JPH10268518A - パターン形成材料及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
パターン形成材料及びそれを用いたパターン形成方法Info
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- JPH10268518A JPH10268518A JP9074990A JP7499097A JPH10268518A JP H10268518 A JPH10268518 A JP H10268518A JP 9074990 A JP9074990 A JP 9074990A JP 7499097 A JP7499097 A JP 7499097A JP H10268518 A JPH10268518 A JP H10268518A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】放射線描画後の加熱処理時に生じるウエハ面内
の温度分布に感度が影響を受けない、高感度，高解像性
をもつパターン形成材料を提供する。 【解決手段】アルカリ可溶性高分子，芳香環に直接結合
した炭素上に水酸基を有する三級アルコール，放射線の
照射により酸を発生する酸前駆体、ならびに下記一般式
（１)〜(８）で表わされる群から選ばれた少なくとも一
種類の塩基性化合物を含む（ここでＲ１〜Ｒ７は水素，
炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基，フェニル
基，ベンジル基，フェネチル基，ピリジル基，シクロヘ
キシル基，ｐ−トリル基，キノリル基，アリル基，メト
キシメチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わ
し、Ｒ１〜Ｒ７は同一であってもよく、異なっていても
よい）。 【化１】
の温度分布に感度が影響を受けない、高感度，高解像性
をもつパターン形成材料を提供する。 【解決手段】アルカリ可溶性高分子，芳香環に直接結合
した炭素上に水酸基を有する三級アルコール，放射線の
照射により酸を発生する酸前駆体、ならびに下記一般式
（１)〜(８）で表わされる群から選ばれた少なくとも一
種類の塩基性化合物を含む（ここでＲ１〜Ｒ７は水素，
炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基，フェニル
基，ベンジル基，フェネチル基，ピリジル基，シクロヘ
キシル基，ｐ−トリル基，キノリル基，アリル基，メト
キシメチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わ
し、Ｒ１〜Ｒ７は同一であってもよく、異なっていても
よい）。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の微
細加工に用いられるパターン形成材料及びそれを用いた
パターン形成方法に関する。
細加工に用いられるパターン形成材料及びそれを用いた
パターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線，紫外線等の放射線のパターン照
射によりパターン潜像形成部に酸を生成せしめ、この酸
を触媒とする反応によって、当該照射部の現像液に対す
る溶解性を変化させ、現像工程によりネガ型パターンを
現出させるパターン形成材料、及びそれを用いたパター
ン形成方法に関しては、特開昭62−164045号，特開平2
−217855号等に記載のものが知られている。これら従来
例には、放射線の照射で酸を生成する酸前駆体と酸触媒
下で架橋し、アルカリ水溶液に対する溶解性を減少させ
るネガ型パターン形成材料が記載されている。
射によりパターン潜像形成部に酸を生成せしめ、この酸
を触媒とする反応によって、当該照射部の現像液に対す
る溶解性を変化させ、現像工程によりネガ型パターンを
現出させるパターン形成材料、及びそれを用いたパター
ン形成方法に関しては、特開昭62−164045号，特開平2
−217855号等に記載のものが知られている。これら従来
例には、放射線の照射で酸を生成する酸前駆体と酸触媒
下で架橋し、アルカリ水溶液に対する溶解性を減少させ
るネガ型パターン形成材料が記載されている。
【０００３】上記従来例に記載のような酸触媒による架
橋反応を利用したネガ型パターン形成材料（以下架橋系
パターン形成材料という）のアルカリ水溶液に対する溶
解性は、架橋反応による分子量の増大によって変化す
る。
橋反応を利用したネガ型パターン形成材料（以下架橋系
パターン形成材料という）のアルカリ水溶液に対する溶
解性は、架橋反応による分子量の増大によって変化す
る。
【０００４】また、アルカリ水溶液に対する溶解性の変
化が架橋反応でなく分子の極性変換反応に基づくネガ型
パターン形成材料(以下極性変換系パターン形成材料と
いう)として、特開平2−290917号，特開平4−165359
号，特開平7−104473 号に記載のものが知られている。
極性変換反応の例として酸触媒によるアルコールの脱水
反応が上記従来例に記載されている。
化が架橋反応でなく分子の極性変換反応に基づくネガ型
パターン形成材料(以下極性変換系パターン形成材料と
いう)として、特開平2−290917号，特開平4−165359
号，特開平7−104473 号に記載のものが知られている。
極性変換反応の例として酸触媒によるアルコールの脱水
反応が上記従来例に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記架橋系パターン形
成材料の感度は、放射線照射後の架橋反応を促進するた
めの加熱温度に大きく依存することが知られている。こ
のため、架橋系パターン形成材料を半導体微細加工に用
いた場合、加熱工程で生じるウェハ面内の僅かな温度分
布が、パターン寸法のばらつきとして反映してしまい、
十分な寸法精度を確保できないという問題があった。架
橋系パターン形成材料の感度に対する加熱温度依存性
は、一般に架橋反応の活性化エネルギーが高いことに起
因するものである。
成材料の感度は、放射線照射後の架橋反応を促進するた
めの加熱温度に大きく依存することが知られている。こ
のため、架橋系パターン形成材料を半導体微細加工に用
いた場合、加熱工程で生じるウェハ面内の僅かな温度分
布が、パターン寸法のばらつきとして反映してしまい、
十分な寸法精度を確保できないという問題があった。架
橋系パターン形成材料の感度に対する加熱温度依存性
は、一般に架橋反応の活性化エネルギーが高いことに起
因するものである。
【０００６】架橋系パターン形成材料よりも反応の活性
化エネルギーが低く、感度に対する加熱温度依存性の小
さい材料として、前記極性変換系パターン形成材料が知
られている。しかし、この極性変換系パターン形成材料
を用いた場合でも、加熱処理工程で反応の触媒である酸
の拡散のために、感度が加熱温度に依存し、十分な寸法
精度を確保できないという問題があった。
化エネルギーが低く、感度に対する加熱温度依存性の小
さい材料として、前記極性変換系パターン形成材料が知
られている。しかし、この極性変換系パターン形成材料
を用いた場合でも、加熱処理工程で反応の触媒である酸
の拡散のために、感度が加熱温度に依存し、十分な寸法
精度を確保できないという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、極性変換系パターン形成
材料の加熱処理工程での酸の拡散を低減することによっ
て、微細加工の高精度化を図り、電子線，紫外線等の放
射線のパターン状照射によりパターン潜像形成部に効率
よく酸を生成せしめ、この酸を触媒とする反応によって
当該照射部のアルカリ水溶液に対する溶解性を変化さ
せ、工業的に有利なアルカリ水溶液を現像液とする現像
工程により、高解像性のパターンを現出させるパターン
形成材料及びそれを用いたパターン形成方法を提供する
ことにある。
材料の加熱処理工程での酸の拡散を低減することによっ
て、微細加工の高精度化を図り、電子線，紫外線等の放
射線のパターン状照射によりパターン潜像形成部に効率
よく酸を生成せしめ、この酸を触媒とする反応によって
当該照射部のアルカリ水溶液に対する溶解性を変化さ
せ、工業的に有利なアルカリ水溶液を現像液とする現像
工程により、高解像性のパターンを現出させるパターン
形成材料及びそれを用いたパターン形成方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、アルカリ可
溶性高分子，芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有
する三級アルコール，放射線の照射により酸を発生する
酸前駆体、ならびに下記一般式（１)〜(８）で表わされ
る群から選ばれた少なくとも一種類の塩基性化合物を含
むことを特徴とするパターン形成材料、ならびにこのパ
ターン形成材料を用いたパターン形成方法によって達成
される（ここでＲ１〜Ｒ７は水素，炭素数１〜４の置換
または無置換アルキル基，フェニル基，ベンジル基，フ
ェネチル基，ピリジル基，シクロヘキシル基，ｐ−トリ
ル基，キノリル基，アリル基，メトキシメチル基の中か
ら選ばれる原子または原子団を表わし、Ｒ１〜Ｒ７は同
一であってもよく、異なっていてもよい）。
溶性高分子，芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有
する三級アルコール，放射線の照射により酸を発生する
酸前駆体、ならびに下記一般式（１)〜(８）で表わされ
る群から選ばれた少なくとも一種類の塩基性化合物を含
むことを特徴とするパターン形成材料、ならびにこのパ
ターン形成材料を用いたパターン形成方法によって達成
される（ここでＲ１〜Ｒ７は水素，炭素数１〜４の置換
または無置換アルキル基，フェニル基，ベンジル基，フ
ェネチル基，ピリジル基，シクロヘキシル基，ｐ−トリ
ル基，キノリル基，アリル基，メトキシメチル基の中か
ら選ばれる原子または原子団を表わし、Ｒ１〜Ｒ７は同
一であってもよく、異なっていてもよい）。
【０００９】
【化２１】
【００１０】
【化２２】
【００１１】
【化２３】
【００１２】
【化２４】
【００１３】
【化２５】
【００１４】
【化２６】
【００１５】
【化２７】
【００１６】
【化２８】
【００１７】本発明に用いられる塩基性化合物として
は、例えばアニリン、ベンジルアミン、チラミン、２−
アミノキノリン、３−アミノジフェニル、４−アミノフ
ェノール、５−アミノインダン、５−アミノインダゾー
ル、シクロヘキシルアミン、ジフェニルアミン、ジシク
ロヘキシルアミン、２，２−ジピリジルアミン、トリ−
ｎ−メチルアミン、トリフェニルアミン、ピリジン、２
−ピコリン、２，６−ルチジン、６−アミノ−２，４−
ルチジン、２，４−ジアミノピリジン、２−ベンジルピ
リジン、３−ベンジルピリジン、４−ベンジルピリジ
ン、４−フェニルピリジン、２，６−ジ−ｐ−トリルピ
リジン、アメリン、ベンゾグアナミン、Ｎ(２)，Ｎ(２)
−ジアリルメラミン、アミノメラミン、ヘキサ(メトキ
シメチル)メラミン、キノリン、２，２−ビキノリン、
４−アミノ−２−メチルキノリン、２，４−ジメチルキ
ノリン、４，４−ジフェニル−２，２−ジピリジル、
２，２−ビ−４−ピコリン、１，３−ジ（４−ピリジ
ル）プロパン、１，２−ジ（２−ピリジル）エチレン等
が挙げられる。
は、例えばアニリン、ベンジルアミン、チラミン、２−
アミノキノリン、３−アミノジフェニル、４−アミノフ
ェノール、５−アミノインダン、５−アミノインダゾー
ル、シクロヘキシルアミン、ジフェニルアミン、ジシク
ロヘキシルアミン、２，２−ジピリジルアミン、トリ−
ｎ−メチルアミン、トリフェニルアミン、ピリジン、２
−ピコリン、２，６−ルチジン、６−アミノ−２，４−
ルチジン、２，４−ジアミノピリジン、２−ベンジルピ
リジン、３−ベンジルピリジン、４−ベンジルピリジ
ン、４−フェニルピリジン、２，６−ジ−ｐ−トリルピ
リジン、アメリン、ベンゾグアナミン、Ｎ(２)，Ｎ(２)
−ジアリルメラミン、アミノメラミン、ヘキサ(メトキ
シメチル)メラミン、キノリン、２，２−ビキノリン、
４−アミノ−２−メチルキノリン、２，４−ジメチルキ
ノリン、４，４−ジフェニル−２，２−ジピリジル、
２，２−ビ−４−ピコリン、１，３−ジ（４−ピリジ
ル）プロパン、１，２−ジ（２−ピリジル）エチレン等
が挙げられる。
【００１８】上記塩基性化合物の中でも、分子内にピリ
ジン骨格を有する化合物は、酸を捕捉し拡散を抑制する
のに十分な塩基性を持ち、かつパターン形成材料の溶液
に添加しても溶液の保存安定性に影響を与えないので、
本発明のパターン形成材料に用いる塩基性化合物として
特に好ましい。
ジン骨格を有する化合物は、酸を捕捉し拡散を抑制する
のに十分な塩基性を持ち、かつパターン形成材料の溶液
に添加しても溶液の保存安定性に影響を与えないので、
本発明のパターン形成材料に用いる塩基性化合物として
特に好ましい。
【００１９】また、芳香環に直接結合した炭素上に水酸
基を有する三級アルコールとして、下記一般式（９)〜
(２０）で表わされる群から選ばれた少なくとも１つの
化合物が好ましい（ここでＲ１，Ｒ２は炭素数１〜４の
置換または無置換アルキル基を表わし、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ
５およびＲ６は水素，ハロゲン，炭素数１〜４の置換ま
たは無置換アルキル基，炭素数１〜４の置換または無置
換アルコキシ基，フェニル基，メトキシ基，シクロプロ
ピル基の中から選ばれる原子または原子団を表わし、Ｒ
１〜Ｒ２は同一であってもよく、異なっていてもよ
い）。
基を有する三級アルコールとして、下記一般式（９)〜
(２０）で表わされる群から選ばれた少なくとも１つの
化合物が好ましい（ここでＲ１，Ｒ２は炭素数１〜４の
置換または無置換アルキル基を表わし、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ
５およびＲ６は水素，ハロゲン，炭素数１〜４の置換ま
たは無置換アルキル基，炭素数１〜４の置換または無置
換アルコキシ基，フェニル基，メトキシ基，シクロプロ
ピル基の中から選ばれる原子または原子団を表わし、Ｒ
１〜Ｒ２は同一であってもよく、異なっていてもよ
い）。
【００２０】
【化２９】
【００２１】
【化３０】
【００２２】
【化３１】
【００２３】
【化３２】
【００２４】
【化３３】
【００２５】
【化３４】
【００２６】
【化３５】
【００２７】
【化３６】
【００２８】
【化３７】
【００２９】
【化３８】
【００３０】
【化３９】
【００３１】
【化４０】
【００３２】本発明に用いられる芳香環に直接結合した
炭素上に水酸基を有する三級アルコールとしては、例え
ばα，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−ベンゼ
ンジメタノール、α，α，α′，α′−テトラエチル−
１，３−ベンゼンジメタノール、５−メトキシ−α，
α，α′，α′−テトラメチル−１，３−ベンゼンジメ
タノール、５−クロロ−α，α，α′，α′−テトラメ
チル−１，３−ベンゼンジメタノール、５−ブロモ−
α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−ベンゼン
ジメタノール、α，α，α′，α′−テトラメチル−
１，４−ベンゼンジメタノール、α，α，α′，α′−
テトラエチル−１，４−ベンゼンジメタノール、２，
３，５，６−α，α，α′，α′−オクタメチル−１，
４−ベンゼンジメタノール、２−クロロ−α，α，
α′，α′−テトラメチル−１，４−ベンゼンジメタノ
ール、２−ブロモ−α，α，α′，α′−テトラメチル
−１，４−ベンゼンジメタノール、α，α，α′，
α′，α″，α″−ヘキサメチル−１，３，５−ベンゼ
ントリメタノール、α，α，α′，α′，α″，α″−
ヘキサエチル−１，３，５−ベンゼントリメタノール、
α，α，α′，α′−テトラメチル−１，５−ナフタレ
ンジメタノール、α，α，α′，α′−テトラメチル−
１，４−ナフタレンジメタノール、α，α，α′，α′
−テトラメチル−９，１０−アントラセンジメタノール
等が挙げられる。
炭素上に水酸基を有する三級アルコールとしては、例え
ばα，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−ベンゼ
ンジメタノール、α，α，α′，α′−テトラエチル−
１，３−ベンゼンジメタノール、５−メトキシ−α，
α，α′，α′−テトラメチル−１，３−ベンゼンジメ
タノール、５−クロロ−α，α，α′，α′−テトラメ
チル−１，３−ベンゼンジメタノール、５−ブロモ−
α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−ベンゼン
ジメタノール、α，α，α′，α′−テトラメチル−
１，４−ベンゼンジメタノール、α，α，α′，α′−
テトラエチル−１，４−ベンゼンジメタノール、２，
３，５，６−α，α，α′，α′−オクタメチル−１，
４−ベンゼンジメタノール、２−クロロ−α，α，
α′，α′−テトラメチル−１，４−ベンゼンジメタノ
ール、２−ブロモ−α，α，α′，α′−テトラメチル
−１，４−ベンゼンジメタノール、α，α，α′，
α′，α″，α″−ヘキサメチル−１，３，５−ベンゼ
ントリメタノール、α，α，α′，α′，α″，α″−
ヘキサエチル−１，３，５−ベンゼントリメタノール、
α，α，α′，α′−テトラメチル−１，５−ナフタレ
ンジメタノール、α，α，α′，α′−テトラメチル−
１，４−ナフタレンジメタノール、α，α，α′，α′
−テトラメチル−９，１０−アントラセンジメタノール
等が挙げられる。
【００３３】上記芳香環に直接結合した炭素上に水酸基
を有する三級アルコールの中でも２−ヒドロキシイソプ
ロピル基を同一芳香環上に３つ以上有する三級アルコー
ルは露光前加熱処理時における揮発が少なく、本発明の
パターン形成材料に用いるアルコール化合物としてより
好ましい。
を有する三級アルコールの中でも２−ヒドロキシイソプ
ロピル基を同一芳香環上に３つ以上有する三級アルコー
ルは露光前加熱処理時における揮発が少なく、本発明の
パターン形成材料に用いるアルコール化合物としてより
好ましい。
【００３４】本発明における望ましいアルカリ可溶性高
分子としては、ノボラック樹脂，ｍ，ｐ−クレゾールノ
ボラック樹脂，ハロゲン化ノボラック樹脂，ポリヒドロ
キシスチレン，ハロゲン化ポリヒドロキシスチレン、ま
たはヒドロキシスチレン／スチレン共重合体，ポリメチ
ルグルタルイミド等の高分子化合物が挙げられる。この
中でもｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂を用いること
が望ましく、メタ，パラ比が、３０：７０〜１００：０
の範囲のものはより好ましい。
分子としては、ノボラック樹脂，ｍ，ｐ−クレゾールノ
ボラック樹脂，ハロゲン化ノボラック樹脂，ポリヒドロ
キシスチレン，ハロゲン化ポリヒドロキシスチレン、ま
たはヒドロキシスチレン／スチレン共重合体，ポリメチ
ルグルタルイミド等の高分子化合物が挙げられる。この
中でもｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂を用いること
が望ましく、メタ，パラ比が、３０：７０〜１００：０
の範囲のものはより好ましい。
【００３５】本発明で用いられる酸前駆体はトリアリー
ルスルホニウム塩や、ナフトイルメチルテトラメチレン
スルホニウム塩，ジアリールヨードニウム塩などのオニ
ウム塩を用いることができる。オニウム塩の対アニオン
はトリフルオロメタンスルホン酸，トリフルオロ酢酸，
メタンスルホン酸などのアルキルスルホン酸，トルエン
スルホン酸などのアリールスルホン酸，テトラフルオロ
ホウ素酸，ヘキサフルオロアンチモン酸，ヘキサフルオ
ロヒ素酸などのようなルイス酸が用いられる。またこれ
以外にも酸前駆体として特開平2−245756 号に記載のア
ルキルおよびアリールスルホン酸エステルを用いること
もできる。
ルスルホニウム塩や、ナフトイルメチルテトラメチレン
スルホニウム塩，ジアリールヨードニウム塩などのオニ
ウム塩を用いることができる。オニウム塩の対アニオン
はトリフルオロメタンスルホン酸，トリフルオロ酢酸，
メタンスルホン酸などのアルキルスルホン酸，トルエン
スルホン酸などのアリールスルホン酸，テトラフルオロ
ホウ素酸，ヘキサフルオロアンチモン酸，ヘキサフルオ
ロヒ素酸などのようなルイス酸が用いられる。またこれ
以外にも酸前駆体として特開平2−245756 号に記載のア
ルキルおよびアリールスルホン酸エステルを用いること
もできる。
【００３６】本発明のパターン形成材料においてアルカ
リ可溶性高分子，芳香環に直接結合した炭素上に水酸基
を有する三級アルコール，放射線の照射によって酸を生
成する酸前駆体，塩基性化合物の組成比が、１００重量
部，１〜５０重量部，0.01〜３０，０.００１〜１ 重量
部の範囲であることが望ましい。アルコールの量がこの
範囲よりも大きいと相分離が起こるために均一な塗膜の
形成が困難であり、小さいと塗膜の不溶化が十分進行し
ない。また、酸発生剤の量がこの範囲よりも大きいと現
像時間が長くなり、小さいと十分な感度が得られない。
また、塩基性化合物の量がこの範囲よりも小さいと寸法
精度向上に効果がなく、大きいと十分な感度が得られな
くなる。
リ可溶性高分子，芳香環に直接結合した炭素上に水酸基
を有する三級アルコール，放射線の照射によって酸を生
成する酸前駆体，塩基性化合物の組成比が、１００重量
部，１〜５０重量部，0.01〜３０，０.００１〜１ 重量
部の範囲であることが望ましい。アルコールの量がこの
範囲よりも大きいと相分離が起こるために均一な塗膜の
形成が困難であり、小さいと塗膜の不溶化が十分進行し
ない。また、酸発生剤の量がこの範囲よりも大きいと現
像時間が長くなり、小さいと十分な感度が得られない。
また、塩基性化合物の量がこの範囲よりも小さいと寸法
精度向上に効果がなく、大きいと十分な感度が得られな
くなる。
【００３７】本発明で用いる酸前駆体は、放射線の照射
によって強酸を生成する。この生成した酸によって本発
明に用いる三級アルコールは脱水され、非極性の化合物
に変換される。この極性変化反応を、アルカリ可溶性高
分子中で誘起すると、反応が誘起された領域のアルカリ
可溶性高分子のアルカリ水溶液に対する溶解性が減少す
るので、ネガ型のパターンが形成される。本発明のパタ
ーン形成材料は、極性変化に触媒反応を利用しているた
め、放射線照射量が僅かであっても、効率良くネガ化反
応が起こるので高感度である。本発明のパターン形成材
料は不溶化反応の活性化エネルギーが低く、しかも放射
線照射によって発生した酸が膜中の塩基性物質によって
捕捉され、その拡散が抑制されるので、加熱工程で生じ
るウエハ面内の温度分布にパターン寸法が影響を受けに
くいという特徴を有する。
によって強酸を生成する。この生成した酸によって本発
明に用いる三級アルコールは脱水され、非極性の化合物
に変換される。この極性変化反応を、アルカリ可溶性高
分子中で誘起すると、反応が誘起された領域のアルカリ
可溶性高分子のアルカリ水溶液に対する溶解性が減少す
るので、ネガ型のパターンが形成される。本発明のパタ
ーン形成材料は、極性変化に触媒反応を利用しているた
め、放射線照射量が僅かであっても、効率良くネガ化反
応が起こるので高感度である。本発明のパターン形成材
料は不溶化反応の活性化エネルギーが低く、しかも放射
線照射によって発生した酸が膜中の塩基性物質によって
捕捉され、その拡散が抑制されるので、加熱工程で生じ
るウエハ面内の温度分布にパターン寸法が影響を受けに
くいという特徴を有する。
【００３８】本発明の塩基性物質は前記三級アルコール
と組み合わせた時に最も寸法精度向上に効果のあること
が分かった。たとえば従来の架橋系パターン形成材料に
本発明の塩基性物質を添加しても、単に酸の失活による
感度低下が起こるのみであり、放射線照射後の加熱処理
温度の変化に起因する感度の変化はほとんど抑制されな
い。
と組み合わせた時に最も寸法精度向上に効果のあること
が分かった。たとえば従来の架橋系パターン形成材料に
本発明の塩基性物質を添加しても、単に酸の失活による
感度低下が起こるのみであり、放射線照射後の加熱処理
温度の変化に起因する感度の変化はほとんど抑制されな
い。
【００３９】図１は従来の架橋系パターン形成材料の感
度を加熱処理温度を変えて測定した結果を、図２は従来
の極性変換系パターン形成材料の感度を加熱処理温度を
変えて測定した結果を示す。また、図３は本発明のパタ
ーン形成材料の感度を加熱処理温度を変えて測定した結
果を示す。
度を加熱処理温度を変えて測定した結果を、図２は従来
の極性変換系パターン形成材料の感度を加熱処理温度を
変えて測定した結果を示す。また、図３は本発明のパタ
ーン形成材料の感度を加熱処理温度を変えて測定した結
果を示す。
【００４０】本発明のパターン形成材料の場合、加熱処
理温度に対する感度変化が顕著に抑制されていることが
分かる。これにより本発明のパターン形成材料を用いれ
ば、プロセス温度変化に対して安定性がよいため、半導
体デバイス製造の歩留まりを向上させることができ、実
用性の高いパターン形成方法を提供することができる。
理温度に対する感度変化が顕著に抑制されていることが
分かる。これにより本発明のパターン形成材料を用いれ
ば、プロセス温度変化に対して安定性がよいため、半導
体デバイス製造の歩留まりを向上させることができ、実
用性の高いパターン形成方法を提供することができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下に、実施例を挙げて本発明を
より具体的に説明する。
より具体的に説明する。
【００４２】（実施例１）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂：１００重量部，ジフェニルヨードニウムトリフ
レート：２重量部，α，α，α′，α′−テトラメチル
−１，３−ベンゼンジメタノール：２０重量部，２，６
−ルチジン：０.１ 重量部をプロピレングリコールモノ
メチルエーテルに溶解させた。これを、孔径０.１μｍ
のメンブレンフィルターで濾過した後、２４℃のクリー
ンルーム内に１ケ月保存した。保存前後の感度および現
像時間を測定したところ変化は見られず、良好な保存安
定性を示した。
ク樹脂：１００重量部，ジフェニルヨードニウムトリフ
レート：２重量部，α，α，α′，α′−テトラメチル
−１，３−ベンゼンジメタノール：２０重量部，２，６
−ルチジン：０.１ 重量部をプロピレングリコールモノ
メチルエーテルに溶解させた。これを、孔径０.１μｍ
のメンブレンフィルターで濾過した後、２４℃のクリー
ンルーム内に１ケ月保存した。保存前後の感度および現
像時間を測定したところ変化は見られず、良好な保存安
定性を示した。
【００４３】次に、上記パターン形成材料をシリコンウ
エハ上に回転塗布し、８０℃，２分間熱処理して、０.
５６μｍ の塗布膜を得た。この塗膜にＫｒＦエキシマ
レーザステッパを用いてパターン照射後、８０℃，２分
間熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８
％水溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、０.
３μｍのラインとスペースの繰り返しパターンが露光量
１５.０ｍＪ／cm2にて形成された。このパターン形成材
料の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターン
におけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下で
あり、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材
料の寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料の寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較して
小さいことがわかった。
エハ上に回転塗布し、８０℃，２分間熱処理して、０.
５６μｍ の塗布膜を得た。この塗膜にＫｒＦエキシマ
レーザステッパを用いてパターン照射後、８０℃，２分
間熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８
％水溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、０.
３μｍのラインとスペースの繰り返しパターンが露光量
１５.０ｍＪ／cm2にて形成された。このパターン形成材
料の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターン
におけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下で
あり、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材
料の寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料の寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較して
小さいことがわかった。
【００４４】本実施例のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法によれば、ＫｒＦエキシマレーザ投影露光
装置を用いた露光法によって高い寸法精度で高解像度の
パターンを形成することができ、工業的に有利である
（ここでパターン寸法変動量は、露光後の加熱処理温度
が設定温度から１℃変化したときのパターン寸法の変化
量を表わす）。
ーン形成方法によれば、ＫｒＦエキシマレーザ投影露光
装置を用いた露光法によって高い寸法精度で高解像度の
パターンを形成することができ、工業的に有利である
（ここでパターン寸法変動量は、露光後の加熱処理温度
が設定温度から１℃変化したときのパターン寸法の変化
量を表わす）。
【００４５】（実施例２）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂：１００重量部，ジフェニルヨードニウムトリフ
レート：２.５ 重量部，α，α，α′，α′−テトラメ
チル−１，３−ベンゼンジメタノール：２０重量部，ベ
ンジルアミン：０.０５ 重量部をプロピレングリコール
モノメチルエーテルに溶解させた。これを、孔径０.１
μｍ のメンブレンフィルターで濾過した後、シリコン
ウエハ上に回転塗布し、１００℃，２分間熱処理して、
１μｍの塗布膜を得た。
ク樹脂：１００重量部，ジフェニルヨードニウムトリフ
レート：２.５ 重量部，α，α，α′，α′−テトラメ
チル−１，３−ベンゼンジメタノール：２０重量部，ベ
ンジルアミン：０.０５ 重量部をプロピレングリコール
モノメチルエーテルに溶解させた。これを、孔径０.１
μｍ のメンブレンフィルターで濾過した後、シリコン
ウエハ上に回転塗布し、１００℃，２分間熱処理して、
１μｍの塗布膜を得た。
【００４６】この塗膜に位相シフトマスクを用いてｉ線
縮小投影露光装置にて光照射後、７０℃，２分間熱処理
して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％ 水溶液
で６０秒間現像処理を行った。その結果、０.３５μｍ
のラインとスペースの繰り返しパターンが露光量５００
ｍＪ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料の
０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンにお
けるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
での寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料での寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較し
て小さいことがわかった。
縮小投影露光装置にて光照射後、７０℃，２分間熱処理
して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％ 水溶液
で６０秒間現像処理を行った。その結果、０.３５μｍ
のラインとスペースの繰り返しパターンが露光量５００
ｍＪ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料の
０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンにお
けるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
での寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料での寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較し
て小さいことがわかった。
【００４７】本実施例のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法によれば、ｉ線縮小投影露光装置と位相シ
フトマスクとの組み合わせによる露光法によって高い寸
法精度で高解像度のパターンを形成することができ、工
業的に有利である。
ーン形成方法によれば、ｉ線縮小投影露光装置と位相シ
フトマスクとの組み合わせによる露光法によって高い寸
法精度で高解像度のパターンを形成することができ、工
業的に有利である。
【００４８】（実施例３）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂：１００重量部，ナフトイルメチルテトラメチレ
ンスルホニウムパラトルエンスルホネート：５重量部，
α，α，α′，α′−テトラメチル−１，４−ベンゼン
ジメタノール：２０，２，６−ルチジン０.０５ 重量部
をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させ
た。これを、孔径０.１μｍ のメンブレンフィルターで
濾過した後、２４℃のクリーンルーム内に１ケ月保存し
た。保存前後の感度および現像時間を測定したところ変
化は見られず、良好な保存安定性を示した。
ク樹脂：１００重量部，ナフトイルメチルテトラメチレ
ンスルホニウムパラトルエンスルホネート：５重量部，
α，α，α′，α′−テトラメチル−１，４−ベンゼン
ジメタノール：２０，２，６−ルチジン０.０５ 重量部
をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させ
た。これを、孔径０.１μｍ のメンブレンフィルターで
濾過した後、２４℃のクリーンルーム内に１ケ月保存し
た。保存前後の感度および現像時間を測定したところ変
化は見られず、良好な保存安定性を示した。
【００４９】次に、上記パターン形成材料をシリコンウ
エハ上に回転塗布し、９５℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に位相シフトマスクを用い
てｉ線縮小投影露光装置にて光照射後、６０℃，２分間
熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％
水溶液で６０秒間現像処理を行った。その結果、0.35μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが露光量５０
０ｍＪ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料の
０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンにお
けるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
での寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料での寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較し
て小さいことがわかった。
エハ上に回転塗布し、９５℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に位相シフトマスクを用い
てｉ線縮小投影露光装置にて光照射後、６０℃，２分間
熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％
水溶液で６０秒間現像処理を行った。その結果、0.35μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが露光量５０
０ｍＪ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料の
０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンにお
けるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
での寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料での寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較し
て小さいことがわかった。
【００５０】本実施例のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法によれば、ｉ線縮小投影露光装置と位相シ
フトマスクとの組み合わせによる露光法によって高い寸
法精度で高解像度のパターンを形成することができ、工
業的に有利である。
ーン形成方法によれば、ｉ線縮小投影露光装置と位相シ
フトマスクとの組み合わせによる露光法によって高い寸
法精度で高解像度のパターンを形成することができ、工
業的に有利である。
【００５１】（実施例４）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂：１００重量部，ジフェニルヨードニウムトリフ
レート：２重量部，α，α′，α″−トリヒドロキシ−
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン：１５重量部，
フェニルピリジン０.０５ 重量部をプロピレングリコー
ルモノメチルエーテルに溶解させた。これを、孔径０.
１μｍ のメンブレンフィルターで濾過した後、２４℃
のクリーンルーム内に１ケ月保存した。保存前後の感度
および現像時間を測定したところ変化は見られず、良好
な保存安定性を示した。
ク樹脂：１００重量部，ジフェニルヨードニウムトリフ
レート：２重量部，α，α′，α″−トリヒドロキシ−
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン：１５重量部，
フェニルピリジン０.０５ 重量部をプロピレングリコー
ルモノメチルエーテルに溶解させた。これを、孔径０.
１μｍ のメンブレンフィルターで濾過した後、２４℃
のクリーンルーム内に１ケ月保存した。保存前後の感度
および現像時間を測定したところ変化は見られず、良好
な保存安定性を示した。
【００５２】次に、上記パターン形成材料をシリコンウ
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、０.３μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射
量８μＣ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
での寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料での寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較し
て小さいことがわかった。本実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法によれば、電子線照射装置を
用いたパターン形成方法によって高い寸法精度で高解像
度のパターンを形成することができ、工業的に有利であ
る。
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、０.３μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射
量８μＣ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
での寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料での寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較し
て小さいことがわかった。本実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法によれば、電子線照射装置を
用いたパターン形成方法によって高い寸法精度で高解像
度のパターンを形成することができ、工業的に有利であ
る。
【００５３】（実施例５）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂：１００重量部，ジフェニルヨードニウムトリフ
レート：２重量部，α，α′，α″−トリヒドロキシ−
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン：３０重量部，
２−ベンジルピリジン０.０５ 重量部をプロピレングリ
コールモノプロピルエーテルに溶解させた。これを、孔
径０.１μmのメンブレンフィルターで濾過した後、２４
℃のクリーンルーム内に１ケ月保存した。保存前後の感
度および現像時間を測定したところ変化は見られず、良
好な保存安定性を示した。
ク樹脂：１００重量部，ジフェニルヨードニウムトリフ
レート：２重量部，α，α′，α″−トリヒドロキシ−
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン：３０重量部，
２−ベンジルピリジン０.０５ 重量部をプロピレングリ
コールモノプロピルエーテルに溶解させた。これを、孔
径０.１μmのメンブレンフィルターで濾過した後、２４
℃のクリーンルーム内に１ケ月保存した。保存前後の感
度および現像時間を測定したところ変化は見られず、良
好な保存安定性を示した。
【００５４】次に、上記パターン形成材料をシリコンウ
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で２５秒間現像処理を行った。その結果、０.３μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射
量８μＣ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
での寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料での寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較し
て小さいことがわかった。
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で２５秒間現像処理を行った。その結果、０.３μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射
量８μＣ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
での寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料での寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較し
て小さいことがわかった。
【００５５】本実施例のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法によれば、電子線照射装置を用いたパター
ン形成方法によって高い寸法精度で高解像度のパターン
を形成することができ、工業的に有利である。
ーン形成方法によれば、電子線照射装置を用いたパター
ン形成方法によって高い寸法精度で高解像度のパターン
を形成することができ、工業的に有利である。
【００５６】（実施例６）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂：１００重量部，ジフェニルヨードニウム−ｐ−
トルエンスルホネート：２重量部，α，α′，α″−ト
リヒドロキシ−１，３，５−トリイソプロピルベンゼ
ン：２０重量部，２，６−ルチジン０.０５重量部をプ
ロピレングリコールモノプロピルエーテルに溶解させ
た。これを、孔径０.１μｍ のメンブレンフィルターで
濾過した後、２４℃のクリーンルーム内に１ケ月保存し
た。保存前後の感度および現像時間を測定したところ変
化は見られず、良好な保存安定性を示した。
ク樹脂：１００重量部，ジフェニルヨードニウム−ｐ−
トルエンスルホネート：２重量部，α，α′，α″−ト
リヒドロキシ−１，３，５−トリイソプロピルベンゼ
ン：２０重量部，２，６−ルチジン０.０５重量部をプ
ロピレングリコールモノプロピルエーテルに溶解させ
た。これを、孔径０.１μｍ のメンブレンフィルターで
濾過した後、２４℃のクリーンルーム内に１ケ月保存し
た。保存前後の感度および現像時間を測定したところ変
化は見られず、良好な保存安定性を示した。
【００５７】次に、上記パターン形成材料をシリコンウ
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で７０秒間現像処理を行った。その結果、0.35μｍ
のラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射量
２０μＣ／cm2 で形成できた。このパターン形成材料の
０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンにお
けるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
での寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料での寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較し
て小さいことがわかった。
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で７０秒間現像処理を行った。その結果、0.35μｍ
のラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射量
２０μＣ／cm2 で形成できた。このパターン形成材料の
０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンにお
けるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
での寸法変動量(０.０５μｍ／℃），極性変換系パター
ン形成材料での寸法変動量(０.０３μｍ／℃）と比較し
て小さいことがわかった。
【００５８】本実施例のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法によれば、電子線照射装置を用いたパター
ン形成方法によって高い寸法精度で高解像度のパターン
を形成することができ、工業的に有利である。
ーン形成方法によれば、電子線照射装置を用いたパター
ン形成方法によって高い寸法精度で高解像度のパターン
を形成することができ、工業的に有利である。
【００５９】（実施例７）図４に本発明のパターン形成
材料を用いた、パターン形成方法の説明を示す。図４の
（ａ）に示すように、半導体基板１上にタングステンの
膜２を形成し、その上にレジスト膜３を形成する。
（ｂ）に示すように、放射線５をマスク４を通して照射
し、潜像６を形成し、熱処理後アルカリ現像処理によ
り、（ｃ）のようにレジストパターンを得る。このパタ
ーンを介してドライエッチング処理を行い（ｄ）のよう
にタングステン２を加工し、その後アッシングにより
（ｅ）のようにレジスト膜３を除去し、配線パターンを
得ることができた。
材料を用いた、パターン形成方法の説明を示す。図４の
（ａ）に示すように、半導体基板１上にタングステンの
膜２を形成し、その上にレジスト膜３を形成する。
（ｂ）に示すように、放射線５をマスク４を通して照射
し、潜像６を形成し、熱処理後アルカリ現像処理によ
り、（ｃ）のようにレジストパターンを得る。このパタ
ーンを介してドライエッチング処理を行い（ｄ）のよう
にタングステン２を加工し、その後アッシングにより
（ｅ）のようにレジスト膜３を除去し、配線パターンを
得ることができた。
【００６０】
【発明の効果】本発明のパターン形成材料を用いれば、
放射線照射後の加熱処理時にウエハ面内で生じる温度分
布に対する感度のばらつきを抑制し、パターン形成時の
寸法精度が向上するので、集積回路製作時の歩留まりを
良好にすることが可能となり、工業的に有利である。
放射線照射後の加熱処理時にウエハ面内で生じる温度分
布に対する感度のばらつきを抑制し、パターン形成時の
寸法精度が向上するので、集積回路製作時の歩留まりを
良好にすることが可能となり、工業的に有利である。
【図１】従来の架橋系パターン形成材料の感度の熱処理
温度依存性の測定図。
温度依存性の測定図。
【図２】従来の極性変換系パターン形成材料の感度の熱
処理温度依存性の測定図。
処理温度依存性の測定図。
【図３】本発明のパターン形成材料の熱処理温度依存性
の測定図。
の測定図。
【図４】本発明のパターン形成材料を用いた、パターン
形成方法を示す工程図。
形成方法を示す工程図。
１…半導体基板、２…タングステン膜、３…レジスト
膜、４…マスク、５…放射線、６…潜像。
膜、４…マスク、５…放射線、６…潜像。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 治朗 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 村井 二三夫 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 新井 唯 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 逆水 登志夫 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】アルカリ可溶性高分子，芳香環に直接結合
した炭素上に水酸基を有する三級アルコール，放射線の
照射により酸を発生する酸前駆体、ならびに下記一般式
(１)〜（８）で表わされる群から選ばれた少なくとも一
種類の塩基性化合物を含むことを特徴とするパターン形
成材料（ここでＲ１〜Ｒ７は水素，炭素数１〜４の置換
または無置換アルキル基，フェニル基，ベンジル基，フ
ェネチル基，ピリジル基，シクロヘキシル基，ｐ−トリ
ル基，キノリル基，アリル基，メトキシメチル基の中か
ら選ばれる原子または原子団を表わし、Ｒ１〜Ｒ７は同
一であってもよく、異なっていてもよい）。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 【化７】 【化８】 - 【請求項２】請求項１に記載のパターン形成材料におい
て、芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有する三級
アルコールとして、下記一般式（９)〜(２０）で表わさ
れる群から選ばれた少なくとも１つの化合物を用いるこ
とを特徴とするパターン形成材料（ここでＲ１，Ｒ２は
炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基を表わし、
Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およびＲ６は水素，ハロゲン，炭素数
１〜４の置換または無置換アルキル基，炭素数１〜４の
置換または無置換アルコキシ基，フェニル基，メトキシ
基，シクロプロピル基の中から選ばれる原子または原子
団を表わし、Ｒ１〜Ｒ２は同一であってもよく、異なっ
ていてもよい）。 【化９】 【化１０】 【化１１】 【化１２】 【化１３】 【化１４】 【化１５】 【化１６】 【化１７】 【化１８】 【化１９】 【化２０】 - 【請求項３】請求項１または２のいずれかに記載のパタ
ーン形成材料において、アルカリ可溶性高分子，芳香環
に直接結合した炭素上に水酸基を有する三級アルコー
ル，放射線の照射によって酸を生成する酸前駆体および
塩基性化合物の組成比が、100重量部，１〜５０重量
部，０.０１〜２０重量部，０.００１〜１重量部の範囲
であることを特徴とするパターン形成材料。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載のパター
ン形成材料からなる塗膜を形成する工程と、電子線，紫
外線等の放射線を用いて当該塗膜に所定のパターン潜像
を形成する工程と、当該パターン潜像形成部のアルカリ
水溶液に対する溶解性を変化させる反応を促進する工程
と、アルカリ水溶液を現像液として、当該所定パターン
を現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9074990A JPH10268518A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | パターン形成材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9074990A JPH10268518A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | パターン形成材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10268518A true JPH10268518A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13563238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9074990A Pending JPH10268518A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | パターン形成材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10268518A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001324811A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
| US6869746B2 (en) * | 2001-04-12 | 2005-03-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photopolymerizable composition and recording material using the same |
| JP2005326580A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP2012073402A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜 |
| US8952373B2 (en) | 2012-12-27 | 2015-02-10 | Cheil Industries, Inc. | Hardmask composition and method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP9074990A patent/JPH10268518A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001324811A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
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| JP4566619B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2010-10-20 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP2012073402A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜 |
| US8952373B2 (en) | 2012-12-27 | 2015-02-10 | Cheil Industries, Inc. | Hardmask composition and method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns |
| TWI505036B (zh) * | 2012-12-27 | 2015-10-21 | Cheil Ind Inc | 硬光罩組合物和形成圖案的方法以及包括該圖案的半導體積體電路裝置 |
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