JP2002357788A - レーザビーム合波器およびレーザビーム発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、レーザビーム同士の合流効
率および後段の光学系への結合効率を格段に向上できか
つ部品点数の少ない半導体レーザ光源を提供することで
ある。 【構成】本発明は、分極方向が互いに異なる少なくとも
２つの領域を有する複屈折性結晶からなり、外部から入
射しそれぞれの領域を進行する複数のレーザビームのう
ち２つのレーザビームを１対のレーザビームとしたと
き、該複屈折性結晶の前記領域でのビームウオークオフ
を利用して、少なくとも１対のレーザビームを複屈折結
晶のレーザビームの出力端面となる面で互いに近接させ
るように前記分極方向が定められている第１のレーザビ
ーム合波器およびこれを用いたレーザビーム発生装置で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数のレーザビー
ムを合成するように構成されたレーザビーム合波器およ
びこれを用いた固体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザは、ガスレーザや固体レー
ザ等と比べて小型で信頼性が高く、メンテナンスも容易
である点で、光通信や光ディスク装置等で広く使用され
ているが、レーザ溶接やレーザメス等の大出力レーザビ
ームを必要とする分野では開発途上の段階である１つの
半導体レーザから得られる光出力は、ＣＷ(ContinuousW
ave)動作で数ｍＷから数百ｍＷ程度が限度であり、上記
分野への応用はかなり難しい。こうした対策として、複
数の半導体レーザからのレーザビームを１つに合成する
ことによって、レーザビームの大出力化を狙う研究が行
われている。

【０００３】一方、半導体レーザのレーザビームは拡が
り角が大きいため、光学素子の形状や配置に高い精度が
要求され、複数のレーザビームを１つに合成することは
かなり技術的に困難であるが、たとえば１本の光ファイ
バに複数のレーザビームを合流させることが実現できけ
れば、応用分野も拡大する。

【０００４】先行技術として特開昭６０−７６７０７号
公報には、２つの半導体レーザからの光を１本の光ファ
イバに入射させるために、一方のレーザビームの偏光面
を９０°回転させた後、複屈折効果によって２つのレー
ザビームを合流させる光学系を使用しており、１つが故
障したとき残りが動作を継続することによって、多重化
による信頼性向上を目的とした光通信用の半導体レーザ
二重化モジュールが開示されている。

【０００５】特開昭６０−７６７０７号公報の構成で
は、拡がり角の大きい半導体レーザを使用した場合、複
屈折素子への入射角度が光軸近傍の光と外側に拡がった
光とで大きく相違するため、複屈折効果がばらついてレ
ーザビームの合流が困難になる。さらに、入射角度が大
きく変化することによってレーザビームの波面も乱れて
しまうため、小さなコア径を有する光ファイバへの集光
が難しくなる。

【０００６】波長安定性や寿命を重視した光通信用半導
体レーザでは拡がり角があまり大きくないため、上記の
ような問題点は生じないが、高出力・高輝度を重視した
加工用半導体レーザでは一般に拡がり角が大きいため、
上記のような問題点が浮上してくる。

【０００７】このような問題を解決する手段として特願
平９−７５０４１では偏光面が互いに平行で、直交２方
向の拡がり角θａ、θｂがθａ＞θｂを満たすレーザビ
ームを出射する第１および第２半導体レーザと、 第１
および第２半導体レーザから出射されるレーザビームを
拡がり角θａが減少する方向に集光するシリンドリカル
光学素子と、シリンドリカル光学素子を通過した各レー
ザビームの偏光面が互いに９０度となるように偏光方向
を制御する偏光回転素子と、偏光回転素子を通過した各
レーザビームの光路を複屈折効果によって合流させる複
屈折光学素子と、複屈折光学素子で合流したレーザビー
ムを拡がり角θｂが減少する方向に集光する集光性光学
素子とを備えた素子を開示している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】これらの技術はレンズ
系の部品点数が増加するため、部品点数を減少させある
いは工程を減少させるレーザビーム合成方法がさらに望
まれる。

【０００９】本発明の目的は、レーザビーム同士の合流
効率および後段の光学系への結合効率を格段に向上でき
かつ部品点数の少ない半導体レーザ光源を提供すること
である。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、分極方向が互
いに異なる少なくとも２つの領域を有する複屈折性結晶
からなり、外部から入射しそれぞれの領域を進行する複
数のレーザビームのうち２つのレーザビームを１対のレ
ーザビームとしたとき、該複屈折性結晶の前記領域での
ビームウオークオフを利用して、少なくとも１対のレー
ザビームを複屈折結晶のレーザビームの出力端面となる
面で互いに近接させるように前記分極方向が定められて
いる第１のレーザビーム合波器である。

【００１１】この２つの領域での分極方向が互いに直交
していることが好ましい。

【００１２】また本発明は、複屈折性結晶と等方性媒質
とからなり、複屈折性結晶中を進行するレーザビームが
ビームウオークオフにより、等方性媒質中を進行するレ
ーザビームに複屈折結晶のレーザビームの出力端面とな
る面で近接するように前記複屈折性結晶の分極方向が定
められている第２のレーザビーム合波器である。等方性
媒質としてはガラスや空気が挙げられる。さらには複屈
折結晶との屈折率差が０．２以下であることが好まし
い。両者の屈折率差を小さくすることにより、複屈折結
晶中と等方性媒質中の光路長の差を小さくできる。

【００１３】さらに本発明は、直線偏光の偏光方向が互
いに平行な第１と第２のレーザビームを出射する半導体
レーザ光源と、請求項１または２に記載のレーザビーム
合波器とからなり、第１および第２のレーザビームを１
対のレーザビームとして、前記レーザビーム合波器に入
射するよう半導体レーザ光源とレーザビーム合波器が配
置され、第１と第２のレーザビームがビームウオークオ
フにより、該複屈折結晶の出射面で接近するように、２
つの前記領域で分極の向きが定められ、第１と第２のレ
ーザビームを合流させて、１本のレーザビームを出力す
るレーザビーム発生装置である。

【００１４】また本発明は、直線偏光の偏光方向が互い
に平行な第１から第4までのレーザビームを出射する半
導体レーザ光源と、隣接する第１および第２のレーザビ
ームの光路を活性層と垂直方向にずらす第１の光学的手
段と、第２のレーザビーム合波器と、第１のレーザビー
ム合波器とをこの順に備え、半導体レーザに近い第２の
前記レーザビーム合波器において第１のレーザビームと
第３のレーザビームとを近接させて第５のレーザビーム
を得、かつ第２のレーザビームを第４のレーザビームと
合流させて第６のレーザビームを得、次のレーザビーム
合波器において第５と第６のレーザビームを近接させて
１つのレーザビームを出力させるように半導体レーザ光
源からレーザビーム合波器までが配列されているレーザ
ビーム発生装置である。

【００１５】第１の光学的手段は、屈折作用によりレー
ザビームを一方向に曲げて第１の光学手段の前後の光路
が平行で半導体レーザの活性層の垂直方向にずれるよう
に配置されていればよく、空気よりも大きな屈折率をも
つ等方媒質でレーザビームの入出力面が平行なものであ
るのが好ましい。

【００１６】また本発明は、直線偏光の偏光方向が互い
に平行で互いに接近した第１から第4までのレーザビー
ムを出射する半導体レーザ光源と、前期第１のレーザビ
ーム合波器を３つ備え、これらは第１と第２のレーザビ
ームを近接させて第５の１つのレーザビームを得るレー
ザビーム合波器と、第３と第４のレーザビームを近接さ
せて第６の１つのレーザビームを得るレーザビーム合波
器と、第５のレーザビームと第６のレーザビームを近接
させて１つのレーザビームとして出力するレーザビーム
合波器であるレーザビーム発生装置である。これら本発
明で用いる複屈折結晶の材料としてはKNbO₃またはYVO₄
が好ましい。

【発明の実施の形態】図１は本発明に使用した分極制御
した複屈折結晶の構成を示したものである。

【００１７】レーザビーム合波器６は複屈折光学素子と
してニオブ酸カリウム（KNｂO₃）結晶を用い、一部の領
域に９０度分極回転操作を行い、お互いの自発分極の方
向が直交した２つの領域６a,6bを形成した結晶を用い
る。以下分極制御された複屈折結晶の作り方について説
明する。KNbO₃の室温における点群はmm2で、格子定数は
a＝5.688、ｂ＝3.971、ｃ＝5.714、波長633nmでの主屈
折率na＝2.2801、nb＝2.3296、nc=2.1687である。極性
軸はｃ軸であり、ｃ軸に平行な自発分極を持っている。

【００１８】図１（a）に示すようにa、c軸に45度、ｂ
軸に垂直なる矩形体に切り出す。切り出したプレートは
厚みが４．0ｍｍとなるように光学研磨を施す。光学研
磨した面上に30,３1のような電極を取り付け電界を印加
することにより電極下の領域のみ分極方向を９０度回転
させることができる図１（ｂ）。電界強度が１００V/mm
で９０度回転を生じる事ができる。できた素子はあたか
も、２つの結晶を界面で張り合わせたように機能する。
すなわち、左半分の結晶軸ａとｃが右半分ではｃとａに
なり、ｂ軸を中心として９０度回転したような関係にな
っている。

【００１９】分極回転した後、図１（ｃ）に示すように
電極を取り除き,光学研磨面３５から半導体レーザの光L
Aが３５aからLBが３５ｂから入射するようにセットす
る。LA,LBのレーザビームはそれぞれ約２．９度のビー
ムウオークオフ角度で進行方向がずれるため結晶長４．
0ｍｍ伝播すると約4００μｍ接近させることができる。
したがって複屈折結晶の出力端面34で2つの領域の界面
を挟んで２つのビームは幅２００μｍのひとつのビーム
に合流される。

【００２０】次にこの合波器を用いたレーザビーム発生
装置を説明する。図２は第１の構成を示す。レーザビー
ム発生装置１は、２つの発光領域３を有する半導体レー
ザアレイ２と、必要な場合は発光領域３からのレーザビ
ームＬＡ、ＬＢをＺ方向に集光するシリンドリカルレン
ズ４と、レーザビーム合波器６とからなる。半導体レー
ザアレイから出射しシリンドリカルレンズ４を通過した
レーザビームLA,とLBはそれぞれレーザビーム合波器６
の領域６aと領域６bで複屈折によるビームウオークオフ
効果によって接近し端面３５で合流する。ここでシリン
ドリカルレンズは必須ではないが、あるのが好ましい。

【００２１】またこのレーザビーム発生装置から出射さ
れるレーザビームを光ファイバー１０に導くためには、
レーザビーム合波器の出射側にＸ,Z方向に集光するため
の軸対称レンズ８を設ければよい。

【００２２】半導体レーザアレイ２から複屈折光学素子
６での各光学素子は同一の基板上に固定される。

【００２３】半導体レーザアレイ２は、単一のチップに
複数の発光領域３がストライプ幅５０μｍ、ストライプ
間隔５００μｍ、共振器長１ｍｍで形成されたもので、
１つの発光領域が１つの独立した半導体レーザとして機
能し、横マルチモード発振でそれぞれ出力１Ｗ程度とい
う大出力のレーザビームを発生する。

【００２４】発光領域３からのレーザビームＬＡ、ＬＢ
は、ＸＹ面と平行に形成された活性層に対して垂直なＺ
方向に拡がり角が大きい楕円状の強度分布を示し、たと
えばＺ方向の拡がり角θｚ＝３４°、Ｘ方向の拡がり角
θｘ＝１０°である。また、発光領域３から出射した直
後のレーザビームＬＡ、ＬＢは同一直線偏光であり、そ
の偏光面は活性層と平行になる。

【００２５】シリンドリカルレンズ４は、Ｘ方向と平行
な母線を有するシリンドリカル面に形成された光入射面
と、平面状の光出射面とを有し、発光領域３からのレー
ザビームＬＡ、ＬＢをＺ方向にのみコリメートし、Ｘ方
向にはコリメートしない。こうしたシリンドリカルレン
ズ４を半導体レーザアレイ２の後に配置することによっ
て、集光レンズによるファイバカップリング効率が向上
する。

【００２６】シリンドリカルレンズ４として、たとえば
光入射面の曲率半径５００μｍ、開口数（ＮＡ）０．
４、中心厚さ０．５ｍｍの溶融クォーツから成るシリン
ドリカルレンズ４が使用でき、あるいはドリックレンズ
（商品名：米国Doric 社製）のように円柱レンズ状で屈
折率分布型のコアを有するファイバレンズも使用可能で
ある。

【００２７】光ファイバ１０は、たとえば直径６０μｍ
のコア１１とコア１１を被覆するクラッド１２とで構成
され、開口数ＮＡ＝０．４である。光ファイバ１０の光
入射端面は、集光レンズ８の集光位置に配置される。

【００２８】これによって直交方向で拡がり角が異なる
レーザビームであっても、集光位置で円形で小さい集光
スポットを実現でき、後段の光学系である光ファイバ１
０との結合効率を向上できる。またこのような方法では
偏光回転素子を使用する必要が無く組立調整が簡単にな
り、信頼性や生産性が向上する。

【００２９】第２の構成を図３に示す。図３（ａ）は上
面図、図２（ｂ）は側面図、である。図１では２つのレ
ーザビームを合流させる例であったがこれを４つのレー
ザビームを合流させた例である。４つの発光領域２１、
２２，２３、２４からなる半導体レーザアレイ２と、半
導体レーザアレイからの出射光をＺ方向にコリメートす
るシリンドリカルレンズ４と、シリンドリカルレンズ４
通過したレーザ光路を複屈折効果によって合流させる複
屈折光学素子からなる第１のレーザビーム合波器４０と
第２のレーザビーム合波器４５からなる。また複屈折素
子を通過して合流させたレーザビームをＸ,Z方向に集光
するための軸対称レンズ８、および集光した光を入射す
る光ファイバ１０などを設けることができる。

【００３０】半導体レーザアレイ２、シリンドリカルレ
ンズ４、２つの複屈折光学素子、と集光レンズ８の各光
学素子は同一の基板上に固定される。

【００３１】半導体レーザアレイ２は、単一のチップに
複数の発光領域ストライプ幅１００μｍ、ストライプ間
隔５００μｍ、共振器長２ｍｍで形成されたもので、１
つの発光領域が１つの独立した半導体レーザとして機能
し、横マルチモード発振でそれぞれ出力２Ｗ程度、４本
で８Wという大出力のレーザビームを発生する。半導体
レーザからのレーザビームLA、LB、LC、LDは、ＸＹ面と
平行に形成された活性層に対して垂直なＺ方向に拡がり
角が大きい楕円状の強度分布を示し、たとえばＺ方向の
拡がり角θｚ＝３４°、Ｘ方向の拡がり角θｘ＝１０°
である。また、発光領域21〜24から出射した直後のレー
ザビームLA、LB、LC,LDは同一直線偏光であり、その偏
光面は活性層と平行になる。発光領域21〜24からのレー
ザビームLA、LB、LC、LDはシリンドリカルレンズで活性
層に垂直方向にコリメートされる。レーザビーム合波器
はKＮbO₃結晶を図２で示したのと同じ方位に切り出し、
１ｍｍのピッチで周期的に電極を構成し、９０度分極回
転部分を２個所形成し、隣接する領域が互いに90°の４
つの領域（分極域）４１〜４４を形成したものである。
領域４１と４３は同一方向のまた領域４２と４４は同一
方向の分極を有している。

【００３２】レーザビームLAとLBは互いに９０度の領域
４１，４２をそれぞれ通過するさいビームウオークオフ
効果によりレーザビームは接近する。またレーザビーム
LCとLDは互いに９０度の領域４３，４４を通過するさい
ビームウオークオフ効果によりレーザビームは互いに接
近する。

【００３３】複屈折結晶レーザビーム合波器４０を通過
した後、レーザビームLA,LBは合流してレーザビームLE
となって、レーザビームLC,LDは合流してレーザビームL
Fとなって次の複屈折結晶からなるレーザビーム合波器
４５に入射する。複屈折結晶４５は図２に示したのと同
様な方法で長さ8ｍｍのKNbO₃結晶に２つの９０°分極反
転域である領域４６，４７を作製したものからなってい
る。複屈折結晶４５に入射したレーザビームLE,LFはビ
ームウオークオフ効果によりお互いに接近し出射面で並
べることができる。

【００３４】このように合流したレーザビーム光はレー
ザビーム合波器４５から出射し、集光レンズ８によりコ
ア径１００μｍのマルチモードファイバに結合する。こ
れらにより出力８ＷのＬＤアレイの出力のうち６Ｗを結
合する事ができる。

【００３５】第３の構成例を図４に示す。、図４（ａ）
は上面図、図４（ｂ）は側面図を示す図である。第２の
構成例と重複する部分の説明は書略する。

【００３６】半導体レーザの発光領域２１，２２，２
３，２４からのレーザビームLA、ＬＢ、LC、LDは、ファ
イバレンズ4によりコリメートされる。レーザビーム光L
A,LBは斜傾したガラスプレート5により活性層に垂直方
向にビーム位置がずらされる。このレーザビーム光LA,L
Bはさらに水平に配置されたガラスプレート４８に入射
され直進する。一方傾斜したガラスプレート５を通過し
なかったレーザビーム光LC,LDは、長さ１０ｍｍの複屈
折結晶４９に入射する。複屈折結晶４９はYVO₄結晶で構
成され、約５．８°のビームウォークオフが生じて斜め
に進行する。

【００３７】レーザビームLC,LDは複屈折結晶端でｘ軸
方向に約１ｍｍ位置がずれ直進したレーザビーム光LA,L
Bとｘ軸方向の位置が重なる。ただしｚ方向にはわずか
にずれている。このよりに対になったレーザビームLA,L
CとLB,LDは次の複屈折結晶４５に入射する。レーザビー
ム合波器４５は２つの異なった領域（分極域）を持つKN
bO3結晶からなり図１で示した結晶と同じものを使用す
る。

【００３８】レーザビーム光LA,LCはレーザビーム合波
器４５の領域４７を通過、またLB,LDはレーザビーム合
波器４５の領域４６を通過する。これらの分域の分極軸
方向は互い９０度の角度を有するため、それぞれの領域
のレーザビーム光LE,LFはビームウオークオフ効果によ
り互いに接近する。

【００３９】レーザビーム合波器４５から出射されたレ
ーザビーム光は集光レンズ８によりマルチモードファイ
バ１０に効率よく入射される。これらにより出力８Ｗの
ＬＤアレイの出力のうち６Ｗを結合する事ができる。

【００４０】第４の構成例を図５に示す。図５（ａ）は
上面図、図５（ｂ）は側面図を示す図である。半導体レ
ーザの発光領域２１，２２，２３，２４からのレーザビ
ームLA、ＬＢ、LC、LDは、ファイバレンズ4によりコリ
メートされる。レーザビーム光LA,LBは斜傾したガラス
プレート5により半導体レーザの活性層に垂直方向にビ
ーム位置がずらされる。このレーザビーム光LA,LBと傾
斜したガラスプレート５を通過しなかったレーザビーム
光LC、LDは、長さ５ｍｍのレーザビーム合波器５０に入
射する。レーザビーム合波器５０は２枚の複屈折結晶4
9、48を重ねて構成されている。複屈折結晶はYVO₄結晶
で構成され、約５．８°のビームウォークオフする方向
がお互いに反対方向となるように重ねている。

【００４１】レーザビームLC,LDは複屈折効果によりレ
ーザビーム合波器の出射端で＋ｘ軸方向に約５００μｍ
位置がずれ、またレーザビームLA,LBは−X軸方向に約５
００μｍ位置がずれる。このため出力端ではレーザビー
ム光LA,LCがLBとLDがｘ方向の位置が重なる。ただしLA
とLBが斜めに挿入したガラス板５を通過したためz方向
にわずかにずれている。

【００４２】このよりに対になったレーザビームLA,LC
とLB,LDは次のレーザビーム合波器４５に入射する。レ
ーザビーム合波器４５は分極方向が互いに異なった領域
４６，４７を持つ長さ４ｍｍのKNbO₃結晶からなり図２
で示した結晶と同じように互いに９０°の分極域を有し
ているものを使用する。複屈折結晶４５から出射された
レーザビーム光は集光レンズ８によりマルチモードファ
イバ１０に効率よく入射される。これらにより出力８Ｗ
のＬＤアレイの出力のうち６Ｗを結合する事ができる。

【００４３】これらの構成により２本以上の発光領域か
らのレーザビームをひとつのビームに合流させ、光ファ
イバに効率よく結合左折ことが可能となった。またこれ
らの合流には９０°分極域を有する複屈折結晶を用いる
ことにより、従来より少ない部品点数でビームの合流を
実現することができる。また本発明の構成例は４本まで
の半導体レーザアレイを合波する例について説明した
が、本概念を更に多段にすることにより５本以上のマル
チストライプ半導体レーザアレイに拡張できる事は言う
までもない。更に半導体レーザアレイの合波だけでな
く、個別の独立したレーザ、例えば固体レーザ、半導体
レーザ、ガスレーザなどの合波にも適応できることも言
うまでもない。

【００４４】これらのレーザビーム発生装置を用いて光
通信ファイバアンプ(EDFA; Erbium doped Fiber Amplif
ier)やファイバレーザのより高出力な励起用光源として
展開する事ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるレーザ合波器およびその製造プロ
セスを説明する図。

【図２】本発明のレーザビーム発生装置の第１の構成例
を示す図。

【図３】本発明のレーザビーム発生装置の第２の構成例
を示す図。

【図４】本発明のレーザビーム発生装置の第３の構成例
を示す図。

【図５】本発明のレーザビーム発生装置の第４の構成例
を示す図。

【符号の説明】

１ レーザビーム発生装置、 ２ 半導体レーザアレイ ３ 発光領域、 ４ シリンドリカルレン
ズ ５ ガラス ６、４０，４５，５０ レーザビーム合波器 ７ 光出射面、 ８ 軸対称集光レンズ ９ 集光レンズ １０ 光ファイバ ３０，３１ 電極

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】分極方向が互いに異なる少なくとも２つの
   領域を有する複屈折性結晶からなり、外部から入射しそ
   れぞれの領域を進行する複数のレーザビームのうち２つ
   のレーザビームを１対のレーザビームとしたとき、該複
   屈折性結晶の前記領域でのビームウオークオフを利用し
   て、少なくとも１対のレーザビームを複屈折結晶のレー
   ザビームの出力端面となる面で互いに近接させるように
   前記分極方向が定められていることを特徴とするレーザ
   ビーム合波器。
2. 【請求項２】前記２つの領域での分極方向が互いに直交
   していることを特徴とする請求項１に記載のレーザビー
   ム合波器。
3. 【請求項３】複屈折性結晶と等方性媒質とからなり、複
   屈折性結晶中を進行するレーザビームがビームウオーク
   オフにより、等方性媒質中を進行するレーザビームに複
   屈折結晶のレーザビームの出力端面となる面で近接する
   ように前記複屈折性結晶の分極方向が定められているこ
   とを特徴とするレーザビーム合波器。
4. 【請求項４】直線偏光の偏光方向が互いに平行な第１と
   第２のレーザビームを出射する半導体レーザ光源と、請
   求項１または２に記載のレーザビーム合波器とからな
   り、第１および第２のレーザビームを１対のレーザビー
   ムとして、前記レーザビーム合波器に入射するよう半導
   体レーザ光源とレーザビーム合波器が配置され、第１と
   第２のレーザビームがビームウオークオフにより、該複
   屈折結晶の出射面で接近するように、２つの前記領域で
   分極の向きが定められ、第１と第２のレーザビームを合
   流させて、１本のレーザビームを出力することを特徴と
   するレーザビーム発生装置。
5. 【請求項５】直線偏光の偏光方向が互いに平行な第１か
   ら第4までのレーザビームを出射する半導体レーザ光源
   と、隣接する第１および第２のレーザビームの光路を活
   性層と垂直方向にずらす第１の光学的手段と、請求項３
   に記載のレーザビーム合波器と、請求項１または２に記
   載のレーザビーム合波器とをこの順に備え、半導体レー
   ザに近い方の前記レーザビーム合波器において第１のレ
   ーザビームと第３のレーザビームとを近接させて第５の
   レーザビームを得、かつ第２のレーザビームを第４のレ
   ーザビームと合流させて第６のレーザビームを得、次の
   レーザビーム合波器において第５と第６のレーザビーム
   を近接させて１つのレーザビームを出力させるように配
   列されていることを特徴とするレーザビーム発生装置。
6. 【請求項６】直線偏光の偏光方向が互いに平行で互いに
   接近した第１から第4までのレーザビームを出射する半
   導体レーザ光源と、第１と第２のレーザビームを近接さ
   せて第５の１つのレーザビームを得る第１の請求項１ま
   たは２に記載のレーザビーム合波器と、第３と第４のレ
   ーザビームを近接させて第６の１つのレーザビームを得
   る第２の請求項１または２に記載のレーザビーム合波器
   と、第５のレーザビームと第６のレーザビームを近接さ
   せて１つのレーザビームとして出力する第３の請求項１
   または２に記載のレーザビーム合波器とからなることを
   特徴とするレーザビーム発生装置。