JPH10289892A - Substrate retaining apparatus and substrate treatment apparatus using substrate retaining apparatus - Google Patents

Substrate retaining apparatus and substrate treatment apparatus using substrate retaining apparatus

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JPH10289892A
JPH10289892A JP9934697A JP9934697A JPH10289892A JP H10289892 A JPH10289892 A JP H10289892A JP 9934697 A JP9934697 A JP 9934697A JP 9934697 A JP9934697 A JP 9934697A JP H10289892 A JPH10289892 A JP H10289892A
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JP
Japan
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substrate
wafer
holding
cylindrical surface
held
Prior art date
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Pending
Application number
JP9934697A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Sawada
敦史 澤田
Yasuhiko Okuda
康彦 奥田
Shoji Komatsubara
正二 小松原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP9934697A priority Critical patent/JPH10289892A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate retaining apparatus generating less dusts and having a wide allowance for dispersion in substrate supply positions. SOLUTION: Retention rollers 13, 33 is formed of generally double enveloping shape, with a constricted side portion near the center thereof being a cylindrical surface 101 having a vertical width d1 slightly larger than the thickness t of a wafer W. The lower end periphery of the cylindrical surface 101 is continuous to a lower conical surface 102 which is wider downward. The upper end periphery of the cylindrical surface 101 is continuous to an upper conical surface 103 which is wider upward. The wafer W to be cleaned is retained by the retention rollers 13, 33 with the end face of the wafer W contacting the cylindrical surface 101 formed at the retention rollers 13, 33.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板およびPDP(プラズマ・ディ
スプレイ・パネル)基板のような基板のうち、ほぼ円形
に形成された基板を保持するための基板保持装置、およ
びその基板保持装置が用いられた基板処理装置に関す
る。
The present invention relates to a substrate for holding a substantially circular substrate among substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display and a PDP (plasma display panel) substrate. The present invention relates to a holding apparatus and a substrate processing apparatus using the substrate holding apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造工程には、半導体ウエ
ハ(以下、単に「ウエハ」という。)の表面に成膜やエ
ッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形
成していく工程が含まれる。微細加工のためにはウエハ
自体の表面およびウエハ表面に形成された薄膜の表面を
清浄に保つ必要があるから、必要に応じてウエハの洗浄
が行われる。たとえば、ウエハの表面上に形成された薄
膜を研磨剤を用いて研磨した後には、研磨剤(スラリ
ー)がウエハ表面に残留しているから、このスラリーを
除去する必要がある。
2. Description of the Related Art A semiconductor device manufacturing process includes a process of forming a fine pattern by repeatedly performing processes such as film formation and etching on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as "wafer"). . For fine processing, the surface of the wafer itself and the surface of the thin film formed on the wafer surface must be kept clean. Therefore, the wafer is cleaned as necessary. For example, after a thin film formed on the surface of a wafer is polished with an abrasive, the slurry (slurry) needs to be removed because the abrasive (slurry) remains on the wafer surface.

【0003】上述のようなウエハの洗浄を行うための従
来装置は、たとえば特開平1−259536号公報に開
示されている。この公開公報に開示されている装置は、
図9および図10に示すように、基板を保持するための
3つの保持ローラ201,202,203と、保持ロー
ラ201〜203により鉛直面に沿って保持されたウエ
ハWの両面に洗浄水を噴射するためのノズル204,2
05とを有している。ウエハWの洗浄時には、図外の駆
動モータの駆動力が保持ローラ201に伝達されて、保
持ローラ201が回転されることにより、ウエハWが一
定方向に回転される。そして、この回転するウエハWに
ノズル204,205からの洗浄水が吹きつけられて、
ウエハWの両面から汚染異物が除去される。
A conventional apparatus for cleaning a wafer as described above is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-259536. The device disclosed in this publication is
As shown in FIGS. 9 and 10, three holding rollers 201, 202, and 203 for holding a substrate, and cleaning water are sprayed on both surfaces of the wafer W held along the vertical plane by the holding rollers 201 to 203. Nozzles 204 and 2
05. When cleaning the wafer W, the driving force of a driving motor (not shown) is transmitted to the holding roller 201, and the holding roller 201 is rotated, whereby the wafer W is rotated in a certain direction. Then, the cleaning water from the nozzles 204 and 205 is sprayed on the rotating wafer W,
Contaminant foreign matter is removed from both surfaces of the wafer W.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の従来
装置では、図11に拡大して示すように、ウエハWを保
持するための保持ローラ201〜203の周面が断面略
V字形状になっており、ウエハWはその周縁が保持ロー
ラ201〜203の円錐面206,207によって挟持
された状態で保持されている。したがって、ウエハWが
回転されると、ウエハWのエッジ部分208,209と
保持ローラ200〜203の円錐面206,207とが
擦れて、パーティクルが発生する。
However, in the above-described conventional apparatus, the peripheral surfaces of the holding rollers 201 to 203 for holding the wafer W have a substantially V-shaped cross section as shown in an enlarged view in FIG. The wafer W is held in a state where its peripheral edge is held between the conical surfaces 206 and 207 of the holding rollers 201 to 203. Therefore, when the wafer W is rotated, the edge portions 208 and 209 of the wafer W rub against the conical surfaces 206 and 207 of the holding rollers 200 to 203, and particles are generated.

【0005】また、ウエハWを保持ローラ201〜20
3に保持させる際に、ウエハWの供給位置が所定位置
(図10に示すウエハWの位置)から左右方向に少しで
もずれると、ウエハWが保持ローラ201〜203の円
錐面206,207に挟持された状態にならず、保持ロ
ーラ201〜203から脱落するおそれがある。ゆえ
に、上述の従来装置では、ウエハWが所定の供給位置に
精度良く供給される必要がある。
Further, the wafer W is held by holding rollers 201 to 20.
3, when the supply position of the wafer W is slightly deviated in the left-right direction from a predetermined position (the position of the wafer W shown in FIG. 10), the wafer W is held between the conical surfaces 206 and 207 of the holding rollers 201 to 203. There is a possibility that it will not fall into the state of being carried out and fall off from the holding rollers 201 to 203. Therefore, in the above-described conventional apparatus, the wafer W needs to be accurately supplied to a predetermined supply position.

【0006】以上のような問題は、従来装置のようにウ
エハWを鉛直面に沿った状態に保持する構成の装置に限
らず、V字形状の側面でウエハWの端面を保持するロー
ラを用いる限りにおいて、ウエハWを水平に保持する構
成の装置においても生じる問題である。そこで、本発明
の目的は、上述の技術的課題を解決し、発塵が少なく、
かつ基板の供給位置のばらつきに対する許容範囲が広い
基板保持装置およびそれを用いた基板処理装置を提供す
ることである。
[0006] The above problems are not limited to the apparatus configured to hold the wafer W along the vertical plane as in the conventional apparatus, but use a roller that holds the end face of the wafer W on the V-shaped side surface. This is a problem that also occurs in an apparatus configured to hold the wafer W horizontally. Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems, reduce dust generation,
Further, it is an object of the present invention to provide a substrate holding device having a wide allowable range with respect to a variation in a supply position of a substrate and a substrate processing apparatus using the same.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの請求項1記載の基板処理装置は、ほぼ円形の基板を
水平に保持しつつ回転させるための基板保持装置であっ
て、ほぼ鉛直方向に平行な中心軸を有する少なくとも3
つの回転可能な保持ローラを有し、上記保持ローラの側
面には、鉛直方向の幅が保持すべき基板の厚み以上であ
って、保持すべき基板の端面が当接される円筒面と、こ
の円筒面の下端周縁から下方に向かうに従って広がる下
円錐面とが形成されていることを特徴とするものであ
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for rotating a substantially circular substrate while horizontally holding the substrate, the substrate processing apparatus comprising a substantially vertical substrate. At least three with a central axis parallel to the direction
A rotatable holding roller, a side surface of the holding roller having a vertical width equal to or greater than the thickness of the substrate to be held, and a cylindrical surface on which an end surface of the substrate to be held is abutted; A lower conical surface is formed which extends downward from the lower peripheral edge of the cylindrical surface.

【0008】請求項1記載の構成によれば、基板は、そ
の端面が保持ローラに形成された円筒面に当接した状態
で、少なくとも3つの保持ローラによって水平に保持さ
れる。これにより、基板は保持ローラに対して線接触す
ることになるので、基板が2つの円錐面によって挟持さ
れた状態で保持される従来装置のように、基板のエッジ
部分と円錐面とが擦れて、多くのパーティクルが発生し
てしまうといったことがない。
According to the first aspect of the present invention, the substrate is horizontally held by at least three holding rollers, with the end surface of the substrate abutting on the cylindrical surface formed on the holding roller. As a result, the substrate comes into line contact with the holding roller, so that the edge portion of the substrate and the conical surface are rubbed as in the conventional device in which the substrate is held in a state sandwiched by the two conical surfaces. There is no generation of many particles.

【0009】また、保持ローラに保持された基板は、下
方への変位が下円錐面によって規制されるから、保持ロ
ーラから下方に脱落することがない。また、基板が水平
に保持されているので、基板が保持ローラの上端よりも
上方へ変位して脱落するおそれもなく、基板を安定して
保持し回転させることができる。さらに、基板の端面が
円筒面のどの部分に当接されても、基板は保持ローラに
よって確実に保持されるので、保持ローラに対する基板
の供給位置は、円筒面の上下方向の幅内であればよい。
ゆえに、円筒面が形成されていることによって、基板の
供給位置のばらつきに対する保持ローラの許容範囲が広
くなり、基板と保持ローラとの位置合わせが容易にな
る。
Further, since the substrate held by the holding roller is restricted from being displaced downward by the lower conical surface, the substrate does not fall down from the holding roller. Further, since the substrate is held horizontally, the substrate can be stably held and rotated without being displaced above the upper end of the holding roller and falling off. Furthermore, even if the end surface of the substrate is in contact with any part of the cylindrical surface, the substrate is reliably held by the holding roller, so that the supply position of the substrate to the holding roller is within the vertical width of the cylindrical surface. Good.
Therefore, since the cylindrical surface is formed, the tolerance of the holding roller with respect to the variation in the supply position of the substrate is widened, and the alignment between the substrate and the holding roller is facilitated.

【0010】また、請求項2記載の発明は、上記保持ロ
ーラの側面には、上記円筒面の上端周縁から、上方に向
かうに従って広がる上円錐面がさらに形成されているこ
とを特徴とする請求項1記載の基板保持装置である。請
求項2記載の構成によれば、保持ローラによって保持さ
れた基板は、下円錐面によって下方への変位が規制さ
れ、さらに上円錐面によって上方への変位が規制され
る。よって、基板が保持ローラから脱落するおそれをさ
らになくすことができる。
According to a second aspect of the present invention, an upper conical surface which extends upward from the upper peripheral edge of the cylindrical surface is further formed on a side surface of the holding roller. 1 is a substrate holding device. According to the configuration of the second aspect, the substrate held by the holding roller is restricted from being displaced downward by the lower conical surface, and is further restricted from being displaced upward by the upper conical surface. Therefore, it is possible to further eliminate the possibility that the substrate will fall off the holding roller.

【0011】請求項3記載の発明は、上記円筒面の鉛直
方向の幅は、1mm以下であることを特徴とする請求項
1または請求項2に記載の基板保持装置である。請求項
3記載の構成によれば、基板保持装置によって保持され
る基板が半導体ウエハの場合、その厚みは通常0.6m
m程度であるから、円筒面の鉛直方向の幅を1mm以下
とすることによって、基板を上下方向のほぼ同位置で保
持し回転させることができる。
The invention according to claim 3 is the substrate holding device according to claim 1 or 2, wherein the vertical width of the cylindrical surface is 1 mm or less. According to the configuration of the third aspect, when the substrate held by the substrate holding device is a semiconductor wafer, the thickness is usually 0.6 m.
m, the substrate can be held and rotated at substantially the same vertical position by setting the vertical width of the cylindrical surface to 1 mm or less.

【0012】請求項4記載の発明は、上記円筒面は、上
記保持ローラの上端まで連続して形成されていることを
特徴とする請求項1記載の基板保持装置である。請求項
4記載の構成によれば、円筒面が保持ローラの上端まで
形成されていることにより、基板を保持する保持位置の
近傍に待機している保持ローラの上方から、基板を供給
位置にセットすることが可能となる。したがって、基板
を供給位置にセットする際に、保持ローラを保持位置か
ら大きく退避させる必要がないので、装置のサイズを小
さくすることができる。その他、請求項1に記載されて
いる構成と同様の作用を奏することができる。
The invention according to claim 4 is the substrate holding device according to claim 1, wherein the cylindrical surface is formed continuously to an upper end of the holding roller. According to the configuration of the fourth aspect, since the cylindrical surface is formed up to the upper end of the holding roller, the substrate is set to the supply position from above the holding roller waiting near the holding position for holding the substrate. It is possible to do. Therefore, when the substrate is set at the supply position, it is not necessary to retreat the holding roller largely from the holding position, so that the size of the apparatus can be reduced. In addition, the same operation as the configuration described in claim 1 can be achieved.

【0013】請求項5記載の発明は、請求項1ないし請
求項4までのいずれかに記載の基板保持装置と、上記保
持ローラのうち少なくとも1つを回転させる回転駆動源
と、を備えたことを特徴とする基板処理装置である。請
求項5記載の構成によれば、請求項1ないし請求項4に
記載されている基板保持装置は上記したように発塵が少
ないので、これらのうちのいずれかの基板保持装置を用
いた基板処理装置は、高品質な基板を製造することがで
きる。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the substrate holding device according to any one of the first to fourth aspects, and a rotary drive source for rotating at least one of the holding rollers. Is a substrate processing apparatus. According to the fifth aspect of the present invention, since the substrate holding device according to the first to fourth aspects generates less dust as described above, a substrate using any one of these substrate holding devices is provided. The processing apparatus can manufacture a high-quality substrate.

【0014】請求項6記載の発明は、上記基板保持装置
により保持された基板を挟んで互いに対向するように設
けられた一対のスクラブ洗浄部材を有し、この一対のス
クラブ洗浄部材によって上記基板の両面をスクラブ洗浄
する両面スクラブ洗浄手段をさらに備えたことを特徴と
する請求項5記載の基板処理装置である。請求項6記載
の構成によれば、基板が基板保持装置によって安定して
保持されるので、スクラブ洗浄部材を基板の上下面に一
定の均一な力で押し付けることができる。ゆえに、基板
の表面に洗浄むらなどを生じることなく、基板の表面を
良好にスクラブ洗浄することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a pair of scrub cleaning members provided so as to face each other with the substrate held by the substrate holding device interposed therebetween, and the pair of scrub cleaning members is used to clean the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising a double-sided scrub cleaning means for scrub-cleaning both surfaces. According to the configuration described in claim 6, the substrate is stably held by the substrate holding device, so that the scrub cleaning member can be pressed against the upper and lower surfaces of the substrate with a constant and uniform force. Therefore, the surface of the substrate can be favorably scrub-cleaned without causing uneven cleaning on the surface of the substrate.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を、添
付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一
実施形態にかかる基板処理装置としてのウエハ洗浄装置
の構成を示す平面図である。また、図2は、図1のII−
II断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念的に示
している。図1および図2を参照して、まず、ウエハ洗
浄装置全体の概略構成について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a wafer cleaning apparatus as a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of FIG.
It is II sectional drawing, a part is abbreviate | omitted and a part is shown notionally. First, a schematic configuration of the entire wafer cleaning apparatus will be described with reference to FIGS.

【0016】ウエハ洗浄装置は、たとえば、ウエハWの
表面に形成された薄膜を研磨するCMP(Chemical Mech
anical Polishing) 処理が行われた後にウエハWの表面
に残っているスラリーおよび不要な薄膜を除去するため
のものである。この装置は、側壁1,2,3,4によっ
て囲まれた平面視においてほぼ矩形の処理室5と、処理
室5内においてウエハWを水平に保持し、かつこの状態
でウエハWを回転させることができるウエハ保持装置6
と、ウエハ保持装置6により保持されたウエハWの上面
および下面をスクラブ洗浄してスラリーなどを除去する
ための両面洗浄装置7とを備えている。
The wafer cleaning apparatus is, for example, a CMP (Chemical Mech) for polishing a thin film formed on the surface of a wafer W.
This is for removing slurry and unnecessary thin films remaining on the surface of the wafer W after the processing is performed. This apparatus has a processing chamber 5 that is substantially rectangular in a plan view surrounded by side walls 1, 2, 3, and 4, holds a wafer W horizontally in the processing chamber 5, and rotates the wafer W in this state. Wafer holding device 6
And a double-side cleaning device 7 for scrubbing the upper and lower surfaces of the wafer W held by the wafer holding device 6 to remove slurry and the like.

【0017】ウエハ保持装置6は、処理室5の側壁2お
よび4に直交する方向(以下「保持方向」という。)A
に関して対向配置された一対の保持ハンド10,30を
備えている。保持ハンド10,30には、ベース取付部
11,31と、ベース取付部11,31に取り付けられ
たベース部12,32と、ベース部12,32の上方に
配置されて、ウエハWを保持するための各々3つの保持
ローラ13,33とが備えられている。これらの保持ロ
ーラ13,33は、ウエハWの端面形状に対応した円周
上に配置されており、ウエハWは保持ローラ13,33
の側面にその端面が当接した状態で保持される。
The wafer holding device 6 has a direction A (hereinafter, referred to as a “holding direction”) perpendicular to the side walls 2 and 4 of the processing chamber 5.
Are provided with a pair of holding hands 10 and 30 opposed to each other. The holding hands 10 and 30 are arranged above the base mounting portions 11 and 31, the base portions 12 and 32 mounted on the base mounting portions 11 and 31, and the base portions 12 and 32, and hold the wafer W. And three holding rollers 13 and 33 are provided. The holding rollers 13 and 33 are arranged on a circumference corresponding to the shape of the end surface of the wafer W.
Is held in a state where its end face is in contact with the side face of the.

【0018】ベース取付部11,31には、保持方向A
に沿って設けられたハンド軸15,35の一端が連結さ
れている。ハンド軸15,35は、側壁2,4に形成さ
れた穴14,34を挿通して側壁2,4の外側まで延び
ており、その他端には、取付板16,36上に固定され
たシリンダ17,37のロッド18,38が、連結板1
9,39を介して取り付けられている。シリンダ17,
37は、ロッド18,38が保持方向Aに沿って進退す
るように、取付板16,36上に固定されている。この
構成により、シリンダ17,37を駆動することによっ
て、保持ハンド10,30を保持方向Aに沿って互いに
反対方向に進退させることができ、ウエハWを保持ロー
ラ13,33の間に挟持したり、この挟持を解放したり
することができる。
The base mounting portions 11 and 31 have a holding direction A
One ends of hand shafts 15 and 35 provided along are connected. The hand shafts 15 and 35 extend through holes 14 and 34 formed in the side walls 2 and 4 to the outside of the side walls 2 and 4, and have cylinders fixed on mounting plates 16 and 36 at the other ends. The rods 18, 38 of 17, 37 are connected to the connecting plate 1
It is attached via 9, 39. Cylinder 17,
37 is fixed on the mounting plates 16 and 36 such that the rods 18 and 38 advance and retreat along the holding direction A. With this configuration, by driving the cylinders 17 and 37, the holding hands 10 and 30 can be advanced and retracted in opposite directions along the holding direction A, and the wafer W can be held between the holding rollers 13 and 33. , This pinching can be released.

【0019】なお、参照符号20,40は、保持ハンド
10,30の移動とともに伸縮自在なベローズであり、
両面洗浄装置7からウエハWに供給される洗浄液および
その雰囲気が、ハンド軸15,35に影響を与えたり、
処理室5の外部に漏れたりするのを防ぐためのものであ
る。また、このベローズ20,40は、シリンダ17,
37のロッド18,38やハンド軸15,35から発生
するパーティクルが処理室5の内部に侵入するのを防
ぐ。
Reference numerals 20 and 40 denote bellows which can expand and contract with the movement of the holding hands 10 and 30.
The cleaning liquid supplied to the wafer W from the double-sided cleaning device 7 and its atmosphere affect the hand shafts 15 and 35,
This is for preventing leakage to the outside of the processing chamber 5. The bellows 20, 40 are connected to the cylinder 17,
Particles generated from the rods 18 and 38 of the 37 and the hand shafts 15 and 35 are prevented from entering the processing chamber 5.

【0020】保持ローラ13,33は、ウエハWを水平
に保持した状態で回転させるために、ベース部12,3
2に回転可能に設けられている。具体的には、保持ロー
ラ13,33は、ベース部12,32に鉛直軸まわりの
回転が自在であるように支持されたローラ軸21,41
の上端に固定されている。ウエハWを回転させるために
必要な駆動力は、保持ハンド30側の保持ローラ33に
与えられるようになっている。具体的に説明すると、側
壁4の外側には、保持ローラ33を回転させるための駆
動力を発生する回転駆動源としてのモータMが備えられ
ている。モータMは、側壁4の外側に設けられたモータ
取付板42上に固定されており、その出力軸52にはプ
ーリ53が取り付けられている。一方、3つの保持ロー
ラ33のうち中央の保持ローラ33bの下端付近には、
プーリ49,50,51が上下方向に並んで取り付けら
れており、上段のプーリ49とモータMの出力軸52に
取り付けられたプーリ53との間には、無端状のベルト
43が巻き掛けられている。また、中段のプーリ50と
保持ローラ33aのローラ軸41との間にはベルト44
が巻き掛けられており、下段のプーリ51と保持ローラ
33cのローラ軸41との間にはベルト45が巻き掛け
られている。
The holding rollers 13 and 33 are used to rotate the wafer W while holding the wafer W horizontally.
2 is provided rotatably. Specifically, the holding rollers 13 and 33 are roller shafts 21 and 41 supported by the base portions 12 and 32 so as to be rotatable around a vertical axis.
Is fixed to the upper end. The driving force required to rotate the wafer W is applied to the holding roller 33 on the holding hand 30 side. More specifically, a motor M is provided outside the side wall 4 as a rotation drive source that generates a driving force for rotating the holding roller 33. The motor M is fixed on a motor mounting plate 42 provided outside the side wall 4, and a pulley 53 is mounted on the output shaft 52. On the other hand, near the lower end of the central holding roller 33b of the three holding rollers 33,
Pulleys 49, 50, and 51 are mounted side by side in the vertical direction, and an endless belt 43 is wound between an upper pulley 49 and a pulley 53 mounted on the output shaft 52 of the motor M. I have. A belt 44 is provided between the middle pulley 50 and the roller shaft 41 of the holding roller 33a.
Is wound around, and a belt 45 is wound between the lower pulley 51 and the roller shaft 41 of the holding roller 33c.

【0021】このように構成されているので、モータM
が回転駆動されると、モータMの駆動力がベルト43を
介して保持ローラ33bに伝達されて、保持ローラ33
bが回転駆動される。また、保持ローラ33bに伝達さ
れた駆動力が、ベルト44,45を介して他の2つの保
持ローラ33a,33cに伝達されて、保持ローラ33
a,33cが回転駆動される。その結果、保持ローラ1
3,33に保持されているウエハWは回転方向Bに沿っ
て回転し、保持ハンド10側の保持ローラ13はウエハ
Wの回転に従動して回転する。ウエハWは、たとえば約
10〜20(回転/分)で低速回転される。
With this configuration, the motor M
Is driven to rotate, the driving force of the motor M is transmitted to the holding roller 33b via the belt 43, and the holding roller 33b is driven.
b is driven to rotate. Further, the driving force transmitted to the holding roller 33b is transmitted to the other two holding rollers 33a and 33c via the belts 44 and 45, and
a and 33c are rotationally driven. As a result, the holding roller 1
The wafer W held by the holding hands 3 and 33 rotates in the rotation direction B, and the holding roller 13 on the holding hand 10 rotates following the rotation of the wafer W. The wafer W is rotated at a low speed, for example, at about 10 to 20 (rotation / minute).

【0022】両面洗浄装置7には、ウエハ保持装置6に
より保持されたウエハWの上方および下方に配置された
上面洗浄部60および下面洗浄部80が備えられてい
る。上面洗浄部60および下面洗浄部80は、それぞ
れ、保持ハンド10,30に干渉しない位置に、ウエハ
Wの中心部から周縁部に至るウエハWの表面領域を覆う
ように配置された洗浄ブラシ66,86を備えている。
The double-side cleaning device 7 includes an upper surface cleaning unit 60 and a lower surface cleaning unit 80 disposed above and below the wafer W held by the wafer holding device 6. The upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are provided at positions not interfering with the holding hands 10 and 30, respectively, so as to cover the surface area of the wafer W from the center to the peripheral edge of the wafer W. 86 is provided.

【0023】具体的に説明すると、上面洗浄部60およ
び下面洗浄部80は、それぞれ、ウエハWに対向する側
の取付面61,81に、洗浄ブラシ66,68が取り付
けられたベース部62,82と、ベース部62,82に
取り付けられた回転軸63,83とを有している。回転
軸63,83には、それぞれ回転駆動部64,84が結
合されており、回転駆動部64,84から回転軸63,
83に駆動力が与えられると、上面洗浄部60および下
面洗浄部80が鉛直方向に沿う回転軸線Oを中心に回転
方向Cに沿って回転される。
More specifically, the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 include base portions 62 and 82 having cleaning brushes 66 and 68 mounted on mounting surfaces 61 and 81 on the side facing the wafer W, respectively. And rotating shafts 63 and 83 attached to the base portions 62 and 82. Rotation drive units 64 and 84 are coupled to the rotation shafts 63 and 83, respectively.
When the driving force is applied to 83, the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are rotated in the rotation direction C about the rotation axis O extending in the vertical direction.

【0024】さらに、上面洗浄部60および下面洗浄部
80には、それぞれ昇降駆動部65,85が結合されて
いる。ウエハ洗浄時には、昇降駆動部65,85によっ
て上面洗浄部60および下面洗浄部80が互いに近接す
る方向に移動されて、上面洗浄部60および下面洗浄部
80によってウエハWが挟み込まれる。また、ウエハW
の洗浄終了後には、昇降駆動部65,85によって上面
洗浄部60および下面洗浄部80が互いに離間する方向
に移動されて、上面洗浄部60および下面洗浄部80が
ウエハWから離される。
Further, the upper and lower cleaning units 60 and 80 are coupled to elevation driving units 65 and 85, respectively. During wafer cleaning, the upper and lower cleaning units 60 and 80 are moved by the lifting / lowering driving units 65 and 85 in directions approaching each other, and the wafer W is sandwiched between the upper and lower cleaning units 60 and 80. Also, the wafer W
After the completion of the cleaning, the upper and lower cleaning units 60 and 80 are moved by the lifting / lowering driving units 65 and 85 in a direction in which the upper and lower cleaning units 80 and 80 are separated from each other.

【0025】上面ベース部62および下面ベース部82
にそれぞれ取り付けられた洗浄用ブラシ66,86の中
央付近には、ウエハWに洗浄液を供給するための洗浄液
供給ノズル71,91がそれぞれ配置されている。洗浄
液供給ノズル71,91には、回転軸63,83内に挿
通された洗浄用パイプ67,87の一端がそれぞれ連結
されている。洗浄用パイプ67,87の他端には、三方
弁68,88が接続されており、この三方弁68,88
には、フッ酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニア
などの薬液が図示しない薬液タンクから導かれる薬液供
給路69,89、および図示しない純水用タンクから純
水が導かれる純水供給路70,90が接続されている。
このような構成により、三方弁68,88の切換えを制
御することによって、洗浄用パイプ67,87に薬液ま
たは純水を選択的に供給でき、その結果、洗浄液供給ノ
ズル71,91から薬液または純水を選択的に吐出させ
ることができる。
The upper base 62 and the lower base 82
Cleaning liquid supply nozzles 71 and 91 for supplying a cleaning liquid to the wafer W are arranged near the centers of the cleaning brushes 66 and 86 respectively attached to the wafers W. One ends of cleaning pipes 67 and 87 inserted in the rotating shafts 63 and 83 are connected to the cleaning liquid supply nozzles 71 and 91, respectively. The other ends of the cleaning pipes 67, 87 are connected to three-way valves 68, 88, respectively.
Are supplied with chemical solution supply paths 69 and 89 through which chemical solutions such as hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, acetic acid, and ammonia are guided from a chemical solution tank (not shown), and pure water supply from which pure water is guided from a pure water tank (not shown). The roads 70 and 90 are connected.
With such a configuration, by controlling the switching of the three-way valves 68 and 88, the chemical liquid or pure water can be selectively supplied to the cleaning pipes 67 and 87. As a result, the chemical liquid or pure water can be supplied from the cleaning liquid supply nozzles 71 and 91. Water can be selectively discharged.

【0026】次に、このウエハ洗浄装置によってウエハ
Wをスクラブ洗浄する際の動作について説明する。洗浄
前においては、保持ハンド10,30はウエハWを保持
する保持位置(図1に示す位置)から退避した待機位置
で待機し、かつ上面洗浄部60および下面洗浄部80も
互いにウエハWから離れた状態で待機している。前工程
であるCMP処理が終了すると、CMP処理後のウエハ
Wが、図示しない搬送アームによって処理室5内の所定
の供給位置に供給される。その後、シリンダ17,37
のロッド18,38が引き込まれて、保持ハンド10,
30が互いに近接させられる。これにより、ウエハWが
その端面において保持ローラ13,33に保持される。
Next, an operation of scrub cleaning the wafer W by the wafer cleaning apparatus will be described. Before the cleaning, the holding hands 10 and 30 stand by at a standby position retracted from the holding position (the position shown in FIG. 1) for holding the wafer W, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are also separated from the wafer W. Waiting in a state where When the CMP process, which is the preceding process, is completed, the wafer W after the CMP process is supplied to a predetermined supply position in the processing chamber 5 by a transfer arm (not shown). Then, cylinders 17 and 37
Of the holding hands 10, 38
30 are brought closer together. As a result, the wafer W is held by the holding rollers 13 and 33 at its end face.

【0027】ウエハWが保持ローラ13,33によって
保持されると、回転駆動部64,84が駆動されて、上
面洗浄部60および下面洗浄部80が回転駆動される。
また同時に、三方弁68,88が切り換えられて、薬液
供給路69,89と洗浄用パイプ67,87とが接続さ
れ、洗浄液供給ノズル71,91から薬液がそれぞれウ
エハWの上面および下面に供給される。
When the wafer W is held by the holding rollers 13 and 33, the rotation driving units 64 and 84 are driven, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are driven to rotate.
At the same time, the three-way valves 68 and 88 are switched to connect the chemical supply paths 69 and 89 with the cleaning pipes 67 and 87, and the chemicals are supplied to the upper and lower surfaces of the wafer W from the cleaning liquid supply nozzles 71 and 91, respectively. You.

【0028】その後、モータMが駆動されて、保持ロー
ラ33が回転駆動される。これに伴って、ウエハWが低
速回転する。さらに、昇降駆動部65,85が駆動され
て、上面洗浄部60および下面洗浄部80が互いに近づ
く方向に移動される。その結果、保持ローラ13,33
に保持されているウエハWは、洗浄用ブラシ66,86
によって挟み込まれ、薬液が供給されつつ洗浄用ブラシ
66,86により上面および下面が擦られて、スクラブ
洗浄される。これにより、ウエハWの上面および下面に
残っていたスラリーが除去される。
Thereafter, the motor M is driven to rotate the holding roller 33. Along with this, the wafer W rotates at a low speed. Further, the elevation drive units 65 and 85 are driven, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are moved in directions approaching each other. As a result, the holding rollers 13, 33
The cleaning brushes 66 and 86
The upper and lower surfaces are rubbed by the cleaning brushes 66 and 86 while the chemical solution is supplied, and scrub cleaning is performed. Thereby, the slurry remaining on the upper surface and the lower surface of the wafer W is removed.

【0029】上面洗浄部60および下面洗浄部80の洗
浄用ブラシ66,86は、ウエハWの中心部から周縁に
到るウエハWの表面領域を覆うように配置されているの
で、ウエハWが低速回転されることによって、ウエハW
の上面および下面の全域をスクラブ洗浄することができ
る。薬液によるスクラブ洗浄が終了すると、昇降駆動部
65,85が駆動されて、上面洗浄部60および下面洗
浄部80がウエハWから離反する方向に移動される。そ
の後、三方弁68,88が切り換えられて、洗浄用パイ
プ67,87と純水供給路70,90とが接続される。
その結果、洗浄液供給ノズル71,91から純水がウエ
ハWの上面および下面に供給され、ウエハWの上面およ
び下面に残っている薬液等が洗い流される。
The cleaning brushes 66 and 86 of the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are arranged so as to cover the surface area of the wafer W from the center to the periphery of the wafer W. By being rotated, the wafer W
Can be scrub-cleaned over the entire upper and lower surfaces of the substrate. When the scrub cleaning with the chemical solution ends, the elevation drive units 65 and 85 are driven, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are moved in a direction away from the wafer W. After that, the three-way valves 68 and 88 are switched, and the cleaning pipes 67 and 87 and the pure water supply paths 70 and 90 are connected.
As a result, pure water is supplied from the cleaning liquid supply nozzles 71 and 91 to the upper and lower surfaces of the wafer W, and the chemicals and the like remaining on the upper and lower surfaces of the wafer W are washed away.

【0030】薬液の除去に十分な純水が供給されると、
三方弁68,88が切り換えれて、洗浄液供給ノズル
7,8からの純水の吐出が停止されるとともに、回転駆
動部64,84の駆動が停止されて、上面洗浄部60お
よび下面洗浄部80の回転が停止される。また、モータ
Mの駆動が停止されて、ウエハWの回転が停止される。
図3は、保持ローラ13,33の構成を示す斜視図であ
る。また、図4は、保持ローラ13,33の構成を示す
側面図である。
When sufficient pure water is supplied to remove the chemical,
The three-way valves 68 and 88 are switched so that the discharge of the pure water from the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 is stopped, and the driving of the rotary driving units 64 and 84 is stopped, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are stopped. Is stopped. Further, the driving of the motor M is stopped, and the rotation of the wafer W is stopped.
FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of the holding rollers 13 and 33. FIG. 4 is a side view showing the configuration of the holding rollers 13 and 33.

【0031】保持ローラ13,33は、大略的に鼓形状
に形成されており、その側面の中央付近のくびれ部は、
鉛直方向の幅d1 がウエハWの厚みtよりもやや大きい
円筒面101となっている。この円筒面101の下端周
縁は、下方へ向かうにつれて広がる下円錐面102に連
なっており、また、円筒面101の上端周縁は、上方へ
向かうにつれて広がる上円錐面103に連なっている。
Each of the holding rollers 13 and 33 is formed substantially in the shape of a drum.
The width d1 in the vertical direction is a cylindrical surface 101 slightly larger than the thickness t of the wafer W. The lower peripheral edge of the cylindrical surface 101 is connected to a lower conical surface 102 that spreads downward, and the upper peripheral edge of the cylindrical surface 101 is connected to an upper conical surface 103 that spreads upward.

【0032】洗浄されるべきウエハWは、その端面が保
持ローラ13,33に形成された円筒面101に当接し
た状態で、保持ローラ13,33によって保持される。
これにより、保持ローラ13,33によって保持された
ウエハWは、下円錐面102によって下方への変位が規
制され、上円錐面103によって上方への変位が規制さ
れる。よって、ウエハWが、保持ローラ13,33から
脱落することはない。
The wafer W to be cleaned is held by the holding rollers 13 and 33 with its end face in contact with the cylindrical surface 101 formed on the holding rollers 13 and 33.
Thereby, the downward displacement of the wafer W held by the holding rollers 13 and 33 is regulated by the lower conical surface 102, and the upward displacement is regulated by the upper conical surface 103. Therefore, the wafer W does not fall off the holding rollers 13 and 33.

【0033】また、ウエハWの端面が保持ローラ13,
33の円筒面101に当接されるので、ウエハWは各保
持ローラ13,33に対して線接触することになる。し
たがって、ウエハWが2つの円錐面によって挟持された
状態で保持される従来装置の構成とは異なり、ウエハW
のエッジ部分と保持ローラの円錐面との擦れに伴う発塵
の問題がなく、パーティクルの発生を低減できる。
Further, the end face of the wafer W is
Since the wafer W comes into contact with the cylindrical surface 101 of the holding roller 33, the wafer W comes into line contact with the holding rollers 13 and 33. Therefore, unlike the configuration of the conventional apparatus in which the wafer W is held in a state sandwiched by the two conical surfaces, the wafer W
There is no problem of dust generation due to the friction between the edge portion of the holding roller and the conical surface of the holding roller, and the generation of particles can be reduced.

【0034】さらに、ウエハWは、上円錐面103およ
び下円錐面102によって上下方向への変位が規制され
るため、一定の高さに保持された状態で回転される。こ
れにより、上面洗浄部60の洗浄用ブラシ66および下
面洗浄部80の洗浄用ブラシ86が、ウエハWの上面お
よび下面にそれぞれ一定の力で押し付けられる。ゆえ
に、ウエハWの表面に洗浄むらなどを生じることなく、
ウエハWの表面を良好にスクラブ洗浄することができ
る。
Further, since the upper and lower conical surfaces 103 and 102 restrict the vertical displacement of the wafer W, the wafer W is rotated while being held at a constant height. Thus, the cleaning brush 66 of the upper surface cleaning unit 60 and the cleaning brush 86 of the lower surface cleaning unit 80 are pressed against the upper surface and the lower surface of the wafer W with a constant force. Therefore, without causing uneven cleaning on the surface of the wafer W,
The surface of the wafer W can be favorably scrub-cleaned.

【0035】なお、ウエハWの表面がむらなく洗浄され
るためには、円筒面101の幅d1がウエハWの厚みt
にほぼ等しく形成されるのが好ましい。ところが、処理
室5(図1参照)にウエハWを供給するための上記搬送
アーム(図示せず)による供給位置の誤差を考慮する
と、ウエハWが保持ローラ13,33によって確実に保
持されるには、円筒面101の幅d1 はウエハWの厚み
tよりも大きく形成される必要がある。そこで、本願発
明者は、保持ローラ13,33の円筒面の幅d1は、ウ
エハWの厚みtを0.6(mm)とした場合に、 0.6(mm)<d1 ≦1(mm) であるのが好ましいとの結論を導き出した。
In order to clean the surface of the wafer W evenly, the width d1 of the cylindrical surface 101 must be equal to the thickness t of the wafer W.
Is preferably formed substantially equal to However, considering the error of the supply position by the transfer arm (not shown) for supplying the wafer W to the processing chamber 5 (see FIG. 1), the wafer W is surely held by the holding rollers 13 and 33. In other words, the width d1 of the cylindrical surface 101 must be larger than the thickness t of the wafer W. Therefore, the inventor of the present application has set the width d1 of the cylindrical surface of the holding rollers 13 and 33 to be 0.6 (mm) <d1 ≦ 1 (mm) when the thickness t of the wafer W is 0.6 (mm). Was concluded to be preferable.

【0036】これにより、ウエハWの表面を良好に洗浄
することができ、かつウエハWの供給位置に若干のずれ
が生じても、ウエハWを保持ローラ13,33によって
確実に保持することができる。図5は、本発明の他の実
施形態にかかる保持ローラの構成を示す斜視図である。
また、図6は、図5に示す保持ローラの側面図である。
図5および図6において、図3および図4に示された各
部に相当する部分には、同一の参照符号を付して示す。
Thus, the surface of the wafer W can be favorably cleaned, and the wafer W can be reliably held by the holding rollers 13 and 33 even if the supply position of the wafer W slightly shifts. . FIG. 5 is a perspective view illustrating a configuration of a holding roller according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a side view of the holding roller shown in FIG.
5 and 6, parts corresponding to the respective parts shown in FIGS. 3 and 4 are denoted by the same reference numerals.

【0037】この第2の実施形態にかかる保持ローラ1
10は、図1に示す保持ローラ13,33の代わりに、
ローラ軸21,41の上端に固定されて用いられるべき
ものである。保持ローラ110の側面は、ウエハWの端
面が当接される円筒面111と、円筒面111の下端周
縁から下方へ向かうにつれて広がる下円錐面102とで
構成されている。円筒面111は、保持ローラ110の
上端まで連続して形成されており、保持ローラ110の
周面には、上述の第1の実施形態にかかる保持ローラ1
3,33の側面の上円錐面103に相当する円錐面は形
成されていない。
The holding roller 1 according to the second embodiment
Reference numeral 10 designates, instead of the holding rollers 13 and 33 shown in FIG.
It is to be used fixed to the upper ends of the roller shafts 21 and 41. The side surface of the holding roller 110 includes a cylindrical surface 111 with which the end surface of the wafer W is in contact, and a lower conical surface 102 that spreads downward from the lower peripheral edge of the cylindrical surface 111. The cylindrical surface 111 is formed continuously up to the upper end of the holding roller 110, and the circumferential surface of the holding roller 110 has the holding roller 1 according to the first embodiment described above.
No conical surface corresponding to the upper conical surface 103 of the side surfaces 3 and 33 is formed.

【0038】このような構成であっても、保持ローラ1
10に保持されたウエハWは、下方への変位が下円錐面
102によって規制されるから、ウエハWが保持ローラ
110から下方に脱落することがない。また、ウエハW
は複数の保持ローラ110によって水平に保持されてい
るから、ウエハWが円筒面111の上端よりも上方へ変
位して脱落するおそれはない。
Even with such a configuration, the holding roller 1
Since the downward displacement of the wafer W held by the wafer 10 is regulated by the lower conical surface 102, the wafer W does not fall down from the holding roller 110. Also, the wafer W
Is held horizontally by the plurality of holding rollers 110, there is no possibility that the wafer W is displaced upward from the upper end of the cylindrical surface 111 and falls off.

【0039】また、ウエハWは、その端面が円筒面11
1のどの部分に当接されても、保持ローラ110によっ
て確実に保持されるので、上記図示しない搬送アームに
よるウエハWの供給位置は円筒面111の上下方向の幅
d2 内であればよく、供給位置のばらつきに対する保持
ローラ110の許容範囲を広くすることができる。さら
に、ウエハWの端面が保持ローラ110の円筒面111
に当接されるので、上述の第1の実施形態にかかる保持
ローラ13,33と同様に、パーティクルの発生を少な
くすることができる。
The end face of the wafer W has a cylindrical surface 11.
No matter which part of the wafer 1 is brought into contact, the wafer W is reliably held by the holding roller 110, so that the position of supply of the wafer W by the transfer arm (not shown) may be within the vertical width d2 of the cylindrical surface 111. The tolerance of the holding roller 110 with respect to the variation in position can be widened. Further, the end surface of the wafer W is the cylindrical surface 111 of the holding roller 110.
As in the case of the holding rollers 13 and 33 according to the first embodiment, the generation of particles can be reduced.

【0040】また、円筒面111が保持ローラ110の
上端にまで至っているので、保持ハンド10,30を保
持位置(図1に示す位置)の近傍に待機させた状態で、
ウエハWを保持ローラ110の上方から供給位置にセッ
トすることができる。この場合、ウエハWをセットする
ために保持ハンド10,30を保持位置から大きく退避
させる必要がないので、処理室5(図1参照)のサイズ
を小さくすることが可能となる。
Also, since the cylindrical surface 111 reaches the upper end of the holding roller 110, the holding hands 10, 30 are kept near the holding position (the position shown in FIG. 1).
The wafer W can be set at the supply position from above the holding roller 110. In this case, since it is not necessary to retreat the holding hands 10 and 30 from the holding position to set the wafer W, the size of the processing chamber 5 (see FIG. 1) can be reduced.

【0041】図7は、本発明のさらに他の実施形態にか
かる保持ローラの構成を示す側面図である。また、図8
は、図7に示す保持ローラの側面図である。図7および
図8において、図3および図4に示された各部に相当す
る部分には、同一の参照符号を付して示す。この第3の
実施形態にかかる保持ローラ120は、図1に示す保持
ローラ13,33の代わりに、ローラ軸21,41の上
端に固定されて用いられるべきものである。保持ローラ
120の側面の中央付近には、図3および図4に示す第
1の実施形態にかかる保持ローラ13,33と同様に、
鉛直方向の幅d3 がウエハWの厚みtよりも大きい円筒
面121が形成されており、この円筒面121の下端周
縁は、下方へ向かうにつれて広がる下円錐面102に連
なっている。この保持ローラ120が、保持ローラ1
3,33と異なる点は、円筒面121の上端周縁が、上
方へ向かうにつれて狭まる円錐面であるテーパ面122
に連なっている点である。
FIG. 7 is a side view showing the structure of a holding roller according to still another embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 8 is a side view of the holding roller shown in FIG. 7. 7 and 8, parts corresponding to the respective parts shown in FIGS. 3 and 4 are denoted by the same reference numerals. The holding roller 120 according to the third embodiment is to be used by being fixed to the upper ends of roller shafts 21 and 41 instead of the holding rollers 13 and 33 shown in FIG. Near the center of the side surface of the holding roller 120, similar to the holding rollers 13 and 33 according to the first embodiment shown in FIGS.
A cylindrical surface 121 whose vertical width d3 is larger than the thickness t of the wafer W is formed, and the lower peripheral edge of the cylindrical surface 121 is connected to the lower conical surface 102 which spreads downward. The holding roller 120 is used as the holding roller 1
3 and 33 is that the upper peripheral edge of the cylindrical surface 121 is a tapered surface 122 which is a conical surface narrowing upward.
It is a point that is connected to.

【0042】すなわち、保持ローラ120には、ウエハ
Wの端面が当接される円筒面121の上方に、平面視に
おいて円筒面121からはみ出す部分がない。よって、
保持ハンド10,30を保持位置(図1に示す位置)の
近傍に待機させた状態で、ウエハWを保持ローラ120
の上方から供給位置にセットすることができるなど、上
述の第2の実施形態にかかる保持ローラ110と同様の
作用効果を奏することができる。またさらに、テーパ面
122は水平方向に対して傾斜しているので、たとえテ
ーパ面122にスラリーを含む薬液や純水が付着したと
しても速やかに下方に流下し、保持ローラ120におけ
る液溜りがない。よって、その液溜り部分にスラリーが
残留し付着してウエハWを汚染することを防止する。
That is, the holding roller 120 has no portion that extends beyond the cylindrical surface 121 in plan view above the cylindrical surface 121 with which the end surface of the wafer W is in contact. Therefore,
While holding the holding hands 10 and 30 near the holding position (the position shown in FIG. 1), the wafer W is held by the holding roller 120.
The same operation and effects as those of the holding roller 110 according to the above-described second embodiment can be achieved, for example, it can be set to the supply position from above. Further, since the tapered surface 122 is inclined with respect to the horizontal direction, even if a chemical solution containing slurry or pure water adheres to the tapered surface 122, it flows down quickly and there is no liquid pool in the holding roller 120. . Therefore, it is possible to prevent the slurry from remaining and adhering to the liquid pool and contaminating the wafer W.

【0043】本発明の実施形態の説明は以上の通りであ
るが、本発明は上述の各実施形態に限定されるものでは
ない。たとえば、上述の実施形態の説明においては、円
形のウエハWを洗浄する場合を例に挙げているが、本発
明にかかる基板保持装置は、液晶表示装置用ガラス基板
やPDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)基板など
であっても、ほぼ円形に形成されている基板であれば良
好に保持することができる。また、本発明にかかる基板
保持装置は、基板の洗浄以外の処理において基板を保持
するための装置としても適用可能である。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the description of the above-described embodiment, a case where a circular wafer W is cleaned is taken as an example. ) Even if it is a substrate or the like, it can be satisfactorily held as long as the substrate is formed in a substantially circular shape. Further, the substrate holding device according to the present invention is also applicable as a device for holding a substrate in a process other than the cleaning of the substrate.

【0044】さらに、基板保持装置によって保持される
基板は、完全な円形である必要はなく、基板の周縁にオ
リフラやノッチなどの切欠が形成されていても、全体と
してほぼ円形であればよい。また、上述の第1の実施形
態においては、円筒面の幅は1mm以下であるのが好ま
しいとしているが、この数値は保持ローラに保持される
べき基板が厚さ0.6mmの半導体ウエハの場合の数値
であり、その他の基板が保持される場合には、その基板
の厚みに基板の供給位置の誤差を加えた値が上限値にさ
れるとよい。
Further, the substrate held by the substrate holding device does not need to be a perfect circle, but may have a notch such as an orientation flat or a notch formed on the periphery of the substrate, as long as it is substantially circular as a whole. In the first embodiment, the width of the cylindrical surface is preferably 1 mm or less. However, this value is obtained when the substrate to be held by the holding roller is a semiconductor wafer having a thickness of 0.6 mm. When other substrates are held, the upper limit value may be a value obtained by adding an error in the supply position of the substrate to the thickness of the other substrate.

【0045】この他、特許請求の範囲に記載された範囲
で種々の変更を施すことが可能である。
In addition, various changes can be made within the scope described in the claims.

【0046】[0046]

【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、基板が2
つの円錐面によって挟持された状態で保持される従来装
置の構成に比べて、発塵を少なくすることができる。ま
た、保持ローラに保持された基板は、下方への変位が下
円錐面によって規制されるから、保持ローラから下方に
脱落することがない。そのうえ、基板が水平に保持され
ているから、基板が保持ローラの上端よりも上方へ変位
して脱落するおそれもなく、基板を安定して保持し回転
させることができる。さらに、保持ローラに対する基板
の供給位置は円筒面の上下方向の幅内であればよいか
ら、基板と保持ローラとの位置合わせが容易になる。
According to the first aspect of the present invention, when the substrate is
Dust generation can be reduced as compared with the configuration of the conventional device held in a state of being sandwiched by two conical surfaces. In addition, since the substrate held by the holding roller is restricted from being displaced downward by the lower conical surface, the substrate does not fall down from the holding roller. In addition, since the substrate is held horizontally, the substrate can be stably held and rotated without the substrate being displaced upward from the upper end of the holding roller and falling off. Further, since the supply position of the substrate to the holding roller may be within the vertical width of the cylindrical surface, the alignment between the substrate and the holding roller is facilitated.

【0047】請求項2記載の発明によれば、保持ローラ
によって保持された基板は、下円錐面によって下方への
変位が規制され、さらに上円錐面によって上方への変位
が規制されるので、保持ローラから脱落するおそれがさ
らになくなる。請求項3記載の発明によれば、基板保持
装置によって保持される基板が半導体ウエハの場合、円
筒面の鉛直方向の幅を1mm以下とすることによって、
基板を一定の高さで保持し回転させることができる。
According to the second aspect of the present invention, the substrate held by the holding roller is regulated by the lower conical surface so that the downward displacement is restricted, and the upper conical surface is further restricted by the upwardly displaced surface. The risk of falling off the rollers is further eliminated. According to the invention of claim 3, when the substrate held by the substrate holding device is a semiconductor wafer, the vertical width of the cylindrical surface is set to 1 mm or less,
The substrate can be held and rotated at a certain height.

【0048】請求項4記載の発明によれば、基板を供給
位置にセットする際に、保持ローラを保持位置から大き
く退避させる必要がないから、装置のサイズを小さくす
ることができる。請求項5記載の発明によれば、高品質
な基板を製造することができる。請求項6記載の発明に
よれば、基板の表面に洗浄むらなどを生じることなく、
基板の表面を良好にスクラブ洗浄することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, when the substrate is set at the supply position, it is not necessary to largely retract the holding roller from the holding position, so that the size of the apparatus can be reduced. According to the fifth aspect of the invention, a high-quality substrate can be manufactured. According to the invention of claim 6, without causing uneven cleaning on the surface of the substrate,
The surface of the substrate can be scrubbed well.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかる基板処理装置としてのウエハ洗
浄装置の構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a wafer cleaning apparatus as a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の切断線II−IIで切断したときの断面を概
念的に示す図である。
FIG. 2 is a view conceptually showing a cross section taken along a cutting line II-II in FIG. 1;

【図3】第1の実施形態に係る保持ローラの構成を示す
斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view illustrating a configuration of a holding roller according to the first embodiment.

【図4】図3に示す保持ローラの側面図である。FIG. 4 is a side view of the holding roller shown in FIG.

【図5】第2の実施形態に係る保持ローラの構成を示す
斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view illustrating a configuration of a holding roller according to a second embodiment.

【図6】図5に示す保持ローラの側面図である。FIG. 6 is a side view of the holding roller shown in FIG.

【図7】第3の実施形態に係る保持ローラの構成を示す
斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view illustrating a configuration of a holding roller according to a third embodiment.

【図8】図7に示す保持ローラの側面図である。FIG. 8 is a side view of the holding roller shown in FIG. 7;

【図9】従来の基板処理装置の概略構成を示す正面図で
ある。
FIG. 9 is a front view showing a schematic configuration of a conventional substrate processing apparatus.

【図10】図9に示す従来の基板処理装置の側面図であ
る。
FIG. 10 is a side view of the conventional substrate processing apparatus shown in FIG.

【図11】従来の保持ローラの形状を示す側面図であ
る。
FIG. 11 is a side view showing the shape of a conventional holding roller.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

6 ウエハ保持装置(基板保持装置) 7 両面洗浄装置(両面スクラブ洗浄手段) 13,33,110,120 保持ローラ 21,41 ローラ軸(中心軸) 66,86 洗浄用ブラシ(スクラブ洗浄部材) 101,111,121 円筒面 102 下円錐面 103 上円錐面 6 Wafer holding device (substrate holding device) 7 Double-sided cleaning device (double-sided scrub cleaning means) 13, 33, 110, 120 Holding roller 21, 41 Roller shaft (center shaft) 66, 86 Cleaning brush (scrub cleaning member) 101, 111, 121 Cylindrical surface 102 Lower conical surface 103 Upper conical surface

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ほぼ円形の基板を水平に保持しつつ回転さ
せるための基板保持装置であって、ほぼ鉛直方向に平行
な中心軸を有する少なくとも3つの回転可能な保持ロー
ラを有し、 上記保持ローラの側面には、鉛直方向の幅が保持すべき
基板の厚み以上であって、保持すべき基板の端面が当接
される円筒面と、この円筒面の下端周縁から下方に向か
うに従って広がる下円錐面とが形成されていることを特
徴とする基板保持装置。
1. A substrate holding device for rotating a substantially circular substrate while holding it horizontally, comprising at least three rotatable holding rollers having a center axis substantially parallel to a vertical direction, On the side surface of the roller, the vertical width is equal to or greater than the thickness of the substrate to be held, and the cylindrical surface on which the end surface of the substrate to be held abuts, and the lower surface which spreads downward from the lower peripheral edge of the cylindrical surface. A substrate holding device having a conical surface.
【請求項2】上記保持ローラの側面には、上記円筒面の
上端周縁から、上方に向かうに従って広がる上円錐面が
さらに形成されていることを特徴とする請求項1記載の
基板保持装置。
2. The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein an upper conical surface extending upward from a peripheral edge of an upper end of the cylindrical surface is further formed on a side surface of the holding roller.
【請求項3】上記円筒面の鉛直方向の幅は、1mm以下
であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載
の基板保持装置。
3. The substrate holding device according to claim 1, wherein the vertical width of the cylindrical surface is 1 mm or less.
【請求項4】上記円筒面は、上記保持ローラの上端まで
連続して形成されていることを特徴とする請求項1記載
の基板保持装置。
4. The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein said cylindrical surface is formed continuously to an upper end of said holding roller.
【請求項5】請求項1ないし請求項4までのいずれかに
記載の基板保持装置と、 上記保持ローラのうち少なくとも1つを回転させる回転
駆動源と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
5. A substrate processing apparatus comprising: the substrate holding device according to claim 1; and a rotation drive source for rotating at least one of the holding rollers. apparatus.
【請求項6】上記基板保持装置により保持された基板を
挟んで互いに対向するように設けられた一対のスクラブ
洗浄部材を有し、この一対のスクラブ洗浄部材によって
上記基板の両面をスクラブ洗浄する両面スクラブ洗浄手
段をさらに備えたことを特徴とする請求項5記載の基板
処理装置。
6. A pair of scrub cleaning members provided to face each other with the substrate held by the substrate holding device interposed therebetween, and both surfaces of the substrate for scrub cleaning with the pair of scrub cleaning members. The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising a scrub cleaning unit.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006302974A (en) * 2005-04-15 2006-11-02 Sansha Electric Mfg Co Ltd Apparatus for cleaning semiconductor wafer sheet
US9984903B2 (en) 2013-09-27 2018-05-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Treatment cup cleaning method, substrate treatment method, and substrate treatment apparatus
WO2023068124A1 (en) * 2021-10-20 2023-04-27 株式会社荏原製作所 Substrate processing apparatus

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