JPH10307226A - 高分子光導波路の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、高分子クラッド基板の溝部内部壁
面の凹凸を平滑化し、コア部の側壁部の凹凸構造の発生
を防止することによって、導波光の透過特性に優れた高
分子光導波路を実現することが可能な高分子光導波路の
製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 高分子クラッド基板５表面に形成された
溝部の中に、硬化させると高分子クラッド基板５より屈
折率が高くなるコア材料をモノマー状態で注入した後、
モノマー状態のコア材料を硬化させる高分子光導波路の
製造方法において、高分子クラッド基板４表面の溝部の
内部壁面にコーティング層８を形成した後に、モノマー
状態のコア材料を注入することとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ファクシミリ、複
写機器、スキャナなどの原稿読み取り光学系に用いられ
るイメージセンサ等に応用される高分子光導波路の製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ポリマー材料を用いた高分子
光導波路は、無機材料を用いたものに比べてコストの低
減が可能で量産に適しているので、活発に研究開発が行
われている。

【０００３】この高分子光導波路の製造方法としては、
様々な方法が試みられている。その一つとして、μｍオ
ーダーの大きさの微細な溝が表面に形成された高分子ク
ラッド基板を作製し、硬化させるとその高分子クラッド
基板よりも屈折率が高くなるコア材料をモノマー状態で
クラッド基板の溝部の中に注入した後、重合・硬化させ
る高分子光導波路の製造方法がある。この製造方法によ
れば、溝部を形成した高分子クラッド基板を射出成型等
の方法で作製できるので、低コストでの大量生産が可能
となり、例えばこのような高分子光導波路を備えたイメ
ージセンサ等を低価格で実現することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の高分子光導波路の製造方法では、高分子ク
ラッド基板表面に形成された微細な溝部内部の側壁面に
凹凸が存在する場合があった。この場合、そのような溝
部内にコア材料を充填して光導波路を作製すると、結果
として、コアの側壁面に凹凸が形成されることになり、
これが導波光の散乱要因となるため、光導波路の光透過
損失を増大させてしまうという問題が発生していた。

【０００５】このような高分子クラッド基板の溝部内部
の側壁面の凹凸構造は、高分子クラッド基板の作製時に
発生するものである。したがって、そのような凹凸構造
が存在しないように高分子クラッド基板を作製できれば
良いのだが、この凹凸構造がない高分子クラッド基板を
作製することは非常に困難である。さらに、コア部の大
きさが比較的大きければ高分子クラッド基板の溝部内部
壁面を研磨処理することもできようが、コア部の大きさ
がμｍオーダーである場合には、高分子クラッド基板に
そのような研磨処理を施すことなどほとんど不可能であ
る。

【０００６】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであって、高分子クラッド基板の溝部
内部壁面の凹凸を平滑化し、コア部の側壁部の凹凸構造
の発生を防止することによって、導波光の透過特性に優
れた高分子光導波路を実現することが可能な高分子光導
波路の製造方法を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明では、高分子クラッド基板表面に形
成された溝部の中に、硬化させると前記高分子クラッド
基板より屈折率が高くなるコア材料をモノマー状態で注
入した後、そのモノマー状態のコア材料を硬化させる高
分子光導波路の製造方法において、高分子クラッド基板
表面の溝部の内部壁面にコーティング層を形成した後
に、モノマー状態のコア材料を注入することとしてい
る。

【０００８】請求項１に記載の発明によれば、高分子ク
ラッド基板表面に形成された溝部内部壁面にコーティン
グ層を形成してその内部壁面の凹凸を平滑化した後、そ
の溝部内に硬化性のモノマー状態のコア材料を注入して
硬化するようにしているので、コア部の壁面の凹凸構造
の発生を防止することができ、そこでの導波光の散乱を
低減させ、高分子光導波路の導波光の透過率を向上させ
ることが可能となる。

【０００９】さらに、請求項２に記載の発明では、上記
の高分子光導波路の製造方法において、コーティング層
が高分子クラッド基板とほぼ同じ屈折率を有する材料か
ら成ることとしている。

【００１０】請求項２に記載の発明によれば、コーティ
ング層を高分子クラッド基板とほぼ同じ屈折率とするこ
とにより、コア・クラッド間の屈折率差を変えることな
く、コア部壁面に発生した凹凸の平滑化を行うことがで
きる。すなわち、光学的な設計を変えることなく、コア
部の壁面の凹凸構造の発生を防止することが可能とな
る。したがって、そこでの導波光の散乱を低減させ、高
分子光導波路の導波光の透過率を向上させることが可能
となる。

【００１１】さらに、請求項３に記載の発明では、上記
の高分子光導波路の製造方法において、コーティング層
の形成が、高分子クラッド基板とほぼ同じ屈折率を有す
るコーティング材料を硬化性のモノマー状態で高分子ク
ラッド基板の溝部形成面に滴下し、余分なモノマー状態
のコーティング材料を除去した後に、高分子クラッド基
板の溝部内部壁面のモノマー状態のコーティング材料を
硬化させることとしている。

【００１２】すなわち、請求項３に記載の発明は、高分
子クラッド基板とほぼ同じ屈折率を有するコーティング
材料を硬化性のモノマー状態で高分子クラッド基板の溝
部形成面に滴下し、スキージ等で掃き取るなどして余分
なモノマー状態のコーティング材料を除去した後に、そ
のモノマー状態のコーティング材料を硬化させてから、
高分子クラッド基板表面に形成された溝部の中にコア材
料をモノマー状態で注入した後、そのモノマー状態のコ
ア材料を硬化させるというものである。したがって、請
求項３に記載の発明によれば、高分子クラッド基板表面
に形成された溝部内部壁面の凹凸を覆うようにコーティ
ング層を形成してその内部壁面の凹凸を容易に平滑化す
ることができる。これにより、コア部の大きさがμｍオ
ーダーであっても、コア部の壁面の凹凸構造の発生を防
止することができ、高分子光導波路の導波光の透過率を
向上させることが可能となる。

【００１３】また、請求項４に記載の発明では、上記の
高分子光導波路の製造方法において、コーティング層の
形成が、高分子クラッド基板とほぼ同じ屈折率を有する
コーティング材料を硬化性のモノマー状態で前記高分子
クラッド基板の溝部内部壁面にスピンコートした後に、
そのモノマー状態のコーティング材料を硬化させること
としている。

【００１４】すなわち、請求項４に記載の発明は、高分
子クラッド基板とほぼ同じ屈折率を有するコーティング
材料を硬化性のモノマー状態で高分子クラッド基板の溝
部形成面に滴下し、その高分子クラッド基板を高速回転
させて溝部壁面にモノマー状態のコーティング材料を薄
くスピンコートする。そして、そのモノマー状態のコー
ティング材料を硬化させた後、高分子クラッド基板表面
に形成された溝部の中にコア材料をモノマー状態で注入
してから、そのモノマー状態のコア材料を硬化させると
いうものである。したがって、請求項４に記載の発明に
よれば、高分子クラッド基板表面に形成された溝部内部
壁面の凹凸を覆うようにコーティング層を形成してその
内部壁面の凹凸を容易に平滑化することができる。これ
により、コア部の大きさがμｍオーダーであっても、コ
ア部の壁面の凹凸構造の発生を防止することができ、高
分子光導波路の導波光の透過率を向上させることが可能
となる。

【００１５】また、請求項５に記載の発明では、上記の
高分子光導波路の製造方法において、コーティング層が
高分子クラッド基板の溶解成分を含んだ硬化性のモノマ
ー状態のコーティング材料から成ることとしている。

【００１６】請求項５に記載の発明によれば、高分子ク
ラッド基板表面に形成された溝部内部壁面の凹凸面を溶
解するようにコーティング層を形成してその内部壁面の
凹凸を容易に平滑化することができる。これにより、従
来は存在したコア部での凹凸構造による導波光の散乱を
防止し光導波損失を低減でき、高分子光導波路の導波光
の透過率を向上させることが可能となる。

【００１７】さらに、請求項６に記載の発明では、上記
の高分子光導波路の製造方法において、コーティング層
の形成が、高分子クラッド基板の溶解成分を含んだ硬化
性のモノマー状態のコーティング材料を高分子クラッド
基板の溝部形成面に滴下した後、余分なモノマー状態の
コーティング材料を除去することとしている。

【００１８】すなわち、請求項６に記載の発明は、高分
子クラッド基板の溶解成分を含んだ硬化性のモノマー状
態のコーティング材料を高分子クラッド基板の溝部形成
面に滴下し、スキージ等で掃き取るなどして余分なモノ
マー状態のコーティング材料を除去した後に、高分子ク
ラッド基板表面に形成された溝部の中にコア材料をモノ
マー状態で注入してから、そのモノマー状態のコア材料
を硬化させるというものである。したがって、請求項６
に記載の発明によれば、高分子クラッド基板表面に形成
された溝部内部壁面の凹凸面を溶解するようにコーティ
ング層を形成してその内部壁面の凹凸を容易に平滑化す
ることができる。これにより、コア部の大きさがμｍオ
ーダーであっても、コア部の壁面の凹凸構造の発生を防
止することができ、高分子光導波路の導波光の透過率を
向上させることが可能となる。

【００１９】さらに、請求項７に記載の発明では、上記
の高分子光導波路の製造方法において、コーティング層
の形成が、高分子クラッド基板の溶解成分を含んだ硬化
性のモノマー状態のコーティング材料を高分子クラッド
基板の溝部内部壁面にスピンコートすることとしてい
る。

【００２０】すなわち、請求項７に記載の発明は、高分
子クラッド基板の溶解成分を含んだ硬化性のモノマー状
態のコーティング材料を高分子クラッド基板の溝部形成
面に滴下し、その高分子クラッド基板を高速回転させて
溝部壁面にモノマー状態のコーティング材料を薄くスピ
ンコートする。そして、高分子クラッド基板表面に形成
された溝部の中にコア材料をモノマー状態で注入してか
ら、そのモノマー状態のコア材料を硬化させるというも
のである。したがって、請求項７に記載の発明によれ
ば、高分子クラッド基板表面に形成された溝部内部壁面
の凹凸面を溶解するようにコーティング層を形成してそ
の内部壁面の凹凸を容易に平滑化することができる。こ
れにより、コア部の大きさがμｍオーダーであっても、
コア部の壁面の凹凸構造の発生を防止することができ、
高分子光導波路の導波光の透過率を向上させることが可
能となる。

【００２１】さらに、請求項８に記載の発明では、上記
の高分子光導波路の製造方法において、モノマー状態の
コーティング材料を紫外線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂
としている。

【００２２】請求項８に記載の発明によれば、モノマー
状態のコーティング材料を紫外線硬化性樹脂とした場合
には紫外線照射で、モノマー状態のコーティング材料を
熱硬化性樹脂とした場合には加熱処理で、容易に硬化さ
せることができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。

【００２４】〔第１の実施形態〕まず、微細な溝部をそ
の表面に設けた高分子クラッド基板の作製について、要
部断面図である図１を参照して説明する。はじめに、図
１（ａ）に示すように、膜厚が８μｍのポジ型フォトレ
ジスト膜２を、ガラス基板１上にスピンコート法により
塗布する。次に、図１（ｂ）に示すように、導波路コア
部に相当する部分に窓が開いていて、その部分だけ紫外
線を透過するフォトマスク３を、ポジ型フォトレジスト
膜２に密着させて、紫外線（ＵＶ）により露光する。こ
こで、フォトマスク３の窓の部分の幅は８μｍである。

【００２５】この紫外線露光後のポジ型フォトレジスト
膜２を現像処理することで、図１（ｃ）に示すように、
導波路のコア部に相当する部分が８μｍ×８μｍの断面
形状の溝のパターンがフォトレジスト膜２に転写され
る。このフォトレジスト膜２のレジストパターンをマス
ター原板として、図１（ｄ）に示すように金型４を作製
する。次いで、図１（ｅ）に示すように、この金型４で
ＰＭＭＡ材料を用いた射出成型法によって、幅８μｍ、
深さ８μｍの溝部が表面に形成されたＰＭＭＡから成る
高分子クラッド基板５を作製する。

【００２６】次に、この高分子クラッド基板５の溝部内
部壁面の平滑化について、要部断面図である図２を用い
て説明する。まず、前述の図１のようにして作製した高
分子クラッド基板５の溝部（８μｍ×８μｍ）が形成さ
れた面の全面に、硬化させると高分子クラッド基板５の
ＰＭＭＡとほぼ同じ屈折率となるコーティング材料６を
モノマー状態で滴下して、図２（ａ）に示すように、溝
部の中にこのモノマー状態のコーティング材料６を注入
する。なお、本実施形態では、この硬化させると高分子
クラッド基板５のＰＭＭＡとほぼ同じ屈折率となるコー
ティング材料６として、硬化させると屈折率が１．４９
となる紫外線硬化性のサマーズオプティカル社製のＳＫ
−９を用いた。

【００２７】その後、図２（ｂ）に示すように、スキー
ジゴム７を用いて、高分子クラッド基板５の表面と溝部
内部の余分なモノマーだけを掃き取って、１μｍ程度の
薄い未硬化のコーティング層８を形成する。そして、図
２（ｃ）に示すように、このコーティング層８に紫外線
照射を行って硬化させる。このコーティング層８によれ
ば、高分子クラッド基板５の溝部内部壁面の凹凸の振幅
は、０．１μｍ以下となり、その平滑化ができた。

【００２８】次に、この高分子クラッド基板５を用い
た、本実施形態の高分子光導波路の製造方法について、
要部断面図である図３を用いて説明する。前述の図２の
ようにして溝部内部壁面に平滑化処理を施した高分子ク
ラッド基板５の溝部形成面の全面に、硬化（重合）させ
ると高分子クラッド基板５のクラッド材であるＰＭＭＡ
よりも屈折率が高くなるコア材料９を、図３（ａ）に示
すようにモノマー状態で塗布する。なお、本実施形態で
は、コア材料９として、紫外線硬化樹脂であるサマーズ
オプティカル社製のＪ−９１を用いた。

【００２９】その後、高分子クラッド基板５と同じくＰ
ＭＭＡから成る上部クラッド基板１０を、上記のように
モノマー状態のコア材料９が塗布された高分子クラッド
基板５上にクランプ治具を用いて、図３（ｂ）に示すよ
うに押し付けることにより、余分なコア材料を除去し
て、高分子クラッド基板５の溝部のみにコア材料９を充
填する。この後、図３（ｃ）に示すように、全体に紫外
線を照射して、コア材料９を重合硬化させる。以上のよ
うにして、埋め込み型の高分子光導波路を作製すること
ができる。

【００３０】上記のようにして作製した本実施形態の高
分子光導波路に、波長５７０ｎｍの光を入射させて、入
射／出射損失を除いた透過損失を測定したところ、０．
１ｄＢ／ｃｍと、良好な透過特性を得ることができた。

【００３１】〔第２の実施形態〕第２の実施形態では、
硬化させると高分子クラッド基板とほぼ同じ屈折率とな
るコーティング材料を、高分子クラッド基板の溝部内部
壁面にスピンコートした後に、そのモノマー状態のコー
ティング材料を硬化させる製造方法について説明する。
第２の実施形態において、上記第１の実施形態と異なる
点は、高分子クラッド基板の平滑化処理、即ちコーティ
ング層の形成工程のみなので、その工程について概略断
面図である図４を用いて説明する。

【００３２】上記第１の実施形態と同様にして作製した
高分子クラッド基板５の溝部（８μｍ×８μｍ）が形成
された面の全面に、硬化させると高分子クラッド基板５
のＰＭＭＡとほぼ同じ屈折率となるコーティング材料６
をモノマー状態で滴下して、図４（ａ）に示すように、
溝部の中にこのモノマー状態のコーティング材料６を注
入する。なお、本実施形態では、この硬化させると高分
子クラッド基板５のＰＭＭＡとほぼ同じ屈折率となるコ
ーティング材料６として、上記第１の実施形態と同様、
硬化させると屈折率が１．４９となる紫外線硬化性のサ
マーズオプティカル社製のＳＫ−９を用いた。

【００３３】その後、図４（ｂ）に示すように、その状
態で高分子クラッド基板５を高速回転させて、モノマー
を高分子クラッド基板５の溝部内部壁面に薄くスピンコ
ートすることにより、未硬化のコーティング層８を形成
する。そして、図４（ｃ）に示すように、このコーティ
ング層８に紫外線照射を行って硬化させる。このコーテ
ィング層８によれば、高分子クラッド基板５の溝部内部
壁面の凹凸の振幅は、０．１μｍ以下となり、その平滑
化ができた。

【００３４】この本実施形態の高分子クラッド基板５を
用いて、図３により説明したように上記第１の実施形態
と同様にして、高分子光導波路を作製した。そして、本
実施形態の高分子光導波路に、波長５７０ｎｍの光を入
射させて、入射／出射損失を除いた透過損失を測定した
ところ、０．１ｄＢ／ｃｍと、良好な透過特性を得るこ
とができた。

【００３５】〔第３の実施形態〕第３の実施形態では、
コーティング材料として高分子クラッド基板の溶解成分
を含んだものを用い、そのモノマー状態のコーティング
材料を前記高分子クラッド基板の溝部形成面に滴下した
後、余分なモノマー状態のコーティング材料を除去して
コーティング層を形成することにより、高分子クラッド
基板の溝部内部壁面の平滑化を行う製造方法について説
明する。第３の実施形態において、上記第１，２の実施
形態と異なる点は、高分子クラッド基板の平滑化処理、
即ちコーティング層の形成工程のみなので、その工程に
ついて概略断面図である図５を用いて説明する。

【００３６】上記第１，２の実施形態と同様にして作製
した高分子クラッド基板５の溝部（８μｍ×８μｍ）が
形成された面の全面に、高分子クラッド基板４のＰＭＭ
Ａの溶解成分を含んだコーティング材料１６をモノマー
状態で滴下して、図５（ａ）に示すように、溝部の中に
このモノマー状態のコーティング材料１６を注入する。
なお、本実施形態では、この高分子クラッド基板５のＰ
ＭＭＡの溶解成分を含んだコーティング材料１６とし
て、紫外線硬化性のスリーボンド社製のＴＢ３０４２を
用いた。

【００３７】その後、図５（ｂ）に示すように、スキー
ジゴム７を用いて、高分子クラッド基板５の表面と溝部
内部の余分なモノマーだけを掃き取って、１μｍ程度の
薄い未硬化のコーティング層１８を形成して、その状態
で１０分間放置する。すると、その１０分間で、高分子
クラッド基板５の溝部内部壁面の凹凸部分が溶解され、
その部分の平滑化が達成できる。

【００３８】この本実施形態の高分子クラッド基板５を
用いて、図３により説明したように上記第１，２の実施
形態と同様にして、高分子光導波路を作製した。なお、
ここで、未硬化のコーティング層１８の硬化は、モノマ
ー状態のコア材料９の硬化と同時に行うものである。こ
れは、未硬化のコーティング層１８の硬化は、コア材料
９の塗布前に行っても良いが、本実施形態のようにコア
材料９の硬化と同時に行えば、製造時の工程数の低減に
なり、生産性を高めることができる。

【００３９】そして、本実施形態の高分子光導波路に、
波長５７０ｎｍの光を入射させて、入射／出射損失を除
いた透過損失を測定したところ、０．１ｄＢ／ｃｍと、
良好な透過特性を得ることができた。

【００４０】〔第４の実施形態〕第４の実施形態では、
コーティング材料として高分子クラッド基板の溶解成分
を含んだものを用い、高分子クラッド基板の溝部内部壁
面にスピンコートしたコーティング層を形成することに
より、高分子クラッド基板の溝部内部壁面の平滑化を行
う製造方法について説明する。第４の実施形態におい
て、上記第１，２，３の実施形態と異なる点は、高分子
クラッド基板の平滑化処理、即ちコーティング層の形成
工程のみなので、その工程について概略断面図である図
６を用いて説明する。

【００４１】上記第１の実施形態と同様にして作製した
高分子クラッド基板５の溝部（８μｍ×８μｍ）が形成
された面の全面に、高分子クラッド基板５のＰＭＭＡの
溶解成分を含んだコーティング材料１６をモノマー状態
で滴下して、図６（ａ）に示すように、溝部の中にこの
モノマー状態のコーティング材料１６を注入する。な
お、本実施形態では、この高分子クラッド基板５のＰＭ
ＭＡの溶解成分を含んだコーティング材料１６として、
紫外線硬化性のスリーボンド社製のＴＢ３０４２を用い
た。

【００４２】その後、図６（ｂ）に示すように、その状
態で高分子クラッド基板５を高速回転させて、モノマー
を高分子クラッド基板５の溝部内部壁面に薄くスピンコ
ートすることにより、未硬化のコーティング層１８を形
成して、その状態で１０分間放置する。すると、その１
０分間で、高分子クラッド基板５の溝部内部壁面の凹凸
部分が溶解され、その部分の平滑化が達成できる。

【００４３】この本実施形態の高分子クラッド基板５を
用いて、図３により説明したように上記第１，２，３の
実施形態と同様にして、高分子光導波路を作製した。な
お、ここで、未硬化のコーティング層１８の硬化は、モ
ノマー状態のコア材料９の硬化と同時に行うものであ
る。これは、未硬化のコーティング層１８の硬化は、コ
ア材料９の塗布前に行っても良いが、本実施形態のよう
にコア材料９の硬化と同時に行えば、製造時の工程数の
低減になり、生産性を高めることができる。

【００４４】そして、本実施形態の高分子光導波路に、
波長５７０ｎｍの光を入射させて、入射／出射損失を除
いた透過損失を測定したところ、０．１ｄＢ／ｃｍと、
良好な透過特性を得ることができた。

【００４５】なお、上記１〜４の実施形態では、コーテ
ィング材料及びコア材料として紫外線硬化性樹脂を用い
たが、これに限定されれものではない。しかし、生産性
を考慮すると、硬化工程が容易なものとしては、紫外線
硬化樹脂の他には熱硬化性樹脂が好ましい。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高分子クラッド基板表面に設けられた溝部の内部壁面に
コーティング層を形成してから、コア材料を充填して硬
化させることにより、コア部壁面の凹凸構造を平滑化で
き、導波光の透過損失を低減して、高分子光導波路の光
透過率を向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の高分子クラッド基板
の製造工程を説明するための要部断面図である。

【図２】第１の実施形態の高分子クラッド基板の溝部内
部壁面の凹凸の平滑化処理であるコーティング層形成工
程を説明するための概略断面図である。

【図３】第１の実施形態の高分子光導波路の製造工程を
説明するための要部断面図である。

【図４】第２の実施形態の高分子クラッド基板の溝部内
部壁面の凹凸の平滑化処理であるコーティング層形成工
程を説明するための概略断面図である。

【図５】第３の実施形態の高分子クラッド基板の溝部内
部壁面の凹凸の平滑化処理であるコーティング層形成工
程を説明するための概略断面図である。

【図６】第４の実施形態の高分子クラッド基板の溝部内
部壁面の凹凸の平滑化処理であるコーティング層形成工
程を説明するための概略断面図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ フォトレジスト膜 ３ フォトマスク ４ 金型 ５ 高分子クラッド基板 ６，１６ コーティング材料 ７ スキージ ８，１８ コーティング層 ９ コア材料 １０ 上部クラッド基板

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高分子クラッド基板表面に形成された溝
   部の中に、硬化させると前記高分子クラッド基板より屈
   折率が高くなるコア材料をモノマー状態で注入した後、
   該モノマー状態のコア材料を硬化させる高分子光導波路
   の製造方法において、 前記高分子クラッド基板表面の溝部の内部壁面にコーテ
   ィング層を形成した後に、前記モノマー状態のコア材料
   を注入することを特徴とする高分子光導波路の製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記コーティング層が前記高分子クラッ
   ド基板とほぼ同じ屈折率を有する材料から成ることを特
   徴とする請求項１に記載の高分子光導波路の製造方法。
3. 【請求項３】 前記コーティング層の形成が、前記高分
   子クラッド基板とほぼ同じ屈折率を有するコーティング
   材料を硬化性のモノマー状態で前記高分子クラッド基板
   の溝部形成面に滴下し、余分なモノマー状態のコーティ
   ング材料を除去した後に、前記高分子クラッド基板の溝
   部内部壁面のモノマー状態のコーティング材料を硬化さ
   せることを特徴とする請求項２に記載の高分子光導波路
   の製造方法。
4. 【請求項４】 前記コーティング層の形成が、前記高分
   子クラッド基板とほぼ同じ屈折率を有するコーティング
   材料を硬化性のモノマー状態で前記高分子クラッド基板
   の溝部内部壁面にスピンコートした後に、該モノマー状
   態のコーティング材料を硬化させることを特徴とする請
   求項２に記載の高分子光導波路の製造方法。
5. 【請求項５】 前記コーティング層が前記高分子クラッ
   ド基板の溶解成分を含んだ硬化性のモノマー状態のコー
   ティング材料から成ることを特徴とする請求項１に記載
   の高分子光導波路の製造方法。
6. 【請求項６】 前記コーティング層の形成が、前記高分
   子クラッド基板の溶解成分を含んだ硬化性のモノマー状
   態のコーティング材料を前記高分子クラッド基板の溝部
   形成面に滴下した後、余分なモノマー状態のコーティン
   グ材料を除去することを特徴とする請求項５に記載の高
   分子光導波路の製造方法。
7. 【請求項７】 前記コーティング層の形成が、前記高分
   子クラッド基板の溶解成分を含んだ硬化性のモノマー状
   態のコーティング材料を前記高分子クラッド基板の溝部
   内部壁面にスピンコートすることを特徴とする請求項５
   に記載の高分子光導波路の製造方法。
8. 【請求項８】 前記モノマー状態のコーティング材料
   が、紫外線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂であることを特
   徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の高分子
   光導波路の製造方法。