JPH10275789A - 研磨剤及び研磨方法 - Google Patents
研磨剤及び研磨方法Info
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- JPH10275789A JPH10275789A JP8010197A JP8010197A JPH10275789A JP H10275789 A JPH10275789 A JP H10275789A JP 8010197 A JP8010197 A JP 8010197A JP 8010197 A JP8010197 A JP 8010197A JP H10275789 A JPH10275789 A JP H10275789A
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- JP
- Japan
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- polishing
- abrasive
- metal
- particles
- metal film
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- Pending
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハー上に被覆した金属膜を化学
的機械研磨により研磨するための研磨剤であって、実際
の半導体装置製造に必要な研磨速度を有する化学的機械
研磨処理を行うことができ、製品歩留まりの低下等の半
導体製造における生産性を向上させることができる研磨
剤、及び該研磨剤を用いる研磨方法を提供する。 【解決手段】 シリコンウエハー上に被覆した金属膜を
化学的機械研磨により研磨するための研磨剤であって、
金属と反応し水溶性の金属錯体を形成する錯化剤を含有
する研磨剤、及びシリコンウエハー上に被覆した金属膜
を化学的機械研磨により研磨する研磨方法であって、研
磨剤として上記の研磨剤を用いる研磨方法。
的機械研磨により研磨するための研磨剤であって、実際
の半導体装置製造に必要な研磨速度を有する化学的機械
研磨処理を行うことができ、製品歩留まりの低下等の半
導体製造における生産性を向上させることができる研磨
剤、及び該研磨剤を用いる研磨方法を提供する。 【解決手段】 シリコンウエハー上に被覆した金属膜を
化学的機械研磨により研磨するための研磨剤であって、
金属と反応し水溶性の金属錯体を形成する錯化剤を含有
する研磨剤、及びシリコンウエハー上に被覆した金属膜
を化学的機械研磨により研磨する研磨方法であって、研
磨剤として上記の研磨剤を用いる研磨方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨剤及び研磨方法
に関するものである。更に詳しくは、本発明は、シリコ
ンウエハー上に被覆した金属膜を化学的機械研磨により
研磨するための研磨剤であって、実際の半導体装置製造
に必要な研磨速度を有する化学的機械研磨処理を行うこ
とができ、製品歩留まりの低下等の半導体製造における
生産性を向上させることができる研磨剤、及び該研磨剤
を用いる研磨方法に関するものである。
に関するものである。更に詳しくは、本発明は、シリコ
ンウエハー上に被覆した金属膜を化学的機械研磨により
研磨するための研磨剤であって、実際の半導体装置製造
に必要な研磨速度を有する化学的機械研磨処理を行うこ
とができ、製品歩留まりの低下等の半導体製造における
生産性を向上させることができる研磨剤、及び該研磨剤
を用いる研磨方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩの高集積化、高性能化のた
めに様々な微細加工技術が研究開発されている。このな
かで化学的機械研磨方法（ケミカルメカニカルポリッシ
ング、以下ＣＭＰと省略する）が注目されている。ＣＭ
Ｐは研磨剤と被研磨体の間の化学的作用と研磨剤中の研
磨粒子の機械的作用とを複合化させた技術であり、多層
配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ
形成、埋め込み金属配線形成において必須の技術となっ
ている。
めに様々な微細加工技術が研究開発されている。このな
かで化学的機械研磨方法（ケミカルメカニカルポリッシ
ング、以下ＣＭＰと省略する）が注目されている。ＣＭ
Ｐは研磨剤と被研磨体の間の化学的作用と研磨剤中の研
磨粒子の機械的作用とを複合化させた技術であり、多層
配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ
形成、埋め込み金属配線形成において必須の技術となっ
ている。
【０００３】特にＬＳＩの高速化の観点から、今後の金
属配線に使用される金属には低い抵抗を有するＡｌ（ア
ルミニウム）やＣｕ（銅）が主流になると思われ、これ
らの金属を用いた金属プラグ形成や埋め込み配線形成に
ＣＭＰを利用しようとする検討が活発に行われている。
一般にこうした金属膜のＣＭＰでは、アルミナやシリカ
等の無機性の粒子と硝酸鉄や過酸化水素水などの酸化剤
との混合物からなる研磨剤スラリーが主に検討されてい
る。
属配線に使用される金属には低い抵抗を有するＡｌ（ア
ルミニウム）やＣｕ（銅）が主流になると思われ、これ
らの金属を用いた金属プラグ形成や埋め込み配線形成に
ＣＭＰを利用しようとする検討が活発に行われている。
一般にこうした金属膜のＣＭＰでは、アルミナやシリカ
等の無機性の粒子と硝酸鉄や過酸化水素水などの酸化剤
との混合物からなる研磨剤スラリーが主に検討されてい
る。
【０００４】しかしながらＡｌやＣｕの金属は硬度が低
いため、アルミナやシリカ等の硬度の高い無機性の粒子
で研磨すると金属膜表面に傷がついて表面が粗くなった
り、配線用金属膜に研磨粒子が埋め込まれたりする。
いため、アルミナやシリカ等の硬度の高い無機性の粒子
で研磨すると金属膜表面に傷がついて表面が粗くなった
り、配線用金属膜に研磨粒子が埋め込まれたりする。
【０００５】また、無機性のスラリーは凝集、沈殿しや
すく、特に比重の大きなアルミナを研磨粒子に用いた場
合は保管中に容器底部に沈降してしまう。凝集したスラ
リーをそのまま研磨に用いた場合、凝集によって粒径の
大きくなった粒子は金属膜表面を傷つけ、スラリー濃度
が不均一になることから研磨の安定性に問題が生じる。
すく、特に比重の大きなアルミナを研磨粒子に用いた場
合は保管中に容器底部に沈降してしまう。凝集したスラ
リーをそのまま研磨に用いた場合、凝集によって粒径の
大きくなった粒子は金属膜表面を傷つけ、スラリー濃度
が不均一になることから研磨の安定性に問題が生じる。
【０００６】更には、こうして研磨された金属膜は研磨
処理時に付着したスラリーを除去するために、超純水を
吹き付けながらナイロン製又はポリビニルアルコール製
ブラシでブラッシング洗浄を行うことが一般的である
が、無機性の粒子は洗浄前に表面が乾燥すると、その後
の洗浄で容易に除去することができないという問題があ
る。そのため、研磨処理を行った被加工膜は洗浄処理が
終了するまで超純水中で保管していなければならない。
処理時に付着したスラリーを除去するために、超純水を
吹き付けながらナイロン製又はポリビニルアルコール製
ブラシでブラッシング洗浄を行うことが一般的である
が、無機性の粒子は洗浄前に表面が乾燥すると、その後
の洗浄で容易に除去することができないという問題があ
る。そのため、研磨処理を行った被加工膜は洗浄処理が
終了するまで超純水中で保管していなければならない。
【０００７】このような不具合を改良する方法として、
近年、特開平７−８６２１６号公報に記されるように、
有機高分子化合物を主成分とする粒子を研磨粒子として
使用する方法が提案されている。この方法では、ＰＭＭ
Ａなどのメタクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機
高分子化合物あるいはカーボンブラック等の研磨粒子を
分散剤とともに水に分散させて研磨に供することによ
り、金属膜研磨時の傷の発生を抑制し、研磨の安定性を
向上させることが提案されている。
近年、特開平７−８６２１６号公報に記されるように、
有機高分子化合物を主成分とする粒子を研磨粒子として
使用する方法が提案されている。この方法では、ＰＭＭ
Ａなどのメタクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機
高分子化合物あるいはカーボンブラック等の研磨粒子を
分散剤とともに水に分散させて研磨に供することによ
り、金属膜研磨時の傷の発生を抑制し、研磨の安定性を
向上させることが提案されている。
【０００８】また、特開平６−２９５８９２号公報に記
されるように、アルミナ等の固体成分を含まず、過酸化
水素水のような酸化剤水溶液と、ピペラジン水溶液のよ
うなアルカリ性水溶液を用いることによって研磨を行う
ことも提案されている。
されるように、アルミナ等の固体成分を含まず、過酸化
水素水のような酸化剤水溶液と、ピペラジン水溶液のよ
うなアルカリ性水溶液を用いることによって研磨を行う
ことも提案されている。
【０００９】一般的に研磨速度はそのレートが極端に早
い場合、ウエハー面内の均一性が不安定になり、遅い場
合は生産効率が低下して問題となるため、２０００〜３
０００オングストローム／分が必要と言われている。し
かしながらこれら提案されている方法での研磨実施例に
おいては研磨速度が２００〜９００オングストローム／
分と記載されており、実際の半導体デバイスの生産には
対応できない。
い場合、ウエハー面内の均一性が不安定になり、遅い場
合は生産効率が低下して問題となるため、２０００〜３
０００オングストローム／分が必要と言われている。し
かしながらこれら提案されている方法での研磨実施例に
おいては研磨速度が２００〜９００オングストローム／
分と記載されており、実際の半導体デバイスの生産には
対応できない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】かかる状況のもと、本
発明が解決しようとする課題は、シリコンウエハー上に
被覆した金属膜を化学的機械研磨により研磨するための
研磨剤であって、実際の半導体装置製造に必要な研磨速
度を有する化学的機械研磨処理を行うことができ、製品
歩留まりの低下等の半導体製造における生産性を向上さ
せることができる研磨剤、及び該研磨剤を用いる研磨方
法を提供する点に存するものである。
発明が解決しようとする課題は、シリコンウエハー上に
被覆した金属膜を化学的機械研磨により研磨するための
研磨剤であって、実際の半導体装置製造に必要な研磨速
度を有する化学的機械研磨処理を行うことができ、製品
歩留まりの低下等の半導体製造における生産性を向上さ
せることができる研磨剤、及び該研磨剤を用いる研磨方
法を提供する点に存するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決すべく
鋭意検討を重ねた結果、研磨される被研磨加工膜が金属
を主成分とする材料からなる膜が、研磨されることによ
って水溶液中に溶解した後、溶解した金属と錯体を形成
する錯化剤を含有する研磨剤と、この研磨剤を用いて研
磨を行うことにより、半導体デバイスの生産に対応でき
る研磨速度で金属膜を研磨することができることを見出
し本発明をするに至った。
鋭意検討を重ねた結果、研磨される被研磨加工膜が金属
を主成分とする材料からなる膜が、研磨されることによ
って水溶液中に溶解した後、溶解した金属と錯体を形成
する錯化剤を含有する研磨剤と、この研磨剤を用いて研
磨を行うことにより、半導体デバイスの生産に対応でき
る研磨速度で金属膜を研磨することができることを見出
し本発明をするに至った。
【００１２】金属膜を化学的機械研磨する場合に使用す
る研磨粒子を含む溶液（以後スラリーと省略する）に
は、回転する研磨布（以後パッドと省略する）上に分散
させ被研磨面に接触させることによって、被研磨膜を機
械的に研磨させるための研磨粒子と、硝酸第二鉄や過酸
化水素水のような被研磨面を酸化させるための酸化剤
と、研磨粒子を分散させ、酸化剤を溶解させるための水
が含まれている。この酸化剤は、被研磨面がＷを主成分
とする金属膜の場合には、硬いＷ膜を柔らかい酸化膜に
酸化させることにより研磨しやすくするために、また被
研磨膜がＡｌを主成分とする金属膜の場合には、研磨粒
子より柔らかいＡｌ膜が研磨粒子の接触によって傷を発
生しないよう硬い酸化膜にして保護するために用いられ
ている。
る研磨粒子を含む溶液（以後スラリーと省略する）に
は、回転する研磨布（以後パッドと省略する）上に分散
させ被研磨面に接触させることによって、被研磨膜を機
械的に研磨させるための研磨粒子と、硝酸第二鉄や過酸
化水素水のような被研磨面を酸化させるための酸化剤
と、研磨粒子を分散させ、酸化剤を溶解させるための水
が含まれている。この酸化剤は、被研磨面がＷを主成分
とする金属膜の場合には、硬いＷ膜を柔らかい酸化膜に
酸化させることにより研磨しやすくするために、また被
研磨膜がＡｌを主成分とする金属膜の場合には、研磨粒
子より柔らかいＡｌ膜が研磨粒子の接触によって傷を発
生しないよう硬い酸化膜にして保護するために用いられ
ている。
【００１３】一方、本発明者らは、被研磨金属膜が化学
的機械研磨によって研磨され、スラリー溶液中に溶解し
た金属について注目した結果、溶液中の金属がスラリー
中の水により溶け込みやすい形態で存在した場合に、被
研磨金属膜がより高速に研磨させることを見出した。
的機械研磨によって研磨され、スラリー溶液中に溶解し
た金属について注目した結果、溶液中の金属がスラリー
中の水により溶け込みやすい形態で存在した場合に、被
研磨金属膜がより高速に研磨させることを見出した。
【００１４】具体的には、フッ化アンモニウムを添加し
たスラリー溶液によりＡｌを主成分とする被研磨膜を研
磨した場合、フッ化アンモニウムを添加しない場合に比
較して、Ａｌ膜の研磨速度が著しく向上した。これは研
磨によってスラリー溶液中に溶解したＡｌが、Ａｌと水
溶性の錯体を形成する錯化剤であるフッ化アンモニウム
と反応し、溶液中でのＡｌの溶解度が向上したためであ
ると考えられる。
たスラリー溶液によりＡｌを主成分とする被研磨膜を研
磨した場合、フッ化アンモニウムを添加しない場合に比
較して、Ａｌ膜の研磨速度が著しく向上した。これは研
磨によってスラリー溶液中に溶解したＡｌが、Ａｌと水
溶性の錯体を形成する錯化剤であるフッ化アンモニウム
と反応し、溶液中でのＡｌの溶解度が向上したためであ
ると考えられる。
【００１５】ここで、錯化剤のような化学試薬を添加し
て被研磨膜が金属である膜を研磨する方法として、例え
ば特開平８−８３７８０号公報に記載の方法がある。こ
の中では表面に凹部を有する基体上に、前記凹部を充填
するように金属を主成分とする材料からなる膜を形成
し、この金属膜を主成分とする材料と反応することによ
り、金属膜表面に保護膜を形成する化学試薬と、金属膜
のエッチング剤とを含有する研磨剤が提案されている。
ここで化学試薬としてはＣｕ又はＣｕ合金の場合はベン
ゾトリアゾール又はその誘導体、Ｗ（タングステン）又
はＷ合金の場合はＮ−ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロ
キシルアミン又はその誘導体が提案されている。これら
の化学試薬は、被研磨膜である金属膜表面に反応するこ
とによって保護層を形成することが目的であって、研磨
することによってスラリー溶液中に溶解してきた金属と
反応させ、研磨速度を向上させるものではない。
て被研磨膜が金属である膜を研磨する方法として、例え
ば特開平８−８３７８０号公報に記載の方法がある。こ
の中では表面に凹部を有する基体上に、前記凹部を充填
するように金属を主成分とする材料からなる膜を形成
し、この金属膜を主成分とする材料と反応することによ
り、金属膜表面に保護膜を形成する化学試薬と、金属膜
のエッチング剤とを含有する研磨剤が提案されている。
ここで化学試薬としてはＣｕ又はＣｕ合金の場合はベン
ゾトリアゾール又はその誘導体、Ｗ（タングステン）又
はＷ合金の場合はＮ−ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロ
キシルアミン又はその誘導体が提案されている。これら
の化学試薬は、被研磨膜である金属膜表面に反応するこ
とによって保護層を形成することが目的であって、研磨
することによってスラリー溶液中に溶解してきた金属と
反応させ、研磨速度を向上させるものではない。
【００１６】すなわち、本発明のうち一の発明は、シリ
コンウエハー上に被覆した金属膜を化学的機械研磨によ
り研磨するための研磨剤であって、金属と反応し水溶性
の金属錯体を形成する錯化剤を含有する研磨剤に係るも
のである。
コンウエハー上に被覆した金属膜を化学的機械研磨によ
り研磨するための研磨剤であって、金属と反応し水溶性
の金属錯体を形成する錯化剤を含有する研磨剤に係るも
のである。
【００１７】また、本発明のうち他の発明は、シリコン
ウエハー上に被覆した金属膜を化学的機械研磨により研
磨する研磨方法であって、研磨剤として上記の研磨剤を
用いる研磨方法に係るものである。
ウエハー上に被覆した金属膜を化学的機械研磨により研
磨する研磨方法であって、研磨剤として上記の研磨剤を
用いる研磨方法に係るものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】ここで金属を主成分とする材料と
しては、Ａｌ、Ａｌ合金、これらの金属に少量の不純物
や添加元素が含まれているもの等を用いることができ
る。
しては、Ａｌ、Ａｌ合金、これらの金属に少量の不純物
や添加元素が含まれているもの等を用いることができ
る。
【００１９】また、これらＡｌを主成分とする金属と反
応し、より水溶性の高い錯体を形成させるための錯化剤
としてはフッ化アンモニウムを用いることができる。こ
れら錯化剤のスラリー中での濃度としては０．５〜２０
重量％、好ましくは１〜５重量％であり、それよりも少
ない場合は錯化剤としての効果が少なく、それ以上多く
添加しても、添加量に見合った効果を得ることはできな
い。
応し、より水溶性の高い錯体を形成させるための錯化剤
としてはフッ化アンモニウムを用いることができる。こ
れら錯化剤のスラリー中での濃度としては０．５〜２０
重量％、好ましくは１〜５重量％であり、それよりも少
ない場合は錯化剤としての効果が少なく、それ以上多く
添加しても、添加量に見合った効果を得ることはできな
い。
【００２０】また、錯化剤を含む研磨用スラリー中に
は、被研磨膜である金属膜に傷をつけないよう配慮され
た研磨剤や酸化剤を含んでいて問題はない。研磨剤とし
てはシリカ、アルミナ、酸化セリウム、二酸化マンガン
等の無機酸化物の粒子の他に、メタクリル樹脂やフェノ
ール樹脂、ユリア樹脂、メラニン樹脂、ポリスチレン樹
脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂のよう
な有機高分子化合物からなる粒子又は少なくとも炭素を
主成分とする粒子を研磨剤として用いることができる。
酸化剤としては硝酸第二鉄や塩化第二鉄、硫酸第二鉄、
過酸化水素水、過沃素酸カリウム、過硫酸アンモニウ
ム、過塩素酸、過塩素酸ナトリウム等が用いられる。ま
た、研磨剤や酸化剤を含むことなく、金属膜の研磨を研
磨用パッドと錯化剤だけで行うことも可能である。
は、被研磨膜である金属膜に傷をつけないよう配慮され
た研磨剤や酸化剤を含んでいて問題はない。研磨剤とし
てはシリカ、アルミナ、酸化セリウム、二酸化マンガン
等の無機酸化物の粒子の他に、メタクリル樹脂やフェノ
ール樹脂、ユリア樹脂、メラニン樹脂、ポリスチレン樹
脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂のよう
な有機高分子化合物からなる粒子又は少なくとも炭素を
主成分とする粒子を研磨剤として用いることができる。
酸化剤としては硝酸第二鉄や塩化第二鉄、硫酸第二鉄、
過酸化水素水、過沃素酸カリウム、過硫酸アンモニウ
ム、過塩素酸、過塩素酸ナトリウム等が用いられる。ま
た、研磨剤や酸化剤を含むことなく、金属膜の研磨を研
磨用パッドと錯化剤だけで行うことも可能である。
【００２１】
【実施例】本発明を実施例により更に詳細に説明する
が、実施例では研磨粒子として、水の中での分散性が極
めて良好で、長時間保管しても凝集や沈殿のない樹脂エ
マルジョンを用いているが、本発明はこれら実施例に用
いられた研磨粒子や、その他研磨条件、付着粒子の除去
方法等に限定されるものではない。
が、実施例では研磨粒子として、水の中での分散性が極
めて良好で、長時間保管しても凝集や沈殿のない樹脂エ
マルジョンを用いているが、本発明はこれら実施例に用
いられた研磨粒子や、その他研磨条件、付着粒子の除去
方法等に限定されるものではない。
【００２２】＜樹脂エマルジョンの調製＞乳化剤として
ラウリル硫酸アンモニウム３０ｇ、純水５００ｇ、ビニ
ル化合物としてスチレン５００ｇ及びメタクリル酸メチ
ル５００ｇを攪拌混合し、これらのビニル化合物のモノ
マー乳化液を調製した。つぎに温度調節器、攪拌機を有
する５リットルのステンレス製反応器に、ラウリル硫酸
アンモニウム０.９ｇと純水１７５０ｇを入れ、７５℃
に昇温した後、反応器内を窒素ガスで置換した。その
後、反応器に重合開始剤として４重量パーセントの過硫
酸アンモニウム水溶液１００ｇを供給し、続いて先に調
製したモノマー乳化液を4時間かけて一定速度で供給し
てスチレンとメタクリル酸メチルの共重合体粒子が分散
した樹脂エマルジョンを得た。得られたエマルジョン中
のスチレン・メタクリル酸メチル共重合体の粒子濃度は
３０.２重量％であった。顕微鏡観察により、この樹脂
粒子は平均粒径が０.１ミクロンの球状で、樹脂粒子の
凝集物は観察されなかった。またこの樹脂エマルジョン
は室温下で6ヶ月間放置しても樹脂粒子の沈降や粒子の
凝集は認められなかった。
ラウリル硫酸アンモニウム３０ｇ、純水５００ｇ、ビニ
ル化合物としてスチレン５００ｇ及びメタクリル酸メチ
ル５００ｇを攪拌混合し、これらのビニル化合物のモノ
マー乳化液を調製した。つぎに温度調節器、攪拌機を有
する５リットルのステンレス製反応器に、ラウリル硫酸
アンモニウム０.９ｇと純水１７５０ｇを入れ、７５℃
に昇温した後、反応器内を窒素ガスで置換した。その
後、反応器に重合開始剤として４重量パーセントの過硫
酸アンモニウム水溶液１００ｇを供給し、続いて先に調
製したモノマー乳化液を4時間かけて一定速度で供給し
てスチレンとメタクリル酸メチルの共重合体粒子が分散
した樹脂エマルジョンを得た。得られたエマルジョン中
のスチレン・メタクリル酸メチル共重合体の粒子濃度は
３０.２重量％であった。顕微鏡観察により、この樹脂
粒子は平均粒径が０.１ミクロンの球状で、樹脂粒子の
凝集物は観察されなかった。またこの樹脂エマルジョン
は室温下で6ヶ月間放置しても樹脂粒子の沈降や粒子の
凝集は認められなかった。
【００２３】実施例１ 上記の方法により得られたメタアクリル樹脂エマルジョ
ンに２重量％のフッ化アンモニウムと純水を加え、樹脂
粒子濃度が１０重量％の研磨剤スラリーを調製した。こ
の研磨剤スラリーを用いて、スパッタリングで成膜した
Ａｌ膜の付いたウェハーを、研磨用パッド回転数５００
ｒｐｍ、ウェハー保持台の回転数７５ｒｐｍ、研磨圧力
２５０ｇ／ｃｍ2で研磨を行った結果、２５００オング
ストロ−ム／分の研磨速度が得られた。この研磨ウエハ
ーを水洗後スピン乾燥し、２００℃に加熱された石英板
と１５０Ｗの低圧水銀灯の間に置き、オゾン発生装置に
より発生したオゾンをウエハー表面に供給しながら５分
間処理し、研磨後に残留する粒子の除去を行った。その
後ＣＭＰ用ブラシ洗浄機において樹脂粒子以外に混入し
てきた不純物を洗浄除去し、乾燥処理後、ウエハー表面
の粒子数を測定した結果、研磨処理工程前の粒子レベル
まで表面は清浄化されていた。
ンに２重量％のフッ化アンモニウムと純水を加え、樹脂
粒子濃度が１０重量％の研磨剤スラリーを調製した。こ
の研磨剤スラリーを用いて、スパッタリングで成膜した
Ａｌ膜の付いたウェハーを、研磨用パッド回転数５００
ｒｐｍ、ウェハー保持台の回転数７５ｒｐｍ、研磨圧力
２５０ｇ／ｃｍ2で研磨を行った結果、２５００オング
ストロ−ム／分の研磨速度が得られた。この研磨ウエハ
ーを水洗後スピン乾燥し、２００℃に加熱された石英板
と１５０Ｗの低圧水銀灯の間に置き、オゾン発生装置に
より発生したオゾンをウエハー表面に供給しながら５分
間処理し、研磨後に残留する粒子の除去を行った。その
後ＣＭＰ用ブラシ洗浄機において樹脂粒子以外に混入し
てきた不純物を洗浄除去し、乾燥処理後、ウエハー表面
の粒子数を測定した結果、研磨処理工程前の粒子レベル
まで表面は清浄化されていた。
【００２４】実施例２及び比較例１フッ化アンモニウム
濃度の変更以外、実施例１と同様に行った。結果を表１
に示した。
濃度の変更以外、実施例１と同様に行った。結果を表１
に示した。
【表１】 ―――――――――――――――――――――――――――――――― 実施例1 実施例2 比較例1 フッ化アンモニウム濃度 （重量％） 2.0 0.5 0 研磨速度（オングストローム／分） 2500 800 300 ――――――――――――――――――――――――――――――――
【００２５】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明により、シ
リコンウエハー上に被覆した金属膜を化学的機械研磨に
より研磨するための研磨剤であって、実際の半導体装置
製造に必要な研磨速度を有する化学的機械研磨処理を行
うことができ、製品歩留まりの低下等の半導体製造にお
ける生産性を向上させることができる研磨剤、及び該研
磨剤を用いる研磨方法を提供することができた。
リコンウエハー上に被覆した金属膜を化学的機械研磨に
より研磨するための研磨剤であって、実際の半導体装置
製造に必要な研磨速度を有する化学的機械研磨処理を行
うことができ、製品歩留まりの低下等の半導体製造にお
ける生産性を向上させることができる研磨剤、及び該研
磨剤を用いる研磨方法を提供することができた。
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコンウエハー上に被覆した金属膜を
化学的機械研磨により研磨するための研磨剤であって、
金属と反応し水溶性の金属錯体を形成する錯化剤を含有
する研磨剤。 - 【請求項２】 金属が少なくともアルミニウムを含有す
る請求項１記載の研磨剤。 - 【請求項３】 錯化剤がフッ化アンモニウムである請求
項１記載の研磨剤。 - 【請求項４】 シリコンウエハー上に被覆した金属膜を
化学的機械研磨により研磨する研磨方法であって、研磨
剤として請求項１記載の研磨剤を用いる研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8010197A JPH10275789A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 研磨剤及び研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8010197A JPH10275789A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 研磨剤及び研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275789A true JPH10275789A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13708800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8010197A Pending JPH10275789A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 研磨剤及び研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10275789A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100412996B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2003-12-31 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 무-슬러리 화학-기계적 폴리싱 |
| US6676484B2 (en) | 1998-11-10 | 2004-01-13 | Micron Technology, Inc. | Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
| KR100433776B1 (ko) * | 2000-07-14 | 2004-06-04 | 가부시끼가이샤 도시바 | Ｃｍｐ용 슬러리, 그 형성 방법, 및 ｃｍｐ 프로세스를포함하는 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6800105B2 (en) | 2000-01-11 | 2004-10-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Abrasive for metal |
| JP2006319353A (ja) * | 2006-06-28 | 2006-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008155368A (ja) * | 1999-06-23 | 2008-07-10 | Jsr Corp | 研磨用組成物、および研磨方法 |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP8010197A patent/JPH10275789A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6676484B2 (en) | 1998-11-10 | 2004-01-13 | Micron Technology, Inc. | Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
| JP2008155368A (ja) * | 1999-06-23 | 2008-07-10 | Jsr Corp | 研磨用組成物、および研磨方法 |
| KR100412996B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2003-12-31 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 무-슬러리 화학-기계적 폴리싱 |
| US6800105B2 (en) | 2000-01-11 | 2004-10-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Abrasive for metal |
| KR100433776B1 (ko) * | 2000-07-14 | 2004-06-04 | 가부시끼가이샤 도시바 | Ｃｍｐ용 슬러리, 그 형성 방법, 및 ｃｍｐ 프로세스를포함하는 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2006319353A (ja) * | 2006-06-28 | 2006-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体及び半導体装置の製造方法 |
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