JPH10315123A - 両面研磨機のキャリア - Google Patents

両面研磨機のキャリア

Info

Publication number
JPH10315123A
JPH10315123A JP13409497A JP13409497A JPH10315123A JP H10315123 A JPH10315123 A JP H10315123A JP 13409497 A JP13409497 A JP 13409497A JP 13409497 A JP13409497 A JP 13409497A JP H10315123 A JPH10315123 A JP H10315123A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier
point
line
pins
teeth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13409497A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3410925B2 (ja
Inventor
Hideyuki Ishii
秀幸 石井
Toshitaka Tamaoki
稔隆 玉置
Akinori Kaneda
明記 金田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitta DuPont Inc
Original Assignee
Rodel Nitta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rodel Nitta Inc filed Critical Rodel Nitta Inc
Priority to JP13409497A priority Critical patent/JP3410925B2/ja
Publication of JPH10315123A publication Critical patent/JPH10315123A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3410925B2 publication Critical patent/JP3410925B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体ウェーハ、メモリーディスク等の研磨の
際、その研磨面の平坦性を向上させ得ることができ、ま
た使用可能時間を延長し研磨に要するコストを低減し得
る研磨キャリアを提供すること。 【解決手段】外周部に複数のピン11を有する太陽ギア
12と、内周部に複数のピン13を有する遊星ギア14
と、太陽ギア12のピン11と遊星ギア14のピン13
にそれぞれ噛合し得る歯部を外周部に有するキャリア1
6と、を有し、太陽ギア12が回転することにより、キ
ャリア16が遊星運動可能とされ、キャリア16に設け
られた被加工物保持穴17に配置された被加工物の両面
を、キャリア16の両面側に配置された研磨布18で研
磨する両面研磨機のキャリアである。そのキャリア16
の歯部15は、ピン11,13が嵌合し得る複数の凹部
20と隣接する凹部20間に形成される突部21とを有
し、凹部20の外面と突部21の外面とがエッジを有し
ない連続面22によって連続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェー
ハ、アルミディスクなどを研磨する工程において使用す
る両面研磨機に使用されるキャリアに関し、特に、外周
部に複数のピンを有する太陽ギアと、内周部に複数のピ
ンを有する遊星ギアと、該太陽ギアのピンと該遊星ギア
のピンにそれぞれ噛合し得る歯部を外周部に有するキャ
リアと、を有し、該キャリアに設けられた被加工物保持
穴に配置された被加工物の両面を研磨布で研磨する両面
研磨機のキャリアに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体業界を例に挙げれば、IC
の集積度が飛躍的に増大し、4M、16M、さらには6
4Mへと進行中である。
【0003】このような状況下において、IC性能の根
幹であるウェーハ表面の高精度化に対する要求がますま
す高まってきている。ICの集積度を高めるためには化
学的、電気的性状もさることながら、ウェーハ上に設け
られるデバイスを構成する最小線幅が、0.5ミクロン
から0.35ミクロンへとますます微細化していく傾向
にある。
【0004】このようなウェーハ表面上での微細配線処
理を可能ならしめるためには、ウェーハ表面の平坦性、
すなわち厚さ精度に対する要求がますます強くなってき
た。つまり最終の鏡面仕上げ研磨して得られたウェーハ
は、全面積にわたる厚さ不同(Total thick
ness variation;TTV)が1ミクロン
以下、1個のICチップとなるべき20mm平方にわた
る厚さ不同(Local thickness var
iation;LTV)が0.2ミクロン以下、といっ
た要求がなされるようになってきている。
【0005】現在これら要求精度を達成するために、ウ
ェーハの研磨工程において多段階に研磨加工を実施する
ことで、ウェーハの表面粗度及び平坦性の優れたウェー
ハを製作する方法が主流の位置にあるといえる。
【0006】現在のウェーハサイズは8インチ径が大半
を占めているが、このようなウェーハの表面粗度及び平
坦性に関する要求下で、2〜3年後に導入される12イ
ンチ径およびそれ以上へのウェーハサイズの拡大化に伴
い、より高くなるウェーハ平坦度要求に対応する研磨方
法として従来の片面研磨方法から両面研磨方法の導入が
有力視されている。
【0007】ここで両面研磨方法に用いられる両面研磨
機について簡単に説明する。
【0008】両面研磨機は、図2および図3に示すよう
に、外周部に複数のピン11を有する太陽ギア12と、
内周部に複数のピン13を有する遊星ギア14と、該太
陽ギア12のピン11と該遊星ギア14のピン13にそ
れぞれ噛合し得る歯部15を外周部に有するキャリア1
6と、を有する。該キャリア16にはウェ−ハ等の被加
工物を配置するための被加工物穴17が設けられてい
る。キャリア16の上下面側には、それぞれ研磨布18
を保持する定盤19が配設されている。
【0009】太陽ギア12は研磨機の中央に回転可能に
配置され、この太陽ギア12が回転することで太陽ギア
12と被加工物が配置されたキャリア16と遊星ギア1
4との噛み合いにより被加工物を遊星運動させ、定盤1
9に貼り付けられた研磨布18に被加工物の両面を押し
つけ、両者の間に研磨液を介在させることで被加工物の
両面研磨が行われる。
【0010】従来の両面研磨機用キャリア30の歯先形
状は、図4に示すように、上記太陽ギア12および遊星
ギア14の各ピン11,13が嵌合し得る複数の凹部3
1と該隣接する凹部31,31間に形成される突部32
とを有している。そして、キャリア30の凹部31内に
太陽ギア12および遊星ギア14の各ピン11,13が
噛合することでキャリア16が遊星運動する。
【0011】しかし、該キャリア30の歯部33は噛合
するピン11,13との間で磨滅が生じやすく、これが
微粒子を発生させる原因となっていた。さらに磨滅によ
るキャリア30の歯部33の強度低下がキャリア30自
身を破損させ、これがさらにウェーハ等の被加工物表面
の平坦性すなわち厚さ精度が悪化する原因にもなってい
た。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記研磨用
キャリアの使用の際に発生する問題点を解決するもので
あり、その目的はキャリアと噛合するギアとの間に発生
する微粒子の発生を低減ならしめ、寿命を延長する最適
の歯型形状を有するキャリアを提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の両面研磨機のキ
ャリアは、外周部に複数のピンを有する太陽ギアと、内
周部に複数のピンを有する遊星ギアと、該太陽ギアのピ
ンと該遊星ギアのピンにそれぞれ噛合し得る歯部を外周
部に有するキャリアと、を有し、該太陽ギアが回転する
ことにより、該キャリアが遊星運動可能とされ、該キャ
リアに設けられた被加工物保持穴に配置された被加工物
の両面を、該キャリアの両面側に配置された研磨布で研
磨する両面研磨機のキャリアにおいて、該キャリアの歯
部は、該ピンが嵌合し得る複数の凹部と該隣接する凹部
間に形成される突部とを有し、該凹部の外面と該突部の
外面とがエッジを有しない連続面によって連続してお
り、そのことにより上記目的が達成される。
【0014】実施態様の一つは、前記凹部の外面が凹面
であって、該凹面の曲率半径は前記ピンの半径の100
〜110%であり、該突部の外面は突面であって、該凹
面と該突面とを結ぶ連続面は平面である。
【0015】実施態様の一つは、前記キャリアの歯部の
形状が以下の方法によって求められる: (a)キャリア16歯部15において、基準線1と歯先
円aの交点を点Aとする、(b)キャリア16上の歯数
より算出され、キャリア16中心をその基点とし、点A
近傍で、基準線1により、二分される角度6をなす直線
2、直線3のうち直線2と歯底円c、ピッチ円bとの交
点をそれぞれ点E、Oとする、(c)この点Oを中心と
して半径R’を有する曲線が描かれる、(d)該R’の
寸法は、キャリア16の歯部15と噛合する太陽ギア1
2および遊星ギア14のピン11,13の半径に対し1
00〜110%の範囲で決定される、(e)該直線2と
15゜〜20゜の範囲で決定される角度θをなす接線4と
半径R’を有する曲線との接点を点Dとする、(f)接
線4上にあり、ピッチ円b上あるいは、点Dを越えない
範囲でピッチ円bよりも内側に存在する点を点Cとす
る、(g)点Cで上記接線4と直交する法線5上にその
中心を持ち、点Cで接線4と接する円弧BCの半径をR
とする、(h)この円弧は点Bにおいて歯先円に接する
か、軌跡ABCができる限り連続的になめらかになるよ
うに決定される、(i)上記の通り決定された円弧もし
くは線分AB、円弧BC、線分CD、円弧DEからなる
軌跡ABCDEの基準線1を軸とし線対称に反転するこ
とで得られる軌跡E’D’C’B’ABCDEを一周期
とし、キャリア16中心を基点に角度6ずつ歯数分回転
させる。
【0016】以下、作用について説明する。
【0017】キャリアの歯部と噛合するギアのピンとの
間に発生する微粒子は、キャリアを構成する材料の微少
な割れや欠け等の材料破壊により発生するものが、ギア
のピンの磨耗、材料破壊により発生するそれに比べ遥か
に多い。
【0018】これはキャリア材料自体の強度もその一因
ではあるが、キャリアの歯部の形状が噛合する相手側ギ
アのピンとの噛み合い軌跡に不適合であることによると
思われる。
【0019】具体的には、その歯型形状において、図1
に示す点Cがピッチ円bよりも半径方向外側に存在し、
円弧BCに近傍する部分が噛合する相手側ギア軌跡に重
複し、または逆に相手側ギア軌跡に対し余裕代が過剰に
存在すること、あるいは円弧DEが噛合する相手側ギア
軌跡に対し重複し、または逆に相手側ギア軌跡に対し余
裕代が過剰に存在することで、研磨あるいは部分的な応
力集中に起因する材料破壊によることが主要因であると
思われる。
【0020】本発明ではキャリアの歯部は、ピンが嵌合
し得る複数の凹部と隣接する凹部間に形成される突部と
を有し、該凹部の外面と該突部の外面とがエッジを有し
ない連続面によって連続されていることにより、このよ
うな形状の歯型を有するキャリアは、該キャリアと噛合
するギアとの間に発生する微粒子の発生を低減ならし
め、その寿命を延長することが可能となる。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明に使用されるキャリアの基
材としては、ブルースチール、ガラス繊維配合のエポキ
シ樹脂板、フェノール樹脂板その他高分子樹脂板等が挙
げられる。
【0022】このようなキャリアの基材は、通常、ルー
ター加工およびホブ加工等により所定形状に加工され
る。加工面は布等で払拭しバリを取って仕上げが行われ
る。このようにして所定の歯型形状を有するキャリアが
得られる。キャリアの歯部の外面の少なくとも一部は手
加工によって行ってもよい。
【0023】次に、キャリアの歯部の形状を決める一例
を説明する。
【0024】図1中の番号1は基準線であり、この基準
線1はキャリア16の中心を通る直線である。図中、a
はキャリア16の歯先円、bはピッチ円、cは歯底円で
ある。該歯先円a、ピッチ円bおよび歯底円cはそれぞ
れ、その中心をキャリア16の中心と同じくする。
【0025】図1に示されるキャリア16の歯部15に
おいて、基準線1と歯先円aの交点のうち一方を点Aと
する。
【0026】キャリア16上の歯数より算出され、キャ
リア16中心をその基点とし、点A近傍で、基準線1に
より二分される角度6をなす直線2、直線3のうち一方
の直線2と歯底円c、ピッチ円bとの交点をそれぞれ点
E、Oとする。この点Oを中心として半径R’を有する
曲線が描かれる(円弧DE)。該R’の寸法は、キャリ
ア16の歯部15と噛合する相手側の太陽ギア12およ
び遊星ギア14のギア径(ピン11、13の半径)に対
し、通常100〜110%の範囲で決定される。
【0027】直線2と15゜〜20゜の範囲で決定される
角度θをなす接線4とR’との接点を点Dとする。
【0028】接線4上にあり、ピッチ円b上あるいは、
点Dを越えない範囲でピッチ円bよりも内側に存在する
点を点Cとする。つまり、接線4とピッチ円bの交点か
ら点Dまでの接線4上の点Cが存在する。
【0029】点Cで上記接線4と直交する法線5上にそ
の中心を持ち、点Cで接線4と接する円弧の半径をRと
する。この円弧は点Bにおいて歯先円aに接する点をB
とすると、軌跡ABCができる限り連続的になめらかに
なるように決定される。軌跡ABは直線であってもよ
く、半径Rの円弧であってもよい。Rの寸法は、通常
R’の60〜100%とされる。線分CDは通常R’の
0〜40%とされる。
【0030】上記の通り決定された円弧または線分A
B、円弧BC、線分CD、円弧DEからなる軌跡ABC
DEの基準線1を軸とし、線対称に反転することで得ら
れる軌跡E’D’C’B’ABCDEを一周期とし、キ
ャリア16中心を基点に角度θずつ歯数分回転させるこ
とでキャリア16の歯型が得られる。
【0031】このようにして、図1に示すように、該キ
ャリアの歯部は、ピン11,13が嵌合し得る複数の凹
部20と該隣接する凹部20間に形成される突部21と
を有し、該凹部20の外面と該突部21の外面とがエッ
ジを有しない連続面22によって連続されている両面研
磨機のキャリアが得られる。該連続面22としては、上
記したように平面であってもよく、曲面、特に突曲面で
あってもよい。
【0032】本発明のキャリアとその研磨性能について
下記の実施例によりさらに詳細に説明するが、これらの
実施例は本発明を限定するものではない。
【0033】
【実施例】以下の実施例で得られたキャリアを用いたウ
ェーハの研磨試験は次の通りである。
【0034】両面研磨機AC1500(Peter w
alters(株))を用いてウェーハを研磨した。ウ
ェーハはシリコン単結晶P(100)ウェーハ8インチ
径を使用した。研磨条件は表1にまとめて記載した。
【0035】
【表1】 研磨機 AC1500(Peter walters(株)) 加工ウェーハ シリコン単結晶P(100)ウェーハ8インチ径 研磨スラリー NALCO2350 20倍希釈 研磨機のウェーハの形状精度を静電容量式ウェーハ平坦
度検査機(ADE9500ウェーハ平坦度検査計、日本
エーディーイー(株)製)を用いて評価した。
【0036】研磨後のキャリアの破損状況は目視により
評価した。
【0037】(実施例1)ガラスエポキシ板(新興化学
工業製「SL−EC(II)」、厚さ0.655mm)を
エンドミル加工により、表2に示す条件で加工を行っ
た。
【0038】加工形状は図1に示すように、歯先円a上
に存在する円弧ABと、法線5上にその中心をもちピッ
チ円b上あるいはピッチ円bよりも内側に存在する点C
で接線4と接する半径Rの円弧BCと、ピッチ円b上に
その中心をもち点D、点Eでそれぞれ接線4と歯底円c
で接する半径R’の円弧DEと、線分CDとからなる軌
跡ABCDEを、基準線1を軸に反転することで得られ
る軌跡E’D’C’B’ABCDEを一周期とし、キャ
リア16中心を基点に角度θずつ歯数分回転させること
で得られる歯型を有するようにした。さらに図2に示す
ように被加工物穴17を形成してキャリア16を得た。
上記R’はキャリア歯型と噛合する相手側の太陽ギアと
遊星ギアのギア径(ピンの半径)に対し100%の寸法
とした。
【0039】
【表2】 使用バイト 5mmφ超硬刃 バイト回転数 800RPM バイト送り速度 500mm/min このようにして得たキャリアを用いて研磨したウェーハ
の加工精度は、TTVは0.24ミクロン、LTVは
0.15ミクロンであり、使用時間9890分後におい
て初めてキャリア歯先部分に割れが確認された。
【0040】(実施例2)上記実施例1のキャリアにお
いて、R’がキャリア歯型と噛合する相手側の太陽ギア
と遊星ギアのギア径(ピンの半径)に対し110%の寸
法としたこと以外は、実施例1と同様にしてキャリアを
得た。
【0041】得られたキャリアを用いて研磨したウェー
ハの加工精度は、TTVは0.27ミクロン、LTVは
0.18ミクロンであり、使用時間4287分後におい
て初めてキャリア歯先部分に割れが確認された。
【0042】(比較例)ガラスエポキシ板(新興化学工
業製「SL−EC(II)」、厚さ0.655mm)をエ
ンドミル加工により、表2に示す条件で加工を行い、歯
先部分の加工形状が図4のキャリアを得た。
【0043】図4において、aは歯先円、bはピッチ
円、cは歯底円である。キャリア30の歯部33は、該
ピンが嵌合し得る複数の凹部31と該隣接する凹部31
間に形成される突部32とを有する。該凹部31の外面
は凹面であり、突部32の外面は平坦面に形成されてい
る。この平坦面はピッチ円bより半径方向外側に位置
し、上記凹面との間にエッジが形成されている。
【0044】このキャリアを用いて研磨したウェーハの
加工精度は、TTVは0.54ミクロンLTVは0.4
7ミクロンであり、使用時間2758分後においてキャ
リア歯先部分に割れが確認された。本キャリアにおいて
は所望とするウェーハの加工精度は達成できなかった。
【0045】以上の結果から、本実施例のキャリアは1
6MDRAM、あるいは将来の64M、256MDRA
M用ウェーハ製造に適した形状を有し、LTV値が0.
2ミクロン以下の高平坦性ウェーハの供給が可能とな
り、かつ微粒子の発生による短寿命を防止することがで
きた。
【0046】
【発明の効果】本発明によれば、キャリアとの噛合する
ギアとの間に発生する微粒子の発生を低減ならしめ、被
研磨物の所望とする加工精度を得、研磨消耗資材として
のキャリアの寿命を延長し、そのコスト削減を可能とし
得る。従って、半導体ウェーハ、メモリーディスク等の
研磨の際、その研磨面の平坦性を向上させ得ることがで
き、また使用可能時間を延長し研磨に要するコストを低
減し得るキャリアを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】キャリアの歯部の詳細を示す説明図である。
【図2】本発明のキャリアおよび両面研磨機の作業時の
模式図である。
【図3】図2で示すキャリアおよび両面研磨機の要部断
面図である。
【図4】従来のキャリアの要部拡大平面図である。
【符号の説明】
1 基準線 2 直線 3 直線 4 接線 5 法線 11 ピン 12 太陽ギア 13 ピン 14 遊星ギア 15 歯部 16 キャリア 17 被加工物穴 18 研磨布 19 定盤 20 凹部 21 突部 22 連続面 a 歯先円 b ピッチ円 c 歯底円

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外周部に複数のピンを有する太陽ギア
    と、内周部に複数のピンを有する遊星ギアと、該太陽ギ
    アのピンと該遊星ギアのピンにそれぞれ噛合し得る歯部
    を外周部に有するキャリアと、を有し、該太陽ギアが回
    転することにより、該キャリアが遊星運動可能とされ、
    該キャリアに設けられた被加工物保持穴に配置された被
    加工物の両面を、該キャリアの両面側に配置された研磨
    布で研磨する両面研磨機のキャリアにおいて、該キャリ
    アの歯部は、該ピンが嵌合し得る複数の凹部と該隣接す
    る凹部間に形成される突部とを有し、該凹部の外面と該
    突部の外面とがエッジを有しない連続面によって連続さ
    れている両面研磨機のキャリア。
  2. 【請求項2】 前記凹部の外面が凹面であって、該凹面
    の曲率半径は前記ピンの半径の100〜110%であ
    り、該突部の外面は突面であって、該凹面と該突面とを
    結ぶ連続面は平面である請求項1記載の両面研磨機のキ
    ャリア。
  3. 【請求項3】 前記キャリアの歯部の形状が以下の方法
    によって求められる、請求項1または2記載の両面研磨
    機のキャリア: (a)キャリア16歯部15において、基準線1と歯先
    円aの交点を点Aとする、 (b)キャリア16上の歯数より算出され、キャリア1
    6中心をその基点とし、点A近傍で、基準線1により、
    二分される角度6をなす直線2、直線3のうち直線2と
    歯底円c、ピッチ円bとの交点をそれぞれ点E、Oとす
    る、 (c)この点Oを中心として半径R’を有する曲線が描
    かれる、 (d)該R’の寸法は、キャリア16の歯部15と噛合
    する太陽ギア12および遊星ギア14のピン11,13
    の半径に対し100〜110%の範囲で決定される、 (e)該直線2と15゜〜20゜の範囲で決定される角度
    θをなす接線4と半径R’を有する曲線との接点を点D
    とする、 (f)接線4上にあり、ピッチ円b上あるいは、点Dを
    越えない範囲でピッチ円bよりも内側に存在する点を点
    Cとする、 (g)点Cで上記接線4と直交する法線5上にその中心
    を持ち、点Cで接線4と接する円弧BCの半径をRとす
    る、 (h)この円弧は点Bにおいて歯先円に接するか、軌跡
    ABCができる限り連続的になめらかになるように決定
    される、 (i)上記の通り決定された円弧もしくは線分AB、円
    弧BC、線分CD、円弧DEからなる軌跡ABCDEの
    基準線1を軸とし線対称に反転することで得られる軌跡
    E’D’C’B’ABCDEを一周期とし、キャリア1
    6中心を基点に角度6ずつ歯数分回転させる。
JP13409497A 1997-05-23 1997-05-23 両面研磨機のキャリア Expired - Lifetime JP3410925B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13409497A JP3410925B2 (ja) 1997-05-23 1997-05-23 両面研磨機のキャリア

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13409497A JP3410925B2 (ja) 1997-05-23 1997-05-23 両面研磨機のキャリア

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10315123A true JPH10315123A (ja) 1998-12-02
JP3410925B2 JP3410925B2 (ja) 2003-05-26

Family

ID=15120301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13409497A Expired - Lifetime JP3410925B2 (ja) 1997-05-23 1997-05-23 両面研磨機のキャリア

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3410925B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10159832A1 (de) * 2001-12-06 2003-06-26 Wacker Siltronic Halbleitermat Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung
CN105643433A (zh) * 2016-02-15 2016-06-08 张欣 一种高效研磨抛光加工装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10159832A1 (de) * 2001-12-06 2003-06-26 Wacker Siltronic Halbleitermat Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung
CN105643433A (zh) * 2016-02-15 2016-06-08 张欣 一种高效研磨抛光加工装置
CN105643433B (zh) * 2016-02-15 2018-11-06 张欣 一种高效研磨抛光加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3410925B2 (ja) 2003-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI535527B (zh) 研磨方法、研磨墊與研磨系統
EP1808887B1 (en) Production method of semiconductor wafer
TWI461256B (zh) A method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus, a double-sided polishing method for a double-sided polishing apparatus, and a wafer
KR101755062B1 (ko) 유리 기판 및 유리 기판의 제조 방법
CN108177044B (zh) 一种集成电路用单晶硅片边缘倒角方法
WO2020054811A1 (ja) ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ
US20010008801A1 (en) Method and apparatus for lapping or polishing semiconductor silicon single crystal wafer
JP6819853B2 (ja) 円盤状の板ガラス及びその製造方法
US20100247978A1 (en) Method of manufacturing a substrate for a magnetic disk
JP5024496B2 (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
WO2015080295A1 (ja) 研磨処理用キャリア、研磨処理用キャリアの製造方法、及び磁気ディスク用基板の製造方法
US7806751B2 (en) Method of manufacturing disk substrate
KR20190124728A (ko) 웨이퍼의 제조방법
JPH10315123A (ja) 両面研磨機のキャリア
JP4992306B2 (ja) ワークキャリアとその製造方法及び両面研磨機
JP5688820B2 (ja) 研磨装置
JPH1133918A (ja) 磁気記録媒体用基板の内外径加工用砥石及び内外径加工方法
JP2007098543A (ja) ワークキャリア及び両面研磨装置
Satake et al. Kinematic analysis of double-sided polishing of silicon wafers for improving surface flatness
JP4449905B2 (ja) 研磨布及び研磨布の加工方法並びにそれを用いた基板の製造方法
JP2010221305A (ja) 円盤状基板の製造方法
JP2007015105A (ja) 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法
JP6937997B2 (ja) 円盤状の板ガラス
JPH11333707A (ja) キャリア
JP2008221356A (ja) 両面研磨用キャリア

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030221

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080320

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090320

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100320

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100320

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110320

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120320

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120320

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130320

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140320

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term