JPH1029863A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH1029863A JPH1029863A JP8189252A JP18925296A JPH1029863A JP H1029863 A JPH1029863 A JP H1029863A JP 8189252 A JP8189252 A JP 8189252A JP 18925296 A JP18925296 A JP 18925296A JP H1029863 A JPH1029863 A JP H1029863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- weight
- dielectric porcelain
- porcelain composition
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電率εr が大きく，共振周波数の温度係数
τf ができるだけ零に近く，Ｑ×ｆ値が大きく，しか
も，融点の低いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等
を内部電極材料に使用しても同時焼結できる誘電体磁器
組成物を提供すること。 【解決手段】 誘電体磁器組成物は，一般式ａ ＢａＯ
−ｂ ＳｒＯ−ｃ Ｓｍ2 Ｏ3 −ｄ Ｂｉ2 Ｏ3 −ｅ
Ｌａ2 Ｏ3 −ｆ ＴｉＯ2 （ただし，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，
ｅ，及びｆの単位はモル％で，１３．６≦（ａ＋ｂ）≦
１８．６，１４．７≦（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１９．２，６
４．５≦ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦５．５，２．０≦ｄ≦
９．４，０≦ｅ≦６．０の範囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％）で示される組成を有する主
成分と前記主成分に添加されたＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｇ
ｅＯ2 ，Ｎａ2 Ｏの少くとも一種からなる添加物とを含
む。
τf ができるだけ零に近く，Ｑ×ｆ値が大きく，しか
も，融点の低いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等
を内部電極材料に使用しても同時焼結できる誘電体磁器
組成物を提供すること。 【解決手段】 誘電体磁器組成物は，一般式ａ ＢａＯ
−ｂ ＳｒＯ−ｃ Ｓｍ2 Ｏ3 −ｄ Ｂｉ2 Ｏ3 −ｅ
Ｌａ2 Ｏ3 −ｆ ＴｉＯ2 （ただし，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，
ｅ，及びｆの単位はモル％で，１３．６≦（ａ＋ｂ）≦
１８．６，１４．７≦（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１９．２，６
４．５≦ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦５．５，２．０≦ｄ≦
９．４，０≦ｅ≦６．０の範囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％）で示される組成を有する主
成分と前記主成分に添加されたＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｇ
ｅＯ2 ，Ｎａ2 Ｏの少くとも一種からなる添加物とを含
む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，主にマイクロ波帯
域用の通信や放送機器に使用される誘電体磁器組成物に
関する。
域用の通信や放送機器に使用される誘電体磁器組成物に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年，通信技術の進歩により自動車電話
や携帯電話，ＰＨＳなどの移動体通信システム，ＧＰＳ
（Global Positioning System)が急速に普及している。
そのため通信に利用される周波数帯域が拡大し，マイク
ロ波帯域での利用が盛んになっている。
や携帯電話，ＰＨＳなどの移動体通信システム，ＧＰＳ
（Global Positioning System)が急速に普及している。
そのため通信に利用される周波数帯域が拡大し，マイク
ロ波帯域での利用が盛んになっている。
【０００３】古くは，このマイクロ波帯域で使用される
回路には，空洞共振器，アンテナ等が用いられていた。
しかし，これら部品はマイクロ波の波長と同程度の大き
さになるため，自動車用電話機，携帯電話機，小型ＧＰ
Ｓ装置等に適用できるような部品の小型化は不可能であ
った。
回路には，空洞共振器，アンテナ等が用いられていた。
しかし，これら部品はマイクロ波の波長と同程度の大き
さになるため，自動車用電話機，携帯電話機，小型ＧＰ
Ｓ装置等に適用できるような部品の小型化は不可能であ
った。
【０００４】これに対し，近年マイクロ波フィルタや発
信器の周波数安定化回路に誘電体共振器を用いることに
よって，回路部品の小型化が盛んにおこなわれ，一般化
しつつある。このような誘電体共振器に用いられる誘電
体材料に要求される特性は，使用周波数帯域における誘
電率εr が大きいこと，共振周波数の温度係数τf がで
きるだけ零に近いこと，マイクロ波帯域での誘電損失ｔ
ａｎδ（＝１／Ｑ）が小さいことが挙げられる。尚，マ
イクロ波帯域での誘電損失ｔａｎδの大小は，ｆを共振
周波数とした場合一般的にＱ×ｆの形で表現される。そ
のため以下Ｑ×ｆの表現を用いる。
信器の周波数安定化回路に誘電体共振器を用いることに
よって，回路部品の小型化が盛んにおこなわれ，一般化
しつつある。このような誘電体共振器に用いられる誘電
体材料に要求される特性は，使用周波数帯域における誘
電率εr が大きいこと，共振周波数の温度係数τf がで
きるだけ零に近いこと，マイクロ波帯域での誘電損失ｔ
ａｎδ（＝１／Ｑ）が小さいことが挙げられる。尚，マ
イクロ波帯域での誘電損失ｔａｎδの大小は，ｆを共振
周波数とした場合一般的にＱ×ｆの形で表現される。そ
のため以下Ｑ×ｆの表現を用いる。
【０００５】これまで，マイクロ波用，或いは温度補償
用コンデンサの誘電体磁器組成物としては，Ｂａ（Ｚｎ
1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系，ＢａＯ−ＴｉＯ2 系，ＺｒＯ2
−ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系，ＢａＯ−希土類酸化物−Ｔｉ
Ｏ2 系，（Ｐｂ，Ｃａ）ＺｒＯ3 等の材料が知られてい
る。しかしこれまでに開示されている組成の材料では，
マイクロ波帯域において，誘電率εr が大きいほどＱ×
ｆが小さいという傾向があった。その欠点を解消するた
めに，本発明者らは，誘電率εr が１１０以上で，共振
周波数の温度係数の絶対値｜τf ｜が小さく，Ｑ×ｆが
十分大きい組成としてＢａＯ−Ｌａ2 Ｏ3 −Ｓｍ2 Ｏ3
−Ｂｉ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 を特開平７−１７２９１２号公
報（以下，従来技術１と呼ぶ）に提案した。
用コンデンサの誘電体磁器組成物としては，Ｂａ（Ｚｎ
1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系，ＢａＯ−ＴｉＯ2 系，ＺｒＯ2
−ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系，ＢａＯ−希土類酸化物−Ｔｉ
Ｏ2 系，（Ｐｂ，Ｃａ）ＺｒＯ3 等の材料が知られてい
る。しかしこれまでに開示されている組成の材料では，
マイクロ波帯域において，誘電率εr が大きいほどＱ×
ｆが小さいという傾向があった。その欠点を解消するた
めに，本発明者らは，誘電率εr が１１０以上で，共振
周波数の温度係数の絶対値｜τf ｜が小さく，Ｑ×ｆが
十分大きい組成としてＢａＯ−Ｌａ2 Ｏ3 −Ｓｍ2 Ｏ3
−Ｂｉ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 を特開平７−１７２９１２号公
報（以下，従来技術１と呼ぶ）に提案した。
【０００６】ところで，マイクロ波回路のより一層の小
型，高機能化を図るためには，導体と誘電体磁器を積層
構造にする方法が有効であり，これは，既に実用化され
ているセラミック積層技術を適用することによって実現
できる。
型，高機能化を図るためには，導体と誘電体磁器を積層
構造にする方法が有効であり，これは，既に実用化され
ているセラミック積層技術を適用することによって実現
できる。
【０００７】しかし，マイクロ波帯域で使用される素子
の導体には，一般に，導電性のよいＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，
或いはそれらの合金等が用いられており，上記の積層デ
バイスを得るには，これらのような比較的融点の低い導
体金属と誘電体材料が同時焼結できることが必要であ
る。これを目的として，種々の低温焼成セラミックスが
提案されている。
の導体には，一般に，導電性のよいＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，
或いはそれらの合金等が用いられており，上記の積層デ
バイスを得るには，これらのような比較的融点の低い導
体金属と誘電体材料が同時焼結できることが必要であ
る。これを目的として，種々の低温焼成セラミックスが
提案されている。
【０００８】例えば，特開平５−９７５０８号公報（以
下，従来技術２と呼ぶ）では，ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒ2
Ｏ3 −ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 にＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｚｎ
Ｏを添加した低温焼成材料が提案されている。また，特
開平５−２３４４２０号公報（以下，従来技術３と呼
ぶ）には，ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 にＢｉ
2 Ｏ3，ＭｎＯ，ＰｂＯ，ＺｎＯ，Ａｌ2 Ｏ3 を添加し
た低温焼成材料が提案されている。
下，従来技術２と呼ぶ）では，ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒ2
Ｏ3 −ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 にＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｚｎ
Ｏを添加した低温焼成材料が提案されている。また，特
開平５−２３４４２０号公報（以下，従来技術３と呼
ぶ）には，ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 にＢｉ
2 Ｏ3，ＭｎＯ，ＰｂＯ，ＺｎＯ，Ａｌ2 Ｏ3 を添加し
た低温焼成材料が提案されている。
【０００９】また，特開平３−２９０３５８〜２９０３
５９号公報及び特開平３−２９５８５４〜２９５８５６
号公報（以下，従来技術４と呼ぶ）では，ＢａＯ−Ｎｄ
2 Ｏ3 −Ｓｍ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 −ＰｂＯに
ＧｅＯ2 ，ＣｕＯ，Ｂ2 Ｏ3，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯを添加
した低温焼成材料が提案されている。
５９号公報及び特開平３−２９５８５４〜２９５８５６
号公報（以下，従来技術４と呼ぶ）では，ＢａＯ−Ｎｄ
2 Ｏ3 −Ｓｍ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 −ＰｂＯに
ＧｅＯ2 ，ＣｕＯ，Ｂ2 Ｏ3，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯを添加
した低温焼成材料が提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来技
術２乃至４に提案されている低温焼成材料では，誘電率
εr が８０以上，かつ共振周波数の温度係数の絶対値｜
τf ｜が１０ｐｐｍ／℃以下であるような材料を得るこ
とができない。
術２乃至４に提案されている低温焼成材料では，誘電率
εr が８０以上，かつ共振周波数の温度係数の絶対値｜
τf ｜が１０ｐｐｍ／℃以下であるような材料を得るこ
とができない。
【００１１】そこで，本発明の技術的課題は，誘電率ε
r が大きく，共振周波数の温度係数τf ができるだけ零
に近く，Ｑ×ｆ値が大きく，しかも，融点の低いＡｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等を内部電極材料に使用
しても同時焼結できる誘電体磁器組成物を提供すること
にある。
r が大きく，共振周波数の温度係数τf ができるだけ零
に近く，Ｑ×ｆ値が大きく，しかも，融点の低いＡｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等を内部電極材料に使用
しても同時焼結できる誘電体磁器組成物を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の技術的課題を解決
するために，本発明者らは，誘電体磁器材料に，Ｂ2Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，及びＮａ2 Ｏの内の少なくと
も一種を添加することによって，誘電率εr が大きく，
共振周波数の温度係数τf が零に近く，Ｑ×ｆ値が大き
く，しかも，融点の低いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，及びそれら
の合金等を内部電極材料に使用しても同時焼結できる誘
電体磁器材料が得られることを見出し，本発明をなすに
至ったものである。
するために，本発明者らは，誘電体磁器材料に，Ｂ2Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，及びＮａ2 Ｏの内の少なくと
も一種を添加することによって，誘電率εr が大きく，
共振周波数の温度係数τf が零に近く，Ｑ×ｆ値が大き
く，しかも，融点の低いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，及びそれら
の合金等を内部電極材料に使用しても同時焼結できる誘
電体磁器材料が得られることを見出し，本発明をなすに
至ったものである。
【００１３】即ち，本発明によれば，一般式ａ ＢａＯ
−ｂ ＳｒＯ−ｃ Ｓｍ2 Ｏ3 −ｄＢｉ2 Ｏ3 −ｅ Ｌ
ａ2 Ｏ3 −ｆ ＴｉＯ2 （ただし，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，
ｅ，及びｆの単位はモル％で，１３．６≦（ａ＋ｂ）≦
１８．６，１４．７≦（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１９．２，６
４．５≦ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦５．５，２．０≦ｄ≦
９．４，０≦ｅ≦６．０の範囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％）で示される組成を有する主
成分と，前記主成分に添加されたＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，
ＺｎＯ，ＧｅＯ2 ，及びＮａ2 Ｏのうちの少くとも一種
からなる添加物とを含むことを特徴とする誘電体磁器組
成物が得られる。
−ｂ ＳｒＯ−ｃ Ｓｍ2 Ｏ3 −ｄＢｉ2 Ｏ3 −ｅ Ｌ
ａ2 Ｏ3 −ｆ ＴｉＯ2 （ただし，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，
ｅ，及びｆの単位はモル％で，１３．６≦（ａ＋ｂ）≦
１８．６，１４．７≦（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１９．２，６
４．５≦ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦５．５，２．０≦ｄ≦
９．４，０≦ｅ≦６．０の範囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％）で示される組成を有する主
成分と，前記主成分に添加されたＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，
ＺｎＯ，ＧｅＯ2 ，及びＮａ2 Ｏのうちの少くとも一種
からなる添加物とを含むことを特徴とする誘電体磁器組
成物が得られる。
【００１４】また，本発明によれば，前記添加物は前記
誘電体磁器組成物の総量に対して０．１〜５．０重量％
のＢ2 Ｏ3 からなることを特徴とする誘電体磁器組成物
が得られる。
誘電体磁器組成物の総量に対して０．１〜５．０重量％
のＢ2 Ｏ3 からなることを特徴とする誘電体磁器組成物
が得られる。
【００１５】また，本発明によれば，前記誘電体磁器組
成物において，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物の
総量に対して，０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と
０．０５〜３．０重量％のＳｉＯ2 とからなることを特
徴とする誘電体磁器組成物が得られる。
成物において，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物の
総量に対して，０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と
０．０５〜３．０重量％のＳｉＯ2 とからなることを特
徴とする誘電体磁器組成物が得られる。
【００１６】また，本発明によれば，前記誘電体磁器組
成物において，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物の
総量に対して，０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と
０．０５〜３．０重量％のＳｉＯ2 と２．０重量％以下
のＧｅＯ2 からなることを特徴とする誘電体磁器組成物
が得られる。
成物において，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物の
総量に対して，０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と
０．０５〜３．０重量％のＳｉＯ2 と２．０重量％以下
のＧｅＯ2 からなることを特徴とする誘電体磁器組成物
が得られる。
【００１７】また，本発明によれば，前記誘電体磁器組
成物において，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物の
総量に対して，０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と
０．０５〜３．０重量％のＳｉＯ2 と０．０５〜２．０
重量％のＺｎＯとからなることを特徴とする誘電体磁器
組成物が得られる。
成物において，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物の
総量に対して，０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と
０．０５〜３．０重量％のＳｉＯ2 と０．０５〜２．０
重量％のＺｎＯとからなることを特徴とする誘電体磁器
組成物が得られる。
【００１８】さらに，本発明によれば，前記誘電体磁器
組成物において，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物
の総量に対して，０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と
０．０５〜３．０重量％のＳｉＯ2 と０．０５〜２．０
重量％のＺｎＯと２．０重量％以下のＮａ2 Ｏとからな
ることを特徴とする誘電体磁器組成物が得られる。
組成物において，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物
の総量に対して，０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と
０．０５〜３．０重量％のＳｉＯ2 と０．０５〜２．０
重量％のＺｎＯと２．０重量％以下のＮａ2 Ｏとからな
ることを特徴とする誘電体磁器組成物が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００２０】（第１の実施の形態）次の本発明の第１の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００２１】まず，ＢａＣＯ3 ，ＳｒＯ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，
Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2の各粉末を各組成に
応じて秤量した後，純水を用い，ジルコニアボールにて
樹脂製のボールミルで２０時間湿式混合し，混合物を得
た。次に，この混合物を乾燥させた後，大気中にて１２
００℃の温度で約４時間仮焼し，仮焼物を得た。次に，
Ｂ2 Ｏ3 の粉末をそれぞれ表１の割合になるように秤量
し，仮焼物に加え，上記のボールミルで２０時間湿式粉
砕（混合）した後，乾燥，造粒した。これを，直径１５
ｍｍ，厚さ約６ｍｍの円盤状に成形し，８５０〜１３７
５℃の温度で約２時間焼結することによって下記表１に
示す組成の誘電体磁器を得た。下記表１に示す組成の誘
電体磁器を得た。なお表１で組成は，ａ ＢａＯ−ｂ
ＳｒＯ−ｃ Ｓｍ2 Ｏ3 −ｄ Ｂｉ2 Ｏ3 −ｅ Ｌａ2
Ｏ3 −ｆ ＴｉＯ2 （但し，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝
１００モル％）のように表わした。
Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2の各粉末を各組成に
応じて秤量した後，純水を用い，ジルコニアボールにて
樹脂製のボールミルで２０時間湿式混合し，混合物を得
た。次に，この混合物を乾燥させた後，大気中にて１２
００℃の温度で約４時間仮焼し，仮焼物を得た。次に，
Ｂ2 Ｏ3 の粉末をそれぞれ表１の割合になるように秤量
し，仮焼物に加え，上記のボールミルで２０時間湿式粉
砕（混合）した後，乾燥，造粒した。これを，直径１５
ｍｍ，厚さ約６ｍｍの円盤状に成形し，８５０〜１３７
５℃の温度で約２時間焼結することによって下記表１に
示す組成の誘電体磁器を得た。下記表１に示す組成の誘
電体磁器を得た。なお表１で組成は，ａ ＢａＯ−ｂ
ＳｒＯ−ｃ Ｓｍ2 Ｏ3 −ｄ Ｂｉ2 Ｏ3 −ｅ Ｌａ2
Ｏ3 −ｆ ＴｉＯ2 （但し，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝
１００モル％）のように表わした。
【００２２】次に，各組成の誘電体磁器について，誘電
体共振器法により，誘電率εr ，Ｑ×ｒ値，共振周波数
の温度係数τf を測定した。共振周波数の温度係数τf
は＋２０〜＋６０℃の温度範囲での共振周波数ｆの差よ
り下記数１式によって求めた。
体共振器法により，誘電率εr ，Ｑ×ｒ値，共振周波数
の温度係数τf を測定した。共振周波数の温度係数τf
は＋２０〜＋６０℃の温度範囲での共振周波数ｆの差よ
り下記数１式によって求めた。
【００２３】
【数１】 それらの測定結果を下記表１に示した。なお，共振周波
数は２．０〜３．１ＧＨｚであった。
数は２．０〜３．１ＧＨｚであった。
【００２４】
【表１】
【００２５】（第２の実施の形態）次に，本発明の第２
の実施の形態について説明する。
の実施の形態について説明する。
【００２６】ＢａＣＯ3 ，ＳｒＯ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2
Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 の各粉末を各組成に応じて
秤量し，第１の実施の形態に示したのと同様の方法で仮
焼物を得た。次に，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 の粉
末をそれぞれ表２の割合になるように秤量し，仮焼物に
加え，第１の実施の形態に示したのと同様のボールミル
で２０時間湿式粉砕（混合）した後，成形，焼結し，下
記表２に示す組成の誘電体磁器を得た。なお下記表２で
組成は，ａ ＢａＯ−ｂ ＳｒＯ−ｃ Ｓｍ2Ｏ3 −ｄ
Ｂｉ2 Ｏ3 −ｅ Ｌａ2 Ｏ3 −ｆ ＴｉＯ2 （但し，
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％）のように表わ
した。
Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 の各粉末を各組成に応じて
秤量し，第１の実施の形態に示したのと同様の方法で仮
焼物を得た。次に，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 の粉
末をそれぞれ表２の割合になるように秤量し，仮焼物に
加え，第１の実施の形態に示したのと同様のボールミル
で２０時間湿式粉砕（混合）した後，成形，焼結し，下
記表２に示す組成の誘電体磁器を得た。なお下記表２で
組成は，ａ ＢａＯ−ｂ ＳｒＯ−ｃ Ｓｍ2Ｏ3 −ｄ
Ｂｉ2 Ｏ3 −ｅ Ｌａ2 Ｏ3 −ｆ ＴｉＯ2 （但し，
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％）のように表わ
した。
【００２７】次に，各組成の誘電体磁器について，第１
の実施の形態に示したものと同様の測定を行ったとこ
ろ，下記表２に示す測定結果を得た。
の実施の形態に示したものと同様の測定を行ったとこ
ろ，下記表２に示す測定結果を得た。
【００２８】
【表２】
【００２９】（第３の実施の形態）さらに，本発明の第
３の実施の形態について説明する。
３の実施の形態について説明する。
【００３０】ＢａＣＯ3 ，ＳｒＯ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2
Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 の各粉末を各組成に応じて
秤量し，第１の実施の形態に示したのと同様の方法で仮
焼物を得た。次に，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯ，Ｎａ
2 Ｏの粉末をそれぞれ下記表３の割合になるように秤量
し，仮焼物に加え，第１の実施の形態に示したのと同様
のボールミルで２０時間湿式粉砕（混合）した後，成
形，焼結し，下記表３に示す組成の誘電体磁器を得た。
なお下記表３で組成は，ａ ＢａＯ−ｂ ＳｒＯ−ｃ
Ｓｍ2 Ｏ3 −ｄ Ｂｉ2 Ｏ3 −ｅ Ｌａ2 Ｏ3 −ｆ Ｔ
ｉＯ2 （但し，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル
％）のように表わした。
Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 の各粉末を各組成に応じて
秤量し，第１の実施の形態に示したのと同様の方法で仮
焼物を得た。次に，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯ，Ｎａ
2 Ｏの粉末をそれぞれ下記表３の割合になるように秤量
し，仮焼物に加え，第１の実施の形態に示したのと同様
のボールミルで２０時間湿式粉砕（混合）した後，成
形，焼結し，下記表３に示す組成の誘電体磁器を得た。
なお下記表３で組成は，ａ ＢａＯ−ｂ ＳｒＯ−ｃ
Ｓｍ2 Ｏ3 −ｄ Ｂｉ2 Ｏ3 −ｅ Ｌａ2 Ｏ3 −ｆ Ｔ
ｉＯ2 （但し，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル
％）のように表わした。
【００３１】次に，各組成の誘電体磁器について，第１
の実施の形態に示したものと同様の測定を行ったとこ
ろ，下記表３に示す測定結果を得た。
の実施の形態に示したものと同様の測定を行ったとこ
ろ，下記表３に示す測定結果を得た。
【００３２】
【表３】
【００３３】上記した表１〜３より明らかなように，Ｂ
ａＯ−ＳｒＯ−Ｓｍ2 Ｏ3 −Ｂｉ2Ｏ3 −Ｌａ2 Ｏ3 −
ＴｉＯ2 の主成分において，Ｂ2 Ｏ3 を０．１〜５．０
重量％添加すること，又はＢ2 Ｏ3 を０．０５〜５．０
重量％，ＳｉＯ2 を０．０５〜３．０重量％及びＧｅＯ
2 を０〜２．０重量％添加すること，又はＢ2 Ｏ3 を
０．０５〜５．０重量％，ＳｉＯ2 を０．０５〜３．０
重量％，ＺｎＯを０．０５〜２．０重量％及びＮａ2 Ｏ
を０〜２．０重量％添加することで，誘電率εrが大き
く，共振周波数の温度係数τf が零に近く，Ｑ×ｆ値が
大きく，しかも８７５〜１２００℃の低温で焼結できる
誘電体磁器を得ることができる。
ａＯ−ＳｒＯ−Ｓｍ2 Ｏ3 −Ｂｉ2Ｏ3 −Ｌａ2 Ｏ3 −
ＴｉＯ2 の主成分において，Ｂ2 Ｏ3 を０．１〜５．０
重量％添加すること，又はＢ2 Ｏ3 を０．０５〜５．０
重量％，ＳｉＯ2 を０．０５〜３．０重量％及びＧｅＯ
2 を０〜２．０重量％添加すること，又はＢ2 Ｏ3 を
０．０５〜５．０重量％，ＳｉＯ2 を０．０５〜３．０
重量％，ＺｎＯを０．０５〜２．０重量％及びＮａ2 Ｏ
を０〜２．０重量％添加することで，誘電率εrが大き
く，共振周波数の温度係数τf が零に近く，Ｑ×ｆ値が
大きく，しかも８７５〜１２００℃の低温で焼結できる
誘電体磁器を得ることができる。
【００３４】これに対し，本発明の試料以外の比較例で
は，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2，ＺｎＯ，Ｎａ2 Ｏ
の添加量が所定量より少ない場合，添加の効果が得られ
ず，焼結温度が１２００℃を越えてしまう。また，Ｂ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，ＺｎＯ，Ｎａ2 Ｏの添加量
が所定量より多い場合，誘電率εr ，Ｑ×ｆ値が著しく
低下する。
は，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2，ＺｎＯ，Ｎａ2 Ｏ
の添加量が所定量より少ない場合，添加の効果が得られ
ず，焼結温度が１２００℃を越えてしまう。また，Ｂ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，ＺｎＯ，Ｎａ2 Ｏの添加量
が所定量より多い場合，誘電率εr ，Ｑ×ｆ値が著しく
低下する。
【００３５】また，主成分にＳｒＯ，Ｌａ2 Ｏ3 を含ま
せることで，共振周波数の温度係数τf をさらに零に近
づけることができる。
せることで，共振周波数の温度係数τf をさらに零に近
づけることができる。
【００３６】
【発明の効果】以上に説明した通り，本発明によれば，
誘電率εr が大きく，共振周波数の温度係数τf が零に
近く，Ｑ×ｆ値が大きく，しかも，融点の低いＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，或いはそれらの合金等を内部電極材料に使用
しても同時焼結できる誘電体磁器組成物が得られる。
誘電率εr が大きく，共振周波数の温度係数τf が零に
近く，Ｑ×ｆ値が大きく，しかも，融点の低いＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，或いはそれらの合金等を内部電極材料に使用
しても同時焼結できる誘電体磁器組成物が得られる。
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式ａ ＢａＯ−ｂ ＳｒＯ−ｃ Ｓ
ｍ2 Ｏ3 −ｄ Ｂｉ2 Ｏ3 −ｅ Ｌａ2 Ｏ3 −ｆ Ｔｉ
Ｏ2 （ただし，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，及びｆの単位はモ
ル％で，１３．６≦（ａ＋ｂ）≦１８．６，１４．７≦
（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１９．２，６４．５≦ｆ≦６９．２，
０≦ｂ≦５．５，２．０≦ｄ≦９．４，０≦ｅ≦６．０
の範囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル
％）で示される組成を有する主成分と前記主成分に添加
されたＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，Ｎａ2 Ｏの少く
とも一種からなる添加物とを含むことを特徴とする誘電
体磁器組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載の誘電体磁器組成物におい
て，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物に対して０．
１〜５．０重量％添加されたＢ2 Ｏ3 からなることを特
徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 請求項１記載の誘電体磁器組成物におい
て，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物の総量に対し
て，０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と０．０５〜
３．０重量％のＳｉＯ2 とからなることを特徴とする誘
電体磁器組成物。 - 【請求項４】 請求項１記載の誘電体磁器組成物におい
て，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物の総量に対し
て，０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と０．０５〜
３．０重量％のＳｉＯ2 と２．０重量％以下のＧｅＯ2
とからなることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 請求項１記載の誘電体磁器組成物におい
て，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物の総量に対し
て０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と０．０５〜３．
０重量％のＳｉＯ2 と０．０５〜２．０重量％のＺｎＯ
とからなることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 請求項１記載の誘電体磁器組成物におい
て，前記添加物は，当該誘電体磁器組成物の総量に対し
て０．０５〜５．０重量％のＢ2 Ｏ3 と０．０５〜３．
０重量％のＳｉＯ2 と０．０５〜２．０重量％のＺｎＯ
と２．０重量％以下のＮａ2 Ｏとからなることを特徴と
する誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8189252A JPH1029863A (ja) | 1996-07-18 | 1996-07-18 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8189252A JPH1029863A (ja) | 1996-07-18 | 1996-07-18 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1029863A true JPH1029863A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16238185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8189252A Withdrawn JPH1029863A (ja) | 1996-07-18 | 1996-07-18 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1029863A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0966002A1 (en) * | 1998-06-16 | 1999-12-22 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Dielectric material and process for producing the same |
| CN108821768A (zh) * | 2018-08-02 | 2018-11-16 | 广东国华新材料科技股份有限公司 | 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
-
1996
- 1996-07-18 JP JP8189252A patent/JPH1029863A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0966002A1 (en) * | 1998-06-16 | 1999-12-22 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Dielectric material and process for producing the same |
| US6380117B2 (en) | 1998-06-16 | 2002-04-30 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric material and process for producing the same |
| CN108821768A (zh) * | 2018-08-02 | 2018-11-16 | 广东国华新材料科技股份有限公司 | 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN108821768B (zh) * | 2018-08-02 | 2021-04-16 | 广东国华新材料科技股份有限公司 | 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0534801B1 (en) | Method of producing low temperature firing dielectric ceramic composition | |
| US5756412A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| KR100292915B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 | |
| JP2000034165A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| US5750452A (en) | Dielectric ceramic composition for microwave | |
| JP3011123B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物 | |
| JPH1029863A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2736439B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2005022958A (ja) | 低温焼成誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH09227225A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH107457A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2899909B2 (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物 | |
| JP2977707B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3225828B2 (ja) | 高周波用誘電体組成物 | |
| JP3215004B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3481767B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH11322425A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2000007434A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH08157257A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH08169758A (ja) | 誘電体磁器材料 | |
| JPH09169564A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP3536861B2 (ja) | 誘電体磁器材料 | |
| JPH09157005A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH07309659A (ja) | 誘電体磁器材料 | |
| KR100234019B1 (ko) | Catio₃＋ca（zn⅓nb⅔）o₃계 고주파용 유전체 세라믹 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |