JPH10306370A - スパッタリングカソード及び該カソードを備えたスパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリングカソード及び該カソードを備えたスパッタリング装置Info
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- JPH10306370A JPH10306370A JP11547297A JP11547297A JPH10306370A JP H10306370 A JPH10306370 A JP H10306370A JP 11547297 A JP11547297 A JP 11547297A JP 11547297 A JP11547297 A JP 11547297A JP H10306370 A JPH10306370 A JP H10306370A
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- sputtering
- cathode
- beam structure
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 冷却効率が高く、軽量で且つ高い強度をもっ
たバッキングプレートを得ること。 【解決手段】 バッキングプレート２０を、ＳＵＳ，Ｔ
ｉ，Ｃｏ，Ｃｕ等の強度の高い非磁性材料及びその合金
で構成された、周縁部２１及び該周縁部２１で囲まれた
中央部で梁構造の一形態として形成されたハニカム構造
体２２と、Ａｌ等の軽量且つ熱伝導率の高い非磁性材料
を埋め込んで構成されたハニカム構造体２２の空所２３
とを、一体的に結合して構成し、複合体を形成してい
る。 【効果】 上記した非磁性材料からなる周縁部２１及び
ハニカム構造体２２と、ハニカム構造体の空所（Ａｌ）
２３とが組合って、冷却効率が高く、軽量で且つ高い強
度をもったバッキングプレートが得られる。
たバッキングプレートを得ること。 【解決手段】 バッキングプレート２０を、ＳＵＳ，Ｔ
ｉ，Ｃｏ，Ｃｕ等の強度の高い非磁性材料及びその合金
で構成された、周縁部２１及び該周縁部２１で囲まれた
中央部で梁構造の一形態として形成されたハニカム構造
体２２と、Ａｌ等の軽量且つ熱伝導率の高い非磁性材料
を埋め込んで構成されたハニカム構造体２２の空所２３
とを、一体的に結合して構成し、複合体を形成してい
る。 【効果】 上記した非磁性材料からなる周縁部２１及び
ハニカム構造体２２と、ハニカム構造体の空所（Ａｌ）
２３とが組合って、冷却効率が高く、軽量で且つ高い強
度をもったバッキングプレートが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング装
置を構成するカソードに関し、特にカソード部品である
バッキングプレートに関する。
置を構成するカソードに関し、特にカソード部品である
バッキングプレートに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ターゲットに垂直な電界と該電界
に直交する磁界とを組合わせたマグネトロンスパッタ装
置が、スパッタ速度が速く、処理面の熱損失が少なく、
更に膜質が良いことなどから広く利用されている。
に直交する磁界とを組合わせたマグネトロンスパッタ装
置が、スパッタ速度が速く、処理面の熱損失が少なく、
更に膜質が良いことなどから広く利用されている。
【０００３】図６は、従来のマグネトロンスパッタ装置
の一例を示す概略断面図である。図において、１はスパ
ッタ室で、その上部にはカソード組立体２がテフロンス
ペーサー３を介してスパッタ室１と絶縁して設けられて
いる。カソード組立体２は水冷されたバッキングプレー
ト４を備え、このバッキングプレート４にターゲット５
が装着され、直流電源６によって直流電界が印加される
ように構成されている。またカソード組立体２内におい
てバッキングプレート４の裏側には静態形状のマグネト
ロン磁気回路を形成するマグネット７が設けられてい
る。
の一例を示す概略断面図である。図において、１はスパ
ッタ室で、その上部にはカソード組立体２がテフロンス
ペーサー３を介してスパッタ室１と絶縁して設けられて
いる。カソード組立体２は水冷されたバッキングプレー
ト４を備え、このバッキングプレート４にターゲット５
が装着され、直流電源６によって直流電界が印加される
ように構成されている。またカソード組立体２内におい
てバッキングプレート４の裏側には静態形状のマグネト
ロン磁気回路を形成するマグネット７が設けられてい
る。
【０００４】バッキングプレート４上のターゲット５に
対向してスパッタ室１内には基板ホルダ９が設けられ、
この基板ホルダ９上に処理すべき基板１０が装着され
る。またスパッタ室１にはバルブ１１を介して基板仕込
み取出し室１２が連結されており、この基板仕込み取出
し室１２はバルブ１３を介して外部から基板を搬入し、
外部へ搬出できるようにされている。
対向してスパッタ室１内には基板ホルダ９が設けられ、
この基板ホルダ９上に処理すべき基板１０が装着され
る。またスパッタ室１にはバルブ１１を介して基板仕込
み取出し室１２が連結されており、この基板仕込み取出
し室１２はバルブ１３を介して外部から基板を搬入し、
外部へ搬出できるようにされている。
【０００５】スパッタ室１は、またバルブ１４を介して
クライオポンプ等の真空ポンプから成る真空排気系１５
に連結され、さらにスパッタ室１にはガスノズル１６が
配置され、このガスノズル１６はマスフローコントロー
ラ１７，１８を介してＡｒガス源及びＯ2 ガス源にそれ
ぞれ連結されるようになっている（特開平６−２４０４
５３号公報参照）。
クライオポンプ等の真空ポンプから成る真空排気系１５
に連結され、さらにスパッタ室１にはガスノズル１６が
配置され、このガスノズル１６はマスフローコントロー
ラ１７，１８を介してＡｒガス源及びＯ2 ガス源にそれ
ぞれ連結されるようになっている（特開平６−２４０４
５３号公報参照）。
【０００６】上記したスパッタ装置に用いられるバッキ
ングプレート４は、図６における上下位置を逆にして拡
大して図示した図５（ａ）（ｂ）に示すように、上面が
スパッタ面５ａを形成するターゲット５の下面は、バッ
キングプレート４にボンデング（非導電金属部相互間の
電気的接続を確実にするために行う接続をいう。）して
支持されている。該バッキングプレート４は、銅で構成
され、その下面４ａは水冷面を形成しており、また周縁
部４ｂに等間隔に形成されたボルト穴４ｃに挿入される
図示されないボルトを介して、カソード組立体２（図
６）に取付けられている。
ングプレート４は、図６における上下位置を逆にして拡
大して図示した図５（ａ）（ｂ）に示すように、上面が
スパッタ面５ａを形成するターゲット５の下面は、バッ
キングプレート４にボンデング（非導電金属部相互間の
電気的接続を確実にするために行う接続をいう。）して
支持されている。該バッキングプレート４は、銅で構成
され、その下面４ａは水冷面を形成しており、また周縁
部４ｂに等間隔に形成されたボルト穴４ｃに挿入される
図示されないボルトを介して、カソード組立体２（図
６）に取付けられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のバッキングプレート４には、材料として銅が主に使用
されてきたが、ターゲット５が大型化するに伴い、バッ
キングプレート４も大型化の傾向にある。このため、ス
パッタリングカソードの重量は増大化の傾向にあり、ス
パッタリングターゲット５の交換時の操作性及び安全性
に問題点があった。
のバッキングプレート４には、材料として銅が主に使用
されてきたが、ターゲット５が大型化するに伴い、バッ
キングプレート４も大型化の傾向にある。このため、ス
パッタリングカソードの重量は増大化の傾向にあり、ス
パッタリングターゲット５の交換時の操作性及び安全性
に問題点があった。
【０００８】本発明は、上記した従来技術の問題点を解
決し、軽量且つ高い強度をもったスパッタリングカソー
ド及び該カソードを備えたスパッタリング装置を提供す
ることを課題としている。
決し、軽量且つ高い強度をもったスパッタリングカソー
ド及び該カソードを備えたスパッタリング装置を提供す
ることを課題としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明の採った手段は、機械的強度の高い梁構造の
材料と、該梁と梁との間の空所に埋め込まれた熱伝導の
高い材料とからなる複合構造を有するバッキングプレー
トを持つスパッタリングカソードを形成したことを特徴
としている。
めに本発明の採った手段は、機械的強度の高い梁構造の
材料と、該梁と梁との間の空所に埋め込まれた熱伝導の
高い材料とからなる複合構造を有するバッキングプレー
トを持つスパッタリングカソードを形成したことを特徴
としている。
【００１０】また、スパッタリング装置に機械的強度の
高い梁構造の材料と、該梁と梁との間の空所に埋め込ま
れた熱伝導の高い材料とからなる複合構造を有するバッ
キングプレートを形成することを特徴としている。
高い梁構造の材料と、該梁と梁との間の空所に埋め込ま
れた熱伝導の高い材料とからなる複合構造を有するバッ
キングプレートを形成することを特徴としている。
【００１１】さらに、スパッタリング装置に用いるカソ
ードにおいて、スパッタリングターゲットを支持するバ
ッキングプレートの中央部が機械的強度の高い多孔、ハ
ニカム、格子、同心円、放射状等の梁構造と、該梁と梁
との間の空所に埋め込まれた熱伝導の高い材料とからな
る複合構造を有するスパッタリング装置用カソードを形
成することを特徴としている。
ードにおいて、スパッタリングターゲットを支持するバ
ッキングプレートの中央部が機械的強度の高い多孔、ハ
ニカム、格子、同心円、放射状等の梁構造と、該梁と梁
との間の空所に埋め込まれた熱伝導の高い材料とからな
る複合構造を有するスパッタリング装置用カソードを形
成することを特徴としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に記載した実施例を用いて説明する。図１は、本発明の
一実施形態を示し、（ａ）は図（ｂ）のａ−ａ線断面側
面図であり、（ｂ）は図（ａ）のｂ−ｂ線断面平面図で
ある。図中、図５に記載した符号と同一の符号は同一な
いし同類部分を示すものとする。
に記載した実施例を用いて説明する。図１は、本発明の
一実施形態を示し、（ａ）は図（ｂ）のａ−ａ線断面側
面図であり、（ｂ）は図（ａ）のｂ−ｂ線断面平面図で
ある。図中、図５に記載した符号と同一の符号は同一な
いし同類部分を示すものとする。
【００１３】図において、上面をスパッタ面５ａとした
ターゲット５の下面をボンディングして支持するバッキ
ングプレート２０は、ＳＵＳ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｃｕ等の強
度の高い非磁性材料及びその合金で構成された、周縁部
２１及び該周縁部２１で囲まれた中央部で梁構造の一形
態として形成されたハニカム構造体２２と、Ａｌ等の軽
量且つ熱伝導率の高い非磁性材料を埋め込んだハニカム
構造体２２の空所（Ａｌ）２３とを一体に結合して構成
され、上記周縁部２１には、等間隔に、該バッキングプ
レート２０をカソード部材（図６のカソード室組立体２
に相当する。）に取付けるためのボルト孔２１ａが穿設
されており、また、周縁部２１で囲まれた中央部２２及
び２３の下面（裏面）には、図示しない冷却室が設けら
れている。
ターゲット５の下面をボンディングして支持するバッキ
ングプレート２０は、ＳＵＳ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｃｕ等の強
度の高い非磁性材料及びその合金で構成された、周縁部
２１及び該周縁部２１で囲まれた中央部で梁構造の一形
態として形成されたハニカム構造体２２と、Ａｌ等の軽
量且つ熱伝導率の高い非磁性材料を埋め込んだハニカム
構造体２２の空所（Ａｌ）２３とを一体に結合して構成
され、上記周縁部２１には、等間隔に、該バッキングプ
レート２０をカソード部材（図６のカソード室組立体２
に相当する。）に取付けるためのボルト孔２１ａが穿設
されており、また、周縁部２１で囲まれた中央部２２及
び２３の下面（裏面）には、図示しない冷却室が設けら
れている。
【００１４】上記のように構成されているので、図６に
示すようなスパッタリング装置の作動時、ターゲット５
を陰極、スパッタ室を陽極として減圧不活性ガス雰囲気
中で両電極間に直流高電圧を印加すると、電界と磁界と
が直交する場所にプラズマ放電が発生し、ターゲット５
が不活性ガスのイオンで叩かれ、これによってターゲッ
ト５の金属原子が陽極に向って基板（ウエハ）の表面に
付着して金属薄膜が生成されることは従来のものと変り
はない。
示すようなスパッタリング装置の作動時、ターゲット５
を陰極、スパッタ室を陽極として減圧不活性ガス雰囲気
中で両電極間に直流高電圧を印加すると、電界と磁界と
が直交する場所にプラズマ放電が発生し、ターゲット５
が不活性ガスのイオンで叩かれ、これによってターゲッ
ト５の金属原子が陽極に向って基板（ウエハ）の表面に
付着して金属薄膜が生成されることは従来のものと変り
はない。
【００１５】上記のように、ターゲット５のスパッタ面
５ａが不活性ガスのイオンで叩かれることによって熱を
発生するが、該ターゲット５の下面をボンディングして
支持し且つ裏面が水冷されているバッキングプレート２
０によって冷却されるが、該バッキングプレート２０の
中央部は、Ａｌのような軽量且つ熱伝導率の高い非磁性
材料をハニカム構造体２２の空所（Ａｌ）２３に埋め込
んで形成しているので、伝熱速度が増加して冷却作用が
一層促進される。
５ａが不活性ガスのイオンで叩かれることによって熱を
発生するが、該ターゲット５の下面をボンディングして
支持し且つ裏面が水冷されているバッキングプレート２
０によって冷却されるが、該バッキングプレート２０の
中央部は、Ａｌのような軽量且つ熱伝導率の高い非磁性
材料をハニカム構造体２２の空所（Ａｌ）２３に埋め込
んで形成しているので、伝熱速度が増加して冷却作用が
一層促進される。
【００１６】一方、周縁部２１及びハニカム構造体２２
は、ＳＵＳ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｃｕ等の強度の高い非磁性材
料及びその合金によって構成されているので、当該バッ
キングプレート２０を軽量で且つ強度を強化することが
できる。
は、ＳＵＳ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｃｕ等の強度の高い非磁性材
料及びその合金によって構成されているので、当該バッ
キングプレート２０を軽量で且つ強度を強化することが
できる。
【００１７】図２は、本発明の他の実施形態を示し、
（ａ）は図（ｂ）のａ−ａ線断面側面図であり、（ｂ）
は図（ａ）のｂ−ｂ線断面平面図である。
（ａ）は図（ｂ）のａ−ａ線断面側面図であり、（ｂ）
は図（ａ）のｂ−ｂ線断面平面図である。
【００１８】この実施形態では、バッキングプレート３
０の周縁部３１で囲まれた中央部に形成される梁構造
が、放射状構造体３２で構成されており、該放射状構造
体３２の各中間空所３３には、Ａｌ等の軽量且つ熱伝導
率の高い非磁性材料が埋め込められている点で異ってお
り、上記周縁部３１及び梁構造に相当する放射状構造体
３２がＳＵＳ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｃｕ等の強度の高い非磁性
材料及びその合金によって構成されている点は、図１に
示す実施形態と変りはない。
０の周縁部３１で囲まれた中央部に形成される梁構造
が、放射状構造体３２で構成されており、該放射状構造
体３２の各中間空所３３には、Ａｌ等の軽量且つ熱伝導
率の高い非磁性材料が埋め込められている点で異ってお
り、上記周縁部３１及び梁構造に相当する放射状構造体
３２がＳＵＳ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｃｕ等の強度の高い非磁性
材料及びその合金によって構成されている点は、図１に
示す実施形態と変りはない。
【００１９】この実施形態によれば、前記した実施形態
（図１）と同様の作用、効果を奏する外、前記した実施
形態におけるハニカム構造より、製作、加工が容易であ
るという利点がある。
（図１）と同様の作用、効果を奏する外、前記した実施
形態におけるハニカム構造より、製作、加工が容易であ
るという利点がある。
【００２０】図３は、本発明の更に他の実施形態を示す
バッキングプレート４０の側断面図である。
バッキングプレート４０の側断面図である。
【００２１】この実施形態では、ＳＵＳ，Ｔｉ，Ｃｏ，
Ｃｕ等の強度の強い非磁性材料及びその合金で構成され
た周縁部４１で囲まれた中央部を、上下に間隔を隔てて
水平方向に対向して設けられ、ＳＵＳ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｃ
ｕ等の強度の強い非磁性材料及びその合金で構成された
梁構造体４２と、これらの対向する二つの梁構造体４２
の間に形成される空所４３に埋め込まれた、Ａｌ等の軽
量で且つ熱伝導率の高い非磁性材料で構成された中間部
材との複合材料で構成している点で、図１及び図２に示
す実施形態と異っている。この実施形態によっても、前
記した実施形態と同様の作用・効果を奏することができ
る。
Ｃｕ等の強度の強い非磁性材料及びその合金で構成され
た周縁部４１で囲まれた中央部を、上下に間隔を隔てて
水平方向に対向して設けられ、ＳＵＳ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｃ
ｕ等の強度の強い非磁性材料及びその合金で構成された
梁構造体４２と、これらの対向する二つの梁構造体４２
の間に形成される空所４３に埋め込まれた、Ａｌ等の軽
量で且つ熱伝導率の高い非磁性材料で構成された中間部
材との複合材料で構成している点で、図１及び図２に示
す実施形態と異っている。この実施形態によっても、前
記した実施形態と同様の作用・効果を奏することができ
る。
【００２２】また図４には、上記した図１及び図２に示
す梁構造以外の梁構造体を示す概略平面図で、図（ａ）
は多孔に形成された梁構造体を示し、図（ｂ）は格子状
に形成された梁構造体を示し、図（ｃ）は同心円状に形
成された梁構造体を示している。なお、図Ｃに示す各同
心円の梁構造体は、各梁の間に埋め込まれる熱伝導の高
い材料によって固定されるが、各同心円の梁構造体を放
射状部材等によって互いに連結するように構成してもよ
い。
す梁構造以外の梁構造体を示す概略平面図で、図（ａ）
は多孔に形成された梁構造体を示し、図（ｂ）は格子状
に形成された梁構造体を示し、図（ｃ）は同心円状に形
成された梁構造体を示している。なお、図Ｃに示す各同
心円の梁構造体は、各梁の間に埋め込まれる熱伝導の高
い材料によって固定されるが、各同心円の梁構造体を放
射状部材等によって互いに連結するように構成してもよ
い。
【００２３】なお、図３における対向する二つの梁構造
体４２も、上記した各実施形態（図１，２及び４）に示
された、空所を有する梁構造体によって構成することが
できる。
体４２も、上記した各実施形態（図１，２及び４）に示
された、空所を有する梁構造体によって構成することが
できる。
【００２４】さらに、梁構造は熱伝導率および熱膨張係
数の小さい材料であってもよい。この時バッキングプレ
ートは熱伝導率および熱膨張係数の大きいＡｌ材料等が
複合化されていてもよい。その効果はバッキングプレー
ト全体としての熱膨張係数が小さくおさえられるからで
ある。このことにより、セラミックターゲット等の熱膨
張係数の小さいターゲットのボンディングに適したバッ
キングプレートを得ることができる。
数の小さい材料であってもよい。この時バッキングプレ
ートは熱伝導率および熱膨張係数の大きいＡｌ材料等が
複合化されていてもよい。その効果はバッキングプレー
ト全体としての熱膨張係数が小さくおさえられるからで
ある。このことにより、セラミックターゲット等の熱膨
張係数の小さいターゲットのボンディングに適したバッ
キングプレートを得ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
機械的強度の高い梁構造の材料と、該梁と梁との間の空
所に埋め込まれた熱伝導の高い材料とからなる複合構造
を有するバッキングプレートを持つスパッタリングカソ
ードを形成したことにより、強度の高い非磁性材料から
なる梁構造と梁と梁との間の空所に埋め込まれた軽量且
つ熱伝導率の高い非磁性材料との複合構造を形成し、冷
却効率が高く、しかも軽量で且つ高い強度をもったバッ
キングプレートを得ることができる。
機械的強度の高い梁構造の材料と、該梁と梁との間の空
所に埋め込まれた熱伝導の高い材料とからなる複合構造
を有するバッキングプレートを持つスパッタリングカソ
ードを形成したことにより、強度の高い非磁性材料から
なる梁構造と梁と梁との間の空所に埋め込まれた軽量且
つ熱伝導率の高い非磁性材料との複合構造を形成し、冷
却効率が高く、しかも軽量で且つ高い強度をもったバッ
キングプレートを得ることができる。
【００２６】またこれにより、スパッタリングターゲッ
トの交換時の操作性が向上し、且つ安全性が確保され
る。
トの交換時の操作性が向上し、且つ安全性が確保され
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスパッタリングターゲット用バッキン
グプレートの一実施形態（実施例）を示し、（ａ）は図
（ｂ）のａ−ａ線断面側面図、（ｂ）は図（ａ）のｂ−
ｂ線断面平面図である。
グプレートの一実施形態（実施例）を示し、（ａ）は図
（ｂ）のａ−ａ線断面側面図、（ｂ）は図（ａ）のｂ−
ｂ線断面平面図である。
【図２】本発明のスパッタリングターゲット用バッキン
グプレートの他の実施形態（実施例）を示し、（ａ）は
図（ｂ）のａ−ａ線断面側面図、（ｂ）は図（ａ）のｂ
−ｂ線断面平面図である。
グプレートの他の実施形態（実施例）を示し、（ａ）は
図（ｂ）のａ−ａ線断面側面図、（ｂ）は図（ａ）のｂ
−ｂ線断面平面図である。
【図３】本発明のスパッタリングターゲット用バッキン
グプレートの更に他の実施形態（実施例）を示す断面側
面図である。
グプレートの更に他の実施形態（実施例）を示す断面側
面図である。
【図４】本発明のスパッタリングターゲット用バッキン
グプレートの梁構造体の異った変形例を示す概略平面図
である。
グプレートの梁構造体の異った変形例を示す概略平面図
である。
【図５】従来例を示し、（ａ）は側断面図、（ｂ）は底
面図である。
面図である。
【図６】従来のマグネトロンスパッタ装置の概略断面図
である。
である。
５ ターゲット ５ａ スパッタ面 ２０，３０，４０ バッキングプレート ２１，３１，４１ 周縁部 ２１ａ，３１ａ，４１ａ ボルト穴 ２２，３２，４２ 梁構造体 ２３，３３，４３ 熱伝導の高い材料が埋め込まれる空
所
所
Claims (3)
- 【請求項１】 機械的強度の高い梁構造の材料と、該梁
と梁との間の空所に埋め込まれた熱伝導の高い材料とか
らなる複合構造を有するバッキングプレートを持つスパ
ッタリングカソード。 - 【請求項２】 機械的強度の高い梁構造の材料と、該梁
と梁との間の空所に埋め込まれた熱伝導の高い材料とか
らなる複合構造を有するバッキングプレートを持つスパ
ッタリングカソードを備えたスパッタリング装置。 - 【請求項３】 スパッタリング装置に用いるカソードに
おいて、スパッタリングターゲットを支持するバッキン
グプレートの中央部が機械的強度の高い多孔、ハニカ
ム、格子、同心円、放射状等の梁構造と、該梁と梁との
間の空所に埋め込まれた熱伝導の高い材料とからなる複
合構造を有するスパッタリング装置用カソード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11547297A JPH10306370A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | スパッタリングカソード及び該カソードを備えたスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11547297A JPH10306370A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | スパッタリングカソード及び該カソードを備えたスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10306370A true JPH10306370A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=14663396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11547297A Pending JPH10306370A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | スパッタリングカソード及び該カソードを備えたスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10306370A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005330500A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | マグネトロンスパッタ装置用バッキングプレートおよびマグネトロンスパッタ装置 |
| JP2013227619A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Nippon Tungsten Co Ltd | バッキングプレート及びスパッタリングターゲット |
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1997
- 1997-05-06 JP JP11547297A patent/JPH10306370A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005330500A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | マグネトロンスパッタ装置用バッキングプレートおよびマグネトロンスパッタ装置 |
| JP4570906B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2010-10-27 | 信越化学工業株式会社 | マグネトロンスパッタ装置用バッキングプレートおよびマグネトロンスパッタ装置 |
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