JPH10284575A

JPH10284575A - 基板処理方法および基板処理装置

Info

Publication number: JPH10284575A
Application number: JP9110384A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Imanishi; 保夫今西; Masami Otani; 正美大谷; Masao Tsuji; 雅夫辻; Masaki Iwami; 優樹岩見; Joichi Nishimura; 譲一西村; Akihiko Morita; 彰彦森田; Takanori Kawamoto; 隆範川本
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-04-10
Filing date: 1997-04-10
Publication date: 1998-10-23

Abstract

(57)【要約】【課題】同一の処理条件で同一の処理を並行して行う
複数の同一基板処理部が含まれているときに、処理経路
にかかわらず同一ロットの複数の基板の処理履歴が等し
くなる方法を提供する。【解決手段】基板処理時間を管理しようとする基板処
理部１６における基板処理時間が、基板搬送手段が複数
の基板処理部１０〜１８のいずれに対しても待機するこ
となく基板を搬送して複数の基板処理部を一巡するのに
要する一周搬送所要時間のうちの最長のものと同等もし
くはそれ以上となるように、基板処理部における基板処
理時間を変更する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、基板搬送手段を
複数の基板処理部に対して所定の順序で循環移動させな
がら、複数の半導体基板等の基板を１枚ずつ各基板処理
部へ順次搬送して基板に対し所要の処理をそれぞれ施す
基板処理方法、ならびに、その方法を実施するのに使用
される基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】複数の基板処理部を有し半導体基板等の
基板に対して複数の処理を順次施す基板処理装置では、
基板搬送手段、例えば単一の自走式基板搬送ロボットを
複数の基板処理部に対して所定の順序で循環移動させ、
複数の基板を１枚ずつ基板搬送ロボットにより各基板処
理部へ順次搬送して、各基板処理部で基板に対し所要の
処理をそれぞれ施すようにしている。

【０００３】基板処理装置において基板搬送ロボット
は、その搬送能力に応じて基板処理部から次の基板処理
部へと基板を搬送する。すなわち、基板搬送ロボット
は、最大搬送能力を発揮して一定速度で移動し、各基板
処理部間の搬送距離にそれぞれ応じた所定の各搬送時間
で、基板を基板処理部から次の基板処理部へと搬送して
いく。そして、各基板処理部間のそれぞれの搬送時間を
合計した時間、すなわち、基板搬送ロボットが複数の基
板処理部を一巡するのに要する時間が、いずれの基板処
理部における基板処理時間よりも長いときは、基板搬送
ロボットは、その動作を止めることなく基板を搬送し続
ける。ここで、各基板処理部間における搬送時間には、
基板処理部での基板の取出しおよび基板の投入に要する
時間を含み、基板処理部から次の基板処理部への基板の
搬送時間は、基板搬送ロボットにより基板処理部へ基板
を投入するのに要する時間と、基板搬送ロボットが基板
処理部から次の基板処理部へ移動するのに要する時間
と、基板搬送ロボットにより次の基板処理部から基板を
取り出すのに要する時間との総和である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、例えば図７
に概略平面図を示すように、複数の基板を収納可能であ
るカセット（図示せず）が載置され、処理しようとする
基板をカセットから１枚ずつ取り出して搬出するととも
に、すべての処理を終えた基板を１枚ずつ受け取って再
びカセットに収納するカセットステージ（インデクサ）
Ｓ、基板移載用のアームを備えた自走式基板搬送ロボッ
ト（図示せず）が配設された搬送ユニットＴ、ならび
に、複数の基板処理部Ａ１、Ａ２、Ｂ、Ｃから構成され
た基板処理装置において、図８に処理のフロー図を示す
ように、基板処理部Ａ１と基板処理部Ａ２とが同一の処
理条件で同一の処理を並行して行う場合、従来の基板処
理装置では以下のような問題点があった。なお、カセッ
トステージＳは、カセットからの基板の取出しおよびカ
セットへの基板の収納といった処理を行うものであり、
カセットステージＳも基板処理部の１つである。

【０００５】図８に示した処理フローにおいて、今、カ
セットステージＳおよび基板処理部Ａ１、Ａ２、Ｂ、Ｃ
におけるそれぞれの基板処理時間を、２０秒、３０秒、
３０秒、１５秒、２０秒とし、カセットステージＳと基
板処理部Ａ１との間、カセットステージＳと基板処理部
Ａ２との間、基板処理部Ａ１−Ｂ間、基板処理部Ａ２−
Ｂ間、基板処理部Ｂ−Ｃ間、および、基板処理部Ｃとカ
セットステージＳとの間におけるそれぞれの基板の搬送
時間を、５秒、８秒、５秒、８秒、５秒、５秒とする。
この処理フローにおいて、基板の処理経路としては、カ
セットステージＳ→基板処理部Ａ１→基板処理部Ｂ→基
板処理部Ｃ→カセットステージＳと一巡する経路（以
下、「経路ａ」という）と、カセットステージＳ→基板
処理部Ａ２→基板処理部Ｂ→基板処理部Ｃ→カセットス
テージＳと一巡する経路（以下、「経路ｂ」という）と
の２種類のものがある。これらの経路ａと経路ｂとにお
いて、各基板処理部における処理プログラムはそれぞれ
全く同一であるが、基板搬送ロボットが経路を一巡する
のに要する時間は、基板の搬送距離が多少異なるために
両経路で相違し、経路ａでは２０秒、経路ｂでは２６秒
である。なお、基板処理部Ａ１、Ａ２では、同一の処理
が並行して行われるので、基板処理時間は見掛け上１５
秒（＝３０秒÷２）となる。

【０００６】ここで、基板処理部のいずれか１つ、例え
ば基板処理部Ｂについてみた場合、基板搬送ロボットが
基板処理部Ｂへ処理前の基板を投入してから、基板処理
部Ｂで処理された当該基板を基板処理部Ｂから取り出す
ために基板搬送ロボットが再び基板処理部Ｂの前へ戻っ
てくるまでに、経路ａを一巡したときは２０秒の時間が
かかり、経路ｂを一巡したときは２６秒の時間がかか
る。すなわち、基板を基板処理部Ｂへ投入してから当該
基板の取り出しが可能になるまでに、経路ａでは２０
秒、経路ｂでは２６秒の時間がかかる。従って、基板処
理部Ｂにおいて基板を処理するのに必要な時間は１５秒
であるが、基板処理部Ｂ内へ投入された基板は、基板搬
送ロボットが経路ａを一巡して基板処理部Ｂの前へ戻っ
てくるときには基板処理部Ｂ内に２０秒間留まり、基板
搬送ロボットが経路ｂを一巡して基板処理部Ｂの前へ戻
ってくるときには基板処理部Ｂ内に２６秒間留まる。そ
して、基板はその間、必要とする処理時間である１５秒
を超えて基板処理部Ｂ内で処理を施されることとなる。

【０００７】この場合、基板処理部Ｂが、ホットプレー
トを備えた加熱処理部であるときは、基板搬送ロボット
が基板を基板処理部Ｂへ投入した後、基板搬送ロボット
が経路ａを一巡してくるか経路ｂを一巡してくるかによ
って基板の加熱時間が違ってくることになる。このよう
に、基板の加熱時間が経路によって違ってくると、例え
ばレジストのベーク処理では、レジスト膜の膜厚均一性
や現像処理後の線幅均一性などの処理品質の均一性に影
響することとなる。特に、最近では半導体製造プロセス
において化学増幅型レジストが使用されるようになって
いるが、化学増幅型レジストを使用した場合は、露光後
現像前に半導体基板を加熱して露光部分の反応を促進さ
せるようにするため、基板の加熱時間が異なると、化学
増幅型レジストにおける反応時間が相違することになっ
て、現像結果に大きな影響を及ぼすことになる。この結
果、同一ロットの複数の半導体基板について、経路ａで
処理されたものと経路ｂで処理されたものとで処理品質
が異なることになり、処理品質を管理する上で大きな問
題となる。

【０００８】この発明は、以上のような事情な鑑みてな
されたものであり、基板搬送手段を複数の基板処理部に
対して所定の順序で循環移動させながら、複数の基板を
１枚ずつ各基板処理部へ順次搬送して基板に対し所要の
処理をそれぞれ施す場合において、同一の処理条件で同
一の処理を並行して行う複数の同一基板処理部が含まれ
ているときに、処理経路にかかわらず同一ロットの複数
の基板の処理履歴が等しくなって、処理品質の管理が容
易で、製品歩留りを向上させることができる基板処理方
法を提供すること、ならびに、そのような方法を実施す
ることができる基板処理装置を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
基板搬送手段を複数の基板処理部に対して所定の順序で
循環移動させながら、複数の基板を１枚ずつ基板搬送手
段により各基板処理部へ順次搬送して各基板処理部で基
板に対し所要の処理をそれぞれ施す基板処理方法におい
て、前記複数の基板処理部の中に、同一の処理条件で同
一の処理を並行して行う複数の同一基板処理部が含ま
れ、前記基板搬送手段が前記複数の基板処理部のいずれ
に対しても待機することなく基板を所定速度で搬送して
複数の基板処理部を一巡するのに要する一周搬送所要時
間のうちの最長のものが、前記複数の同一基板処理部を
除くすべての基板処理部における基板処理時間、およ
び、前記複数の同一基板処理部における基板処理時間を
同一基板処理部の数で除した見掛けの基板処理時間のい
ずれよりも長いときに、前記複数の同一基板処理部を除
く基板処理部のうち基板処理時間を管理しようとする対
象基板処理部（または、同一の処理条件で同一の処理を
行う複数の同一基板処理部の基板処理時間を管理しよう
とするときは対象同一基板処理部。以下、この項におい
て同じ。）における基板処理時間（または、複数の同一
基板処理部における基板処理時間を同一基板処理部の数
で除した見掛けの基板処理時間。以下、この項において
同じ。）が、前記一周搬送所要時間のうちの最長のもの
と同等もしくはそれ以上となるように、前記対象基板処
理部における基板処理時間を変更することを特徴とす
る。

【００１０】請求項２に係る発明は、請求項１記載の基
板処理方法において、対象基板処理部が、基板を加熱処
理する加熱処理部であり、その加熱処理部における変更
された基板処理時間が、実際に基板を加熱する加熱時間
（または、加熱時間を対象同一基板処理部の数で除した
見掛けの加熱時間。以下、この項において同じ。）と、
実際に基板を加熱する前に加熱処理部へ投入された基板
を加熱処理部内で待機させる待機時間（または、待機時
間を対象同一基板処理部の数で除した見掛けの待機時
間。以下、この項において同じ。）との合計時間であっ
て、前記待機時間が、基板搬送手段の最長の一周搬送所
要時間と前記加熱時間との差と同等もしくはそれ以上の
時間であることを特徴とする。

【００１１】請求項３に係る発明は、複数の基板処理部
と、これら複数の基板処理部に対して所定の順序で循環
移動する基板搬送手段とを備え、複数の基板を１枚ずつ
前記基板搬送手段により前記各基板処理部へ順次搬送し
て各基板処理部で基板に対し所要の処理をそれぞれ施す
基板処理装置において、前記複数の基板処理部の中に、
同一の処理条件で同一の処理を並行して行う複数の同一
基板処理部を含み、前記複数の同一基板処理部を除く基
板処理部のうち基板処理時間を管理しようとする対象基
板処理部における基板処理時間が、前記基板搬送手段が
前記複数の基板処理部のいずれに対しても待機すること
なく基板を所定速度で搬送して複数の基板処理部を一巡
するのに要する一周搬送所要時間のうちの最長のものと
同等もしくはそれ以上となるように、前記対象基板処理
部における基板処理時間を変更する処理時間変更手段を
設けたことを特徴とする。

【００１２】請求項４に係る発明は、請求項３記載の基
板処理装置において、対象基板処理部が、基板を加熱処
理する加熱処理部であり、その加熱処理部が、ホットプ
レートと、基板を支持してその基板を前記ホットプレー
トの上面から離間した離間位置とホットプレートの上面
に当接もしくは近接する加熱位置との間でホットプレー
トに対し相対的に上下移動させ、基板搬送手段との間で
基板の受け渡しを行う基板支持具と、この基板支持具を
ホットプレートに対し相対的に上下移動させる上下駆動
手段とを備えて構成され、処理時間変更手段が、前記基
板搬送手段の最長の一周搬送所要時間と、前記加熱処理
部の前記加熱位置で実際に基板を加熱する加熱時間との
差を算出する演算手段と、前記基板搬送手段によって前
記加熱処理部へ投入され前記基板支持具に支持された基
板が、前記演算手段によって算出された差と同等もしく
はそれ以上の時間、前記離間位置で待機するように、前
記上下駆動手段を制御する制御手段とを有することを特
徴とする。

【００１３】請求項１に係る発明の基板処理方法では、
基板処理時間を管理しようとする対象基板処理部におけ
る基板処理時間が、基板搬送手段が複数の基板処理部の
いずれに対しても待機することなく基板を所定速度で搬
送して複数の基板処理部を一巡するのに要する一周搬送
所要時間のうちの最長のものと同等もしくはそれ以上と
なるように変更されるので、基板搬送手段が対象基板処
理部へ処理前の基板を投入した後、当該基板を対象基板
処理部から取り出すために基板搬送手段が再び対象基板
処理部の前へ戻ってきた時、複数の経路のいずれを一巡
したとしても、対象基板処理部での基板の処理が丁度終
了し、あるいは、対象基板処理部での基板の処理が未だ
終了していない。従って、対象基板処理部における基板
処理時間が処理フローを律速することになり、基板を対
象基板処理部へ投入してから当該基板の取出しが可能に
なるまっでの時間は、基板搬送手段がいずれの経路を一
巡しても、対象基板処理部における基板処理時間とな
る。このため、対象基板処理部内に基板が留まる時間、
すなわち対象基板処理部内で基板に処理が施される時間
は一定になり、処理経路の違いにより同一ロットの複数
の基板間で処理履歴に差を生じることが無くなる。

【００１４】請求項２に係る発明の基板処理方法では、
基板搬送手段によって対象基板処理部である加熱処理部
へ投入された基板は、基板搬送手段の最長の一周搬送所
要時間と実際に基板を加熱する加熱時間との差に相当す
る時間もしくはそれ以上の時間、加熱処理部内で待機さ
せられた後、実際の加熱処理が行われる。

【００１５】請求項３に係る発明の基板処理装置を使用
して基板の処理を行うときは、処理時間変更手段によ
り、基板処理時間を管理しようとする対象基板処理部に
おける基板処理時間が基板搬送手段の一周搬送所要時間
のうちの最長のものと同等もしくはそれ以上となるよう
に変更され、請求項１に係る発明の上記作用が奏され
る。

【００１６】請求項４に係る発明の装置を使用して基板
の処理を行うときは、処理時間変更手段の演算手段によ
り、基板搬送手段の最長の一周搬送所要時間と加熱処理
部で実際に基板を加熱する加熱時間との差が算出され、
制御手段により上下駆動手段が制御されて、基板搬送手
段によって対象基板処理部である加熱処理部へ投入され
基板支持具に支持された基板が、演算手段によって算出
された差と同等もしくはそれ以上の時間、ホットプレー
トの上面から離間した離間位置で待機させられる。その
待機後、基板は、上下駆動手段により基板支持具がホッ
トプレートに対し相対的に下降させられてホットプレー
トの上面に当接もしくは近接させられ、その加熱位置で
実際の加熱処理が行われる。加熱処理が終了すると、上
下駆動手段によって基板支持具がホットプレートに対し
相対的に上昇させられ、基板がホットプレートの上面か
ら離間させられる。そして、基板は、基板支持具上か
ら、熱処理部での基板の処理が行われている間に複数の
基板処理部を一巡して再び加熱処理部の前へ戻ってきた
基板搬送手段へ直ちに渡される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図１ないし図６を参照しながら説明する。

【００１８】最初に、図２は、この発明に係る基板処理
方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の
１例を示すブロック図、図３は、その装置の概略平面図
であり、これらの図により装置の概略構成について説明
する。この基板処理装置は、図７に示した装置と同様
に、カセットステージ１０を含めて５つの基板処理部と
搬送ユニット２０とから構成されている。カセットステ
ージ１０には、複数枚の基板、例えば半導体基板１を収
納可能であるカセット２が複数個載置されており、処理
しようとする基板１をカセット２から１枚ずつ取り出し
て搬送ユニット２０へ供給し、また、すべての処理を終
えた基板１を搬送ユニット２０から１枚ずつ受け取って
再びカセット２に収納する機能をもつ。カセットステー
ジ１０の他の複数の基板処理部は、例えば、それぞれス
ピンコータ２２を備え同一の処理条件で同一のコーティ
ング処理を並行して行う２つのコーティング処理部１
２、１４、ならびに、加熱処理部１６および冷却処理部
１８である。

【００１９】加熱処理部１６には、図４に要部の概略縦
断面図を示すように、ホットプレート２４が配設され、
そのホットプレート２４に穿設された貫通孔２６を貫通
して上下方向に移動する複数本、例えば３本の支持ピン
２８を有する基板支持具３０が設けられている。基板支
持具３０は、図示しない昇降駆動機構によって上昇およ
び下降させられる。この、加熱処理部１６では、図４の
（ａ）に示すように基板支持具３０が上昇した状態にお
いて、搬送ユニット２０から処理しようとする半導体基
板１を受け取り、その基板１を、ホットプレート２４の
上面から離間した離間位置で適当な時間だけ待機させた
後、図４の（ｂ）に示すように、基板支持具３０が下降
して、基板１をホットプレート２４の上面に当接もしく
は近接させる。そして、その加熱位置において基板１を
一定時間だけ加熱した後、基板支持具３０が上昇して、
基板１をホットプレート２４の上面から離間させ、熱処
理が終わった基板１を直ちに搬送ユニット２０へ渡すよ
うにしている。なお、基板支持具３０を上下移動させる
代わりに、基板支持具を固定してホットプレートを上下
移動させるようにしてもよい。冷却処理部１８にはクー
ルプレート（図示せず）が配設されており、この冷却処
理部１８において、加熱処理によって温度上昇した半導
体基板が冷却される。また、搬送ユニット２０は、すべ
ての基板処理部（カセットステージ１０を含む。以下、
同じ。）に臨むように配置されており、単一の自走式基
板搬送ロボット３２を備え、基板搬送ロボット３２は、
基板取出し用および基板投入用の２つの基板移載アーム
３４を上・下に有している。基板搬送ロボット３２は、
パルスモータ（図示せず）によって駆動され、一定速度
で基板の搬送動作を行うようになっている。

【００２０】加熱処理部１６の基板支持具３０の昇降駆
動機構は、ＣＰＵ３６からの制御信号により制御され
て、基板支持具３０の昇降および停止の各動作が行われ
る。また、カセットステージ１０を含む各基板処理部に
おける処理や搬送ユニット２０の基板搬送ロボット３２
の基板搬送も、ＣＰＵ３６によって統括制御される。さ
らに、ＣＰＵ３６では、後述するような演算処理も行わ
れる。各基板処理部における基板処理時間、基板搬送ロ
ボット３２により半導体基板１が各基板処理部間を搬送
されるそれぞれの処理部間搬送所要時間、基板の処理プ
ログラムなどの入力や設定は、キーボード３８やデイス
プレイ４０を入出力装置として行われ、また、入力され
たデータや設定された処理プログラムなどはメモリ４２
に記憶される。

【００２１】半導体基板１の一連の処理工程を簡単に説
明すると、まず、カセットステージ１０からカセット２
に収納された処理前の半導体基板１が１枚ずつ搬送ユニ
ット２０へ供給され、基板搬送ロボット３２の一方のア
ーム３４に基板１が載置される。次に、基板搬送ロボッ
ト３２がコーティング処理部１２（またはコーティング
処理部１４）の前へ移動し、コーティング処理部１２
（またはコーティング処理部１４）からレジストが塗布
された基板１を他方のアーム３４によって取り出す。そ
して、空き状態になったコーティング処理部１２（また
はコーティング処理部１４）へ一方のアーム３４上に載
置された基板１を投入する。続いて、基板搬送ロボット
３２が加熱処理部１６の前へ移動し、加熱処理部１６か
ら先に入っている基板１を一方のアーム３４によって取
り出し、空き状態になった加熱処理部１６へ他方のアー
ム３４上に載置された基板１を投入する。同様に、基板
搬送ロボット３２が加熱処理部１６から冷却処理部１８
へと移動し、基板搬送ロボット３２によって冷却処理部
１８での基板１の取出しおよび投入を行う。そして、基
板搬送ロボット３２が冷却処理部１８からカセットステ
ージ１０へ移動して、すべての処理を終えた基板１を搬
送ユニット２０からカセットステージ１０へ渡して、カ
セットステージ１０上のカセット２内へ処理済みの基板
１が収納される。このように、基板搬送ロボット３２が
各基板処理部間を循環移動しながら基板１を搬送し、基
板１が各基板処理部でそれぞれ処理され、処理済みの基
板１がカセット２内へ順次収納されていく。

【００２２】次に、この基板処理装置において基板処理
部、特に加熱処理部１６における基板処理時間を決定す
る方法、および、加熱処理部１６における基板の処理方
法について説明する。キーボード３８などを用いて各基
板処理部における標準の基板処理時間や各基板処理部間
における基板１の搬送所要時間を入力すると、ＣＰＵ３
６において図１にフローチャートを示したような演算処
理が行われる。そして、その演算処理の結果に基づい
て、ＣＰＵ３６から加熱処理部１６の基板支持具３０の
昇降駆動機構へ制御信号が送られ、基板支持具３０の昇
降動作が制御される。これについて、具体例を挙げて説
明する。

【００２３】例えば、図８に示した処理フローと同様
に、カセットステージ１０、コーティング処理部１２、
１４、加熱処理部１６および冷却処理部１８におけるそ
れぞれの標準の基板処理時間が２０秒、３０秒、３０
秒、１５秒、２０秒であり、カセットステージ１０→コ
ーティング処理部１２、カセットステージ１０→コーテ
ィング処理部１４、コーティング処理部１２→加熱処理
部１６、コーティング処理部１４→加熱処理部１６、加
熱処理部１６→冷却処理部１８、冷却処理部１８→カセ
ットステージ１０のそれぞれの搬送所要時間が５秒、８
秒、５秒、８秒、５秒、５秒であるとする。このとき、
基板搬送ロボット３２が複数の基板処理部を一巡するの
に要する一周搬送所要時間は、カセットステージ１０→
コーティング処理部１２→加熱処理部１６→冷却処理部
１８→カセットステージ１０と一巡する経路ではＴ１＝
２０秒、カセットステージ１０→コーティング処理部１
４→加熱処理部１６→冷却処理部１８→カセットステー
ジ１０と一巡する経路ではＴ２＝２６秒である。ＣＰＵ
３６では、まずステップＳ１で並行処理フローが存在す
るかどうか判別した後、ステップＳ２で、各経路につい
ての一周搬送所要時間Ｔ１、Ｔ２を算出して、それらの
一周搬送所要時間のうちの最長のものＴｍａｘを選定す
る。この例では、Ｔ１＜Ｔ２であるから、Ｔｍａｘ＝Ｔ
２＝２６秒である。また、ステップＳ３で、複数の基板
処理部における基板処理時間のうちの最長のものＵｍａ
ｘを選定する。この例では、カセットステージ１０およ
び冷却処理部１８におけるそれぞれの基板処理時間が最
長であり、Ｕｍａｘ＝２０秒である。

【００２４】次に、ステップＳ４で、最長の一周搬送所
要時間Ｔｍａｘと最長の基板処理時間Ｕｍａｘとを比較
する。この例では、Ｔｍａｘ＞Ｕｍａｘであるから、ス
テップＳ５で、最長の一周搬送所要時間Ｔｍａｘ（＝２
６秒）と加熱処理部１６における標準の基板処理時間Ｕ
（＝１５秒）との差Ｔｍａｘ−Ｕ＝１１秒を算出する。
この算出結果に基づいて、ＣＰＵ３６から基板支持具３
０の昇降駆動機構へ制御信号が送られ、基板搬送ロボッ
ト３２によって加熱処理部１６へ投入され基板支持具３
０の支持ピン２８上に支持された基板１が、図４の
（ａ）に示すようにホットプレート２４の上面から離間
した上方の離間位置で、前記差Ｔｍａｘ−Ｕに相当する
１１秒（あるいは１１秒以上）の時間だけ待機した後、
図４の（ｂ）に示すようにホットプレート２４の上面に
当接もしくは近接する下方の加熱位置へ下降し、その加
熱位置に所定の加熱時間（標準の基板処理時間Ｕ＝１５
秒）だけ停止して実際に加熱され、その加熱後に元の離
間位置へ上昇するように、昇降駆動機構の動作が制御さ
れる。従って、加熱処理部１６における実際の基板処理
時間は、加熱処理部１６へ投入された基板１が上方の離
間位置で待機する待機時間１１秒と、下方の加熱位置で
実際に基板１が加熱される加熱時間１５秒との合計有時
間２６秒（あるいはそれ以上）となる。従って、この基
板処理装置では、加熱処理部１６における実際の基板処
理時間が処理フローを律速することになり、処理経路に
かかわらず、実際の基板処理時間は一定の２６秒（ある
いはそれ以上）となる。この処理フローを図５に示す。

【００２５】なお、上記した実施形態においては、同一
の処理条件で同一の処理を並行して行う複数の同一基板
処理部（コーティング処理部１２、１４）以外の基板処
理部（加熱処理部１６）における基板処理時間を管理の
対象としたが、図６に処理フローを示すように、カセッ
トステージ５０および４つの基板処理部５２、５４、５
６、５８のうち、同一の処理条件で同一の処理を並行し
て行う複数の同一基板処理部５４、５６における基板処
理時間を管理の対象とするようにしてもよい。具体的数
値で示すと、カセットステージ５０、基板処理部５２、
基板処理部５４、５６および基板処理部５８におけるそ
れぞれの標準の基板処理時間が１５秒、１５秒、３０
秒、３０秒、１５秒であり、カセットステージ５０→基
板処理部５２、基板処理部５２→基板処理部５４、基板
処理部５２→基板処理部５６、基板処理部５４→基板処
理部５８、基板処理部５６→基板処理部５８、基板処理
部５８→カセットステージ５０のそれぞれの搬送所要時
間が５秒、５秒、３秒、５秒、３秒、５秒であるとした
ときに、同一基板処理部５４、５６における実際の基板
処理時間を４０秒に変更する。これにより、同一基板処
理部５４、５６における見掛けの基板処理時間（４０秒
÷２＝２０秒）が、最長の一周搬送所要時間２０秒（＝
５秒＋５秒＋５秒＋５秒）と同等になり、同一基板処理
部５４、５６における見掛けの基板処理時間が処理フロ
ーを律速することになる。なお、同一の処理条件で同一
の処理を並行して行う同一基板処理部の数は、上記実施
形態では２つにしたが、３つ以上にしてもよい。

【００２６】また、この発明は、同一の処理条件で同一
の処理を並行して行う複数の同一基板処理部以外の基板
処理部における基板処理時間を管理の対象とする場合に
おいて、複数の基板処理部として、露光後の基板に対し
いわゆるポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）を行う
加熱処理部と、この加熱処理部により加熱された基板を
冷却する冷却処理部とを備えた構成にも適用できる。こ
の場合には、複数の基板間において、熱処理の履歴を一
定にすることができ、処理品質を一定にすることができ
る。

【００２７】

【発明の効果】請求項１に係る発明の基板処理方法によ
ると、また、請求項３に係る発明の装置を使用して基板
の処理を行うときは、基板搬送手段を複数の基板処理部
に対して所定の順序で循環移動させながら、複数の基板
を１枚ずつ各基板処理部へ順次搬送して基板に対し所要
の処理をそれぞれ施す場合に、同一の処理条件で同一の
処理を並行して行う複数の同一基板処理部が含まれてい
るときに、処理経路にかかわらず同一ロットの複数の基
板の処理履歴が等しくなり、このため、処理品質の管理
が容易になり、処理品質のばらつきが改善されて、製品
歩留まりが向上する。

【００２８】請求項２に係る発明の基板処理方法では、
また、請求項４に係る発明の装置を使用して基板の処理
を行うときは、基板搬送手段によって加熱処理部へ投入
された基板は、常に、一定の待機時間もしくはそれ以上
の時間、加熱処理部内で待機させられた後、一定の加熱
時間だけ実際の加熱処理が行われるので、加熱処理の品
質が一定になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板処理方法を実施する形態の
１例を示すフローチャートである。

【図２】この発明に係る基板処理方法を実施するために
使用される基板処理装置の構成の１例を示すブロック図
である。

【図３】図２に示した基板処理装置の概略平面図であ
る。

【図４】図２に示した基板処理装置の加熱処理部の要部
の構成を示す概略縦断面図であり、（ａ）は、基板がホ
ットプレートの上面から離間した状態を、（ｂ）は、基
板がホットプレートの上面に当接した状態をそれぞれ示
す。

【図５】この発明に係る基板処理方法における基板の処
理フローの１例を示す図である。

【図６】同じく基板の処理フローの別の例を示す図であ
る。

【図７】基板処理装置の構成の１例を示す概略平面図で
ある。

【図８】従来の基板処理方法における問題点を説明する
ための図であって、基板の処理フローの１例を示す図で
ある。

【符号の説明】

１半導体基板２カセット１０カセットステージ１２、１４コーティング処理部１６加熱処理部１８冷却処理部２０搬送ユニット２４ホットプレート３０基板支持具３２基板搬送ロボット３６ＣＰＵ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者辻雅夫京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者岩見優樹京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者西村譲一京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者森田彰彦京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者川本隆範京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板搬送手段を複数の基板処理部に対し
て所定の順序で循環移動させながら、複数の基板を１枚
ずつ基板搬送手段により各基板処理部へ順次搬送して各
基板処理部で基板に対し所要の処理をそれぞれ施す基板
処理方法において、前記複数の基板処理部の中に、同一の処理条件で同一の
処理を並行して行う複数の同一基板処理部が含まれ、前
記基板搬送手段が前記複数の基板処理部のいずれに対し
ても待機することなく基板を所定速度で搬送して複数の
基板処理部を一巡するのに要する一周搬送所要時間のう
ちの最長のものが、前記複数の同一基板処理部を除くす
べての基板処理部における基板処理時間、および、前記
複数の同一基板処理部における基板処理時間を同一基板
処理部の数で除した見掛けの基板処理時間のいずれより
も長いときに、前記複数の同一基板処理部を除く基板処理部のうち基板
処理時間を管理しようとする対象基板処理部における基
板処理時間、または、基板処理時間を管理しようとする
複数の対象同一基板処理部における見掛けの基板処理時
間が、前記一周搬送所要時間のうちの最長のものと同等
もしくはそれ以上となるように、前記対象基板処理部ま
たは前記対象同一基板処理部における基板処理時間を変
更することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】対象基板処理部または対象同一基板処理
部が、基板を加熱処理する加熱処理部であり、その加熱処理部における変更された基板処理時間または
見掛けの基板処理時間が、実際に基板を加熱する加熱時
間または加熱時間を対象同一基板処理部の数で除した見
掛けの加熱時間と、実際に基板を加熱する前に加熱処理
部へ投入された基板を加熱処理部内で待機させる待機時
間または待機時間を対象同一基板処理部の数で除した見
掛けの待機時間との合計時間であって、前記待機時間ま
たは前記見掛けの待機時間が、基板搬送手段の最長の一
周搬送所要時間と前記加熱時間または前記見掛けの加熱
時間との差と同等もしくはそれ以上の時間である請求項
１記載の基板処理方法。
【請求項３】複数の基板処理部と、これら複数の基板
処理部に対して所定の順序で循環移動する基板搬送手段
とを備え、複数の基板を１枚ずつ前記基板搬送手段によ
り前記各基板処理部へ順次搬送して各基板処理部で基板
に対し所要の処理をそれぞれ施す基板処理装置におい
て、前記複数の基板処理部の中に、同一の処理条件で同一の
処理を並行して行う複数の同一基板処理部を含み、前記複数の同一基板処理部を除く基板処理部のうち基板
処理時間を管理しようとする対象基板処理部における基
板処理時間、または、基板処理時間を管理しようとする
複数の対象同一基板処理部における基板処理時間を同一
基板処理部の数で除した見掛けの基板処理時間が、前記
基板搬送手段が前記複数の基板処理部のいずれに対して
も待機することなく基板を所定速度で搬送して複数の基
板処理部を一巡するのに要する一周搬送所要時間のうち
の最長のものと同等もしくはそれ以上となるように、前
記対象基板処理部または前記対象同一基板処理部におけ
る基板処理時間を変更する処理時間変更手段を設けたこ
とを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】対象基板処理部または対象同一基板処理
部が、ホットプレートと、基板を支持してその基板を前記ホッ
トプレートの上面から離間した離間位置とホットプレー
トの上面に当接もしくは近接する加熱位置との間でホッ
トプレートに対し相対的に上下移動させ、基板搬送手段
との間で基板の受け渡しを行う基板支持具と、この基板
支持具をホットプレートに対し相対的に上下移動させる
上下駆動手段とを備えて、基板を加熱処理する加熱処理
部であり、処理時間変更手段が、前記基板搬送手段の最長の一周搬送所要時間と、前記加
熱処理部の前記加熱位置で実際に基板を加熱する加熱時
間または加熱時間を対象同一基板処理部の数で除した見
掛けの加熱時間との差を算出する演算手段と、前記基板搬送手段によって前記加熱処理部へ投入され前
記基板支持具に支持された基板が、前記演算手段によっ
て算出された差と同等もしくはそれ以上の時間、前記離
間位置で待機するように、前記上下駆動手段を制御する
制御手段とを有する請求項３記載の基板処理装置。