JPH10319604A - レジストの現像方法および現像装置 - Google Patents

レジストの現像方法および現像装置

Info

Publication number
JPH10319604A
JPH10319604A JP12582697A JP12582697A JPH10319604A JP H10319604 A JPH10319604 A JP H10319604A JP 12582697 A JP12582697 A JP 12582697A JP 12582697 A JP12582697 A JP 12582697A JP H10319604 A JPH10319604 A JP H10319604A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
developer
resist
absorbance
value
developing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12582697A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3795627B2 (ja
Inventor
Yasuharu Tanaka
康晴 田中
Teruyuki Midorikawa
輝行 緑川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP12582697A priority Critical patent/JP3795627B2/ja
Priority to TW087105812A priority patent/TW533331B/zh
Priority to US09/062,832 priority patent/US6120945A/en
Priority to KR1019980017459A priority patent/KR100261717B1/ko
Publication of JPH10319604A publication Critical patent/JPH10319604A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3795627B2 publication Critical patent/JP3795627B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/201Filters in the form of arrays
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3071Process control means, e.g. for replenishing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 現像の精度・制御性を劣化させることなく、
現像液の利用効率を改善することの可能な、レジストの
現像方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 複数の基板上に形成され、所定のパター
ンに露光されたレジスト膜のそれぞれに対し、現像液を
循環させて施すことにより順に現像する方法であって、
それぞれの現像に際し、現像液の導電率および吸光度を
測定およびモニターし、これらの測定値から現像液のp
Hを順次算出し、このpH値を所定の範囲内に維持する
ように制御することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジストの現像方
法に係り、特に、レジストの現像に使用される現像液の
濃度の制御に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、カラー型アクティブマトリクス
駆動液晶表示素子は、相互に対向して配置されたアレイ
基板と対向基板との間に液晶組成物を挟持した構造を有
している。アレイ基板には、アモルファスシリコン(a
−Si)からなる半導体層を用いた薄膜トランジスタ
(TFT)、それに接続された表示電極および信号線電
極、およびゲート電極が形成されている。また、対向基
板には、カラーフィルタおよび対向電極が形成されてい
る。
【0003】以上のようなカラー液晶表示素子に用いら
れるカラーフィルタの最も一般的なものは、無色透明の
フォトレジストに顔料を分散させるなどして着色したカ
ラーレジストを基板の表面に塗布し、これを露光現像し
てパターニングを繰り返すことにより製造されている。
【0004】このようなカラーレジストとして最も多く
用いられているのは、アクリル系ラジカル重合型のレジ
ストであり、その現像にはアルカリ性の現像液が用いら
れる。アルカリ性の現像液としては、例えば水酸化カル
シウムや水酸化ナトリウム等の無機アルカリの水溶液を
用いることができる。しかし、前述のTFTを用いた液
晶表示素子(TFT−LCD)では、TFTがこれらの
アルカリイオンの不純物を嫌うため、テトラメチルアン
モニウムハイドライド(TMAH)などの有機アルカリ
の水溶液が使用される。
【0005】このアクリル系ラジカル重合型のレジスト
は、光が照射されない状態ではアルカリ成分と反応して
可溶性に変化する化学構造を有しており、光の照射によ
って重合反応が起こり、不溶性となる。従って、再現性
良く現像を行うためには、現像液の温度を一定に保つと
共に、現像液中のアルカリ成分の濃度を一定に保つこと
が必要である。すなわち現像液のpHを一定に保つこと
が必要である。
【0006】近年、TET−LCDのより一層の高輝度
化、低消費電力化のために、開口率を向上させることが
望まれている。このことは、カラーフィルタのパターン
精度により高いものを要求することを意味する。従っ
て、現像液の濃度をより良く制御できることが望まし
い。
【0007】ところで、一般に水溶液のpHの値は、ガ
ラス電極を用いたpH計によって測定することができる
が、アルカリ性の溶液については、原理的に測定精度が
低い。また、ガラス電極をアルカリ性の液に長時間漬け
ていると誤差が次第に大きくなるため、数時間ごとに構
成が必要になる。以上のような理由から、実際のレジス
トの現像装置においては、pHを測定して現像液のアル
カリ濃度をコントロールすることは困難であるため、p
Hの代わりに現像液の導電率を測定し、これを一定に保
つことが一般に行われている。
【0008】ところが、導電率が一定となるように現像
液濃度をコントロールする方法には、次のような問題が
ある。即ち、現像によりレジストが現像液中に溶け込む
と、pHの値が一定であっても導電率の値が変化する。
逆に言えば、導電率を一定に保っていても現像を続けて
いくに従って、pHの値は変動してしまう。
【0009】この問題は、現像液を使い捨てにして、常
に新鮮な現像液を使用することにより解決するが、生産
コストの点で不利となる。そこで実際には、現像液の吸
光度を測定することで、現像液中に溶解したレジストの
濃度をモニタし、現像液中のレジストの濃度を一定に保
つようにしている。そして、現像液中のレジスト濃度が
ある値の時の現像の精度を実験によって求め、その時の
現像液の導電率を一定に保つようにしている。
【0010】従って、この方法によると、吸光度すなわ
ち現像液中のレジスト濃度が所定の値に達するまでは、
制御性良く現像を行うことができないという問題があ
る。また、現像液の利用効率も良好であるとは言えな
い。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情の
下でなされ、吸光度を一定にすることなく、導電率を制
御することにより現像液の濃度を最適に保つことがで
き、それによって、現像の精度・制御性を劣化させるこ
となく、現像液の利用効率を改善することの可能な、レ
ジストの現像方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明(請求項1)は、複数の基板上に形成され、
所定のパターンに露光されたレジスト膜のそれぞれに対
し、現像液を循環させて施すことにより順に現像する方
法であって、それぞれの現像に際し、現像液の導電率お
よび吸光度を測定およびモニターし、これらの測定値か
ら現像液のpH値またはそれに対応する値を順次算出
し、このpH値またはそれに対応する値を所定の範囲内
に維持するように制御することを特徴とするレジストの
現像方法を提供する。
【0013】また、本発明(請求項2)は、複数の基板
上に形成され、所定のパターンに露光されたレジスト膜
のそれぞれに対し、アルカリ性現像液を循環させて施す
ことにより、順に現像する方法であって、それぞれの現
像に際し、現像液の導電率および吸光度を測定およびモ
ニターし、これらの測定値から、下記式(1)に示す値
を順次求め、この値を所定の範囲内に維持するように制
御することを特徴とするレジストの現像方法を提供す
る。
【0014】 A・log(ρ)+B・Ab …(1) (式中、ρは現像液の導電率、Ab は現像液の吸光度、
AとBはそれぞれ定数を示す。) 更に、本発明(請求項3)は、複数の基板上に形成さ
れ、所定のパターンに露光されたレジスト膜のそれぞれ
に対し、アルカリ性現像液を循環させて施すことにより
順に現像する方法であって、前記基板のそれぞれには複
数種類のレジスト膜が順次形成されるとともに順次現像
が行われ、それぞれの現像に際し、現像液の導電率およ
び吸光度を測定およびモニターし、これらの測定値か
ら、下記式(2)に示す値を順次求め、この値を所定の
範囲内に維持するように制御することを特徴とするレジ
ストの現像方法を提供する。
【0015】
【数2】
【0016】(式中、ρは現像液の導電率、Abiは各レ
ジストに応じて定められた波長における現像液の吸光
度、Bi はAbiに対応する定数、Aは定数、Ci は使用
するレジストの種類に対応する定数、nは使用するレジ
ストの種類の数以下の自然数を示す。) 更にまた、本発明(請求項4)は、複数の基板上に形成
され、所定のパターンに露光されたレジスト膜のそれぞ
れに対し、アルカリ性現像液を循環させて施すことによ
り順に現像する方法であって、前記基板のそれぞれには
複数種類のレジスト膜が順次形成されるとともに順次現
像が行われ、それぞれの現像に際し、現像液の導電率お
よび吸光度を測定およびモニターし、これらの測定値か
ら、下記式(3)に示す値を順次求め、この値を所定の
範囲内に維持するように制御することを特徴とするレジ
ストの現像方法を提供する。
【0017】 A・log(ρ)+B・Ab …(3) (式中、ρは現像液の導電率、Ab は、現像液中に溶解
したレジストによる現像液の吸光度の変化が、各レジス
トに対してほぼ同じとなる光の波長での現像液の吸光
度、AとBはそれぞれ定数を示す。) 本発明の方法には、吸光度を測定する光の波長として、
赤外若しくは紫外領域の波長、又は赤外若しくは紫外領
域に近い可視光を用いることが好ましい。特に、使用す
るレジストの固有吸収波長を用いることがより好まし
い。特に、複数の異なる色のレジストを使用する場合、
可視光領域の波長を用いると、異なるレジスト間での吸
光度の値の区別がつかないため、上記波長領域を用いる
ことが好ましい。
【0018】また、本発明の方法では、pH値の制御
は、現像液中に溶媒または新たな現像液を追加すること
により行うことが出来る。現像液が水溶液である場合、
溶媒は水である。この場合、pH値または式(1)、
(2)若しくは(3)に示す値の制御は、算出された値
が初期値から±10%の範囲をはずれないように行うこ
とが好ましい本発明の方法に用いられる現像液は、レジ
ストを現像するものであるならば特に限定されないが、
上述の式は、特に、アルカリ性現像液を用いる場合に適
用される。アルカリ性現像液としては、テトラメチルア
ンモニウムハイドライド、メチルピペリジン、トリメチ
ルアミン等を挙げることができる。
【0019】本発明の方法に用いるレジストとしては、
商品名:OFPR−800(東京応化工業株式会社製)
や商品名:CR−2000(富士ハントエレクトロニク
ステクノロジ−株式会社製)等を挙げることができる。
特に、顔料が分散されたカラーレジストを用いた場合に
は、現像によりカラーフィルタ、特に液晶表示装置に用
いられるカラーフィルタを得ることが出来る。
【0020】本発明(請求項7)はまた、複数の基板上
に形成され、所定のパターンに露光されたレジスト膜に
対し、現像液を循環させて施すことにより順に現像する
装置であって、それぞれの現像に際し、現像液の導電率
および吸光度を測定およびモニターする手段、これらの
測定値から現像液のpH値またはそれに対応する値を順
次算出する手段、このpH値またはそれに対応する値を
所定の範囲内に維持するように制御する手段を具備する
ことを特徴とするレジストの現像装置を提供する。
【0021】以上のように構成される本発明によると、
現像液の導電率と吸光度の測定値から、現像液のpH値
またはそれに対応する値を算出することができる。この
ため、導電率と吸光度の測定値をモニターすることによ
り、pH値またはそれに対応する値を制御することが可
能になる。従って、現像液中に溶解しているレジストの
濃度が変化しても、現像液のpHを導電率によって管理
することができる。その結果、現像の制御性を劣化させ
ることなく、現像液の利用効率を改善することができ
る。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の種々に実施の形態
について詳細に説明する。
【0023】実施形態1 本発明者らは、基板上に形成されたレジスト膜を所定の
パターンに現像した場合の処理枚数と、導電率、吸光度
およびpHとの関係を調べるために、次のような実験を
行った。
【0024】即ち、ガラス基板上に、青色顔料を分散さ
せたアクリル系のネガ型レジスト(商品名:CB−20
00、富士ハントエレクトロニクステクノロジ−株式会
社製)を膜厚2μmで塗布した多数の試料について、所
定のパターンの露光を行った後、テトラメチルアンモニ
ウムハイドライド(TMAH)の水溶液からなる現像液
を用い、現像液を循環させて現像処理を行った。このと
き、各現像処理ごとに、現像液の導電率を測定し、処理
枚数と現像液の導電率との関係を求めたところ、図1に
示す結果を得た。
【0025】同様に、各現像処理ごとに、現像液の吸光
度およびpHを測定し、処理枚数と現像液の吸光度およ
びpHとの関係を求めたところ、図2および図3に示す
結果を得た。
【0026】なお、最初にある濃度(0.06wt%)
に現像液濃度を調整し、そのままの状態で74枚目まで
現像を行ない、75枚目の基板を現像する前にTMAH
を補給して、現像液の導電率をほぼ最初の導電率に近い
値になるようにし、それ以降の現像を行った。即ち、初
期pH11.9からpH11.35となった時点でTM
AHを補給した。
【0027】図1〜3に示す結果から、現像液の導電率
およびpHは、処理枚数の増加とともに下降し、新しい
現像液の補給により急激に上昇しているが、現像液の吸
光度は、処理枚数の増加とともに増加を続け、新しい現
像液の補給によっても、大きな下降を示していないこと
がわかる。
【0028】次いで、図1および図3に示す結果から、
現像液の導電率とpH値をプロットしたところ、図4に
示すグラフを得た。このグラフから、TMAHを補給し
た後の導電率は、初期値よりも若干高くなっているにも
かかわらず、pHの値は初期値に戻っていないことがわ
かる。これは、現像液中に溶解したレジストの影響によ
るものである。このように、現像液中のレジスト濃度が
異なると、導電率が同じ値でも、pHの値は異なる。
【0029】次に、下記式(4)を仮定して、実験デー
タから最小自乗法によって定数A,B,Cを求め、この
式を用いて、導電率と吸光度の実測値からpHを計算し
た結果を図4のグラフに重ねてプロットしたのが図5で
ある。図5から、実測値と計算値とはよく一致している
ことがわかる。
【0030】
【数3】
【0031】この式により現像液の導電率と吸光度の実
測値から計算したpH値が一定になるように、すなわち
A・log(ρ)+B・Abが一定になるように現像液
濃度を制御して現像を行ったところ、安定したパターン
サイズのレジストパターンが得られ、現像液中のレジス
ト濃度が変化しても良好な現像結果が得られた。
【0032】実施形態2 アクリル系のネガ型カラーレジスト(商品名:CR−2
000、CG−2000、CB−2000、いずれも富
士ハントエレクトロニクステクノロジ−株式会社製)を
用い、ガラス基板に膜厚2μmとなるように塗布し、露
光し、次いでTMAHの水溶液からなる現像液を循環さ
せて現像処理を行い、これらの工程を各色ごとに順次繰
り返した。
【0033】なお、最初にある濃度(0.06wt%)
に現像液濃度を調整し、そのままの状態で74枚目まで
現像を行ない、75枚目の基板を現像する前にTMAH
を補給して、現像液の導電率をほぼ最初の導電率に近い
値になるようにし、それ以降の現像を行った。
【0034】このとき、各現像処理ごとに、現像液の導
電率とpH値を実測し、その値をプロットしたのが図6
のグラフである。このグラフに、下記式(5)を仮定し
て、定数A、B、Cを求め、そのA、B、Cの値を用い
て導電率と吸光度の実測値から計算したpHの値を重ね
てプロットした。ここで、吸光度を測定した波長は、赤
のレジストは450nm、緑のレジストは630nm、
青のレジストについては760nmである。
【0035】
【数4】
【0036】(式中、ρは現像液の導電率、Abiは各レ
ジストに応じて定められた波長における現像液の吸光
度、Bi はAbiに対応する定数、Aは定数、nは使用す
るレジストの種類の数以下の自然数を示す。) 図6から、計算で求めたpHの値は実測値と良く一致し
ていることがわかる。この導電率と吸光度から計算した
pH値が一定になるように現像液濃度を調整してカラー
レジストを現像したところ、現像後のパターンサイズが
一定した良好なカラーレジストパターンが得られた。こ
のように、異なるレジストを同一の現像液で処理するこ
とが可能である。
【0037】実施形態3 アクリル系のネガ型カラーレジスト(商品名:CR−2
000、CG−2000、CB−2000、いずれも富
士ハントエレクトロニクステクノロジ−株式会社製)を
用い、ガラス基板に膜厚2μmとなるように塗布し、露
光し、次いでTMAHの水溶液からなる現像液を循環さ
せて現像処理を行い、これらの工程を各色ごとに順次繰
り返した。
【0038】なお、最初にある濃度(0.06wt%)
に現像液濃度を調整し、そのままの状態で74枚目まで
現像を行ない、75枚目の基板を現像する前にTMAH
を補給して、現像液の導電率をほぼ最初の導電率に近い
値になるようにし、それ以降の現像を行った。
【0039】このとき、各現像処理ごとに、現像液の導
電率とpH値を実測し、その値をプロットしたのが図7
のグラフである。このグラフに、下記式(6)を仮定し
て、定数A、B、Cを求め、そのA、B、Cの値を用い
て導電率と吸光度の実測値から計算したpHの値を重ね
てプロットした。
【0040】
【数5】
【0041】この場合の吸光度の値は、紫外線に近い可
視光である波長400nmの光に対する値を用いた。使
用した3色のカラーレジストの波長400nmの光に対
する吸光度は、赤、緑、青それぞれ0.85,0.8
0,0.95とほぼ等しい。
【0042】図7から、計算で求めたpHの値は実測値
と良く一致していることがわかる。この導電率と吸光度
から計算したpH値が一定になるように現像液濃度を調
整してカラーレジストのパターンを現像したところ、現
像後のパターンサイズが一定した良好な現像結果が得ら
れた。
【0043】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によると、
現像液の導電率と吸光度の測定値から、現像液のpH値
またはそれに対応する値を算出することができる。この
ため、導電率と吸光度の測定値をモニターすることによ
り、pH値を制御することが可能になる。従って、現像
液中に溶解しているレジストの濃度が変化しても、現像
液のpHを導電率によって管理することができる。その
結果、現像液濃度変化によるパターンサイズの変動を防
ぐことができるので、現像の精度を落とすことなく現像
液の利用効率を改善することができる。
【0044】また、本発明を液晶表示素子のカラーフィ
ルタの作製に利用することは、開口率を改善した液晶表
示素子の実現に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 処理枚数と現像液の導電率との関係を示す特
性図。
【図2】 処理枚数と現像液の吸光度との関係を示す特
性図。
【図3】 処理枚数と現像液のpHとの関係を示す特性
図。
【図4】 現像液の導電率とpH値との関係を示す特性
図。
【図5】 導電率と吸光度の実測値から計算されたpH
と導電率との関係を示す特性図。
【図6】 導電率と吸光度の実測値から計算されたpH
と導電率との関係を示す特性図。
【図7】 導電率と吸光度の実測値から計算されたpH
と導電率との関係を示す特性図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G02F 1/1335 505 G02F 1/1335 505 G03F 7/26 501 G03F 7/26 501 H01L 21/027 H01L 21/30 569F

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の基板上に形成され、所定のパター
    ンに露光されたレジスト膜のそれぞれに対し、現像液を
    循環させて施すことにより順に現像する方法であって、
    それぞれの現像に際し、現像液の導電率および吸光度を
    測定およびモニターし、これらの測定値から現像液のp
    H値またはそれに対応する値を順次算出し、このpH値
    またはそれに対応する値を所定の範囲内に維持するよう
    に制御することを特徴とするレジストの現像方法。
  2. 【請求項2】 複数の基板上に形成され、所定のパター
    ンに露光されたレジスト膜のそれぞれに対し、アルカリ
    性現像液を循環させて施すことにより、順に現像する方
    法であって、それぞれの現像に際し、現像液の導電率お
    よび吸光度を測定およびモニターし、これらの測定値か
    ら、下記式(1)に示す値を順次求め、この値を所定の
    範囲内に維持するように制御することを特徴とするレジ
    ストの現像方法。 A・log(ρ)+B・Ab …(1) (式中、ρは現像液の導電率、Ab は現像液の吸光度、
    AとBはそれぞれ定数を示す。)
  3. 【請求項3】 複数の基板上に形成され、所定のパター
    ンに露光されたレジスト膜のそれぞれに対し、アルカリ
    性現像液を循環させて施すことにより順に現像する方法
    であって、前記基板のそれぞれには複数種類のレジスト
    膜が順次形成されるとともに順次現像が行われ、それぞ
    れの現像に際し、現像液の導電率および吸光度を測定お
    よびモニターし、これらの測定値から、下記式(2)に
    示す値を順次求め、この値を所定の範囲内に維持するよ
    うに制御することを特徴とするレジストの現像方法。 【数1】 (式中、ρは現像液の導電率、Abiは各レジストに応じ
    て定められた波長における現像液の吸光度、Bi はAbi
    に対応する定数、Aは定数、Ci は使用するレジストの
    種類に対応する定数、nは使用するレジストの種類の数
    以下の自然数を示す。)
  4. 【請求項4】 複数の基板上に形成され、所定のパター
    ンに露光されたレジスト膜のそれぞれに対し、アルカリ
    性現像液を循環させて施すことにより順に現像する方法
    であって、前記基板のそれぞれには複数種類のレジスト
    膜が順次形成されるとともに順次現像が行われ、それぞ
    れの現像に際し、現像液の導電率および吸光度を測定お
    よびモニターし、これらの測定値から、下記式(3)に
    示す値を順次求め、この値を所定の範囲内に維持するよ
    うに制御することを特徴とするレジストの現像方法。 A・log(ρ)+B・Ab …(3) (式中、ρは現像液の導電率、Ab は、現像液中に溶解
    したレジストによる現像液の吸光度の変化が、各レジス
    トに対してほぼ同じとなる光の波長での現像液の吸光
    度、AとBはそれぞれ定数を示す。)
  5. 【請求項5】 吸光度を測定する光の波長として、赤外
    若しくは紫外領域の波長、又は赤外若しくは紫外領域に
    近い可視光を用いることを特徴とする請求項1〜4のい
    ずれかの項に記載のレジストの現像方法。
  6. 【請求項6】 前記pH値または式(1)、(2)若し
    くは(3)に示す値の制御は、現像液中に溶媒または新
    たな現像液を追加することにより行われる請求項1〜4
    のいずれかの項に記載のレジストの現像方法。
  7. 【請求項7】 複数の基板上に形成され、所定のパター
    ンに露光されたレジスト膜に対し、現像液を循環させて
    施すことにより順に現像する装置であって、それぞれの
    現像に際し、現像液の導電率および吸光度を測定および
    モニターする手段、これらの測定値から現像液のpHを
    順次算出する手段、このpH値を所定の範囲内に維持す
    るように制御する手段を具備することを特徴とするレジ
    ストの現像装置。
  8. 【請求項8】 前記レジストは、着色されたカラーレジ
    ストであり、現像によりカラーフィルタが得られること
    を特徴とする請求項1〜4のいずれかの項に記載のレジ
    ストの現像方法。
  9. 【請求項9】 複数の基板上に形成され、所定のパター
    ンに露光されたカラーレジスト膜のそれぞれに対し、現
    像液を循環させて施すことにより順に現像することによ
    り得たカラーフィルタであって、それぞれの現像に際
    し、現像液の導電率および吸光度を測定およびモニター
    し、これらの測定値から現像液のpH値またはそれに対
    応する値を順次算出し、このpH値またはそれに対応す
    る値を所定の範囲内に維持するように制御したことを特
    徴とするカラーフィルタ。
  10. 【請求項10】 電極およびカラーフィルタを有する第
    1の基板と、この第1の基板に対向配置され、対向面に
    電極を有する第2の基板と、これら第1および第2の基
    板間に配置された液晶層とを具備する液晶表示装置であ
    って、前記カラーフィルタは、複数の第1の基板上に形
    成され、所定のパターンに露光されたカラーレジスト膜
    のそれぞれに対し、現像液を循環させて施すことにより
    順に現像することにより形成され、それぞれの現像に際
    し、現像液の導電率および吸光度を測定およびモニター
    し、これらの測定値から現像液のpH値またはそれに対
    応する値を順次算出し、このpH値またはそれに対応す
    る値を所定の範囲内に維持するように制御したことを特
    徴とする液晶表示装置。
JP12582697A 1997-05-15 1997-05-15 レジストの現像方法 Expired - Fee Related JP3795627B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12582697A JP3795627B2 (ja) 1997-05-15 1997-05-15 レジストの現像方法
TW087105812A TW533331B (en) 1997-05-15 1998-04-16 Method of developing a photoresist pattern and a developing apparatus
US09/062,832 US6120945A (en) 1997-05-15 1998-04-20 Method of developing a photoresist pattern and a developing apparatus
KR1019980017459A KR100261717B1 (ko) 1997-05-15 1998-05-15 레지스트의 현상방법 및 현상장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12582697A JP3795627B2 (ja) 1997-05-15 1997-05-15 レジストの現像方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10319604A true JPH10319604A (ja) 1998-12-04
JP3795627B2 JP3795627B2 (ja) 2006-07-12

Family

ID=14919908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12582697A Expired - Fee Related JP3795627B2 (ja) 1997-05-15 1997-05-15 レジストの現像方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6120945A (ja)
JP (1) JP3795627B2 (ja)
KR (1) KR100261717B1 (ja)
TW (1) TW533331B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004118197A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Au Optronics Corp テトラメチルアンモニア水酸化物(tmah)を含むフォトレジストの現像液におけるリサイクル方法およびそのシステム

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6423458B2 (en) * 2000-02-08 2002-07-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Monitoring method of developing solution for lithographic printing plates
JP3894104B2 (ja) * 2002-11-15 2007-03-14 東京エレクトロン株式会社 現像方法及び現像装置及び現像液再生装置
US7119025B2 (en) * 2004-04-08 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods of eliminating pattern collapse on photoresist patterns
KR101332191B1 (ko) 2012-03-07 2013-11-22 (주)에스지이앤티 포토레지스트를 포함한 현상액의 농도 산출 방법 및 농도 조절 장치
CN104534678B (zh) * 2014-12-09 2017-07-04 芜湖恒美电热器具有限公司 热水器内胆加热管的模拟位置检测装置
WO2023097453A1 (zh) * 2021-11-30 2023-06-08 深圳华大生命科学研究院 预显影系统及其使用方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02240654A (ja) * 1989-03-15 1990-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 着色フォトレジストの現像装置
JPH0540345A (ja) * 1991-08-07 1993-02-19 Hirama Rika Kenkyusho:Kk 現像液管理装置
JPH07110580A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板現像装置
JPH07140671A (ja) * 1993-06-29 1995-06-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板現像装置
JPH09113890A (ja) * 1995-10-18 1997-05-02 Seiko Epson Corp 液晶表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02240654A (ja) * 1989-03-15 1990-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 着色フォトレジストの現像装置
JPH0540345A (ja) * 1991-08-07 1993-02-19 Hirama Rika Kenkyusho:Kk 現像液管理装置
JPH07140671A (ja) * 1993-06-29 1995-06-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板現像装置
JPH07110580A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板現像装置
JPH09113890A (ja) * 1995-10-18 1997-05-02 Seiko Epson Corp 液晶表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004118197A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Au Optronics Corp テトラメチルアンモニア水酸化物(tmah)を含むフォトレジストの現像液におけるリサイクル方法およびそのシステム

Also Published As

Publication number Publication date
TW533331B (en) 2003-05-21
JP3795627B2 (ja) 2006-07-12
US6120945A (en) 2000-09-19
KR19980087063A (ko) 1998-12-05
KR100261717B1 (ko) 2000-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0202705B1 (en) Patterned polyimide film, a photosensitive polyamide acid derivative and an electrophoretic image-display cell
TW581905B (en) Substrate having light-shielding layer
US4220705A (en) Process for manufacturing a multi-colored display polarizer
US8351143B2 (en) Color filter substrate and manufacturing method thereof
JP2652072B2 (ja) 遮光層の形成方法
JPS59129832A (ja) 光学変調装置
US6897921B2 (en) Method of manufacturing electrode base member and reflecting member for liquid crystal display device
JP3795627B2 (ja) レジストの現像方法
TW201229574A (en) Method for producing color filter, display element and color filter
US5593802A (en) Method of forming a spacer for use in a liquid crystal panel
US20060033876A1 (en) Liquid crystal displays with post spacers, and their manufacture
JP2839280B2 (ja) 着色フォトレジストの現像装置
JPH05157905A (ja) カラーフィルタの製造方法
JP2593670B2 (ja) カラー表示装置の製造方法
EP0260712B1 (en) Method for making a relief pattern of a cured resin on a transparent colored layer
JP2018036328A (ja) レジストパターンの形成方法
JPS62141502A (ja) 液晶表示体用カラ−フイルタの製造法
CN114690476B (zh) 显示面板及其制作方法
JPH1090904A (ja) 感光性レジストとカラーフィルタおよびカラーフィルタの製造方法
JPH04306601A (ja) カラーフィルタの製造方法
JP4023968B2 (ja) 樹脂層付アクティブマトリクス基板の製造方法及び該方法に用いられる現像液
JPH095514A (ja) 液晶ディスプレイ用カラーフィルタ
JPS62165624A (ja) 液晶表示体用カラ−フイルタの製造法
JPS63318554A (ja) フォトレジストの現像方法およびその装置
JPS61105506A (ja) カラ−フイルタ−の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040413

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060313

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060411

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060413

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees