JPH10321506A - マスクパタンデータ生成装置とその方法、および、マスクパタンデータを記録した記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】マスクパタンを電子線レジストにリバース描画
で転写する場合、描画時間が増大し、効率よくフォトマ
スクの製造ができなくなる。 【解決手段】マスクパタンデータ生成装置１ａでは、有
効領域座標入力部１１でウェハ上の有効露光領域が指定
され、周辺パタン座標入力部１２で周辺領域のパタンの
位置が指定される。入力されたマスク作成用原パタンデ
ータより、描画範囲検出部１５でパタンデータの有効領
域が検出され、周辺領域抽出部１６において周辺領域が
検出される。そして、パタン発生部１７で入力原パタン
データの周辺領域のデータがパタンが存在するデータに
変換され、パタン除去部１８でその中の周辺パタンの領
域のデータをパタンが無いデータに変換し、パタン合成
部１９でその変換された領域に入力原パタンデータのそ
の周辺パタンのデータが合成され、最終的なマスク作成
用パタンデータが生成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクを製
造時の、膜材料上に塗布された電子線レジストにラスタ
ースキャン方式により電子ビームを照射しリバース描画
によりマスクパタンを転写する際に、効率よく電子ビー
ムによる描画が行えるようなマスクパタンデータの生成
装置とそのマスクパタンデータの生成方法、および、そ
のようなマスクパタンデータの記録された記録媒体に関
する。

【０００２】

【従来の技術】フォトマスクの一般的な製造工程を図１
０に示す。まず、図１０（Ａ）に示すように、ガラス基
板１０１上に膜材料１０２を形成し、さらにその膜材料
に電子線レジスト１０３を塗布する。このような基板１
０１に対して、図１０（Ｂ）にそのフローチャートを示
すように、まずマスクパタンデータに基づいて電子ビー
ムを照射する（ステップＳ３１）。次に、これを現像
し、不必要な箇所の電子線レジストを剥離する（ステッ
プＳ３２）。そして、この状態でエッチングを行い、電
子線レジストが剥離された領域の膜材料を除去する（ス
テップＳ３３）。最後に電子線レジストを剥離し、フォ
トマスクを完成させる（ステップＳ３４）。

【０００３】このように通常は、電子ビームの照射によ
ってレジスト材料の性質が変わる電子線レジストを用い
て、マスクパタンをガラス基板上の膜材料に転写する。
この電子線レジストの種類は、レジスト材料の変質の仕
方によりポジレジストとネガレジストの２種類に大別さ
れる。ポジレシストを用いた場合、図１０（Ｃ）に示す
ように、電子ビームが照射された領域の電子線レジスト
が現像によって除去され、最終的にこの部分の膜材料が
剥離されたフォトマスクが形成される。また、ネガレジ
ストを用いた場合、図１０（Ｄ）に示すように、電子ビ
ームが照射された領域の電子線レジストは現像によって
残存する。したがって、最終的に電子ビームが照射され
なかった領域の膜材料が剥離されたフォトマスクが形成
される。

【０００４】また、電子ビームの形状が固定であるガウ
ス型ビームを利用したラスタースキャン方式の電子ビー
ム描画装置では、マスクパタンを形成する際、パタンデ
ータの有無により電子ビームの照射を制御する。この場
合、パタンデータのある部分に電子ビームを照射するノ
ーマル描画と、パタンデータの無い内部分に電子ビーム
を照射するリバース描画の２種類に大別される。図１１
を参照して具体的に説明すると、図１１（Ａ）に示すよ
うなパタンデータが提供された場合に、ノーマル描画を
行った場合は図１１（Ｂ）に示すような描画が、リバー
ス描画を行った場合は図１１（Ｃ）に示すような描画が
行われる。なお、図１１（Ａ）においては、パタンのあ
る部分を黒で、パタンの無い部分を白で示し、図１１
（Ｂ），（Ｃ）においては、電子ビームが照射された領
域を黒で、電子ビームが照射されなかった領域を白で示
す。

【０００５】このように、ラスタースキャン方式の電子
ビーム描画装置では、電子線レジストと描画方法の組み
合わせにより、マスクパタンをガラス基板上の膜材料に
転写する方法として、図１２に示すような４通りの方法
があることになる。これらの方法は任意に選択してよい
が、通常はフォトマスクを製造する会社などの組織ごと
に決まっている場合が多い。

【０００６】ところで、近年では、パタンデータを他の
会社などに与えたり他の会社などから入手するなどし
て、異なる会社などの間で同じパタンデータを利用して
フォトマスクの作成を行う場合が生じている。しかし、
それらの会社間で異なるマスク作成方法を行っている場
合には、そのままではそのパタンデータを利用すること
ができない。そこでそのような場合には、利用しようと
するパタンデータをリバース描画を行い、異なるタイプ
の電子線レジストを有する工程においても、そのパタン
データを利用できるようにすることが通常行われてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのよ
うなリバース描画を行う場合に、描画時間が増大し、効
率よくフォトマスクの製造ができなくなるという問題が
ある。

【０００８】通常にリバース描画を行うと、単純にパタ
ンの無い部分を描画するということになる。したがっ
て、たとえば図１３（Ａ）に示すようなパタンデータが
与えられた場合、これをリバース描画すると図１３
（Ｂ）に黒で示すような領域を全て電子線ビームで描画
することになり、描画時間が著しく増大する。なお、図
１３（Ａ）においては、パタンのある部分を黒でパタン
の無い部分を白で示し、図１３（Ｂ）においては、電子
ビームが照射された領域を黒で、電子ビームが照射され
なかった領域を白で示す。後述する図１４（Ａ），
（Ｂ）および図１５（Ａ），（Ｂ）においても、これら
各図の黒部および白部の意味は、図１３と同じである。

【０００９】実際にフォトマスク製造に用いるパタンデ
ータについて、図１４を参照して説明する。図１４
（Ａ）はパタンデータ２０を示す図であり、（Ｂ）は描
画後のフォトマスク基板３０を示す図である。図１４に
示すように、フォトマスク製造に用いるパタンデータの
領域２１は、ウェハ上への有効露光領域２２と、それ以
外の周辺領域２４とを有する。有効露光領域２２内は、
通常、多数のパタン２３が複雑に存在しているので、パ
タンのある場所と無い場所との差がそれ程著しく無く、
リバース描画を行っても描画時間はそれ程変わらないこ
とが予想される。しかし、その有効露光領域２２外の周
辺領域２４は、フォトマスクの合わせマークやバーコー
ドなどのパタン２５が点在するだけであり、パタンが存
在しない領域が大きい。そのため、リバース描画を行う
と、それら本来のパタンが存在しない意味の無い領域に
長時間描画を行うことになり、描画時間が増大する。

【００１０】このような問題を回避するために、図１５
（Ａ）に示すように、有効露光領域２２外の周辺領域の
各パタンデータを別ファイルとして供給し、図１５
（Ｂ）に示すように、この別ファイルに基づいて各パタ
ンごとにリバース描画する方法もある。しかし、このよ
うな描画方法は、電子ビームを一定方向に走査するとい
うラスタースキャン方式の電子ビーム描画装置にそのま
ま適用することができない。すなわち、各ファイル、換
言すれば各パタンを描画するごとに電子ビーム描画装置
をリセットしラスタースキャン範囲などを設定し直さな
ければならず、１つのパタンデータ２０を一連のラスタ
ースキャンで描画することができず、描画効率を一段と
下げてしまうという問題が生じる。

【００１１】したがって、本発明の目的は、リバース描
画によりマスクパタンを描画する際に、無駄な描画を避
けて描画時間を大幅に短縮し、効率よく描画が行えるよ
うなパタンデータを生成するマスクパタンデータ生成装
置を提供することにある。また本発明の他の目的は、リ
バース描画によりマスクパタンを描画する際に、無駄な
描画を避けて描画時間を大幅に短縮し、効率よく描画が
行えるようなパタンデータを生成するマスクパタンデー
タ生成方法を提供することにある。さらに本発明の他の
目的は、リバース描画によりマスクパタンを描画する際
に、無駄な描画を避けて描画時間を大幅に短縮し、効率
よく描画が行えるようなマスクパタンデータが記録され
た記録媒体を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、リバース描画を行うパタンデータに対して、そのパ
タンデータのウェハ上の有効露光領域外の周辺領域の有
意なパタンの存在しない領域にパタンを発生させてお
き、リバース描画によりその領域に描画を行わないよう
にした。

【００１３】したがって、本発明のマスクパタンデータ
生成装置は、入力されたマスクパタンデータより、描画
範囲内でウェハ上の有効露光領域外の領域である周辺領
域を検出する周辺領域検出手段と、そのマスクパタンデ
ータよりその周辺領域内に存在する有意なパタンである
周辺パタンを抽出する周辺パタン抽出手段と、その周辺
領域内で、前記抽出された周辺パタンが存在しない領域
の全域にリバース描画により描画が行われないパタンを
生成するパタン生成手段と、前記入力されたマスクパタ
ンデータの前記有効露光領域内のパタンデータ、前記抽
出された周辺パタンのデータ、および、前記生成された
パタンのデータを合成し、描画範囲全域のマスクパタン
データを生成するデータ合成手段とを有する。

【００１４】このような構成のマスクパタンデータ生成
装置においては、周辺領域検出部で周辺領域を検出し、
この周辺領域に対して周辺パタン抽出部において周辺パ
タンを抽出し、その周辺領域であって抽出された周辺パ
タンの存在しない領域の全域にパタン生成手段でパタン
を生成する。そして、実質的に元の有効露光領域のデー
タ、生成されたパタンのデータ、抽出された周辺パタン
のデータをデータ合成手段において合成することにより
最終的なマスクパタンデータを得る。

【００１５】また、本発明のマスクパタンデータ生成方
法は、入力されたマスクパタンデータより、描画範囲内
でウェハ上の有効露光領域外の領域である周辺領域を検
出し、前記入力されたマスクパタンデータより、前記検
出された周辺領域内に存在する有意なパタンである周辺
パタンを抽出し、前記抽出された周辺領域内で、前記抽
出された周辺パタンが存在しない領域の全域にリバース
描画により描画が行われないパタンを生成し、前記入力
されたマスクパタンデータの前記有効露光領域内のパタ
ンデータ、前記抽出された周辺パタンのデータ、およ
び、前記生成されたパタンのデータを合成し、描画範囲
全域のマスクパタンデータを生成する。

【００１６】このような手順のマスクパタンデータ生成
方法においては、検出された周辺領域より周辺パタンを
抽出し、その周辺領域であってその抽出された周辺パタ
ンの存在しない領域の全域にパタンを生成し、元の有効
露光領域のデータ、生成されたパタンのデータ、抽出さ
れた周辺パタンのデータを実質的に合成して最終的なマ
スクパタンデータを得る。

【００１７】また、本発明のマスクパタンデータの記録
された記録媒体は、膜材料上に塗布された電子線レジス
トにラスタースキャン方式により電子ビームを照射しマ
スクパタンを転写するフォトマスクの製造に用いるマス
クパタンデータが記録された記録媒体であって、ウェハ
上の有効露光領域外で、前記電子ビームによる描画範囲
内の周辺領域内で、有意なパタンが存在しない領域の全
域に、リバース描画により描画が行われないパタンを生
成したことを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】第１の実施の形態 本発明の第１の実施の形態を図１〜図５を参照して説明
する。図１は、第１の実施の形態のマスクパタンデータ
生成装置１ａの構成を示すブロック図である。まず、マ
スクパタンデータ生成装置１ａの各部の構成について説
明する。マスクパタンデータ生成装置１ａは、有効領域
座標入力部１１、周辺パタン座標入力部１２、描画範囲
検出部１５、周辺領域抽出部１６、パタン発生部１７、
パタン除去部１８およびパタン合成部１９を有する。

【００１９】有効領域座標入力部１１は、マスクパタン
データ生成装置１ａに入力されるマスク作成用原パタン
データの中の、ウェハ上への有効露光領域を指定するた
めの手段であり、指定された座標値を周辺領域抽出部１
６に出力する。具体的には、キーボードなどの座標値を
数値として直接入力するような手段でもよいし、画面上
に表示されたパタンデータに対して指示する種々のポイ
ンティングデバイス、あるいは、デジタイザのような座
標読み取り装置でもよい。

【００２０】周辺パタン座標入力部１２は、マスクパタ
ンデータ生成装置１ａに入力されるマスク作成用原パタ
ンデータの中の、ウェハ上への有効露光領域外の周辺領
域に存在する、マークやバーコードなどのパタンの位置
を指定するための手段であり、指定されたそれらのパタ
ンの位置を、パタン除去部１８およびパタン合成部１９
に出力する。具体的には、有効領域座標入力部１１と同
様に、キーボード、ポインティングデバイス、あるい
は、デジタイザのような装置である。

【００２１】描画範囲検出部１５は、マスクパタンデー
タ生成装置１ａに入力されるマスク作成用原パタンデー
タより、実際にパタンデータが存在する領域、換言すれ
ば、ウェハ上への有効露光領域と、マスク合わせなどの
マークが配置されたその周辺の周辺領域とを合わせたパ
タンデータとして有効な領域の座標を検出し、周辺領域
抽出部１６に出力する。

【００２２】周辺領域抽出部１６は、描画範囲検出部１
５より入力されたパタンデータの有効領域の座標値、お
よび、有効領域座標入力部１１より入力されたウェハ上
への有効露光領域の座標値に基づいて、パタンデータの
有効領域内であって有効露光領域外である周辺領域を検
出し、その座標データをパタン発生部１７に出力する。

【００２３】パタン発生部１７は、入力されるマスク作
成用原パタンデータの、周辺領域抽出部１６で検出され
た周辺領域の全域にパタンを生成する。換言すれば、周
辺領域の全域のデータを、パタンが存在するデータに変
換する。周辺領域のデータが変換されたパタンデータは
パタン除去部１８に出力される。

【００２４】パタン除去部１８は、周辺パタン座標入力
部１２より入力される、周辺領域に存在するマークやバ
ーコードなどの周辺パタンの位置を示すデータに基づい
て、パタン発生部１７より入力される周辺領域のデータ
が全てパタンが存在するデータに変換されたパタンデー
タの、周辺パタンの存在する領域内のパタンを除去す
る。すなわち、その領域内のデータを、パタンが無いデ
ータに変換する。得られたパタンデータはパタン合成部
１９に出力する。

【００２５】パタン合成部１９は、周辺パタン座標入力
部１２より入力される、周辺領域に存在するマークやバ
ーコードなどの周辺パタンの位置を示すデータに基づい
て、マスクパタンデータ生成装置１ａに入力されたマス
ク作成用原パタンデータより、その周辺パタンの領域に
相当するデータを抽出し、パタン除去部１８より入力さ
れる、丁度その周辺領域の周辺パタンの部分のパタンが
除去されたパタンデータと合成する。合成されたパタン
データがマスク作成用パタンデータであり、マスクパタ
ンデータ生成装置１ａより出力される。

【００２６】次に、マスクパタンデータ生成装置１ａの
動作について、図２および図３を参照して説明する。ま
ず、マスクパタンデータ生成装置１ａには、図２（Ａ）
に示すようなマスク作成用原パタンデータ２０ａが入力
され、描画範囲検出部１５、パタン発生部１７およびパ
タン合成部１９に入力される。描画範囲検出部１５に入
力されたパタンデータ２０ａは、図２（Ａ）に示すよう
なパタンデータとしての有効な領域２１が検出され、そ
の範囲を示すデータが周辺領域抽出部１６に出力され
る。

【００２７】一方で、有効領域座標入力部１１および周
辺パタン座標入力部１２を介して、パタンデータ２０ａ
内のウェハ上への有効露光領域２２、および、有効露光
領域２２外にあるマークやバーコードなどの周辺パタン
２５_-1〜２５_-4の領域の座標値が、作業者などにより入
力される。図２（Ａ）に示したようなマスク作成用原パ
タンデータ２０ａにおいては、図２（Ｂ）に示すような
有効露光領域２２の領域、および、図２（Ｃ）に示すよ
うな周辺パタン２５_-1〜２５_-4の領域の位置を示す座
標、具体的には、その領域の左下点の座標値、および、
その領域の右上点の座標値が入力される。

【００２８】次に、描画範囲検出部１５で得られたパタ
ンデータの有効領域２１の座標値、および、有効領域座
標入力部１１において入力された有効露光領域２２の座
標値に基づいて、周辺領域抽出部１６において、図３
（Ｄ）に示すような、パタンデータの領域２１内であっ
て有効露光領域２２外である周辺領域２４が検出され
る。そして、マスク作成用原パタンデータ２０ａのこの
周辺領域２４のデータが、パタン発生部１７において、
パタンが存在するデータに変換される。

【００２９】次に、パタン除去部１８において、このパ
タンが発生された周辺領域２４中の周辺パタン座標入力
部１２において入力された周辺パタン２５_-1〜２５_-4の
領域について、図３（Ｅ）に示すように、そのデータを
パタンが無いデータに変換する。そして、そのパタンが
無いデータに変換された領域に、パタン合成部１９にお
いて、マスクパタンデータ生成装置１ａに入力されたマ
スク作成用原パタンデータ２０ａのその周辺パタン２５
_-1〜２５_-4のデータを合成することにより、図３（Ｆ）
に示すような、最終的なマスク作成用パタンデータが生
成される。

【００３０】次に、このようにして生成されたマスク作
成用パタンデータ２０ｂを用いて、膜材料上に塗布され
た電子線レジストにラスタースキャン方式により電子ビ
ームを照射しリバース描画によりパタンを描画すると、
これまでより効率よく電子ビームによる描画が行えるこ
とについて、図４を参照して説明する。マスクパタンデ
ータ生成装置１ａにより生成されたマスク作成用パタン
データ２０ｂは、図４（Ａ）に示すようなパタンデータ
であり、元のマスク作成用原パタンデータ２０ａと比較
すると、周辺領域２４の何ら周辺パタンが存在しない領
域にパタンを発生したものである。

【００３１】リバース描画を行う場合には、パタンデー
タの無い部分に描画を行うことになる。したがって、元
のマスク作成用原パタンデータ２０ａよりパタン部分が
多いパタンデータ２０ｂを用いることにより、リバース
描画により実際に描画を行う領域は少なくなるのであ
る。図４（Ａ）に示したようなパタンデータ２０ｂを用
いれば、リバース描画により実際に描画を行う領域は図
４（Ｂ）に黒で示す領域のみとなる。マスク作成用原パ
タンデータ２０ａをそのまま用いてリバース描画を行う
場合には、図１４（Ｂ）に黒で示す領域について描画を
行わなければならないのであるから、描画をする領域が
大幅に少なくなっていることがわかる。

【００３２】このように、第１の実施の形態のマスクパ
タンデータ生成装置１ａを用いて生成したパタンデータ
を用いてリバース描画を行えば、無駄な描画をさけ、描
画時間を大幅に短縮することができる。なお、マスクパ
タンとしては実質的に意味の無い部分にパタンを発生さ
せたのであるから、製造されるフォトマスクは実用上何
ら問題がない。

【００３３】最後に、第１の実施の形態のマスクパタン
データ生成装置１ａの処理の流れを、図５にフローチャ
ートとしてまとめて示す。なお、第１の実施の形態のマ
スクパタンデータ生成装置１ａは、図１に示したような
各構成部を有する専用の装置でなくとも、汎用の計算機
装置などを用いても実現できる。そのような場合に計算
機装置などで行う処理は、この図５のフローチャートに
示されている処理でよい。

【００３４】まず、リバース描画を行うパタンデータの
ウェハ上への有効露光領域の座標を入力する（ステップ
Ｓ１１）。次に、リバース描画を行うパタンデータのウ
ェハ上への有効露光領域外に存在する周辺パタンの領域
の座標を入力する（ステップＳ１２）。また、入力され
たマスク作成用原パタンデータ２０ａに基づいて、リバ
ース描画を行うパタンデータの有効な領域を検出する
（ステップＳ１３）。そして、ステップＳ１１およびス
テップＳ１３で得られた座標を元に、パタンデータの有
効な領域の範囲内であって、リバース描画を行うパタン
データのウェハ上への有効露光領域外の領域（周辺領
域）に、パタンを発生させる（ステップＳ１４）。

【００３５】次に、ステップＳ１２で得られた周辺パタ
ンの座標に基づいて、ステップＳ１４で発生されたパタ
ンより、その周辺パタンの存在する領域のパタンを取り
除く（ステップＳ１５）。そして、ステップＳ１２でそ
の存在領域が得られた周辺パタンのパタンデータを、ス
テップＳ１５においてその領域のパタンが除去されたパ
タンデータ２０に追加する（ステップＳ１６）。その結
果、図３（Ｆ）に示したような、入力されたマスク作成
用原パタンデータ２０ａの、有効露光領域外の何ら周辺
パタンが存在しない領域にパタンを発生したパタンデー
タ２０ｂが得られる。

【００３６】第２の実施の形態 本発明の第２の実施の形態を図６〜図９を参照して説明
する。第２の実施の形態のマスクパタンデータ生成装置
１ｂは、第１の実施の形態のマスクパタンデータ生成装
置１ａとほぼ同じ機能を有し同じパタンデータを生成す
るが、有効露光領域および周辺パタンの領域の指定の方
法のみが第１の実施の形態のマスクパタンデータ生成装
置１ａとは異なるマスクパタンデータ生成装置１ｂであ
る。

【００３７】図６は、その第２の実施の形態のマスクパ
タンデータ生成装置１ｂの構成を示すブロック図であ
る。マスクパタンデータ生成装置１ｂは、有効領域抽出
部１３、周辺パタン抽出部１４、描画範囲検出部１５、
周辺領域抽出部１６、パタン発生部１７、パタン除去部
１８およびパタン合成部１９を有する。まず、マスクパ
タンデータ生成装置１ｂの各部の構成について説明す
る。なお、描画範囲検出部１５、周辺領域抽出部１６、
パタン発生部１７、パタン除去部１８およびパタン合成
部１９の構成および機能は、前述した第１の実施の形態
のマスクパタンデータ生成装置１ａに同符号で示した各
部のものと同じなので、その説明を省略し、構成が異な
る有効領域抽出部１３および周辺パタン抽出部１４につ
いてのみ説明する。

【００３８】有効領域抽出部１３は、入力される有効領
域指定用パタンデータに基づいて、マスクパタンデータ
生成装置１ｂに入力されるマスク作成用原パタンデータ
２０ａの中の、ウェハ上への有効露光領域２２を検出す
る。この有効領域指定用パタンを図７に例示する。図７
に示すように、有効領域指定用パタン４０は、パタンデ
ータの有効領域４１内の、マスク作成用原パタンデータ
２０ａのウェハ上への有効露光領域２２に対応する領域
全域にパタン４２が形成されているようなパタンであ
る。有効領域抽出部１３にこのようなパタンデータ４０
が入力されると、このデータを走査してパタン４２を検
出し、図２（Ｂ）に示したようなそのパタン４２の左下
点および右上点の座標を求める。求められた座標値は、
周辺領域抽出部１６に出力される。

【００３９】周辺パタン抽出部１４は、入力される周辺
パタン指定用パタンデータに基づいて、マスクパタンデ
ータ生成装置１ｂに入力されるマスク作成用原パタンデ
ータ２０ａの中の、ウェハ上への有効露光領域２２外の
周辺領域２４に存在する、マークやバーコードなどのパ
タン２５_-1〜２５_-4の位置を検出する。この周辺パタン
指定用パタンデータを図８に例示する。図８に示すよう
に、周辺パタン指定用パタンデータ５０は、パタンデー
タの有効領域５１内の、マスク作成用原パタンデータ２
０ａの周辺パタン２５_-1〜周辺パタン２５_-4に対応する
領域の全域に、パタン５５_-1〜５５_-4が形成されている
ようなパタンである。周辺パタン抽出部１４にこのよう
なパタンデータ５０が入力されると、このデータを走査
してパタン５５_-1〜５５_-4を検出し、図２（Ｃ）に示し
たようなその各パタン５５_-1〜５５_-4の左下点および右
上点の座標を求める。求められた座標値は、パタン除去
部１８およびパタン合成部１９に出力される。

【００４０】次に、マスクパタンデータ生成装置１ｂの
動作について説明する。マスクパタンデータ生成装置１
ｂに入力されたパタンデータ２０ａは、描画範囲検出部
１５においてそのパタンデータの領域２１が検出され、
その範囲を示すデータが周辺領域抽出部１６に出力され
る。また、マスクパタンデータ生成装置１ｂに入力され
た有効領域指定用パタン４０は、有効領域抽出部１３に
入力されてマスク作成用原パタンデータ２０ａのウェハ
上への有効露光領域２２に対応するパタン４２が検出さ
れ、その座標値が周辺領域抽出部１６に出力される。ま
た、マスクパタンデータ生成装置１ｂに入力された周辺
パタン指定用パタンデータ５０は、周辺パタン抽出部１
４に入力されてマスク作成用原パタンデータ２０ａの周
辺パタン２５_-1〜２５_-4に対応するパタン５５_-1〜５５
_-4が検出され、その座標値がパタン除去部１８およびパ
タン合成部１９に出力される。

【００４１】以後は、第１の実施の形態のマスクパタン
データ生成装置１ａの動作と同じであり、描画範囲検出
部１５で得られたパタンデータの領域２１の座標および
有効領域抽出部１３で得られた有効露光領域２２の座標
に基づいて、周辺領域抽出部１６において、周辺領域２
４が検出され、マスク作成用原パタンデータ２０ａの周
辺領域２４のデータが、パタン発生部１７において、パ
タンが存在するデータに変換される。次に、パタン除去
部１８において、周辺パタン抽出部１４で得られた周辺
パタン２５_-1〜２５_-4の領域のデータをパタンが無いデ
ータに変換し、その変換された領域に、パタン合成部１
９において、マスク作成用原パタンデータ２０ａのその
周辺パタン２５_-1〜２５_-4のデータが合成され、最終的
なマスク作成用パタンデータ２０ｂが生成される。

【００４２】このように、第２の実施の形態のマスクパ
タンデータ生成装置１ｂにおいても、第１の実施の形態
のマスクパタンデータ生成装置１ａと全く同じパタンデ
ータを生成することができるので、これを用いてリバー
ス描画を行えば、無駄な描画をさけ、描画時間を大幅に
短縮することができる。また、第２の実施の形態のマス
クパタンデータ生成装置１ｂにおいては、有効露光領域
および周辺パタンの領域の指定を、図７に示したような
有効領域指定用パタン４０および周辺パタン指定用パタ
ンデータ５０を用いて行う。したがって、作業者がそれ
らの座標を別途入力する必要がないので、操作性が向上
する。このような領域指定用パタンデータが容易に得ら
れる場合には、第２の実施の形態のマスクパタンデータ
生成装置１ｂが好適である。

【００４３】最後に、第２の実施の形態のマスクパタン
データ生成装置１ｂの処理の流れを、図９にフローチャ
ートとしてまとめて示す。なお、第２の実施の形態のマ
スクパタンデータ生成装置１ｂも、図６に示したような
各構成部を有する専用の装置でなくとも、汎用の計算機
装置などを用いても実現できる。そのような場合に計算
機装置などで行う処理は、この図９のフローチャートに
示されている処理でよい。

【００４４】まず、リバース描画を行うパタンデータの
ウェハ上への有効露光領域と同じ領域にパタンを有する
有効領域指定用パタンを入力する（ステップＳ２１）。
次に、リバース描画を行うパタンデータの有効露光領域
外に存在する周辺パタンと同じ領域にパタンを有する周
辺パタン指定用パタンデータを入力する（ステップＳ２
２）。次に、入力されたマスク作成用原パタンデータ２
０ａに基づいて、リバース描画を行うパタンデータの有
効な領域を検出する（ステップＳ２３）。また、ステッ
プＳ２１で入力された有効領域指定用パタンに基づい
て、有効露光領域の座標値を（ステップＳ２４）、ステ
ップＳ２２で入力された周辺パタン指定用パタンデータ
に基づいて、周辺パタンの座標値を（ステップＳ２
５）、各々検出する。

【００４５】そして、ステップＳ２３およびステップＳ
２４で得られた座標を元に、パタンデータの有効な領域
の範囲内であって、リバース描画を行うパタンデータの
ウェハ上への有効露光領域外の領域（周辺領域）に、パ
タンを発生させる（ステップＳ２６）。

【００４６】次に、ステップＳ２５で得られた周辺パタ
ンの座標に基づいて、ステップＳ２６で発生されたパタ
ンより、その周辺パタンの存在する領域のパタンを取り
除く（ステップＳ２７）。そして、ステップＳ２５でそ
の存在領域が得られた周辺パタンのパタンデータを、ス
テップＳ２７においてその領域のパタンが除去されたパ
タンデータ２０に追加する（ステップＳ２８）。その結
果、入力されたマスク作成用原パタンデータ２０ａの、
有効露光領域外の何ら周辺パタンが存在しない領域にパ
タンを発生したパタンデータ２０ｂが得られる。

【００４７】なお、本発明は、前述した第１の実施の形
態および第２の実施の形態に限られるものではなく、任
意好適な変更を加えてよい。たとえば、パタンデータの
有効領域、ウェハ上への有効露光領域、および、周辺領
域のマークやバーコードなどのパタンの位置などの情報
の入力方法、および、検出方法は、第１および第２の実
施の形態に例示した方法に限られず、任意の方法でよ
い。

【００４８】また、本第１および第２の実施の形態で
は、周辺領域全域にまずパタンを発生し、その後周辺パ
タンの存在する部分のそのパタンを除去し、本来の周辺
パタンと合成するという処理手順を用いている。しか
し、この手順は一連であって、当初から周辺領域の周辺
パタンの存在しない部分にのみパタンを生成するように
してもよい。本発明は、周辺領域の周辺パタンの存在し
ない所にパタンを生成することを特徴としており、これ
らの細かな手順を変更しても、実質的に本発明の範囲内
である。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のマスクパ
タンデータ生成装置およびマスクパタンデータ生成方法
によれば、有効露光領域外の周辺領域にパタンを発生さ
せたパタンデータを生成しているので、リバース描画に
よりマスクパタンを描画する際に無駄な描画を避け描画
領域を少なくすることができる。すなわち、描画時間を
大幅に短縮し、効率よく描画が行えるようなパタンデー
タを生成することができる。また本発明のマスクパタン
データが記載された記録媒体によれば、リバース描画に
よりマスクパタンを描画する際に、無駄な描画を避けて
描画時間を大幅に短縮し、効率よく描画が行えるような
パタンデータを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態のマスクパタンデー
タ生成装置の構成を示すブロック図である。

【図２】図１に示したマスクパタンデータ生成装置の動
作を説明する図であり、（Ａ）は入力されたマスク作成
用原パタンデータを示す図であり、（Ｂ）はウェハ上へ
の有効露光領域を示す図であり、（Ｃ）は周辺領域に形
成されたマークやバーコードなどの周辺パタンを示す図
である。

【図３】図１に示したマスクパタンデータ生成装置の動
作を説明する図であり、（Ｄ）は周辺領域および周辺領
域にパタンが発生された状態を示す図であり、（Ｅ）は
そのパタンが発生された周辺領域において周辺パタンの
領域のパタンが除外された状態を示す図であり、（Ｆ）
は最終的に生成されたマスク作成用パタンデータを示す
図である。

【図４】図１に示したマスクパタンデータ生成装置によ
り生成されたマスク作成用パタンデータにより、効率よ
く電子ビームによる描画が行えることを説明するための
図であり、（Ａ）は生成されたマスク作成用パタンデー
タを示す図であり、（Ｂ）はそのパタンデータに基づい
てリバース描画を行う場合の描画領域を示す図である。

【図５】図１に示した第１の実施の形態のマスクパタン
データ生成装置の処理を示すフローチャートである。

【図６】本発明の第２の実施の形態のマスクパタンデー
タ生成装置の構成を示すブロック図である。

【図７】図６に示したマスクパタンデータ生成装置に入
力される有効領域指定用パタンを説明するための図であ
る。

【図８】図６に示したマスクパタンデータ生成装置に入
力される周辺パタン指定用パタンデータを説明するため
の図である。

【図９】図６に示した第２の実施の形態のマスクパタン
データ生成装置の処理を示すフローチャートである。

【図１０】フォトマスクの一般的な製造工程を示す図で
あり、（Ａ）はフォトマスク製造用の基板を示す図であ
り、（Ｂ）はその製造工程を説明するフローチャートで
あり、（Ｃ）はポジレジストを用いた場合の製造工程を
説明する図であり、（Ｄ）はネガレジストを用いた場合
の製造工程を説明する図である。

【図１１】ラスタスキャン方式による電子ビーム描画方
法を説明する図であり、（Ａ）はパタンデータの例を示
す図であり、（Ｂ）はノーマル描画を行った場合の描画
領域を示す図であり、（Ｃ）はリバース描画を行った場
合の描画領域を示す図である。

【図１２】マスクパタン転写方法の種類を説明する図で
ある。

【図１３】リバース描画により描画時間が増大する場合
を説明するための図であり、（Ａ）はパタンデータの例
を示す図であり、（Ｂ）はそのパタンデータに基づいて
リバース描画を行う場合の描画領域を示す図である。

【図１４】マスクパタンにおいてリバース描画により描
画時間が増大する場合を説明するための図であり、
（Ａ）はパタンデータの例を示す図であり、（Ｂ）はそ
のパタンデータに基づいてリバース描画を行う場合の描
画領域を示す図である。

【図１５】リバース描画により描画時間を短縮する従来
の方法の一例を説明するための図であり、（Ａ）はパタ
ンデータを示す図であり、（Ｂ）はそのパタンデータに
基づいてリバース描画を行う場合の描画領域を示す図で
ある。

【符号の説明】

１…マスクパタンデータ生成装置、１１…有効領域座標
入力部、１２…周辺パタン座標入力部、１３…有効領域
抽出部、１４…周辺パタン抽出部、１５…描画範囲検出
部、１６…周辺領域抽出部、１７…パタン発生部、１８
…パタン除去部、１９…パタン合成部、２０…マスク作
成用原パタンデータ、２１…パタンデータの有効領域、
２２…ウェハ上への有効露光領域、２３…有効露光領域
のパタン、２４…周辺領域、２５…周辺領域のパタン、
３０…描画後のフォトマスク基板、４０…有効領域指定
用パタン、４１…パタンデータの有効領域、４２…パタ
ン、５０…周辺パタン指定用パタンデータ、５５…パタ
ン

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】入力されたマスクパタンデータより、描画
   範囲内でウェハ上の有効露光領域外の領域である周辺領
   域を検出する周辺領域検出手段と、 前記入力されたマスクパタンデータより、前記検出され
   た周辺領域内に存在する有意なパタンである周辺パタン
   を抽出する周辺パタン抽出手段と、 前記抽出された周辺領域内で、前記抽出された周辺パタ
   ンが存在しない領域の全域にリバース描画により描画が
   行われないパタンを生成するパタン生成手段と、 前記入力されたマスクパタンデータの前記有効露光領域
   内のパタンデータ、前記抽出された周辺パタンのデー
   タ、および、前記生成されたパタンのデータを合成し、
   描画範囲全域のマスクパタンデータを生成するデータ合
   成手段とを有するマスクパタンデータ生成装置。
2. 【請求項２】前記ウェハ上の有効露光領域の座標を指定
   する有効露光領域指定手段をさらに有し、 前記周辺領域検出手段は、前記指定された有効露光領域
   の座標に基づいて、前記描画範囲内で当該有効露光領域
   外である周辺領域を検出し、 前記データ合成手段は、前記指定された有効露光領域の
   座標に基づいて、前記入力されたマスクパタンデータの
   前記有効露光領域内のパタンデータを抽出し前記合成を
   行う請求項１記載のマスクパタンデータ生成装置。
3. 【請求項３】前記周辺領域内に存在する有意なパタンの
   位置の座標を指定する周辺パタン位置指定手段をさらに
   有し、 前記周辺パタン抽出手段は、前記指定された周辺パタン
   の位置の座標に基づいて、前記マスクパタンデータより
   該周辺パタンを抽出し、 前記パタン生成手段は、前記指定された周辺パタンの位
   置の座標に基づいて、前記周辺領域内で当該周辺パタン
   が存在しない領域に前記リバース描画により描画が行わ
   れないパタンを生成する請求項２記載のマスクパタンデ
   ータ生成装置。
4. 【請求項４】前記ウェハ上の有効露光領域に相当する領
   域に所定のパタンを有する有効露光領域指定パタンデー
   タを入力する有効露光領域指定パタン入力手段と、 前記入力された有効露光領域指定パタンデータより前記
   有効露光領域に相当する領域の所定のパタンを抽出し、
   該領域の座標値を算出する有効露光領域座標値算出手段
   とをさらに有し、 前記周辺領域検出手段は、前記算出された有効露光領域
   の座標値に基づいて、前記描画範囲内で当該有効露光領
   域外である周辺領域を検出し、 前記データ合成手段は、前記算出された有効露光領域の
   座標値に基づいて、前記入力されたマスクパタンデータ
   の前記有効露光領域内のパタンデータを抽出し前記合成
   を行う請求項１記載のマスクパタンデータ生成装置。
5. 【請求項５】前記周辺領域内に存在する周辺パタンに相
   当する位置に所定のパタンを有する周辺パタン指定パタ
   ンデータを入力する周辺パタン指定パタン入力手段と、 前記入力された周辺パタン指定パタンデータより前記周
   辺パタンに相当する位置の所定のパタンを抽出し、該パ
   タンの位置の座標値を算出する周辺パタン位置座標値算
   出手段とをさらに有し、 前記周辺パタン抽出手段は、前記算出された周辺パタン
   の位置の座標値に基づいて、前記マスクパタンデータよ
   り該周辺パタンを抽出し、 前記パタン生成手段は、前記算出された周辺パタンの位
   置の座標値に基づいて、前記周辺領域内で当該周辺パタ
   ンが存在しない領域に前記リバース描画により描画が行
   われないパタンを生成する請求項４記載のマスクパタン
   データ生成装置。
6. 【請求項６】入力されたマスクパタンデータより、描画
   範囲内でウェハ上の有効露光領域外の領域である周辺領
   域を検出し、 前記入力されたマスクパタンデータより、前記検出され
   た周辺領域内に存在する有意なパタンである周辺パタン
   を抽出し、 前記抽出された周辺領域内で、前記抽出された周辺パタ
   ンが存在しない領域の全域にリバース描画により描画が
   行われないパタンを生成し、 前記入力されたマスクパタンデータの前記有効露光領域
   内のパタンデータ、前記抽出された周辺パタンのデー
   タ、および、前記生成されたパタンのデータを統合し、
   描画範囲全域のマスクパタンデータを生成するマスクパ
   タンデータ生成方法。
7. 【請求項７】前記ウェハ上の有効露光領域、および、前
   記周辺領域内に存在する有意なパタンである周辺パタン
   の位置は、直接的に当該領域および位置の座標を入力す
   ることにより指定し、 前記指定された座標に基づいて、前記周辺領域の検出、
   前記周辺パタンの抽出、前記有効露光領域内のパタンデ
   ータの合成を行うことを特徴とする請求項６記載のマス
   クパタンデータ生成方法。
8. 【請求項８】前記ウェハ上の有効露光領域、および、前
   記周辺領域内に存在する有意なパタンである周辺パタン
   の位置は、 前記有効露光領域および周辺パタン位置に相当する領域
   に所定のパタンを有する領域指定用パタンデータを入力
   し、 前記入力された領域指定用パタンデータより前記有効露
   光領域および前記周辺パタンに相当する位置の所定のパ
   タンを抽出し、 前記抽出されたパタンの位置の座標値を算出することに
   より得、 前記算出された座標値に基づいて、前記周辺領域の検
   出、前記周辺パタンの抽出、前記有効露光領域内のパタ
   ンデータの合成を行うことを特徴とする請求項６記載の
   マスクパタンデータ生成方法。
9. 【請求項９】膜材料上に塗布された電子線レジストにラ
   スタースキャン方式により電子ビームを照射しマスクパ
   タンを転写するフォトマスクの製造に用いるマスクパタ
   ンデータが記録された記録媒体であって、 ウェハ上の有効露光領域外で、前記電子ビームによる描
   画範囲内の周辺領域内で、有意なパタンが存在しない領
   域の全域に、リバース描画により描画が行われないパタ
   ンを生成したことを特徴とするマスクパタンデータを記
   録した記録媒体。