JPH1029814A - 高圧相の結晶構造を有するｂｃｎ系物質の製造方法 - Google Patents
高圧相の結晶構造を有するｂｃｎ系物質の製造方法Info
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- JPH1029814A JPH1029814A JP8187661A JP18766196A JPH1029814A JP H1029814 A JPH1029814 A JP H1029814A JP 8187661 A JP8187661 A JP 8187661A JP 18766196 A JP18766196 A JP 18766196A JP H1029814 A JPH1029814 A JP H1029814A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 出発原料を相変化させた後、生成物に混在す
る出発原料を除く方法。 【解決手段】 炭素および窒素のうちどちらか一方また
は両者とホウ素とを含有する原料を高圧相の結晶構造の
化合物に変化させた後、混在する原料物質を活性元素プ
ラズマにより除去する方法。
る出発原料を除く方法。 【解決手段】 炭素および窒素のうちどちらか一方また
は両者とホウ素とを含有する原料を高圧相の結晶構造の
化合物に変化させた後、混在する原料物質を活性元素プ
ラズマにより除去する方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はホウ素（Ｂ）、炭素
（Ｃ）、窒素（Ｎ）の三元素のうち、炭素および窒素の
うちどちらか一方または両者とホウ素とを含有し、不純
物の少ない高圧相結晶構造物質を製造する方法に関す
る。
（Ｃ）、窒素（Ｎ）の三元素のうち、炭素および窒素の
うちどちらか一方または両者とホウ素とを含有し、不純
物の少ない高圧相結晶構造物質を製造する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】プレスなどによる静圧高温下、または爆
薬などによる動圧高温下で低圧相を高圧相へ相変化させ
る技術としては、グラファイト型窒化ホウ素を出発原料
としたウルツアイト型及びセン亜鉛鉱型窒化ホウ素を製
造する技術、或いはグラファイトを出発原料としたダイ
ヤモンドを製造する技術が開示されている。又、近年、
これらの物質の欠点を克服する新しい物質として、ホウ
素、炭素、窒素の三成分を主成分とするダイヤモンド型
結晶構造を有するＢＣＮ物質が注目され、硬質物質及び
その製造方法（特公昭６１−２４３２８号公報）、多結
晶性ＢＣＮ物質及びその製造方法（特開平６−３１６４
１１号公報）等の技術が開示されている。しかしなが
ら、高温高圧下などの処理において出発原料を全て高圧
相へ相変化させることは技術的に困難であり、高圧相に
期待する特性を発揮するためには、分離精製技術の確立
が不可欠である。従来、炭素よりなるダイヤモンドの場
合は、特公昭５２−２８７４９号公報の酸化鉛を用いて
高温加熱処理する方法、又、高圧窒化ホウ素の場合は、
特開昭４７−３４１００号公報のアルカリ金属水酸化物
を用いて溶融液と反応させる技術が開示されているが、
前記した特公昭６１−２４３２８号公報及び特開平６−
３１６４１１号公報には分離精製に関する詳細な技術は
開示されていないのが実状である。更に、開示されてい
る技術の中には特開昭６３−２８９０００号公報におい
て炭素質とダイヤモンドの混合物質を活性酸素プラズマ
と接触させて該炭素質を選択的に酸化除去する方法があ
るが、ホウ素または窒素元素を含む物質の活性元素プラ
ズマ中における挙動は何ら開示されていない。
薬などによる動圧高温下で低圧相を高圧相へ相変化させ
る技術としては、グラファイト型窒化ホウ素を出発原料
としたウルツアイト型及びセン亜鉛鉱型窒化ホウ素を製
造する技術、或いはグラファイトを出発原料としたダイ
ヤモンドを製造する技術が開示されている。又、近年、
これらの物質の欠点を克服する新しい物質として、ホウ
素、炭素、窒素の三成分を主成分とするダイヤモンド型
結晶構造を有するＢＣＮ物質が注目され、硬質物質及び
その製造方法（特公昭６１−２４３２８号公報）、多結
晶性ＢＣＮ物質及びその製造方法（特開平６−３１６４
１１号公報）等の技術が開示されている。しかしなが
ら、高温高圧下などの処理において出発原料を全て高圧
相へ相変化させることは技術的に困難であり、高圧相に
期待する特性を発揮するためには、分離精製技術の確立
が不可欠である。従来、炭素よりなるダイヤモンドの場
合は、特公昭５２−２８７４９号公報の酸化鉛を用いて
高温加熱処理する方法、又、高圧窒化ホウ素の場合は、
特開昭４７−３４１００号公報のアルカリ金属水酸化物
を用いて溶融液と反応させる技術が開示されているが、
前記した特公昭６１−２４３２８号公報及び特開平６−
３１６４１１号公報には分離精製に関する詳細な技術は
開示されていないのが実状である。更に、開示されてい
る技術の中には特開昭６３−２８９０００号公報におい
て炭素質とダイヤモンドの混合物質を活性酸素プラズマ
と接触させて該炭素質を選択的に酸化除去する方法があ
るが、ホウ素または窒素元素を含む物質の活性元素プラ
ズマ中における挙動は何ら開示されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、出発原料を
相変化させた後、生成物に混在する出発原料を除いて、
目的とする高圧相の結晶構造を有するＢＣＮ系物質を得
ることができる方法を提供しようとするものである。
相変化させた後、生成物に混在する出発原料を除いて、
目的とする高圧相の結晶構造を有するＢＣＮ系物質を得
ることができる方法を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりのＢ
ＣＮ系物質の製造方法である。
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりのＢ
ＣＮ系物質の製造方法である。
【０００５】すなわち、 （１）ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）またはホ
ウ素と炭素または窒素からなる出発原料を高圧相の結晶
構造物質へ相変化させることによって得られる、出発物
質を含む高圧相の結晶構造物質を活性元素プラズマと接
触させることにより、出発物質を選択的に除去する高圧
相の結晶構造を有するＢＣＮ系物質の製造方法。 （２）高圧相の結晶構造物質が窒化ホウ素（ＢＮ）であ
る前記（１）記載の高圧相の結晶構造を有するＢＣＮ系
物質の製造方法。
ウ素と炭素または窒素からなる出発原料を高圧相の結晶
構造物質へ相変化させることによって得られる、出発物
質を含む高圧相の結晶構造物質を活性元素プラズマと接
触させることにより、出発物質を選択的に除去する高圧
相の結晶構造を有するＢＣＮ系物質の製造方法。 （２）高圧相の結晶構造物質が窒化ホウ素（ＢＮ）であ
る前記（１）記載の高圧相の結晶構造を有するＢＣＮ系
物質の製造方法。
【０００６】（３）高圧相の結晶構造物質がダイヤモン
ド型結晶構造のＢＣＮ物質である前記（１）記載の高圧
相の結晶構造を有するＢＣＮ系物質の製造方法。 （４）活性元素プラズマがフッ素、塩素などのハロゲン
元素を含む前記（１）記載の高圧相の結晶構造を有する
ＢＣＮ系物質の製造方法。
ド型結晶構造のＢＣＮ物質である前記（１）記載の高圧
相の結晶構造を有するＢＣＮ系物質の製造方法。 （４）活性元素プラズマがフッ素、塩素などのハロゲン
元素を含む前記（１）記載の高圧相の結晶構造を有する
ＢＣＮ系物質の製造方法。
【０００７】即ち、本発明を要約するとホウ素（Ｂ）、
炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）の三成分のうちホウ素と炭素ま
たは窒素あるいはホウ素、炭素、窒素からなる出発原料
を例えば高温高圧下等の処理により高圧相の結晶構造物
質へ相変化させ、該出発原料と該高圧相の結晶構造物質
の混合物質から、該出発原料を活性元素プラズマと接触
させることにより選択的に除去することを特徴とする分
離精製方法を提供するものである。なお、本発明でいう
上記ＢＣＮ系物質とは炭素および窒素のうち、どちらか
一方または両者とホウ素とを含有する物質の総称であ
る。
炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）の三成分のうちホウ素と炭素ま
たは窒素あるいはホウ素、炭素、窒素からなる出発原料
を例えば高温高圧下等の処理により高圧相の結晶構造物
質へ相変化させ、該出発原料と該高圧相の結晶構造物質
の混合物質から、該出発原料を活性元素プラズマと接触
させることにより選択的に除去することを特徴とする分
離精製方法を提供するものである。なお、本発明でいう
上記ＢＣＮ系物質とは炭素および窒素のうち、どちらか
一方または両者とホウ素とを含有する物質の総称であ
る。
【０００８】本発明においてホウ素、炭素、窒素の三成
分のうち二種類の成分からなる物質とは、例えばグラフ
ァイト状窒化ホウ素、グラファイト類似状窒化ホウ素、
非晶質窒化ホウ素、六方晶窒化ホウ素等を出発原料とし
て、ウルツアイト型の窒化ホウ素及び等軸晶系窒化ホウ
素（または立方晶系）に相変化させることを意味する。
又、三種類の成分からなる物質とは、グラファイト状Ｂ
ＣＮ物質、グラファイト類似状ＢＣＮ物質、あるいは非
晶質ＢＣＮ物質を出発原料として、ダイヤモンド型結晶
構造すなわち等軸晶系（または立方晶系）に相変化させ
ることを意味する。
分のうち二種類の成分からなる物質とは、例えばグラフ
ァイト状窒化ホウ素、グラファイト類似状窒化ホウ素、
非晶質窒化ホウ素、六方晶窒化ホウ素等を出発原料とし
て、ウルツアイト型の窒化ホウ素及び等軸晶系窒化ホウ
素（または立方晶系）に相変化させることを意味する。
又、三種類の成分からなる物質とは、グラファイト状Ｂ
ＣＮ物質、グラファイト類似状ＢＣＮ物質、あるいは非
晶質ＢＣＮ物質を出発原料として、ダイヤモンド型結晶
構造すなわち等軸晶系（または立方晶系）に相変化させ
ることを意味する。
【０００９】次に本発明における活性元素プラズマと
は、例えば低圧力の反応ガス中で高周波放電を行うと、
反応活性な励起状態もしくはイオンを生じるがその状態
を意味するものであり、高周波放電方法に限定されるも
のではない。更に、通常、反応ガスは、ＣＦ4、ＮＦ4、
Ｎ2、Ｏ2、Ｈｅ、Ａｒなどが用いられるが、本発明にお
いてホウ素成分を含む物質に反応ガスとしてＯ2を用い
た場合、反応生成物質として酸化ホウ素が生じ新たな後
処理が必要なこと、或いは分解速度が遅いことなどが判
明し、分離精製処理能力或いは除去困難な反応副生成物
質の抑制をはかるためにはＣＦ4ガスなどのようにハロ
ゲン元素を含む反応ガスを用いることが有効であること
が判明した。又、通常、本発明における出発原料は熱Ｃ
ＶＤ法によって製造されるが、その時に反応管として石
英を用いた場合、Ｓｉ成分が不純物として混入する恐れ
があるが、この不純物除去に対してもＣＦ4ガスなどの
ようにハロゲン元素を含む反応ガスを用いることは有効
である。
は、例えば低圧力の反応ガス中で高周波放電を行うと、
反応活性な励起状態もしくはイオンを生じるがその状態
を意味するものであり、高周波放電方法に限定されるも
のではない。更に、通常、反応ガスは、ＣＦ4、ＮＦ4、
Ｎ2、Ｏ2、Ｈｅ、Ａｒなどが用いられるが、本発明にお
いてホウ素成分を含む物質に反応ガスとしてＯ2を用い
た場合、反応生成物質として酸化ホウ素が生じ新たな後
処理が必要なこと、或いは分解速度が遅いことなどが判
明し、分離精製処理能力或いは除去困難な反応副生成物
質の抑制をはかるためにはＣＦ4ガスなどのようにハロ
ゲン元素を含む反応ガスを用いることが有効であること
が判明した。又、通常、本発明における出発原料は熱Ｃ
ＶＤ法によって製造されるが、その時に反応管として石
英を用いた場合、Ｓｉ成分が不純物として混入する恐れ
があるが、この不純物除去に対してもＣＦ4ガスなどの
ようにハロゲン元素を含む反応ガスを用いることは有効
である。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の詳細を実施例に基づいて説明
するが、かかる実施例により限定されるものではない。 実施例１ 三塩化ホウ素とアセトニトリルを１５００℃で加熱処理
する熱ＣＶＤ法により黒色の粉末を合成し、出発原料と
した。得られた粉末を粉末Ｘ線回折法により調査した結
果、グラファイト構造特有の強い回折ピーク（００２面
からのピーク）が認められた、また積層方向は乱層構造
であることが確認された。なお、元素分析の結果、Ｂ：
Ｃ：Ｎの重量比はおよそ１：２．５：１であり、水素を
約２％含有していた。該出発原料である粉末と銅粉を重
量比４：９６の割合で混合撹拌し、混合物を金型に入
れ、プレス成形することにより、直径２０ｍｍ、厚さ５
ｍｍの円盤状成形体を得た。成形体は理論値の約７０％
の密度を有している。この成形体を試料として、図１に
示す装置で爆薬による衝撃処理を行った。装置は試料容
器１の上に飛翔距離を隔てて飛翔銅板２、主爆薬３、低
速爆薬４、高速爆薬５、電気雷管６を配置し、試料容器
の周囲にモーメントラップ７を配置したものである。使
用した爆薬はＨＭＸ系爆薬であり、試料内に発生する衝
撃波による圧力は約４０ＧＰａと推定された。
するが、かかる実施例により限定されるものではない。 実施例１ 三塩化ホウ素とアセトニトリルを１５００℃で加熱処理
する熱ＣＶＤ法により黒色の粉末を合成し、出発原料と
した。得られた粉末を粉末Ｘ線回折法により調査した結
果、グラファイト構造特有の強い回折ピーク（００２面
からのピーク）が認められた、また積層方向は乱層構造
であることが確認された。なお、元素分析の結果、Ｂ：
Ｃ：Ｎの重量比はおよそ１：２．５：１であり、水素を
約２％含有していた。該出発原料である粉末と銅粉を重
量比４：９６の割合で混合撹拌し、混合物を金型に入
れ、プレス成形することにより、直径２０ｍｍ、厚さ５
ｍｍの円盤状成形体を得た。成形体は理論値の約７０％
の密度を有している。この成形体を試料として、図１に
示す装置で爆薬による衝撃処理を行った。装置は試料容
器１の上に飛翔距離を隔てて飛翔銅板２、主爆薬３、低
速爆薬４、高速爆薬５、電気雷管６を配置し、試料容器
の周囲にモーメントラップ７を配置したものである。使
用した爆薬はＨＭＸ系爆薬であり、試料内に発生する衝
撃波による圧力は約４０ＧＰａと推定された。
【００１１】衝撃処理後、試料容器を回収し、機械加工
によって試料を取り出し、まず混合した銅粉を硝酸によ
って溶解除去した。粉末Ｘ線回折法（４０ＫＶ／１５０
ｍＡ）により調査した結果を図２に示すが、銅の回折ピ
ークは認められず、等軸晶系ダイヤモンドの回折ピーク
（１１１面からの回折ピーク）とグラファイト状物質０
０２面からの回折ピークのみが確認された。
によって試料を取り出し、まず混合した銅粉を硝酸によ
って溶解除去した。粉末Ｘ線回折法（４０ＫＶ／１５０
ｍＡ）により調査した結果を図２に示すが、銅の回折ピ
ークは認められず、等軸晶系ダイヤモンドの回折ピーク
（１１１面からの回折ピーク）とグラファイト状物質０
０２面からの回折ピークのみが確認された。
【００１２】こうして得られた粉末０．５ｇを２５×１
３０ｍｍの石英皿に広げてヤマト科学社製、ＰＲ４１機
を用いてＣＦ4ガス圧力：０．５〜０．７トール、ガス
流量：１５〜１６ｍｌ／ｍｉｎ、高周波加熱出力：５０
０Ｗの条件で５時間の処理を行った。処理中、３０分毎
に石英皿を取り出し、内部の試料の重量減少を測定する
とともに石英皿内での試料の撹拌を行いプラズマ気流へ
の未反応物質の良好な接触を試みた。５時間処理後に得
られた粉末を粉末Ｘ線回折法（４０ＫＶ／１５０ｍＡ）
により分析した結果、出発原料に伴う００２面からのピ
ークは殆ど認められなかった。その結果を図３に示す。
３０ｍｍの石英皿に広げてヤマト科学社製、ＰＲ４１機
を用いてＣＦ4ガス圧力：０．５〜０．７トール、ガス
流量：１５〜１６ｍｌ／ｍｉｎ、高周波加熱出力：５０
０Ｗの条件で５時間の処理を行った。処理中、３０分毎
に石英皿を取り出し、内部の試料の重量減少を測定する
とともに石英皿内での試料の撹拌を行いプラズマ気流へ
の未反応物質の良好な接触を試みた。５時間処理後に得
られた粉末を粉末Ｘ線回折法（４０ＫＶ／１５０ｍＡ）
により分析した結果、出発原料に伴う００２面からのピ
ークは殆ど認められなかった。その結果を図３に示す。
【００１３】実施例２ 実施例１と同様の操作を行ったが、処理した粉末は０．
２５ｇでプラズマによる処理時間は３０分間である。処
理後の回収粉末重量は０．１５ｇであり、粉末線回折法
（４０ＫＶ／１５０ｍＡ）により分析した結果、出発原
料に伴う００２面からのピークが小さくはなったがまだ
認められた。
２５ｇでプラズマによる処理時間は３０分間である。処
理後の回収粉末重量は０．１５ｇであり、粉末線回折法
（４０ＫＶ／１５０ｍＡ）により分析した結果、出発原
料に伴う００２面からのピークが小さくはなったがまだ
認められた。
【００１４】実施例３ 実施例１と同様の操作を行ったが、処理した粉末は０．
２５ｇで反応ガスとしてＯ2を用い、処理条件はＯ2ガス
圧力：１．０トール、ガス流量：８０ｍｌ／ｍｉｎ、高
周波加熱出力：５００Ｗ、処理時間：３０分間である。
３０分間処理後に得られた粉末の重量は０．２１ｇであ
り、粉末Ｘ線回折法（４０ＫＶ／１５０ｍＡ）により分
析した結果、出発原料に伴う００２面からのピークと反
応生成物である酸化ホウ素の新たなピークが認められ
た。その結果を図４に示す。
２５ｇで反応ガスとしてＯ2を用い、処理条件はＯ2ガス
圧力：１．０トール、ガス流量：８０ｍｌ／ｍｉｎ、高
周波加熱出力：５００Ｗ、処理時間：３０分間である。
３０分間処理後に得られた粉末の重量は０．２１ｇであ
り、粉末Ｘ線回折法（４０ＫＶ／１５０ｍＡ）により分
析した結果、出発原料に伴う００２面からのピークと反
応生成物である酸化ホウ素の新たなピークが認められ
た。その結果を図４に示す。
【００１５】実施例４ 実施例１の方法で試料を作成した。すなわち、出発原料
として六方晶の結晶構造を有する市販の窒化ホウ素を用
いた。該出発原料である粉末と銅粉を重量比４：９６の
割合で混合撹拌し、混合物を金型に入れ、プレス成形す
ることにより、直径２０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成
形体を得た。以下の衝撃処理方法は実施例１と同様であ
る。衝撃処理後に回収した試料中の銅粉を硝酸により溶
解除去した後、０．５ｇを計量し実施例１と同様の条件
でプラズマ処理を行った。プラズマ処理後の試料を粉末
Ｘ線回折（４０ＫＶ／１５０ｍＡ）により解析した結
果、出発原料の六方晶に伴う回折ピークは殆ど認められ
ず、高圧相である立方晶及びウルツ型の結晶構造に伴う
強い回折ピークが認められた。
として六方晶の結晶構造を有する市販の窒化ホウ素を用
いた。該出発原料である粉末と銅粉を重量比４：９６の
割合で混合撹拌し、混合物を金型に入れ、プレス成形す
ることにより、直径２０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成
形体を得た。以下の衝撃処理方法は実施例１と同様であ
る。衝撃処理後に回収した試料中の銅粉を硝酸により溶
解除去した後、０．５ｇを計量し実施例１と同様の条件
でプラズマ処理を行った。プラズマ処理後の試料を粉末
Ｘ線回折（４０ＫＶ／１５０ｍＡ）により解析した結
果、出発原料の六方晶に伴う回折ピークは殆ど認められ
ず、高圧相である立方晶及びウルツ型の結晶構造に伴う
強い回折ピークが認められた。
【００１６】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の製造方
法によれば、研磨材、切削材、または半導体材料として
利用できる不純物含有量の小さい高圧相物質を製造する
ことができる。
法によれば、研磨材、切削材、または半導体材料として
利用できる不純物含有量の小さい高圧相物質を製造する
ことができる。
【図１】平面型衝撃圧縮処理装置の縦断面図、
【図２】銅粉除去後の粉末Ｘ線回折図、
【図３】ＣＦ4ガスによる５時間処理後の粉末Ｘ線回折
図、
図、
【図４】Ｏ2ガスによる３０分間処理後の粉末Ｘ線回折
図。
図。
１ 試料容器 ２ 飛翔銅板 ３ 主爆薬 ４ 低速爆薬 ５ 高速爆薬 ６ 電気雷管 ７ モーメントラップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０１Ｂ 31/36 Ｃ０１Ｂ 31/36 Ｚ (72)発明者 角舘 洋三 茨城県つくば市東１丁目１番 工業技術院 物質工学工業技術研究所内 (72)発明者 鮫島 美穂 宮崎県延岡市旭町６丁目4100番地 旭化成 工業株式会社内 (72)発明者 阿波野 照幸 宮崎県延岡市旭町６丁目4100番地 旭化成 工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）
またはホウ素と炭素または窒素からなる出発原料を高圧
相の結晶構造物質へ相変化させることによって得られ
る、出発物質を含む高圧相の結晶構造物質を活性元素プ
ラズマと接触させることにより、出発物質を選択的に除
去することを特徴とする高圧相の結晶構造を有するＢＣ
Ｎ系物質の製造方法。 - 【請求項２】 高圧相の結晶構造物質が窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）であることを特徴とする請求項１記載の高圧相の結
晶構造を有するＢＣＮ系物質の製造方法。 - 【請求項３】 高圧相の結晶構造物質がダイヤモンド型
結晶構造のＢＣＮ物質であることを特徴とする請求項１
記載の高圧相の結晶構造を有するＢＣＮ系物質の製造方
法。 - 【請求項４】 活性元素プラズマがフッ素、塩素などの
ハロゲン元素を含むことを特徴とする請求項１記載の高
圧相の結晶構造を有するＢＣＮ系物質の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18766196A JP4134329B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 高圧相の結晶構造を有するｂｃｎ系物質の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18766196A JP4134329B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 高圧相の結晶構造を有するｂｃｎ系物質の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1029814A true JPH1029814A (ja) | 1998-02-03 |
| JP4134329B2 JP4134329B2 (ja) | 2008-08-20 |
Family
ID=16209976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18766196A Expired - Fee Related JP4134329B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 高圧相の結晶構造を有するｂｃｎ系物質の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4134329B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11322310A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 立方晶窒化ホウ素多結晶砥粒およびその製造方法 |
| JP2002153747A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-28 | Nof Corp | 高圧相物質の製造方法 |
| JP2006169080A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 立方晶窒化硼素多結晶体の製造方法 |
| WO2008029726A1 (fr) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Kuraray Luminas Co., Ltd. | Capsule cible d'impact et compresseur d'impact |
| CN107117589A (zh) * | 2017-05-25 | 2017-09-01 | 华侨大学 | 一种高比电容(BC)xNyOz材料及其合成方法 |
| CN108855187A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-11-23 | 福州大学 | 一种氟改性硼碳氮光催化材料及其在高效还原二氧化碳中的应用 |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP18766196A patent/JP4134329B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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