JP2002237643A

JP2002237643A - 半導体レーザ光源

Info

Publication number: JP2002237643A
Application number: JP2001033781A
Authority: JP
Inventors: Shiro Shichijo; 司朗七条
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2001-02-09
Filing date: 2001-02-09
Publication date: 2002-08-23

Abstract

(57)【要約】【課題】簡素な光学系で、レーザ光同士の合流効率お
よび後段の光学系への結合効率を格段に向上できる半導
体レーザ光源を提供する。【解決手段】半導体レーザ光源１は、直線偏光の偏光
方向が互いに平行なレーザ光ＬＡ、ＬＢを出射する半導
体レーザアレイ２と、レーザ光ＬＡ、ＬＢの光路内にそ
れぞれ配置され、互いに接合面で接合された複屈折光学
素子６ａ，６ｂなどで構成され、レーザ光ＬＡ、ＬＢは
複屈折光学素子６ａ，６ｂでのビームウオークオフによ
って他方のレーザ光に近付いて、複屈折光学素子６ａ，
６ｂの光出射面７ｂで互いに接近もしくは重なるよう
に、複屈折光学素子６ａ，６ｂの光学軸の向きが調整さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数のレーザ光を
合成するように構成された半導体レーザ光源に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザは、ガスレーザや固体レー
ザ等と比べて小型で信頼性が高く、メンテナンスも容易
である点で、光通信や光ディスク装置等で広く使用され
ているが、レーザ溶接やレーザメス等の大出力レーザ光
を必要とする分野では開発途上の段階である。１つの半
導体レーザから得られる光出力は、ＣＷ(Constant Wav
e)動作で数ｍＷから数百ｍＷ程度が限度であり、上記分
野への応用はかなり難しい。こうした対策として、複数
の半導体レーザからのレーザ光を１つに合成することに
よって、レーザ光の大出力化を狙う研究が行われてい
る。

【０００３】一方、半導体レーザのレーザ光は拡がり角
が大きいため、光学素子の形状や配置に高い精度が要求
され、複数のレーザ光を１つに合成することはかなり技
術的に困難であるが、たとえば１本の光ファイバに複数
のレーザ光を合流させることが実現できければ、応用分
野も拡大する。

【０００４】先行技術として特開昭６０−７６７０７号
公報には、２つの半導体レーザからの光を１本の光ファ
イバに入射させるために、一方のレーザ光の偏光面を９
０°回転させた後、複屈折効果によって２つのレーザ光
を合流させる光学系を使用しており、１つが故障したと
き残りが動作を継続することによって、多重化による信
頼性向上を目的とした光通信用の半導体レーザ二重化モ
ジュールが開示されている。

【０００５】特開昭６０−７６７０７号公報の構成で
は、拡がり角の大きい半導体レーザを使用した場合、複
屈折素子への入射角度が光軸近傍の光と外側に拡がった
光とで大きく相違するため、複屈折効果がばらついてレ
ーザ光の合流が困難になる。さらに、入射角度が大きく
変化することによってレーザ光の波面も乱れてしまうた
め、小さなコア径を有する光ファイバへの集光が難しく
なる。

【０００６】波長安定性や寿命を重視した光通信用半導
体レーザでは拡がり角があまり大きくないため、上記の
ような問題点は生じないが、高出力・高輝度を重視した
加工用半導体レーザでは一般に拡がり角が大きいため、
上記のような問題点が浮上してくる。

【０００７】このような問題を解決する手段として、本
出願人は、偏光面が互いに平行で、直交２方向の拡がり
角θａ、θｂがθａ＞θｂを満たすレーザ光を出射する
第１および第２半導体レーザと、第１および第２半導体
レーザから出射されるレーザ光を拡がり角θａが減少す
る方向に集光するシリンドリカル光学素子と、シリンド
リカル光学素子を通過した各レーザ光の偏光面が互いに
９０度となるように偏光方向を制御する偏光回転素子
と、偏光回転素子を通過した各レーザ光の光路を複屈折
効果によって合流させる複屈折光学素子と、複屈折光学
素子で合流したレーザ光を拡がり角θｂが減少する方向
に集光する集光性光学素子とを備えた光源を既に提案し
ている（特開平１０−３２５９４１号公報）。

【０００８】図４は、先に提案した従来の構成を示し、
図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は部分正面図、図４
（ｃ）は光出射側の端面形状を示す図である。半導体レ
ーザ光源５９は、複数の発光領域５３を有する半導体レ
ーザアレイ５２と、発光領域５３からのレーザ光ＬＡ、
ＬＢをＺ方向に集光するシリンドリカルレンズ５４と、
シリンドリカルレンズ５４を通過したレーザ光ＬＡ、Ｌ
Ｂの偏光面が互いに９０度となるように偏光方向を制御
する偏光回転素子である波長板５５と、波長板５５を通
過したレーザ光ＬＡ、ＬＢの光路を複屈折効果によって
合流させる複屈折光学素子５６と、複屈折光学素子５６
を通過するレーザ光ＬＡ、ＬＢをＸ方向に集光するため
にシリンドリカル面状に形成された光出射面５７と、シ
リンドリカルレンズ５４および光出射面５７の集光位置
に設けられた複数の光ファイバ６０などで構成される。

【０００９】こうした構成において、複数の半導体レー
ザの後にシリンドリカルレンズを配置し、レーザ光を拡
がり角θａが減少する方向に集光することによって、光
利用効率が向上するとともに、後段に配置された複屈折
光学素子への入射角度変化を小さくできる。そのためレ
ーザ光の複屈折効果のばらつきが減少して、レーザ光同
士の合流効率も向上する。

【００１０】また、複屈折光学素子で合流したレーザ光
を拡がり角θｂが減少する方向に集光する集光性光学素
子、たとえばシリンドリカルレンズや球面レンズなどを
設けることによって、光利用効率が向上するとともに、
シリンドリカル光学素子および集光性光学素子が２つの
拡がり角θａ、θｂを別個に制御することになるため、
円形で小さい集光スポットを実現できる。その結果、た
とえば光ファイバ等の後段の光学系との結合効率を格段
に向上できる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】図４の構成では、レー
ザ光を合流させる前段に９０度偏光回転素子を使用して
いるが、より一層完全な９０°直交偏光とするためには
θｂ方向にもレンズ等を用いて平行光に変換してから９
０度偏光回転素子に入射することが望ましい。

【００１２】しかしながら、レンズ等の部品点数の増加
によって光学系が複雑になり、光の通過損失も増加する
ことが懸念される。

【００１３】また、９０度偏光回転素子として機能する
波長板は、一般に波長依存性を有するため、厚さの精度
管理が要求される。

【００１４】本発明の目的は、簡素な光学系で、レーザ
光同士の合流効率および後段の光学系への結合効率を格
段に向上できる半導体レーザ光源を提供することであ
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、直線偏光の偏
光方向が互いに平行な第１および第２レーザビームをそ
れぞれ出射する第１および第２半導体レーザと、第１お
よび第２レーザビームの光路内にそれぞれ配置され、互
いに接合面で接合された第１および第２複屈折光学素子
とを備え、第１および第２レーザビームのうち少なくと
も一方が、複屈折光学素子中でのビームウオークオフに
よって他方のレーザビームに近付いて、複屈折光学素子
の出射面で互いに接近もしくは重なるように、第１およ
び第２複屈折光学素子の光学軸の向きが調整されている
ことを特徴とする半導体レーザ光源である。

【００１６】本発明に従えば、第１レーザビームが通過
する第１複屈折光学素子および第２レーザビームが通過
する第２複屈折光学素子をそれぞれ配置し、複屈折光学
素子中でのビームウオークオフ効果を利用して、両者の
レーザビームが複屈折光学素子の出射面で互いに接近も
しくは重なるように、第１および第２複屈折光学素子の
光学軸の向きを調整することによって、２つのレーザビ
ームを合流させることができる。その結果、後段に光フ
ァイバを配置した場合、光ファイバとの結合効率が向上
し、レーザ光の高出力化を達成できる。

【００１７】また、従来の構成と比較して光学部品の数
が少なくなり、光利用効率の向上、構成の簡素化が図ら
れる。

【００１８】また本発明は、第１および第２複屈折光学
素子は、第１および第２半導体レーザからのレーザビー
ム伝搬方向に対して前記接合面が平行になるように配置
され、第１および第２複屈折光学素子の光学軸は、接合
面に対してミラー対称となるように配置されていること
を特徴とする。

【００１９】本発明に従えば、第１および第２複屈折光
学素子の接合面を各レーザビーム伝搬方向に対して平行
に配置し、第１および第２複屈折光学素子の光学軸を接
合面に対してミラー対称となるように配置することによ
って、複屈折光学素子の形状および向きを対称化できる
ため、複屈折光学素子の加工や位置調整が容易になる。

【００２０】また本発明は、第１および第２複屈折光学
素子の出射面からそれぞれ出射したレーザビームを単一
ビームに集光するための集光レンズを備えたことを特徴
とする。

【００２１】本発明に従えば、第１および第２複屈折光
学素子の出射面からそれぞれ出射したレーザビームを集
光レンズで集光することによって、光利用効率が向上す
るとともに、集光スポットの小型化が図られる。その結
果、たとえば光ファイバ等の後段の光学系との結合効率
を格段に向上できる。

【００２２】また本発明は、第１および第２半導体レー
ザの活性層に対して垂直方向に光をコリメートするため
のシリンドリカルレンズが、第１および第２半導体レー
ザと１および第２複屈折光学素子との間に配置されてい
ることを特徴とする。

【００２３】本発明に従えば、第１および第２半導体レ
ーザの後にシリンドリカルを配置し、レーザ光の拡がり
角が減少する方向に集光することによって、光利用効率
が向上するとともに、後段に配置された複屈折光学素子
への入射角度変化を小さくできる。そのためレーザ光の
複屈折効果のばらつきが減少して、レーザ光同士の合流
効率も向上する。

【００２４】また本発明は、第１および第２複屈折光学
素子は一体化されていることを特徴とする。

【００２５】本発明に従えば、第１および第２複屈折光
学素子を一体化することによって、複屈折光学素子の加
工や位置調整が容易になる。

【００２６】また本発明は、前記シリンドリカルレンズ
は、第１および第２複屈折光学素子と一体的に形成され
ていることを特徴とする。

【００２７】本発明に従えば、コリメート用のシリンド
リカルレンズと第１および第２複屈折光学素子とを一体
的に形成することによって、シリンドリカルレンズと第
１および第２複屈折光学素子と相対的位置調整を省くこ
とができ、組立コストの低減、製造歩留まりの向上を図
ることができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の一形態の構
成を示し、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側面図で
ある。半導体レーザ光源１は、複数の発光領域３を有す
る半導体レーザアレイ２と、発光領域３からのレーザ光
ＬＡ、ＬＢをＺ方向に集光するシリンドリカルレンズ４
と、シリンドリカルレンズ４を通過したレーザ光ＬＡ、
ＬＢの光路を複屈折効果によって合流させる複屈折光学
素子６ａ，６ｂと、複屈折光学素子６ａ，６ｂを通過し
たレーザ光ＬＡ、ＬＢをＸ方向およびＺ方向に集光する
ための軸対称レンズ８と、集光した光が入射する光ファ
イバ１０などで構成される。

【００２９】半導体レーザアレイ２から複屈折光学素子
６ａ，６ｂまでの各光学素子は同一基板（不図示）の上
に一体的に固定され、単一の光源モジュールとして構成
される。

【００３０】半導体レーザアレイ２は、単一のチップに
複数の発光領域３が、たとえばストライプ幅５０μｍ、
ストライプ間隔５００μｍ、共振器長１ｍｍで形成され
たもので、１つの発光領域が１つの独立した半導体レー
ザとして機能し、横マルチモード発振でそれぞれ出力１
Ｗ程度という大出力のレーザ光を発生する。

【００３１】発光領域３からのレーザ光ＬＡ、ＬＢは、
ＸＹ面と平行に形成された活性層に対して垂直なＺ方向
に拡がり角が大きい楕円状の強度分布を示し、たとえば
Ｚ方向の拡がり角θｚ＝３４°、Ｘ方向の拡がり角θｘ
＝１０°である。また、発光領域３から出射した直後の
レーザ光ＬＡ、ＬＢは同一直線偏光であり、その偏光面
は活性層と平行になる。

【００３２】シリンドリカルレンズ４は、Ｘ方向と平行
な母線を有するシリンドリカル面に形成された光入射面
および光出射面を有し、発光領域３からのレーザ光Ｌ
Ａ、ＬＢをＺ方向にのみコリメートし、Ｘ方向にはコリ
メートしない。こうしたシリンドリカルレンズ４を半導
体レーザアレイ２の後に配置することによって、光利用
効率が向上し、後段の光ファイバ１０とのカップリング
効率が向上する。

【００３３】シリンドリカルレンズ４として、たとえば
光入射面の曲率半径５００μｍ、開口数（ＮＡ）０．
４、中心厚さ０．５ｍｍの溶融クォーツから成るシリン
ドリカルレンズ４が使用でき、あるいはドリックレンズ
（商品名：米国Doric 社製）のように円柱レンズ状で屈
折率分布型のコアを有するファイバレンズも使用可能で
ある。

【００３４】複屈折光学素子６ａ，６ｂは、複屈折性の
結晶、たとえばｃ軸に対して４５°の方向に切り出され
たＹＶＯ₄結晶（異常光屈折率ｎｅ＝２．２０、常光屈
折率ｎｏ＝２．０）で形成され、それぞれの光学軸方向
がＸ面に対して対称となるように配置される。

【００３５】複屈折光学素子６ａのｃ軸（プラスマイナ
ス方向は問わない）は、Ｙ軸からプラスＸ軸方向に９０
度となるように配置される。このような配置では複屈折
効果によってレーザ光ＬＡは異常光線としてＹ方向に対
して約５．８°のビームウォークオフが生じて＋Ｘ軸方
向に斜めに進行する。図１（ａ）中ではＹＶＯ₄結晶の
＋ｃ軸方向を矢印で示す。

【００３６】一方、複屈折光学素子６ｂのｃ軸は、Ｙ軸
からマイナスＸ軸方向に９０度となるように配置され
る。このような配置では複屈折効果によってレーザ光Ｌ
Ｂは異常光線としてＹ方向に対して約５．８°のビーム
ウォークオフが生じて−Ｘ軸方向に斜めに進行する。ま
た、複屈折光学素子６ａ，６ｂ内でのレーザ光ＬＡ、Ｌ
Ｂはともに約２．５°の拡がり角となる。

【００３７】２つの複屈折光学素子６ａ，６ｂの結晶軸
方向は、２つの結晶の接合する面を対称とした組み合わ
せが可能であり、この場合、結晶軸の±方向は問わな
い。これらの考えられる組み合わせを図３に示す。図３
中で結晶の＋ｃ軸方向を矢印で示す。

【００３８】こうして光入射面で一定距離隔てていたレ
ーザ光ＬＡ、ＬＢは、レーザ光ＬＢの斜め進行によって
光路が接近し、この交差位置と光出射面７ｂとがほぼ一
致するように、もしくはビーム間の空隙が無くなるよう
に、複屈折光学素子６ａ，６ｂの光学軸の向きおよび長
さを調整する。ここでは長さ２．５ｍｍに設定してい
る。

【００３９】光出射面７ｂから出射したレーザ光ＬＡ，
ＬＢは、約５．８°のビームウォークオフが解消され、
レーザ光ＬＡ、ＬＢはＹ方向に平行に出射する。こうし
て合流したレーザ光ＬＡ、ＬＢは、集光レンズ８により
集光され１つの光ファイバ１０に入射する。

【００４０】光ファイバ１０は、たとえば直径６０μｍ
のコア１１と、コア１１を被覆するクラッド１２とで構
成され、開口数ＮＡ＝０．４である。光ファイバ１０の
光入射端面は、集光レンズ８の集光位置に配置される。

【００４１】こうした構成によって、直交方向で拡がり
角が異なるレーザ光であっても、集光位置で円形で小さ
い集光スポットを実現でき、後段の光学系である光ファ
イバ１０との結合効率を向上できる。また、この構成で
は、偏光回転素子を使用する必要が無く、組立調整が簡
単になり、信頼性や生産性が向上する。

【００４２】図２は本発明の実施の他の形態の構成を示
し、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側面図、図２
（ｃ）は部分斜視図である。全体の構成は図１で説明し
たものと同様であるが、複屈折光学素子６ａ，６ｂと図
１のシリンドリカルレンズ４とを一体化している。

【００４３】複屈折光学素子６ａ，６ｂは、複屈折性の
結晶、たとえばｃ軸に対して４５°の方向に切り出され
たＹＶＯ₄結晶（異常光屈折率ｎｅ＝２．２０、常光屈
折率ｎｏ＝２．０）で形成され、それぞれの光学軸方向
がＸ面に対して対称となるように配置される。

【００４４】複屈折光学素子６ａ，６ｂの互いに対向す
る面は、光学的に研磨した後、光学研磨面同士をオプチ
カルコンタクト（界面に空気層をはさまずを物理的に接
触している状態）で接合し高温下で熱処理することによ
り、原子の相互拡散で接着(Diffusion Bonding法)する
ことができる。

【００４５】このようにして一体化された複屈折光学素
子６ａ，６ｂを所定の長さに切り出し、光出射面７ｂを
光学研磨する。光入射面７ａは、放物曲面もしくはテー
パ面に研磨した後、その先端を球面に研磨する。たとえ
ば、テーパ角度を６０度、先端球面の曲率半径を５０μ
ｍとなるように研磨する。このような研磨を行うことに
より光入射面７ａは図１のシリンドリカルレンズ４と同
様な働きをし、半導体レーザアレイ２からのレーザ光Ｌ
Ａ、ＬＢをＺ方向にコリメートする。

【００４６】複屈折光学素子６ａ，６ｂの光入射面７ａ
および光出射面７ｂは、レーザ光波長に対して全透過と
なるよう無反射コーテイングが施されている。

【００４７】半導体レーザアレイ２は、単一のチップに
複数の発光領域３が、たとえばストライプ幅５０μｍ、
ストライプ間隔５００μｍ、共振器長１ｍｍで形成され
たもので、１つの発光領域が１つの独立した半導体レー
ザとして機能し、横マルチモード発振でそれぞれ出力１
Ｗ程度という大出力のレーザ光を発生する。

【００４８】複屈折光学素子６ａを通過するレーザ光Ｌ
Ａは、プラスＸ軸方向にビームウオークオフが生じて、
レーザ光ＬＢに近付く。複屈折光学素子６ｂを通過する
レーザ光ＬＢは、マイナスＸ軸方向にビームウオークオ
フが生じて、レーザ光ＬＡに近付く。

【００４９】こうして光入射面７ａで一定距離隔ててい
たレーザ光ＬＡ、ＬＢは、レーザ光の斜め進行によって
光路が接近し、この交差位置と光出射面７ｂとがほぼ一
致するように、もしくはビーム間の空隙が無くなるよう
に、複屈折光学素子６ａ，６ｂの光学軸の向きおよび長
さを調整する。ここでは長さ２．５ｍｍに設定してい
る。

【００５０】光出射面７ｂで２つの光ビームＬＡ、ＬＢ
がほぼ一致するように、複屈折光学素子６ａ，６ｂの接
合面は半導体レーザアレイ２における２つの発光領域３
の中央となるように調整される。

【００５１】光出射面７ｂから出射したレーザ光ＬＡ，
ＬＢは、約５．８°のビームウォークオフが解消され、
レーザ光ＬＡ、ＬＢはＹ方向に平行に出射する。こうし
て合流したレーザ光ＬＡ、ＬＢは、集光レンズ８により
集光され１つの光ファイバ１０に入射する。

【００５２】こうした構成によって、直交方向で拡がり
角が異なるレーザ光であっても、集光位置で円形で小さ
い集光スポットを実現でき、後段の光学系である光ファ
イバ１０との結合効率を向上できる。また、この構成で
は、偏光回転素子を使用する必要が無く、組立調整が簡
単になり、信頼性や生産性が向上する。

【００５３】上記の構成では、半導体レーザアレイ２に
おける２つの発光領域３を使用する例を示したが、この
ビーム合成法を多段に拡張すれば２本以上のマルチスト
ライプアレイの合成も可能である。

【００５４】また上記の構成では、２つのレーザ光Ｌ
Ａ、ＬＢについてビームウオークオフを生じさせる例を
示したが、いずれか一方のレーザ光についてビームウオ
ークオフを生じさせて合流させることも可能である。

【００５５】これらの構成によりサブミクロンオーダー
の厚み制御が要求される９０度偏光回転素子を用いずビ
ーム合成器を実現できるため、部品点数が少なく、部品
コスト低減、歩留まり向上、信頼性や生産性が高くな
る。

【００５６】また、９０度偏光回転素子を省くことによ
って、半導体レーザの活性層に平行な方向の拡がり角に
よる９０度偏光の不完全さの影響を回避できる。また、
半導体レーザの発振波長が違う場合でも、ビーム合成を
容易に実現できる。

【００５７】本発明に係る半導体レーザ光源は、高出力
レーザ光を供給できるため、通信ファイバアンプ(EDFA:
Erbium-doped Fiber Amplifier)やファイバレーザの励
起用光源として好適である。

【００５８】

【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、第
１レーザビームが通過する第１複屈折光学素子および第
２レーザビームが通過する第２複屈折光学素子をそれぞ
れ配置し、複屈折光学素子中でのビームウオークオフ効
果を利用して、両者のレーザビームが複屈折光学素子の
出射面で互いに接近もしくは重なるように、第１および
第２複屈折光学素子の光学軸の向きを調整することによ
って、２つのレーザビームを合流させることができる。
その結果、後段に光ファイバを配置した場合、光ファイ
バとの結合効率が向上し、レーザ光の高出力化を達成で
きる。

【００５９】また、従来の構成と比較して光学部品の数
が少なくなり、光利用効率の向上、構成の簡素化が図ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態の構成を示し、図１
（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側面図である。

【図２】本発明の実施の他の形態の構成を示し、図２
（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側面図、図２（ｃ）は部
分斜視図である。

【図３】複屈折光学素子６ａ，６ｂの結晶軸方向の組合
せ例を示す平面図である。

【図４】従来の構成を示し、図４（ａ）は平面図、図４
（ｂ）は部分正面図、図４（ｃ）は光出射側の端面形状
を示す図である。

【符号の説明】

１半導体レーザ光源２半導体レーザアレイ３発光領域４シリンドリカルレンズ６ａ，６ｂ複屈折光学素子７ａ光入射面７ｂ光出射面８集光レンズ１０光ファイバ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】直線偏光の偏光方向が互いに平行な第１
および第２レーザビームをそれぞれ出射する第１および
第２半導体レーザと、第１および第２レーザビームの光路内にそれぞれ配置さ
れ、互いに接合面で接合された第１および第２複屈折光
学素子とを備え、第１および第２レーザビームのうち少なくとも一方が、
複屈折光学素子中でのビームウオークオフによって他方
のレーザビームに近付いて、複屈折光学素子の出射面で
互いに接近もしくは重なるように、第１および第２複屈
折光学素子の光学軸の向きが調整されていることを特徴
とする半導体レーザ光源。
【請求項２】第１および第２複屈折光学素子は、第１
および第２半導体レーザからのレーザビーム伝搬方向に
対して前記接合面が平行になるように配置され、第１および第２複屈折光学素子の光学軸は、接合面に対
してミラー対称となるように配置されていることを特徴
とする請求項１記載の半導体レーザ光源。
【請求項３】第１および第２複屈折光学素子の出射面
からそれぞれ出射したレーザビームを単一ビームに集光
するための集光レンズを備えたことを特徴とする請求項
１または２記載の半導体レーザ光源。
【請求項４】第１および第２半導体レーザの活性層に
対して垂直方向に光をコリメートするためのシリンドリ
カルレンズが、第１および第２半導体レーザと１および
第２複屈折光学素子との間に配置されていることを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ光
源。
【請求項５】第１および第２複屈折光学素子は一体化
されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに
記載の半導体レーザ光源。
【請求項６】前記シリンドリカルレンズは、第１およ
び第２複屈折光学素子と一体的に形成されていることを
特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体レー
ザ光源。