JPH10330332A - ラセミ1−アリールアルキルアミン類の製造法 - Google Patents
ラセミ1−アリールアルキルアミン類の製造法Info
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- JPH10330332A JPH10330332A JP7764898A JP7764898A JPH10330332A JP H10330332 A JPH10330332 A JP H10330332A JP 7764898 A JP7764898 A JP 7764898A JP 7764898 A JP7764898 A JP 7764898A JP H10330332 A JPH10330332 A JP H10330332A
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Abstract
ミ化によるラセミ1−アリールアルキルアミン類の工業
的な製造法を提供すること。 【解決手段】一般式(1) (式中、Rは低級アルキル基を示し、Arは低級アルキ
ル基または低級アルコキシ基で置換されていてもよいア
リール基を示す。*印は不斉炭素原子であることを示
す。)で示される光学活性1−アリールアルキルアミン
類にアルカリ金属ビス(トリメチルシリル)アミドを作
用させることを特徴とするラセミ1−アリールアルキル
アミン類の製造法。
Description
ールアルキルアミン類のラセミ化によるラセミ1−アリ
ールアルキルアミン類の製造法に関する。
炭素を有する化合物において、一方の光学活性体が他方
の光学活性体に比べて高活性を示す場合は多く、特に医
農薬等においては、このような高活性な一方の光学活性
体が使用されることが多い。このような光学活性体は、
通常そのラセミ体を光学分割して製造され、有用な一方
の光学活性体を分離した残りの他方の光学活性体は、ラ
セミ化されて再利用される。
ミン類は、医薬の中間体や光学活性カルボン酸の光学分
割剤として有用な化合物であることが知られており(特
表平7−506380号公報、WO95/32948号
公報、特開昭56−26848号公報等)、その代表的
な化合物である1−(3−メトキシフェニル)エチルア
ミンの光学活性体は、そのラセミ体を光学活性マンデル
酸で光学分割する方法(Bull.Chem.Soc.
Jpn.,66,3414(1993))により製造す
ることが知られている。この場合にも上記したように、
有用な一方の光学活性体を分離した残りの対掌体をラセ
ミ化して再利用することが工業上の大きな課題となって
いる。
セミ1−アリールアルキルアミン類の製造方法として
は、例えば光学活性1−アリールアルキルアミン類に、
ナトリウムナフタレンを作用させる方法(特公昭57−
35700号公報)、ナトリウムアミドまたは水素化ナ
トリウムを作用させる方法(特公昭57−61020号
公報)、アルミナ坦持のナトリウムを作用させる方法
(特公昭57−35701号公報)、ジメチルスルホキ
シド中でアルカリ金属アルコキシドを作用させる方法
(特開平4−275258号公報)等が知られている。
い、収率が低い、触媒の調製方法が特殊であり特殊な設
備を要する、高価な溶媒であるジメチルスルホキシドを
大量に用いる必要がある等工業的に実施するには必ずし
も十分なものとは言い難いものであった。また光学活性
α−(アルコキシ置換フェニル)アルキルアミンにこれ
らのラセミ化方法を適用した場合、ラセミ化反応は全く
進行しないか、進行する場合であっても多量の触媒を必
要とし、必ずしも満足する収率とは言い難いものであっ
た。
ン類をアリールアルデヒド類と反応させ、一度アリール
アルデヒド類とのシッフ塩基に導いた後、強塩基を作用
させることによるラセミ−1−アリールアルキルアミン
類の製造方法(特開平8−27073号公報)も提案さ
れているが、この方法は工程が多く、ラセミ1−アリー
ルアルキルアミン類の工業的製造法としては必ずしも有
利な方法とは言い難いものであった。
明者は光学活性1−アリールアルキルアミン類のラセミ
化反応について鋭意検討を重ねた結果、光学活性1−ア
リールアルキルアミン類にアルカリ金属ビス(トリメチ
ルシリル)アミドを作用させることにより非常に効率よ
くラセミ化反応が進行することを見出し本発明を完成し
た。
ル基または低級アルコキシ基で置換されていてもよいア
リール基を示す。*印は不斉炭素原子であることを示
す。)で示される光学活性1−アリールアルキルアミン
類にアルカリ金属ビス(トリメチルシリル)アミドを作
用させることを特徴とする一般式(2) (式中、RおよびArは、前記と同じ意味を表わす。)
で示されるラセミ1−アリールアルキルアミン類の製造
法を提供するものである。
発明で光学活性1−アリールアルキルアミン類(1)に
アルカリ金属ビス(トリメチルシリル)アミドを作用さ
せるとは、光学活性1−アリールアルキルアミン類
(1)とアルカリ金属ビス(トリメチルシリル)アミド
が接触すればよく、その手段・方法は特に限定されるも
のではなく、例えば両者を混合する方法等が挙げられ
る。両者を混合する方法において必ずしも攪拌は必要で
はないが、反応速度の観点からは攪拌する方が好まし
い。
る光学活性1−アリールアルキルアミン類において、R
としては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピ
ル等の低級アルキル基を挙げることができる。
基等またはこれらの芳香環にメチル、エチル、n−プロ
ピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec
−ブチル等の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、n
−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、イソブ
トキシ、sec−ブトキシ等の低級アルコキシ基が置換
したものを挙げることができる。
ン類(1)の具体例としては、1−フェニルエチルアミ
ン、α−(1−ナフチル)エチルアミン、α−(2−ナ
フチル)エチルアミン、1−フェニルプロピルアミン、
1−(2−メトキシフェニル)エチルアミン、1−(3
−メトキシフェニル)エチルアミン、1−(4−メトキ
シフェニル)エチルアミン、1−(2,3−ジメトキシ
フェニル)エチルアミン、1−(2,4−ジメトキシフ
ェニル)エチルアミン、1−(2,5−ジメトキシフェ
ニル)エチルアミン、1−(2,6−ジメトキシフェニ
ル)エチルアミン、1−(3,4−ジメトキシフェニ
ル)エチルアミン、1−(3,5−ジメトキシフェニ
ル)エチルアミン、1−(2,3,4−トリメトキシフ
ェニル)エチルアミン、1−(3,4,5−トリメトキ
シフェニル)エチルアミン、1−(2,3,5−トリメ
トキシフェニル)エチルアミン、1−(2−メチルフェ
ニル)エチルアミン、1−(3−メチルフェニル)エチ
ルアミン、1−(4−メチルフェニル)エチルアミン、
1−(4−メチルフェニル)ブチルアミン等が挙げられ
る。
ン類(1)はR体、S体およびこれらの一方が過剰であ
る混合物のいずれでも本発明のラセミ化反応に用いるこ
とができる。かかる光学活性1−アリールアルキルアミ
ン類(1)はそのまま用いても良いし、溶媒に溶解して
溶液として用いてもよい。溶媒としては反応を阻害しな
いものなら特に限定されず用いることができ、例えばト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、テトラヒ
ドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘ
キサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒等が好まし
く用いられる。
リメチルシリル)アミドとしては、カリウムビス(トリ
メチルシリル)アミド、ナトリウムビス(トリメチルシ
リル)アミド、リチウムビス(トリメチルシリル)アミ
ド等が挙げられ、好ましくはカリウムビス(トリメチル
シリル)アミド、ナトリウムビス(トリメチルシリル)
アミドが用いられる。その使用量は、光学活性1−アリ
ールアルキルアミン類に対して、通常1/1000〜1
/2モル倍、好ましくは1/500〜1/5モル倍であ
る。かかるアルカリ金属ビス(トリメチルシリル)アミ
ドは通常前述した溶媒に溶かして溶液として用いられ
る。またアルカリ金属ビス(トリメチルシリル)アミド
は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法に準じて
調製したものを用いてもよい。
属ビス(トリメチルシリル)アミドの種類、量等により
異なるが、反応温度は通常、常温〜200℃、好ましく
は50〜150℃である。反応時間については、反応マ
スの一部を採取し、旋光度を測定するか高速液体クロマ
トグラフィーにより分析する等の方法により反応の進行
を追跡して、適宜決めることができる。
ルカリ金属ビス(トリメチルシリル)アミドを分解した
後、水層を分液して得られる油層について、例えば、軽
沸分を留去して留去残分を得る方法;蒸留する方法;カ
ラムクロマトグラフィー等で精製する方法;塩酸等の酸
を加えて、ラセミ1−アリールアルキルアミン類を塩と
した後、分液、濾過等の手段により該塩を取り出し、該
塩をアルカリ処理する方法等の操作を施すことによりラ
セミ1−アリールアルキルアミン類(2)を単離するこ
とができる。なお、目的生成物であるラセミ1−アリー
ルアルキルアミン類(2)の水層へのロスを抑える観点
から、水の代わりに食塩水を加えてアルカリ金属ビス
(トリメチルシリル)アミドを分解してもよいし、トル
エン、ヘプタン、ジエチルエーテル等の溶媒を添加して
分解処理してもよい。
アルキルアミン類を工業的に有利に1−アリールアルキ
ルアミン類のラセミ体に変換することができる。
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。尚、光学異性体比(S体/R体)はいずれも光学活
性カラムを用いる高速液体クロマトグラフ分析により求
めた。
フェニル)エチルアミン(S体/R体=99.8/0.
2)60.4gにカリウムビス(トリメチルシリル)ア
ミドのトルエン溶液(濃度0.5M)8mlを室温で加
え、100℃まで昇温後、同温度で30分間攪拌・保温
した。室温まで冷却後、反応マスにトルエン100gを
加えた後、飽和食塩水20gで洗浄処理した。洗浄処理
後のマスから軽沸分を減圧下に留去して、1−(3−メ
トキシフェニル)エチルアミン60.0gを得た。光学
異性体比はS体/R体=51.6/48.4であった。
アミン(S体/R体=99/1)12.1gにカリウム
ビス(トリメチルシリル)アミドのトルエン溶液(濃度
0.5M)6mlを室温で加え、100℃まで昇温後、
同温度で4時間攪拌・保温した。室温まで冷却後、反応
マスにトルエン100gを加えた後、飽和食塩水20g
で洗浄処理した。洗浄処理後のマスから軽沸分を減圧下
に留去して、1−フェニルエチルアミン12.0gを得
た。光学異性体比はS体/R体=52.7/47.3で
あった。
ルアミン(S体/R体=0.2/99.8)13.5g
にカリウムビス(トリメチルシリル)アミドのトルエン
溶液(濃度0.5M)40mlを室温で加え、100℃
まで昇温後、同温度で10時間攪拌・保温した。室温ま
で冷却後、反応マスにトルエン50gを加えた後、飽和
食塩水20gで洗浄処理した。洗浄処理後のマスから軽
沸分を減圧下に留去して、1−フェニルプロピルアミン
12.1gを得た。光学異性体比はS体/R体=55.
0/45.0であった。
ル)エチルアミン(S体/R体=0.4/99.6)
0.5gにカリウムビス(トリメチルシリル)アミドの
トルエン溶液(濃度0.5M)0.3mlを室温で加
え、100℃まで昇温後、同温度で3時間攪拌・保温し
た。室温まで冷却後、反応マスにトルエン5mlを加え
た後、飽和食塩水1gで洗浄処理した。洗浄処理後のマ
スから軽沸分を減圧下に留去して、α−(1−ナフチ
ル)エチルアミン0.5gを得た。光学異性体比はS体
/R体=35.0/65.0であった。
Claims (2)
- 【請求項1】一般式(1) (式中、Rは低級アルキル基を示し、Arは低級アルキ
ル基または低級アルコキシ基で置換されていてもよいア
リール基を示す。*印は不斉炭素原子であることを示
す。)で示される光学活性1−アリールアルキルアミン
類にアルカリ金属ビス(トリメチルシリル)アミドを作
用させることを特徴とする一般式(2) (式中、RおよびArは前記と同じ意味を表わす。)で
示されるラセミ1−アリールアルキルアミン類の製造
法。 - 【請求項2】アルカリ金属ビス(トリメチルシリル)ア
ミドが、カリウムビス(トリメチルシリル)アミドもし
くはナトリウムビス(トリメチルシリル)アミドである
請求項1に記載のラセミ1−アリールアルキルアミン類
の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7764898A JP4200540B2 (ja) | 1997-04-02 | 1998-03-25 | ラセミ1−アリールアルキルアミン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8355797 | 1997-04-02 | ||
JP9-83557 | 1997-04-02 | ||
JP7764898A JP4200540B2 (ja) | 1997-04-02 | 1998-03-25 | ラセミ1−アリールアルキルアミン類の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10330332A true JPH10330332A (ja) | 1998-12-15 |
JP4200540B2 JP4200540B2 (ja) | 2008-12-24 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7764898A Expired - Fee Related JP4200540B2 (ja) | 1997-04-02 | 1998-03-25 | ラセミ1−アリールアルキルアミン類の製造法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4200540B2 (ja) |
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1998
- 1998-03-25 JP JP7764898A patent/JP4200540B2/ja not_active Expired - Fee Related
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