JP3605248B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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JP3605248B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板およびPDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)基板のような各種の基板を洗浄するための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程には、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。微細加工のためにはウエハ自体の表面およびウエハ表面に形成された薄膜の表面を清浄に保つ必要があるから、必要に応じてウエハの洗浄が行われる。たとえば、ウエハやその表面上に形成された薄膜を研磨剤を用いて研磨した後には、研磨剤(スラリー)がウエハ表面に残留しているから、この研磨剤を除去する必要がある。
【0003】
上述のようなウエハの洗浄を行うための従来技術の概念的な構成は、図7および図8に示されている。すなわち、ウエハWの端面が一対の端面支持ハンド210,211によって挟持されることにより、ウエハWの支持が達成されている。そして、ウエハWの上面は、円板状のベース部212とその下面に固設された洗浄用ブラシ213とからなるスクラブ洗浄部材214が、図示しない回転駆動機構によって回転されつつ、接触面218において洗浄用ブラシ213がウエハWに接触することにより、スクラブ洗浄される。また、ウエハWの下面も同様に、円板状のベース部215とその上面に固設された洗浄用ブラシ216とからなるスクラブ洗浄部材217が、図示しない回転駆動機構によって回転されつつ、接触面219において洗浄用ブラシ216がウエハWに接触することにより、スクラブ洗浄される。ここで、上述の洗浄用ブラシ213,216は、たとえばPVA (poly−vinyl alcohl )で構成されている。
【0004】
なお、この構成において、端面支持ハンド210,211はウエハWを保持しつつ、図7に示すようにウエハWの中心OWが円軌道を描くように、ウエハWを円運動させる。この結果、接触面218,219は、ウエハWのほぼ全面に接触することとなるから、ウエハWのほぼ全面をスクラブ洗浄できる。
ウエハWの上面をスクラブ洗浄するスクラブ洗浄部材214において、洗浄用ブラシ213は、たとえば図9に示すように、ベース部212のほぼ全面にわたって円形状に固設されている。洗浄用ブラシ213のほぼ中心にはノズル220が配置され、このノズル220から洗浄液が吐出されるようになっている。また、接触面218は図8に示すように平坦面となっているので、洗浄用ブラシ213はウエハWの上面に対して面接触する。なお、ウエハWの下面をスクラブ洗浄するスクラブ洗浄部材217においても、これと同様な構成をとる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来技術の構成においては、ウエハWは一対の端面支持ハンド210,211によって挟持され、そのウエハWに対する端面支持ハンド210,211の保持位置は、常時一定である。このため、この保持位置周辺のウエハWの周縁部を洗浄する場合、そのウエハWの周縁部に洗浄用ブラシ213,216が侵入することができないので、ウエハWの周縁部全域を洗浄することが不可能となり、スラリーがウエハWの周縁部に残ってしまうという問題が生じる。この場合、このスラリーはパーティクルとなるから、半導体装置の製造工程において歩留りの低下につながり、大きな問題となっていた。
【0006】
またさらに、そのウエハWの周縁部を洗浄しようとする場合、スクラブ洗浄部材214,217の洗浄用ブラシ213,216は、端面支持ハンド210,211に干渉してしまい、洗浄用ブラシ213,216が損傷を受けて、洗浄用ブラシ213,216の寿命を著しく低下させる。
そこで、本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、基板の周縁部全域の異物を良好に除去できる基板処理装置を提供し、さらに、基板を洗浄する洗浄用ブラシの寿命を向上させることである。
【0007】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板の端面の少なくとも3箇所において接触して、基板を保持する保持用ローラ、およびこれら保持用ローラのうち少なくとも一つを上記基板に対してほぼ垂直な軸回りに回転させるローラ駆動手段を有する基板保持手段と、上記基板保持手段に保持された基板に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段と、この洗浄液供給手段に連結された洗浄液供給ノズルと、上記基板保持手段に保持された基板の少なくとも周縁部を洗浄する基板洗浄手段とを備え、上記基板洗浄手段は、回転駆動手段によって、上記基板保持手段に保持された基板に対してほぼ垂直な軸回りに回転されるベース部と、このベース部に固設され、上記基板の表面に対して接触するブラシ部とを有するスクラブ洗浄部材を含むものであり、上記洗浄液供給ノズルは、上記スクラブ洗浄部材のブラシ部の中央付近に配置されており、上記スクラブ洗浄部材の上記ブラシ部は、上記ベース部のほぼ中央に配置された第1ブラシ部と、この第1ブラシ部の周囲に配置された第2ブラシ部とに分離されており、上記第1ブラシ部には、上記洗浄液供給ノズルから吐出される洗浄液を基板の周縁部に向けて広げるための溝が、上記洗浄液供給ノズルから上記第2ブラシ部に向かう方向に沿って形成されていることを特徴とする基板処理装置である。
【0008】
本発明によれば、基板の端面を保持する保持用ローラがローラ駆動手段によって回転されることにより、基板が基板保持手段に対して回転し、基板が保持用ローラと当接する当接部分は常に変化するので、基板洗浄手段により基板の周縁部の異物を良好に除去できる基板処理装置を提供できる
【0009】
また、本発明によれば、基板を洗浄するスクラブ洗浄部材のブラシ部は、保持用ローラと干渉することなく、基板の周縁部の異物を良好に除去できるので、そのブラシ部の寿命を向上させることができる
請求項記載の発明は、上記回転駆動手段は、上記基板保持手段に保持されて回転される基板とは反対方向に上記ベース部を回転するものであることを特徴とする請求項記載の基板処理装置である
請求項記載の発明は、上記スクラブ洗浄部材のブラシ部は、上記基板の中心部から周縁部にいたる領域を覆うように配置されたものであることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置である。
【0010】
本発明によれば、スクラブ洗浄部材のブラシ部は、基板の中心部から周縁部にいたる領域において基板の表面に接触しつつ回転され、かつ、基板は保持用ローラによってその当接部分を常に変化させながら回転される。したがって、基板の周縁部を含む基板表面全域の異物を良好に除去できる基板処理装置を提供できる。
【0011】
請求項記載の発明は、上記スクラブ洗浄部材を一対備え、この一対のスクラブ洗浄部材は、上記基板保持手段に保持された基板を上方および下方から挟むように対向配置され、上記基板の上面および下面をスクラブ洗浄するものであることを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載の基板処理装置である。
本発明によれば、スクラブ洗浄部材は基板の上面および下面をスクラブ洗浄するように対向配置されているので、基板の周縁部を含む基板の上面および下面全域の異物を良好に除去できる基板処理装置を提供できる。
また、請求項記載の発明は、上記スクラブ洗浄部材のブラシ部は、上記ベース部に十字状に配置されていることを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載の基板処理装置である。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態の基板処理装置であるウエハ洗浄装置の構成を示す平面図である。また、図2は、図1のII−II 断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念的に示している。
【0013】
この装置は、側壁1,2,3,4によって囲まれた平面視においてほぼ矩形の処理室5と、この処理室5内においてウエハWを水平に保持し、かつこの状態でウエハWを回転させることができるウエハ保持装置6と、ウエハ保持装置6により保持されたウエハWの上面および下面に洗浄液供給ノズル7,8から洗浄液を供給してウエハWの上面および下面をスクラブ洗浄するための両面洗浄装置9とを備えている。
【0014】
ウエハ保持装置6は、処理室5の側壁2または4に対して直交する方向(以下「保持方向」という。)Aに関して対向配置された一対の保持ハンド10,30を有している。保持ハンド10,30は、保持方向Aに沿って移動可能なもので、ベース取付部11,31に取り付けられたベース部12,32と、ベース部12,32の上方に配置され、ウエハWを保持するための各々3つの保持用ローラ13,33とをそれぞれ有している。これらの保持用ローラ13,33は、ウエハWの端面形状に対応した円周上に配置されている。ウエハWは、保持用ローラ13,33の側面にその端面が当接した状態で保持される。
【0015】
ベース取付部11,31には、保持方向Aに沿って長く形成され、側壁2,4に形成された穴14,34を介して側壁2,4の外側まで延びたハンド軸15,35の一端が連結されている。ハンド軸15,35の他端には、側壁2,4の外側の取付板16,36上に固定されたシリンダ17,37のロッド18,38が連結板19,39を介して取り付けられている。ロッド18,38は、保持方向Aに沿って突出したり引っ込んだりできるようになっている。この構成により、シリンダ17,37を駆動することによって、保持ハンド10,30を保持方向Aに沿って互いに反対方向に進退させることができ、ウエハWを保持用ローラ13,33の間で挾持したり、この挾持を解放したりすることができる。
【0016】
なお、参照符号20,40は、保持ハンド10,30の移動とともに伸縮自在なベローズであり、両面洗浄装置9の洗浄液供給ノズル7,8からウエハWに供給される洗浄液、ならびにその雰囲気が、ハンド軸15,35に影響を与えないようにするため、あるいは処理室5の外部に漏れるのを防ぐためのものである。また、シリンダ17,37のロッド18,38やハンド軸15,35から発生するパーティクルが処理室5の内部に侵入するのを防止するためのものでもある。
【0017】
保持用ローラ13,33は、ウエハWを保持した状態でウエハWを回転させるべく、ベース部12,32に回転可能に設けられている。すなわち、保持用ローラ13,33は、ベース部12,32に鉛直軸まわりの回転が自在であるように支持されたローラ軸21,41に固定されている。
ウエハWを回転させるために必要な駆動力は、保持用ローラ33にのみ与えられるようになっている。すなわち、保持用ローラ33のうち中央の保持用ローラ33bには、側壁2の外側に設けられたモータ取付板42に取り付けられたモータMの駆動力がベルト43を介して伝達されるようになっている。さらに、中央の保持ローラ33bに伝達されてきた駆動力は、ベルト44,45を介して他の2つの保持用ローラ33a,33cにも伝達されるようになっている。
【0018】
さらに詳述する。保持用ローラ33aのローラ軸41aは、図3に示すように、ベース部32に形成された挿通穴46aを通ってベース部32の下端部付近に形成された空間47まで延ばされており、挿通穴46aに配置された2つの軸受47a,48aを介してベース部32に回転自在に支持されている。他の2つの保持用ローラ33b,33cのローラ軸41b,41cも同様に、挿通穴46b,46cを通って空間47まで延ばされ、かつ挿通穴46b,46cに配置された2つの軸受47b,48b:47c,48cを介してベース部32に回転自在に支持されている。
【0019】
中央のローラ軸41bには、3つのプーリ49b,50b,51bが取り付けられている。このうち、最上段のプーリ49bとモータMの駆動軸52に取り付けられたプーリ53(図2参照)との間に、ベルト43が巻き掛けられている。そして、残りの2つのプーリ50b,51bと他の2つのローラ軸41a,41cにそれぞれ取り付けられたプーリ51a,51cとの間に、ベルト44,45がそれぞれ巻き掛けられている。
【0020】
以上の構成により、モータMによって中央の保持用ローラ33bが駆動されると、これに伴って他の2つの保持用ローラ33a,33cが駆動される。その結果、保持用ローラ13,33に保持されているウエハWは回転を始める。このとき、保持用ローラ13は、ウエハWの回転につられて回転する。このようにして、ウエハWは保持用ローラ13,33に保持された状態で回転方向Bに沿って回転する。この場合におけるウエハWの回転速度は、たとえば約10〜20(回転/分)である。
【0021】
図2に戻って、両面洗浄装置9は、ウエハ保持装置6により保持されたウエハWの上方および下方に配置された上面洗浄部60および下面洗浄部80を備えている。上面洗浄部60および下面洗浄部80は、それぞれ、保持ハンド10,30に干渉しない位置に、ウエハWの中心部から周縁部に至るウエハWの表面領域を覆うように配置されている。
【0022】
上面洗浄部60および下面洗浄部80は、ウエハWに対向する側に取付面61,81を有するベース部62,82と、ベース部62,82に取り付けられた回転軸63,83とを有し、回転駆動部64,84により鉛直軸方向に沿う回転軸Oを中心に回転方向C(ウエハWの回転方向Bとは反対の回転方向)に沿って回転できるようにされている。
さらに、上面洗浄部60および下面洗浄部80は、それぞれ、昇降駆動部65,85によって上下方向に移動できるようになっている。これにより、ウエハ洗浄時においてはウエハWを上面洗浄部60および下面洗浄部80で挟み込むことができ、また、ウエハ洗浄後においては、ウエハWから上面洗浄部60および下面洗浄部80を離すことができるようになっている。
【0023】
上面ベース部62および下面ベース部82の各取付面61,81には、洗浄用ブラシ66,86が設けられている。洗浄用ブラシ66,86の中央付近には、ウエハWに洗浄液を供給するための洗浄液供給ノズル7,8がそれぞれ配置されている。洗浄液供給ノズル7,8には、洗浄用パイプ67,87が連結されている。洗浄用パイプ67,87は、回転軸63,83内に回転しないように挿通されており、その他端には、三方弁68,88を介して、フッ酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニアなどの薬液が図示しない薬液タンクから導かれる薬液供給路69,89、および図示しない純水タンクから純水が導かれる純水供給路70,90が接続されている。この構成により、三方弁68,88の切換えを制御することによって、洗浄用パイプ67,87に薬液および純水を選択的に供給でき、したがって洗浄液供給ノズル7,8から薬液および純水を選択的に吐出させることができる。
【0024】
洗浄用ブラシ66,86はいずれも同じ構成となっている。したがって、以下では、洗浄用ブラシ66を例にとって説明する。洗浄用ブラシ66は、たとえばPVA(poly-vinyl alcohol)で構成されたもので、図4に示すように、円形に形成されたベース部62の取付面61に十字状に配置されている。さらに詳述すると、洗浄用ブラシ66は、取付面61のほぼ中央に配置された平面視においてほぼ円形の第1ブラシ部71と、取付面61の径方向に沿って長く形成され、かつ第1ブラシ部70の周囲に取付面61の周方向に沿ってほぼ90度ずつずれて配置された4つの第2ブラシ部72とに分離された構成となっている。
【0025】
第1ブラシ71の中央には、平面視においてほぼ円形の凹部73が形成されている。洗浄液をウエハWに供給するための洗浄液供給ノズル7は、この凹部73の底面を挿通して設けられている。凹部73の周囲には、洗浄液供給ノズル7から吐出される洗浄液をウエハWの周縁部に向けて広げるための4つのV溝74が形成されている。この4つのV溝74は、図4に示されているように、洗浄液供給ノズル7から4つの第2ブラシ部72に向かう方向に沿ってそれぞれ形成されている。
【0026】
第2ブラシ部72は、図5にその断面を示すように、断面形状が、ウエハWに接触する側が頂点となる山形となっている。すなわち、第2ブラシ部72は、平板部72aと、この平板部72aに一体形成され、平板部72a上に横たわる三角柱状の凸部72bとからなる。さらに具体的には、凸部72bは、平板部72aからせり上がる一対の傾斜面72cと、この傾斜面72cが出合うところに形成される稜線部とを有し、この稜線部がウエハWの表面に対して接触する接触部72dとなる。したがって、第2ブラシ部72は、ウエハWの表面に対して実質的に線接触するようになっている。
【0027】
図6は、このウエハ洗浄装置の電気的構成を示すブロック図である。このウエハ洗浄装置には、制御中枢として機能するマイクロコンピュータなどで構成された制御部100が備えられている。制御部100は、予め設定されたプログラムに従い、シリンダ17,37、モータM、回転駆動部64,84、昇降駆動部65,85、および三方弁68,88を制御する。
【0028】
次に、ウエハWをスクラブ洗浄する際の動作について説明する。洗浄前においては、保持ハンド10,30はウエハWを保持する保持位置から退避した待機位置で待機し、かつ上面洗浄部60および下面洗浄部80も互いにウエハWから離れた状態で待機している。前工程が終了し図示しない搬送アームによってウエハWが搬送されてくると、制御部100は、シリンダ17,37のロッド18,38を引っ込ませる。その結果、保持ハンド10,30は互いに近づく。これにより、ウエハWがその端面において保持用ローラ13,33に保持される。
【0029】
その後、制御部100は、回転駆動部64,84を駆動し、上面洗浄部60および下面洗浄部80を回転させる。これと同時に、制御部100は、三方弁68,88を制御し、薬液供給路69,89と洗浄用パイプ67,87とを接続させる。その結果、洗浄液供給ノズル7,8から薬液がそれぞれウエハWの上面および下面に供給される。
【0030】
その後、制御部100は、モータMを駆動する。その結果、保持用ローラ33が回転駆動される。これに伴って、ウエハWが低速回転する。さらに、制御部100は、昇降駆動部65,85を制御し、上面洗浄部60および下面洗浄部80を互いに近づく方向に移動させる。その結果、保持用ローラ13,33に保持されているウエハWは、洗浄用ブラシ66,86によって挟み込まれ、洗浄用ブラシ66,86によりウエハWの上面および下面が擦られる。
【0031】
これにより、ウエハWの上面および下面が薬液が供給されつつ洗浄用ブラシ66,86によってスクラブ洗浄される。この場合、上面洗浄部60および下面洗浄部80は、ウエハWの中心部から周縁部に至るウエハWの表面領域を覆うように配置され、かつウエハWも低速回転されているから、結局、ウエハWの上面および下面の全体がスクラブ洗浄される。
【0032】
ところで、このスクラブ洗浄の際、洗浄用ブラシ66の第2ブラシ部72の接触部72dは、ウエハWの上面に対して実質的に線接触している。したがって、スクラブ洗浄された結果ウエハWの上面から除去されたスラリーは、洗浄用ブラシ66に捕獲されることなく、第2ブラシ部72の凸部72bの側面部72cによって押され、洗浄用ブラシ66の回転力によって生じる遠心力によってウエハWの外側に掃き出される。
【0033】
なお、洗浄用ブラシ86の第2ブラシ部の接触部もウエハWの下面に対して実質的に線接触しているから、ウエハWの下面についても、同様のことが言える。薬液によるスクラブ洗浄が終了すると、制御部100は、昇降駆動部65,85を制御し、上面洗浄部60および下面洗浄部80を互いにウエハWから離れる方向に移動させ、ウエハWから洗浄用ブラシ66,86を離れさせる。その後、洗浄用パイプ67,87と純水供給路70,90とが接続されるように、三方弁68,88を制御する。その結果、洗浄液供給ノズル7,8から純水が供給され、ウエハWの上面および下面に残留している薬液等が洗い流される。
【0034】
なお、次の工程で純水が供給される場合には、特に洗浄液供給ノズル7,8から純水を供給する必要はない。
以上のように本実施形態によれば、ウエハWの端面を保持する保持用ローラ13,33がモータMによって回転されることにより、ウエハWがウエハ保持装置6に対して回転し、ウエハWが保持用ローラ13,33と当接する当接部分は常に変化する。また、両面洗浄装置9の洗浄用ブラシ66,86は、ウエハWの中心部から周縁部にいたる領域においてウエハWの表面に接触しつつ回転される。さらに、ウエハWを挟んで対向配置された両面洗浄装置9は、ウエハWの上面および下面をスクラブ洗浄する。したがって、以上のことより、ウエハWの周縁部を含むウエハWの上面および下面全域の異物を良好に除去できる。
【0035】
さらに、ウエハWを洗浄する両面洗浄装置9の洗浄用ブラシ66,86は、保持用ローラ13,33と干渉することなく、ウエハWの周縁部の異物を良好に除去できるので、その洗浄用ブラシ66,86の寿命を向上させることができる。本発明の一実施形態の説明は以上のとおりであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。たとえば上記実施形態では、ウエハWの洗浄が行われる場合について説明しているが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板およびPDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)基板など他の各種の基板の洗浄に対して広く適用することができる。
【0036】
その他、特許請求の範囲に記載された技術事項の範囲において種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の基板処理装置であるウエハ洗浄装置の構成を示す平面図である。
【図2】図1のII−II 断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念的に示している。
【図3】保持用ローラの駆動機構を説明するための図である。
【図4】洗浄用ブラシの構成を示す図である。
【図5】洗浄用ブラシの第2ブラシ部の断面形状を示す図である。
【図6】ウエハ洗浄装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図7】従来の装置の構成を上方から見た概念図である。
【図8】従来の装置の構成を側方から見た概念図である。
【図9】従来の洗浄用ブラシの構成を示す図である。
【符号の説明】
6 ウエハ保持装置(基板保持手段)
7,8 洗浄液供給ノズル
9 両面洗浄装置(基板洗浄手段)
10,30 保持ハンド
13,33 保持用ローラ
43,44,45 ベルト
60 上面洗浄部
80 下面洗浄部
61,81 取付面
62,82 ベース部
64,84 回転駆動部(回転駆動手段)
65,85 昇降駆動部
66,86 洗浄用ブラシ(ブラシ部)
67,87 洗浄用パイプ(洗浄液供給手段)
68,88 三方弁
69,89 薬液供給路
70,90 純水供給路
72 第2ブラシ部
72b 凸部
72d 接触部
100 制御部
M モータ(ローラ駆動手段)
W ウエハ
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an apparatus for cleaning various substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a PDP (plasma display panel) substrate.
[0002]
[Prior art]
The manufacturing process of a semiconductor device includes a process of forming a fine pattern by repeatedly performing processes such as film formation and etching on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”). Since the surface of the wafer itself and the surface of the thin film formed on the wafer surface need to be kept clean for microfabrication, the wafer is cleaned as necessary. For example, after a wafer or a thin film formed on the surface thereof is polished with an abrasive, the abrasive (slurry) remains on the wafer surface, and it is necessary to remove the abrasive.
[0003]
FIGS. 7 and 8 show a conceptual configuration of the related art for cleaning a wafer as described above. That is, the wafer W is supported by the end faces of the wafer W being sandwiched by the pair of end face support hands 210 and 211. A scrub cleaning member 214 composed of a disk-shaped base portion 212 and a cleaning brush 213 fixed to the lower surface of the wafer W is rotated on a contact surface 218 by a rotation drive mechanism (not shown). When the cleaning brush 213 contacts the wafer W, scrub cleaning is performed. Similarly, on the lower surface of the wafer W, a scrub cleaning member 217 composed of a disk-shaped base portion 215 and a cleaning brush 216 fixed on the upper surface thereof is rotated by a rotation driving mechanism (not shown) to form a contact surface. At 219, the scrub cleaning is performed by the cleaning brush 216 contacting the wafer W. Here, the above-mentioned cleaning brushes 213 and 216 are made of, for example, PVA (poly-vinyl alcohol).
[0004]
In this configuration, while holding the wafer W, the end surface support hands 210 and 211 move the wafer W in a circular motion so that the center OW of the wafer W follows a circular orbit as shown in FIG. As a result, since the contact surfaces 218 and 219 come into contact with almost the entire surface of the wafer W, scrub cleaning can be performed on almost the entire surface of the wafer W.
In the scrub cleaning member 214 for scrub cleaning the upper surface of the wafer W, the cleaning brush 213 is fixed in a circular shape over substantially the entire surface of the base portion 212, for example, as shown in FIG. A nozzle 220 is disposed substantially at the center of the cleaning brush 213, and the cleaning liquid is discharged from the nozzle 220. Further, since the contact surface 218 is a flat surface as shown in FIG. 8, the cleaning brush 213 makes surface contact with the upper surface of the wafer W. The scrub cleaning member 217 for scrubbing the lower surface of the wafer W has the same configuration.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the configuration of the related art, the wafer W is sandwiched by the pair of end face support hands 210 and 211, and the holding position of the end face support hands 210 and 211 with respect to the wafer W is always constant. Therefore, when cleaning the peripheral portion of the wafer W around the holding position, the cleaning brushes 213 and 216 cannot enter the peripheral portion of the wafer W, so that the entire peripheral portion of the wafer W can be cleaned. This makes it impossible and causes a problem that the slurry remains on the peripheral portion of the wafer W. In this case, since the slurry becomes particles, it leads to a decrease in yield in the manufacturing process of the semiconductor device, which has been a serious problem.
[0006]
Furthermore, when the peripheral edge of the wafer W is to be cleaned, the cleaning brushes 213 and 216 of the scrub cleaning members 214 and 217 interfere with the end face supporting hands 210 and 211, and the cleaning brushes 213 and 216 It is damaged and significantly reduces the life of the cleaning brushes 213 and 216.
Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems, to provide a substrate processing apparatus capable of satisfactorily removing foreign matters in the entire peripheral portion of the substrate, and to further improve the life of a cleaning brush for cleaning the substrate. That is.
[0007]
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention
According to the first aspect of the present invention, there is provided a holding roller for holding a substrate in contact with at least three places on an end face of the substrate, and at least one of the holding rollers for the substrate. Holding means having a roller driving means for rotating around a substantially vertical axis, a cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the substrate held by the substrate holding means, and a cleaning liquid supply connected to the cleaning liquid supply means A nozzle cleaning means for cleaning at least a peripheral portion of the substrate held by the substrate holding means, wherein the substrate cleaning means is substantially rotated with respect to the substrate held by the substrate holding means by rotation driving means. A scrub cleaning member having a base rotated around a vertical axis and a brush fixed to the base and in contact with the surface of the substrate. The cleaning liquid supply nozzle is disposed near the center of the brush portion of the scrub cleaning member, and the brush portion of the scrub cleaning member is provided with a first brush portion disposed substantially at the center of the base portion. And a second brush portion disposed around the first brush portion. The first brush portion spreads the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid supply nozzle toward the peripheral edge of the substrate. A substrate processing apparatus, wherein a groove is formed along a direction from the cleaning liquid supply nozzle toward the second brush portion .
[0008]
According to the present invention, the holding roller for holding the end surface of the substrate is rotated by the roller driving means, whereby the substrate rotates with respect to the substrate holding means, and the contact portion where the substrate abuts on the holding roller is always Therefore, it is possible to provide a substrate processing apparatus capable of satisfactorily removing foreign substances on the peripheral portion of the substrate by the substrate cleaning means .
[0009]
Further, according to the present invention, the brush portion of the scrub cleaning member for cleaning the substrate can satisfactorily remove foreign matters from the peripheral portion of the substrate without interfering with the holding roller, thereby improving the life of the brush portion. Can be .
According to a second aspect of the invention, the rotary drive means, according to claim 1, wherein the the substrate is rotated is held by the substrate holding means is for rotating the base portion in the opposite direction It is a substrate processing apparatus .
According to a third aspect of the invention, the brush portion of the scrubbing member, according to claim 1, wherein a in which is disposed so as to cover the region leading to the periphery from the center of the substrate It is a substrate processing apparatus.
[0010]
According to the present invention, the brush portion of the scrub cleaning member is rotated while being in contact with the surface of the substrate in a region from the center portion to the peripheral portion of the substrate, and the contact portion of the substrate is constantly changed by the holding roller. It is rotated while doing. Therefore, it is possible to provide a substrate processing apparatus capable of satisfactorily removing foreign substances from the entire surface of the substrate including the peripheral portion of the substrate.
[0011]
Invention of claim 4, further comprising a pair of the scrubbing member, the pair of scrub cleaning member is disposed opposite so as to sandwich the substrate held by the substrate holding means from above and below, the upper surface of the substrate and a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the lower surface of the one in which scrubbing.
According to the present invention, since the scrub cleaning members are disposed to face each other so as to scrub the upper and lower surfaces of the substrate, the substrate processing apparatus can satisfactorily remove foreign substances from the entire upper and lower surfaces of the substrate including the peripheral portion of the substrate. Can be provided.
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the brush portion of the scrub cleaning member is arranged in a cross shape on the base portion. is there.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a wafer cleaning apparatus which is a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1, with some parts omitted and some parts conceptually shown.
[0013]
This apparatus has a substantially rectangular processing chamber 5 in a plan view surrounded by side walls 1, 2, 3, and 4, holds the wafer W horizontally in the processing chamber 5, and rotates the wafer W in this state. And a double-side cleaning for scrubbing the upper and lower surfaces of the wafer W by supplying cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 to the upper and lower surfaces of the wafer W held by the wafer holding device 6. Device 9.
[0014]
The wafer holding device 6 includes a pair of holding hands 10 and 30 that are opposed to each other in a direction A (hereinafter, referred to as a “holding direction”) orthogonal to the side wall 2 or 4 of the processing chamber 5. The holding hands 10 and 30 are movable in the holding direction A, and are disposed above the bases 12 and 32 attached to the base attachments 11 and 31 and the bases 12 and 32, respectively. It has three holding rollers 13 and 33 for holding, respectively. These holding rollers 13 and 33 are arranged on a circumference corresponding to the shape of the end face of the wafer W. The wafer W is held in a state where the end surfaces thereof are in contact with the side surfaces of the holding rollers 13 and 33.
[0015]
One end of each of hand shafts 15 and 35 formed in base mounting portions 11 and 31 along the holding direction A and extending to the outside of side walls 2 and 4 via holes 14 and 34 formed in side walls 2 and 4. Are connected. Rods 18, 38 of cylinders 17, 37 fixed on mounting plates 16, 36 outside the side walls 2, 4 are attached to the other ends of the hand shafts 15, 35 via connecting plates 19, 39. . The rods 18 and 38 can be protruded or retracted along the holding direction A. With this configuration, by driving the cylinders 17 and 37, the holding hands 10 and 30 can be moved back and forth in the opposite directions along the holding direction A, and the wafer W is held between the holding rollers 13 and 33. Or release the pinch.
[0016]
Reference numerals 20 and 40 denote bellows that can expand and contract with the movement of the holding hands 10 and 30. The cleaning liquid supplied to the wafer W from the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 of the double-sided cleaning device 9 and the atmosphere thereof are hand This is to prevent the shafts 15 and 35 from being affected or to prevent leakage to the outside of the processing chamber 5. Further, it is for preventing particles generated from the rods 18 and 38 of the cylinders 17 and 37 and the hand shafts 15 and 35 from entering the inside of the processing chamber 5.
[0017]
The holding rollers 13 and 33 are rotatably provided on the base portions 12 and 32 so as to rotate the wafer W while holding the wafer W. That is, the holding rollers 13 and 33 are fixed to roller shafts 21 and 41 supported by the base portions 12 and 32 so as to be rotatable around a vertical axis.
The driving force required to rotate the wafer W is applied only to the holding roller 33. In other words, the driving force of the motor M attached to the motor attachment plate 42 provided outside the side wall 2 is transmitted to the central holding roller 33 b of the holding rollers 33 via the belt 43. ing. Further, the driving force transmitted to the central holding roller 33b is also transmitted to the other two holding rollers 33a and 33c via the belts 44 and 45.
[0018]
Further details will be described. As shown in FIG. 3, the roller shaft 41a of the holding roller 33a extends through a through hole 46a formed in the base 32 to a space 47 formed near the lower end of the base 32. It is rotatably supported by the base 32 via two bearings 47a and 48a arranged in the insertion hole 46a. Similarly, the roller shafts 41b and 41c of the other two holding rollers 33b and 33c are extended to the space 47 through the insertion holes 46b and 46c, and the two bearings 47b and 41c disposed in the insertion holes 46b and 46c. 48b: rotatably supported by the base portion 32 via 47c and 48c.
[0019]
Three pulleys 49b, 50b, 51b are attached to the central roller shaft 41b. The belt 43 is wound between the uppermost pulley 49b and the pulley 53 (see FIG. 2) attached to the drive shaft 52 of the motor M. The belts 44 and 45 are wound around the remaining two pulleys 50b and 51b and the pulleys 51a and 51c attached to the other two roller shafts 41a and 41c, respectively.
[0020]
With the above configuration, when the central holding roller 33b is driven by the motor M, the other two holding rollers 33a and 33c are driven accordingly. As a result, the wafer W held by the holding rollers 13 and 33 starts rotating. At this time, the holding roller 13 rotates with the rotation of the wafer W. In this way, the wafer W rotates along the rotation direction B while being held by the holding rollers 13 and 33. The rotation speed of wafer W in this case is, for example, about 10 to 20 (rotation / minute).
[0021]
Returning to FIG. 2, the double-sided cleaning device 9 includes an upper surface cleaning unit 60 and a lower surface cleaning unit 80 disposed above and below the wafer W held by the wafer holding device 6. The upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are arranged at positions that do not interfere with the holding hands 10 and 30 so as to cover the surface area of the wafer W from the center to the peripheral edge of the wafer W.
[0022]
The upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 include base portions 62, 82 having mounting surfaces 61, 81 on the side facing the wafer W, and rotating shafts 63, 83 mounted on the base portions 62, 82. The rotation drive units 64 and 84 can rotate around a rotation axis O along the vertical axis in a rotation direction C (a rotation direction opposite to the rotation direction B of the wafer W) .
Further, the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 can be moved in the vertical direction by the elevation drive units 65 and 85, respectively. Thereby, the wafer W can be sandwiched between the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 during the wafer cleaning, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 can be separated from the wafer W after the wafer cleaning. I can do it.
[0023]
Cleaning brushes 66 and 86 are provided on the mounting surfaces 61 and 81 of the upper base 62 and the lower base 82. In the vicinity of the center of the cleaning brushes 66, 86, cleaning liquid supply nozzles 7, 8 for supplying a cleaning liquid to the wafer W are arranged, respectively. Cleaning pipes 67 and 87 are connected to the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8. The cleaning pipes 67 and 87 are inserted into the rotating shafts 63 and 83 so as not to rotate, and the other ends are connected to the other ends through three-way valves 68 and 88, such as hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, acetic acid, Chemical solution supply paths 69 and 89 through which a chemical such as ammonia is guided from a chemical tank (not shown) and pure water supply paths 70 and 90 through which pure water is guided from a pure water tank (not shown) are connected. With this configuration, by controlling the switching of the three-way valves 68 and 88, the chemical solution and pure water can be selectively supplied to the cleaning pipes 67 and 87. Therefore, the chemical solution and pure water can be selectively supplied from the cleaning solution supply nozzles 7 and 8. Can be discharged.
[0024]
The cleaning brushes 66 and 86 have the same configuration. Therefore, hereinafter, the cleaning brush 66 will be described as an example. The cleaning brush 66 is made of, for example, PVA (poly-vinyl alcohol), and is arranged in a cross shape on the mounting surface 61 of the base 62 having a circular shape, as shown in FIG. More specifically, the cleaning brush 66 is disposed substantially at the center of the mounting surface 61 and has a substantially circular first brush portion 71 in plan view, and is formed to be long along the radial direction of the mounting surface 61, and It is configured to be separated into four second brush parts 72 which are arranged around the brush part 70 by being shifted by approximately 90 degrees along the circumferential direction of the mounting surface 61.
[0025]
At the center of the first brush 71, a substantially circular concave portion 73 is formed in a plan view. The cleaning liquid supply nozzle 7 for supplying the cleaning liquid to the wafer W is provided so as to pass through the bottom surface of the concave portion 73. Four V-grooves 74 are formed around the concave portion 73 for spreading the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid supply nozzle 7 toward the peripheral portion of the wafer W. As shown in FIG. 4, the four V grooves 74 are formed along the direction from the cleaning liquid supply nozzle 7 to the four second brush portions 72.
[0026]
As shown in the cross section of FIG. 5, the second brush portion 72 has a mountain-shaped cross section with the vertex on the side that contacts the wafer W. That is, the second brush portion 72 includes a flat plate portion 72a and a triangular prism-shaped convex portion 72b integrally formed with the flat plate portion 72a and lying on the flat plate portion 72a. More specifically, the convex portion 72b has a pair of inclined surfaces 72c rising from the flat plate portion 72a and a ridge portion formed where the inclined surfaces 72c meet, and the ridge portion is formed on the surface of the wafer W. 72d. Therefore, the second brush portion 72 is substantially in line contact with the surface of the wafer W.
[0027]
FIG. 6 is a block diagram showing an electrical configuration of the wafer cleaning apparatus. The wafer cleaning apparatus includes a control unit 100 including a microcomputer functioning as a control center. The control unit 100 controls the cylinders 17 and 37, the motor M, the rotary drive units 64 and 84, the elevation drive units 65 and 85, and the three-way valves 68 and 88 according to a preset program.
[0028]
Next, an operation for scrub cleaning the wafer W will be described. Before cleaning, the holding hands 10 and 30 stand by at a standby position retracted from the holding position for holding the wafer W, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 also stand by at a distance from the wafer W. . When the wafer W is transferred by the transfer arm (not shown) after the previous process is completed, the control unit 100 causes the rods 18 and 38 of the cylinders 17 and 37 to retract. As a result, the holding hands 10, 30 approach each other. As a result, the wafer W is held by the holding rollers 13 and 33 on the end surface.
[0029]
Thereafter, the control unit 100 drives the rotation driving units 64 and 84 to rotate the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80. At the same time, the control unit 100 controls the three-way valves 68 and 88 to connect the chemical supply paths 69 and 89 and the cleaning pipes 67 and 87. As a result, the chemical liquid is supplied from the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 to the upper and lower surfaces of the wafer W, respectively.
[0030]
After that, the control unit 100 drives the motor M. As a result, the holding roller 33 is driven to rotate. Along with this, the wafer W rotates at a low speed. Further, the control unit 100 controls the elevation drive units 65 and 85 to move the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 in directions approaching each other. As a result, the wafer W held by the holding rollers 13 and 33 is sandwiched by the cleaning brushes 66 and 86, and the upper and lower surfaces of the wafer W are rubbed by the cleaning brushes 66 and 86.
[0031]
As a result, the upper and lower surfaces of the wafer W are scrub-cleaned by the cleaning brushes 66 and 86 while the chemical solution is supplied. In this case, the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are arranged so as to cover the surface area of the wafer W from the center to the peripheral edge of the wafer W, and the wafer W is also rotated at a low speed. The entire upper and lower surfaces of W are scrub-cleaned.
[0032]
By the way, at the time of this scrub cleaning, the contact portion 72d of the second brush portion 72 of the cleaning brush 66 is substantially in line contact with the upper surface of the wafer W. Therefore, the slurry removed from the upper surface of the wafer W as a result of the scrub cleaning is pushed by the side surface portion 72c of the convex portion 72b of the second brush portion 72 without being captured by the cleaning brush 66, and the cleaning brush 66 is removed. The wafer W is swept out of the wafer W by the centrifugal force generated by the rotational force.
[0033]
Since the contact portion of the second brush portion of the cleaning brush 86 is substantially in linear contact with the lower surface of the wafer W, the same can be said for the lower surface of the wafer W. When the scrub cleaning with the chemical solution is completed, the control unit 100 controls the elevation driving units 65 and 85 to move the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 away from the wafer W, and the cleaning brush 66 from the wafer W. , 86 away. Then, the three-way valves 68 and 88 are controlled so that the cleaning pipes 67 and 87 and the pure water supply paths 70 and 90 are connected. As a result, pure water is supplied from the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8, and the chemical liquid remaining on the upper and lower surfaces of the wafer W is washed away.
[0034]
When pure water is supplied in the next step, it is not necessary to supply pure water from the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8.
As described above, according to the present embodiment, the holding rollers 13, 33 for holding the end surfaces of the wafer W are rotated by the motor M, so that the wafer W rotates with respect to the wafer holding device 6, and the wafer W is moved. The contact portions that contact the holding rollers 13 and 33 always change. Further, the cleaning brushes 66 and 86 of the double-sided cleaning device 9 are rotated while being in contact with the surface of the wafer W in a region from the center to the peripheral edge of the wafer W. Further, the double-sided cleaning device 9 disposed opposite to the wafer W with scrubbing cleans the upper and lower surfaces of the wafer W. Therefore, from the above, foreign substances on the entire upper surface and lower surface of the wafer W including the peripheral portion of the wafer W can be favorably removed.
[0035]
Further, the cleaning brushes 66 and 86 of the double-sided cleaning device 9 for cleaning the wafer W can remove foreign matters from the peripheral portion of the wafer W without interference with the holding rollers 13 and 33. The service life of 66 and 86 can be improved. The description of one embodiment of the present invention is as described above, but the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the case where the wafer W is cleaned is described. However, the present invention is applicable to cleaning various other substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display device and a PDP (plasma display panel) substrate. It can be widely applied to
[0036]
In addition, various design changes can be made within the scope of the technical matters described in the claims.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of a wafer cleaning apparatus that is a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1, partially omitted and conceptually illustrated;
FIG. 3 is a diagram for explaining a driving mechanism of a holding roller.
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a cleaning brush.
FIG. 5 is a view showing a cross-sectional shape of a second brush portion of the cleaning brush.
FIG. 6 is a block diagram illustrating an electrical configuration of the wafer cleaning apparatus.
FIG. 7 is a conceptual diagram of the configuration of a conventional device as viewed from above.
FIG. 8 is a conceptual view of the configuration of a conventional device as viewed from the side.
FIG. 9 is a view showing a configuration of a conventional cleaning brush.
[Explanation of symbols]
6. Wafer holding device (substrate holding means)
7, 8 Cleaning liquid supply nozzle 9 Double-sided cleaning device (substrate cleaning means)
10, 30 Holding hands 13, 33 Holding rollers 43, 44, 45 Belt 60 Upper surface cleaning unit 80 Lower surface cleaning unit 61, 81 Mounting surface 62, 82 Base unit 64, 84 Rotation drive unit (rotation drive unit)
65,85 Lifting drive unit 66,86 Cleaning brush (brush unit)
67,87 Cleaning pipe (cleaning liquid supply means)
68, 88 Three-way valve 69, 89 Chemical solution supply path 70, 90 Pure water supply path 72 Second brush part 72b Convex part 72d Contact part 100 Control unit M Motor (roller driving means)
W wafer

Claims (5)

基板の端面の少なくとも3箇所において接触して、基板を保持する保持用ローラ、およびこれら保持用ローラのうち少なくとも一つを上記基板に対してほぼ垂直な軸回りに回転させるローラ駆動手段を有する基板保持手段と、
上記基板保持手段に保持された基板に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段と、
この洗浄液供給手段に連結された洗浄液供給ノズルと、
上記基板保持手段に保持された基板の少なくとも周縁部を洗浄する基板洗浄手段とを備え、
上記基板洗浄手段は、回転駆動手段によって、上記基板保持手段に保持された基板に対してほぼ垂直な軸回りに回転されるベース部と、このベース部に固設され、上記基板の表面に対して接触するブラシ部とを有するスクラブ洗浄部材を含むものであり、
上記洗浄液供給ノズルは、上記スクラブ洗浄部材のブラシ部の中央付近に配置されており、
上記スクラブ洗浄部材の上記ブラシ部は、上記ベース部のほぼ中央に配置された第1ブラシ部と、この第1ブラシ部の周囲に配置された第2ブラシ部とに分離されており、
上記第1ブラシ部には、上記洗浄液供給ノズルから吐出される洗浄液を基板の周縁部に向けて広げるための溝が、上記洗浄液供給ノズルから上記第2ブラシ部に向かう方向に沿って形成されていることを特徴とする基板処理装置。
A substrate having a holding roller for holding a substrate in contact with at least three places on an end surface of the substrate, and a roller driving means for rotating at least one of the holding rollers about an axis substantially perpendicular to the substrate. Holding means;
Cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the substrate held by the substrate holding means,
A cleaning liquid supply nozzle connected to the cleaning liquid supply means,
Substrate cleaning means for cleaning at least a peripheral portion of the substrate held by the substrate holding means,
The substrate cleaning means is, by a rotation driving means, a base portion which is rotated about an axis substantially perpendicular to the substrate held by the substrate holding means, and is fixed to the base portion, and is fixed to the surface of the substrate. Including a scrub cleaning member having a brush portion that comes into contact with
The cleaning liquid supply nozzle is disposed near the center of the brush portion of the scrub cleaning member,
The brush part of the scrub cleaning member is separated into a first brush part disposed substantially at the center of the base part and a second brush part disposed around the first brush part.
A groove for spreading the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid supply nozzle toward the peripheral portion of the substrate is formed in the first brush section along a direction from the cleaning liquid supply nozzle toward the second brush section. A substrate processing apparatus.
上記回転駆動手段は、上記基板保持手段に保持されて回転される基板とは反対方向に上記ベース部を回転するものであることを特徴とする請求項記載の基板処理装置。The rotary drive means, the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the the substrate is rotated is held by the substrate holding means is for rotating the base portion in the opposite direction. 上記スクラブ洗浄部材のブラシ部は、上記基板の中心部から周縁部にいたる領域を覆うように配置されたものであることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the brush portion of the scrub cleaning member is disposed so as to cover a region from a center portion to a peripheral portion of the substrate. 上記スクラブ洗浄部材を一対備え、この一対のスクラブ洗浄部材は、上記基板保持手段に保持された基板を上方および下方から挟むように対向配置され、上記基板の上面および下面をスクラブ洗浄するものであることを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載の基板処理装置。 A pair of the scrubbing member, the pair of scrub cleaning member is disposed opposite so as to sandwich the substrate held by the substrate holding means from above and below, intended to scrub clean the upper and lower surfaces of the substrate the substrate processing apparatus according to any one of 3 claims 1, characterized in that. 上記スクラブ洗浄部材のブラシ部は、上記ベース部に十字状に配置されていることを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載の基板処理装置。Brush portion of the scrubbing member is a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it is arranged in a cross shape to the base portion.
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