JPH08157257A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH08157257A JPH08157257A JP6296789A JP29678994A JPH08157257A JP H08157257 A JPH08157257 A JP H08157257A JP 6296789 A JP6296789 A JP 6296789A JP 29678994 A JP29678994 A JP 29678994A JP H08157257 A JPH08157257 A JP H08157257A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電率εr が大きく，共振周波数の温度係数
τf ができるだけ零に近く，Ｑ×ｆ値が大きく，安価で
融点の低いＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ｃｕなどを内部電極
として同時焼結可能とする焼結温度の低い誘電体磁器組
成物を提供すること。 【構成】 誘電体磁器組成物は，酸化バリウム（Ｂａ
Ｏ），酸化ネオジウム（Ｎｄ2 Ｏ3 ），酸化ビスマス
（Ｂｉ2 Ｏ3 ），及び酸化チタン（ＴｉＯ2 ）を主成分
とし，一般式ａＢａＯ−ｂＮｄ2 Ｏ3 −ｃＢｉ2 Ｏ3 −
ｄＴｉＯ2 であらわされ，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏ
ｌ％で，ｃが０．８≦ｃ≦６．３で，ａ，（ｂ＋ｃ），
ｄが図１において示されるＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓの４点を結ん
でできる範囲内にある組成物を主成分としている。誘電
体磁器組成物は，総量に対して，ＳｉＯ2 が０．１〜１
０．０重量％及びＰｂＯが０．１〜０．４８重量％，Ｂ
2 Ｏ3 が０．１〜３．０重量％の割合で添加されてい
る。
τf ができるだけ零に近く，Ｑ×ｆ値が大きく，安価で
融点の低いＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ｃｕなどを内部電極
として同時焼結可能とする焼結温度の低い誘電体磁器組
成物を提供すること。 【構成】 誘電体磁器組成物は，酸化バリウム（Ｂａ
Ｏ），酸化ネオジウム（Ｎｄ2 Ｏ3 ），酸化ビスマス
（Ｂｉ2 Ｏ3 ），及び酸化チタン（ＴｉＯ2 ）を主成分
とし，一般式ａＢａＯ−ｂＮｄ2 Ｏ3 −ｃＢｉ2 Ｏ3 −
ｄＴｉＯ2 であらわされ，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏ
ｌ％で，ｃが０．８≦ｃ≦６．３で，ａ，（ｂ＋ｃ），
ｄが図１において示されるＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓの４点を結ん
でできる範囲内にある組成物を主成分としている。誘電
体磁器組成物は，総量に対して，ＳｉＯ2 が０．１〜１
０．０重量％及びＰｂＯが０．１〜０．４８重量％，Ｂ
2 Ｏ3 が０．１〜３．０重量％の割合で添加されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，主にマイクロ波帯域の
通信や放送機器に使用される誘電体磁器組成物に関す
る。
通信や放送機器に使用される誘電体磁器組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年，通信技術の進歩による自動車電話
や携帯電話などの移動体通信の普及に伴って，通信に利
用される周波数帯域はマイクロ波帯域に及んでいる。
や携帯電話などの移動体通信の普及に伴って，通信に利
用される周波数帯域はマイクロ波帯域に及んでいる。
【０００３】従来，このマイクロ波帯域で使用される回
路部品には空洞共振器等が用いられていた。
路部品には空洞共振器等が用いられていた。
【０００４】しかし，これらの部品は，マイクロ波の波
長と同程度の大きさになるため，自動車電話機，携帯電
話機，小型ＧＰＳ装置等に適用できるような部品の小型
化は不可能であった。
長と同程度の大きさになるため，自動車電話機，携帯電
話機，小型ＧＰＳ装置等に適用できるような部品の小型
化は不可能であった。
【０００５】これに対し，マイクロ波フィルタや発信器
の周波数安定化回路に，誘電体共振器を用いることによ
って，回路部品の小型化が盛んに行われている。
の周波数安定化回路に，誘電体共振器を用いることによ
って，回路部品の小型化が盛んに行われている。
【０００６】このようなマイクロ波誘電体材料に要求さ
れる特性は，使用周波数帯域における誘電率εr が大き
いこと，共振周波数の温度係数τf ができるだけ零に近
いこと，マイクロ波帯域での誘電損失ｔａｎδ（＝１／
Ｑ）が小さいこと，即ち，Ｑ値（Ｑ×ｆの形で表現され
る。ｆは共振周波数）が大きいこと等が挙げられる。
れる特性は，使用周波数帯域における誘電率εr が大き
いこと，共振周波数の温度係数τf ができるだけ零に近
いこと，マイクロ波帯域での誘電損失ｔａｎδ（＝１／
Ｑ）が小さいこと，即ち，Ｑ値（Ｑ×ｆの形で表現され
る。ｆは共振周波数）が大きいこと等が挙げられる。
【０００７】従来，マイクロ波誘電材料としては，Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 系，ＢａＯ・４ＴｉＯ2 ・０．１ＷＯ3 ，
Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 ，（Ｚｒ4/5 Ｓｎ1/5 ）
ＴｉＯ4 等の組成が知られているが，これらの系で，高
Ｑ×ｆ値，共振周波数の温度係数τf は±約０ｐｐｍ／
℃は得られるものの，誘電率εr は高々４０程度しかな
く，低い周波数帯域では部品の小型化には寄与できなか
った。
Ｏ−ＴｉＯ2 系，ＢａＯ・４ＴｉＯ2 ・０．１ＷＯ3 ，
Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 ，（Ｚｒ4/5 Ｓｎ1/5 ）
ＴｉＯ4 等の組成が知られているが，これらの系で，高
Ｑ×ｆ値，共振周波数の温度係数τf は±約０ｐｐｍ／
℃は得られるものの，誘電率εr は高々４０程度しかな
く，低い周波数帯域では部品の小型化には寄与できなか
った。
【０００８】また，上記のＢａＯ−ＴｉＯ2 系に希土類
酸化物を添加し，さらにＢａサイトをＰｂやＳｒで置換
した（Ｂａ，Ｐｂ）Ｏ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系，（Ｂ
ａ，Ｓｒ）Ｏ−Ｓｍ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系では，誘電率ε
r ＝７０〜１００が得られることが知られている。
酸化物を添加し，さらにＢａサイトをＰｂやＳｒで置換
した（Ｂａ，Ｐｂ）Ｏ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系，（Ｂ
ａ，Ｓｒ）Ｏ−Ｓｍ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系では，誘電率ε
r ＝７０〜１００が得られることが知られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで，マイクロ波
回路のより一層の小型化を図るためには，ＬＣ素子を用
いる方法が有効であり，これは，既に実用化されている
セラミック積層技術を適用することによって実現でき
る。例えば，薄いセラミック層の上に金属パターンを形
成し，これらを何枚か重ねれば，種々の形状を持つ積層
セラミック回路部品を製作することができる。
回路のより一層の小型化を図るためには，ＬＣ素子を用
いる方法が有効であり，これは，既に実用化されている
セラミック積層技術を適用することによって実現でき
る。例えば，薄いセラミック層の上に金属パターンを形
成し，これらを何枚か重ねれば，種々の形状を持つ積層
セラミック回路部品を製作することができる。
【００１０】しかし，上記のＬＣ素子等を得るには，Ａ
ｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ｃｕなどの比較的安価な電極材料
と誘電材料が同時焼結できることが必要である。
ｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ｃｕなどの比較的安価な電極材料
と誘電材料が同時焼結できることが必要である。
【００１１】しかしながら，前述した従来知られている
誘電体材料で，十分な焼結密度と大きな誘電率εr を得
るには，１３００〜１５００℃で焼結しなければなら
ず，積層セラミック回路部品を得るには内部電極材料と
して高価なＰｔ，Ｐｔ系合金を使用せざるを得ないとい
う問題があった。
誘電体材料で，十分な焼結密度と大きな誘電率εr を得
るには，１３００〜１５００℃で焼結しなければなら
ず，積層セラミック回路部品を得るには内部電極材料と
して高価なＰｔ，Ｐｔ系合金を使用せざるを得ないとい
う問題があった。
【００１２】そこで，本発明の技術的課題は，誘電率ε
r が大きく，共振周波数の温度係数τf ができるだけ零
に近く，Ｑ×ｆ値が大きく，安価で融点の低いＡｇ，Ａ
ｇ−Ｐｄ合金，Ｃｕなどを内部電極として同時焼結可能
とする焼結温度の低い誘電体磁器組成物を提供すること
にある。
r が大きく，共振周波数の温度係数τf ができるだけ零
に近く，Ｑ×ｆ値が大きく，安価で融点の低いＡｇ，Ａ
ｇ−Ｐｄ合金，Ｃｕなどを内部電極として同時焼結可能
とする焼結温度の低い誘電体磁器組成物を提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明者は，ＳｉＯ2 ，ＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 を添加す
ることによって，誘電率εr が大きく，共振周波数の温
度係数τf が零に近く，Ｑ×ｆ値が大きく，しかも安価
で融点の低いＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ｃｕなどを内部電
極材料に使用しても同時焼結できる焼結温度の低い誘電
体磁器組成物が得られることを見出した。
に，本発明者は，ＳｉＯ2 ，ＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 を添加す
ることによって，誘電率εr が大きく，共振周波数の温
度係数τf が零に近く，Ｑ×ｆ値が大きく，しかも安価
で融点の低いＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ｃｕなどを内部電
極材料に使用しても同時焼結できる焼結温度の低い誘電
体磁器組成物が得られることを見出した。
【００１４】即ち，本発明によれば，一般式が，ａＢａ
Ｏ−ｂＮｄ2 Ｏ3 −ｃＢｉ2 Ｏ3 −ｄＴｉＯ2 であらわ
され，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％で，ｃが０．８
≦ｃ≦６．３で，ａ，（ｂ＋ｃ），ｄが次の表２のＰ，
Ｑ，Ｒ，Ｓの４点を結んでできる範囲内にある組成物を
主成分とし，総量に対して，ＳｉＯ2 が０．１〜１０．
０重量％及びＰｂＯが０．１〜０．４８重量％，Ｂ2 Ｏ
3 が０．１〜３．０重量％の割合で添加されていること
を特徴とする誘電体磁器組成物が得られる。
Ｏ−ｂＮｄ2 Ｏ3 −ｃＢｉ2 Ｏ3 −ｄＴｉＯ2 であらわ
され，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％で，ｃが０．８
≦ｃ≦６．３で，ａ，（ｂ＋ｃ），ｄが次の表２のＰ，
Ｑ，Ｒ，Ｓの４点を結んでできる範囲内にある組成物を
主成分とし，総量に対して，ＳｉＯ2 が０．１〜１０．
０重量％及びＰｂＯが０．１〜０．４８重量％，Ｂ2 Ｏ
3 が０．１〜３．０重量％の割合で添加されていること
を特徴とする誘電体磁器組成物が得られる。
【００１５】
【表２】
【００１６】
【作用】上記のように，ＳｉＯ2 を０．１〜１０．０重
量％，ＰｂＯを０．１〜０．４８重量％，Ｂ2 Ｏ3 を
０．１〜４．０重量％添加することで，最適な誘電率ε
rを得るのに必要であった１３００〜１５００℃の焼結
温度を，１０００〜１１００℃まで低下させることがで
きる。これにより，誘電体磁器組成物と低融点かつ安価
な電極材料とを同時焼結させることができる。
量％，ＰｂＯを０．１〜０．４８重量％，Ｂ2 Ｏ3 を
０．１〜４．０重量％添加することで，最適な誘電率ε
rを得るのに必要であった１３００〜１５００℃の焼結
温度を，１０００〜１１００℃まで低下させることがで
きる。これにより，誘電体磁器組成物と低融点かつ安価
な電極材料とを同時焼結させることができる。
【００１７】
【実施例】以下，実施例に基づいて，本発明の詳細を説
明する。
明する。
【００１８】まず，本発明の実施例に係る誘電体磁器組
成物の製造方法について述べる。
成物の製造方法について述べる。
【００１９】ＢａＣＯ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｔ
ｉＯ2 の各粉末をそれぞれ表３の割合になるように秤量
した後，純粋を用い，ジルコニアボールにて樹脂製のボ
ールミルで湿式混合し，混合物を得た。次に，この混合
物を乾燥させた後，大気中にて１１５０℃の温度で約４
時間仮焼し，仮焼物を得た。次に，ＳｉＯ2 ，ＰｂＯ，
Ｂ2 Ｏ3 の各粉末をそれぞれ下記表３の割合になるよう
に秤量した後，仮焼物に加え，上記のボールミルで湿式
粉砕（混合）した。これを，直径１５ｍｍ，厚さ約６ｍ
ｍの円盤状に成型し，大気中にて１０００〜１３７５℃
の温度で約１時間焼結することによって誘電体磁器組成
物を得た。
ｉＯ2 の各粉末をそれぞれ表３の割合になるように秤量
した後，純粋を用い，ジルコニアボールにて樹脂製のボ
ールミルで湿式混合し，混合物を得た。次に，この混合
物を乾燥させた後，大気中にて１１５０℃の温度で約４
時間仮焼し，仮焼物を得た。次に，ＳｉＯ2 ，ＰｂＯ，
Ｂ2 Ｏ3 の各粉末をそれぞれ下記表３の割合になるよう
に秤量した後，仮焼物に加え，上記のボールミルで湿式
粉砕（混合）した。これを，直径１５ｍｍ，厚さ約６ｍ
ｍの円盤状に成型し，大気中にて１０００〜１３７５℃
の温度で約１時間焼結することによって誘電体磁器組成
物を得た。
【００２０】次に，この誘電体磁器組成物の誘電特性の
測定について説明する。
測定について説明する。
【００２１】これらの組成の誘電体磁器組成物につい
て，誘電体共振器法により，誘電率εr ，Ｑ×ｆ値，及
び−２５〜８０℃における共振周波数の温度係数τf を
測定した。それらの結果を下記表４に示した。尚，下記
表３，及び表４において，試料番号の欄に＊印のあるも
のは，本発明の実施例に係る試料以外の比較例である。
また，共振周波数は，２．９〜３．５ＧＨｚであった。
て，誘電体共振器法により，誘電率εr ，Ｑ×ｆ値，及
び−２５〜８０℃における共振周波数の温度係数τf を
測定した。それらの結果を下記表４に示した。尚，下記
表３，及び表４において，試料番号の欄に＊印のあるも
のは，本発明の実施例に係る試料以外の比較例である。
また，共振周波数は，２．９〜３．５ＧＨｚであった。
【００２２】
【表３】
【００２３】
【表４】
【００２４】上記表４より明らかな様に，一般式ａＢａ
Ｏ−ｂＮｄ2 Ｏ3 −ｃＢｉ2 Ｏ3 −ｄＴｉＯ2 であらわ
され，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００で，ｃが０．８≦ｃ≦
６．３で，ａ，（ｂ＋ｃ），ｄが，図１に示すように下
記表５で示されるＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓの４点を結んでできる
範囲内にある組成物に，ＳｉＯ2 を０．１〜１０．０重
量％，ＰｂＯを０．１〜０．４８重量％，Ｂ2 Ｏ3 を
０．１〜３．０重量％添加することで，誘電率εr が大
きく，Ｑ×ｆ値が大きく，共振周波数の温度係数τf が
零に近く，しかも１０００〜１１００℃の低温で焼結で
きる誘電体磁器組成物を得ることができる。
Ｏ−ｂＮｄ2 Ｏ3 −ｃＢｉ2 Ｏ3 −ｄＴｉＯ2 であらわ
され，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００で，ｃが０．８≦ｃ≦
６．３で，ａ，（ｂ＋ｃ），ｄが，図１に示すように下
記表５で示されるＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓの４点を結んでできる
範囲内にある組成物に，ＳｉＯ2 を０．１〜１０．０重
量％，ＰｂＯを０．１〜０．４８重量％，Ｂ2 Ｏ3 を
０．１〜３．０重量％添加することで，誘電率εr が大
きく，Ｑ×ｆ値が大きく，共振周波数の温度係数τf が
零に近く，しかも１０００〜１１００℃の低温で焼結で
きる誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００２５】
【表５】
【００２６】これに対し，本発明の試料以外の比較例で
は，添加量がそれぞれＳｉＯ2 ０．１重量％，ＰｂＯ
０．１重量％，Ｂ2 Ｏ3 ０．１重量％より小さい場
合，添加の効果が得られず，焼結温度が１１００℃を越
えてしまう。また，添加量がそれぞれＳｉＯ2 １０．
０重量％，ＰｂＯ ０．４８重量％，Ｂ2 Ｏ3 ３．０
重量％を越えた場合，誘電率εr ，Ｑ×ｆが著しく低下
する。
は，添加量がそれぞれＳｉＯ2 ０．１重量％，ＰｂＯ
０．１重量％，Ｂ2 Ｏ3 ０．１重量％より小さい場
合，添加の効果が得られず，焼結温度が１１００℃を越
えてしまう。また，添加量がそれぞれＳｉＯ2 １０．
０重量％，ＰｂＯ ０．４８重量％，Ｂ2 Ｏ3 ３．０
重量％を越えた場合，誘電率εr ，Ｑ×ｆが著しく低下
する。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明した通り，本発明によれば，
誘電率εr が大きく，共振周波数の温度係数τf が零に
近く，Ｑ×ｆ値が大きく，しかも，安価で融点の低いＡ
ｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ｃｕなどを内部電極材料に使用し
ても同時焼結できる焼結温度の低い誘電体磁器組成物が
得られる。
誘電率εr が大きく，共振周波数の温度係数τf が零に
近く，Ｑ×ｆ値が大きく，しかも，安価で融点の低いＡ
ｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ｃｕなどを内部電極材料に使用し
ても同時焼結できる焼結温度の低い誘電体磁器組成物が
得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の誘電体磁器組成物の主成分の一例を示
す三成分系状態図である。
す三成分系状態図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化バリウム（ＢａＯ），酸化ネオジウ
ム（Ｎｄ2 Ｏ3 ），酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ），及び
酸化チタン（ＴｉＯ2 ）を主成分とし，一般式ａＢａＯ
−ｂＮｄ2 Ｏ3 −ｃＢｉ2 Ｏ3 −ｄＴｉＯ2 であらわさ
れ，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％で，ｃが０．８≦
ｃ≦６．３で，ａ，（ｂ＋ｃ），ｄが図１において次の
下記表１に示すＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓの４点を結んでできる範
囲内にある組成物を主成分とし，総量に対して，ＳｉＯ
2 が０．１〜１０．０重量％及びＰｂＯが０．１〜０．
４８重量％，Ｂ2 Ｏ3 が０．１〜３．０重量％の割合で
添加されていることを特徴とする誘電体磁器組成物。 【表１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6296789A JPH08157257A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6296789A JPH08157257A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08157257A true JPH08157257A (ja) | 1996-06-18 |
Family
ID=17838157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6296789A Withdrawn JPH08157257A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08157257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP6296789A patent/JPH08157257A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020205 |