JPH10321780A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH10321780A JPH10321780A JP12676597A JP12676597A JPH10321780A JP H10321780 A JPH10321780 A JP H10321780A JP 12676597 A JP12676597 A JP 12676597A JP 12676597 A JP12676597 A JP 12676597A JP H10321780 A JPH10321780 A JP H10321780A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- semiconductor chip
- surface side
- radiator
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の上方から冷却媒体を送風する場
合、空間領域９Ａには冷却媒体が供給されず、空間領域
９Ａにおける冷却がなされないので、半導体装置の冷却
効果が低下する。 【解決手段】 配線基板１と、前記配線基板１の実装面
上にフェイスダウン方式で実装される半導体チップ２
と、前記半導体チップ２の平面サイズに比べて大きい平
面サイズで形成され、かつ前記半導体チップ２の裏面に
固定される放熱体３とを有する半導体装置であって、前
記放熱体３のチップ固定面側の第１空間領域９Ａと、そ
の反対面側の第２空間領域９Ｂとが通路８を介して連結
されている。前記第１空間領域９Ａは、前記配線基板
１、半導体チップ２、放熱体３の夫々で規定されてい
る。前記通路８は、前記放熱体３に形成された貫通孔８
Ａ又は切り込み部８Ｂで構成されている。
合、空間領域９Ａには冷却媒体が供給されず、空間領域
９Ａにおける冷却がなされないので、半導体装置の冷却
効果が低下する。 【解決手段】 配線基板１と、前記配線基板１の実装面
上にフェイスダウン方式で実装される半導体チップ２
と、前記半導体チップ２の平面サイズに比べて大きい平
面サイズで形成され、かつ前記半導体チップ２の裏面に
固定される放熱体３とを有する半導体装置であって、前
記放熱体３のチップ固定面側の第１空間領域９Ａと、そ
の反対面側の第２空間領域９Ｂとが通路８を介して連結
されている。前記第１空間領域９Ａは、前記配線基板
１、半導体チップ２、放熱体３の夫々で規定されてい
る。前記通路８は、前記放熱体３に形成された貫通孔８
Ａ又は切り込み部８Ｂで構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、放熱体を有する半導体装置に適用して有効な
技術に関するものである。
し、特に、放熱体を有する半導体装置に適用して有効な
技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】配線基板の実装面上にフェースダウン方
式で半導体チップを実装し、この半導体チップの裏面に
放熱体を固定した構造の半導体装置が開発されている。
この半導体装置は、パーソナルコンピュータ等の情報処
理装置に組み込まれ、その上方に位置する冷却用ファン
から送風された冷却媒体(例えば空気)によって冷却され
る。この種の半導体装置については、例えば、特開昭５
７−７８１５８号公報に記載されている。
式で半導体チップを実装し、この半導体チップの裏面に
放熱体を固定した構造の半導体装置が開発されている。
この半導体装置は、パーソナルコンピュータ等の情報処
理装置に組み込まれ、その上方に位置する冷却用ファン
から送風された冷却媒体(例えば空気)によって冷却され
る。この種の半導体装置については、例えば、特開昭５
７−７８１５８号公報に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記半導体装置におい
て、放熱体は半導体チップの平面サイズに比べて大きい
平面サイズで形成されているので、放熱体のチップ固定
面側には空間領域が存在している。空間領域には気体が
滞留し、この気体にも半導体チップの熱が伝達される
が、空間領域は放熱体で覆われているので、半導体装置
の上方から冷却媒体を送風する場合、空間領域には冷却
媒体が供給されない。このため、空間領域における冷却
がなされないので、これに相当する分、半導体装置の冷
却効果が低下する。
て、放熱体は半導体チップの平面サイズに比べて大きい
平面サイズで形成されているので、放熱体のチップ固定
面側には空間領域が存在している。空間領域には気体が
滞留し、この気体にも半導体チップの熱が伝達される
が、空間領域は放熱体で覆われているので、半導体装置
の上方から冷却媒体を送風する場合、空間領域には冷却
媒体が供給されない。このため、空間領域における冷却
がなされないので、これに相当する分、半導体装置の冷
却効果が低下する。
【０００４】本発明の目的は、半導体装置の冷却効果を
高めることが可能な技術を提供することにある。
高めることが可能な技術を提供することにある。
【０００５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０００７】配線基板と、前記配線基板の実装面上にフ
ェイスダウン方式で実装される半導体チップと、前記半
導体チップの平面サイズに比べて大きい平面サイズで形
成され、かつ前記半導体チップの裏面に固定される放熱
体とを有する半導体装置であって、前記放熱体のチップ
固定面側の第１空間領域と、その反対面側の第２空間領
域とが通路を介して連結されている。前記第１空間領域
は、前記配線基板、半導体チップ、放熱体の夫々で規定
されている。前記通路は、前記放熱体に形成された貫通
孔又は切り込み部で構成されている。
ェイスダウン方式で実装される半導体チップと、前記半
導体チップの平面サイズに比べて大きい平面サイズで形
成され、かつ前記半導体チップの裏面に固定される放熱
体とを有する半導体装置であって、前記放熱体のチップ
固定面側の第１空間領域と、その反対面側の第２空間領
域とが通路を介して連結されている。前記第１空間領域
は、前記配線基板、半導体チップ、放熱体の夫々で規定
されている。前記通路は、前記放熱体に形成された貫通
孔又は切り込み部で構成されている。
【０００８】上述した手段によれば、半導体装置の上方
から冷却媒体を送風する際、冷却媒体の一部は通路を通
して第１空間領域に供給され、第１空間領域においても
冷却がなされるので、これに相当する分、半導体装置の
冷却効果を高めることができる。
から冷却媒体を送風する際、冷却媒体の一部は通路を通
して第１空間領域に供給され、第１空間領域においても
冷却がなされるので、これに相当する分、半導体装置の
冷却効果を高めることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１０】なお、発明の実施の形態を説明するための
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１１】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１である半導体装置の模式平面図であり、図２は、図１
に示すＡ−Ａ線の位置で切った模式断面図である。
１である半導体装置の模式平面図であり、図２は、図１
に示すＡ−Ａ線の位置で切った模式断面図である。
【００１２】図２に示すように、本実施形態の半導体装
置は、配線基板１の実装面上にフェイスダウン方式で半
導体チップ２を実装し、この半導体チップ２の裏面に放
熱体を固定した構造で構成されている。
置は、配線基板１の実装面上にフェイスダウン方式で半
導体チップ２を実装し、この半導体チップ２の裏面に放
熱体を固定した構造で構成されている。
【００１３】前記配線基板１は、例えば多層配線構造で
構成されている。この配線基板１は、例えばガラス繊維
にエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を含浸させた樹脂基
板で構成されている。配線基板１の実装面には複数の電
極パッド１Ａが配置されている。また、配線基板１の実
装面と対向するその裏面には、複数の電極パッド１Ｂが
配置されている。この電極パッド１Ａ、電極パッド１Ｂ
の夫々は、詳細に図示してないが、配線基板１の内部配
線を介して電気的に接続されている。
構成されている。この配線基板１は、例えばガラス繊維
にエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を含浸させた樹脂基
板で構成されている。配線基板１の実装面には複数の電
極パッド１Ａが配置されている。また、配線基板１の実
装面と対向するその裏面には、複数の電極パッド１Ｂが
配置されている。この電極パッド１Ａ、電極パッド１Ｂ
の夫々は、詳細に図示してないが、配線基板１の内部配
線を介して電気的に接続されている。
【００１４】前記半導体チップ２は、例えば単結晶珪素
基板を主体に構成されている。この半導体チップ２に
は、例えば論理回路システム、記憶回路システム、或は
それらの混合回路システムが塔載され、その主面側(素
子形成面側)には複数の電極パッド２Ａが配置されてい
る。複数の電極パッド２Ａの夫々は、半導体チップ２に
塔載された回路システムと電気的に接続されている。
基板を主体に構成されている。この半導体チップ２に
は、例えば論理回路システム、記憶回路システム、或は
それらの混合回路システムが塔載され、その主面側(素
子形成面側)には複数の電極パッド２Ａが配置されてい
る。複数の電極パッド２Ａの夫々は、半導体チップ２に
塔載された回路システムと電気的に接続されている。
【００１５】前記配線基板１の実装面の電極パッド１
Ａ、前記半導体チップ２の主面の電極パッド２Ａの夫々
は、それらの間に介在されたバンプ電極４で固着され、
電気的にかつ機械的に接続されている。バンプ電極４
は、例えば、３［重量％］Ａｇ−９７［重量％］Ｓｎ組
成の合金材で形成されている。
Ａ、前記半導体チップ２の主面の電極パッド２Ａの夫々
は、それらの間に介在されたバンプ電極４で固着され、
電気的にかつ機械的に接続されている。バンプ電極４
は、例えば、３［重量％］Ａｇ−９７［重量％］Ｓｎ組
成の合金材で形成されている。
【００１６】前記配線基板１と半導体チップ２との間の
間隙領域には、樹脂５が充填されている。この樹脂５
は、例えば、シリカ充填剤、硬化促進剤、カップリング
剤等を添加したエポキシ系熱硬化樹脂で形成されてい
る。
間隙領域には、樹脂５が充填されている。この樹脂５
は、例えば、シリカ充填剤、硬化促進剤、カップリング
剤等を添加したエポキシ系熱硬化樹脂で形成されてい
る。
【００１７】前記配線基板１の裏面の電極パッド１Ｂに
はバンプ電極６が固着されている。バンプ電極６は、例
えば３７［重量％］Ｐｂ−６３［重量％］Ｓｎ組成の合
金材で形成されている。つまり、本実施形態の半導体装
置は、配線基板１の裏面にバンプ電極６を設けたＢＧＡ
(Ｂall Ｇrid Ａrray)構造で構成されている。
はバンプ電極６が固着されている。バンプ電極６は、例
えば３７［重量％］Ｐｂ−６３［重量％］Ｓｎ組成の合
金材で形成されている。つまり、本実施形態の半導体装
置は、配線基板１の裏面にバンプ電極６を設けたＢＧＡ
(Ｂall Ｇrid Ａrray)構造で構成されている。
【００１８】前記放熱体３は、熱伝導率が高い材料、例
えば窒化アルミニウム材で形成されている。この放熱体
３は、これに限定されないが、例えば接着層７を介在し
て半導体チップ２の裏面に接着固定されている。接着層
７は、熱伝導率が高い材料、例えば半田材で形成されて
いる。
えば窒化アルミニウム材で形成されている。この放熱体
３は、これに限定されないが、例えば接着層７を介在し
て半導体チップ２の裏面に接着固定されている。接着層
７は、熱伝導率が高い材料、例えば半田材で形成されて
いる。
【００１９】前記放熱体３は、図２及び図１に示すよう
に、半導体チップ２の平面サイズに比べて大きい平面サ
イズで形成されている。従って、放熱体３のチップ固定
面側には、配線基板１、半導体チップ２、放熱体３の夫
々で規定された空間領域９Ａが存在している。
に、半導体チップ２の平面サイズに比べて大きい平面サ
イズで形成されている。従って、放熱体３のチップ固定
面側には、配線基板１、半導体チップ２、放熱体３の夫
々で規定された空間領域９Ａが存在している。
【００２０】前記放熱体３のチップ固定面側と対向する
その反対面側には複数の放熱フィン３Ｃが配置されてい
る。つまり、本実施形態の放熱体３は、複数の放熱フィ
ン３Ｃを有するフィン付構造で構成されている。
その反対面側には複数の放熱フィン３Ｃが配置されてい
る。つまり、本実施形態の放熱体３は、複数の放熱フィ
ン３Ｃを有するフィン付構造で構成されている。
【００２１】前記放熱体３のチップ固定面側の空間領域
９Ａと、その反対面側の空間領域９Ｂは、通路８を介し
て互いに連結されている。本実施形態の通路８は、放熱
体３に形成された貫通孔８Ａで構成されている。通路８
は、空間領域９Ａと対向する放熱体３の部分において複
数個設けられている。貫通孔８Ａは平面形状が方形状で
形成されている。
９Ａと、その反対面側の空間領域９Ｂは、通路８を介し
て互いに連結されている。本実施形態の通路８は、放熱
体３に形成された貫通孔８Ａで構成されている。通路８
は、空間領域９Ａと対向する放熱体３の部分において複
数個設けられている。貫通孔８Ａは平面形状が方形状で
形成されている。
【００２２】このように構成された半導体装置は、図３
（冷却方法を説明するための概略構成図）に示すよう
に、実装基板１０の実装面上に実装され、パーソナルコ
ンピュータ等の情報処理装置に組み込まれる。情報処理
装置に組み込まれた半導体装置は、その上方に位置する
冷却用ファン１１から送風された冷却媒体によって冷却
される。冷却媒体としては例えば空気が用いられる。こ
の冷却時において、放熱体３のチップ固定面側の空間領
域９Ａと、その反対面側の空間領域９Ｂとが通路８を介
して互いに連結されているので、半導体装置の上方から
送風された冷却媒体の一部は通路８を通って空間領域９
Ａに供給され、放熱体３で覆われた空間領域９Ａにおい
ても冷却がなされる。
（冷却方法を説明するための概略構成図）に示すよう
に、実装基板１０の実装面上に実装され、パーソナルコ
ンピュータ等の情報処理装置に組み込まれる。情報処理
装置に組み込まれた半導体装置は、その上方に位置する
冷却用ファン１１から送風された冷却媒体によって冷却
される。冷却媒体としては例えば空気が用いられる。こ
の冷却時において、放熱体３のチップ固定面側の空間領
域９Ａと、その反対面側の空間領域９Ｂとが通路８を介
して互いに連結されているので、半導体装置の上方から
送風された冷却媒体の一部は通路８を通って空間領域９
Ａに供給され、放熱体３で覆われた空間領域９Ａにおい
ても冷却がなされる。
【００２３】なお、通路８に冷却媒体が入り易いよう
に、通路８に隣接する放熱フィン３Ｃの高さを他の放熱
フィン３Ｃの高さに比べて低くしてもよい。
に、通路８に隣接する放熱フィン３Ｃの高さを他の放熱
フィン３Ｃの高さに比べて低くしてもよい。
【００２４】このように、放熱体３のチップ固定面側の
空間領域９Ａと、その反対面側の空間領域９Ｂとを通路
８を介して互いに連結することにより、半導体装置の上
方から冷却媒体を送風する際、冷却媒体の一部は通路８
を通って空間領域９Ａに供給され、空間領域９Ａにおい
ても冷却がなされるので、これに相当する分、半導体装
置の冷却効果を高めることができる。
空間領域９Ａと、その反対面側の空間領域９Ｂとを通路
８を介して互いに連結することにより、半導体装置の上
方から冷却媒体を送風する際、冷却媒体の一部は通路８
を通って空間領域９Ａに供給され、空間領域９Ａにおい
ても冷却がなされるので、これに相当する分、半導体装
置の冷却効果を高めることができる。
【００２５】なお、図４(模式断面図)に示すように、放
熱体３のチップ固定面側の空間領域９Ａに放熱フィン３
Ｄを配置した構成にしてもよい。この場合、放熱体３の
外形サイズ(平面サイズ及び高さサイズ)を大型化するこ
となく、放熱体３の放熱面積を増加することができる。
熱体３のチップ固定面側の空間領域９Ａに放熱フィン３
Ｄを配置した構成にしてもよい。この場合、放熱体３の
外形サイズ(平面サイズ及び高さサイズ)を大型化するこ
となく、放熱体３の放熱面積を増加することができる。
【００２６】また、本実施形態では、平面形状が円形状
の貫通孔８Ａで通路８を構成した例について説明した
が、通路８は、図５(要部模式平面図)に示すように、平
面形状が長穴形状の貫通孔８Ａで構成してもよい。
の貫通孔８Ａで通路８を構成した例について説明した
が、通路８は、図５(要部模式平面図)に示すように、平
面形状が長穴形状の貫通孔８Ａで構成してもよい。
【００２７】また、本実施形態では、放熱体３のチップ
固定面側の空間領域９Ａと、その反対面側の空間領域９
Ｂとを連結する通路８を放熱体３に形成された貫通孔８
Ａで構成した例について説明したが、通路８は、図６
(模式平面図)に示すように、放熱体３に形成された切り
込み部８Ｂで構成してもよい。
固定面側の空間領域９Ａと、その反対面側の空間領域９
Ｂとを連結する通路８を放熱体３に形成された貫通孔８
Ａで構成した例について説明したが、通路８は、図６
(模式平面図)に示すように、放熱体３に形成された切り
込み部８Ｂで構成してもよい。
【００２８】（実施形態２）図７(模式断面図)に示すよ
うに、本実施形態の半導体装置は、前述の実施形態１と
同様に、配線基板１の実装面上にフェイスダウン方式で
半導体チップ２を実装し、この半導体チップ２の裏面に
放熱体３を固定した構造で構成されている。
うに、本実施形態の半導体装置は、前述の実施形態１と
同様に、配線基板１の実装面上にフェイスダウン方式で
半導体チップ２を実装し、この半導体チップ２の裏面に
放熱体３を固定した構造で構成されている。
【００２９】前記放熱体３は、複数の放熱フィン３Ｃを
有するフィン付部材３Ａと平板部材３Ｂとで構成されて
いる。フィン付部材３Ａは、熱伝導率が高い材料、例え
ばアルミニウム材で形成され、平板部材３Ｂは、熱伝導
率が高い材料、例えば窒化アルミニウム材で形成されて
いる。フィン付部材３Ａは、例えばシリコーンゲルから
なる柔軟層１２を介在して平板部材３Ｂに固定されてい
る。平板部材３Ｂは、例えば半田材からなる接着層７を
介在して半導体チップ２の裏面に接着固定されている。
有するフィン付部材３Ａと平板部材３Ｂとで構成されて
いる。フィン付部材３Ａは、熱伝導率が高い材料、例え
ばアルミニウム材で形成され、平板部材３Ｂは、熱伝導
率が高い材料、例えば窒化アルミニウム材で形成されて
いる。フィン付部材３Ａは、例えばシリコーンゲルから
なる柔軟層１２を介在して平板部材３Ｂに固定されてい
る。平板部材３Ｂは、例えば半田材からなる接着層７を
介在して半導体チップ２の裏面に接着固定されている。
【００３０】前記放熱体３のチップ固定面側の空間領域
９Ａと、その反対面側の空間領域９Ｂは、通路８を介し
て互いに連結されている。通路８は、フィン付部材３
Ａ、平板部材３Ｂの夫々に形成された貫通孔８Ａで構成
されている。
９Ａと、その反対面側の空間領域９Ｂは、通路８を介し
て互いに連結されている。通路８は、フィン付部材３
Ａ、平板部材３Ｂの夫々に形成された貫通孔８Ａで構成
されている。
【００３１】このように構成された半導体装置において
も、前述の実施形態１と同様に、半導体装置の冷却効果
を高めることができる。
も、前述の実施形態１と同様に、半導体装置の冷却効果
を高めることができる。
【００３２】（実施形態３）図８(模式断面図)に示すよ
うに、本実施形態の半導体装置は、配線基板１の実装面
上にフェイスダウン方式で複数の半導体チップ２を実装
し、この複数の半導体チップ２の夫々の裏面に放熱体３
を固定した構造で構成されている。放熱体３のチップ固
定面側の空間領域９Ａと、その反対面側の空間領域９Ｂ
は、放熱体３に形成された通路８を介して互いに連結さ
れている。通路８は放熱体３に形成された貫通孔８Ａで
構成されている。
うに、本実施形態の半導体装置は、配線基板１の実装面
上にフェイスダウン方式で複数の半導体チップ２を実装
し、この複数の半導体チップ２の夫々の裏面に放熱体３
を固定した構造で構成されている。放熱体３のチップ固
定面側の空間領域９Ａと、その反対面側の空間領域９Ｂ
は、放熱体３に形成された通路８を介して互いに連結さ
れている。通路８は放熱体３に形成された貫通孔８Ａで
構成されている。
【００３３】このように構成された半導体装置において
も、前述の実施形態１と同様に、半導体装置の冷却効果
を高めることができる。
も、前述の実施形態１と同様に、半導体装置の冷却効果
を高めることができる。
【００３４】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
【００３５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３６】放熱体を有する半導体装置の冷却効果を高
めることができる。
めることができる。
【図１】本発明の実施形態１である半導体装置の模式平
面図である。
面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ線の位置で切った模式断面図
である。
である。
【図３】前記半導体装置の冷却方法を説明するための概
略構成図である。
略構成図である。
【図４】本発明の実施形態１の変形例である半導体装置
の模式断面図である。
の模式断面図である。
【図５】本発明の実施形態１の変形例である半導体装置
の要部模式平面図である。
の要部模式平面図である。
【図６】本発明の実施形態１の変形例である半導体装置
の模式平面図である。
の模式平面図である。
【図７】本発明の実施形態２である半導体装置の模式断
面図である。
面図である。
【図８】本発明の実施形態３である半導体装置の模式断
面図である。
面図である。
１…配線基板、２…半導体チップ、３…放熱体、４…バ
ンプ電極、５…樹脂、６…バンプ電極、７…接着層、８
…通路、８Ａ…貫通孔、８Ｂ…切り込み部、９Ａ…空間
領域、９Ｂ…空間領域、１０…実装基板、１１…冷却用
ファン、１２…柔軟層。
ンプ電極、５…樹脂、６…バンプ電極、７…接着層、８
…通路、８Ａ…貫通孔、８Ｂ…切り込み部、９Ａ…空間
領域、９Ｂ…空間領域、１０…実装基板、１１…冷却用
ファン、１２…柔軟層。
Claims (6)
- 【請求項１】 配線基板と、前記配線基板の実装面上に
フェイスダウン方式で実装される半導体チップと、前記
半導体チップの平面サイズに比べて大きい平面サイズで
形成され、かつ前記半導体チップの裏面に固定される放
熱体とを有する半導体装置であって、前記放熱体のチッ
プ固定面側の第１空間領域と、その反対面側の第２空間
領域とが通路を介して連結されていることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 前記第１空間領域は、前記配線基板、半
導体チップ、放熱体の夫々で規定されていることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記通路は、前記放熱体に形成された貫
通孔で構成されていることを特徴とする請求項１又は請
求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記通路は、前記放熱体に形成された切
り込み部で構成されていることを特徴とする請求項１又
は請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記放熱体の反対面側には複数の放熱フ
ィンが配置されていることを特徴とする請求項１乃至請
求項４のうちいずれか１項に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記放熱体のチップ固定面側の第１空間
領域には放熱フィンが配置されていることを特徴とする
請求項１乃至請求項５のうちいずれか１項に記載の半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12676597A JPH10321780A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12676597A JPH10321780A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321780A true JPH10321780A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=14943381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12676597A Pending JPH10321780A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321780A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015159258A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2019098411A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 京セラインダストリアルツールズ株式会社 | 電動工具 |
-
1997
- 1997-05-16 JP JP12676597A patent/JPH10321780A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015159258A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2019098411A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 京セラインダストリアルツールズ株式会社 | 電動工具 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0871352B1 (en) | Integrated circuit device cooling structure | |
| TWI278976B (en) | Integrated circuit package device and method for manufacturing the same | |
| US6830960B2 (en) | Stress-relieving heatsink structure and method of attachment to an electronic package | |
| JP2901835B2 (ja) | 半導体装置 | |
| EP0054539B1 (en) | A semiconductor integrated circuit device with an improved heat sink | |
| JPH0548000A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2008060172A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100653605B1 (ko) | 메탈 코어 히트싱크를 구비하는 반도체 칩 패키지와 그를포함하는 반도체 모듈 | |
| JP2861981B2 (ja) | 半導体装置の冷却構造 | |
| JP2882116B2 (ja) | ヒートシンク付パッケージ | |
| JP2002110869A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02276264A (ja) | ヒートシンク付セラミックパッケージ | |
| TW200411865A (en) | Thermal- enhance MCM package | |
| JPH0982882A (ja) | マルチチップモジュール | |
| JPH04326557A (ja) | 半導体チツプの冷却構造 | |
| JPH10321780A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09293755A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びにその実装方法 | |
| JP2961976B2 (ja) | ヒートシンク付半導体パッケージ | |
| JP2718203B2 (ja) | ヒートシンク付セラミックパッケージ | |
| JPH09115956A (ja) | 半導体装置 | |
| TWI625833B (zh) | 封裝結構 | |
| JPH04269855A (ja) | ヒートシンク付半導体パッケージ | |
| JPS58218148A (ja) | 電子部品冷却装置 | |
| JPS6092642A (ja) | 半導体装置の強制冷却装置 | |
| JP3460930B2 (ja) | 電子回路パッケージ |