JPH10321754A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH10321754A JPH10321754A JP14317197A JP14317197A JPH10321754A JP H10321754 A JPH10321754 A JP H10321754A JP 14317197 A JP14317197 A JP 14317197A JP 14317197 A JP14317197 A JP 14317197A JP H10321754 A JPH10321754 A JP H10321754A
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱導電性の金属基板に半導体素子を搭載して
なるキャビティダウン型の半導体装置において、前記金
属基板とＴＡＢ基板固着のための接着剤やマーキングイ
ンクとの密着性を損なうことのない表面処理を行うこと
により、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置を搭載する熱導電性の金属基
板２の全面にコーティング樹脂１３によりコーティング
を行い、当該金属基板２上にＡｇペースト４により半導
体素子３を、また接着剤７により表面に導体パターン６
を配設した絶縁性テープ５を固着する。更に必要な場
合、半導体素子搭載面の裏面にアクセサリーパターン１
２を印字する。
なるキャビティダウン型の半導体装置において、前記金
属基板とＴＡＢ基板固着のための接着剤やマーキングイ
ンクとの密着性を損なうことのない表面処理を行うこと
により、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置を搭載する熱導電性の金属基
板２の全面にコーティング樹脂１３によりコーティング
を行い、当該金属基板２上にＡｇペースト４により半導
体素子３を、また接着剤７により表面に導体パターン６
を配設した絶縁性テープ５を固着する。更に必要な場
合、半導体素子搭載面の裏面にアクセサリーパターン１
２を印字する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特に外部接続用端子をマトリクス状に配置してなるＳＢ
Ｃ（ソルダーボールコネクト）法を用いた半導体装置に
関する。
特に外部接続用端子をマトリクス状に配置してなるＳＢ
Ｃ（ソルダーボールコネクト）法を用いた半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置は、実装基
板上の回路パターンに半田等を用いて接続されている。
近年、素子の微細化及び装置の小型化に対応して、外部
接続端子として半田ボールを用いて実装基板上に半導体
装置を接続する、ＳＢＣ法と指称される実装方法が提案
されている。この方法によれば、実装基板の回路パター
ンに位置決めを行い、半導体装置を載置して過熱し固着
すればよく、実装が容易であるという利点がある。この
ような半導体装置のうち、金属基板のほぼ中央に半導体
素子を搭載し、当該半導体素子搭載領域周辺に外部接続
用端子を設けた、いわゆるキャビティダウン型の半導体
装置がある。これによれば、半導体素子を搭載する金属
基板を放熱板として用いることができ、半導体装置の熱
放散性を向上させることができる。
板上の回路パターンに半田等を用いて接続されている。
近年、素子の微細化及び装置の小型化に対応して、外部
接続端子として半田ボールを用いて実装基板上に半導体
装置を接続する、ＳＢＣ法と指称される実装方法が提案
されている。この方法によれば、実装基板の回路パター
ンに位置決めを行い、半導体装置を載置して過熱し固着
すればよく、実装が容易であるという利点がある。この
ような半導体装置のうち、金属基板のほぼ中央に半導体
素子を搭載し、当該半導体素子搭載領域周辺に外部接続
用端子を設けた、いわゆるキャビティダウン型の半導体
装置がある。これによれば、半導体素子を搭載する金属
基板を放熱板として用いることができ、半導体装置の熱
放散性を向上させることができる。
【０００３】図７にキャビティダウン型の半導体装置の
従来例を示す。半導体装置は、図７（ｂ）に示すよう
に、ほぼ中央の半導体素子搭載領域に凹部１を形成した
Ｃｕ材、ＳＵＳ材などからなる熱導電性の金属基板２の
前記凹部１に半導体素子３がＡｇペースト４などにより
搭載されており、この凹部１周縁の平坦部に絶縁性テー
プ５の片面に導体パターン６を配設したＴＡＢ基板の絶
縁性テープ５側を接着剤７にて固着し、更にこのＴＡＢ
基板の導体パターン６形成面側に、孔Ｈを形成した絶縁
膜８を被覆し、この絶縁膜８の裏面側に、孔Ｈを介して
表面側の前記導体パターン６に接続するように外部接続
端子として機能する半田ボール９が配設されている。
従来例を示す。半導体装置は、図７（ｂ）に示すよう
に、ほぼ中央の半導体素子搭載領域に凹部１を形成した
Ｃｕ材、ＳＵＳ材などからなる熱導電性の金属基板２の
前記凹部１に半導体素子３がＡｇペースト４などにより
搭載されており、この凹部１周縁の平坦部に絶縁性テー
プ５の片面に導体パターン６を配設したＴＡＢ基板の絶
縁性テープ５側を接着剤７にて固着し、更にこのＴＡＢ
基板の導体パターン６形成面側に、孔Ｈを形成した絶縁
膜８を被覆し、この絶縁膜８の裏面側に、孔Ｈを介して
表面側の前記導体パターン６に接続するように外部接続
端子として機能する半田ボール９が配設されている。
【０００４】なお、半導体素子３の電極１４と導体パタ
ーン６とはボンディングワイヤ１０により電気的に接続
され、半導体素子３とその周辺のボンディングワイヤ１
０及び導体パターン６が露出する領域は樹脂１１により
封止されている。
ーン６とはボンディングワイヤ１０により電気的に接続
され、半導体素子３とその周辺のボンディングワイヤ１
０及び導体パターン６が露出する領域は樹脂１１により
封止されている。
【０００５】ところで、前記金属基板２には、特に当該
基板がＣｕ材の場合には、腐食防止のためその表面全面
にＮｉメッキが施されている。
基板がＣｕ材の場合には、腐食防止のためその表面全面
にＮｉメッキが施されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに金属基板２表面にＮｉメッキを施すと、メッキ表面
は非常に滑らかであるため、アンカー効果などによる結
合力向上が期待できず、金属基板２とＴＡＢ基板固着用
の接着剤７や半導体素子３を取りつける際使用するＡｇ
ペースト４との密着力が弱くなってしまい、その結果、
パッケージクラックや、ＴＡＢテープの剥離ショートが
発生するなど、半導体装置の信頼性を損ねる原因となっ
ていた。
うに金属基板２表面にＮｉメッキを施すと、メッキ表面
は非常に滑らかであるため、アンカー効果などによる結
合力向上が期待できず、金属基板２とＴＡＢ基板固着用
の接着剤７や半導体素子３を取りつける際使用するＡｇ
ペースト４との密着力が弱くなってしまい、その結果、
パッケージクラックや、ＴＡＢテープの剥離ショートが
発生するなど、半導体装置の信頼性を損ねる原因となっ
ていた。
【０００７】また、図７（ａ）に示すように、金属基板
２の半導体素子搭載面の裏面には、各半導体装置を区別
するため品名、商標などのアクセサリーパターン１２を
マーキングインクにより印字するが、このマーキングイ
ンクの密着性も同様に悪くなってしまい、良好に印字す
ることができないという欠点があった。本発明はかかる
実情に鑑みてなされたものであり、ＴＡＢ基板の接着剤
やＡｇペースト、更にはマーキングインクとの密着力を
損ねることなく金属基板にコーティングを施した信頼性
の高い半導体装置を提供することを目的とする。
２の半導体素子搭載面の裏面には、各半導体装置を区別
するため品名、商標などのアクセサリーパターン１２を
マーキングインクにより印字するが、このマーキングイ
ンクの密着性も同様に悪くなってしまい、良好に印字す
ることができないという欠点があった。本発明はかかる
実情に鑑みてなされたものであり、ＴＡＢ基板の接着剤
やＡｇペースト、更にはマーキングインクとの密着力を
損ねることなく金属基板にコーティングを施した信頼性
の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、半導体装置の金属基板の全面を樹脂に
よりコーティングするようにしている。
に、本発明では、半導体装置の金属基板の全面を樹脂に
よりコーティングするようにしている。
【０００９】また、第２の発明によれば、金属基板の全
面を酸化処理し、かつ少なくとも外部に露出する部分を
樹脂によりコーティングするようにしている。
面を酸化処理し、かつ少なくとも外部に露出する部分を
樹脂によりコーティングするようにしている。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置及びそ
の製造方法について図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は本発明の半導体装置を示す図である。半導体装置
の構成としては従来例とほぼ同様である。
の製造方法について図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は本発明の半導体装置を示す図である。半導体装置
の構成としては従来例とほぼ同様である。
【００１１】すなわち半導体装置は、ほぼ中央の半導体
素子搭載領域に凹部１を形成したＣｕ材などからなる熱
導電性の金属基板２の前記凹部１に半導体素子３がＡｇ
ペースト４などにより搭載されており、この凹部１周辺
の平坦部に絶縁性テープ５の片面に導体パターン６を配
設したＴＡＢ基板の絶縁性テープ５側を接着剤７にて固
着し、更にこのＴＡＢ基板の導体パターン６形成面側
に、孔Ｈを形成した絶縁膜８を被覆し、この絶縁膜８の
裏面側に、孔Ｈを介して表面側の前記導体パターン６に
接続するように外部接続端子として機能する半田ボール
９が配設されている。ただし、本発明においては前記金
属基板２の表面全面がエポキシなどからなるコーティン
グ樹脂１３によりコーティングされている。
素子搭載領域に凹部１を形成したＣｕ材などからなる熱
導電性の金属基板２の前記凹部１に半導体素子３がＡｇ
ペースト４などにより搭載されており、この凹部１周辺
の平坦部に絶縁性テープ５の片面に導体パターン６を配
設したＴＡＢ基板の絶縁性テープ５側を接着剤７にて固
着し、更にこのＴＡＢ基板の導体パターン６形成面側
に、孔Ｈを形成した絶縁膜８を被覆し、この絶縁膜８の
裏面側に、孔Ｈを介して表面側の前記導体パターン６に
接続するように外部接続端子として機能する半田ボール
９が配設されている。ただし、本発明においては前記金
属基板２の表面全面がエポキシなどからなるコーティン
グ樹脂１３によりコーティングされている。
【００１２】なお、半導体素子３と導体パターン６とは
ボンディングワイヤ１０により電気的に接続され、半導
体素子３とその周辺の少なくともボンディングワイヤ１
０及び導体パターン６が露出する領域は領域は封止樹脂
１１により封止されている。
ボンディングワイヤ１０により電気的に接続され、半導
体素子３とその周辺の少なくともボンディングワイヤ１
０及び導体パターン６が露出する領域は領域は封止樹脂
１１により封止されている。
【００１３】次にこの半導体装置の製造工程について説
明する。まず、ディプレス加工によりほぼ中央の半導体
素子搭載領域に凹部１を形成したＣｕ材からなる金属基
板２の表面全面に、エポキシなどからなるコーティング
樹脂１３を、１５μｍ前後の厚さとなるようにスクリー
ン印刷、コーター、吹き付けなどによりコーティング
し、図３に示すような金属基板２を形成する。
明する。まず、ディプレス加工によりほぼ中央の半導体
素子搭載領域に凹部１を形成したＣｕ材からなる金属基
板２の表面全面に、エポキシなどからなるコーティング
樹脂１３を、１５μｍ前後の厚さとなるようにスクリー
ン印刷、コーター、吹き付けなどによりコーティング
し、図３に示すような金属基板２を形成する。
【００１４】次に、膜厚５０μｍのポリイミド樹脂から
なる絶縁性テープ５の半導体素子搭載領域に対応する部
分に開口を形成すると共に、厚さ１８μｍの銅箔を貼着
し、この銅箔をフォトリソグラフィによりパターニング
して導体パターン６を有するＴＡＢ基板を形成する。な
お、前記銅箔には金、ニッケルなどによりメッキ層を形
成してもよい。
なる絶縁性テープ５の半導体素子搭載領域に対応する部
分に開口を形成すると共に、厚さ１８μｍの銅箔を貼着
し、この銅箔をフォトリソグラフィによりパターニング
して導体パターン６を有するＴＡＢ基板を形成する。な
お、前記銅箔には金、ニッケルなどによりメッキ層を形
成してもよい。
【００１５】そして図２（ａ）に示すように、このＴＡ
Ｂ基板を、前記金属基板２の半導体素子搭載領域に形成
された凹部１周辺の平坦部に、ポリイミド樹脂などから
なる絶縁性の接着剤７を介して固着する。それから前記
ＴＡＢ基板の導体パターン面上にドライフィルムなどか
らなる絶縁膜８を被覆し、これにフォトリソグラフィに
より、面全体に格子状をなすようにピッチ１．２７ｍ
ｍ、孔径０．６５ｍｍの孔Ｈを形成する。
Ｂ基板を、前記金属基板２の半導体素子搭載領域に形成
された凹部１周辺の平坦部に、ポリイミド樹脂などから
なる絶縁性の接着剤７を介して固着する。それから前記
ＴＡＢ基板の導体パターン面上にドライフィルムなどか
らなる絶縁膜８を被覆し、これにフォトリソグラフィに
より、面全体に格子状をなすようにピッチ１．２７ｍ
ｍ、孔径０．６５ｍｍの孔Ｈを形成する。
【００１６】その後、図２（ｂ）に示すように金属基板
２に形成された凹部１に半導体素子３をＡｇペースト４
により固着する。そしてワイヤボンディングマシンによ
り、半導体素子３の電極パッド１４と前記導体パターン
６とを金線などからなるボンディングワイヤ１０を介し
て電気的に接続する。それから半導体素子３、ボンディ
ングワイヤ１０及び導体パターン６の少なくとも露出部
分をエポキシなどからなる封止樹脂１１により封止す
る。
２に形成された凹部１に半導体素子３をＡｇペースト４
により固着する。そしてワイヤボンディングマシンによ
り、半導体素子３の電極パッド１４と前記導体パターン
６とを金線などからなるボンディングワイヤ１０を介し
て電気的に接続する。それから半導体素子３、ボンディ
ングワイヤ１０及び導体パターン６の少なくとも露出部
分をエポキシなどからなる封止樹脂１１により封止す
る。
【００１７】そして、図２（ｃ）に示すようにドライフ
ィルムなどからなる絶縁膜８に形成した孔Ｈ内にフラッ
クスを印刷し、外部接続端子として機能するＰｂ１０
％、Ｓｎ９０％の半田からなる直径０．７ｍｍの半田ボ
ール９を供給し、３２０℃１０秒間（ピーク温度維持時
間）の加熱工程を経て、表面を導体パターン６に固着す
る。そして最後に必要に応じて、イソプロピルアルコー
ル（ＩＰＡ）や、その他炭化水素系洗浄液などに浸漬し
て超音波洗浄を行い、余剰のフラックスを除去する。
ィルムなどからなる絶縁膜８に形成した孔Ｈ内にフラッ
クスを印刷し、外部接続端子として機能するＰｂ１０
％、Ｓｎ９０％の半田からなる直径０．７ｍｍの半田ボ
ール９を供給し、３２０℃１０秒間（ピーク温度維持時
間）の加熱工程を経て、表面を導体パターン６に固着す
る。そして最後に必要に応じて、イソプロピルアルコー
ル（ＩＰＡ）や、その他炭化水素系洗浄液などに浸漬し
て超音波洗浄を行い、余剰のフラックスを除去する。
【００１８】このようにして形成された半導体装置によ
れば、金属基板２の全面をコーティング樹脂１３により
コーティングしているので、これにより金属基板２の腐
食防止等の外部環境からの保護という効果に加え、金属
基板２とＴＡＢ基板固着のための接着剤７や半導体素子
３を取りつける際使用するＡｇペースト４との接着はコ
ーティング樹脂１３を介して行われることになるため、
両者の密着力が強固となり、半導体装置の信頼性が飛躍
的に向上する。
れば、金属基板２の全面をコーティング樹脂１３により
コーティングしているので、これにより金属基板２の腐
食防止等の外部環境からの保護という効果に加え、金属
基板２とＴＡＢ基板固着のための接着剤７や半導体素子
３を取りつける際使用するＡｇペースト４との接着はコ
ーティング樹脂１３を介して行われることになるため、
両者の密着力が強固となり、半導体装置の信頼性が飛躍
的に向上する。
【００１９】また、金属基板２の半導体素子搭載面の裏
面側に、各半導体装置を区別するため品名、商標などの
アクセサリーパターン１２をマーキングインクにより印
字する場合でも、金属基板２裏面のマーキング領域はコ
ーティング樹脂１３によりコーティングされているの
で、マーキングインクとの密着性が向上し、極めて良好
に印字することができる。
面側に、各半導体装置を区別するため品名、商標などの
アクセサリーパターン１２をマーキングインクにより印
字する場合でも、金属基板２裏面のマーキング領域はコ
ーティング樹脂１３によりコーティングされているの
で、マーキングインクとの密着性が向上し、極めて良好
に印字することができる。
【００２０】続いて、第２の発明の実施形態について説
明する。本実施形態においては、Ｃｕ材などからなる金
属基板２を液温６０℃から８０℃程度の強アルカリ性の
溶液中に約２分以上浸漬し、これを揺動することにより
金属基板２表面全面に針状結晶からなる酸化皮膜１５を
形成し、図６（ａ）に示すような金属基板２を得る。そ
の後エポキシなどのコーティング樹脂１３を、少なくと
も金属基板２の外部に露出する部分にコーティングし、
図６（ｂ）に示すような金属基板２を得るようにしてい
る。その他は第１の実施形態と同様である。
明する。本実施形態においては、Ｃｕ材などからなる金
属基板２を液温６０℃から８０℃程度の強アルカリ性の
溶液中に約２分以上浸漬し、これを揺動することにより
金属基板２表面全面に針状結晶からなる酸化皮膜１５を
形成し、図６（ａ）に示すような金属基板２を得る。そ
の後エポキシなどのコーティング樹脂１３を、少なくと
も金属基板２の外部に露出する部分にコーティングし、
図６（ｂ）に示すような金属基板２を得るようにしてい
る。その他は第１の実施形態と同様である。
【００２１】本実施形態によれば、金属基板２の全面を
酸化処理し、酸化皮膜１５を形成した後、少なくとも外
部に露出する部分にエポキシなどのコーティング樹脂１
３をコーティングするようにしているので、金属基板２
とコーティング樹脂１３との密着を更に強固にすること
ができるとともに、金属基板２とＴＡＢ基板固着のため
の接着剤７や半導体素子３を取りつける際使用するＡｇ
ペースト４との接着面にも酸化皮膜１５が形成されてい
るため、これらとの密着力も強固となり、また、この部
分にはコーティング樹脂１３はコーティングされていな
いので、半導体素子３より発生する熱は、金属基板２、
半田ボール９を介して良好に外部に逃がすことができ、
放熱効果を損ねることもない。
酸化処理し、酸化皮膜１５を形成した後、少なくとも外
部に露出する部分にエポキシなどのコーティング樹脂１
３をコーティングするようにしているので、金属基板２
とコーティング樹脂１３との密着を更に強固にすること
ができるとともに、金属基板２とＴＡＢ基板固着のため
の接着剤７や半導体素子３を取りつける際使用するＡｇ
ペースト４との接着面にも酸化皮膜１５が形成されてい
るため、これらとの密着力も強固となり、また、この部
分にはコーティング樹脂１３はコーティングされていな
いので、半導体素子３より発生する熱は、金属基板２、
半田ボール９を介して良好に外部に逃がすことができ、
放熱効果を損ねることもない。
【００２２】また、金属基板２の半導体素子搭載面の裏
面側に、各半導体装置を区別するため品名、商標などの
アクセサリーパターン１２をマーキングインクにより印
字する場合でも、第１の実施形態同様金属基板２裏面の
マーキング領域はコーティング樹脂１３によりコーティ
ングされることになるので、マーキングインクとの密着
性が向上し、極めて良好に印字することができる。
面側に、各半導体装置を区別するため品名、商標などの
アクセサリーパターン１２をマーキングインクにより印
字する場合でも、第１の実施形態同様金属基板２裏面の
マーキング領域はコーティング樹脂１３によりコーティ
ングされることになるので、マーキングインクとの密着
性が向上し、極めて良好に印字することができる。
【００２３】なお、本実施形態においては金属基板２の
表面全面を酸化処理し、かつ少なくとも外部に露出する
部分をコーティング樹脂１３によりコーティングするよ
うにしたが、酸化処理後、金属基板２の表面全面をコー
ティング樹脂１３によりコーティングするようにしても
よい。また、酸化処理方法についても前記方法に限定さ
れず、例えば陽極酸化や加熱酸化によって酸化皮膜１５
を形成するようにしてもよい。
表面全面を酸化処理し、かつ少なくとも外部に露出する
部分をコーティング樹脂１３によりコーティングするよ
うにしたが、酸化処理後、金属基板２の表面全面をコー
ティング樹脂１３によりコーティングするようにしても
よい。また、酸化処理方法についても前記方法に限定さ
れず、例えば陽極酸化や加熱酸化によって酸化皮膜１５
を形成するようにしてもよい。
【００２４】なお、本実施形態においては、金属基板２
として中央に凹部１を設けたものを用いたが、これに限
定されることなく、例えば図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
として示すような、凹部を有しない平板状のものや、金
属基板が上方へ窪んだ形状のもの、もしくはプレス加工
により半抜き状態に形成したものを用いても良い。ま
た、金属基板２の材質もＣｕ材に限定されず、例えばＣ
ｕ合金材やＳＵＳ材、あるいはアルミ材等を使用しても
よい。更に、凹部１の形成をディプレスにより行った
が、これはエッチングにより行ってもよいし、その他絞
り加工やフライス加工により形成してもよい。
として中央に凹部１を設けたものを用いたが、これに限
定されることなく、例えば図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
として示すような、凹部を有しない平板状のものや、金
属基板が上方へ窪んだ形状のもの、もしくはプレス加工
により半抜き状態に形成したものを用いても良い。ま
た、金属基板２の材質もＣｕ材に限定されず、例えばＣ
ｕ合金材やＳＵＳ材、あるいはアルミ材等を使用しても
よい。更に、凹部１の形成をディプレスにより行った
が、これはエッチングにより行ってもよいし、その他絞
り加工やフライス加工により形成してもよい。
【００２５】また、孔Ｈのピッチや孔径は前記実施形態
に限定されることなく適宜変更可能であり、例えば格子
ピッチが１ｍｍであれば孔径は０．５５ｍｍ、格子ピッ
チが１．５ｍｍであれば孔径は０．７５ｍｍというよう
に適宜変更可能である。更に半田ボール９の組成につい
ても適宜選択可能であり、例えばＰｂ３７％、Ｓｎ６３
％の共晶半田を用いてもよく、この場合は固着工程での
加熱温度は２３０℃程度で良い。
に限定されることなく適宜変更可能であり、例えば格子
ピッチが１ｍｍであれば孔径は０．５５ｍｍ、格子ピッ
チが１．５ｍｍであれば孔径は０．７５ｍｍというよう
に適宜変更可能である。更に半田ボール９の組成につい
ても適宜選択可能であり、例えばＰｂ３７％、Ｓｎ６３
％の共晶半田を用いてもよく、この場合は固着工程での
加熱温度は２３０℃程度で良い。
【００２６】更にまた、前記実施形態においては半導体
素子３と導体パターン６との電気的接続方法としてワイ
ヤボンディングを用いた例について説明したが、これは
例えばダイレクトボンディングを用いても良い。この場
合、図５に示すようにＴＡＢ基板の導体パターン６は半
導体素子３の電極パッド１４上まで伸長されるとともに
導体パターン６の先端にはバンプ（図示せず）が形成さ
れており、当該バンプを前記半導体素子３の電極パッド
１４に直接接合することにより電気的に接続されること
となる。
素子３と導体パターン６との電気的接続方法としてワイ
ヤボンディングを用いた例について説明したが、これは
例えばダイレクトボンディングを用いても良い。この場
合、図５に示すようにＴＡＢ基板の導体パターン６は半
導体素子３の電極パッド１４上まで伸長されるとともに
導体パターン６の先端にはバンプ（図示せず）が形成さ
れており、当該バンプを前記半導体素子３の電極パッド
１４に直接接合することにより電気的に接続されること
となる。
【００２７】また、金属基板としてＣｕ材を使用した
が、これに限定されることなく、例えばＣｕ合金材やＳ
ＵＳ材、あるいはアルミ材なども使用できることはもち
ろんである。
が、これに限定されることなく、例えばＣｕ合金材やＳ
ＵＳ材、あるいはアルミ材なども使用できることはもち
ろんである。
【００２８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、半導体装置の金属基板はその表面全面を樹脂により
コーティングされているので、金属基板とＴＡＢ基板固
着のための接着剤や半導体装置を取り付ける際使用する
Ａｇペーストとの密着力が強化され、半導体装置の信頼
性が向上するとともに、金属基板の半導体素子搭載面の
裏面側にアクセサリーパターンを印字する場合にも、印
字領域は樹脂によりコーティングされているため、マー
キングインクとの密着性が向上し、良好に印字すること
ができる。
ば、半導体装置の金属基板はその表面全面を樹脂により
コーティングされているので、金属基板とＴＡＢ基板固
着のための接着剤や半導体装置を取り付ける際使用する
Ａｇペーストとの密着力が強化され、半導体装置の信頼
性が向上するとともに、金属基板の半導体素子搭載面の
裏面側にアクセサリーパターンを印字する場合にも、印
字領域は樹脂によりコーティングされているため、マー
キングインクとの密着性が向上し、良好に印字すること
ができる。
【００２９】また第２の発明によれば、金属基板の表面
全面を酸化処理し、その後少なくとも金属基板の外部に
露出する部分を樹脂によりコーティングしているので、
金属基板と樹脂との密着を強固とすることができる等の
効果がある。
全面を酸化処理し、その後少なくとも金属基板の外部に
露出する部分を樹脂によりコーティングしているので、
金属基板と樹脂との密着を強固とすることができる等の
効果がある。
【００３０】
【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置の構成を示
す断面図。
す断面図。
【図２】本発明の半導体装置の製造工程を示す図。
【図３】本発明の第１の実施例に係る金属基板の断面
図。
図。
【図４】本発明に係る金属基板の他の実施例を示す図。
【図５】本発明の第１の実施例の変形例を示す図。
【図６】本発明の第２の実施例に係る金属基板を示す
図。
図。
【図７】従来の半導体装置を示す平面図及び断面図。
１ 凹部 ２ 金属基板 ３ 半導体素子 ４ Ａｇペースト ５ 絶縁性テープ ６ 導体パターン ７ 接着剤 ８ 絶縁膜 ９ 半田ボール １０ ボンディングワイヤ １１ 封止樹脂 １２ アクセサリーパターン １３ コーティング樹脂 １４ 電極パッド １５ 酸化皮膜 Ｈ 孔
Claims (2)
- 【請求項１】 熱導電性の金属基板の第１の面のほぼ中
央に半導体素子が搭載され、当該第１の面には前記半導
体素子と電気的に接続される導体パターンを有するＴＡ
Ｂ基板が固着されており、この導体パターンに外部接続
用端子が接続されてなる半導体装置において、前記金属
基板は、全面を樹脂によりコーティングされていること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 熱導電性の金属基板の第１の面のほぼ中
央に半導体素子が搭載され、当該第１の面には前記半導
体素子と電気的に接続される導体パターンを有するＴＡ
Ｂ基板が固着されており、この導電パターンに外部接続
用端子が接続されてなる半導体装置において、前記金属
基板は、全面を酸化処理されており、かつ少なくとも外
部に露出する部分を樹脂によりコーティングされてなる
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14317197A JPH10321754A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14317197A JPH10321754A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321754A true JPH10321754A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15332574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14317197A Pending JPH10321754A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321754A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008050582A1 (fr) * | 2006-10-26 | 2008-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif semi-conducteur, dispositif d'affichage et dispositif électronique |
| KR101102214B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2012-01-05 | 헤레우스 머티어리얼즈 테크놀로지 게엠베하 운트 코 카게 | 금속 표면의 접촉을 위한 방법 및 페이스트 |
| KR101119259B1 (ko) | 2010-01-12 | 2012-03-20 | 삼성전기주식회사 | 하이브리드형 방열기판 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP14317197A patent/JPH10321754A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008050582A1 (fr) * | 2006-10-26 | 2008-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif semi-conducteur, dispositif d'affichage et dispositif électronique |
| KR101102214B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2012-01-05 | 헤레우스 머티어리얼즈 테크놀로지 게엠베하 운트 코 카게 | 금속 표면의 접촉을 위한 방법 및 페이스트 |
| KR101119259B1 (ko) | 2010-01-12 | 2012-03-20 | 삼성전기주식회사 | 하이브리드형 방열기판 및 그 제조방법 |
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