JPH10321749A - Sealing method of package for solid-state image-pickup device - Google Patents

Sealing method of package for solid-state image-pickup device

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JPH10321749A
JPH10321749A JP9125148A JP12514897A JPH10321749A JP H10321749 A JPH10321749 A JP H10321749A JP 9125148 A JP9125148 A JP 9125148A JP 12514897 A JP12514897 A JP 12514897A JP H10321749 A JPH10321749 A JP H10321749A
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solid
sealing
ultraviolet
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Shinichi Nakada
信一 中田
Hiroshi Shoji
浩士 庄司
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for sealing a package to obtain a reliable solid- state image-pickup device package by suppressing adverse effects to the package. SOLUTION: A solid-state image-pickup device 6 is set within a cavity 2 of a package body 3 one side of which is open, so that inner leads thereof are wire-bonded. Thereafter, a sealing surface 3a of the package body 3 is coated with an ultraviolet-ray setting resin 8 and then pressed against a sealing glass 7. Subsequently, ultraviolet rays are irradiated on the surfaces of the inner leads and an image-pick device 6 through a filter 21 which functions to cut a short-wavelength region (of about 300 nm or less) where the surfaces are activated. As a result, the resin 8 is set to seal the package body 3 and the sealing glass 7 therebetween.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置(以
下、「CCD」と言う)を封止するパッケージのシール
方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of sealing a package for sealing a solid-state image pickup device (hereinafter, referred to as "CCD").

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は従来より一般的に知られているC
CDパッケージの一例を示す概略断面図である。図3に
おいて、このCCDパッケージ1は、一面(上面)が開
口されたキャビティ2を内部に有するエポキシ樹脂等の
樹脂あるいはセラミックで作られたパッケージ本体3
と、キャビティ2の底面に形成されているダイアタッチ
面4にダイボンドされているとともにパッケージ本体3
側のリード(不図示)とボンディングワイヤ5を介して
ワイヤボンディングされている固体撮像装置としてのC
CDチップ6と、パッケージ本体3の開口を閉じている
リッドとしてのシールガラス7等で構成されている。な
お、リッドとしてのシールガラス7は、ガラス以外にプ
ラスチックを使用する場合もある。
2. Description of the Related Art FIG.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a CD package. 3, the CCD package 1 has a package body 3 made of a resin such as an epoxy resin or a ceramic and having a cavity 2 having an opening on one surface (upper surface).
And a package body 3 die-bonded to a die attach surface 4 formed on the bottom surface of the cavity 2.
C as a solid-state imaging device wire-bonded to a lead (not shown) on the
It comprises a CD chip 6, a seal glass 7 as a lid for closing the opening of the package body 3, and the like. In addition, plastic may be used for the seal glass 7 as a lid in addition to glass.

【0003】図4は、図3に示したCCDパッケージ1
におけるパッケージ本体3とシールガラス7との間をシ
ール処理する方法の一例を示す工程図である。そこで、
従来のシール処理方法を図4の工程〜の順に従って
説明する。
FIG. 4 shows a CCD package 1 shown in FIG.
FIG. 4 is a process diagram showing an example of a method of performing a sealing process between a package body 3 and a seal glass 7 in FIG. Therefore,
A conventional sealing method will be described according to the order of steps 1 to 4 in FIG.

【0004】シール剤塗布工程:ここでは、まずキャ
ビティ2内のダイアタッチ面4にCCDチップ6がダイ
ボンドされているとともに、ボンディングワイヤ5でパ
ッケージ本体3側の図示せぬインナーリードとワイヤボ
ンディングされているパッケージ本体3が用意される。
次いで、パッケージ本体3の開口周面(シール面3a)
上に、紫外線を照射すると硬化して接着剤として機能す
る液状の紫外線(UV)硬化型樹脂8をディスペンサー
9により塗布する。なお、本例においてのパッケージ本
体3の上面の大きさは約□10mm、シール幅は約1m
mである。また、紫外線硬化型樹脂8としては、液状の
UV硬化性エポキシ樹脂等が使用される。
In this step, a CCD chip 6 is die-bonded to a die attach surface 4 in a cavity 2 and wire-bonded to an inner lead (not shown) of the package body 3 by a bonding wire 5. Package body 3 is prepared.
Next, the opening peripheral surface of the package body 3 (seal surface 3a)
A liquid ultraviolet (UV) curable resin 8 which cures when irradiated with ultraviolet light and functions as an adhesive is applied thereon by a dispenser 9. The size of the upper surface of the package body 3 in this example is about 10 mm, and the seal width is about 1 m.
m. As the UV-curable resin 8, a liquid UV-curable epoxy resin or the like is used.

【0005】リッド(シールガラス)合わせ工程:こ
こでは、紫外線硬化型樹脂8が塗布されたパッケージ本
体3のシール面3a上にシールガラス7を位置合わせし
た後、このシールガラス7の上側から圧力Pを加えて、
シールガラス7をシール面3aに押し付ける。ここでの
押し付けは、約9.8〜29.4Nの力を約0.3〜
1.0sの間付与する。
Lid (seal glass) bonding step: Here, after positioning the seal glass 7 on the seal surface 3a of the package body 3 coated with the ultraviolet curing resin 8, the pressure P is applied from above the seal glass 7. Plus
The sealing glass 7 is pressed against the sealing surface 3a. The pressing here is performed by applying a force of about 9.8 to 29.4 N to about 0.3 to
Give for 1.0 s.

【0006】UV(紫外線)照射工程:ここでは、シ
ールガラス7が紫外線硬化型樹脂8で接着されているシ
ール面3aの接着箇所に照射エネルギーが2〜10J
(例えば100mW/cm2 当たり20〜100s)の紫
外線を紫外線照射器12より照射し、紫外線硬化形樹脂
8を硬化させる。すると、この硬化によって、ほぼ完成
されたCCDパッケージ1が形成される。なお、ここで
の紫外線は、紫外線光の持っている波長光を制限するこ
となく、図5に示すところのエネルギーの強い短波長領
域から長波長領域の略全波長領域にわたって全てが照射
される。なお、図5のx軸は波長(nm)、y軸は相対
分光照度である。
[0006] UV (ultraviolet) irradiation step: Here, the irradiation energy is 2 to 10 J at the bonding portion of the sealing surface 3 a where the sealing glass 7 is bonded with the ultraviolet curing resin 8.
Ultraviolet rays (for example, 20 to 100 s per 100 mW / cm 2) are irradiated from the ultraviolet irradiator 12 to cure the ultraviolet-curable resin 8. Then, by this curing, a substantially completed CCD package 1 is formed. In addition, the ultraviolet rays here are irradiated without limitation on the wavelength light possessed by the ultraviolet rays, from the short wavelength region where the energy is strong as shown in FIG. 5 to almost the entire wavelength region of the long wavelength region. Note that the x-axis in FIG. 5 is the wavelength (nm) and the y-axis is the relative spectral illuminance.

【0007】ポストキュア(後硬化)工程:ここで
は、UV照射工程で形成されたCCDパッケージ1の
全体を加熱し、紫外線硬化型樹脂8に熱を加えて、さら
に硬化させる。これにより、シール面3aとシールガラ
ス7との間が完全に接着された、図3に示したところの
CCDパッケージ1が形成される。なお、ここでの加熱
方法は、ヒータ10を内蔵させたヒータ・ブロック11
を用意して、このヒータ・ブロック11の上にUV照射
工程で形成されたCCDパッケージ1を載せて加熱す
る場合では、150℃程度の熱を約2〜5分間加える。
また、別の加熱方法としてはオーブンを使用しても良
く、オーブンの中にCCDパッケージ1を入れて加熱す
る場合では、150℃程度の熱を約1〜3時間加えて完
全に接着させる。
Post-cure (post-curing) step: Here, the entire CCD package 1 formed in the UV irradiation step is heated, and heat is applied to the ultraviolet curable resin 8 to further cure it. Thus, the CCD package 1 shown in FIG. 3 in which the sealing surface 3a and the sealing glass 7 are completely bonded is formed. The heating method used here is a heater block 11 having a built-in heater 10.
In the case where the CCD package 1 formed in the UV irradiation step is mounted on the heater block 11 and heated, heat of about 150 ° C. is applied for about 2 to 5 minutes.
As another heating method, an oven may be used. In a case where the CCD package 1 is placed in the oven and heated, heat of about 150 ° C. is applied for about 1 to 3 hours to completely adhere the sheets.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の処理方法では、紫外線照射工程では、紫外線の波長領
域を制限することなくエネルギーの強い短波長領域から
長波長領域の略全波長領域にわたって照射させている。
このため、シール剤である紫外線硬化型樹脂8を硬化さ
せるだけでなく、パッケージ本体3側のインナーリード
の表面や、CCDチップ6の表面を活性化させて悪い影
響を及ぼす虞がある。すなわち、インナーリードが過度
に活性化されると、その表面メッキ層にピンホール等の
ダメージが作られる。このピンホール等が形成される
と、高温高湿の状態下においてパッケージ内部に浸入し
た水分はピンホール内に吸着され、これがメッキ下地の
42アロイと反応して腐食が発生する。さらに、この腐
食はインナーリード間のブリッジや、金(Au)線の破
断等に至ることもあり、信頼性を著しく低下させている
問題点があった。
As described above, in the conventional processing method, in the ultraviolet irradiation step, the wavelength range of the ultraviolet light is not restricted but is limited from the short wavelength region where the energy is strong to almost the entire wavelength region of the long wavelength region. Irradiation.
For this reason, there is a possibility that the surface of the inner leads on the package body 3 side and the surface of the CCD chip 6 may be activated and adversely affected, in addition to the curing of the ultraviolet curable resin 8 as a sealant. That is, if the inner leads are excessively activated, damage such as pinholes is made on the surface plating layer. When the pinholes and the like are formed, moisture that has entered the package under high-temperature and high-humidity conditions is adsorbed in the pinholes and reacts with the 42 alloy as the plating base to cause corrosion. Further, the corrosion may lead to a bridge between the inner leads, breakage of the gold (Au) wire, or the like, and thus has a problem that reliability is significantly reduced.

【0009】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的はパッケージへの悪い影響を低減さ
せて信頼性の高い固体撮像用パッケージを得ることがで
きるシール方法を提供することにある。さらに、他の目
的は、以下に説明する内容の中で順次明らかにして行
く。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a sealing method capable of obtaining a highly reliable solid-state imaging package by reducing a bad influence on the package. It is in. Further, other objects will be clarified sequentially in the contents described below.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次の技術手段を講じたことを特徴とする。
すなわち、一面が開口されたパッケージ本体のキャビテ
ィ内にインナーリードとワイヤボンディングさせて固体
撮像装置をセットし、その後、前記パッケージ本体のシ
ール面に紫外線硬化樹脂を塗布してリッドを押し付け、
続いて前記インナーリードの表面及び前記固体撮像装置
の表面を活性化させる短波長領域をカットする特性を有
したフィルターを介して紫外線を前記シール面に向けて
照射し、前記紫外線により前記紫外線硬化樹脂を硬化さ
せて前記パッケージ本体と前記リッドとの間をシールす
るようにしたものである。ここで、カットされる短波長
領域とはインナーリード表面を活性化させる短波長で、
略300nm以下の波長である。
Means for Solving the Problems The present invention is characterized by taking the following technical means in order to achieve the above object.
That is, the solid-state imaging device is set by wire bonding with the inner lead in the cavity of the package body having one surface opened, and thereafter, the lid is pressed by applying an ultraviolet curable resin to the sealing surface of the package body,
Subsequently, the surface of the inner lead and the surface of the solid-state imaging device are irradiated with ultraviolet light toward the sealing surface through a filter having a property of cutting a short wavelength region that activates the surface of the solid-state imaging device, and the ultraviolet curable resin is irradiated with the ultraviolet light. Is cured to seal between the package body and the lid. Here, the short wavelength region to be cut is a short wavelength that activates the inner lead surface,
The wavelength is approximately 300 nm or less.

【0011】これによれば、パッケージを構成している
パッケージインナーリードの表面及び前記固体撮像装置
の表面を活性化する短波長領域をカットした状態で紫外
線を照射するので、インナーリードの表面や固体撮像装
置等が活性して腐食したりするのを防止することができ
る。
According to this, the ultraviolet light is irradiated in a state in which the surface of the package inner lead constituting the package and the short wavelength region for activating the surface of the solid-state image pickup device are cut, so that the surface of the inner lead and the solid It is possible to prevent the imaging device or the like from being activated and corroded.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の形態を添付図面に
基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べる形態は、
本発明の好適な具体例であるから技術的に好ましい種々
の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明
において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、こ
れらの形態に限られるものでもないものである。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the form described below is
Although the present invention is a preferred specific example of the present invention, various technically preferable limits are given. However, the scope of the present invention is not limited to these embodiments unless otherwise specified in the following description. It is not limited to.

【0013】図1は本発明に係る固体撮像装置用パッケ
ージのシール処理方法の一形態を示す工程図である。な
お、本例では図3に示したCCDパッケージ1を形成す
る場合を一例としている。したがって、図1において図
3と同一符号を付したのは図3と同一のものを示してい
る。そこで、本発明のシール処理の方法を図1の工程
からの順に従って説明する。
FIG. 1 is a process chart showing one embodiment of a method for sealing a package for a solid-state imaging device according to the present invention. In this example, the case where the CCD package 1 shown in FIG. 3 is formed is taken as an example. Therefore, the same reference numerals in FIG. 1 as those in FIG. 3 indicate the same components as those in FIG. Therefore, the sealing method of the present invention will be described in the order from the steps in FIG.

【0014】シール剤塗布工程:ここでは、まずキャ
ビティ2内のダイアタッチ面4にCCDチップ6がダイ
ボンドされているとともに、ボンディングワイヤ5でパ
ッケージ本体3側の図示せぬインナーリードとワイヤボ
ンディングされているパッケージ本体3が用意される。
次いで、パッケージ本体3の開口周面(シール面3a)
上に、紫外線を照射すると硬化して接着剤として使用す
ることができる液状の紫外線(UV)硬化型樹脂8をデ
ィスペンサー9により塗布する。なお、本例においての
パッケージ本体3の上面の大きさは約□10mm、シー
ル幅は約1mmである。また、紫外線硬化型樹脂8とし
ては、液状のUV硬化性エポキシ樹脂等が使用される。
この紫外線硬化型樹脂8は、波長が365nmの付近で
主に反応して硬化することが知られている。
A sealant application step: First, a CCD chip 6 is die-bonded to a die attach surface 4 in a cavity 2 and wire-bonded to an inner lead (not shown) of the package body 3 by a bonding wire 5. Package body 3 is prepared.
Next, the opening peripheral surface of the package body 3 (seal surface 3a)
A liquid ultraviolet (UV) curable resin 8 that is cured by irradiation with ultraviolet light and can be used as an adhesive is applied thereon by a dispenser 9. The size of the upper surface of the package body 3 in this example is about 10 mm, and the seal width is about 1 mm. As the UV-curable resin 8, a liquid UV-curable epoxy resin or the like is used.
It is known that the ultraviolet curable resin 8 mainly reacts and cures at a wavelength near 365 nm.

【0015】リッド(シールガラス)合わせ工程:こ
こでは、紫外線硬化型樹脂8が塗布されたパッケージ本
体3のシール面3a上にシールガラス7を位置合わせし
た後、このシールガラス7の上側から圧力Pを加えて、
シールガラス7をシール面3aに押し付ける。ここでの
押し付けは、約9.8〜29.4Nの力を約0.3〜
1.0sの間付与する。
Lid (seal glass) aligning step: Here, after aligning the seal glass 7 on the seal surface 3a of the package body 3 coated with the ultraviolet curing resin 8, the pressure P is applied from above the seal glass 7. Plus
The sealing glass 7 is pressed against the sealing surface 3a. The pressing here is performed by applying a force of about 9.8 to 29.4 N to about 0.3 to
Give for 1.0 s.

【0016】UV(紫外線)照射工程:ここでは、シ
ールガラス7が紫外線硬化型樹脂8で接着されているシ
ール面3aの接着箇所に照射エネルギーが2〜10J
(例えば100mW/cm2 当たり20〜100s)の紫
外線をフィルター21を介して照射し、紫外線硬化型樹
脂8を硬化させる。すると、この硬化によってほぼ完成
されたCCDパッケージ1が完成される。なお、上記フ
ィルター21は、紫外線光の持っている波長光のうち、
図2に示すところのエネルギーの強い短波長領域(30
0nm以下)をカットする特性を有している。この短波
長領域(300nm以下)の紫外線は紫外線硬化型樹脂
8の硬化には特に必要がなく、逆にインナーリードの表
面及び固体撮像装置の表面を活性化するものとして知ら
れている。したがって、本形態での処理方法のように短
波長領域をカットした状態で紫外線を照射すると、イン
ナーリードの表面や固体撮像装置等が活性化して腐食す
るのを防ぐことができる。ここで、図2のx軸は波長
(nm)、y軸は相対分光照度である。
UV (ultraviolet) irradiation step: Here, the irradiation energy is 2 to 10 J at the position where the seal glass 7 is adhered with the ultraviolet-curing resin 8 on the sealing surface 3 a.
Ultraviolet rays (for example, 20 to 100 s per 100 mW / cm 2) are irradiated through the filter 21 to cure the ultraviolet curable resin 8. Then, the almost completed CCD package 1 is completed by this curing. In addition, the filter 21 is one of the wavelength lights of the ultraviolet light,
The short wavelength region (30
(0 nm or less). The ultraviolet light in the short wavelength region (300 nm or less) is not particularly necessary for curing the ultraviolet-curable resin 8, but is known to activate the surface of the inner lead and the surface of the solid-state imaging device. Therefore, when ultraviolet light is irradiated while the short wavelength region is cut as in the processing method of the present embodiment, the surface of the inner lead, the solid-state imaging device, and the like can be prevented from being activated and corroded. Here, the x-axis in FIG. 2 is the wavelength (nm), and the y-axis is the relative spectral illuminance.

【0017】ポストキュア(後硬化)工程:ここで
は、UV照射工程で形成されたCCDパッケージ1の
全体を加熱し、紫外線硬化型樹脂8に熱を加えて、さら
に硬化させる。これにより、シール面3aとシールガラ
ス7との間が完全に接着された、図3に示したところの
CCDパッケージ1が形成される。なお、ここでの加熱
方法は、ヒータ10を内蔵させたヒータブロック11を
用意して、このヒータブロック11の上にUV照射工程
で形成されたCCDパッケージ1を載せて加熱する場
合では、150℃程度の熱を約2〜5分間加える。ま
た、別の加熱方法としてはオーブンを使用しても良く、
オーブンの中にCCDパッケージ1を入れて加熱する場
合では、150℃程度の熱を約1〜3時間加えて完全に
接着させる。
Post-cure (post-curing) step: Here, the entire CCD package 1 formed in the UV irradiation step is heated, and heat is applied to the ultraviolet curable resin 8 to further cure it. Thus, the CCD package 1 shown in FIG. 3 in which the sealing surface 3a and the sealing glass 7 are completely bonded is formed. In this case, the heating method is as follows. A heater block 11 having a built-in heater 10 is prepared, and when the CCD package 1 formed in the UV irradiation step is mounted on the heater block 11 and heated, 150 ° C. Apply about 2-5 minutes of heat. In addition, an oven may be used as another heating method,
When the CCD package 1 is placed in an oven and heated, heat of about 150 ° C. is applied for about 1 to 3 hours to completely adhere.

【0018】したがって、本形態例の構造によれば、C
CDパッケージ1を構成しているインナーリードの表面
及び前記固体撮像装置(CCDチップ6)の表面を活性
化する短波長領域(略300nm以下)をカットした状
態で紫外線を照射するので、インナーリードの表面や固
体撮像装置等が活性して腐食したりするのを防止し、信
頼性の高いパッケージを提供することができる。なお、
上記形態例では、フィルター21により略300nm以
下の波長をカットする場合について説明したが、このカ
ットする波長は使用するシール剤(紫外線硬化型樹脂
8)の種類により硬化に影響しない範囲で変更されるも
ので、その種類により、波長が200〜365nm以下
のものが選択されるが、略300nm以下が平均的な数
値である。
Therefore, according to the structure of this embodiment, C
Ultraviolet rays are irradiated in a state where a short wavelength region (about 300 nm or less) for activating the surface of the inner lead constituting the CD package 1 and the surface of the solid-state imaging device (CCD chip 6) is cut. The surface and the solid-state imaging device are prevented from being activated and corroded, and a highly reliable package can be provided. In addition,
In the above embodiment, the case where the wavelength of about 300 nm or less is cut by the filter 21 has been described. However, the cut wavelength is changed within a range that does not affect the curing depending on the type of the sealant (ultraviolet curable resin 8) used. Depending on the type, those having a wavelength of 200 to 365 nm or less are selected, but approximately 300 nm or less is an average value.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
パッケージを構成しているパッケージインナーリードの
表面及び前記固体撮像装置の表面を活性化する短波長領
域をカットした状態で紫外線を照射するので、インナー
リードの表面や固体撮像装置等が活性して腐食したりす
るのを防止し、信頼性の高いパッケージを提供すること
ができる。
As described above, according to the present invention,
Since ultraviolet rays are irradiated in a state where the surface of the package inner lead constituting the package and the short wavelength region that activates the surface of the solid-state imaging device are cut, the surface of the inner lead and the solid-state imaging device are activated and corroded. And a highly reliable package can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るシール方法の一形態を模式的に示
す工程図である。
FIG. 1 is a process diagram schematically showing one embodiment of a sealing method according to the present invention.

【図2】本発明で使用される紫外線の波長領域を説明す
る図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a wavelength region of ultraviolet light used in the present invention.

【図3】従来より知られるパッケージ構造の概略構成断
面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a conventionally known package structure.

【図4】従来におけるシール方法の一形態を模式的に示
す工程図である。
FIG. 4 is a process diagram schematically showing one embodiment of a conventional sealing method.

【図5】従来の方法で使用されている紫外線の波長領域
を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a wavelength region of ultraviolet light used in a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 CCD(固体撮像装置)パッケージ 2 キャビ
ティ 3 パッケージ本体 3a シール面 5 ボンデ
ィングワイヤ 6 CCDチップ(固体撮像素子) 7 シールガラ
ス(リッド) 8 紫外線硬化型樹脂 21 フィルター
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 CCD (solid-state imaging device) package 2 cavity 3 package main body 3a sealing surface 5 bonding wire 6 CCD chip (solid-state imaging device) 7 sealing glass (lid) 8 ultraviolet curing resin 21 filter

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一面が開口されたパッケージ本体のキャ
ビティ内にインナーリードとワイヤボンディングさせて
固体撮像装置をセットし、 その後、前記パッケージ本体のシール面に紫外線硬化樹
脂を塗布してリッドを押し付け、 続いて前記インナーリードの表面及び前記固体撮像装置
の表面を活性化させる短波長領域をカットする特性を有
したフィルターを介して紫外線を前記シール面に向けて
照射し、 前記紫外線により前記紫外線硬化樹脂を硬化させて前記
パッケージ本体と前記リッドとの間をシールする、 ことを特徴とする固体撮像装置用パッケージのシール方
法。
1. A solid-state imaging device is set by wire bonding with inner leads in a cavity of a package body having an opening on one side, and thereafter, a lid is pressed by applying an ultraviolet curable resin to a sealing surface of the package body, Subsequently, the surface of the inner lead and the surface of the solid-state imaging device are irradiated with ultraviolet light toward the sealing surface through a filter having a property of cutting a short wavelength region that activates the surface of the solid-state imaging device. And sealing the space between the package body and the lid by sealing the package.
【請求項2】 前記フィルターとして、略300nm以
下の短波長領域をカットする特性を有したフィルターを
使用する請求項1に記載の固体撮像装置用パッケージの
シール方法。
2. The method according to claim 1, wherein a filter having a characteristic of cutting a short wavelength region of about 300 nm or less is used as the filter.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002184963A (en) * 2000-12-11 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for attaching solid-state image pickup chip to package
JP2007266380A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor image pickup device and its manufacturing method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184963A (en) * 2000-12-11 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for attaching solid-state image pickup chip to package
JP4668408B2 (en) * 2000-12-11 2011-04-13 パナソニック株式会社 Method and apparatus for attaching a solid-state imaging device to a package
JP2007266380A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor image pickup device and its manufacturing method

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