JPH10279509A - ｐ−またはｍ−ヒドロキシアルキルベンゼンの製造法およびその中間体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 原料としてｐ−またはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シアルキルベンゼンを用いてｐ−またはｍ−ヒドロキシ
アルキルベンゼンの工業的に有利な製造方法を提供する
こと。 【解決手段】一般式 【化１】 （式中、ｎは１〜６の整数を示す。）で示されるｐ−ま
たはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキルベンゼンと６０〜
８５％硫酸水溶液を溶媒の存在下で反応させることを特
徴とする、一般式 【化２】 （式中、ｎは前記に同じ。）で示されるｐ−またはｍ−
ヒドロキシアルキルベンゼンの製造法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、医薬、農薬および
液晶の中間体として有用なｐ−またはｍ−ヒドロキシア
ルキルベンゼンの製造法およびその前駆体となる新規な
ｐ−またはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキルベンゼンに
関する。

【０００２】

【従来の技術】これまでｐ−またはｍ−ヒドロキシアル
キルベンゼンの合成法については次の〜などに記載
されている。

【０００３】Ｏｒｇ．Ｓｙｎｔｈ．（オーガニック
シンセシス）第１巻 第１７５頁〜第１７６頁（１９４
１）には、アルキルベンゼンをスルホン化し、これをア
ルカリ溶融してｐ−ヒドロキシアルキルベンゼンを得る
方法が記載されている。この方法は、大量に目的化合物
を合成できるが、原料のアルキルベンゼンのアルキル基
の炭素数がＣ ３〜７の化合物が入手しがたい。

【０００４】Ｉｚｖ．Ａｋａｄ．Ｎａｕｋ Ｇｒｕ
ｚ．ＳＳＲ，Ｓｅｒ．Ｋｈｉｍ．（イズベスギア アカ
デミイ ナウク グルジア ＳＳＲ，セリヤ キミチェ
スカヤ）第１２巻Ｎｏ．３第２３７頁〜第２４０頁（１
９８６）には、フェノールをアルキルハライドでアルキ
ル化してｐ−ヒドロキシアルキルベンゼンを得る方法が
記載されている。この方法は、目的化合物がパラ、オル
ソ体の混合物となり、収率（パラ体２８％、オルソ体５
３％）も純度も低い。

【０００５】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（ジャー
ナル オブ アメリカン ケミカルソサイエティ）第７
１巻第１２６５頁〜第１２６８頁（１９４９）には、フ
ェノールを塩化アルミニウムの存在下、アルキル酸クロ
ライドでアシル化し、これをクレメンゼン還元してｐ−
ヒドロキシアルキルベンゼンを合成する方法が記載され
ている。この方法では、フェノールのアシル化に使用す
るアルキル酸クロライドが取り扱いにくく、しかも入手
しがたい。

【０００６】Ｂｕｌｌ．ｓｏｃ．ｃｈｉｍ．（ブリチ
ン デラ ソシエテ シミック）［４］第４９巻、第１
２１３頁〜第１２２２頁（１９３１）、 Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（ジャーナル オブ ケミカ
ル ソサイエティ）第２１４３頁〜第２１４５頁（１９
４８）、 Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．第７１巻第１２６５頁
〜第１２６８頁（１９４９）、および Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．第７４巻第４６２７頁
〜第４６２９頁（１９５２）には、ｐ−もしくはｍ−メ
トキシアルキルベンゼンに酢酸、４８％臭化水素酸水溶
液を加え、臭化水素ガスを吹き込みながら３日間還流さ
せて、ｐ−もしくはｍ−ヒドロキシアルキルベンゼンを
得る方法が記載されている。この方法では、ｐ−もしく
はｍ−メトキシアルキルベンゼンの脱メチル化反応は、
臭化水素酸、ヨウ化水素酸あるいはトリフルオロ酢酸な
どを用いて還流する厳しい条件が必要である。また、還
流時に臭化水素ガスが発生し、溶媒である酢酸の処理が
必要になるなど、実用上難点が多い。

【０００７】また、ｐ−およびｍ−メトキシアルキルベ
ンゼンの脱メチル化反応は、アルキル基がｎ−プロピル
基を例にとると、後記の比較例１に示すとおり、本発明
と同様な反応条件（６５％硫酸の使用）でも進行しな
い。

【０００８】また、本発明のｐ−またはｍ−ヒドロキシ
アルキルベンゼンに関連する化合物の脱ｔｅｒｔ−ブチ
ル化反応に関する技術としては次のものが知られてい
る。

【０００９】特開平２−１３８１４２号公報には、４
０〜５０％硫酸などの脱ｔｅｒｔ−ブチル化剤をｐ−ま
たはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェネチルアルコールに作
用させてｔｅｒｔ−ブチル基を離脱させ、ｐ−またはｍ
−ヒドロキシフェネチルアルコールを得る製法が記載さ
れている。

【００１０】しかしながら、後記の比較例２、３に示す
とおり、上記の方法と同様な反応条件（５０％硫酸の
使用）を、例えば本発明で用いるｐ−またはｍ−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシ−ｎ−ペンチルベンゼンに適用しても、目
的とするｐ−またはｍ−ヒドロキシ−ｎ−ペンチルベン
ゼンはほとんど得られない。

【００１１】また、式（１）化合物のｐ−またはｍ−ヒ
ドロキシアルキルベンゼンの前駆体であるｐ−またはｍ
−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキルベンゼン［式（４）化合
物］の類似化合物としては次の、に記載されてい
る。

【００１２】米国特許第４４４７６５２号明細書に
は、溶剤、抗酸化剤などに有用なｐ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シメチルベンゼンなどのアルキルアリールエーテルが下
記の反応式により行われることが記載されている。

【化７】 （式中、Ｒは水素原子またはアルキル基などを示し、Ｒ
´はアルキル基を示す。）

【００１３】前記したＢｕｌｌ．ｓｏｃ．ｃｈｅｍ
［４］第４９巻第１２１３頁〜第１２２２頁（１９３
１）には医薬の中間体として有用なｐ−メトキシアルキ
ルベンゼンが下記の反応により得られることが記載され
ている。一般式

【化８】 （式中、Ｒはメチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシ
ル基、イソブチル基を示し、Ｒ´はエチル基、プロピル
基、ブチル基、ヘプチル基、イソペンチル基を示す。）

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、これら従来
の方法にかわり、原料としてｐ−またはｍ−ｔｅｒｔ−
ブトキシアルキルベンゼンを用い、ｐ−またはｍ−ヒド
ロキシアルキルベンゼンの工業的に有利な製造方法を提
供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討した。その結果、原料とし
てｐ−またはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキルベンゼン
を用い、これを硫酸と反応させることにより、容易に脱
ｔｅｒｔ−ブチル化反応が完結し、しかもこのときアル
コール系溶媒またはテトラヒドロフランを溶媒として加
えることにより、４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチ
ルアルキルベンゼンなどの副生が抑制され、高収率で高
純度のｐ−またはｍ−ヒドロキシアルキルベンゼンが得
られることがわかった。

【００１６】したがって、第１の本発明の要旨とすると
ころは、一般式

【化９】 （式中、ｎは１〜６の整数を示す。）で示される、ｐ−
またはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキルベンゼンと６０
〜８５％硫酸水溶液とを溶媒の存在下で反応させること
を特徴とする、一般式（１）

【化１０】 （式中、ｎは前記に同じ。）で示されるｐ−またはｍ−
ヒドロキシアルキルベンゼンの製造法にある。

【００１７】また、第１の本発明において、溶媒として
テトラヒドロフランまたはアルコール系溶媒を使用する
ことにより、ｐ−またはｍ−ヒドロキシアルキルベンゼ
ンを高収率、高純度で得られることを見いだした。

【００１８】したがって、第２の本発明の要旨とすると
ころは、溶媒がテトラヒドロフランまたはアルコール系
溶媒であることを特徴とする、第１の本発明の製造法に
ある。

【００１９】さらに、第１の本発明においてｐ−または
ｍ−ヒドロキシアルキルベンゼンの原料として有用で新
規なｐ−またはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキルベンゼ
ンを見いだした。

【００２０】したがって、第３の本発明の要旨とすると
ころは、一般式（４）

【化１１】 （式中、ｎは１〜６の整数を示す。）で示されるｐ−ま
たはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキルベンゼンにある。

【００２１】また、第４の本発明の要旨とするところ
は、一般式（２）

【化１２】 （式中、Ｘは塩素原子、臭素原子または沃素原子を示
す。）で示されるｐ−またはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシベ
ンゼンマグネシウムハライドと一般式（３）

【化１３】 （式中、Ｘは塩素原子、臭素原子または沃素原子を示
し、ｎは１から６の整数を示す。）で示されるアルキル
ハライドとをハロゲン化銅の存在下で反応させることを
特徴とする、一般式（４）

【化１４】 （式中、ｎは１〜６の整数を示す。）で示されるｐ−ま
たはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキルベンゼンの製造法
にある。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明のｐ−またはｍ−
ヒドロキシアルキルベンゼンの製造法をさらに詳しく説
明する。

【００２３】本発明のｐ−またはｍ−ヒドロキシアルキ
ルベンゼン［式（１）化合物］の製造法を反応式で示す
と次のとおりである。

【００２４】

【化１５】 （式中、Ｘ、ｎは前記に同じ。）

【００２５】式（１）化合物の原料である式（４）化合
物は新規化合物であり、次のようにして得られる。

【００２６】（ａ）ｐ−またはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
アルキルベンゼン［式（４）化合物の合成］ ＜式（２）化合物の合成＞まず、式（４）化合物の出発
原料である、一般式（２）の化合物は、活性化した金属
マグネシウムを無水テトラヒドロフラン中でかき混ぜな
がらｐ−またはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシベンゼンハライ
ドを４０℃ないし還流温度で滴下し、更に１〜８時間の
撹拌を続けることで得られる。反応に使用する金属マグ
ネシウムは市販のテープ状あるいは削り状をｐ−または
ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシベンゼンハライドに対して１〜
２倍モル程度使用するが、反応開始に先立って、金属マ
グネシウムの活性化を目的に窒素雰囲気あるいは減圧条
件でかき混ぜたり、微量の沃素あるいは沃化メチル、臭
化メチル、ジブロモエタンなどを添加することは、グリ
ニャール反応を円滑に進めるうえで有効である。反応溶
媒はテトラヒドロフランやジエチルエーテル単独あるい
はベンゼンやトルエンなどの混合系であっても同様の結
果を得ることができる。

【００２７】＜式（４）化合物の合成＞一般式（４）の
化合物は、トルエンに希釈した式（３）化合物にハロゲ
ン化銅触媒を加え、かき混ぜながら式（２）のグリニャ
ール試薬を６０〜８０℃の温度で滴下し、更に１〜２時
間の撹拌を続けることで得られる。式（２）化合物のＸ
はハロゲン原子で、塩素、臭素、沃素である。同様に式
（３）化合物のＸもハロゲン原子で、塩素、臭素、沃素
であるが、反応性の高い臭素、沃素を用いたほうが収率
がよい。また、使用されるハロゲン化銅触媒のハロゲン
原子としては塩素、臭素、沃素などである。有用なハロ
ゲン化銅触媒としては、塩化第一銅、臭化第一銅、沃化
第一銅、塩化リチウム・塩化第二銅錯体などであり、好
ましくは塩化第一銅である。使用する触媒の量は、式
（２）化合物に対して１０^-3 〜１０^-1モル倍量、好まし
くは１０^-2〜１０^-1モル倍量を使用する。

【００２８】反応終了後、塩化アンモニウム水溶液など
で加水分解し、有機層を分離する。この有機層を分離
後、溶媒を留去し、減圧蒸留すると、目的とする式
（４）で示されるｐ−またはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシア
ルキルベンゼンが得られる。

【００２９】式（４）化合物のｎは１〜６であり、具体
的には、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基などが
挙げられる。

【００３０】式（４）化合物の製造例を実施例１〜９に
示した。

【００３１】（ｂ）ｐ−またはｍ−ヒドロキシアルキル
ベンゼン［式（１）化合物］の合成 一般式（１）の化合物は、式（４）化合物に対して１／
２〜等量の溶媒で希釈した式（４）化合物に、６０〜８
５％、好ましくは６５〜７５％濃度の硫酸水溶液を０〜
３０℃、好ましくは１５〜２５℃の温度で滴下し、更に
３〜５時間、好ましくは３〜４時間の撹拌を続けること
により得られる。硫酸濃度は約５０％以下に低くなると
反応速度が遅く、約９０％以上に高くなると副生物が多
くなる。したがって、硫酸濃度は前記のとおり、６０〜
８５％の範囲内で使用すればよい。ここで使用される硫
酸の量は、ｐ−またはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキル
ベンゼンに対して等モル量である。

【００３２】溶媒としてはメタノール、エタノール、ｎ
−プロパノール、イソプロパノール、ｎーブタノール、
ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールなどのアル
コール系の溶媒またはテトラヒドロフランが挙げられる
が、テトラヒドロフランが最も好ましい。

【００３３】式（１）化合物の製造例を実施例１０〜１
８に示した。

【００３４】次に実施例および比較例を示して本発明を
さらに具体的に説明する。

【００３５】実施例１ ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル
ベンゼン［式（４）化合物のｎが１の場合］の製造 還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた
四頚フラスコを窒素置換し、これにマグネシウム２４．
３ｇ（１モル）と少々の臭化エチルを入れて撹拌しつつ
還流するまで加熱し、マグネシウムを活性化した。次い
でｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシクロロベンゼン９２．３ｇ
（０．５モル）をテトラヒドロフラン２４０ｍｌに溶解
して７０℃で５時間かけて滴下ロートより滴下した。滴
下後７０℃で２時間撹拌し、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフ
ェニルマグネシウムクロライドを得た。このグリニャー
ル試薬をトルエン５５ｍｌで希釈したエチルブロマイド
５４．５ｇ（０．５モル）と塩化第一銅２．５ｇ（０．
０２５モル）中に６０〜７０℃で３時間かけて滴下し、
更に同温度で２時間撹拌した。次いでこの反応液中に塩
化アンモニウム水溶液を加えてマグネシウム塩を取り除
き、溶媒を留去した後、減圧蒸留し、７９℃／５ｍｍＨ
ｇの留分としてｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルベンゼン
６７．７ｇ（収率７５％、ガスクロマトグラフィー分析
純度９８．６％）を得た。このものの元素分析値とＮＭ
Ｒスペクトルは次のとおりである。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【化１６】

【００３８】実施例２ ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−
プロピルベンゼン［式（４）化合物のｎが２の場合］の
製造 還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた
四頚フラスコを窒素置換し、これにマグネシウム２４．
３ｇ（１モル）と少々の臭化エチルを入れて撹拌しつつ
還流するまで加熱し、マグネシウムを活性化した。次い
でｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシクロロベンゼン９２．３ｇ
（０．５モル）をテトラヒドロフラン２４０ｍｌに溶解
して７０℃で５時間かけて滴下ロートより滴下した。滴
下後７０℃で２時間撹拌し、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフ
ェニルマグネシウムクロライドを得た。このグリニャー
ル試薬をトルエン５５ｍｌで希釈したｎ−プロピルブロ
マイド６１．５ｇ（０．５モル）と塩化第一銅２．５ｇ
（０．０２５モル）中に６０〜７０℃で３時間かけて滴
下し、更に同温度で２時間撹拌した。次いでこの反応液
中に塩化アンモニウム水溶液を加えてマグネシウム塩を
取り除き、溶媒を留去した後、減圧蒸留し、９１〜９２
℃／４ｍｍＨｇの留分としてｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−
ｎ−プロピルベンゼン７３．２ｇ（収率７５％、ガスク
ロマトグラフィー分析純度９８．５％）を得た。このも
のの元素分析値とＮＭＲスペクトルは次のとおりであ
る。

【００３９】

【表２】

【００４０】

【化１７】

【００４１】実施例３ ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−
ブチルベンゼン［式（４）化合物のｎが３の場合］の製
造 実施例２のｎ−プロピルブロマイドをｎ−ブチルブロマ
イド６８．５ｇ（０．５モル）に代え、目的物を得る減
圧条件を９５℃／３ｍｍＨｇとした以外は実施例２に準
じて行い、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ブチルベンゼ
ン７５．３ｇ（収率７２％、ガスクロマトグラフィー分
析純度９８．７％）を得た。このものの元素分析値とＮ
ＭＲスペクトルは次のとおりである。

【００４２】

【表３】

【００４３】

【化１８】

【００４４】実施例４ ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−
ペンチルベンゼン［式（４）化合物のｎが４の場合］の
製造 実施例２のｎ−プロピルブロマイドをｎ−ペンチルブロ
マイド７５．５ｇ（０．５モル）に代え、目的物を得る
減圧条件を１１３℃／４ｍｍＨｇとした以外は実施例２
に準じて行い、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ペンチル
ベンゼン８７ｇ（収率７８％、ガスクロマトグラフィー
分析純度９８．８％）を得た。このものの元素分析値と
ＮＭＲスペクトルは次のとおりである。

【００４５】

【表４】

【００４６】

【化１９】

【００４７】実施例５ ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−
ヘキシルベンゼン［式（４）化合物のｎが５の場合］の
製造 実施例２のｎ−プロピルブロマイドをｎ−ヘキシルブロ
マイド８２．５ｇ（０．５モル）に代え、目的物を得る
減圧条件を１１９℃／２ｍｍＨｇとした以外は実施例２
に準じて行い、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ヘキシル
ベンゼン９６．５ｇ（収率８１％、ガスクロマトグラフ
ィー分析純度９８．４％）を得た。このものの元素分析
値とＮＭＲスペクトルは次のとおりである。

【００４８】

【表５】

【００４９】

【化２０】

【００５０】実施例６ ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−
ヘプチルベンゼン［式（４）化合物のｎが６の場合］の
製造 実施例２のｎ−プロピルブロマイドをｎ−ヘプチルブロ
マイド８９．６ｇ（０．５モル）に代え、目的物を得る
減圧条件を１３７℃／５ｍｍＨｇとした以外は実施例２
に準じて行い、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ヘプチル
ベンゼン９５．７ｇ（収率７６％、ガスクロマトグラフ
ィー分析純度９８．６％）を得た。このものの元素分析
値とＮＭＲスペクトルは次のとおりである。

【００５１】

【表６】

【００５２】

【化２１】

【００５３】実施例７ ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル
ベンゼン［式（４）化合物のｎが１の場合］の製造 実施例２のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシクロロベンゼンをｍ
−ｔｅｒｔ−ブトキシクロロベンゼンに代えて調製した
ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルマグネシウムクロライ
ドを使用し、ｎ−プロピルブロマイドをエチルブロマイ
ド５４．５ｇ（０．５モル）に代え、目的物を得る減圧
条件を７３℃／５ｍｍＨｇとした以外は実施例２に準じ
て行い、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルベンゼン６５．
２ｇ（収率７２％、ガスクロマトグラフィー分析純度９
８．５％）を得た。このものの元素分析値とＮＭＲスペ
クトルは次のとおりである。

【００５４】

【表７】

【００５５】

【化２２】

【００５６】実施例８ ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−
ブチルベンゼン［式（４）化合物のｎが３の場合］の製
造 実施例２のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシクロロベンゼンをｍ
−ｔｅｒｔ−ブトキシクロロベンゼンに代えて調製した
ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルマグネシウムクロライ
ドを使用し、ｎ−プロピルブロマイドをｎ−ブチルブロ
マイド６８．５ｇ（０．５モル）に代え、目的物を得る
減圧条件を１０６℃／５ｍｍＨｇとした以外は実施例２
に準じて行い、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキ−ｎ−ブチルベン
ゼン７９．４ｇ（収率７６％、ガスクロマトグラフィー
分析純度９８．７％）を得た。このものの元素分析値と
ＮＭＲスペクトルは次のとおりである。

【００５７】

【表８】

【００５８】

【化２３】

【００５９】実施例９ ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−
ヘキシルベンゼン［式（４）化合物のｎが５の場合］の
製造 実施例２のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシクロロベンゼンをｍ
−ｔｅｒｔ−ブトキシクロロベンゼンに代えて調製した
ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルマグネシウムクロライ
ドを使用し、ｎ−プロピルブロマイドをｎ−ヘキシルブ
ロマイド８２．５ｇ（０．５モル）に代え、目的物を得
る減圧条件を１３１℃／４ｍｍＨｇとした以外は実施例
２に準じて行い、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ヘキシ
ルベンゼン９４．９ｇ（収率８０％、ガスクロマトグラ
フィー分析純度９８．８％）を得た。このものの元素分
析値とＮＭＲスペクトルは次のとおりである。

【００６０】

【表９】

【００６１】

【化２４】

【００６２】実施例１０ ｐ−ヒドロキシエチルベンゼ
ン［式（１）化合物のｎが１の場合］の製造 攪拌機の付いた５００ｍｌ容量の四頚フラスコにｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシエチルベンゼン８９．１ｇ（０．５モ
ル）とテトラヒドロフラン６６．８ｇを入れ、２０〜２
５℃で６５％硫酸水溶液７５．４ｇを滴下して、３時間
撹拌した。反応後に水９０ｍｌを２５℃以下で滴下し、
続いてトルエン８０ｍｌを加えた。これを分液し、水層
を除去した後、有機層に１０％炭酸ソーダ水溶液７０ｇ
を加えて中和し、更に水７０ｍｌで洗浄した後、有機層
の溶媒を留去して、粗ｐ−ヒドロキシエチルベンゼンを
得た。

【００６３】このとき、４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ
−ブチル−エチルベンゼンはガスクロマトグラフィーの
分析値で、ｐ−ヒドロキシエチルベンゼンの生成量に対
して０．６％であった。次いで真空蒸留によって沸点９
０℃／６ｍｍＨｇの留分として５９．１ｇ（ガスクロマ
トグラフィー分析純度９９．９％、収率９６．５％）を
得た。

【００６４】このようにして得たｐ−ヒドロキシエチル
ベンゼンの元素分析値、ＮＭＲスペクトル、赤外線吸収
スペクトルは標品の値にそれぞれ一致した。

【００６５】実施例１１ ｐ−ヒドロキシ−ｎ−プロピ
ルベンゼン［式（１）化合物のｎが２の場合］の製造 攪拌機の付いた５００ｍｌ容量の四頚フラスコにｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−プロピルベンゼン９６．２ｇ
（０．５モル）とテトラヒドロフラン７２．２ｇを入
れ、２０〜２５℃で６５％硫酸水溶液７５．４ｇを滴下
して、３時間撹拌した。反応後に水９０ｍｌを２５℃以
下で滴下し、続いてトルエン８０ｍｌを加えた。これを
分液し水層を除去した後、有機層に１０％炭酸ソーダ水
溶液７０ｇを加えて中和し、更に水７０ｍｌで洗浄した
後、有機層の溶媒を留去して、粗ｐ−ヒドロキシ−ｎ−
プロピルベンゼンを得た。

【００６６】このとき、４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ
−ブチル−ｎ−プロピルベンゼンはガスクロマトグラフ
ィーの分析値で、ｐ−ヒドロキシ−ｎ−プロピルベンゼ
ンの生成量に対して０．５％であった。次いで真空蒸留
によって沸点９７℃／４ｍｍＨｇの留分として６５．１
ｇ（ガスクロマトグラフィー分析純度９９．９％、収率
９５．５％）を得た。

【００６７】このようにして得たｐ−ヒドロキシ−ｎ−
プロピルベンゼンの元素分析値、ＮＭＲスペクトル、赤
外線吸収スペクトルは標品の値にそれぞれ一致した。

【００６８】実施例１２ ｐ−ヒドロキシ−ｎ−ブチル
ベンゼン［式（１）化合物のｎが３の場合］の製造 実施例１１のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−プロピルベ
ンゼンをｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ブチルベンゼン
１０３．２ｇ（０．５モル）に代え、またテトラヒドロ
フランの量を７７．４ｇにして２０〜２５℃で７０％硫
酸水溶液７０．１ｇで行い、目的物を得る減圧条件を１
０１℃／４ｍｍＨｇとした以外は実施例１１に準じて行
い、ｐ−ヒドロキシ−ｎ−ブチルベンゼン７２．３ｇ
（収率９６．２％、ガスクロマトグラフィー分析純度９
９．９％）を得た。

【００６９】このものの元素分析値、ＮＭＲスペクト
ル、赤外吸収スペクトルは標品のそれぞれの値に一致し
た。

【００７０】実施例１３ ｐ−ヒドロキシ−ｎ−ペンチ
ルベンゼン［式（１）化合物のｎが４の場合］の製造 実施例１１のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−プロピルベ
ンゼンをｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ペンチルベンゼ
ン１１０．２ｇ（０．５モル）に代え、またテトラヒド
ロフランの量を８２．７ｇにして２０〜２５℃で７０％
硫酸水溶液７０．１ｇで行い、目的物を得る減圧条件を
１１９℃／５ｍｍＨｇとした以外は実施例１１に準じて
行い、ｐ−ヒドロキシ−ｎ−ペンチルベンゼン７８．４
ｇ（収率９５．４％、ガスクロマトグラフィー分析純度
９９．９％）を得た。

【００７１】このものの元素分析値、ＮＭＲスペクト
ル、赤外吸収スペクトルは標品のそれぞれの値に一致し
た。

【００７２】実施例１４ ｐ−ヒドロキシ−ｎ−ヘキシ
ルベンゼン［式（１）化合物のｎが５の場合］の製造 実施例１１のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−プロピルベ
ンゼンをｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ヘキシルベンゼ
ン１１７．２ｇ（０．５モル）に代え、またテトラヒド
ロフランの量を８７．９ｇにして２０〜２５℃で７５％
硫酸水溶液６５．４ｇで行い、目的物を得る減圧条件を
１３３℃／５ｍｍＨｇとした以外は実施例１１に準じて
行い、ｐ−ヒドロキシ−ｎ−ヘキシルベンゼン８４．４
ｇ（収率９４．６％、ガスクロマトグラフィー分析純度
９９．９％）を得た。

【００７３】このものの元素分析値、ＮＭＲスペクト
ル、赤外吸収スペクトルは標品のそれぞれの値に一致し
た。

【００７４】実施例１５ ｐ−ヒドロキシ−ｎ−ヘプチ
ルベンゼン［式（１）化合物のｎが６の場合］の製造 実施例１１のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−プロピルベ
ンゼンをｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ヘプチルベンゼ
ン１２４．２ｇ（０．５モル）に代え、またテトラヒド
ロフランの量を９３．２ｇにして２０〜２５℃で７５％
硫酸水溶液６５．４ｇで行い、目的物を得る減圧条件を
１２４℃／３ｍｍＨｇとした以外は実施例１１に準じて
行い、ｐ−ヒドロキシ−ｎ−ヘプチルベンゼン９０．９
ｇ（収率９４．３％、ガスクロマトグラフィー分析純度
９９．８％）を得た。

【００７５】このものの元素分析値、ＮＭＲスペクト
ル、赤外吸収スペクトルは標品のそれぞれの値に一致し
た。

【００７６】実施例１６ ｍ−ヒドロキシエチルベンゼ
ン［式（１）化合物のｎが１の場合］の製造 実施例１１のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−プロピルベ
ンゼンをｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルベンゼン８９．
１ｇ（０．５モル）に代え、またテトラヒドロフランの
量を６６．８ｇ目にして２０〜２５℃で６５％硫酸水溶
液７５．４ｇで行い、目的物を得る減圧条件を９５℃／
１０ｍｍＨｇとした以外は実施例１１に準じて行い、ｍ
−ヒドロキシエチルベンゼン５８．９ｇ（収率９６．２
％、ガスクロマトグラフィー分析純度９９．９％）を得
た。

【００７７】このものの元素分析値、ＮＭＲスペクト
ル、赤外吸収スペクトルは標品のそれぞれの値に一致し
た。

【００７８】実施例１７ ｍ−ヒドロキシ−ｎ−ブチ
ルベンゼン［式（１）化合物のｎが３の場合］の製造 実施例１１のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−プロピルベ
ンゼンをｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ブチルベンゼン
１０３．２ｇ（０．５モル）に代え、またテトラヒドロ
フランの量を７７．４ｇにして２０〜２５℃で７０％硫
酸水溶液７０．１ｇで行い、目的物を得る減圧条件を１
１０℃／７ｍｍＨｇとした以外は実施例１１に準じて行
い、ｍ−ヒドロキシ−ｎ−ブチルベンゼン７１．７ｇ
（収率９５．３％、ガスクロマトグラフィー分析純度９
９．９％）を得た。

【００７９】このものの元素分析値、ＮＭＲスペクト
ル、赤外吸収スペクトルは標品のそれぞれの値に一致し
た。

【００８０】実施例１８ ｍ−ヒドロキシ−ｎ−ヘキ
シルベンゼン［式（１）化合物のｎが５の場合］の製造 実施例１１のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−プロピルベ
ンゼンをｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ヘキシルベンゼ
ン１１７．２ｇ（０．５モル）に代え、またテトラヒド
ロフランの量を８７．９ｇにして２０〜２５℃で７５％
硫酸水溶液６５．４ｇで行い、目的物を得る減圧条件を
１３２℃／５ｍｍＨｇとした以外は実施例１１に準じて
行い、ｍ−ヒドロキシ−ｎ−ヘキシルベンゼン８４．９
ｇ（収率９４．９％、ガスクロマトグラフィー分析純度
９９．９％）を得た。

【００８１】このものの元素分析値、ＮＭＲスペクト
ル、赤外吸収スペクトルは標品のそれぞれの値に一致し
た。

【００８２】比較例１ 前記した文献、、、に準じて、攪拌機の付いた
５００ｍｌ容量の四頚フラスコにｐ−メトキシ−ｎ−プ
ロピルベンゼン７５．１ｇ（０．５モル）とテトラヒド
ロフラン５６．３ｇを入れ、２０〜２５℃で６５％硫酸
水溶液７５．４ｇを滴下して、３時間撹拌した。撹拌後
のｐ−ヒドロキシ−ｎ−プロピルベンゼンへの反応変換
率は０％であった。

【００８３】比較例２ 前記した文献に準じて、攪拌機の付いた１００ｍｌ容
量の四頚フラスコにｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ペン
チルベンゼン２２．０ｇ（０．１モル）とテトラヒドロ
フラン１６．５ｇを入れ、２０〜２５℃で５０％硫酸水
溶液１９．６ｇを滴下して、２０〜３５℃で３時間撹拌
した。撹拌後の反応変換率は３．２％であった。

【００８４】比較例３ 前記した文献に準じて、撹拌機の付いた１００ｍｌ容
量の四頚フラスコにｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｎ−ペン
チルベンゼン２２．０ｇ（０．１モル）とテトラヒドロ
フラン１６．５ｇを入れ、２０〜２５℃で５０％硫酸水
溶液１９．６ｇを滴下して、２０〜３５℃で３時間撹拌
した。撹拌後の反応変換率は４．９％であった。

【００８５】

【発明の効果】本発明のｐ−またはｍ−ヒドロキシアル
キルベンゼンの製造方法によれば、簡単な操作で医薬、
農薬および液晶の合成中間体として有用なｐ−またはｍ
−ヒドロキシアルキルベンゼンが高収率、高純度で得ら
れる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式 【化１】 （式中、ｎは１〜６の整数を示す。）で示されるｐ−ま
   たはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキルベンゼンと６０〜
   ８５％硫酸水溶液を溶媒の存在下で反応させることを特
   徴とする、一般式 【化２】 （式中、ｎは前記に同じ。）で示されるｐ−またはｍ−
   ヒドロキシアルキルベンゼンの製造法。
2. 【請求項２】溶媒がテトラヒドロフランまたはアルコー
   ル系溶媒であることを特徴とする、請求項１に記載の製
   造法。
3. 【請求項３】一般式 【化３】 （式中、ｎは１〜６の整数を示す。）で示されるｐ−ま
   たはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキルベンゼン。
4. 【請求項４】一般式 【化４】 （式中、Ｘは塩素原子、臭素原子または沃素原子を示
   す。）で示されるｐ−またはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシベ
   ンゼンマグネシウムハライドと一般式 【化５】 （式中、Ｘは塩素原子、臭素原子または沃素原子を示
   し、ｎは１から６の整数を示す。）で示されるアルキル
   ハライドとをハロゲン化銅の存在下で反応させることを
   特徴とする、 【化６】 （式中、ｎは１〜６の整数を示す。）で示されるｐ−ま
   たはｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルキルベンゼンの製造
   法。