JPH10317110A - 希土類系磁石用原料合金とその製造方法 - Google Patents
希土類系磁石用原料合金とその製造方法Info
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Abstract
されるR−T−B系磁石用原料合金において、その粉砕
時に粒径1μm以下の微細粉の発生の低減が可能な当該
原料合金並びにその製造方法の提供。 【解決手段】 冷却用ロール表面に基材よりも熱伝導率
の小さな材料による特定厚みの表面層を設けて緩冷却化
を図ることにより、微細なチル晶組織3の生成を抑制で
き、断面組織における面積比で5%以下で、且つ残部が
均一な柱状晶組織4を有することを特徴とし、その結
果、粉砕工程での微粉末の生成を防止して良好な粒度分
布の成形用粉末を得ることを可能にした。
Description
た急冷凝固法により製造される種々組成のR−T−B系
磁石用原料合金の製造に係り、ロール表面に基材よりも
熱伝導率の小さな材料による特定厚みの表面層を設けて
緩冷却化し、得られる合金薄片のロール面側表面近傍に
生成する微細なチル晶組織の量を少なく、すなわち、微
細なチル晶組織の合金薄片の厚み断面に占める割合を5
%以下となすことにより、合金薄片の微粉砕時に発生す
る微細粉末を減少させ、所定の粒度分布からなり磁気特
性の向上が期待できる磁石用合金粉末の製造を可能にし
た、希土類系磁石用原料合金とその製造方法に関する。
であるNd‐Fe‐B系焼結磁石は様々な分野で使用さ
れている。例えば、ハードディスク装置など電子機器の
内部に組み込まれるモーターをはじめ核磁気共鳴断層撮
影装置(MRI)のような医療機器の磁界発生源など
に、その需要は拡大するとともに、更なる高性能化の要
求も増大している。かかる背景の中で、磁石特性の向上
を目的とした原料合金の製造技術とそれによる原料合金
に関しいくつかの提案がなされている。
を粉砕、焼結して磁石を製造していたが、インゴット外
周部と中心部では組織が著しく異なること、結晶粒が粗
大であること及び粗大なFeが析出する等の問題があっ
た。鋳造インゴットを粉砕して得た原料合金を用いて磁
石化した場合、磁石粒子間及び磁石粒子内の希土類元素
に不都合な偏在があり、磁石特性を劣化させるととも
に、製造面でも焼結性、粉砕性、及び原料歩留まりを悪
化させていた。
ールを用いた急冷凝固法に関するいくつかの提案がなさ
れている。特開昭60‐89546号では急冷すること
により5μm以下の正方晶組織を得ることにより優れた
保磁力を持つ磁石を製作することができるとしている。
また、特開昭63‐317643号では、急冷ロールを
用いて得られる原料合金の柱状晶結晶粒径、鋳造板厚を
規定して、得られる磁石の高性能化を図った製造方法が
提案されている。
95490号及び特開平7‐66022号には、急冷ロ
ールによる製造条件、すなわち冷却速度、過冷度、冷却
方向等を規定して適正な柱状組織を得ようとした製造方
法が提案されている。
5‐135919では、ロール外周部にCrメッキ層を
10〜100μmで被覆してロールの耐久性を改善する
とともに、適正な結晶粒径をより得やすくしようとした
製造方法が提案されている。
結磁石の磁気特性の向上を考えると、鋳造インゴットを
粉砕して得た場合も急冷ロールを用いて得られる薄帯合
金を粉砕した原料合金を用いる場合も、粉砕時に発生す
る粒径1μm以下の微細粉は、酸化されやすくまた結晶
粒径より小さいことにより磁石特性を悪化させ、原料歩
留まりの低下をもたらすことが指摘されている。
より製造されるR−T−B系磁石用原料合金は、いずれ
も磁石の高性能化を図ることができるが、粉砕時に粒径
1μm以下の微細粉の発生を防止することはできないも
のであった。さらなる磁石特性の向上には微細粉の除去
が必要となるが、容易なことではなく、粉砕時に微細粉
の発生が少ない原料合金が求められている。
固法により製造されるR−T−B系磁石用原料合金にお
いて、その粉砕時に粒径1μm以下の微細粉の発生の低
減が可能な当該原料合金並びにその製造方法の提供を目
的としている。
による希土類系薄帯合金の粉砕時における粒径1μm以
下の微細粉の発生を解決するために、R−T−B系合金
磁石用原料合金の急冷凝固組織を調査した結果、粉砕工
程時に微細粉発生の要因として、ロール急冷による急冷
時、主として鋳造片のロールと接触する側に図1及び図
2に示すような等軸微細なチル晶組織が生成されてお
り、この微細チル晶が粉砕工程において微細粉末を生成
することを知見した。
の原因である、ロールと接触する側に生成される微細チ
ル晶組織の生成防止を図るために種々検討を重ねた結
果、次の1)〜9)の点に着目し、この発明を完成させ
た。
ロールの材質は純銅またはこれに近い銅合金であり、熱
伝導率が高い。 2) 鋳片の断面凝固組織のうち、ロール表面近傍領域
においては凝固時の冷却速度が大きいために、過冷度も
大きく、凝固の核生成速度が大きい。 3) 急冷凝固鋳片の断面組織のうち、核生成速度の大
きいロール面側近傍領域には、微細なチル晶組織が生成
しやすい。 4) 微細なチル晶組織の生成を防止するためにはロー
ルの冷却面における材質を銅又は銅合金に比較して熱伝
導率の低い材質に変更することが効果的である。 5) 一方、冷却用ロールそのものの材質を全て一様に
熱伝導率の低いものに変更することは水冷によるロール
の冷却効率の観点から望ましくない。 6) そこで、銅ロールの表面部分の材質のみを熱伝導
率の低い材質に変更する、すなわち、表面改質による緩
冷却化が効果的である。 7) 6)の方法によって製造される希土類系磁石原料
合金の凝固組織においては、チル晶の生成率が低く、ロ
ール面側から自由表面側に向かって均一な柱状晶組織を
生成している。 8) 6)の方法によって微粉末の生成が抑制され、粉
砕工程における歩留まりが改善され、また均一な粒度分
布が得られる。 9) 6)の方法によって製造される希土類系磁石用原
料合金を粉砕、成型、焼結して得られる焼結磁石は良好
な磁気特性を有する。
いた急冷凝固法により製造されるR−T−B系磁石用原
料合金であり、該原料合金のロール面に接触した薄帯表
面近傍に生成する微細なチル晶組織の断面組織全体に占
める面積比率(チル晶組織の平均生成比率)が5%以下
である希土類系磁石用原料合金である。
を冷却用ロールにて急冷凝固させて合金薄帯を得る希土
類系磁石用原料合金の製造方法において、冷却用ロール
の溶湯冷却面にロール基材よりも熱伝導率の小さい材料
からなる表面層を少なくとも0.1mmを超える厚みで
形成し、異材質表面層による緩冷却化を施して急冷凝固
する希土類系磁石用原料合金の製造方法である。
‐B系磁石用原料合金の組成は、希土類元素(R)、遷
移金属元素(T)およびBを主成分とし、適宜選定され
る種々の添加元素、その他に溶製上不可避的な不純物元
素により構成されるものである。これは、この発明によ
る永久磁石を優れた磁気特性を示すR2T14B1の原子比
からなる正方晶の主磁性相と粒界に偏析して焼結工程に
おいて液相焼結を促進する役割を果たすRに富んだRリ
ッチ相の2相でもって構成させるためである。
rやDy等の希土類元素を含有してもよく、その組成範
囲(Rの合計)は10原子%〜30原子%が望ましい。
10原子%未満では十分な保磁力(IHc)が得られ
ず、また30原子%超えると十分な残留磁束密度(B
r)が得られないからである。さらに望ましいRの範囲
は、12〜15原子%である。
を含有してもよく、その組成範囲は、42原子%〜88
原子%である。42原子%未満では十分な残留磁束密度
か得られず、また88原子%超えると十分な保磁力が得
られないからである。さらに望ましいTの範囲は、77
〜84原子%である。Coによる置換は永久磁石の耐熱
性および耐食性向上に効果的である。
ある。2原子%未満では十分な保磁力が得られず、また
28原子%超えると十分な残留磁束密度Brが得られな
いからである。さらに望ましいTの範囲は、4〜8原子
%である。
oを含有するR−Fe−B合金に、9.5原子%以下の
Al、4.5原子%以下のTi、9.5原子%以下の
V、8.5原子%以下のCr、8.0原子%以下のM
n、5原子%以下のBi、12.5原子%以下のNb、
10.5原子%以下のTa、9.5原子%以下のMo、
9.5原子%以下のW、2.5原子%以下のSb、7原
子%以下のGe、3.5原子%以下のSn、5.5原子
%以下のZr、5.5原子%以下のHfのうち少なくと
も1種添加含有させることにより、永久磁石合金の高保
磁力が可能になる。この発明のR−Fe−B系永久磁石
において、結晶層は主層が正方晶であることが不可欠で
あり、特に、微細で均一な合金粉末を得て、すぐれた磁
気特性を有する焼結永久磁石を作製するのに効果的であ
る。
した合金溶湯を、常法に従ってArガスのような不活性
雰囲気中あるいは真空中において、急冷ロールを用いて
急冷凝固させてR‐T‐B系磁石用原料合金を製造する
に際して、特に冷却用ロールの溶湯接触面を表面改質す
ることにより緩冷却化を図ることを特徴としている。そ
の理由は、後の粉砕工程において微粉末を生成する要因
となる微細なチル晶組織の生成を抑制するためである。
ような熱伝導率の高い材料を用いることが多いが、溶湯
の冷却効果が過大となり、鋳片のロール面側近傍に等軸
微細なチル晶組織が生成しやすいが、ロールの表面にロ
ール材質よりも熱伝導率の低い材料でもって表面改質を
施すことによって微細なチル晶の生成を抑制することか
できる。
i、Mo、Cr、WC‐Co、アルミナ、TiN、Si
C、AlN、Si3N4、ジルコニア、Ni‐50Cr、
Co−23Cr−12Al−0.5Y、Co−32Ni
‐21Cr‐8Al−0.5Υ、Ni−22Cr−10
Al−1Y、Co‐28Cr−4W−3Fe‐1C、C
o−28Mo−17Cr‐3Si、WC−27NiC
r、Al2O3‐3TiO2、Al2O3‐25ZrO2‐2
TiO2、A12O3‐22Si、ZrO2‐8Y203、Z
rO2−25MgO、WC−14CoCr、Cr3C2‐
25NiCr、ZrO2−33SiO2、Cr3C2、Ti
C、ZrC、ZrB2が効果的であり、もちろん、これ
らの材質を積層して複合的に用いてもよい。これらの材
質が効果的な理由は、いずれの材質も銅や銅ベリリウム
などの銅を主成分とする合金に比較して熱伝導率が低い
ため、緩冷却化の効果が得られやすいからである。
はメッキ法が望ましい。また、Mo、WC‐Co、アル
ミナ、TiN、SiC、AlN、Si3N4、ジルコニ
ア、Ni‐50Cr、Co−23Cr−12Al−0.
5Y、Co−32Ni‐21Cr‐8Al−0.5Υ、
Ni−22Cr−10Al−1Y、Co‐28Cr−4
W−3Fe‐1C、Co−28Mo−17Cr‐3S
i、WC−27NiCr、Al2O3‐3TiO2、Al2
O3‐25ZrO2‐2TiO2、A12O3‐22Si、
ZrO2‐8Y203、ZrO2−25MgO、WC−14
CoCr、Cr3C2‐25NiCr、ZrO2−33S
iO2、Cr3C2、TiC、ZrC、ZrB2による表面
改質には溶射が望ましい。その理由は、ロール本体との
材質との密着性に優れるために熱伝達が良好であるため
である。
よい。すなわち、例えば、ロール面にNi、Moまたは
Crを単独であるいは複合的にメッキした後に、さらに
その表面に、WC‐Co、アルミナ、TiN、SiC、
AlN、Si3N4、ジルコニア、Ni‐50Cr、Co
−23Cr−12Al−0.5Y、Co−32Ni‐2
1Cr−8Al−0.5Y、Ni‐22Cr−10Al
−1Y、Co−28Cr−4W‐3Fe−1C、Co−
28Mo−17Cr‐3Si、WC−27NiCr、A
l2O3‐3TiO2、Al2O3‐25ZrO2‐2TiO
2、Al2O3‐22Si、ZrO2‐8Υ2O3、ZrO2
‐25MgO、WC−14CoCr、Cr3C2‐25N
iCr、ZrO2‐33SiO2、Cr3C2、TiC、Z
rC、ZrB2を単独であるいは複合的に溶射しても良
い。また、金属の複合溶射も効果的である。たとえば、
W‐Cu、Fe‐Ni‐Cuをそれぞれ複合溶射しても
よい。さらに、金属とセラミックスの複合溶射を施して
もよい。たとえば、SiCとNiをダブルトーチを用い
て複合溶射してもよく、この場合には溶射後の緻密化処
理として熱間静水圧プレス(Hot Isostati
c Pressing; HIP)を施すことが好まし
い。
0.1mm以上、10mm以下の範囲が望ましい。0.
1mm以下では合金鋳片の緩冷却化を十分に実現するこ
とができず、チル晶が生成してしまうためである。10
mmを超えると、凝固組織の粗大化が著しいため、永久
磁石に製造した場合に保磁力が低下する問題を生じ、さ
らに緩冷却化が過ぎるために初晶のγ‐Feが晶出し、
凝固後の相変態によりα‐Fe相が原料合金中に残留し
て、粉砕特性ひいては磁石特性の低下を招来し好ましく
ない。この観点から、さらに望ましい表面層の厚み範囲
は、Ni、Mo、W−Cu、Fe−Ni−Cu、Ni−
50Cr、Co−23Cr−12Al−0.5Y、Co
−32Ni−21Cr−8Al−0.5Y、Ni−22
Cr−10Al−1Y、Co−28Cr−4W−3Fe
−1C、Co−28Mo−17Cr−3Siの場合は
0.5mm、アルミナ、TiN、SiC、AlN、Si
3N4、ジルコニア、Al2O3−3TiO2、Al2O3−
25ZrO2−2TiO2、Al2O3−22Si、ZrO
2−8Y2O3、ZrO2−25MgO、WC−14CoC
r、Cr3C2−25NiCr、ZrO2−33SiO2、
Cr3C2、TiC、ZrC、ZrB2の場合は0.1〜
2mm、WC−Co、WC−27NiCrの場合は0.
5〜4mmである。
の表面層を施した冷却用ロールを用いて製造されるが、
その形態は単ロール法によっても双ロール法によっても
良い。特に、双ロールを用いる場合には、溶湯の凝固鋳
片の両側から進行するためにより均一な柱状晶組織をよ
り厚く形成させることができる。その結果、原料合金の
製造効率が向上し、また粉砕特性、磁石特性が向上する
という利点がある。
ては、上注ぎ法あるいはタンディッシュを用いる横注ぎ
法のいずれであっても良い。ロールのサイズについて
は、特に限定しないが、製造効率と内部の水冷による冷
却効率の観点からは、径が200mm〜700mmで、
幅が200mm〜1000mmであることが望ましい。
トリップキャスティング法により製造されるR‐T‐B
系磁石用原料合金は、チル晶の生成率が低く均一な柱状
晶組織を有する。具体的には、この発明のR−T−B系
磁石用原料合金は、図1及び図2に示すごとく、ロール
面側表面1近傍に生成するチル晶組織3の平均生成比率
が、断面組織における面積比で5%以下で、且つ残部が
均一な柱状晶組織4を有することを特徴とする。さらに
望ましくは平均生成比率が2%以下である。
成比率について以下のように定義し、判定する。まず、
組織観察用試料として、R−T−B系磁石用原料合金の
縦断面組織を観察面に検出させ、偏光顕微鏡を用いて5
00倍で観察する。組織の検出には、原料合金を樹脂等
に埋め込み研磨し、縦断面を仕上げバフ研磨により鏡面
状に仕上げたものをそのまま用い、特に腐食液等による
検出を要しない。観察には走査型電子顕微鏡の反射電子
像を用いても良い。偏光像または反射電子像を用いるの
はチル晶組織を鮮明に検出させるためである。
織を無作為に選択し、図1及び図2のごとき連続する4
00mm(500倍で)の縦断面組織写真を撮影する。
同時に、例えば50倍程度の低倍率で組織写真を撮影し
ておき、先に観察した領域に対応する原料合金の総断面
積を求めておく。次に、500倍で撮影した組織写真の
中で、チル晶組織3を呈する領域の面積を求め、先に求
めた総断面積との比をもってチル晶組織の生成比率とす
る。このような方法で、無作為に抽出した合計10個所
の断面組織連続写真についてチル晶の生成比率を求め、
チル晶組織の平均生成比率とする。
ム間隔を柱状晶の粒径(又は短軸方向の粒径)としてい
るが、均一な柱状晶組織とは、柱状晶組織の平均1次デ
ンドライトアーム間隔が3〜10μmとなることであ
る。ここで1次デンドライトアーム間隔は次のように定
義し、判定する。まず、組織観察用試料として、R−T
−B系磁石用原料合金の縦断面組織を観察面に検出さ
せ、通常の光学顕微鏡を用いて200倍で観察する。組
織の検出には、原料合金を樹脂等に埋め込み研磨し、縦
断面を仕上げバフ研磨により鏡面状に仕上げたものをそ
のまま用い、特に腐食液等による検出を要しない。
織を無作為に10視野選択し、200倍で縦断面組織写
真を撮影する。これらの断面組織写真においてロール面
側から20mm(写真上実寸)の位置に直線を引き、そ
の直線を横切る1次アームの数をカウントする。その直
線の長さに相当する試料実寸をカウントした数で除し、
1次デンドライトアーム間隔とする。
用原料合金を得るためには、鋳片の厚みが0.1〜10
mmであることが望ましい。0.1mm未満では冷却効
果が過大となり、チル晶の生成比率が5%を超え、ま
た、10mm以上では冷却効果が十分に発揮されず、凝
固組織の粗大化やα‐Feの生成を招く問題がある。そ
の観点から、さらに望ましい鋳片の厚みは0.2〜5m
mである。
磁石用原料合金は以下に述べる粉末冶金工程、すなわ
ち、粉砕、磁場中成形、焼結、熱処理を施すことによ
り、磁石特性の良好な永久磁石に製造される。
(水素粉砕)を施すことが好ましい。水素化処理は、R
−T−B系磁石用原料合金をチャンバ内等で真空状態に
おいた後、水素ガスを導入し、少なくとも5分以上保持
した後にもう一度真空に引き、必要に応じてArガス等
不活性ガスで置換し、室温まで冷却することによって処
理する。水素化処理の後、脱水素処理を施すことによ
り、予備粉砕を施す。脱水素処理は100℃〜600℃
で真空中に30分以上保持した後、室温まで冷却するこ
とにより処理する。
砕を施す。粉砕には乾式あるいは湿式のアトライタある
いはボールミルを用いても良い。粉砕後の平均粉末粒度
は2〜8μmが望ましい。平均粒度が2μm未満の微粉
末粒子は粉砕中に酸化されやすく、磁石特性を低下させ
るために使用できず、結果的に歩留まりの低下を招くと
いう問題がある。平均粒度が8μm超の粗粉末粒子は焼
結磁石の結晶粒組織を粗大にするため、保磁力の低下を
招くという問題がある。この観点から、より望ましい平
均粒度は2〜4μmである。
上述の一連の粉砕処理を施すことにより、従来材に比べ
て微粉末の少ない良好な粒度分布特性を有する粉末が得
られる。磁場中成形においては、非磁性材料の型、例え
ばゴム製やオーステナイト系鋼製あるいはマルテンサイ
ト系鋼製の型に上述の方法で得られるR−T−B系磁石
用原料合金の粉末を充填し、パルス磁界を印加すること
によって粉末粒子を配向させた後にプレスにより成形す
る。またパルス磁界のかわりに静磁界あるいはパルス磁
界と静磁界とを組み合わせても良い。
囲気中において、1030℃〜1150℃で2〜4時間
処理する。その後必要に応じて450℃〜650℃で3
0〜90分の時効熱処理を施すことにより、この発明の
永久磁石が製造される。また、この発明により製造され
た磁石用原料合金はHDDRプロセスへの適用も可能で
あり、ボンド磁石にも使用可能である。
し、Arガスをゲージ圧0.2気圧まで注入した雰囲気
中で高周波誘導加熱により溶解した。この溶湯を用いて
図3に示す双ロール急冷装置により急冷凝固鋳片を作製
した。図3は急冷凝固装置を模式的に示したもので、溶
湯をタンデイッシュ5上方より注湯し、タンデイッシュ
5内に一旦溜め、注湯するに従って湯面7は次第に上昇
し。タンデイッシュ堰6より溢れ出てロール8に至る。
ロール8は予め図中の矢印の方向に回転しており、ロー
ル8により急冷凝固して急冷凝固鋳片9が作製される。
銅ベリリウム合金を用い、その表面層の材質は表2及び
表5に示すものとした。またロール間のギャップは1〜
2mmになるように調整した。なお、この実施例は双ロ
ールを使用した場合で説明するが、単ロールを使用した
場合でも同様の効果が得られたことを確認した。
囲気に2時間保持して水素化処理し、その後真空中50
0℃で5時間保持して脱水素処理を施し、室温迄冷却す
ることで予備粉砕とした。磁場成形については、得られ
た粉末をゴム製の型に充填し、30kOeのパルス磁界
を瞬間的に印加することにより粉末を配向させた後に静
水圧プレスを施した。この成形体を1090℃で3時間
で保持して焼結した後、600℃で1時間の時効熱処理
を施し、永久磁石を得た。
晶生成率は表3及び表6に示すように、5%以下であ
り、柱状晶の1次アーム間隔は3.2〜7μmとなり、
粉砕後の微細粉生成率は低く、磁石の最大エネルギー積
は比較例と較べて大きく良好であった。
ウム合金のままのものを用いて、実施例と同様な試験を
行った。その結果を比較例として表4に示す。デンライ
ト1次アームの間隔は実施例と同様であったが、チル晶
の生成率は5%を超えており、微粉生成率も高く、磁石
特性も最大エネルギー積は実施例と比較して小さく劣る
ものであった。
ロールを用い、実施例と同様の試験を行った。その結果
を表4に示す。Crメッキでは、十分に緩冷却化の効果
を得ることができないため、チル晶の生成率が5%を越
え、微粉末を生成して歩留まりを低下させる問題がある
ほか、磁石特性もこの発明の実施例に比較して劣ること
が明らかである。
凝固法により製造される種々組成のR−T−B系磁石用
原料合金の製造に際し、ロール表面に基材よりも熱伝導
率の小さな材料による特定厚みの表面層を設けて緩冷却
化を図ることにより、微細なチル晶組織の生成を抑制で
き、その結果、粉砕工程での微粉末の生成を防止して良
好な粒度分布の成形用粉末を得ることを可能にした。さ
らに、その成形用粉末を用いて成形、焼結、時効熱処理
を施すことにより、磁石特性の良好なR−T−B系磁石
を提供することを可能とした。
断面偏光顕微鏡組織図である。
断面偏光顕微鏡組織図であり、図1の続きである。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 冷却用ロールを用いた急冷凝固法により
製造されるR−T−B系磁石用原料合金であり、該原料
合金のロール面に接触した薄帯表面近傍に生成する微細
なチル晶組織の断面組織全体に占める面積比率(チル晶
組織の平均生成比率)が5%以下である希土類系磁石用
原料合金。 - 【請求項2】 R−T−B系合金溶湯を冷却用ロールに
て急冷凝固させて合金薄帯を得る希土類系磁石用原料合
金の製造方法において、冷却用ロールの溶湯冷却面にロ
ール基材よりも熱伝導率の小さい材料からなる表面層を
少なくとも0.1mmを超える厚みで形成し、異材質表
面層による緩冷却化を施して急冷凝固する希土類系磁石
用原料合金の製造方法。 - 【請求項3】 請求項2において、表面層厚みが0.1
mmを超え、10mm以下である希土類系磁石用原料合
金の製造方法。
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