５，８は１２６０℃と１３００℃で、試料N
o. ７はこれに加えて１２２０℃でそれぞれ焼成し、結
晶粒径の異なる試料を作成し、実施例１と同様にして評
価した。結果を表６に示す。
で、結晶粒径の影響を調べるため、試料No. ５，７，８
についてそれぞれ焼成温度を変えて焼成した。すなわ
ち、試料No.５，８は１２６０℃と１３００℃で、試料N
o. ７はこれに加えて１２２０℃でそれぞれ焼成し、結
晶粒径の異なる試料を作成し、実施例１と同様にして評
価した。結果を表６に示す。
【００５２】
【表６】
【００５３】表６から明らかなように、結晶粒径が３μ
m を超えたものはＩＲ加速寿命が低下していることがわ
かる。
m を超えたものはＩＲ加速寿命が低下していることがわ
かる。
【００５４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ｎｉ等の
卑金属を内部電極とする積層磁器コンデンサーに用いた
場合、１３００℃以下で焼結し、容量温度係数が小さ
く、かつ−１５０〜＋１５０ ppm／℃の範囲で任意に制
御可能で、２５℃での比抵抗が１×１０13Ωcm以上で、
比誘電率、誘電正接（ tanδ）の周波数依存性が少な
く、絶縁抵抗の加速寿命時間の長い非還元性磁器材料を
実現できる。
卑金属を内部電極とする積層磁器コンデンサーに用いた
場合、１３００℃以下で焼結し、容量温度係数が小さ
く、かつ−１５０〜＋１５０ ppm／℃の範囲で任意に制
御可能で、２５℃での比抵抗が１×１０13Ωcm以上で、
比誘電率、誘電正接（ tanδ）の周波数依存性が少な
く、絶縁抵抗の加速寿命時間の長い非還元性磁器材料を
実現できる。
【図１】微量添加物と１００Hzにおける誘電正接の温度
変化の関係を示したグラフである。
変化の関係を示したグラフである。
【図２】１ MHzにおけるＬｉ添加の影響を表したグラフ
である。
である。
【図３】１００ Hz におけるＬｉ添加の影響を表したグ
ラフである。
ラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 武史 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 主組成を〔（ＣａXＳｒ1-X）Ｏ〕
m〔（ＴｉYＺｒ1-Y）Ｏ2〕と表したとき、Ｘ，Ｙおよび
ｍの値がそれぞれ、 ０≦Ｘ≦１、 ０≦Ｙ≦０．１０、 ０．７５≦ｍ≦１．０４、 の範囲にある主成分と、 この主成分に対し副成分としてＭｎ酸化物をＭｎＯに換
算して０．２〜５ mol％、Ａｌ酸化物をＡｌ2Ｏ3に換算
して０．１〜１０ mol％、および〔（ＢａZＣａ1-Z）
Ｏ〕VＳｉＯ2で表され、Ｚ，Ｖがそれぞれ、 ０≦Ｚ≦１、 ０．５≦Ｖ≦４．０、 の範囲の成分を０．５〜１５ mol％含有する非還元性誘
電体磁器材料。 - 【請求項２】 さらに、ＳｃおよびＹを含む希土類元素
（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，
Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮ
ｂ，Ｍｏ，ＴａおよびＷの１種または２種以上を０．０
２〜１．５ mol％含有する請求項１の非還元性誘電体磁
器材料。 - 【請求項３】 焼成温度が１３００℃以下である請求項
１または２の非還元性誘電体磁器材料。 - 【請求項４】 結晶平均粒径が３μm 以下である請求項
１〜３のいずれかの非還元性誘電体磁器材料。 - 【請求項５】 誘電体として請求項１〜４のいずれかの
非還元性誘電体磁器材料を有する積層磁器コンデンサ。 - 【請求項６】 １ MHzで、２５℃における静電容量Ｃ２
５および１２５℃における静電容量Ｃ１２５から、 τＣ（ ppm／℃）＝｛（Ｃ１２５−Ｃ２５）／Ｃ２５｝
×｛１／（１２５−２５）｝×１０6 で求められる静電容量の温度係数τＣと、 １ MHz、２５℃の容量温度係数を基準とし、１００ Hz
、１２５℃の容量値の変化率から求められる静電容量
の変化率ΔＣ／Ｃ（ ppm／℃）との差が±３０以内であ
る請求項５の積層磁器コンデンサ。 - 【請求項７】 ２００℃,７０V/μm の直流電界下に
て、絶縁抵抗（ＩＲ）が２×１０5 Ω以下になるまでの
加速寿命時間が１００時間以上である請求項５または６
の積層磁器コンデンサ。 - 【請求項８】 少なくともニッケルを含有する内部導体
を有する請求項５〜７のいずれかの積層磁器コンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10090751A JP2997236B2 (ja) | 1997-03-31 | 1998-03-19 | 非還元性誘電体磁器材料 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-96733 | 1997-03-31 | ||
| JP9673397 | 1997-03-31 | ||
| JP10090751A JP2997236B2 (ja) | 1997-03-31 | 1998-03-19 | 非還元性誘電体磁器材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335169A true JPH10335169A (ja) | 1998-12-18 |
| JP2997236B2 JP2997236B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=26432187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10090751A Expired - Lifetime JP2997236B2 (ja) | 1997-03-31 | 1998-03-19 | 非還元性誘電体磁器材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2997236B2 (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6396681B2 (en) | 2000-04-07 | 2002-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreducing dielectric ceramic and monolithic ceramic capacitor using the same |
| JP2002338333A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Tdk Corp | 焼結助剤 |
| US6617273B2 (en) | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reducing dielectric ceramic, monolithic ceramic capacitor using the same, and method for making non-reducing dielectric ceramic |
| US6656863B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| KR100415559B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| US6790801B2 (en) | 2001-12-27 | 2004-09-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nonreducible dielectric ceramic composition |
| US6858554B2 (en) | 2001-12-27 | 2005-02-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nonreducible dielectric ceramic composition |
| JP2005213126A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐還元性誘電体組成物及びそれを用いたセラミック電子部品 |
| JPWO2004063119A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2006-05-18 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物、電子部品およびこれらの製造方法 |
| JP2006327840A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Tdk Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| US7276130B2 (en) | 2001-04-12 | 2007-10-02 | Tdk Corporation | Production method of multilayer ceramic electronic device |
| CN102354599A (zh) * | 2011-06-30 | 2012-02-15 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种温度补偿型片式多层陶瓷电容器的制备方法 |
| WO2012046554A1 (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| US8472161B2 (en) | 2010-03-17 | 2013-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and temperature compensation laminated capacitor |
| US8595350B2 (en) | 1999-06-28 | 2013-11-26 | Sony Corporation | User information processing unit, user information processing system, terminal unit, apparatus and method for providing information |
| US9202628B2 (en) | 2012-08-09 | 2015-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic capacitor |
| US9257233B2 (en) | 2011-01-21 | 2016-02-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing laminated ceramic capacitor |
| JP2018002500A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物及び電子部品 |
| US10186379B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-01-22 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| US10650968B2 (en) | 2017-12-20 | 2020-05-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| US11158457B2 (en) * | 2018-10-23 | 2021-10-26 | Murata Manufacturing Company, Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor |
| US12051545B2 (en) | 2021-08-02 | 2024-07-30 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device including dielectric layer containing perovskite compound with yttria-stabilized zirconia, and manufacturing method of same |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW492017B (en) | 2000-06-29 | 2002-06-21 | Tdk Corp | Dielectrics porcelain composition and electronic parts |
| JP2002338343A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法 |
| JP4403705B2 (ja) | 2003-02-17 | 2010-01-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JP3908723B2 (ja) | 2003-11-28 | 2007-04-25 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP10090751A patent/JP2997236B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8595350B2 (en) | 1999-06-28 | 2013-11-26 | Sony Corporation | User information processing unit, user information processing system, terminal unit, apparatus and method for providing information |
| US6656863B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| KR100415559B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| US6617273B2 (en) | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reducing dielectric ceramic, monolithic ceramic capacitor using the same, and method for making non-reducing dielectric ceramic |
| US6396681B2 (en) | 2000-04-07 | 2002-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreducing dielectric ceramic and monolithic ceramic capacitor using the same |
| US7276130B2 (en) | 2001-04-12 | 2007-10-02 | Tdk Corporation | Production method of multilayer ceramic electronic device |
| US7578896B2 (en) | 2001-04-12 | 2009-08-25 | Tdk Corporation | Production method of multilayer ceramic electronic device |
| JP2002338333A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Tdk Corp | 焼結助剤 |
| US6790801B2 (en) | 2001-12-27 | 2004-09-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nonreducible dielectric ceramic composition |
| US6858554B2 (en) | 2001-12-27 | 2005-02-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nonreducible dielectric ceramic composition |
| JP4548118B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2010-09-22 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物、電子部品およびこれらの製造方法 |
| JPWO2004063119A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2006-05-18 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物、電子部品およびこれらの製造方法 |
| JP4674438B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2011-04-20 | パナソニック株式会社 | セラミック電子部品 |
| JP2005213126A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐還元性誘電体組成物及びそれを用いたセラミック電子部品 |
| JP2006327840A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Tdk Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| US8472161B2 (en) | 2010-03-17 | 2013-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and temperature compensation laminated capacitor |
| KR101469128B1 (ko) * | 2010-03-17 | 2014-12-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 자기 조성물 및 온도 보상용 적층 콘덴서 |
| WO2012046554A1 (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| US9613756B2 (en) | 2011-01-21 | 2017-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic capacitor |
| US9257233B2 (en) | 2011-01-21 | 2016-02-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing laminated ceramic capacitor |
| CN102354599A (zh) * | 2011-06-30 | 2012-02-15 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种温度补偿型片式多层陶瓷电容器的制备方法 |
| US9202628B2 (en) | 2012-08-09 | 2015-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic capacitor |
| JP2018002500A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物及び電子部品 |
| US10186379B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-01-22 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| US10650968B2 (en) | 2017-12-20 | 2020-05-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| US11158457B2 (en) * | 2018-10-23 | 2021-10-26 | Murata Manufacturing Company, Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor |
| US12051545B2 (en) | 2021-08-02 | 2024-07-30 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device including dielectric layer containing perovskite compound with yttria-stabilized zirconia, and manufacturing method of same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2997236B2 (ja) | 2000-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2997236B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器材料 | |
| US5335139A (en) | Multilayer ceramic chip capacitor | |
| JP4821357B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| US6118648A (en) | Non-reducing dielectric ceramic materials | |
| EP1736456B1 (en) | Laminated ceramic capacitor | |
| EP1767507B1 (en) | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic capacitor | |
| JP3878778B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP3326513B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサ | |
| JP5017792B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| EP1683769A2 (en) | Electronic device, dielectric ceramic composition and the production method | |
| US6764976B2 (en) | Dielectric ceramic composition and electronic device | |
| JP2001345230A (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサとその製造方法 | |
| JP2001143955A (ja) | 誘電体セラミック組成物、および積層セラミックコンデンサ | |
| JP2762427B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサ | |
| JP4548118B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、電子部品およびこれらの製造方法 | |
| JP4576807B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP4511323B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 | |
| JP2784982B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサ | |
| JP3130214B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサ | |
| JP2975459B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサ | |
| JP2005263508A (ja) | 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2002080279A (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法 | |
| JP2002274938A (ja) | 誘電体磁器組成物、電子部品および電子部品の製造方法 | |
| JP2005272262A (ja) | 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3411848B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法と検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990928 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071029 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101029 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111029 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121029 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121029 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |