JPH10325941A - 半導体レーザ光源および固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ光源および固体レーザ装置Info
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- JPH10325941A JPH10325941A JP7098198A JP7098198A JPH10325941A JP H10325941 A JPH10325941 A JP H10325941A JP 7098198 A JP7098198 A JP 7098198A JP 7098198 A JP7098198 A JP 7098198A JP H10325941 A JPH10325941 A JP H10325941A
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Abstract
への結合効率を格段に向上できる半導体レーザ光源およ
び固体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ光源9は、偏光面が互いに
平行で、直交2方向の拡がり角θz、θxがθz>θx
を満たすレーザ光LA、LBを出射する半導体レーザア
レイ2と、半導体レーザアレイ2から出射されるレーザ
光LA、LBを拡がり角θzが減少する方向に集光する
シリンドリカルレンズ4と、シリンドリカルレンズ4を
通過したレーザ光LA、LBの偏光面が互いに90度と
なるように偏光方向を制御する波長板4と、波長板4を
通過したレーザ光LA、LBの光路を複屈折効果によっ
て合流させる複屈折光学素子6と、複屈折光学素子6で
合流したレーザ光LA、LBを拡がり角θxが減少する
方向に集光する光出射面7などで構成される。
Description
合成するように構成された半導体レーザ光源およびこれ
を用いた固体レーザ装置に関する。
ザ等と比べて小型で信頼性が高く、メンテナンスも容易
である点で、光通信や光ディスク装置等で広く使用され
ているが、レーザ溶接やレーザメス等の大出力レーザ光
を必要とする分野では開発途上の段階である。1つの半
導体レーザから得られる光出力は、CW(Constant Wav
e)動作で数mWから数百mW程度が限度であり、上記分
野への応用はかなり難しい。こうした対策として、複数
の半導体レーザからのレーザ光を1つに合成することに
よって、レーザ光の大出力化を狙う研究が行われてい
る。
が大きいため、光学素子の形状や配置に高い精度が要求
され、複数のレーザ光を1つに合成することはかなり技
術的に困難であるが、たとえば1本の光ファイバに複数
のレーザ光を合流させることが実現できければ、応用分
野も拡大する。
公報には、2つの半導体レーザからの光を1本の光ファ
イバに入射させるために、一方のレーザ光の偏光面を9
0°回転させた後、複屈折効果によって2つのレーザ光
を合流させる光学系を使用しており、1つが故障したと
き残りが動作を継続することによって、多重化による信
頼性向上を目的とした光通信用の半導体レーザ二重化モ
ジュールが開示されている。
60−76707号公報の構成では、拡がり角の大きい
半導体レーザを使用した場合、複屈折素子への入射角度
が光軸近傍の光と外側に拡がった光とで大きく相違する
ため、複屈折効果がばらついてレーザ光の合流が困難に
なる。さらに、入射角度が大きく変化することによって
レーザ光の波面も乱れてしまうため、小さなコア径を有
する光ファイバへの集光が難しくなる。
体レーザでは拡がり角があまり大きくないため、上記の
ような問題点は生じないが、高出力・高輝度を重視した
加工用半導体レーザでは一般に拡がり角が大きいため、
上記のような問題点が浮上してくる。
せる光学素子と光ファイバに結合させる光学素子とを別
個に設けているため、光の通過損失も増加するととも
に、全体構成が大型で複雑になり、信頼性や生産性が低
くなる。
および後段の光学系への結合効率を格段に向上できる半
導体レーザ光源を提供することである。
効率および後段の光学系への結合効率の向上によって、
励起光の大出力化が可能な固体レーザ装置を提供するこ
とである。
に平行で、直交2方向の拡がり角θa、θbがθa>θ
bを満たすレーザ光を出射する第1および第2半導体レ
ーザと、第1および第2半導体レーザから出射されるレ
ーザ光を拡がり角θaが減少する方向に集光するシリン
ドリカル光学素子と、シリンドリカル光学素子を通過し
た各レーザ光の偏光面が互いに90度となるように偏光
方向を制御する偏光回転素子と、偏光回転素子を通過し
た各レーザ光の光路を複屈折効果によって合流させる複
屈折光学素子と、複屈折光学素子で合流したレーザ光を
拡がり角θbが減少する方向に集光する集光性光学素子
とを備えることを特徴とする半導体レーザ光源である。
ーザの後にシリンドリカル光学素子を配置し、レーザ光
を拡がり角θaが減少する方向に集光することによっ
て、光利用効率が向上するとともに、後段に配置された
複屈折光学素子への入射角度変化を小さくできる。その
ためレーザ光の複屈折効果のばらつきが減少して、レー
ザ光同士の合流効率も向上する。
を拡がり角θbが減少する方向に集光する集光性光学素
子、たとえばシリンドリカルレンズや球面レンズなどを
設けることによって、光利用効率が向上するとともに、
シリンドリカル光学素子および集光性光学素子が2つの
拡がり角θa、θbを別個に制御することになるため、
円形で小さい集光スポットを実現できる。その結果、た
とえば光ファイバ等の後段の光学系との結合効率を格段
に向上できる。
ザがそれぞれ横マルチモードで発振することを特徴とす
る。
レーザは単体でも大出力のものが得られるため、レーザ
光の出力向上に資する。
ザが、単一のチップに複数の発光領域が形成された横マ
ルチモードの半導体レーザアレイであることを特徴とす
る。
半導体レーザアレイを用いることによって、各発光領域
での発光特性、たとえば拡がり角、偏光比、発振波長、
出力などがほぼ均一になるため、合流後のレーザ光の特
性を均質にできる。また、横マルチモードの半導体レー
ザアレイは単体でも大出力のものが得られるため、レー
ザ光の出力向上に資する。
屈折光学素子の光出射面に一体形成された曲面で構成さ
れることを特徴とする。
光学素子とを一体的に形成することによって、個別配置
と比べて界面反射ロスが少なくなるとともに、組立調整
が簡単になり、信頼性や生産性が向上する。
集光位置と集光性光学素子の集光位置とが一致し、該集
光位置に光ファイバの入射端面が配置されることを特徴
とする。
を小さく形成できるため、光ファイバとの結合効率が格
段に向上する。
ファイバが束ねられて構成され、各光ファイバの入射端
面には前記半導体レーザアレイの発光領域のうち2つの
発光領域からのレーザ光が合流して入射するように配置
された光ファイババンドルであることを特徴とする。
射端面が一定面積を有する面状光源として構成されるた
め、大出力・高輝度の光源を実現でき、光励起型固体レ
ーザの励起光源やその他の加工や照明、表示などの用途
に有用である。
交2方向の拡がり角θa、θbがθa>θbを満たすレ
ーザ光を出射する第1および第2半導体レーザと、第1
および第2半導体レーザから出射されるレーザ光を拡が
り角θaが減少する方向に集光するシリンドリカル光学
素子と、シリンドリカル光学素子を通過した各レーザ光
の偏光面が互いに90度となるように偏光方向を制御す
る偏光回転素子と、偏光回転素子を通過した各レーザ光
の光路を複屈折効果によって合流させる複屈折光学素子
と、複屈折光学素子で合流したレーザ光を拡がり角θb
が減少する方向に集光する集光性光学素子と、合流した
レーザ光で光励起され、レーザ発振を行う固体レーザ媒
質とを備えることを特徴とする固体レーザ装置である。
ーザの後にシリンドリカル光学素子を配置し、レーザ光
を拡がり角θaが減少する方向に集光することによっ
て、光利用効率が向上するとともに、後段に配置された
複屈折光学素子への入射角度変化を小さくできる。その
ためレーザ光の複屈折効果のばらつきが減少して、レー
ザ光同士の合流効率も向上する。
を拡がり角θbが減少する方向に集光する集光性光学素
子、たとえばシリンドリカルレンズや球面レンズなどを
設けることによって、光利用効率が向上するとともに、
シリンドリカル光学素子および集光性光学素子が2つの
拡がり角θa、θbを個別に制御することによって、円
形で小さい集光スポットを実現できる。その結果、後段
の光学系との結合効率を格段に向上できる。
ーザ媒質の励起光として使用することによって、固体レ
ーザ媒質のレーザ出力が格段に増加する。
の光入出力面が互いに平行な母線を有する曲面や平面で
形成され、母線と垂直な方向に集光力を有し、母線と平
行な方向に集光力を持たない素子を意味し、たとえば一
方が円筒状で他方が平面状に形成されたレンズ(いわゆ
るかまぼこ型レンズ)や母線に垂直な断面が円形である
円柱レンズなどが例示できる。
ンドリカル光学素子として円柱レンズが好ましい。円柱
レンズはかまぼこ型レンズより屈折力が大きいため、半
導体レーザアレイの発光部の間隔を小さくし、複屈折光
学素子のレーザ光伝播方向の長さを短くすることが可能
になり、それにより光ファイバのNA(開口数)を大き
くしなくても光ファイバまでの距離を短くすることがで
きる。この効果をより引き出すために円柱レンズの直径
の上限は1mmが好ましく、さらに500μmがより好
ましい。直径の下限は半導体レーザの発散角とその距離
にもよるが、調整のしやすさを考慮すると10μmが好
ましく、30μmがより好ましい。
部の屈折率より小さくなるような屈折率分布を有する円
柱レンズがより好ましい。こうした屈折率分布型円柱レ
ンズを使用することによって、球面収差を補正できるた
め、第1および第2半導体レーザから出射した2つのレ
ーザビームがそれぞれコリメートされて重なり合う複屈
折光学素子の面での波面の乱れが小さく、また複屈折効
果のばらつきも少なくなり、その結果、ビームは小さい
スポットに良好に集光される。このような屈折率分布型
円柱レンズとして、たとえばカナダDoric Lenses社製の
ドリックレンズが使用できる。
成を示し、図1(a)は平面図、図1(b)は部分正面
図、図1(c)は光出射側の端面形状を示す図である。
半導体レーザ光源9は、複数の発光領域3を有する半導
体レーザアレイ2と、発光領域3からのレーザ光LA、
LBをZ方向に集光するシリンドリカルレンズ4と、シ
リンドリカルレンズ4を通過したレーザ光LA、LBの
偏光面が互いに90度となるように偏光方向を制御する
偏光回転素子である波長板5と、波長板5を通過したレ
ーザ光LA、LBの光路を複屈折効果によって合流させ
る複屈折光学素子6と、複屈折光学素子6を通過するレ
ーザ光LA、LBをX方向に集光するためにシリンドリ
カル面状に形成された光出射面7と、シリンドリカルレ
ンズ4および光出射面7の集光位置に設けられた複数の
光ファイバ10などで構成される。
6での各光学素子は同一の基板上に固定され、光源モジ
ュール1として構成される。
複数の発光領域3がストライプ幅50μm、ストライプ
間隔500μm、共振器長1mmで形成されたもので、
1つの発光領域が1つの独立した半導体レーザとして機
能し、横マルチモード発振でそれぞれ出力1W程度とい
う大出力のレーザ光を発生する。こうした半導体レーザ
アレイ2を用いることによって、各発光領域3での発光
特性、たとえば拡がり角、偏光比、発振波長、出力など
がほぼ均一になるため、合流後のレーザ光の特性を均質
にできる。
XY面と平行に形成された活性層に対して垂直なZ方向
に拡がり角が大きい楕円状の強度分布を示し、たとえば
Z方向の拡がり角θz=34°、X方向の拡がり角θx
=10°である。また、発光領域3から出射した直後の
レーザ光LA、LBはほぼ直線偏光であり、その偏光面
は活性層と平行になる。
な母線を有するシリンドリカル面に形成された光入射面
と、平面状の光出射面とを有し、発光領域3からのレー
ザ光LA、LBをZ方向にのみ集光し、X方向には集光
しない。こうしたシリンドリカルレンズ4を半導体レー
ザアレイ2の後に配置することによって、光利用効率が
向上するとともに、後段の複屈折光学素子6への入射角
度変化を小さくできるため、複屈折効果のばらつきが減
少し、レーザ光同士の合流効率が向上する。
光入射面の曲率半径500μm、開口数(NA)0.
4、中心厚さ0.5mmの溶融クォーツから成るシリン
ドリカルレンズ4が使用できる。
率が相違する1軸性結晶または2軸性結晶で形成され、
かつレーザ光LAが通過する部分5aとレーザ光LBが
通過する部分5bとで厚さが異なるように光出射面が段
差状に形成される。こうした形状によって光学距離の相
違に起因する光の位相差が生じ、隣合ったレーザ光L
A、LB同士の偏光面の回転角度が90°となるように
調整している。
e=1.5380、常光屈折率no=1.5470の溶
融クォーツで形成し、部分5aの厚さが0.5mmで、
部分5bでは厚さ0.5mmに対して45μmの凹みを
形成することによって、部分5aは偏光面をそのまま保
持するとともに、部分5bは2分の1波長板として機能
し、偏光面を90°回転させる。したがって、部分5a
を通過するレーザ光LAの偏光面はX方向と平行なまま
であり、一方、部分5bを通過するレーザ光LBの偏光
面はZ方向と平行になり、両者の偏光面は互いに垂直に
なる。なお、各部分5a、5bの厚さを調整することに
よって、レーザ光LAの偏光面を90°回転させ、レー
ザ光LBの偏光面をそのまま保持するような波長板も使
用可能であり、あるいは一方の偏光面を+45°に回転
させ、他方を−45°に回転させるように構成すること
も可能である。
とえばc軸に対して45°の方向に切り出されたYVO
4 結晶(異常光屈折率ne=2.20、常光屈折率no
=2.0)で形成され、複屈折効果によってレーザ光L
Aは常光線としてY方向と平行に直進し、レーザ光LB
は異常光線としてXY面内でY方向に対して約5.8°
のビームウォークオフが生じて斜めに進行する。また、
複屈折光学素子6内でのレーザ光LA、LBはともに約
2.5°の拡がり角となる。
ーザ光LA、LBは、レーザ光LBの斜め進行によって
光路が交差することになり、この交差位置と光出射面と
が一致するように複屈折光学素子6の長さを調整する。
ここでは長さ5mmに設定している。
し、たとえば曲率半径5mmのシリンドリカル面状に形
成することによって、シリンドリカルレンズと同等な機
能を付与しており、レーザ光LA、LBをX方向にのみ
集光し、Z方向に集光しない。この光出射面7では、レ
ーザ光LBは約5.8°のビームウォークオフが解消さ
れ、レーザ光LA、LBは重なり合ってY方向と平行に
出射する。こうして合流したレーザ光LA、LBは、1
つの光ファイバ10に入射する。
置とシリンドリカルレンズ4によるZ方向の集光位置と
を一致させることが好ましく、たとえば光出射面7の結
像倍率βxをほぼ等倍、シリンドリカルレンズ4の結像
倍率βzを10〜30倍に設定している。これによって
直交方向で拡がり角が異なるレーザ光であっても、集光
位置で円形で小さい集光スポットを実現でき、後段の光
学系である光ファイバ10との結合効率を向上できる。
また、複屈折光学素子6の光出射面7に集光レンズの機
能を一体的に形成することによって、個別配置と比べて
界面反射ロスが少なくなるとともに、組立調整が簡単に
なり、信頼性や生産性が向上する。
のコア11とコア11を被覆するクラッド12とで構成
され、開口数NA=0.14である。光ファイバ10の
光入射端面は、複屈折光学素子6の光出射面7から約7
mm後方に配置される。
した光ファイバ10が複数本設置され、これらの光出射
端はリング状の結束部材13によって結束され、図1
(c)に示すように、1本の光ファイババンドルとして
構成され、レーザ光LCを発生する単一の面状光源とし
て利用される。たとえば、出力1Wの発光領域3が20
個形成された半導体レーザアレイ2と、10本の光ファ
イバを使用することによって、途中の光学ロスを考慮し
ても出力約14Wのレーザ光LCを発生する光源が得ら
れることになる。これは半導体レーザのレーザ加工への
応用を拡大するものである。
成図である。固体レーザ装置は、図1で説明した半導体
レーザ装置9と、半導体レーザ装置9から発生するレー
ザ光LCを集光するレンズ14と、レーザ光LCによっ
て光励起されてレーザ発振を行う固体レーザ部20など
で構成される。
光LCによって光励起されて反転分布を形成する固体レ
ーザ媒質22と、レーザ光LCの波長に対して高い透過
率で、固体レーザ媒質22の発振波長に対して高い反射
率を示す凹面ミラー21と、固体レーザ媒質22の発振
波長に対して95%の反射率を示す平面ミラー24と、
発振光の横モードを制限するアパーチャ23などで構成
される。
m、固体レーザ媒質22がNdが1.1at%ドープさ
れ、発振波長1064nmのNd:YAG結晶、アパー
チャ23の開口直径が250μm、凹面ミラー21およ
び平面ミラー24から成る光共振器長が100mmで構
成された場合、波長1064nmで出力約7.5Wのレ
ーザ光LPを得ることができる。
される複数のレーザ光を複屈折効果によって2つから1
つに合流させ、さらに光ファイバ10を束ねることによ
って大出力で単一の励起光源が得られる。さらに固体レ
ーザ媒質22を光励起するよって、固体レーザ媒質22
のレーザ発振出力も格段に増加する。
し、図3(a)は平面図、図3(b)は部分正面図であ
る。全体の構成は図1で説明したものと同様であるが、
図1のシリンドリカルレンズ4の代わりに屈折率分布型
の円柱レンズ4a(たとえば直径300μmのドリック
レンズ:カナダDoric Lenses社製)をシリンドリカル光
学素子として使用している。シリンドリカルレンズとし
て円柱レンズ4aを用いているため、図3(b)に示す
ように、光ファイバ10のNAを大きくしなくても光フ
ァイバ10と半導体レーザアレイ2との距離を近づける
ことができる。そのための設計として、発光領域3の間
隔を250μm、複屈折光学素子6の長さを2.5m
m、光出射面7のシリンドリカル面の曲率半径を2.5
mmとし、さらに複屈折光学素子6と光ファイバ10と
の距離を3.5mmとした。その他の条件や動作内容は
図1のものと同様であるため重複説明を省略する。この
ように円柱レンズ4aを用いることで、光ファイバ10
のNAを図1のものと同じ0.14のままで、光伝播方
向に沿った全体の長さを約半分にすることができた。
場合、半導体レーザアレイ2の発光領域3からのレーザ
光LA、LBをZ方向に集光して、複屈折光学素子6に
おけるレーザ光LA、LBの合成をさらに効率的に行な
うことができる。
1および第2半導体レーザの後にレーザ光を拡がり角θ
aが減少する方向に集光するシリンドリカル光学素子を
配置することによって、光利用効率が向上し、複屈折光
学素子への入射角度変化を小さくできる。そのためレー
ザ光の複屈折効果のばらつきが減少して、レーザ光同士
の合流効率も向上する。
を拡がり角θbが減少する方向に集光する集光性光学素
子を設けることによって、光利用効率が向上するととも
に、シリンドリカル光学素子および集光性光学素子が2
つの拡がり角θa、θbを別個に制御することになるた
め、円形で小さい集光スポットを実現できる。その結
果、後段の光学系との結合効率を格段に向上できる。
質の光励起を行うことによって、励起光の大出力化が図
られ、その結果、固体レーザ媒質のレーザ発振出力も格
段に増加する。
(a)は平面図、図1(b)は部分正面図、図1(c)
は光出射側の端面形状を示す図である。
(a)は平面図、図3(b)は部分正面図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 偏光面が互いに平行で、直交2方向の拡
がり角θa、θbがθa>θbを満たすレーザ光を出射
する第1および第2半導体レーザと、 第1および第2半導体レーザから出射されるレーザ光を
拡がり角θaが減少する方向に集光するシリンドリカル
光学素子と、 シリンドリカル光学素子を通過した各レーザ光の偏光面
が互いに90度となるように偏光方向を制御する偏光回
転素子と、 偏光回転素子を通過した各レーザ光の光路を複屈折効果
によって合流させる複屈折光学素子と、 複屈折光学素子で合流したレーザ光を拡がり角θbが減
少する方向に集光する集光性光学素子とを備えることを
特徴とする半導体レーザ光源。 - 【請求項2】 第1および第2半導体レーザがそれぞれ
横マルチモードで発振することを特徴とする請求項1記
載の半導体レーザ光源。 - 【請求項3】 第1および第2半導体レーザが、単一の
チップに複数の発光領域が形成された横マルチモードの
半導体レーザアレイであることを特徴とする請求項1記
載の半導体レーザ光源。 - 【請求項4】 集光性光学素子は、前記複屈折光学素子
の光出射面に一体形成された曲面で構成されることを特
徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体レーザ
光源。 - 【請求項5】 シリンドリカル光学素子の集光位置と集
光性光学素子の集光位置とが一致し、該集光位置に光フ
ァイバの入射端面が配置されることを特徴とする請求項
1〜4のいずれかに記載の半導体レーザ光源。 - 【請求項6】 前記光ファイバが複数の光ファイバが束
ねられて構成され、各光ファイバの入射端面には前記半
導体レーザアレイの発光領域のうち2つの発光領域から
のレーザ光が合流して入射するように配置された光ファ
イババンドルであることを特徴とする請求項5記載の半
導体レーザ光源。 - 【請求項7】 偏光面が互いに平行で、直交2方向の拡
がり角θa、θbがθa>θbを満たすレーザ光を出射
する第1および第2半導体レーザと、 第1および第2半導体レーザから出射されるレーザ光を
拡がり角θaが減少する方向に集光するシリンドリカル
光学素子と、 シリンドリカル光学素子を通過した各レーザ光の偏光面
が互いに90度となるように偏光方向を制御する偏光回
転素子と、 偏光回転素子を通過した各レーザ光の光路を複屈折効果
によって合流させる複屈折光学素子と、 複屈折光学素子で合流したレーザ光を拡がり角θbが減
少する方向に集光する集光性光学素子と、 合流したレーザ光で光励起され、レーザ発振を行う固体
レーザ媒質とを備えることを特徴とする固体レーザ装
置。
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---|---|---|---|
JP7098198A JP3761708B2 (ja) | 1997-03-27 | 1998-03-19 | 半導体レーザ光源および固体レーザ装置 |
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JP7098198A JP3761708B2 (ja) | 1997-03-27 | 1998-03-19 | 半導体レーザ光源および固体レーザ装置 |
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