JPH10286512A - 膜の形成方法と膜形成部品 - Google Patents
膜の形成方法と膜形成部品Info
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- JPH10286512A JPH10286512A JP9144952A JP14495297A JPH10286512A JP H10286512 A JPH10286512 A JP H10286512A JP 9144952 A JP9144952 A JP 9144952A JP 14495297 A JP14495297 A JP 14495297A JP H10286512 A JPH10286512 A JP H10286512A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基体上に膜厚１〜１０μｍの膜を好適に形成
させることができるとともに、大面積や複雑形状への適
用や、膜形成の時間短縮及びコストの削減に寄与するこ
とができる膜の形成方法と膜形成部品を提供する。 【解決手段】 粉体を分散媒中に分散・懸濁した後、得
られた懸濁液を所定の容器に投入し、遠心分離器を用い
て容器の底部に保持した基体上に粉体を沈降せしめ、次
いで熱処理することにより、基体上に膜厚１〜１０μｍ
の膜を形成させる。
させることができるとともに、大面積や複雑形状への適
用や、膜形成の時間短縮及びコストの削減に寄与するこ
とができる膜の形成方法と膜形成部品を提供する。 【解決手段】 粉体を分散媒中に分散・懸濁した後、得
られた懸濁液を所定の容器に投入し、遠心分離器を用い
て容器の底部に保持した基体上に粉体を沈降せしめ、次
いで熱処理することにより、基体上に膜厚１〜１０μｍ
の膜を形成させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、基体上に１〜１
０μｍの膜を形成する工程を有する各種電子部品、光導
波路等の光学部品、センサ等の化学部品の膜の形成方法
と膜形成部品に関する。
０μｍの膜を形成する工程を有する各種電子部品、光導
波路等の光学部品、センサ等の化学部品の膜の形成方法
と膜形成部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】 従来より、基体上に膜を形成する手段
には、物理的手法として、ＰＶＤ法やスパッタ法があ
り、化学的手法としてＣＶＤ法、ゾルゲル液を用いた方
法あるいはスクリーン印刷方法が知られている。
には、物理的手法として、ＰＶＤ法やスパッタ法があ
り、化学的手法としてＣＶＤ法、ゾルゲル液を用いた方
法あるいはスクリーン印刷方法が知られている。
【０００３】 しかしながら、従来の技術では、得られ
る膜厚の制限があり、例えば、ゾルゲル液を用いる方法
では数ｎｍ〜数百ｎｍ、スクリーン印刷法では、１０μ
ｍ以下の膜の形成は困難であった。また、ＣＶＤ法、Ｐ
ＶＤ法やスパッタ法では１μｍ以下の成膜に適している
が、大面積や複雑形状に適用が困難であり、成膜に時間
がかかり、コスト高である。以上のことから、基体上に
膜厚１〜１０μｍの膜厚を形成する手段に、好適に用い
ることができる方法がないのが現状である。
る膜厚の制限があり、例えば、ゾルゲル液を用いる方法
では数ｎｍ〜数百ｎｍ、スクリーン印刷法では、１０μ
ｍ以下の膜の形成は困難であった。また、ＣＶＤ法、Ｐ
ＶＤ法やスパッタ法では１μｍ以下の成膜に適している
が、大面積や複雑形状に適用が困難であり、成膜に時間
がかかり、コスト高である。以上のことから、基体上に
膜厚１〜１０μｍの膜厚を形成する手段に、好適に用い
ることができる方法がないのが現状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 従って、本発明は上
記した従来の課題に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、基体上に膜厚１〜１０μｍの膜を好
適に形成させることができるとともに、大面積や複雑形
状への適用や、膜形成の時間短縮及びコストの削減に寄
与することができる膜の形成方法と膜形成部品を提供す
るものである。
記した従来の課題に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、基体上に膜厚１〜１０μｍの膜を好
適に形成させることができるとともに、大面積や複雑形
状への適用や、膜形成の時間短縮及びコストの削減に寄
与することができる膜の形成方法と膜形成部品を提供す
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、粉体を分散媒中に分散・懸濁した後、得られた懸
濁液を所定の容器に投入し、遠心分離器を用いて該容器
の底部に保持した基体上に前記粉体を沈降せしめ、次い
で熱処理することにより、前記基体上に膜厚１〜１０μ
ｍの膜を形成させることを特徴とする膜の形成方法が提
供される。
れば、粉体を分散媒中に分散・懸濁した後、得られた懸
濁液を所定の容器に投入し、遠心分離器を用いて該容器
の底部に保持した基体上に前記粉体を沈降せしめ、次い
で熱処理することにより、前記基体上に膜厚１〜１０μ
ｍの膜を形成させることを特徴とする膜の形成方法が提
供される。
【０００６】 又、本発明によれば、懸濁液中に、粉体
の０．１〜１０重量％の界面活性剤を添加することが好
ましく、特に界面活性剤が、エチレンオキサイド系又は
ソルビトール系界面活性剤であることが好ましい。
の０．１〜１０重量％の界面活性剤を添加することが好
ましく、特に界面活性剤が、エチレンオキサイド系又は
ソルビトール系界面活性剤であることが好ましい。
【０００７】 更に、本発明によれば、懸濁液中に、粉
体の０．１〜１０重量％の界面活性剤及び粉体の３０重
量％以下の結合剤（バインダ）を添加することが好まし
く、特に界面活性剤が、エチレンオキサイド系又はソル
ビトール系界面活性剤であり、結合剤（バインダ）が、
ポリビニルアルコール系又はポリビニルブチラール系で
あることが好ましい。
体の０．１〜１０重量％の界面活性剤及び粉体の３０重
量％以下の結合剤（バインダ）を添加することが好まし
く、特に界面活性剤が、エチレンオキサイド系又はソル
ビトール系界面活性剤であり、結合剤（バインダ）が、
ポリビニルアルコール系又はポリビニルブチラール系で
あることが好ましい。
【０００８】 尚、本発明によれば、基体の表面が、Ｒ
ｍａｘ（最大高さ）で０．５ｍｍ以下であることが好ま
しい。
ｍａｘ（最大高さ）で０．５ｍｍ以下であることが好ま
しい。
【０００９】 又、本発明によれば、粉体と分散媒とか
らなる懸濁液が、遠心分離により基体上に沈降され、熱
処理されてなり、膜厚１〜１０μｍの膜が形成されてい
ることを特徴とする膜形成部品が提供される。尚、膜形
成部品が、電子部品、光学部品または化学部品であるこ
とが好ましい。
らなる懸濁液が、遠心分離により基体上に沈降され、熱
処理されてなり、膜厚１〜１０μｍの膜が形成されてい
ることを特徴とする膜形成部品が提供される。尚、膜形
成部品が、電子部品、光学部品または化学部品であるこ
とが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】 本発明の膜の形成方法は、粉体
を分散媒中に分散・懸濁した後、得られた懸濁液を所定
の容器に投入し、遠心分離器を用いて該容器の底部に保
持した基体上に前記粉体を沈降せしめ、次いで熱処理す
ることにより、前記基体上に膜厚１〜１０μｍの膜を形
成させたものである。
を分散媒中に分散・懸濁した後、得られた懸濁液を所定
の容器に投入し、遠心分離器を用いて該容器の底部に保
持した基体上に前記粉体を沈降せしめ、次いで熱処理す
ることにより、前記基体上に膜厚１〜１０μｍの膜を形
成させたものである。
【００１１】 上記のように本発明の膜の形成方法は、
固／液を分離する手段として広く用いられている遠心分
離法を用いることにより、膜厚１〜１０μｍの膜を好適
に形成させることができるとともに、大面積や複雑形状
への適用や、膜形成の時間短縮及びコストの削減に寄与
することができる。
固／液を分離する手段として広く用いられている遠心分
離法を用いることにより、膜厚１〜１０μｍの膜を好適
に形成させることができるとともに、大面積や複雑形状
への適用や、膜形成の時間短縮及びコストの削減に寄与
することができる。
【００１２】 更に詳細には、成膜しようとする粉体
を、分散媒により分散させ、懸濁液を調製した後、容器
底部に膜付けしたい基体を保持あるいは静置し、懸濁液
を投入後、容器を遠心分離器にかけ、遠心沈降により基
体上に粉体層を形成するものである。その後、必要な熱
処理を施すことにより、最終的に１〜１０μｍの膜厚を
有する緻密質あるいは多孔質の膜を形成することができ
る。
を、分散媒により分散させ、懸濁液を調製した後、容器
底部に膜付けしたい基体を保持あるいは静置し、懸濁液
を投入後、容器を遠心分離器にかけ、遠心沈降により基
体上に粉体層を形成するものである。その後、必要な熱
処理を施すことにより、最終的に１〜１０μｍの膜厚を
有する緻密質あるいは多孔質の膜を形成することができ
る。
【００１３】 本発明の膜の形成方法は、懸濁液中の粉
体量あるいは遠心分離の回転数及び時間により、任意の
膜厚を有する膜の形成が可能である。特に、従来技術で
困難であった膜厚１〜１０μｍの膜を比較的短時間に作
製することができる。
体量あるいは遠心分離の回転数及び時間により、任意の
膜厚を有する膜の形成が可能である。特に、従来技術で
困難であった膜厚１〜１０μｍの膜を比較的短時間に作
製することができる。
【００１４】 又、懸濁液の分散媒として用いる液体
は、特に限定されず、水でもエタノール、キシレン等の
有機溶媒でも、あるいはそれらの混合物でもよい。特
に、本発明では、分散性の高い懸濁液を調製し、遠心沈
降成膜処理に供する必要があるため、例えば、水系にお
いて、懸濁液のｐＨを、酸又はアルカリに制御すること
により、液中における粉体の界面電位（ξ電位）の絶対
値を大きくさせ、分散性の高い状態を作り出す方法が採
用されている。
は、特に限定されず、水でもエタノール、キシレン等の
有機溶媒でも、あるいはそれらの混合物でもよい。特
に、本発明では、分散性の高い懸濁液を調製し、遠心沈
降成膜処理に供する必要があるため、例えば、水系にお
いて、懸濁液のｐＨを、酸又はアルカリに制御すること
により、液中における粉体の界面電位（ξ電位）の絶対
値を大きくさせ、分散性の高い状態を作り出す方法が採
用されている。
【００１５】 しかしながら、この方法で分散させた懸
濁液から形成される膜は、粉体同士や粉体と基体との密
着性がなく、ハンドリング性が劣る場合が多い。このた
め、本発明では、酸やアルカリを使用しない又はそれら
に加え、各種の界面活性剤を添加することにより、分散
性と成膜後の膜強度を改善するとともに、更に結合剤
（バインダ）を添加することにより、熱処理後の膜の緻
密化度を改善することを可能とした。
濁液から形成される膜は、粉体同士や粉体と基体との密
着性がなく、ハンドリング性が劣る場合が多い。このた
め、本発明では、酸やアルカリを使用しない又はそれら
に加え、各種の界面活性剤を添加することにより、分散
性と成膜後の膜強度を改善するとともに、更に結合剤
（バインダ）を添加することにより、熱処理後の膜の緻
密化度を改善することを可能とした。
【００１６】 この場合、添加する界面活性剤の量は、
粉体に対して０．１〜１０重量％であることが好まし
い。尚、０．１重量％以下の場合は、膜の強度向上の効
果が少なく、１０重量％を超えると懸濁液中で凝集が生
じたり、成膜後の微細構造が不均一になるため、熱処理
後の膜にクラック等の発生を引き起こす原因となる。
粉体に対して０．１〜１０重量％であることが好まし
い。尚、０．１重量％以下の場合は、膜の強度向上の効
果が少なく、１０重量％を超えると懸濁液中で凝集が生
じたり、成膜後の微細構造が不均一になるため、熱処理
後の膜にクラック等の発生を引き起こす原因となる。
【００１７】 界面活性剤としては、陽イオン界面活性
剤や陰イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤の添加が
好ましく、エチレンオキサイド系又はソルビトール系界
面活性剤の添加がより好ましい。
剤や陰イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤の添加が
好ましく、エチレンオキサイド系又はソルビトール系界
面活性剤の添加がより好ましい。
【００１８】 そして、結合剤（バインダ）の添加量
は、粉体に対して３０重量％以下であることが好まし
い。尚、３０重量％を超えると、再凝集が生じ、膜の微
細構造が不均一になるため、結合剤の添加量は、２〜２
０重量％であることがより好ましく、５〜１０重量％で
あることが更に好ましい。これにより、脆性材料である
セラミックスの表面であっても好適に膜を緻密化するこ
とができる。
は、粉体に対して３０重量％以下であることが好まし
い。尚、３０重量％を超えると、再凝集が生じ、膜の微
細構造が不均一になるため、結合剤の添加量は、２〜２
０重量％であることがより好ましく、５〜１０重量％で
あることが更に好ましい。これにより、脆性材料である
セラミックスの表面であっても好適に膜を緻密化するこ
とができる。
【００１９】 結合剤（バインダ）としては、分散媒の
性質に応じて、セルロース系、ビニルアルコール系、ブ
チラール系、アクリル系を添加することが好ましく、特
にポリビニルアルコール系又はポリビニルブチラール系
の添加が、より好ましい。
性質に応じて、セルロース系、ビニルアルコール系、ブ
チラール系、アクリル系を添加することが好ましく、特
にポリビニルアルコール系又はポリビニルブチラール系
の添加が、より好ましい。
【００２０】 次に、本発明の膜形成方法で用いた粉体
は、特に限定されず、セラミックス、ガラス、金属等の
いずれも用いることができる。従って、絶縁体、強誘電
体、圧電体、超伝導体、ガラス又はゼオライトのような
多孔質材料の成膜に対しても好適に適用することができ
る。
は、特に限定されず、セラミックス、ガラス、金属等の
いずれも用いることができる。従って、絶縁体、強誘電
体、圧電体、超伝導体、ガラス又はゼオライトのような
多孔質材料の成膜に対しても好適に適用することができ
る。
【００２１】 尚、前記粉体の平均粒径がサブミクロン
以下、特に５０〜８００ｎｍであることが、分散媒中に
懸濁する上で好ましい。
以下、特に５０〜８００ｎｍであることが、分散媒中に
懸濁する上で好ましい。
【００２２】 また、本発明の膜形成方法で用いる基体
の表面は、平滑である必要はなく、Ｒｍａｘ（最大高
さ）が０．５ｍｍ以下であれば、膜厚の均一性を損なわ
ずに成膜することができる。尚、基体の材質は、特に限
定されず、セラミックス、ガラス、金属のいずれの材質
でもよく、基体の形状にも制限はない。
の表面は、平滑である必要はなく、Ｒｍａｘ（最大高
さ）が０．５ｍｍ以下であれば、膜厚の均一性を損なわ
ずに成膜することができる。尚、基体の材質は、特に限
定されず、セラミックス、ガラス、金属のいずれの材質
でもよく、基体の形状にも制限はない。
【００２３】 ここで、Ｒｍａｘ（最大高さ）とは、Ｊ
ＩＳ Ｂ０６５１”触針式表面粗さ測定器”によって求
めた値であり、ＪＩＳ Ｂ０６０１”表面粗さの定義と
表示”による表面粗さの表示方法の一つである。
ＩＳ Ｂ０６５１”触針式表面粗さ測定器”によって求
めた値であり、ＪＩＳ Ｂ０６０１”表面粗さの定義と
表示”による表面粗さの表示方法の一つである。
【００２４】 更に、基体の容器内での配置は、膜付け
したい面が、平底容器の底部に対してできるだけ平行に
近いことが、均一な膜厚を得る上で好ましい。また、形
成する膜をパターニングする必要がある場合には、あら
かじめマスクを形成しておき、成膜後、マスクとその上
に形成された膜を除去するリフトオフ法によりパターニ
ングが可能である。
したい面が、平底容器の底部に対してできるだけ平行に
近いことが、均一な膜厚を得る上で好ましい。また、形
成する膜をパターニングする必要がある場合には、あら
かじめマスクを形成しておき、成膜後、マスクとその上
に形成された膜を除去するリフトオフ法によりパターニ
ングが可能である。
【００２５】 遠心分離器を用いた遠心沈降処理は、懸
濁液中の粉体量及び成膜させる膜厚によりそれぞれ異な
るが、懸濁液中での粉体の凝集や成膜後の微細構造を均
一にするために、１００ｇ（ｇ：重力加速度）以上の遠
心力で行うことが好ましい。
濁液中の粉体量及び成膜させる膜厚によりそれぞれ異な
るが、懸濁液中での粉体の凝集や成膜後の微細構造を均
一にするために、１００ｇ（ｇ：重力加速度）以上の遠
心力で行うことが好ましい。
【００２６】 尚、遠心沈降処理後の熱処理の条件は、
成膜させる膜の原料である粉体の特性等によりそれぞれ
異なる。
成膜させる膜の原料である粉体の特性等によりそれぞれ
異なる。
【００２７】
【実施例】 以下、本発明の実施例を示すが、本発明は
これに限定されるものでない。
これに限定されるものでない。
【００２８】 （実施例１〜３、比較例１，２：ガラス
膜の形成方法）石英ガラス粉体（平均粒径：０．２μ
ｍ）を所定量秤量し、内径８．６ｃｍのテフロン製容器
に蒸留水２００ｃｃとともに投入し、これにアンモニア
水を滴下し、ｐＨを１０に調製した。白金箔を懸濁液の
入った容器の底部に沈め、遠心分離器にかけ１２００ｇ
（ｇ：重力加速度）の遠心力で２０ｍｉｎ遠心沈降処理
を行った。得られた成形体を、電気炉を用い１６００℃
の熱処理を行った。表１に粉体の投入量と得られた膜の
厚さを示す。
膜の形成方法）石英ガラス粉体（平均粒径：０．２μ
ｍ）を所定量秤量し、内径８．６ｃｍのテフロン製容器
に蒸留水２００ｃｃとともに投入し、これにアンモニア
水を滴下し、ｐＨを１０に調製した。白金箔を懸濁液の
入った容器の底部に沈め、遠心分離器にかけ１２００ｇ
（ｇ：重力加速度）の遠心力で２０ｍｉｎ遠心沈降処理
を行った。得られた成形体を、電気炉を用い１６００℃
の熱処理を行った。表１に粉体の投入量と得られた膜の
厚さを示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】 （考察：ガラス膜の形成方法）表１の結
果から、石英ガラスの投入量を制御することにより、１
０μｍ以下の膜厚を有する石英ガラス膜が作製可能であ
ることが判明した。
果から、石英ガラスの投入量を制御することにより、１
０μｍ以下の膜厚を有する石英ガラス膜が作製可能であ
ることが判明した。
【００３１】 （実施例４〜６、比較例３〜５：セラミ
ック膜の形成方法１）ＰＺＴ粉体（平均粒径：０．６μ
ｍ）を所定量秤量し、内径８．６ｃｍのテフロン製容器
にキシレン２００ｃｃとともに投入し、これにソルビト
ール系界面活性剤（製品名：ｓｐａｎ８５）を粉体に対
して所定量を添加し、数時間スターラーを用いて撹拌し
た。次に、白金箔を懸濁液の入った容器の底部に沈め、
遠心分離器にかけ１２００ｇ（ｇ：重力加速度）の遠心
力で２０ｍｉｎ遠心沈降処理を行った。得られた成形体
を、電気炉を用い１２５０℃、３時間の熱処理を行っ
た。表２に界面活性剤の添加量と焼成後の膜の微構造の
観察結果を示した。
ック膜の形成方法１）ＰＺＴ粉体（平均粒径：０．６μ
ｍ）を所定量秤量し、内径８．６ｃｍのテフロン製容器
にキシレン２００ｃｃとともに投入し、これにソルビト
ール系界面活性剤（製品名：ｓｐａｎ８５）を粉体に対
して所定量を添加し、数時間スターラーを用いて撹拌し
た。次に、白金箔を懸濁液の入った容器の底部に沈め、
遠心分離器にかけ１２００ｇ（ｇ：重力加速度）の遠心
力で２０ｍｉｎ遠心沈降処理を行った。得られた成形体
を、電気炉を用い１２５０℃、３時間の熱処理を行っ
た。表２に界面活性剤の添加量と焼成後の膜の微構造の
観察結果を示した。
【００３２】
【表２】
【００３３】 （考察：セラミック膜の形成方法１）表
２の結果から、界面活性剤の添加量を適切に制御するこ
とにより、クラックや剥離のない膜を得ることが可能で
あることが判明した。又、基板である白金箔が軟化し、
セラミックス膜の焼成収縮を容易にすることができるた
め、緻密な膜形成が可能であることが判明した。
２の結果から、界面活性剤の添加量を適切に制御するこ
とにより、クラックや剥離のない膜を得ることが可能で
あることが判明した。又、基板である白金箔が軟化し、
セラミックス膜の焼成収縮を容易にすることができるた
め、緻密な膜形成が可能であることが判明した。
【００３４】 （実施例７〜１５、比較例６〜１０：セ
ラミック膜の形成方法２）ＰＺＴ粉体（平均粒径：０．
６μｍ）を所定量秤量し、内径８．６ｃｍのテフロン製
容器にキシレン２００ｃｃとともに投入し、これにソル
ビトール系界面活性剤（製品名：ｓｐａｎ８５）とブチ
ラール系結合剤（製品名：ＢＬＳ）を粉体に対してそれ
ぞれ所定量を添加し、数時間スターラーを用いて撹拌し
た。次に、厚さ３００μｍのジルコニア板を懸濁液の入
った容器の底部に沈め、遠心分離器にかけ１２００ｇ
（ｇ：重力加速度）の遠心力で２０ｍｉｎ遠心沈降処理
を行った。得られた成形体を、電気炉を用い１２５０
℃、３時間の熱処理を行った。焼成後の試料について、
クラックや剥離の有無を調べるとともに、膜表面の走査
型電子顕微鏡写真を画像処理して気孔率を評価した。表
３に界面活性剤及び結合剤（バインダ）の添加量と焼成
後の膜のクラック・剥離の有無、気孔率の結果を示し
た。
ラミック膜の形成方法２）ＰＺＴ粉体（平均粒径：０．
６μｍ）を所定量秤量し、内径８．６ｃｍのテフロン製
容器にキシレン２００ｃｃとともに投入し、これにソル
ビトール系界面活性剤（製品名：ｓｐａｎ８５）とブチ
ラール系結合剤（製品名：ＢＬＳ）を粉体に対してそれ
ぞれ所定量を添加し、数時間スターラーを用いて撹拌し
た。次に、厚さ３００μｍのジルコニア板を懸濁液の入
った容器の底部に沈め、遠心分離器にかけ１２００ｇ
（ｇ：重力加速度）の遠心力で２０ｍｉｎ遠心沈降処理
を行った。得られた成形体を、電気炉を用い１２５０
℃、３時間の熱処理を行った。焼成後の試料について、
クラックや剥離の有無を調べるとともに、膜表面の走査
型電子顕微鏡写真を画像処理して気孔率を評価した。表
３に界面活性剤及び結合剤（バインダ）の添加量と焼成
後の膜のクラック・剥離の有無、気孔率の結果を示し
た。
【００３５】
【表３】
【００３６】 （考察：セラミック膜の形成方法２）表
３の結果から、界面活性剤の添加量を適切に制御するこ
とにより、クラックや剥離のない膜を得ることが可能で
あることが判明した。又、界面活性剤及び結合剤（バイ
ンダ）の添加量を適切に制御することによって、脆性材
料であるジルコニア板の表面に、より緻密な膜形成が可
能であることが判明した。
３の結果から、界面活性剤の添加量を適切に制御するこ
とにより、クラックや剥離のない膜を得ることが可能で
あることが判明した。又、界面活性剤及び結合剤（バイ
ンダ）の添加量を適切に制御することによって、脆性材
料であるジルコニア板の表面に、より緻密な膜形成が可
能であることが判明した。
【００３７】 （実施例１６〜１８、比較例１１：セラ
ミック膜の形成方法３）Ｂｉ２２２３系超伝導体粉体
（平均粒径：０．１μｍ）を０．２ｇ秤量し、内径８．
６ｃｍのテフロン製容器に水２００ｃｃとともに投入
し、これにエチレンオキサイド系分散剤（製品名：ｔｗ
ｅｅｎ６０）を粉体に対して０．１重量％添加し、数時
間スターラーを用いて撹拌した。次に、Ｒｍａｘ（最大
高さ）の異なる銀板を懸濁液の入った容器の底部に沈
め、遠心分離器にかけ１２００ｇ（ｇ：重力加速度）の
遠心力で２０ｍｉｎ遠心沈降処理を行った。得られた成
形体を、電気炉を用い８３０℃、２０時間の熱処理を行
った。表４に銀板のＲｍａｘ（最大高さ）と膜厚の平均
値とばらつきを示した。
ミック膜の形成方法３）Ｂｉ２２２３系超伝導体粉体
（平均粒径：０．１μｍ）を０．２ｇ秤量し、内径８．
６ｃｍのテフロン製容器に水２００ｃｃとともに投入
し、これにエチレンオキサイド系分散剤（製品名：ｔｗ
ｅｅｎ６０）を粉体に対して０．１重量％添加し、数時
間スターラーを用いて撹拌した。次に、Ｒｍａｘ（最大
高さ）の異なる銀板を懸濁液の入った容器の底部に沈
め、遠心分離器にかけ１２００ｇ（ｇ：重力加速度）の
遠心力で２０ｍｉｎ遠心沈降処理を行った。得られた成
形体を、電気炉を用い８３０℃、２０時間の熱処理を行
った。表４に銀板のＲｍａｘ（最大高さ）と膜厚の平均
値とばらつきを示した。
【００３８】
【表４】
【００３９】 （考察：セラミック膜の形成方法３）表
４の結果から、Ｒｍａｘ（最大高さ）が０．５ｍｍ以下
であれば、膜厚の均一性を損なわずに成膜することがで
きることが判明した。
４の結果から、Ｒｍａｘ（最大高さ）が０．５ｍｍ以下
であれば、膜厚の均一性を損なわずに成膜することがで
きることが判明した。
【００４０】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明の膜の形
成方法と膜形成部品は、従来の技術では困難とされてい
た基体上に膜厚１〜１０μｍの膜を好適に形成させるこ
とができるとともに、大面積や複雑形状への適用や、膜
形成の時間短縮及びコストの削減に寄与することができ
る。
成方法と膜形成部品は、従来の技術では困難とされてい
た基体上に膜厚１〜１０μｍの膜を好適に形成させるこ
とができるとともに、大面積や複雑形状への適用や、膜
形成の時間短縮及びコストの削減に寄与することができ
る。
Claims (8)
- 【請求項１】 粉体を分散媒中に分散・懸濁した後、得
られた懸濁液を所定の容器に投入し、遠心分離器を用い
て該容器の底部に保持した基体上に前記粉体を沈降せし
め、次いで熱処理することにより、前記基体上に膜厚１
〜１０μｍの膜を形成させることを特徴とする膜の形成
方法。 - 【請求項２】 該懸濁液中に、粉体の０．１〜１０重量
％の界面活性剤を添加する請求項１記載の膜の形成方
法。 - 【請求項３】 該懸濁液中に、粉体の０．１〜１０重量
％の界面活性剤及び粉体の３０重量％以下の結合剤（バ
インダ）を添加する請求項１記載の膜の形成方法。 - 【請求項４】 該界面活性剤が、エチレンオキサイド系
又はソルビトール系界面活性剤である請求項２又は３に
記載の膜の形成方法。 - 【請求項５】 該結合剤（バインダ）が、ポリビニルア
ルコール系又はポリビニルブチラール系である請求項３
記載の膜の形成方法。 - 【請求項６】 該基体の表面が、Ｒｍａｘ（最大高さ）
で０．５ｍｍ以下である請求項１〜５のいずれかに記載
の膜の形成方法。 - 【請求項７】 粉体と分散媒とからなる懸濁液が、遠心
分離により基体上に沈降され、熱処理されてなり、膜厚
１〜１０μｍの膜が形成されていることを特徴とする膜
形成部品。 - 【請求項８】 該膜形成部品が、電子部品、光学部品ま
たは化学部品である請求項７記載の膜形成部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14495297A JP3883646B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-06-03 | 膜の形成方法と膜形成部品 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-30162 | 1997-02-14 | ||
| JP3016297 | 1997-02-14 | ||
| JP14495297A JP3883646B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-06-03 | 膜の形成方法と膜形成部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10286512A true JPH10286512A (ja) | 1998-10-27 |
| JP3883646B2 JP3883646B2 (ja) | 2007-02-21 |
Family
ID=26368461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14495297A Expired - Fee Related JP3883646B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-06-03 | 膜の形成方法と膜形成部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3883646B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001288324A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-16 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 結合材および成形用組成物 |
| JP2006501520A (ja) * | 2002-10-02 | 2006-01-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 平面無機デバイス |
| JP2010507018A (ja) * | 2006-10-17 | 2010-03-04 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 多孔質の金属層を安定化しかつ機能化する方法 |
| JP2013173135A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-09-05 | Ngk Insulators Ltd | 膜形成方法、及び、膜 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0693020A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-05 | Hitachi Ltd | ポリビニルアセタール系樹脂、その製法及びこれを用いたセラミックシート |
| JPH07254361A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-03 | Hitachi Ltd | 陰極線管の高密度螢光膜形成方法とその装置 |
| JPH08238613A (ja) * | 1994-11-09 | 1996-09-17 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスグリーンシートおよびそれを用いたセラミックス基板の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-03 JP JP14495297A patent/JP3883646B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3883646B2 (ja) | 2007-02-21 |
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