JPH1032464A - 弾性表面波コンボルバ - Google Patents
弾性表面波コンボルバInfo
- Publication number
- JPH1032464A JPH1032464A JP18390796A JP18390796A JPH1032464A JP H1032464 A JPH1032464 A JP H1032464A JP 18390796 A JP18390796 A JP 18390796A JP 18390796 A JP18390796 A JP 18390796A JP H1032464 A JPH1032464 A JP H1032464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- dielectric constant
- convolver
- layer
- acoustic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】表面に二つのトランスデューサと出力電極とを
備えた酸化亜鉛を圧電体層とする弾性表面波（ＳＡＷ）
コンボルバにおいて、出力の増大を図る。 【解決手段】シリコン基板１１上にＴｉＯ2 、ＢａＴｉ
Ｏ3 等の高誘電率層１８を設け、拡散防止用の酸化シリ
コン層１９を介して、圧電体層１２を積層し、その表面
に櫛歯電極対１３、出力電極１４を形成する。
備えた酸化亜鉛を圧電体層とする弾性表面波（ＳＡＷ）
コンボルバにおいて、出力の増大を図る。 【解決手段】シリコン基板１１上にＴｉＯ2 、ＢａＴｉ
Ｏ3 等の高誘電率層１８を設け、拡散防止用の酸化シリ
コン層１９を介して、圧電体層１２を積層し、その表面
に櫛歯電極対１３、出力電極１４を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波デバイ
スの一種である弾性表面波コンボルバに関する。
スの一種である弾性表面波コンボルバに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ローカルエリアネツトワーク（以
下ＬＡＮと略す）の普及とともに、ケーブルを不要とす
る無線ＬＡＮへの要求が高くなってきている。この無線
ＬＡＮは赤外線方式と、スペクトラム拡散通信を利用し
た方式（以下ＳＳ無線と称する）とが検討され、現在標
準化作業がおこなわれている。赤外線方式は、いち早く
業界内で標準化され、低価格システムが市場に出ている
が、指向性が強く、障害物に弱いという欠点がある。一
方、ＳＳ無線のＬＡＮは、原理的にはこの問題を解決で
きるため、大容量伝送方式として期待が持たれている。
ＳＳ無線での直接拡散方式は、信号をＰＮ符号で拡散し
電波にする。このため、あらかじめＰＮ符号を知らなけ
れば信号を復調できないので、秘話性に優れた威力を発
揮する。またノイズに対しても強いという特長も有して
いる。
下ＬＡＮと略す）の普及とともに、ケーブルを不要とす
る無線ＬＡＮへの要求が高くなってきている。この無線
ＬＡＮは赤外線方式と、スペクトラム拡散通信を利用し
た方式（以下ＳＳ無線と称する）とが検討され、現在標
準化作業がおこなわれている。赤外線方式は、いち早く
業界内で標準化され、低価格システムが市場に出ている
が、指向性が強く、障害物に弱いという欠点がある。一
方、ＳＳ無線のＬＡＮは、原理的にはこの問題を解決で
きるため、大容量伝送方式として期待が持たれている。
ＳＳ無線での直接拡散方式は、信号をＰＮ符号で拡散し
電波にする。このため、あらかじめＰＮ符号を知らなけ
れば信号を復調できないので、秘話性に優れた威力を発
揮する。またノイズに対しても強いという特長も有して
いる。
【０００３】ＳＳ無線での信号の復調は、ＰＮ符号を拡
散信号に掛け合わせることでおこなわれるため、ＳＳ無
線では、復調部が非常に重要な箇所になる。復調部の同
期捕獲に用いられたデバイスは弾性表面波（Surface Ac
oustic Wave 、以下ＳＡＷと記す）コンボルバ、ＳＡＷ
マッチドフィルタと、デジタルマッチドフィルタとが使
用されている。この中で、ＳＡＷコンボルバは、プログ
ラム性（多数のＰＮ符号に対して復調が可能）てあるこ
とから、将来的に有望なデバイスであると考えられてい
る。
散信号に掛け合わせることでおこなわれるため、ＳＳ無
線では、復調部が非常に重要な箇所になる。復調部の同
期捕獲に用いられたデバイスは弾性表面波（Surface Ac
oustic Wave 、以下ＳＡＷと記す）コンボルバ、ＳＡＷ
マッチドフィルタと、デジタルマッチドフィルタとが使
用されている。この中で、ＳＡＷコンボルバは、プログ
ラム性（多数のＰＮ符号に対して復調が可能）てあるこ
とから、将来的に有望なデバイスであると考えられてい
る。
【０００４】図３に典型的なＳＡＷコンボルバの斜視図
を示す。図において、２はシリコン基板１上に形成した
圧電体層、３ａ、３ｂは圧電体層２の表面の左右に配し
て弾性表面波を励振する２つのトランスデューサとなる
櫛歯電極対、４はトランスデューサの中間に配した出力
電極であり、前記櫛歯電極対（すだれ状電極とも称され
る）３ａ、３ｂは、各一対の櫛歯がかみ合わされた形
で、出力電極４とともにフォトリソグラフィ技術により
形成される。
を示す。図において、２はシリコン基板１上に形成した
圧電体層、３ａ、３ｂは圧電体層２の表面の左右に配し
て弾性表面波を励振する２つのトランスデューサとなる
櫛歯電極対、４はトランスデューサの中間に配した出力
電極であり、前記櫛歯電極対（すだれ状電極とも称され
る）３ａ、３ｂは、各一対の櫛歯がかみ合わされた形
で、出力電極４とともにフォトリソグラフィ技術により
形成される。
【０００５】左側の櫛歯電極対３ａに、入力信号５が印
加され、右側の櫛歯電極対３ｂに参照信号６が印加され
るとき、入力信号５および参照信号６により、励起され
たＳＡＷは、圧電体層２中を伝搬し、出力電極４上で重
なり合う。そして、波の掛け算成分が出力電極４から出
力信号として出力される。以上がＳＡＷコンボルバの基
本的な動作である。圧電体層２の代わりに、圧電体単結
晶基板を使用することもできる。
加され、右側の櫛歯電極対３ｂに参照信号６が印加され
るとき、入力信号５および参照信号６により、励起され
たＳＡＷは、圧電体層２中を伝搬し、出力電極４上で重
なり合う。そして、波の掛け算成分が出力電極４から出
力信号として出力される。以上がＳＡＷコンボルバの基
本的な動作である。圧電体層２の代わりに、圧電体単結
晶基板を使用することもできる。
【０００６】図４は、前記のようなＳＡＷコンボルバ
を、ＳＳ無線に適用する場合の信号処理回路を表す図で
ある。ＳＡＷコンボルバは、掛け算成分の検出にＳＡＷ
の非線型成分を用いるために得られる出力信号が小さ
い。このため、出力側にはＳＡＷコンボルバの微弱な出
力信号を増幅する高周波増幅器（ＩＣ）を接続してい
る。
を、ＳＳ無線に適用する場合の信号処理回路を表す図で
ある。ＳＡＷコンボルバは、掛け算成分の検出にＳＡＷ
の非線型成分を用いるために得られる出力信号が小さ
い。このため、出力側にはＳＡＷコンボルバの微弱な出
力信号を増幅する高周波増幅器（ＩＣ）を接続してい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記したＳＡＷコンボ
ルバは、圧電体を伝播するＳＡＷの非線型効果を利用し
て信号処理をおこなうものであり、大きな表面波パワー
を必要とすることから、従来構成のままではその極めて
小さな信号しか得られず、一般には図４に示したように
ＳＡＷコンボルバの出力側に高周波増幅器を接続して出
力信号を増幅するような使い方をしている。
ルバは、圧電体を伝播するＳＡＷの非線型効果を利用し
て信号処理をおこなうものであり、大きな表面波パワー
を必要とすることから、従来構成のままではその極めて
小さな信号しか得られず、一般には図４に示したように
ＳＡＷコンボルバの出力側に高周波増幅器を接続して出
力信号を増幅するような使い方をしている。
【０００８】しかしながら、高周波増幅器（ＩＣ）は高
価であるのみならず、その外形寸法はＳＡＷコンボルバ
に比べて非常に大きく、このことがコンボルバを用いた
システムの低価格、低消費電力、小型化を推進する上で
大きなネックとなっている。従って、この観点からでき
るだけ大きな出力信号の得られるＳＡＷコンボルバを製
作することが重要課題となっている。
価であるのみならず、その外形寸法はＳＡＷコンボルバ
に比べて非常に大きく、このことがコンボルバを用いた
システムの低価格、低消費電力、小型化を推進する上で
大きなネックとなっている。従って、この観点からでき
るだけ大きな出力信号の得られるＳＡＷコンボルバを製
作することが重要課題となっている。
【０００９】本発明は上記の点に鑑み成されたものであ
り、その目的は増幅のための周辺回路を必要としない高
出力の得られるＳＡＷコンボルバを提供することにあ
る。
り、その目的は増幅のための周辺回路を必要としない高
出力の得られるＳＡＷコンボルバを提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】コンボリューション信号
の表式は、一般に複雑であるが、低周波数における横コ
ンボリューションは、次式で与えられる。
の表式は、一般に複雑であるが、低周波数における横コ
ンボリューションは、次式で与えられる。
【００１１】
【数１】Vx (2ω,0) ＝−( εs /6n0e)(E1 + E1 - ) ここで、E1 +、 E1 - は左右から伝搬してきた表面波に
伴う一次の電界で、εs、n0はそれぞれ基板の比誘電
率、キャリア密度である。出力信号を大きくするため
に、キャリア密度n0の小さな層を基板に設けることが実
施されている。しかしこの方法では、十分に大きな出力
が得られていない。
伴う一次の電界で、εs、n0はそれぞれ基板の比誘電
率、キャリア密度である。出力信号を大きくするため
に、キャリア密度n0の小さな層を基板に設けることが実
施されている。しかしこの方法では、十分に大きな出力
が得られていない。
【００１２】通常、圧電体に酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜を用
いた高出力のコンボルバでは、シリコン基板が使用され
ている。これは、シリコン基板の音速が大きいため、レ
イリー波の高次モードであるセザワ波が励起できるため
と、電界により空乏層を広げることができるためであ
る。セザワ波を使用する理由は、電気機械結合係数が大
きいこと、更に音速が大きいことが挙げられる。しか
し、シリコン基板の誘電率はそれ程大きくない。
いた高出力のコンボルバでは、シリコン基板が使用され
ている。これは、シリコン基板の音速が大きいため、レ
イリー波の高次モードであるセザワ波が励起できるため
と、電界により空乏層を広げることができるためであ
る。セザワ波を使用する理由は、電気機械結合係数が大
きいこと、更に音速が大きいことが挙げられる。しか
し、シリコン基板の誘電率はそれ程大きくない。
【００１３】そこで本発明は、さらに大きなコンボリュ
ーション出力を得るために、上式のεs に着目し、比誘
電率εs の大きな物質をコンボルバの構成要素にするこ
とで、出力増大を図るものである。すなわち、本発明
は、圧電体層の表面に、弾性表面波を励振する２組のト
ランスデューサと、その中間に配して弾性表面波のコン
ボリューション出力を電気信号として取り出す出力電極
とを備え、反対方向から伝播する二つの弾性表面波の非
線型相互作用によって信号処理をおこなう弾性表面波コ
ンボルバにおいて、前記圧電体層の下に、シリコンより
誘電率の高い高誘電率層を設けるものとする。
ーション出力を得るために、上式のεs に着目し、比誘
電率εs の大きな物質をコンボルバの構成要素にするこ
とで、出力増大を図るものである。すなわち、本発明
は、圧電体層の表面に、弾性表面波を励振する２組のト
ランスデューサと、その中間に配して弾性表面波のコン
ボリューション出力を電気信号として取り出す出力電極
とを備え、反対方向から伝播する二つの弾性表面波の非
線型相互作用によって信号処理をおこなう弾性表面波コ
ンボルバにおいて、前記圧電体層の下に、シリコンより
誘電率の高い高誘電率層を設けるものとする。
【００１４】表１に、高誘電率材料の比誘電率とシリコ
ン基板のそれとを載せた。
ン基板のそれとを載せた。
【００１５】
【表１】 高誘電率層を圧電体層と基板との間に設けても、或い
は、高誘電率基板を用いてもよい。
は、高誘電率基板を用いてもよい。
【００１６】前者の方法では、音速の速い基板上に素子
を作製するため、セザワ波を励起でき、電気機械結合係
数も大きくなるため、更に高出力のコンボルバが作製で
きる。また、後者では、基板自体の音速が小さい場合に
はセザワ波が励起できないが、比較的簡単に素子が製作
できる利点を持つ。何れの場合でも上式から高出力のコ
ンボルバが得られる。
を作製するため、セザワ波を励起でき、電気機械結合係
数も大きくなるため、更に高出力のコンボルバが作製で
きる。また、後者では、基板自体の音速が小さい場合に
はセザワ波が励起できないが、比較的簡単に素子が製作
できる利点を持つ。何れの場合でも上式から高出力のコ
ンボルバが得られる。
【００１７】表１に記したような高誘電率物質を、それ
ぞれ薄膜形成のしやすさ、或いは単結晶基板の製作のし
易さにより、二つの方法で使いわける。すなわち、薄膜
形成のしやすい、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、チタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ3 ）、チタン酸ビスマス（Ｂｉ4 Ｔ
ｉ3 Ｏ12）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ
Ｏ3 ）、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢａX Ｓｒ
1-X ＴｉＯ3 （０＜Ｘ＜１））、ニオブ酸ストロンチウ
ムバリウム（（Ｓｒ0.75Ｂａ0.25）Ｎｂ2Ｏ6)のいずれ
かを高誘電率層としてもつ弾性表面波コンボルバ、或い
は単結晶基板の製作のし易い酸化チタン、チタン酸バリ
ウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウム、チ
タン酸バリウムストロンチウム、ニオブ酸ストロンチウ
ムバリウムのいずれかを高誘電率基板としてもつ弾性表
面波コンボルバとする。
ぞれ薄膜形成のしやすさ、或いは単結晶基板の製作のし
易さにより、二つの方法で使いわける。すなわち、薄膜
形成のしやすい、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、チタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ3 ）、チタン酸ビスマス（Ｂｉ4 Ｔ
ｉ3 Ｏ12）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ
Ｏ3 ）、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢａX Ｓｒ
1-X ＴｉＯ3 （０＜Ｘ＜１））、ニオブ酸ストロンチウ
ムバリウム（（Ｓｒ0.75Ｂａ0.25）Ｎｂ2Ｏ6)のいずれ
かを高誘電率層としてもつ弾性表面波コンボルバ、或い
は単結晶基板の製作のし易い酸化チタン、チタン酸バリ
ウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウム、チ
タン酸バリウムストロンチウム、ニオブ酸ストロンチウ
ムバリウムのいずれかを高誘電率基板としてもつ弾性表
面波コンボルバとする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、前項で述べた各種形態別に
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 ［実施例１］図１は、本発明第一の実施例のＳＡＷコン
ボルバの断面図である。シリコンの基板１１上に高誘電
率層１８として厚さ３μｍのチタン酸ストロンチウム
（ＳｒＴｉＯ3 ）があり、その上に拡散防止用の薄い酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）層１９を介して厚さ６μｍのＺ
ｎＯの圧電体層１２が積層されている。そしてその圧電
体層１２の表面には、二つの櫛歯電極対１３ａ、１３ｂ
と出力電極１４が形成されている。
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 ［実施例１］図１は、本発明第一の実施例のＳＡＷコン
ボルバの断面図である。シリコンの基板１１上に高誘電
率層１８として厚さ３μｍのチタン酸ストロンチウム
（ＳｒＴｉＯ3 ）があり、その上に拡散防止用の薄い酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）層１９を介して厚さ６μｍのＺ
ｎＯの圧電体層１２が積層されている。そしてその圧電
体層１２の表面には、二つの櫛歯電極対１３ａ、１３ｂ
と出力電極１４が形成されている。
【００１９】高誘電率層１８、ＳｉＯ2 層１９、圧電体
層１２はいずれも高周波スパッタ法により堆積した。Ｚ
ｎＯの圧電体層１２は、ＳｉＯ2 層１９の上でもよいｃ
軸配向性を示した。また、櫛歯電極対１３ａ、１３ｂと
出力電極１４は、アルミニウム合金を高周波スパッタ法
により堆積した後、通常のフォトリソグラフィ技術によ
り形成した。
層１２はいずれも高周波スパッタ法により堆積した。Ｚ
ｎＯの圧電体層１２は、ＳｉＯ2 層１９の上でもよいｃ
軸配向性を示した。また、櫛歯電極対１３ａ、１３ｂと
出力電極１４は、アルミニウム合金を高周波スパッタ法
により堆積した後、通常のフォトリソグラフィ技術によ
り形成した。
【００２０】上記の構成のＳＡＷコンボルバについて発
明者等が評価をおこなった。その結果、レイリー波の高
調波であるセザワ波が伝搬していることを確認した。こ
のＳＡＷコンボルバの両側の櫛歯電極対１３ａ、１３ｂ
に、２００ＭＨｚの入力信号および参照信号を印加し、
４００ＭＨｚのコンボリューション信号を測定したとこ
ろ、高誘電率層１８の無いＳＡＷコンボルバに比べて出
力信号が最高で２０ｄＢ向上することを確認した。
明者等が評価をおこなった。その結果、レイリー波の高
調波であるセザワ波が伝搬していることを確認した。こ
のＳＡＷコンボルバの両側の櫛歯電極対１３ａ、１３ｂ
に、２００ＭＨｚの入力信号および参照信号を印加し、
４００ＭＨｚのコンボリューション信号を測定したとこ
ろ、高誘電率層１８の無いＳＡＷコンボルバに比べて出
力信号が最高で２０ｄＢ向上することを確認した。
【００２１】この例では、音速の速い（５８４３ｍ・ｓ
-1）シリコン基板上に素子を作製したため、セザワ波を
励起でき、電気機械結合係数も大きくなっていて、特に
高出力のコンボルバが作製できるのである。実施例１で
は高誘電率層１８の厚さを３μｍとしたが、ＳｉＯ2 層
１９の下の空乏層が広がる範囲は１〜数μｍと考えられ
るので、その程度以上の厚さが望ましい。しかし、それ
以下でも高誘電率層１８を設けた効果はある。
-1）シリコン基板上に素子を作製したため、セザワ波を
励起でき、電気機械結合係数も大きくなっていて、特に
高出力のコンボルバが作製できるのである。実施例１で
は高誘電率層１８の厚さを３μｍとしたが、ＳｉＯ2 層
１９の下の空乏層が広がる範囲は１〜数μｍと考えられ
るので、その程度以上の厚さが望ましい。しかし、それ
以下でも高誘電率層１８を設けた効果はある。
【００２２】なお、高誘電率層として、表１中の他の材
料を堆積しても同様の効果を得ることができる。 ［実施例２］図２は、本発明第二の実施例のＳＡＷコン
ボルバの断面図である。図１の実施例１との違いは、高
誘電率基板２８として単結晶のＳｒＴｉＯ3 を用いた点
である。その高誘電率基板２８上にＳｉＯ2 膜２９を堆
積させて、更に圧電体層２２としてＺｎＯを所定の厚さ
に成膜し、その表面上に、実施例１と同様の櫛歯電極対
２３ａ、２３ｂと出力電極２４が形成されている。
料を堆積しても同様の効果を得ることができる。 ［実施例２］図２は、本発明第二の実施例のＳＡＷコン
ボルバの断面図である。図１の実施例１との違いは、高
誘電率基板２８として単結晶のＳｒＴｉＯ3 を用いた点
である。その高誘電率基板２８上にＳｉＯ2 膜２９を堆
積させて、更に圧電体層２２としてＺｎＯを所定の厚さ
に成膜し、その表面上に、実施例１と同様の櫛歯電極対
２３ａ、２３ｂと出力電極２４が形成されている。
【００２３】ＳｉＯ2 膜２９、圧電体層２２は実施例１
と同様に高周波スパッタ法により堆積し、各電極も同様
に形成した。この実施例２の場合は、単結晶の高誘電率
基板２８の音速が遅いため、セザワ波ではなくレイリー
波が励起した。得られたコンボルバ出力は、シリコンを
基板としたＳＡＷコンボルバに比べて最高２０ｄＢ上昇
した。
と同様に高周波スパッタ法により堆積し、各電極も同様
に形成した。この実施例２の場合は、単結晶の高誘電率
基板２８の音速が遅いため、セザワ波ではなくレイリー
波が励起した。得られたコンボルバ出力は、シリコンを
基板としたＳＡＷコンボルバに比べて最高２０ｄＢ上昇
した。
【００２４】この例では、比較的簡単に製作できる利点
がある。なお、表１中に示した高誘電率層を堆積して
も、同様の効果を得ることができる。
がある。なお、表１中に示した高誘電率層を堆積して
も、同様の効果を得ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、表面に櫛
歯電極対および出力電極を備えたＺｎＯからなる圧電体
層を有するＳＡＷコンボルバにおいて、圧電体層の下に
酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ3 ）、チタン酸ビスマス（Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12）、チタ
ン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）、チタン酸バリウ
ムストロンチウム（ＢａX Ｓｒ1-X ＴｉＯ3 （０＜Ｘ＜
１））、ニオブ酸ストロンチウムバリウム（( Ｓｒ0.75
Ｂａ0.25) Ｎｂ2 Ｏ6)等の高誘電率層を設けることによ
り、コンボルバの出力が増大し、それに伴う増幅回路の
負担が小さくなつたことから、低価格、低消費電力、小
型軽量のＳＳ無線システムが構築できるようになった。
歯電極対および出力電極を備えたＺｎＯからなる圧電体
層を有するＳＡＷコンボルバにおいて、圧電体層の下に
酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ3 ）、チタン酸ビスマス（Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12）、チタ
ン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）、チタン酸バリウ
ムストロンチウム（ＢａX Ｓｒ1-X ＴｉＯ3 （０＜Ｘ＜
１））、ニオブ酸ストロンチウムバリウム（( Ｓｒ0.75
Ｂａ0.25) Ｎｂ2 Ｏ6)等の高誘電率層を設けることによ
り、コンボルバの出力が増大し、それに伴う増幅回路の
負担が小さくなつたことから、低価格、低消費電力、小
型軽量のＳＳ無線システムが構築できるようになった。
【００２６】高誘電率層を設ける方法として、圧電体層
と基板との間に設けても、高誘電率基板を用いてもよ
い。特に後者の方法では比較的簡単に素子が製作できる
利点を持つ。
と基板との間に設けても、高誘電率基板を用いてもよ
い。特に後者の方法では比較的簡単に素子が製作できる
利点を持つ。
【図１】本発明第一の実施例のＳＡＷコンボルバの断面
図
図
【図２】本発明第二の実施例のＳＡＷコンボルバの断面
図
図
【図３】従来のＳＡＷコンボルバの斜視図
【図４】ＳＡＷコンボルバを使った簡単なシステム構成
図
図
１、１１ 基板 ２、１２、２２ 圧電体層 ３ａ、３ｂ、１３、２３ 櫛歯電極対 ４、１４、２４ 出力電極 ５ 入力信号 ６ 参照信号 ７ 出力信号 １８ 高誘電率層 １９、２９ ＳｉＯ2 層 ２８ 高誘電率基板
Claims (5)
- 【請求項１】ＺｎＯからなる圧電体層の表面に、弾性表
面波を励振する２つのトランスデューサと、その中間に
配して弾性表面波のコンボリューション出力を電気信号
として取り出す出力電極とを備え、反対方向から伝播す
る二つの弾性表面波の非線型相互作用によって信号処理
をおこなう弾性表面波コンボルバにおいて、前記圧電体
層の下に、シリコンより誘電率の高い高誘電率層を設け
ることを特徴とする弾性表面波コンボルバ。 - 【請求項２】圧電体層が、高誘電率層を介して基板上に
形成されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表
面波コンボルバ。 - 【請求項３】圧電体層が、高誘電率基板上に形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波コンボ
ルバ。 - 【請求項４】高誘電率層が、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）、チタン酸ビスマス
（Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12）、チタン酸ストロンチウム（Ｓｒ
ＴｉＯ3 ）、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢａX
Ｓｒ1-X ＴｉＯ3 （０＜Ｘ＜１））、ニオブ酸ストロン
チウムバリウム（( Ｓｒ0.75Ｂａ0.25) Ｎｂ2 Ｏ6)のい
ずれかであることを特徴とする請求項２記載の弾性表面
波コンボルバ。 - 【請求項５】高誘電率基板が、酸化チタン、チタン酸バ
リウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウム、
チタン酸バリウムストロンチウム、ニオブ酸ストロンチ
ウムバリウムのいずれかであることを特徴とする請求項
３記載の弾性表面波コンボルバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18390796A JPH1032464A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 弾性表面波コンボルバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18390796A JPH1032464A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 弾性表面波コンボルバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032464A true JPH1032464A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16143909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18390796A Pending JPH1032464A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 弾性表面波コンボルバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1032464A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6538359B1 (en) | 1999-03-24 | 2003-03-25 | Yamaha Corporation | Surface acoustic wave device |
| KR100483340B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-04-15 | 쌍신전자통신주식회사 | 체적탄성파 소자 및 그 제조방법 |
| US7504760B2 (en) * | 2004-10-08 | 2009-03-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave element and method of manufacturing the same |
| JPWO2013073472A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2015-04-02 | 株式会社村田製作所 | チューナブル弾性波装置 |
| JPWO2018163841A1 (ja) * | 2017-03-09 | 2019-11-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
-
1996
- 1996-07-15 JP JP18390796A patent/JPH1032464A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6538359B1 (en) | 1999-03-24 | 2003-03-25 | Yamaha Corporation | Surface acoustic wave device |
| KR100483340B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-04-15 | 쌍신전자통신주식회사 | 체적탄성파 소자 및 그 제조방법 |
| US7504760B2 (en) * | 2004-10-08 | 2009-03-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave element and method of manufacturing the same |
| JPWO2013073472A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2015-04-02 | 株式会社村田製作所 | チューナブル弾性波装置 |
| JPWO2018163841A1 (ja) * | 2017-03-09 | 2019-11-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3390537B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| EP0920129B1 (en) | Elastic boundary wave device and method of its manufacture | |
| JP4654220B2 (ja) | 圧電共振子を含むフィルタ構造 | |
| JP4535067B2 (ja) | 弾性境界波装置の製造方法及び弾性境界波装置 | |
| EP0810726B1 (en) | Elastic surface wave functional device and electronic circuit using the element | |
| JP2003536341A (ja) | バルク音響波装置 | |
| CN111193485B (zh) | 具有粗糙面的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| WO2022094743A1 (zh) | 谐振器、滤波器及电子设备 | |
| JP3155639B2 (ja) | 弾性表面波共振子およびその製造方法 | |
| US5287036A (en) | Method and apparatus for acoustic wave inductance | |
| JPH1032464A (ja) | 弾性表面波コンボルバ | |
| JP4055885B2 (ja) | 圧電薄膜振動素子、及びこれを用いたフィルタ | |
| US4065734A (en) | Elastic surface wave devices | |
| JP5757339B2 (ja) | チューナブル弾性波装置 | |
| JPH0230594B2 (ja) | ||
| JP2001024471A (ja) | 弾性表面波共振子および弾性表面波フィルタ | |
| JP3194784B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| US6784763B2 (en) | Longitudinally coupled multi-mode piezoelectric bulk wave filter and electronic components using the same | |
| JPH09162697A (ja) | 弾性表面波コンボルバ | |
| JP3301901B2 (ja) | 圧電共振子 | |
| JPH0281511A (ja) | 表面弾性波多重モードフィルタ | |
| JP3936394B2 (ja) | 弾性表面波機能素子及びそれを用いた電子回路 | |
| JP2625520B2 (ja) | 弾性表面波コンボルバの製造方法 | |
| JP3191551B2 (ja) | 圧電共振子 | |
| JP2881251B2 (ja) | 圧電共振子 |