JPH10289496A - 情報の記録再生方法及び記録再生装置 - Google Patents
情報の記録再生方法及び記録再生装置Info
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- JPH10289496A JPH10289496A JP9113537A JP11353797A JPH10289496A JP H10289496 A JPH10289496 A JP H10289496A JP 9113537 A JP9113537 A JP 9113537A JP 11353797 A JP11353797 A JP 11353797A JP H10289496 A JPH10289496 A JP H10289496A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、色素の退色等による記録情報の逸失
がなく再現性の良い、記録密度が高く、装置構成の簡便
な、情報の記録再生方法及び記録再生装置を提供するこ
とを目的としている。 【解決手段】本発明は、情報の記録再生方法及び記録再
生装置において電極層上に電圧印加により発光する有機
化合物からなる記録媒体層が形成された記録媒体を備
え、該記録媒体層に導電部を有する探針を近接させ、該
探針と該記録媒体層との任意の位置で電圧を印加して情
報の記録を行い、該記録部における電圧印加による発光
特性の変化を光学的に検知して該記録された情報の再生
を行うことを特徴とするものである。
がなく再現性の良い、記録密度が高く、装置構成の簡便
な、情報の記録再生方法及び記録再生装置を提供するこ
とを目的としている。 【解決手段】本発明は、情報の記録再生方法及び記録再
生装置において電極層上に電圧印加により発光する有機
化合物からなる記録媒体層が形成された記録媒体を備
え、該記録媒体層に導電部を有する探針を近接させ、該
探針と該記録媒体層との任意の位置で電圧を印加して情
報の記録を行い、該記録部における電圧印加による発光
特性の変化を光学的に検知して該記録された情報の再生
を行うことを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電圧印加により発光
する材料からなる記録媒体を用いた情報の記録再生方法
及び記録再生装置に関する。
する材料からなる記録媒体を用いた情報の記録再生方法
及び記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年メモリ材料の用途は、コンピュータ
及びその関連機器、ビデオディスク、デジタルオーディ
オディスク等のエレクトロニクス産業の中枢をなすもの
であり、光磁気ディスクのように光を用いた情報の記録
再生は各種製品に応用されている。現在そして今後、メ
モリに要求されるのは、一層（１）高密度で記録容量が
大きい（２）記録再生の応答速度が速い（３）生産性が
高く価格が安い（４）消費電力が少ない等の仕様であ
る。現在ある光技術をより発展させ上記の仕様を満たす
には、光素子を小型化するという一つの基本技術が必要
になる。しかし光には回折という性質があるために、光
の波長が光素子サイズの下限となる。また、光素子の評
価システムも同じく光の回折を利用しているため、例え
ば試料の観察においても光の波長以下の分解能は原理的
に得られない。その中で近年、光波長以下の空間での電
磁相互作用を媒介する場（いわゆるエバネッセント場）
として光を利用し、従来の光学系では困難だったナノメ
ータースケールでの物質評価や微細加工を行おうとする
試みがなされている。これをメモリ技術の観点から考え
ると、例えばエバネッセント場の分布を利用・制御し、
例えば分子オーダー（ｎｍ）以下で情報の高密度記録再
生を行なうことが期待される。
及びその関連機器、ビデオディスク、デジタルオーディ
オディスク等のエレクトロニクス産業の中枢をなすもの
であり、光磁気ディスクのように光を用いた情報の記録
再生は各種製品に応用されている。現在そして今後、メ
モリに要求されるのは、一層（１）高密度で記録容量が
大きい（２）記録再生の応答速度が速い（３）生産性が
高く価格が安い（４）消費電力が少ない等の仕様であ
る。現在ある光技術をより発展させ上記の仕様を満たす
には、光素子を小型化するという一つの基本技術が必要
になる。しかし光には回折という性質があるために、光
の波長が光素子サイズの下限となる。また、光素子の評
価システムも同じく光の回折を利用しているため、例え
ば試料の観察においても光の波長以下の分解能は原理的
に得られない。その中で近年、光波長以下の空間での電
磁相互作用を媒介する場（いわゆるエバネッセント場）
として光を利用し、従来の光学系では困難だったナノメ
ータースケールでの物質評価や微細加工を行おうとする
試みがなされている。これをメモリ技術の観点から考え
ると、例えばエバネッセント場の分布を利用・制御し、
例えば分子オーダー（ｎｍ）以下で情報の高密度記録再
生を行なうことが期待される。
【０００３】実際、微小プローブの先端開口もしくは試
料表面からしみだすエバネッセント光を利用して物質表
面状態を調べる走査型近接場光顕微鏡（以下ＳＮＯＭ）
が開発され、例えば蛍光色素やフォトクロミック材料を
用いて、いわゆる記録ビットに相当するような該材料の
局所的な蛍光発光もしくは光透過率変化を測定した例が
ある［Ｅ．Ｃｏｈｅｎ ｅｔ ａｌ．Ｐｈｙｓ．Ｒｅ
ｖ．Ｂ２５，３８２８，（１９８２）］。その原理を図
７に示す。同図（ａ）はＣモードと呼ばれる。この方法
は試料７２下面から全反射光７６を入射することで基板
表面にしみだすエバネッセント場７３が、試料７２によ
り散乱される（７４）を微小開口を持つ探針７５（透
明、開口部に金属薄膜コート）により測定される。同図
（ｂ）はＩモードと呼ばれ、該探針７５から試料７２を
エバネッセント場７３で照射した場合に、試料７２によ
る散乱光７４を再度同じ探針７５で検出する。
料表面からしみだすエバネッセント光を利用して物質表
面状態を調べる走査型近接場光顕微鏡（以下ＳＮＯＭ）
が開発され、例えば蛍光色素やフォトクロミック材料を
用いて、いわゆる記録ビットに相当するような該材料の
局所的な蛍光発光もしくは光透過率変化を測定した例が
ある［Ｅ．Ｃｏｈｅｎ ｅｔ ａｌ．Ｐｈｙｓ．Ｒｅ
ｖ．Ｂ２５，３８２８，（１９８２）］。その原理を図
７に示す。同図（ａ）はＣモードと呼ばれる。この方法
は試料７２下面から全反射光７６を入射することで基板
表面にしみだすエバネッセント場７３が、試料７２によ
り散乱される（７４）を微小開口を持つ探針７５（透
明、開口部に金属薄膜コート）により測定される。同図
（ｂ）はＩモードと呼ばれ、該探針７５から試料７２を
エバネッセント場７３で照射した場合に、試料７２によ
る散乱光７４を再度同じ探針７５で検出する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の例の如く通常の
蛍光色素を記録媒体材料として用いる場合は色素の退色
による記録情報の逸失が、またフォトクロミック材料を
用いる場合は応答速度の遅さや異性化反応の熱安定性の
欠如という問題がある。また、Ｃｏ／Ｐｔへの記録を行
った例がある［Ｅ．Ｂｅｔｚｉｇ ｅｔ ａｌ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６１、１４２（１９９
２）］が、該例における記録媒体では記録ビットサイズ
が１００ｎｍと大きく、高密度記録に至っていない。さ
らに情報の再生にＣモード検出を用いると試料下面から
の光照射を行う必要から試料を積載する基板に透明性が
必要となる。
蛍光色素を記録媒体材料として用いる場合は色素の退色
による記録情報の逸失が、またフォトクロミック材料を
用いる場合は応答速度の遅さや異性化反応の熱安定性の
欠如という問題がある。また、Ｃｏ／Ｐｔへの記録を行
った例がある［Ｅ．Ｂｅｔｚｉｇ ｅｔ ａｌ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６１、１４２（１９９
２）］が、該例における記録媒体では記録ビットサイズ
が１００ｎｍと大きく、高密度記録に至っていない。さ
らに情報の再生にＣモード検出を用いると試料下面から
の光照射を行う必要から試料を積載する基板に透明性が
必要となる。
【０００５】そこで、本発明は、上記した課題を解決す
るため、色素の退色等による記録情報の逸失がなく再現
性の良い、記録密度が高く、装置構成の簡便な、情報の
記録再生方法及び記録再生装置を提供することを目的と
している。
るため、色素の退色等による記録情報の逸失がなく再現
性の良い、記録密度が高く、装置構成の簡便な、情報の
記録再生方法及び記録再生装置を提供することを目的と
している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、情報の記録再生方法及び記録再生装置をつ
ぎのように構成したことを特徴とするものである。すな
わち、本発明の情報の記録再生方法は、電極層上に電圧
印加により発光する有機化合物からなる記録媒体層が形
成された記録媒体を備え、該記録媒体層に導電部を有す
る探針を近接させ、該探針と該記録媒体層との任意の位
置で電圧を印加して情報の記録を行い、該記録部におけ
る電圧印加による発光特性の変化を光学的に検知して該
記録された情報の再生を行うことを特徴としている。ま
た、本発明の情報の記録再生方法は、前記有機化合物
が、高分子化合物を含むことを特徴としている。また、
本発明の情報の記録再生方法は、前記導電部を有する探
針が、微小開口を有し、光学的に透明であることを特徴
としている。また、本発明の情報の記録再生方法は、前
記記録部における電圧印加が、前記探針と前記記録媒体
層との間に直流電圧を印加することにより行われること
を特徴としている。また、本発明の情報の記録再生方法
は、前記記録と前記記録情報の再生とは、同一の導電性
探針で行われることを特徴としている。また、本発明の
情報の記録再生方法は、前記電極層と前記探針の導電部
とには、仕事関数に差があることを特徴としている。ま
た、本発明の情報の記録再生方法は、前記電極層と前記
記録媒体層との間に、電子もしくは正孔輸送能の高い層
を介在させたことを特徴としている。また、本発明の情
報の記録再生方法は、前記記録媒体層上に、電子もしく
は正孔輸送能の高い層を重畳させたことを特徴としてい
る。また、本発明の情報の記録再生方法は、前記電極層
と前記記録媒体層との間に電子もしくは正孔輸送能の高
い層を介在させ、かつ前記記録媒体層上に電子もしくは
正孔輸送能の高い層を重畳させたことを特徴としてい
る。
決するため、情報の記録再生方法及び記録再生装置をつ
ぎのように構成したことを特徴とするものである。すな
わち、本発明の情報の記録再生方法は、電極層上に電圧
印加により発光する有機化合物からなる記録媒体層が形
成された記録媒体を備え、該記録媒体層に導電部を有す
る探針を近接させ、該探針と該記録媒体層との任意の位
置で電圧を印加して情報の記録を行い、該記録部におけ
る電圧印加による発光特性の変化を光学的に検知して該
記録された情報の再生を行うことを特徴としている。ま
た、本発明の情報の記録再生方法は、前記有機化合物
が、高分子化合物を含むことを特徴としている。また、
本発明の情報の記録再生方法は、前記導電部を有する探
針が、微小開口を有し、光学的に透明であることを特徴
としている。また、本発明の情報の記録再生方法は、前
記記録部における電圧印加が、前記探針と前記記録媒体
層との間に直流電圧を印加することにより行われること
を特徴としている。また、本発明の情報の記録再生方法
は、前記記録と前記記録情報の再生とは、同一の導電性
探針で行われることを特徴としている。また、本発明の
情報の記録再生方法は、前記電極層と前記探針の導電部
とには、仕事関数に差があることを特徴としている。ま
た、本発明の情報の記録再生方法は、前記電極層と前記
記録媒体層との間に、電子もしくは正孔輸送能の高い層
を介在させたことを特徴としている。また、本発明の情
報の記録再生方法は、前記記録媒体層上に、電子もしく
は正孔輸送能の高い層を重畳させたことを特徴としてい
る。また、本発明の情報の記録再生方法は、前記電極層
と前記記録媒体層との間に電子もしくは正孔輸送能の高
い層を介在させ、かつ前記記録媒体層上に電子もしくは
正孔輸送能の高い層を重畳させたことを特徴としてい
る。
【０００７】さらに、本発明の情報の記録再生装置は、
電極層上に電圧印加により発光する有機化合物からなる
記録媒体層が形成された記録媒体を備え、該記録媒体層
に導電部を有する探針を近接させ、該探針と該記録媒体
層との任意の位置で電圧印加手段により電圧印加するこ
とによって情報の記録を行い、該記録部における該電圧
印加による発光特性の変化を光学的に検知して該記録さ
れた情報の再生を行うことを特徴としている。また、本
発明の情報の記録再生装置は、前記記録媒体層を形成す
る有機化合物が、高分子化合物を含むことを特徴として
いる。また、本発明の情報の記録再生装置は、前記導電
部を有する探針が、微小開口を有し、光学的に透明に構
成されていることを特徴としている。また、本発明の情
報の記録再生装置は、前記電圧印加手段が、前記探針と
前記記録媒体層との間への直流電圧の印加手段であるこ
とを特徴としている。また、本発明の情報の記録再生装
置は、前記記録と前記記録情報の再生とが、同一の導電
性探針で行われることを特徴としている。また、本発明
の情報の記録再生装置は、前記電極層と前記探針の導電
部とは、仕事関数の異なる組み合わせにより構成されて
いることを特徴としている。また、本発明の情報の記録
再生装置は、前記電極層と前記記録媒体層との間に、電
子もしくは正孔輸送能の高い層が介在されていることを
特徴としている。また、本発明の情報の記録再生装置
は、前記記録媒体層上に、電子もしくは正孔輸送能の高
い層を重畳されていることを特徴としている。また、本
発明の情報の記録再生装置は、前記電極層と前記記録媒
体層との間に電子もしくは正孔輸送能の高い層が介在さ
れ、かつ前記記録媒体層上に電子もしくは正孔輸送能の
高い層を重畳されていることを特徴としている。
電極層上に電圧印加により発光する有機化合物からなる
記録媒体層が形成された記録媒体を備え、該記録媒体層
に導電部を有する探針を近接させ、該探針と該記録媒体
層との任意の位置で電圧印加手段により電圧印加するこ
とによって情報の記録を行い、該記録部における該電圧
印加による発光特性の変化を光学的に検知して該記録さ
れた情報の再生を行うことを特徴としている。また、本
発明の情報の記録再生装置は、前記記録媒体層を形成す
る有機化合物が、高分子化合物を含むことを特徴として
いる。また、本発明の情報の記録再生装置は、前記導電
部を有する探針が、微小開口を有し、光学的に透明に構
成されていることを特徴としている。また、本発明の情
報の記録再生装置は、前記電圧印加手段が、前記探針と
前記記録媒体層との間への直流電圧の印加手段であるこ
とを特徴としている。また、本発明の情報の記録再生装
置は、前記記録と前記記録情報の再生とが、同一の導電
性探針で行われることを特徴としている。また、本発明
の情報の記録再生装置は、前記電極層と前記探針の導電
部とは、仕事関数の異なる組み合わせにより構成されて
いることを特徴としている。また、本発明の情報の記録
再生装置は、前記電極層と前記記録媒体層との間に、電
子もしくは正孔輸送能の高い層が介在されていることを
特徴としている。また、本発明の情報の記録再生装置
は、前記記録媒体層上に、電子もしくは正孔輸送能の高
い層を重畳されていることを特徴としている。また、本
発明の情報の記録再生装置は、前記電極層と前記記録媒
体層との間に電子もしくは正孔輸送能の高い層が介在さ
れ、かつ前記記録媒体層上に電子もしくは正孔輸送能の
高い層を重畳されていることを特徴としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、上記した構成により、
記録・再生動作において、色素の退色等による記録情報
の逸失をなくすことができ、したがって、再現性の良い
情報の記録再生方法及び装置を実現することができる。
また、本発明の構成によると記録ビットサイズを約１０
ｎｍ程度にすることができ、これにより、単位面積当た
りの記録密度を従来の１００倍とすることが可能とな
る。さらに、本発明によると、記録媒体が電圧印加によ
り発光する材料により構成されているため、記録媒体を
発光させるための励起光学系が不用となり、また、記録
媒体を積層するための基板に透明性や半透明性を求める
必要がなく、装置構成の簡便化を図ることができる。
記録・再生動作において、色素の退色等による記録情報
の逸失をなくすことができ、したがって、再現性の良い
情報の記録再生方法及び装置を実現することができる。
また、本発明の構成によると記録ビットサイズを約１０
ｎｍ程度にすることができ、これにより、単位面積当た
りの記録密度を従来の１００倍とすることが可能とな
る。さらに、本発明によると、記録媒体が電圧印加によ
り発光する材料により構成されているため、記録媒体を
発光させるための励起光学系が不用となり、また、記録
媒体を積層するための基板に透明性や半透明性を求める
必要がなく、装置構成の簡便化を図ることができる。
【０００９】以下、本発明の内容を図に基づいて、更に
詳細に説明する。図１は本発明の記録再生方法を表わす
一例である。１０はガラス・石英・非ドープ型シリコン
ウエハ等の絶縁性基板である。１１はその上に記録媒体
を直接に形成するための電極基板であり、該基板はその
表面が導電性であり平滑なものであればどのような材料
を用いてもよく、例えば金、白金、銀、銅、パラジウ
ム、アルミニウム、インジウム、タングステン、スズ、
鉛などの金属もしくはこれらの合金、更にはグラファイ
トやシリサイド、またさらにはＩＴＯ等の導電性酸化
物、ｎまたはｐ−ドープシリコン等数多くの材料が挙げ
られる。該基板１１の一部に上記と同様の導電性材料か
らなる引き出し電極１２を形成しておき、後述のように
記録媒体１３に電圧を印加できるようにする。上記１１
及び１２の作製方法としては真空蒸着法、スパッタリン
グ法、印刷法などを用いることができる。
詳細に説明する。図１は本発明の記録再生方法を表わす
一例である。１０はガラス・石英・非ドープ型シリコン
ウエハ等の絶縁性基板である。１１はその上に記録媒体
を直接に形成するための電極基板であり、該基板はその
表面が導電性であり平滑なものであればどのような材料
を用いてもよく、例えば金、白金、銀、銅、パラジウ
ム、アルミニウム、インジウム、タングステン、スズ、
鉛などの金属もしくはこれらの合金、更にはグラファイ
トやシリサイド、またさらにはＩＴＯ等の導電性酸化
物、ｎまたはｐ−ドープシリコン等数多くの材料が挙げ
られる。該基板１１の一部に上記と同様の導電性材料か
らなる引き出し電極１２を形成しておき、後述のように
記録媒体１３に電圧を印加できるようにする。上記１１
及び１２の作製方法としては真空蒸着法、スパッタリン
グ法、印刷法などを用いることができる。
【００１０】なお、該基板１１表面に必要に応じてその
表面を一様に疎水性もしくは親水性を付与する。方法は
特に限定しないが、上記に掲げた導電性基板１１の種類
によって最適な方法を選択することが好ましい。疎水性
付与の場合、例えば貴金属や金属酸化物材料に対しては
該基板表面を適当な方法で洗浄した後に後述のラングミ
ュア・ブロジェット（以下ＬＢ）法により脂肪酸もしく
はその誘導体などの両親媒性物質を積層することで達成
される。特に金の場合、チオール基やアミノ基を末端に
有する炭化水素化合物と反応させることも可能である。
またシリコンを用いる場合、該基板表面を適当な方法で
洗浄した後に上記のＬＢ法で両親媒性物質またはフッ化
水素酸もしくは同塩を含む溶液で処理する、もしくは前
記洗浄後にシランカップリング剤で処理する方法等があ
る。親水性付与の場合、オゾンアッシング・クロム酸混
液浸漬等を行う。
表面を一様に疎水性もしくは親水性を付与する。方法は
特に限定しないが、上記に掲げた導電性基板１１の種類
によって最適な方法を選択することが好ましい。疎水性
付与の場合、例えば貴金属や金属酸化物材料に対しては
該基板表面を適当な方法で洗浄した後に後述のラングミ
ュア・ブロジェット（以下ＬＢ）法により脂肪酸もしく
はその誘導体などの両親媒性物質を積層することで達成
される。特に金の場合、チオール基やアミノ基を末端に
有する炭化水素化合物と反応させることも可能である。
またシリコンを用いる場合、該基板表面を適当な方法で
洗浄した後に上記のＬＢ法で両親媒性物質またはフッ化
水素酸もしくは同塩を含む溶液で処理する、もしくは前
記洗浄後にシランカップリング剤で処理する方法等があ
る。親水性付与の場合、オゾンアッシング・クロム酸混
液浸漬等を行う。
【００１１】該基板１１上に記録媒体１３として電圧印
加により発光する有機化合物を薄膜として塗布する。本
来、該記録媒体１３の材料は電圧印加により発光する有
機化合物であればその種類を特に制限をしないが、後述
の薄膜化の際に該薄膜が上記電極形状の端面で断裂した
り、該薄膜中にピンホール等の欠陥が生じにくいよう高
分子化合物を使用するのが好ましい。例えば［Ｊ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１０１
４，１９８８］に開示されているところのポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）をはじめ、溶媒に可溶な各種高分子
化合物［Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５８，１９
８２（１９９１）、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈ
ｙｓ．，１９５，１９３３（１９９４）］を用いること
もできる。塗布法は該材料の溶液または混合液を使用し
て印刷法、スピンコーティング法、キャスティング法、
ディッピング法、バーコート法、ロールコート法、ＬＢ
法等を用いることが出来る。ＬＢ法は得られる累積膜の
均一性が高くまた膜厚を１分子のオーダーで制御できる
・単位面積当たりの材料密度が高くかつ均一である・累
積膜作成時の条件が温和である・公知の方法もしくは装
置を使用することができ特別な改造を必要としない等の
特徴がある。前記記録媒体１３の膜厚としては１ｎｍ〜
１μｍが好ましく、さらに好ましくは１〜５００ｎｍで
ある。また、前記引き出し部１２等、薄膜が不要の部分
は溶剤で拭き取る等の処理をしておく。
加により発光する有機化合物を薄膜として塗布する。本
来、該記録媒体１３の材料は電圧印加により発光する有
機化合物であればその種類を特に制限をしないが、後述
の薄膜化の際に該薄膜が上記電極形状の端面で断裂した
り、該薄膜中にピンホール等の欠陥が生じにくいよう高
分子化合物を使用するのが好ましい。例えば［Ｊ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１０１
４，１９８８］に開示されているところのポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）をはじめ、溶媒に可溶な各種高分子
化合物［Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５８，１９
８２（１９９１）、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈ
ｙｓ．，１９５，１９３３（１９９４）］を用いること
もできる。塗布法は該材料の溶液または混合液を使用し
て印刷法、スピンコーティング法、キャスティング法、
ディッピング法、バーコート法、ロールコート法、ＬＢ
法等を用いることが出来る。ＬＢ法は得られる累積膜の
均一性が高くまた膜厚を１分子のオーダーで制御できる
・単位面積当たりの材料密度が高くかつ均一である・累
積膜作成時の条件が温和である・公知の方法もしくは装
置を使用することができ特別な改造を必要としない等の
特徴がある。前記記録媒体１３の膜厚としては１ｎｍ〜
１μｍが好ましく、さらに好ましくは１〜５００ｎｍで
ある。また、前記引き出し部１２等、薄膜が不要の部分
は溶剤で拭き取る等の処理をしておく。
【００１２】本発明による記録媒体１３には、例えば該
記録媒体１３（２３）と前記電極１１（２１）との間に
正孔輸送材料を含有する正孔輸送層２８を設けることも
可能である（図２）。また、該記録媒体１３（３３）と
後述の探針１４（３４）との間に電子輸送材料を含有す
る電子輸送層３８を設けることも可能である（図３）。
さらに、前記記録媒体１３（４３）と前記電極１１（４
１）との間に正孔輸送材料を含有する正孔輸送層４８を
設け、同時に該記録媒体１３（４３）と後述の探針１４
（４４）との間に電子輸送材料を含有する電子輸送層４
９を設けることも可能である（図４）。上記の電子輸送
材料または正孔輸送材料としては公知のものが使用でき
特に限定されないが、正孔輸送材料の例としてはピラゾ
リン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導
体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。ま
た、電子輸送材料の例としてはオキサジアゾール誘導
体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキ
ノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導
体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノア
ンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘
導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、
ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよび
その誘導体の金属錯体等が挙げられる。これらは単独で
用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
上記の正孔輸送層１８および電子輸送層１９は該層材料
の溶液または混合液を使用して印刷法、スピンコーティ
ング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコー
ト法、ロールコート法、ＬＢ法等を用いて形成すること
が出来る。
記録媒体１３（２３）と前記電極１１（２１）との間に
正孔輸送材料を含有する正孔輸送層２８を設けることも
可能である（図２）。また、該記録媒体１３（３３）と
後述の探針１４（３４）との間に電子輸送材料を含有す
る電子輸送層３８を設けることも可能である（図３）。
さらに、前記記録媒体１３（４３）と前記電極１１（４
１）との間に正孔輸送材料を含有する正孔輸送層４８を
設け、同時に該記録媒体１３（４３）と後述の探針１４
（４４）との間に電子輸送材料を含有する電子輸送層４
９を設けることも可能である（図４）。上記の電子輸送
材料または正孔輸送材料としては公知のものが使用でき
特に限定されないが、正孔輸送材料の例としてはピラゾ
リン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導
体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。ま
た、電子輸送材料の例としてはオキサジアゾール誘導
体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキ
ノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導
体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノア
ンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘
導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、
ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよび
その誘導体の金属錯体等が挙げられる。これらは単独で
用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
上記の正孔輸送層１８および電子輸送層１９は該層材料
の溶液または混合液を使用して印刷法、スピンコーティ
ング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコー
ト法、ロールコート法、ＬＢ法等を用いて形成すること
が出来る。
【００１３】微小開口１５を有する探針１４は、例えば
［Ｔ．Ｐａｎｇａｒｉｂａｕｍ ｅｔ ａｌ．Ｓｃａｎ
ｎｉｎｇ，１６，３６２（１９９４）］記載の方法等で
作製される、光学的に透明な探針である。更に該探針１
４に蒸着、スパッタリング等の方法で導電性材料を被覆
する（１６）。該導電性材料は上記の電極基板１１との
間で仕事関数に差があることが望ましい。例えば前記電
極基板１１にＩＴＯ、Ｐｔ、Ａｕの如く仕事関数の大き
な材料を用いた場合、該導電性材料は仕事関数の小さな
Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇ等の材料を単独もしくは混合して用い
ることが好ましい。このような組み合わせにより、後述
の如く該記録媒体１３に電圧を印加する際の発光応答が
より明確になる。
［Ｔ．Ｐａｎｇａｒｉｂａｕｍ ｅｔ ａｌ．Ｓｃａｎ
ｎｉｎｇ，１６，３６２（１９９４）］記載の方法等で
作製される、光学的に透明な探針である。更に該探針１
４に蒸着、スパッタリング等の方法で導電性材料を被覆
する（１６）。該導電性材料は上記の電極基板１１との
間で仕事関数に差があることが望ましい。例えば前記電
極基板１１にＩＴＯ、Ｐｔ、Ａｕの如く仕事関数の大き
な材料を用いた場合、該導電性材料は仕事関数の小さな
Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇ等の材料を単独もしくは混合して用い
ることが好ましい。このような組み合わせにより、後述
の如く該記録媒体１３に電圧を印加する際の発光応答が
より明確になる。
【００１４】次に前記記録媒体１３表面に前記微小開口
１５を有する探針１４を近接させる。該近接の方法は金
属の探針（プローブ電極）を、該探針と導電性物質との
間に流れるトンネル電流をモニターしながら走査して実
空間の表面構造を描くことができる走査型トンネル顕微
鏡（ＳＴＭ、［Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａｌ，Ｐｈｙ
ｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．，４９，５７（１９８
２）］）、試料と探針間に働く原子間力を検出して試料
表面の形状を観察する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ、［Ｇ．
Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔ
ｔ．，５６，９３０（１９８６）］）、またそれらの複
合装置（ＡＦＭ／ＳＴＭ、（特開平３−２７７９０３）
等の原理を直接応用することでナノメーターオーダーの
位置分解能が得られる。引き続き、該探針１４の導電性
被覆１６を通じ記録媒体１３上の任意の位置においてパ
ルス電圧を印加する。該電圧印加は少なくとも該記録媒
体１３の発光に必要な電圧を印加する。更に好ましくは
該記録媒体１３の発光に必要な電圧を越える電圧を印加
する。例えば該記録媒体が５ＶのＤＣ電圧印加で発光す
る場合、該探針１４より波高値１０Ｖ程度のパルスを印
加する。その際、該記録媒体１３側が＋となるよう電圧
印加を行う。また、該記録媒体１３側が−となるよう該
探針１４よりパルス電圧を加える場合、前記発光電圧と
同等もしくはその半分程度の波高値でよい。以上の操作
により該電圧印加部分で該探針先端の直径１０ｎｍ以下
程度の範囲で電圧印加時の発光応答性に変化をきたし、
情報が書き込まれることになる（記録、図１における記
録部１７）。引き続き前記探針１３をｘ及びｙ方向に試
料表面で走査し、同様の電圧印加を行う。
１５を有する探針１４を近接させる。該近接の方法は金
属の探針（プローブ電極）を、該探針と導電性物質との
間に流れるトンネル電流をモニターしながら走査して実
空間の表面構造を描くことができる走査型トンネル顕微
鏡（ＳＴＭ、［Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａｌ，Ｐｈｙ
ｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．，４９，５７（１９８
２）］）、試料と探針間に働く原子間力を検出して試料
表面の形状を観察する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ、［Ｇ．
Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔ
ｔ．，５６，９３０（１９８６）］）、またそれらの複
合装置（ＡＦＭ／ＳＴＭ、（特開平３−２７７９０３）
等の原理を直接応用することでナノメーターオーダーの
位置分解能が得られる。引き続き、該探針１４の導電性
被覆１６を通じ記録媒体１３上の任意の位置においてパ
ルス電圧を印加する。該電圧印加は少なくとも該記録媒
体１３の発光に必要な電圧を印加する。更に好ましくは
該記録媒体１３の発光に必要な電圧を越える電圧を印加
する。例えば該記録媒体が５ＶのＤＣ電圧印加で発光す
る場合、該探針１４より波高値１０Ｖ程度のパルスを印
加する。その際、該記録媒体１３側が＋となるよう電圧
印加を行う。また、該記録媒体１３側が−となるよう該
探針１４よりパルス電圧を加える場合、前記発光電圧と
同等もしくはその半分程度の波高値でよい。以上の操作
により該電圧印加部分で該探針先端の直径１０ｎｍ以下
程度の範囲で電圧印加時の発光応答性に変化をきたし、
情報が書き込まれることになる（記録、図１における記
録部１７）。引き続き前記探針１３をｘ及びｙ方向に試
料表面で走査し、同様の電圧印加を行う。
【００１５】このように該電圧印加を適当な領城で行っ
た後、今度は記録媒体１３と探針１４との間に前記記録
媒体が発光可能なＤＣ電圧を印加しながら該領域を再走
査する。その際、記録媒体はかかるＤＣ電圧印加で発光
するが、前記パルス電圧を印加した部分からの発光特性
が周囲、即ち前記パルス電圧印加をされなかった部分と
異なることを利用して、該発光特性の変化を前記探針１
４開口部１５付近に生じるエバネッセント場の変化とし
て検出し、書き込んだ記録を読み出す。従って、記録部
が発光しない場合、最もＳ／Ｎ比良く情報再生が可能で
ある。
た後、今度は記録媒体１３と探針１４との間に前記記録
媒体が発光可能なＤＣ電圧を印加しながら該領域を再走
査する。その際、記録媒体はかかるＤＣ電圧印加で発光
するが、前記パルス電圧を印加した部分からの発光特性
が周囲、即ち前記パルス電圧印加をされなかった部分と
異なることを利用して、該発光特性の変化を前記探針１
４開口部１５付近に生じるエバネッセント場の変化とし
て検出し、書き込んだ記録を読み出す。従って、記録部
が発光しない場合、最もＳ／Ｎ比良く情報再生が可能で
ある。
【００１６】次に、本発明の作製方法で作製した記録媒
体を用いる記録・再生装置を図５のブロック図を用いて
説明する。探針５４の先端には導電性被覆５６が施され
ている。該探針５４の原点位置を、探針変位検出手段５
６を用いて設定する。測定したい原子間力の範囲を設定
するために、カンチレバーの持つ既知のばね定数から見
積もった探針５４の原点からの変位量を設定する。この
時の変位量が探針５４と記録媒体５３の間に作用する原
子間力に相当する。次に記録媒体５３と探針５４の間隔
を近付けて測定を開始すると、探針５４の開口部５５先
端と記録媒体５３表面との間で原子間力が生じ、この力
によって探針全体がたわみにより変位する。即ち、記録
媒体５３を記録媒体１をｘｙ方向に走査したときに探針
変位検出手段５７（例えば「光てこ」法）からの出力信
号及び圧電アクチュエータ５１３に印加されるフィード
バック信号を走査信号に合わせて記録し、これらの信号
に基づいて表面凹凸像（ＡＦＭ像）をコンピュータ５９
を通して表示装置５１０に表示する。この信号はサーボ
制御手段５１１にフィードバックされる。サーボ制御手
段５１１では設定した探針２４の変位量を保つように３
次元方向に駆動自在な圧電アクチュエータ５８にドライ
ブ電圧が印加されフィードバック動作を行なう。
体を用いる記録・再生装置を図５のブロック図を用いて
説明する。探針５４の先端には導電性被覆５６が施され
ている。該探針５４の原点位置を、探針変位検出手段５
６を用いて設定する。測定したい原子間力の範囲を設定
するために、カンチレバーの持つ既知のばね定数から見
積もった探針５４の原点からの変位量を設定する。この
時の変位量が探針５４と記録媒体５３の間に作用する原
子間力に相当する。次に記録媒体５３と探針５４の間隔
を近付けて測定を開始すると、探針５４の開口部５５先
端と記録媒体５３表面との間で原子間力が生じ、この力
によって探針全体がたわみにより変位する。即ち、記録
媒体５３を記録媒体１をｘｙ方向に走査したときに探針
変位検出手段５７（例えば「光てこ」法）からの出力信
号及び圧電アクチュエータ５１３に印加されるフィード
バック信号を走査信号に合わせて記録し、これらの信号
に基づいて表面凹凸像（ＡＦＭ像）をコンピュータ５９
を通して表示装置５１０に表示する。この信号はサーボ
制御手段５１１にフィードバックされる。サーボ制御手
段５１１では設定した探針２４の変位量を保つように３
次元方向に駆動自在な圧電アクチュエータ５８にドライ
ブ電圧が印加されフィードバック動作を行なう。
【００１７】実際の記録再生は次のように実施される。
まず探針５４を記録媒体５３のｘｙ面内を走査させる。
この際得られるＡＦＭ信号と同期してコンピュータ５９
より電圧印加電源５１２を通して記録媒体２４上の任意
の位置においてパルス印加信号を出力し、記録媒体５４
上に情報を記録する。記録された情報を再生する場合は
電圧印加電源５１２より探針５４と導電性基板５２間に
バイアスＤＣ電圧を印加しながら記録動作を行なった領
域を走査し、前記の記録操作によって情報が記録された
局所部分（記録ビット）の光学特性の変化として探針５
４内を通して光学検出手段５８で検出する。この信号と
該探針５４の位置を対応させてｘｙ面内の光学特性分布
をコンピュータ５９により再構成し、表示装置５１０に
前記ＡＦＭ像と同時に表示される。
まず探針５４を記録媒体５３のｘｙ面内を走査させる。
この際得られるＡＦＭ信号と同期してコンピュータ５９
より電圧印加電源５１２を通して記録媒体２４上の任意
の位置においてパルス印加信号を出力し、記録媒体５４
上に情報を記録する。記録された情報を再生する場合は
電圧印加電源５１２より探針５４と導電性基板５２間に
バイアスＤＣ電圧を印加しながら記録動作を行なった領
域を走査し、前記の記録操作によって情報が記録された
局所部分（記録ビット）の光学特性の変化として探針５
４内を通して光学検出手段５８で検出する。この信号と
該探針５４の位置を対応させてｘｙ面内の光学特性分布
をコンピュータ５９により再構成し、表示装置５１０に
前記ＡＦＭ像と同時に表示される。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する
が、これらによって本発明は何ら制限されるものではな
い。 ［実施例１］実施例１においては、まず、本実施例で用
いる基板を以下の処方で作成した。基板１０として厚さ
０．５ｍｍの非ドープ型シリコンウエハを用い、該基板
１０にＡｕを３００Åの厚さでパターン蒸着し、電極１
１及び引き出し部１２を形成した。次に該基板１０をＵ
Ｖ−Ｏ3洗浄（６０℃、３０分）にて洗浄後、ＬＢ膜作
製装置の基板駆動機構に電極面が水面に垂直になるよう
に装着し、直ちに純水水相中に浸漬した。続いてオクタ
デシルアミン（０．３ｍｇ／ｍｌ）をクロロフォルムに
溶解し、それを該水面上に展開して表面圧２０ｍＮ／ｍ
まで圧縮し、この表面圧を維持したまま５分間静置し
た。次に前記基板駆動機構３３を作動させ、該機構に装
着した基板３０を速度１０ｍｍ／ｍｉｎで上昇させた。
この結果、基板にオクタデシルアミンが１層疎水基を外
側にして転写され、基板最表面を疎水化できた。次にポ
リ（ｐ−フェニレンビニレン）の溶媒可溶性前駆体を
［Ｍ．Ｅｒａ ｅｔａｌ Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，１０
９７（１９８８）］に記載の処方に従って前記基板３０
に１０層累積した。引き続き該基板３０を２００℃２時
間、減圧下で加熱し、最終産物としてポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）薄膜を得た。
が、これらによって本発明は何ら制限されるものではな
い。 ［実施例１］実施例１においては、まず、本実施例で用
いる基板を以下の処方で作成した。基板１０として厚さ
０．５ｍｍの非ドープ型シリコンウエハを用い、該基板
１０にＡｕを３００Åの厚さでパターン蒸着し、電極１
１及び引き出し部１２を形成した。次に該基板１０をＵ
Ｖ−Ｏ3洗浄（６０℃、３０分）にて洗浄後、ＬＢ膜作
製装置の基板駆動機構に電極面が水面に垂直になるよう
に装着し、直ちに純水水相中に浸漬した。続いてオクタ
デシルアミン（０．３ｍｇ／ｍｌ）をクロロフォルムに
溶解し、それを該水面上に展開して表面圧２０ｍＮ／ｍ
まで圧縮し、この表面圧を維持したまま５分間静置し
た。次に前記基板駆動機構３３を作動させ、該機構に装
着した基板３０を速度１０ｍｍ／ｍｉｎで上昇させた。
この結果、基板にオクタデシルアミンが１層疎水基を外
側にして転写され、基板最表面を疎水化できた。次にポ
リ（ｐ−フェニレンビニレン）の溶媒可溶性前駆体を
［Ｍ．Ｅｒａ ｅｔａｌ Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，１０
９７（１９８８）］に記載の処方に従って前記基板３０
に１０層累積した。引き続き該基板３０を２００℃２時
間、減圧下で加熱し、最終産物としてポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）薄膜を得た。
【００１９】次に本発明による装置（図５）に記録媒体
５３として本実施例で作成した薄膜付き基板を装着し
た。次に導電性被覆１６としてＡｌを２００Å蒸着した
探針５４を該記録媒体５３に近接させ、１０μｍ□範囲
の表面を走査して凹凸状況を評価したところ、該凹凸は
走査範囲内で１ｎｍ以下であった。次に該探針５４を走
査しながら図６に示す電圧パルスを前記記録媒体５３側
が＋になるよう印加した。該探針５４を走査原点に戻し
た上で、試料−探針間に６ＶのＤＣ電圧を前記記録媒体
５３側が＋になるよう印加しながら該探針５４を記録媒
体表面上で再び走査させた。該探針５４先端の微小開口
部５５付近でのエバネッセント光を光学検出手段５８で
あるフォトダイオードで検出し、コンピュータ５９で探
針５４の位置情報と重畳させたところ、先の走査で図７
にあるような電圧パルスを印加した部分のみ、直径約１
０ｎｍ程度の領域で発光が消光された。これは図６のパ
ルス電圧により「記録」がなされた部分を「再生」した
ことを意味する。また、同様の作用は走査面内及び記録
媒体５３上の位置によらず観察された。また、上記の方
法で記録が行われた記録媒体を常温常圧で保管し、第１
回目の再生から時間の経過と共に再生動作を行ったとこ
ろ、再生状態に特に変化を見なかった。
５３として本実施例で作成した薄膜付き基板を装着し
た。次に導電性被覆１６としてＡｌを２００Å蒸着した
探針５４を該記録媒体５３に近接させ、１０μｍ□範囲
の表面を走査して凹凸状況を評価したところ、該凹凸は
走査範囲内で１ｎｍ以下であった。次に該探針５４を走
査しながら図６に示す電圧パルスを前記記録媒体５３側
が＋になるよう印加した。該探針５４を走査原点に戻し
た上で、試料−探針間に６ＶのＤＣ電圧を前記記録媒体
５３側が＋になるよう印加しながら該探針５４を記録媒
体表面上で再び走査させた。該探針５４先端の微小開口
部５５付近でのエバネッセント光を光学検出手段５８で
あるフォトダイオードで検出し、コンピュータ５９で探
針５４の位置情報と重畳させたところ、先の走査で図７
にあるような電圧パルスを印加した部分のみ、直径約１
０ｎｍ程度の領域で発光が消光された。これは図６のパ
ルス電圧により「記録」がなされた部分を「再生」した
ことを意味する。また、同様の作用は走査面内及び記録
媒体５３上の位置によらず観察された。また、上記の方
法で記録が行われた記録媒体を常温常圧で保管し、第１
回目の再生から時間の経過と共に再生動作を行ったとこ
ろ、再生状態に特に変化を見なかった。
【００２０】［実施例２］実施例２では他の有機化合物
を用いて記録媒体を作成した。実施例１と同様の処方で
作成した基板に［Ｉ．Ｗａｔａｎａｂｅ，ｅｔ ａｌ．
ＩＣＳＭ １９８８，Ｓａｎｔａ Ｆｅ］に記載の処方
に基づきポリチオフェンＬＢ膜を１０層、記録媒体とし
て作製した。以下、実施例１に記載の装置に該記録媒体
を装着し、実施例１に記載と同様の探針により記録再生
を行ったところ、電圧パルスを印加した部分のみ、直径
約１０ｎｍ程度の領域で発光が消光された。同様の作用
は走査面内及び記録媒体上の位置によらず観察された。
また、上記の方法で記録が行われた記録媒体を常温常圧
で保管し、第１回目の再生から時間の経過と共に再生動
作を行ったところ、再生状態に特に変化を見なかった。
を用いて記録媒体を作成した。実施例１と同様の処方で
作成した基板に［Ｉ．Ｗａｔａｎａｂｅ，ｅｔ ａｌ．
ＩＣＳＭ １９８８，Ｓａｎｔａ Ｆｅ］に記載の処方
に基づきポリチオフェンＬＢ膜を１０層、記録媒体とし
て作製した。以下、実施例１に記載の装置に該記録媒体
を装着し、実施例１に記載と同様の探針により記録再生
を行ったところ、電圧パルスを印加した部分のみ、直径
約１０ｎｍ程度の領域で発光が消光された。同様の作用
は走査面内及び記録媒体上の位置によらず観察された。
また、上記の方法で記録が行われた記録媒体を常温常圧
で保管し、第１回目の再生から時間の経過と共に再生動
作を行ったところ、再生状態に特に変化を見なかった。
【００２１】［実施例３］実施例３においては、まず、
本実施例で用いる基板を以下の処方で作成した。基板１
０として厚さ０．５ｍｍの非ドープ型シリコンウエハを
用い、該基板１０にＰｔを３００Åの厚さでパターンに
スパッタし、電極１１及び引き出し部１２を形成した。
次に該基板１０の最表面を実施例１に記載の処方に従っ
て疎水化した。次にポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の
溶媒可溶性前駆体を実施例１に記載の処方に従って基板
に１０層累積し、加熱処理を経て最終産物としてポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）薄膜を得た。以下、実施例
１に記載の装置に該記録媒体を装着し、実施例１に記載
と同様の探針により記録再生を行ったところ、電圧パル
スを印加した部分のみ、直径約１０ｎｍ程度の領域で発
光が消光された。同様の作用は走査面内及び記録媒体上
の位置によらず観察された。また、上記の方法で記録が
行われた記録媒体を常温常圧で保管し、第１回目の再生
から時間の経過と共に再生動作を行ったところ、再生状
態に特に変化を見なかった。
本実施例で用いる基板を以下の処方で作成した。基板１
０として厚さ０．５ｍｍの非ドープ型シリコンウエハを
用い、該基板１０にＰｔを３００Åの厚さでパターンに
スパッタし、電極１１及び引き出し部１２を形成した。
次に該基板１０の最表面を実施例１に記載の処方に従っ
て疎水化した。次にポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の
溶媒可溶性前駆体を実施例１に記載の処方に従って基板
に１０層累積し、加熱処理を経て最終産物としてポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）薄膜を得た。以下、実施例
１に記載の装置に該記録媒体を装着し、実施例１に記載
と同様の探針により記録再生を行ったところ、電圧パル
スを印加した部分のみ、直径約１０ｎｍ程度の領域で発
光が消光された。同様の作用は走査面内及び記録媒体上
の位置によらず観察された。また、上記の方法で記録が
行われた記録媒体を常温常圧で保管し、第１回目の再生
から時間の経過と共に再生動作を行ったところ、再生状
態に特に変化を見なかった。
【００２２】［実施例４］実施例４においては、実施例
１と同様の処方で作成した基板に、同じく実施例１に記
載の処方に従ってポリ（ｐ−フェニレンビニレン）薄膜
を得た。次に実施例１で使用した装置に記録媒体として
本実施例で作成した薄膜付き基板を装着した。次に導電
性被覆としてＡｇ−Ｍｇを２００Å蒸着した探針を該記
録媒体に近接させ、１０μｍ□範囲の表面を走査して凹
凸状況を評価したところ、該凹凸は走査範囲０．５ｎｍ
以下であった。引き続き実施例１と同様の記録再生を行
ったところ、記録媒体上で電圧パルスを印加した部分の
み、直径約１０ｎｍ程度の領域で発光が消光された。同
様の作用は走査面内及び記録媒体上の位置によらず観察
された。また、上記の方法で記録が行われた記録媒体を
常温常圧で保管し、第１回目の再生から時間の経過と共
に再生動作を行ったところ、再生状態に特に変化を見な
かった。
１と同様の処方で作成した基板に、同じく実施例１に記
載の処方に従ってポリ（ｐ−フェニレンビニレン）薄膜
を得た。次に実施例１で使用した装置に記録媒体として
本実施例で作成した薄膜付き基板を装着した。次に導電
性被覆としてＡｇ−Ｍｇを２００Å蒸着した探針を該記
録媒体に近接させ、１０μｍ□範囲の表面を走査して凹
凸状況を評価したところ、該凹凸は走査範囲０．５ｎｍ
以下であった。引き続き実施例１と同様の記録再生を行
ったところ、記録媒体上で電圧パルスを印加した部分の
み、直径約１０ｎｍ程度の領域で発光が消光された。同
様の作用は走査面内及び記録媒体上の位置によらず観察
された。また、上記の方法で記録が行われた記録媒体を
常温常圧で保管し、第１回目の再生から時間の経過と共
に再生動作を行ったところ、再生状態に特に変化を見な
かった。
【００２３】［実施例５］実施例５においては、まず、
本実施例で用いる基板を実施例１に記載の処方で作成し
た。次にポリフェニレンビニレンのメタノール可溶性誘
導体を［Ｙ−Ｅ Ｋｉｍ ｅｔ ａｌ，Ａｐｌｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６９，５９９（１９９６）］に記載
の処方に従って前記基板に７０Å、スピンコートにより
塗布した。引き続き該基板を１００℃１時間加熱し、メ
タノールを完全に乾燥させた。次に実施例１で使用した
装置に記録媒体として本実施例で作成した薄膜付き基板
を装着し、実施例１と同様の評価を行った。導電性被覆
としてＡｌを２００Å蒸着した探針による記録媒体の凹
凸状況を評価したところ、該凹凸は走査範囲で３ｎｍ以
下であり、平滑性という点で上記実施例１−４にあるＬ
Ｂ膜に劣った。引き続き実施例１と同様の記録再生を行
ったところ、記録媒体上で電圧パルスを印加した部分の
み、直径約１０ｎｍ程度の領域で発光が消光された。同
様の作用は走査面内及び記録媒体上の位置によらず観察
された。また、上記の方法で記録が行われた記録媒体を
常温常圧で保管し、第１回目の再生から時間の経過と共
に再生動作を行ったところ、再生状態に特に変化を見な
かった。
本実施例で用いる基板を実施例１に記載の処方で作成し
た。次にポリフェニレンビニレンのメタノール可溶性誘
導体を［Ｙ−Ｅ Ｋｉｍ ｅｔ ａｌ，Ａｐｌｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６９，５９９（１９９６）］に記載
の処方に従って前記基板に７０Å、スピンコートにより
塗布した。引き続き該基板を１００℃１時間加熱し、メ
タノールを完全に乾燥させた。次に実施例１で使用した
装置に記録媒体として本実施例で作成した薄膜付き基板
を装着し、実施例１と同様の評価を行った。導電性被覆
としてＡｌを２００Å蒸着した探針による記録媒体の凹
凸状況を評価したところ、該凹凸は走査範囲で３ｎｍ以
下であり、平滑性という点で上記実施例１−４にあるＬ
Ｂ膜に劣った。引き続き実施例１と同様の記録再生を行
ったところ、記録媒体上で電圧パルスを印加した部分の
み、直径約１０ｎｍ程度の領域で発光が消光された。同
様の作用は走査面内及び記録媒体上の位置によらず観察
された。また、上記の方法で記録が行われた記録媒体を
常温常圧で保管し、第１回目の再生から時間の経過と共
に再生動作を行ったところ、再生状態に特に変化を見な
かった。
【００２４】［実施例６］実施例６においては、まず、
本実施例で用いる基板を実施例１に記載の処方で作成し
た。次に、ポリイソブチルメタクリレートとＮ−Ｎ‘−
ビフェニル−Ｎ、Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１、
１‘−ビフェニル−４、４−ジアミン（ＴＰＤ）をモル
比１：１でクロロフォルム中に混合溶解し、実施例１に
用いたＬＢ膜作製装置により、前記基板に２０層累積し
た。次にポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の溶媒可溶性
前駆体を実施例１に記載の処方に従って基板に１０層累
積し、加熱処理を経て最終産物としてポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）薄膜を得た。本実施例における基板及び
記録媒体の構成模式図は図２の様になる。以下、実施例
１に記載の装置に該記録媒体を装着し、実施例１に記載
と同様の探針により記録再生を行ったところ、電圧パル
スを印加した部分のみ、直径約１０ｎｍ程度の領域で発
光が消光された。同様の作用は走査面内及び記録媒体上
の位置によらず観察された。また、上記の方法で記録が
行われた記録媒体を常温常圧で保管し、第１回目の再生
から時間の経過と共に再生動作を行ったところ、再生状
態に特に変化を見なかった。
本実施例で用いる基板を実施例１に記載の処方で作成し
た。次に、ポリイソブチルメタクリレートとＮ−Ｎ‘−
ビフェニル−Ｎ、Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１、
１‘−ビフェニル−４、４−ジアミン（ＴＰＤ）をモル
比１：１でクロロフォルム中に混合溶解し、実施例１に
用いたＬＢ膜作製装置により、前記基板に２０層累積し
た。次にポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の溶媒可溶性
前駆体を実施例１に記載の処方に従って基板に１０層累
積し、加熱処理を経て最終産物としてポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）薄膜を得た。本実施例における基板及び
記録媒体の構成模式図は図２の様になる。以下、実施例
１に記載の装置に該記録媒体を装着し、実施例１に記載
と同様の探針により記録再生を行ったところ、電圧パル
スを印加した部分のみ、直径約１０ｎｍ程度の領域で発
光が消光された。同様の作用は走査面内及び記録媒体上
の位置によらず観察された。また、上記の方法で記録が
行われた記録媒体を常温常圧で保管し、第１回目の再生
から時間の経過と共に再生動作を行ったところ、再生状
態に特に変化を見なかった。
【００２５】［実施例７］実施例７においては、まず、
本実施例で用いる基板を実施例１に記載の処方で作成し
た。次に、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の溶媒可溶
性前駆体を実施例１に記載の処方に従って基板に１０層
累積し、加熱処理を経て最終産物としてポリ（ｐ−フェ
ニレンビニレン）薄膜を得た。次に、ポリイソブチルメ
タクリレートと２−（４−ビフェニリル）−５−（４−
ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
（ＰＢＤ）をモル比１：１でクロロフォルム中に混合溶
解し、実施例１に用いたＬＢ膜作製装置により、前記薄
膜上に２０層累積した。本実施例における基板及び記録
媒体の構成模式図は図３の様になる。以下、実施例１に
記載の装置に該記録媒体を装着し、実施例１に記載と同
様の探針により記録再生を行ったところ、電圧パルスを
印加した部分のみ、直径約１０ｎｍ程度の領域で発光が
消光された。同様の作用は走査面内及び記録媒体上の位
置によらず観察された。また、上記の方法で記録が行わ
れた記録媒体を常温常圧で保管し、第１回目の再生から
時間の経過と共に再生動作を行ったところ、再生状態に
特に変化を見なかった。
本実施例で用いる基板を実施例１に記載の処方で作成し
た。次に、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の溶媒可溶
性前駆体を実施例１に記載の処方に従って基板に１０層
累積し、加熱処理を経て最終産物としてポリ（ｐ−フェ
ニレンビニレン）薄膜を得た。次に、ポリイソブチルメ
タクリレートと２−（４−ビフェニリル）−５−（４−
ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
（ＰＢＤ）をモル比１：１でクロロフォルム中に混合溶
解し、実施例１に用いたＬＢ膜作製装置により、前記薄
膜上に２０層累積した。本実施例における基板及び記録
媒体の構成模式図は図３の様になる。以下、実施例１に
記載の装置に該記録媒体を装着し、実施例１に記載と同
様の探針により記録再生を行ったところ、電圧パルスを
印加した部分のみ、直径約１０ｎｍ程度の領域で発光が
消光された。同様の作用は走査面内及び記録媒体上の位
置によらず観察された。また、上記の方法で記録が行わ
れた記録媒体を常温常圧で保管し、第１回目の再生から
時間の経過と共に再生動作を行ったところ、再生状態に
特に変化を見なかった。
【００２６】［実施例８］実施例８においては、まず、
本実施例で用いる基板を実施例１に記載の処方で作成し
た。次に、前出のＴＰＤを実施例６に記載の処方により
前記基板に２０層累積した。次にポリ（ｐ−フェニレン
ビニレン）の溶媒可溶性前駆体を実施例１に記載の処方
に従って基板に１０層累積し、加熱処理を経て最終産物
としてポリ（ｐ−フェニレンビニレン）薄膜を得た。次
に、前出のＰＢＤを実施例７に記載の処方により更に前
記記録媒体上に重畳累積した。本実施例における基板及
び記録媒体の構成模式図は図４の様になる。以下、実施
例１に記載の装置に該記録媒体を装着し、実施例１に記
載と同様の探針により記録再生を行ったところ、電圧パ
ルスを印加した部分のみ、直径約１０ｎｍ程度の領域で
発光が消光された。同様の作用は走査面内及び記録媒体
上の位置によらず観察された。また、上記の方法で記録
が行われた記録媒体を常温常圧で保管し、第１回目の再
生から時間の経過と共に再生動作を行ったところ、再生
状態に特に変化を見なかった。
本実施例で用いる基板を実施例１に記載の処方で作成し
た。次に、前出のＴＰＤを実施例６に記載の処方により
前記基板に２０層累積した。次にポリ（ｐ−フェニレン
ビニレン）の溶媒可溶性前駆体を実施例１に記載の処方
に従って基板に１０層累積し、加熱処理を経て最終産物
としてポリ（ｐ−フェニレンビニレン）薄膜を得た。次
に、前出のＰＢＤを実施例７に記載の処方により更に前
記記録媒体上に重畳累積した。本実施例における基板及
び記録媒体の構成模式図は図４の様になる。以下、実施
例１に記載の装置に該記録媒体を装着し、実施例１に記
載と同様の探針により記録再生を行ったところ、電圧パ
ルスを印加した部分のみ、直径約１０ｎｍ程度の領域で
発光が消光された。同様の作用は走査面内及び記録媒体
上の位置によらず観察された。また、上記の方法で記録
が行われた記録媒体を常温常圧で保管し、第１回目の再
生から時間の経過と共に再生動作を行ったところ、再生
状態に特に変化を見なかった。
【００２７】［実施例９］実施例９においては、まず、
本実施例で用いる基板を実施例１に記載の処方で作成し
た。次にポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の溶媒可溶性
前駆体を実施例１に記載の処方に従って基板に１０層累
積し、加熱処理を経て最終産物としてポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）薄膜を得た。本実施例における基板及び
記録媒体の構成模式図は図２の様になる。以下、実施例
１に記載の装置に該記録媒体を装着し、実施例１に記載
と同様の探針により記録再生を行った。但し、前記記録
媒体側が−となるよう探針より５ＶＤＣのパルス電圧を
加えた。引き続き実施例１に記載と同様の方法により再
生を行ったところ、電圧パルスを印加した部分のみ直径
約１０ｎｍ程度の領域で発光が消光された。同様の作用
は走査面内及び記録媒体上の位置によらず観察された。
また、上記の方法で記録が行われた記録媒体を常温常圧
で保管し、第１回目の再生から時間の経過と共に再生動
作を行ったところ、再生状態に特に変化を見なかった。
本実施例で用いる基板を実施例１に記載の処方で作成し
た。次にポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の溶媒可溶性
前駆体を実施例１に記載の処方に従って基板に１０層累
積し、加熱処理を経て最終産物としてポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）薄膜を得た。本実施例における基板及び
記録媒体の構成模式図は図２の様になる。以下、実施例
１に記載の装置に該記録媒体を装着し、実施例１に記載
と同様の探針により記録再生を行った。但し、前記記録
媒体側が−となるよう探針より５ＶＤＣのパルス電圧を
加えた。引き続き実施例１に記載と同様の方法により再
生を行ったところ、電圧パルスを印加した部分のみ直径
約１０ｎｍ程度の領域で発光が消光された。同様の作用
は走査面内及び記録媒体上の位置によらず観察された。
また、上記の方法で記録が行われた記録媒体を常温常圧
で保管し、第１回目の再生から時間の経過と共に再生動
作を行ったところ、再生状態に特に変化を見なかった。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、以上のように記録媒体を電圧
印加により発光する材料によって構成することにより、
記録・再生動作において、色素の退色等による記録情報
の逸失がなく、再現性の良い情報の記録再生方法及び装
置を実現することができる。また、本発明の構成による
と記録ビットサイズを約１０ｎｍ程度にすることがで
き、単位面積当たりの記録密度を従来の１００倍とする
ことが可能となる。さらに、本発明によると、記録媒体
が電圧印加により発光する材料により構成されているた
め、記録媒体を発光させるための励起光学系が不用とな
り、また、記録媒体を積層するための基板に透明性や半
透明性を求める必要がなく、装置構成をより簡便にする
ことができる。
印加により発光する材料によって構成することにより、
記録・再生動作において、色素の退色等による記録情報
の逸失がなく、再現性の良い情報の記録再生方法及び装
置を実現することができる。また、本発明の構成による
と記録ビットサイズを約１０ｎｍ程度にすることがで
き、単位面積当たりの記録密度を従来の１００倍とする
ことが可能となる。さらに、本発明によると、記録媒体
が電圧印加により発光する材料により構成されているた
め、記録媒体を発光させるための励起光学系が不用とな
り、また、記録媒体を積層するための基板に透明性や半
透明性を求める必要がなく、装置構成をより簡便にする
ことができる。
【図１】本発明に用いられる基板及び記録媒体の構成模
式図。
式図。
【図２】本発明に用いられる基板及び記録媒体の構成模
式図。
式図。
【図３】本発明に用いられる基板及び記録媒体の構成模
式図。
式図。
【図４】本発明に用いられる基板及び記録媒体の構成模
式図。
式図。
【図５】本発明に用いられる記録再生装置のブロック
図。
図。
【図６】記録媒体へ情報記録を行うために該記録媒体に
印加されるパルス電圧の波形図。
印加されるパルス電圧の波形図。
【図７】従来例を示す模式図であり、図７（ａ）はＣモ
ードを、図７（ｂ）はＩモードの構成図。
ードを、図７（ｂ）はＩモードの構成図。
１０，２０，３０，４０，５１：絶縁性基板 １１，２１，３１，４１，５２：導電性基板 １２，２２，２３，４２：引き出し部 １３，２３，３３，４３，５３：記録媒体 １４，２４，３４，４４，５４：探針 １５，２５，３５，４５，５５：微小開口部 １６，２６，３６，４６，５６：導電性被覆 １７，２７，３７，４７：記録部 ２８，４８：正孔輸送層 ３８，４９：電子輸送層 ５７：探針変位検出手段 ５８：光学検出手段 ５９：コンピュータ ５１０：表示装置 ５１１：サーボ制御手段 ５１２：電圧印加電源 ５１３：圧電アクチュエータ ７１：基板 ７２：試料 ７３：エバネッセント場 ７４：散乱光 ７５：微小開口を持つ探針 ７６：全反射光
Claims (18)
- 【請求項１】電極層上に電圧印加により発光する有機化
合物からなる記録媒体層が形成された記録媒体を備え、
該記録媒体層に導電部を有する探針を近接させ、該探針
と該記録媒体層との任意の位置で電圧を印加して情報の
記録を行い、該記録部における電圧印加による発光特性
の変化を光学的に検知して該記録された情報の再生を行
うことを特徴とする情報の記録再生方法。 - 【請求項２】前記有機化合物が、高分子化合物を含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の情報の記録再生方法。 - 【請求項３】前記導電部を有する探針が、微小開口を有
し、光学的に透明であることを特徴とする請求項１また
は請求項２に記載の情報の記録再生方法。 - 【請求項４】前記記録部における電圧印加は、前記探針
と前記記録媒体層との間に直流電圧を印加することによ
り行われることを特徴とする請求項１〜請求項３のいず
れか１項に記載の情報の記録再生方法。 - 【請求項５】前記記録と前記記録情報の再生とは、同一
の導電性探針で行われることを特徴とする請求項１〜請
求項４のいずれか１項に記載の記録再生方法。 - 【請求項６】前記電極層と前記探針の導電部とには、仕
事関数に差があることを特徴とする請求項１〜請求項５
のいずれか１項に記載の情報の記録再生方法。 - 【請求項７】前記電極層と前記記録媒体層との間に、電
子もしくは正孔輸送能の高い層を介在させたことを特徴
とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の情報
の記録再生方法。 - 【請求項８】前記記録媒体層上に、電子もしくは正孔輸
送能の高い層を重畳させたことを特徴とする請求項１〜
請求項６のいずれか１項に記載の情報の記録再生方法。 - 【請求項９】前記電極層と前記記録媒体層との間に電子
もしくは正孔輸送能の高い層を介在させ、かつ前記記録
媒体層上に電子もしくは正孔輸送能の高い層を重畳させ
たことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項
に記載の情報の記録再生方法。 - 【請求項１０】電極層上に電圧印加により発光する有機
化合物からなる記録媒体層が形成された記録媒体を備
え、該記録媒体層に導電部を有する探針を近接させ、該
探針と該記録媒体層との任意の位置で電圧印加手段によ
り電圧印加することによって情報の記録を行い、該記録
部における該電圧印加による発光特性の変化を光学的に
検知して該記録された情報の再生を行うことを特徴とす
る情報の記録再生装置。 - 【請求項１１】前記記録媒体層を形成する有機化合物
が、高分子化合物を含むことを特徴とする請求項１０に
記載の情報の記録再生装置。 - 【請求項１２】前記導電部を有する探針が、微小開口を
有し、光学的に透明に構成されていることを特徴とする
請求項１０または請求項１１記載の情報の記録再生装
置。 - 【請求項１３】前記電圧印加手段が、前記探針と前記記
録媒体層との間への直流電圧の印加手段であることを特
徴とする請求項１０〜請求項１２のいずれか１項に記載
の情報の記録再生装置。 - 【請求項１４】前記記録と前記記録情報の再生とが、同
一の導電性探針で行われることを特徴とする請求項１０
〜請求項１３のいずれか１項に記載の情報の記録再生装
置。 - 【請求項１５】前記電極層と前記探針の導電部とは、仕
事関数の異なる組み合わせにより構成されていることを
特徴とする請求項１０〜請求項１４のいずれか１項に記
載の情報の記録再生装置。 - 【請求項１６】前記電極層と前記記録媒体層との間に、
電子もしくは正孔輸送能の高い層が介在されていること
を特徴とする請求項１０〜請求項１５のいずれか１項に
記載の情報の記録再生装置。 - 【請求項１７】前記記録媒体層上に、電子もしくは正孔
輸送能の高い層を重畳されていることを特徴とする請求
項１０〜請求項１５のいずれか１項に記載の情報の記録
再生装置。 - 【請求項１８】前記電極層と前記記録媒体層との間に電
子もしくは正孔輸送能の高い層が介在され、かつ前記記
録媒体層上に電子もしくは正孔輸送能の高い層を重畳さ
れていることを特徴とする請求項１０〜請求項１５のい
ずれか１項に記載の情報の記録再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11353797A JP3647199B2 (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | 情報の記録再生方法及び記録再生装置 |
| US09/059,340 US6147959A (en) | 1997-04-14 | 1998-04-14 | Method and apparatus for recording/reproducing information utilizing near field light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11353797A JP3647199B2 (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | 情報の記録再生方法及び記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289496A true JPH10289496A (ja) | 1998-10-27 |
| JP3647199B2 JP3647199B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=14614842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11353797A Expired - Fee Related JP3647199B2 (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | 情報の記録再生方法及び記録再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6147959A (ja) |
| JP (1) | JP3647199B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999059147A1 (en) * | 1998-05-11 | 1999-11-18 | Seiko Instruments Inc. | Near field optical head and reproduction method |
| EP1091355A2 (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Recording medium, recording apparatus and recording method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4145985B2 (ja) * | 1998-02-10 | 2008-09-03 | セイコーインスツル株式会社 | 情報記録装置 |
| JP4157204B2 (ja) * | 1998-10-19 | 2008-10-01 | セイコーインスツル株式会社 | 情報再生装置、情報記録装置、情報再生方法および情報記録方法 |
| JP2000182270A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Minolta Co Ltd | 近接場光記録／読取り装置 |
| DE10029593A1 (de) * | 1999-07-03 | 2001-01-18 | Ibm | Verfahren und Vorrichtung zur Aufzeichnung, Speicherung und Wiedergabe von Daten |
| EP1130585B1 (en) * | 2000-02-28 | 2011-12-21 | FUJIFILM Corporation | Recording medium and information recording and reproducing method using the same |
| KR100474844B1 (ko) * | 2001-12-08 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 로렌츠력 현미경 및 로렌츠력을 이용한 자구 측정방법 |
| JP4128135B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2008-07-30 | パイオニア株式会社 | 記録再生ヘッド、該記録再生ヘッドの製造方法、並びに記録装置及び再生装置。 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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