JP2000031020A - パターン形成材料およびそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
パターン形成材料およびそれを用いたパターン形成方法Info
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- JP2000031020A JP2000031020A JP10198353A JP19835398A JP2000031020A JP 2000031020 A JP2000031020 A JP 2000031020A JP 10198353 A JP10198353 A JP 10198353A JP 19835398 A JP19835398 A JP 19835398A JP 2000031020 A JP2000031020 A JP 2000031020A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】形成パターンの剛直性を向上し、かつ放射線照
射前後の塗膜放置によるパターン形状の劣化を防ぐ。 【解決手段】ポリヒドロキシスチレンのフェノール水酸
基の一部が保護された樹脂およびそれを含む混合樹脂，
芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有する三級アル
コール，放射線の照射により酸を発生する酸前駆体、な
らびに塩基性化合物または有機塩を含むパターン形成材
料。
射前後の塗膜放置によるパターン形状の劣化を防ぐ。 【解決手段】ポリヒドロキシスチレンのフェノール水酸
基の一部が保護された樹脂およびそれを含む混合樹脂，
芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有する三級アル
コール，放射線の照射により酸を発生する酸前駆体、な
らびに塩基性化合物または有機塩を含むパターン形成材
料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の微
細加工に用いられるパターン形成材料およびパターン形
成方法に係わり、特に電子線，紫外線等放射線のパター
ン状照射によりパターン潜像形成部に酸を生成せしめ、
この酸を触媒とする反応によって、上記照射部のアルカ
リ水溶液に対する溶解性を低下させ、アルカリ水溶液を
現像液とする工程によりパターンを現出させるネガ型パ
ターン形成材料に関する。
細加工に用いられるパターン形成材料およびパターン形
成方法に係わり、特に電子線，紫外線等放射線のパター
ン状照射によりパターン潜像形成部に酸を生成せしめ、
この酸を触媒とする反応によって、上記照射部のアルカ
リ水溶液に対する溶解性を低下させ、アルカリ水溶液を
現像液とする工程によりパターンを現出させるネガ型パ
ターン形成材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線，紫外線等放射線のパターン照射
によりパターン潜像形成部に酸を生成せしめ、この酸を
触媒とする反応によって、上記照射部の現像液に対する
溶解性を変化させ、現像工程によりネガ型パターンを現
出させるパターン形成材料およびそれを用いたパターン
形成方法に関しては、特開昭62−164045号，特開平2−2
17855号等に記載のものが知られている。これら従来例
には、放射線の照射で酸を生成する酸前駆体と、酸触媒
下で架橋しアルカリ水溶液に対する溶解性を減少させる
ネガ型パターン形成材料が記載されている。上記従来例
に記載のような酸触媒による架橋反応を利用したネガ型
パターン形成材料（以下架橋系パターン形成材料とい
う）のアルカリ水溶液に対する溶解性は、架橋反応によ
る分子量の増大によって変化する。
によりパターン潜像形成部に酸を生成せしめ、この酸を
触媒とする反応によって、上記照射部の現像液に対する
溶解性を変化させ、現像工程によりネガ型パターンを現
出させるパターン形成材料およびそれを用いたパターン
形成方法に関しては、特開昭62−164045号，特開平2−2
17855号等に記載のものが知られている。これら従来例
には、放射線の照射で酸を生成する酸前駆体と、酸触媒
下で架橋しアルカリ水溶液に対する溶解性を減少させる
ネガ型パターン形成材料が記載されている。上記従来例
に記載のような酸触媒による架橋反応を利用したネガ型
パターン形成材料（以下架橋系パターン形成材料とい
う）のアルカリ水溶液に対する溶解性は、架橋反応によ
る分子量の増大によって変化する。
【０００３】これら架橋系パターン形成材料のベースポ
リマーとしては、主にノボラック樹脂が挙げられてい
る。しかしながらベースポリマーにノボラック樹脂を用
いると、形成パターン側壁のラフネスが大きい、溶解速
度が遅いなどの問題がある。これに対してポリヒドロキ
シスチレンをネガ型パターン形成材料のベースポリマー
として用いると、ノボラック樹脂を用いた時と比べて形
成パターン側壁のラフネスが軽減し、溶解性にすぐれる
という利点がある。しかし、サブハーフミクロンのパタ
ーン形成において、架橋系パターン形成材料にポリヒド
ロキシスチレンを用いると、マイクロブリッジ形成によ
るパターンの寸法精度低下が見られるという問題があっ
た。
リマーとしては、主にノボラック樹脂が挙げられてい
る。しかしながらベースポリマーにノボラック樹脂を用
いると、形成パターン側壁のラフネスが大きい、溶解速
度が遅いなどの問題がある。これに対してポリヒドロキ
シスチレンをネガ型パターン形成材料のベースポリマー
として用いると、ノボラック樹脂を用いた時と比べて形
成パターン側壁のラフネスが軽減し、溶解性にすぐれる
という利点がある。しかし、サブハーフミクロンのパタ
ーン形成において、架橋系パターン形成材料にポリヒド
ロキシスチレンを用いると、マイクロブリッジ形成によ
るパターンの寸法精度低下が見られるという問題があっ
た。
【０００４】この問題の解決方法としては、プロシーデ
ィングズ オブ エスピーアイイー（Proc.SPIE ）２１
９５：１５２（１９９４）に記載のように、３８００未
満の低分子量ポリヒドロキシスチレンと１.２重量％Ｔ
ＭＡＨ 現像液の起用が知られている。
ィングズ オブ エスピーアイイー（Proc.SPIE ）２１
９５：１５２（１９９４）に記載のように、３８００未
満の低分子量ポリヒドロキシスチレンと１.２重量％Ｔ
ＭＡＨ 現像液の起用が知られている。
【０００５】また、ポリヒドロキシスチレンとアクリル
樹脂とのコポリマーを用いた架橋系パターン形成材料に
よってマイクロブリッジの形成が低減出来ることが特開
平8−328253号に開示されている。しかしながら、これ
らのパターン形成材料は希釈現像液を使用しなければな
らないことや、ポリヒドロキシスチレンとアクリル・ポ
リマーとのコポリマーが、高分子混合物の１０重量％以
下だと依然としてマイクロブリッジ形成が起こるという
問題がある。
樹脂とのコポリマーを用いた架橋系パターン形成材料に
よってマイクロブリッジの形成が低減出来ることが特開
平8−328253号に開示されている。しかしながら、これ
らのパターン形成材料は希釈現像液を使用しなければな
らないことや、ポリヒドロキシスチレンとアクリル・ポ
リマーとのコポリマーが、高分子混合物の１０重量％以
下だと依然としてマイクロブリッジ形成が起こるという
問題がある。
【０００６】これらの問題を解決する新しいネガ型パタ
ーン形成材料として、アルカリ水溶液に対する溶解性の
変化が架橋反応でなく分子の極性変換反応に基づくネガ
型パターン形成材料（以下極性変換系パターン形成材料
という）として、特開平2−290917号，特開平4−165359
号，特開平7−104473号に記載のものが知られている。
これら極性変換系パターン形成材料のアルカリ現像液に
対する溶解性変化は分子量の増大を伴わないので、ベー
スポリマーにポリヒドロキシスチレンを用いてもマイク
ロブリッジの形成が起こらない。
ーン形成材料として、アルカリ水溶液に対する溶解性の
変化が架橋反応でなく分子の極性変換反応に基づくネガ
型パターン形成材料（以下極性変換系パターン形成材料
という）として、特開平2−290917号，特開平4−165359
号，特開平7−104473号に記載のものが知られている。
これら極性変換系パターン形成材料のアルカリ現像液に
対する溶解性変化は分子量の増大を伴わないので、ベー
スポリマーにポリヒドロキシスチレンを用いてもマイク
ロブリッジの形成が起こらない。
【０００７】しかしながら、ポリヒドロキシスチレンを
ベースポリマーとする極性変換系パターン形成材料には
形成したパターンの剛直性が低く、形成後の現像処理中
にパターンが倒れるという問題がある。また、大気中に
存在するアンモニアやアミン等の汚染物質を取り込み易
く、放射線照射前後の塗膜放置によりパターン形状が劣
化するという問題がある。
ベースポリマーとする極性変換系パターン形成材料には
形成したパターンの剛直性が低く、形成後の現像処理中
にパターンが倒れるという問題がある。また、大気中に
存在するアンモニアやアミン等の汚染物質を取り込み易
く、放射線照射前後の塗膜放置によりパターン形状が劣
化するという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ポリ
ヒドロキシスチレンをベースポリマーとした極性変換パ
ターン形成材料において、形成パターンの剛直性を向上
し、かつ放射線照射前後の塗膜放置によるパターン形状
の劣化を防ぎ、これによって微細加工の高精度化を図
り、高解像性のパターンを現出させるパターン形成材料
およびそれを用いたパターン形成方法を提供することに
ある。
ヒドロキシスチレンをベースポリマーとした極性変換パ
ターン形成材料において、形成パターンの剛直性を向上
し、かつ放射線照射前後の塗膜放置によるパターン形状
の劣化を防ぎ、これによって微細加工の高精度化を図
り、高解像性のパターンを現出させるパターン形成材料
およびそれを用いたパターン形成方法を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ポリヒドロ
キシスチレンのフェノール水酸基の一部が保護された樹
脂およびその混合樹脂，芳香環に直接結合した炭素上に
水酸基を有する三級アルコール，放射線の照射により酸
を発生する酸前駆体、ならびに塩基性化合物または有機
塩を含むことを特徴とするパターン形成材料、ならびに
このパターン形成材料を用いたパターン形成方法によっ
て達成される。
キシスチレンのフェノール水酸基の一部が保護された樹
脂およびその混合樹脂，芳香環に直接結合した炭素上に
水酸基を有する三級アルコール，放射線の照射により酸
を発生する酸前駆体、ならびに塩基性化合物または有機
塩を含むことを特徴とするパターン形成材料、ならびに
このパターン形成材料を用いたパターン形成方法によっ
て達成される。
【００１０】ポリヒドロキシスチレンのフェノール水酸
基の一部を保護している保護基としては、ベンゼンスル
ホニル基，クロロベンゼンスルホニル基，メチルベンゼ
ンスルホニル基，エチルベンゼンスルホニル基，プロピ
ルベンゼンスルホニル基，メトキシベンゼンスルホニル
基，エトキシベンゼンスルホニル基，プロポキシベンゼ
ンスルホニル基，アセトアミノベンゼンスルホニル基，
ナフタレンスルホニル基，クロロナフタレンスルホニル
基，メチルナフタレンスルホニル基，エチルナフタレン
スルホニル基，プロピルナフタレンスルホニル基，メト
キシナフタレンスルホニル基，エトキシナフタレンスル
ホニル基，プロポキシナフタレンスルホニル基，アセト
アミノナフタレンスルホニル基，ベンゼンカルボニル
基，クロロベンゼンカルボニル基，メチルベンゼンカル
ボニル基，エチルベンゼンカルボニル基，プロピルベン
ゼンカルボニル基，メトキシベンゼンカルボニル基，エ
トキシベンゼンカルボニル基，プロポキシベンゼンカル
ボニル基，イソプロピロキシカルボニル基，アセトアミ
ノベンゼンカルボニル基，ナフタレンカルボニル基，ク
ロロナフタレンカルボニル基，メチルナフタレンカルボ
ニル基，エチルナフタレンカルボニル基，プロピルナフ
タレンカルボニル基，メトキシナフタレンカルボニル
基，エトキシナフタレンカルボニル基，プロポキシナフ
タレンカルボニル基，アセトアミノナフタレンカルボニ
ル基などが挙げられる。これらの保護基による保護率
は、ポリヒドロキシスチレンのフェノール水酸基に対
し、０.０１ 〜２０モル％の範囲が好ましく、特に０.
０８ 〜５モル％の範囲が好適である。保護率がこの範
囲より小さいと剛直性の向上ならびに放射線照射前後の
塗膜放置によるパターン劣化に対する効果が低い。ま
た、これ以上だと塗布膜の現像性が低下する。また、ポ
リヒドロキシスチレンの好ましい分子量は、５００から
20000の範囲であり、特に１０００から８０００の範囲
が好適である。
基の一部を保護している保護基としては、ベンゼンスル
ホニル基，クロロベンゼンスルホニル基，メチルベンゼ
ンスルホニル基，エチルベンゼンスルホニル基，プロピ
ルベンゼンスルホニル基，メトキシベンゼンスルホニル
基，エトキシベンゼンスルホニル基，プロポキシベンゼ
ンスルホニル基，アセトアミノベンゼンスルホニル基，
ナフタレンスルホニル基，クロロナフタレンスルホニル
基，メチルナフタレンスルホニル基，エチルナフタレン
スルホニル基，プロピルナフタレンスルホニル基，メト
キシナフタレンスルホニル基，エトキシナフタレンスル
ホニル基，プロポキシナフタレンスルホニル基，アセト
アミノナフタレンスルホニル基，ベンゼンカルボニル
基，クロロベンゼンカルボニル基，メチルベンゼンカル
ボニル基，エチルベンゼンカルボニル基，プロピルベン
ゼンカルボニル基，メトキシベンゼンカルボニル基，エ
トキシベンゼンカルボニル基，プロポキシベンゼンカル
ボニル基，イソプロピロキシカルボニル基，アセトアミ
ノベンゼンカルボニル基，ナフタレンカルボニル基，ク
ロロナフタレンカルボニル基，メチルナフタレンカルボ
ニル基，エチルナフタレンカルボニル基，プロピルナフ
タレンカルボニル基，メトキシナフタレンカルボニル
基，エトキシナフタレンカルボニル基，プロポキシナフ
タレンカルボニル基，アセトアミノナフタレンカルボニ
ル基などが挙げられる。これらの保護基による保護率
は、ポリヒドロキシスチレンのフェノール水酸基に対
し、０.０１ 〜２０モル％の範囲が好ましく、特に０.
０８ 〜５モル％の範囲が好適である。保護率がこの範
囲より小さいと剛直性の向上ならびに放射線照射前後の
塗膜放置によるパターン劣化に対する効果が低い。ま
た、これ以上だと塗布膜の現像性が低下する。また、ポ
リヒドロキシスチレンの好ましい分子量は、５００から
20000の範囲であり、特に１０００から８０００の範囲
が好適である。
【００１１】ポリヒドロキシスチレンのフェノール水酸
基の一部が保護された樹脂は、ノボラック樹脂，ｍ，ｐ
−クレゾールノボラック樹脂，ハロゲン化ノボラック樹
脂，ポリヒドロキシスチレン，ハロゲン化ポリヒドロキ
シスチレン、またはヒドロキシスチレン／スチレン共重
合体，ポリメチルグルタイルミド等のアルカリ可溶性高
分子化合物と任意の混合率で混合して使用できる。
基の一部が保護された樹脂は、ノボラック樹脂，ｍ，ｐ
−クレゾールノボラック樹脂，ハロゲン化ノボラック樹
脂，ポリヒドロキシスチレン，ハロゲン化ポリヒドロキ
シスチレン、またはヒドロキシスチレン／スチレン共重
合体，ポリメチルグルタイルミド等のアルカリ可溶性高
分子化合物と任意の混合率で混合して使用できる。
【００１２】また芳香環に直接結合した炭素上に水酸基
を有する三級アルコールとして、下記一般式（２８）〜
（３９）で表される群から選ばれた少なくとも１つの化
合物が好ましい。
を有する三級アルコールとして、下記一般式（２８）〜
（３９）で表される群から選ばれた少なくとも１つの化
合物が好ましい。
【００１３】
【化２８】
【００１４】
【化２９】
【００１５】
【化３０】
【００１６】
【化３１】
【００１７】
【化３２】
【００１８】
【化３３】
【００１９】
【化３４】
【００２０】
【化３５】
【００２１】
【化３６】
【００２２】
【化３７】
【００２３】
【化３８】
【００２４】
【化３９】
【００２５】ここでＲ１，Ｒ２は炭素数１〜４の置換ま
たは無置換アルキル基を表わす。Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およ
びＲ６は水素，ハロゲン，炭素数１〜４の置換または無
置換アルキル基、炭素数１〜４の置換または無置換アル
コキシ基，フェニル基，メトキシ基，シクロプロピル基
の中から選ばれる原子または原子団を表わす。Ｒ１〜Ｒ
６は同一であってもよく、異なっていてもよい。
たは無置換アルキル基を表わす。Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およ
びＲ６は水素，ハロゲン，炭素数１〜４の置換または無
置換アルキル基、炭素数１〜４の置換または無置換アル
コキシ基，フェニル基，メトキシ基，シクロプロピル基
の中から選ばれる原子または原子団を表わす。Ｒ１〜Ｒ
６は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００２６】本発明に用いられる芳香環に直接結合した
炭素上に水酸基を有する三級アルコールとしては、例え
ば１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベン
ゼン、１，３−ビス（３−ヒドロキシ−３−ペンチル）
ベンゼン、１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピ
ル）−５−メトキシベンゼン、５−クロロ−１，３−ビ
ス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼン、５−ブ
ロモ−１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ベンゼン、１，４−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピ
ル）ベンゼン、１，４−ビス（３−ヒドロキシ−３−ペ
ンチル）ベンゼン、１，４−ビス（２−ヒドロキシ−２
−プロピル）−２，３，５，６−テトラメチルベンゼ
ン、２−クロロ−１，４−ビス(２−ヒドロキシ−２−
プロピル)ベンゼン、２−ブロモ−１，４−ビス（２−
ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼン、１，３，５−ト
リス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼン、１，
３，５−トリス（３−ヒドロキシ−３−ペンチル）ベン
ゼン、１，５−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ナフタレン、１，４−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロ
ピル）ナフタレン、９，１０−ビス（２−ヒドロキシ−
２−プロピル）アントラセン、等が挙げられる。
炭素上に水酸基を有する三級アルコールとしては、例え
ば１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベン
ゼン、１，３−ビス（３−ヒドロキシ−３−ペンチル）
ベンゼン、１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピ
ル）−５−メトキシベンゼン、５−クロロ−１，３−ビ
ス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼン、５−ブ
ロモ−１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ベンゼン、１，４−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピ
ル）ベンゼン、１，４−ビス（３−ヒドロキシ−３−ペ
ンチル）ベンゼン、１，４−ビス（２−ヒドロキシ−２
−プロピル）−２，３，５，６−テトラメチルベンゼ
ン、２−クロロ−１，４−ビス(２−ヒドロキシ−２−
プロピル)ベンゼン、２−ブロモ−１，４−ビス（２−
ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼン、１，３，５−ト
リス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼン、１，
３，５−トリス（３−ヒドロキシ−３−ペンチル）ベン
ゼン、１，５−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ナフタレン、１，４−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロ
ピル）ナフタレン、９，１０−ビス（２−ヒドロキシ−
２−プロピル）アントラセン、等が挙げられる。
【００２７】上記芳香環に直接結合した炭素上に水酸基
を有する三級アルコールの中でも２−ヒドロキシイソプ
ロピル基を同一芳香環上に３つ以上有する三級アルコー
ルは露光前加熱処理時における揮発が少なく、本発明の
パターン形成材料に用いるアルコール化合物としてより
好ましい。
を有する三級アルコールの中でも２−ヒドロキシイソプ
ロピル基を同一芳香環上に３つ以上有する三級アルコー
ルは露光前加熱処理時における揮発が少なく、本発明の
パターン形成材料に用いるアルコール化合物としてより
好ましい。
【００２８】本発明で用いる塩基性化合物または有機塩
として、下記一般式(４０)〜(５４)で表される群から少
なくとも１つの化合物が好ましい。
として、下記一般式(４０)〜(５４)で表される群から少
なくとも１つの化合物が好ましい。
【００２９】
【化４０】
【００３０】
【化４１】
【００３１】
【化４２】
【００３２】
【化４３】
【００３３】
【化４４】
【００３４】
【化４５】
【００３５】
【化４６】
【００３６】
【化４７】
【００３７】
【化４８】
【００３８】
【化４９】
【００３９】
【化５０】
【００４０】
【化５１】
【００４１】
【化５２】
【００４２】
【化５３】
【００４３】
【化５４】
【００４４】ここでＲ１〜Ｒ７は水素，炭素数１〜４の
置換、または無置換アルキル基，フェニル基，ベンジル
基，フェネチル基，ピリジル基，シクロヘキシル基，ｐ
−トリル基，キノリル基，アリル基，メトキシメチル基
の中から選ばれる原子または原子団を表わす。Ｒ１〜Ｒ
７は同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ８〜
Ｒ１１は水素、１〜７個の炭素原子を有する、直鎖また
は分岐鎖の置換、または無置換アルキル基，フェニル
基，ベンジル基の中から選ばれる原子または原子団を表
わす。Ｒ８〜Ｒ１１は同一であってもよく、異なってい
てもよい。Ｘ−はハロゲン，ヘキサフルオロアンチモネ
ート，ヘキサフルオロアルセナート，テトラフルオロフ
ォスフェート，テトラフルオロボレート，トルエンスル
ホネート，トリフルオロアセテート，トリフルオロメタ
ンスルホネート，パークロレートからなる群から選ばれ
たアニオンを表わす。
置換、または無置換アルキル基，フェニル基，ベンジル
基，フェネチル基，ピリジル基，シクロヘキシル基，ｐ
−トリル基，キノリル基，アリル基，メトキシメチル基
の中から選ばれる原子または原子団を表わす。Ｒ１〜Ｒ
７は同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ８〜
Ｒ１１は水素、１〜７個の炭素原子を有する、直鎖また
は分岐鎖の置換、または無置換アルキル基，フェニル
基，ベンジル基の中から選ばれる原子または原子団を表
わす。Ｒ８〜Ｒ１１は同一であってもよく、異なってい
てもよい。Ｘ−はハロゲン，ヘキサフルオロアンチモネ
ート，ヘキサフルオロアルセナート，テトラフルオロフ
ォスフェート，テトラフルオロボレート，トルエンスル
ホネート，トリフルオロアセテート，トリフルオロメタ
ンスルホネート，パークロレートからなる群から選ばれ
たアニオンを表わす。
【００４５】本発明に用いられる塩基性化合物としては
例えばアニリン，ベンジルアミン，チラミン，２−アミ
ノキノリン，３−アミノジフェニル，４−アミノフェノ
ール，５−アミノインダン，５−アミノインダゾール，
シクロヘキシルアミン，ジフェニルアミン，ジシクロヘ
キシルアミン、２，２−ジピリジルアミン、トリ−ｎ−
メチルアミン，トリフェニルアミン，ピリジン、２−ピ
コリン、２，６−ルチジン、６−アミノ−２，４−ルチ
ジン、２，４−ジアミノピリジン、２−ベンジルピリジ
ン、３−ベンジルピリジン、４−ベンジルピリジン、４
−フェニルピリジン、２，６−ジ−ｐ−トリルピリジ
ン，アメリン，ベンゾグアナミン，Ｎ(２)，Ｎ（２）−
ジアリルメラミン，アミノメラミン，ヘキサ（メトキシ
メチル）メラミン，キノリン、２，２−ビキノリン、４
−アミノ−２−メチルキノリン、２，４−ジメチルキノ
リン、４，４−ジフェニル−２，２−ジピリジル、２，
２−ビ−４−ピコリン、１，３−ジ（４−ピリジル）プ
ロパン、１，２−ジ（２−ピリジル）エチレンなどが挙
げられる。
例えばアニリン，ベンジルアミン，チラミン，２−アミ
ノキノリン，３−アミノジフェニル，４−アミノフェノ
ール，５−アミノインダン，５−アミノインダゾール，
シクロヘキシルアミン，ジフェニルアミン，ジシクロヘ
キシルアミン、２，２−ジピリジルアミン、トリ−ｎ−
メチルアミン，トリフェニルアミン，ピリジン、２−ピ
コリン、２，６−ルチジン、６−アミノ−２，４−ルチ
ジン、２，４−ジアミノピリジン、２−ベンジルピリジ
ン、３−ベンジルピリジン、４−ベンジルピリジン、４
−フェニルピリジン、２，６−ジ−ｐ−トリルピリジ
ン，アメリン，ベンゾグアナミン，Ｎ(２)，Ｎ（２）−
ジアリルメラミン，アミノメラミン，ヘキサ（メトキシ
メチル）メラミン，キノリン、２，２−ビキノリン、４
−アミノ−２−メチルキノリン、２，４−ジメチルキノ
リン、４，４−ジフェニル−２，２−ジピリジル、２，
２−ビ−４−ピコリン、１，３−ジ（４−ピリジル）プ
ロパン、１，２−ジ（２−ピリジル）エチレンなどが挙
げられる。
【００４６】また有機塩としては、例えばテトラメチル
アンモニウムクロリド，テトラメチルアンモニウムブロ
ミド，テトラメチルアンモニウムヨージド，テトラメチ
ルアンモニウムトリフルオロメタンスルホネート，テト
ラメチルアンモニウムパラトルエンスルホネート，トリ
エチルベンジルアンモニウムクロリド，トリエチルベン
ジルアンモニウムブロミド，トリエチルベンジルアンモ
ニウムヨージド，テトラブチルアンモニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート，テトラ−ｎ−ブチルアンモニウ
ムパークロレート，トリメチルスルホニウムクロリド，
トリメチルスルホニウムブロミド，トリメチルスルホニ
ウムヨージド，テトラエチルホスホニウムクロリド，テ
トラエチルホスホニウムブロミド，テトラエチルホスホ
ニウムヨージド，テトラフェニルホスホニウムクロリ
ド，テトラフェニルホスホニウムブロミド，テトラフェ
ニルホスホニウムヨージド，メチルトリフェニルホスホ
ニウムクロリド，メチルトリフェニルホスホニウムブロ
ミド，メチルトリフェニルホスホニウムヨージド，テト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムクロリド，テトラ−ｎ−ブ
チルアンモニウムブロミド，テトラ−ｎ−アミルアンモ
ニウムクロリド，テトラ−ｎ−アミルアンモニウムブロ
ミド，テトラ−ｎ−アミルアンモニウムヨージド，テト
ラエチルスルホキソニウムヨージド，ピリジニウムパラ
トルエンスルホネート、Ｎ−フルオロピリジニウムトリ
フルオロメタンスルホネート等が挙げられる。
アンモニウムクロリド，テトラメチルアンモニウムブロ
ミド，テトラメチルアンモニウムヨージド，テトラメチ
ルアンモニウムトリフルオロメタンスルホネート，テト
ラメチルアンモニウムパラトルエンスルホネート，トリ
エチルベンジルアンモニウムクロリド，トリエチルベン
ジルアンモニウムブロミド，トリエチルベンジルアンモ
ニウムヨージド，テトラブチルアンモニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート，テトラ−ｎ−ブチルアンモニウ
ムパークロレート，トリメチルスルホニウムクロリド，
トリメチルスルホニウムブロミド，トリメチルスルホニ
ウムヨージド，テトラエチルホスホニウムクロリド，テ
トラエチルホスホニウムブロミド，テトラエチルホスホ
ニウムヨージド，テトラフェニルホスホニウムクロリ
ド，テトラフェニルホスホニウムブロミド，テトラフェ
ニルホスホニウムヨージド，メチルトリフェニルホスホ
ニウムクロリド，メチルトリフェニルホスホニウムブロ
ミド，メチルトリフェニルホスホニウムヨージド，テト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムクロリド，テトラ−ｎ−ブ
チルアンモニウムブロミド，テトラ−ｎ−アミルアンモ
ニウムクロリド，テトラ−ｎ−アミルアンモニウムブロ
ミド，テトラ−ｎ−アミルアンモニウムヨージド，テト
ラエチルスルホキソニウムヨージド，ピリジニウムパラ
トルエンスルホネート、Ｎ−フルオロピリジニウムトリ
フルオロメタンスルホネート等が挙げられる。
【００４７】本発明で用いられる酸前駆体はトリアリー
ルスルホニウム塩や、ナフトイルメチルテトラメチレン
スルホニウム塩，ジアリールヨードニウム塩などのオニ
ウム塩を用いることができる。オニウム塩の対アニオン
はトリフルオロメタンスルホン酸，トリフルオロ酢酸，
メタンスルホン酸などのアルキルスルホン酸，トルエン
スルホン酸などのアリールスルホン酸，テトラフルオロ
ホウ素酸，ヘキサフルオロアンチモン酸，ヘキサフルオ
ロヒ素酸などのようなルイス酸が用いられる。またこれ
以外にも酸前駆体として特開平2−245756 号に記載のア
ルキルおよびアリールスルホン酸エステルを用いること
もできる。
ルスルホニウム塩や、ナフトイルメチルテトラメチレン
スルホニウム塩，ジアリールヨードニウム塩などのオニ
ウム塩を用いることができる。オニウム塩の対アニオン
はトリフルオロメタンスルホン酸，トリフルオロ酢酸，
メタンスルホン酸などのアルキルスルホン酸，トルエン
スルホン酸などのアリールスルホン酸，テトラフルオロ
ホウ素酸，ヘキサフルオロアンチモン酸，ヘキサフルオ
ロヒ素酸などのようなルイス酸が用いられる。またこれ
以外にも酸前駆体として特開平2−245756 号に記載のア
ルキルおよびアリールスルホン酸エステルを用いること
もできる。
【００４８】本発明のパターン形成材料においてポリヒ
ドロキシスチレンのフェノール水酸基の一部が保護され
た樹脂およびそれを含む混合樹脂，芳香環に直接結合し
た炭素上に水酸基を有する三級アルコール，放射線の照
射によって酸を生成する酸前駆体、塩基性化合物または
有機塩の組成比が、１００重量部，１〜５０重量部，
０.０１〜３０，０.０００１〜５重量部の範囲であるこ
とが望ましい。アルコールの量がこの範囲よりも大きい
と相分離が起こるために均一な塗膜の形成が困難であ
り、小さいと塗膜の不溶化が十分進行しない。また、酸
発生剤の量がこの範囲よりも大きいと現像時間が長くな
り、小さいと十分な感度が得られない。また、塩基性化
合物または有機塩の量がこの範囲よりも小さいと寸法精
度向上に効果がなく、大きいと十分な感度が得られなく
なる。
ドロキシスチレンのフェノール水酸基の一部が保護され
た樹脂およびそれを含む混合樹脂，芳香環に直接結合し
た炭素上に水酸基を有する三級アルコール，放射線の照
射によって酸を生成する酸前駆体、塩基性化合物または
有機塩の組成比が、１００重量部，１〜５０重量部，
０.０１〜３０，０.０００１〜５重量部の範囲であるこ
とが望ましい。アルコールの量がこの範囲よりも大きい
と相分離が起こるために均一な塗膜の形成が困難であ
り、小さいと塗膜の不溶化が十分進行しない。また、酸
発生剤の量がこの範囲よりも大きいと現像時間が長くな
り、小さいと十分な感度が得られない。また、塩基性化
合物または有機塩の量がこの範囲よりも小さいと寸法精
度向上に効果がなく、大きいと十分な感度が得られなく
なる。
【００４９】本発明で用いる酸前駆体は、放射線の照射
によって強酸を生成する。この生成した酸によって本発
明に用いる三級アルコールは分子内脱水縮合を起こし、
非極性の化合物に変換される。この分子内脱水縮合によ
る極性変化反応をポリヒドロキシスチレンのフェノール
水酸基の一部が保護された樹脂中で誘起すると、反応が
誘起された領域ではポリヒドロキシスチレンのアルカリ
水溶液に対する溶解性が減少するので、ネガ型のパター
ンが形成される。この時ポリヒドロキシスチレンのフェ
ノール水酸基と三級アルコールとの分子間脱水反応は起
こらず、不溶化反応が分子量の増大を伴わずに進行す
る。このため、現像液の浸透に伴う架橋部分の膨潤が起
こらず、マイクロブリッジの形成が起こらない。
によって強酸を生成する。この生成した酸によって本発
明に用いる三級アルコールは分子内脱水縮合を起こし、
非極性の化合物に変換される。この分子内脱水縮合によ
る極性変化反応をポリヒドロキシスチレンのフェノール
水酸基の一部が保護された樹脂中で誘起すると、反応が
誘起された領域ではポリヒドロキシスチレンのアルカリ
水溶液に対する溶解性が減少するので、ネガ型のパター
ンが形成される。この時ポリヒドロキシスチレンのフェ
ノール水酸基と三級アルコールとの分子間脱水反応は起
こらず、不溶化反応が分子量の増大を伴わずに進行す
る。このため、現像液の浸透に伴う架橋部分の膨潤が起
こらず、マイクロブリッジの形成が起こらない。
【００５０】また、ポリヒドロキシレンのフェノール水
酸基の一部を保護することにより出来る疎水基は、放射
線照射前後に大気中に存在するアンモニアやアミンなど
の塩基性物質または水分の取り込みを防ぎ、これにより
パターンの剛直性の減少ならびに放射線照射前後の塗膜
放置によるパターン形状の劣化を防ぐ。
酸基の一部を保護することにより出来る疎水基は、放射
線照射前後に大気中に存在するアンモニアやアミンなど
の塩基性物質または水分の取り込みを防ぎ、これにより
パターンの剛直性の減少ならびに放射線照射前後の塗膜
放置によるパターン形状の劣化を防ぐ。
【００５１】また、本発明に用いた三級アルコールは、
アルカリ可溶性樹脂と混合するとアルカリ可溶性樹脂の
現像性を促進する効果を持つため、ポリヒドロキシスチ
レンのフェノール水酸基の一部が保護された樹脂および
それを含む混合樹脂と組み合わせることにより、ポリヒ
ドロキシスチレンと同等の現像性を持つ。
アルカリ可溶性樹脂と混合するとアルカリ可溶性樹脂の
現像性を促進する効果を持つため、ポリヒドロキシスチ
レンのフェノール水酸基の一部が保護された樹脂および
それを含む混合樹脂と組み合わせることにより、ポリヒ
ドロキシスチレンと同等の現像性を持つ。
【００５２】本発明のパターン形成材料は、極性変化に
触媒反応を利用しているため、放射線照射量が僅かであ
っても、効率良くネガ化反応が起こるので高感度であ
る。本発明のパターン形成材料は不溶化反応の活性化エ
ネルギーが低く、しかも放射線照射によって発生した酸
が膜中の塩基性化合物または有機塩によって捕捉され、
その拡散が抑制されるので、加熱工程で生じるウエハ面
内の温度分布にパターン寸法が影響を受けにくいという
特徴を有する。また、溶液保存時に低温熱分解を起こし
た微量の酸は、本発明の塩基性化合物または有機塩によ
って効率よく捕捉されるため、溶液保存によるパターン
形成材料の劣化が少ない。
触媒反応を利用しているため、放射線照射量が僅かであ
っても、効率良くネガ化反応が起こるので高感度であ
る。本発明のパターン形成材料は不溶化反応の活性化エ
ネルギーが低く、しかも放射線照射によって発生した酸
が膜中の塩基性化合物または有機塩によって捕捉され、
その拡散が抑制されるので、加熱工程で生じるウエハ面
内の温度分布にパターン寸法が影響を受けにくいという
特徴を有する。また、溶液保存時に低温熱分解を起こし
た微量の酸は、本発明の塩基性化合物または有機塩によ
って効率よく捕捉されるため、溶液保存によるパターン
形成材料の劣化が少ない。
【００５３】図１に架橋系パターン形成材料、ポリヒド
ロキシスチレンをベースポリマーとする極性変化パター
ン形成材料、ならびに本発明のパターン形成材料を用い
て、放射線照射量に対する規格化膜厚を測定した結果を
示す。
ロキシスチレンをベースポリマーとする極性変化パター
ン形成材料、ならびに本発明のパターン形成材料を用い
て、放射線照射量に対する規格化膜厚を測定した結果を
示す。
【００５４】本発明のパターン形成材料の場合、他のパ
ターン形成材料と比較して初期膜厚に対する残存膜厚の
減少が少なく、感度，コントラストが向上している。こ
れにより本発明のパターン形成材料を用いれば、パター
ン形状が向上し、高精度のパターンが高感度で形成可能
になる。これによって半導体デバイス製造の歩留まりを
向上させることができ、実用性の高いパターン形成方法
を提供することが出来る。
ターン形成材料と比較して初期膜厚に対する残存膜厚の
減少が少なく、感度，コントラストが向上している。こ
れにより本発明のパターン形成材料を用いれば、パター
ン形状が向上し、高精度のパターンが高感度で形成可能
になる。これによって半導体デバイス製造の歩留まりを
向上させることができ、実用性の高いパターン形成方法
を提供することが出来る。
【００５５】
【発明の実施の形態】（実施例１）重量平均分子量８,
０００のポリヒドロキシスチレンの水酸基の０.５モル
％がエトキシベンゼンカルボニル基で保護された樹脂：
１００重量部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：
２重量部、１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピ
ル）ベンゼン：２０重量部、２，６−ルチジン：０.１
重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶
解させた。これを、孔径０.１μｍ のメンブレンフィル
ターで濾過した後、２４℃のクリーンルーム内に１ケ月
保存した。保存前後の感度および現像時間を測定したと
ころ変化は見られず、良好な保存安定性を示した。
０００のポリヒドロキシスチレンの水酸基の０.５モル
％がエトキシベンゼンカルボニル基で保護された樹脂：
１００重量部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：
２重量部、１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピ
ル）ベンゼン：２０重量部、２，６−ルチジン：０.１
重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶
解させた。これを、孔径０.１μｍ のメンブレンフィル
ターで濾過した後、２４℃のクリーンルーム内に１ケ月
保存した。保存前後の感度および現像時間を測定したと
ころ変化は見られず、良好な保存安定性を示した。
【００５６】次に、上記パターン形成材料をシリコンウ
エハ上に回転塗布し、８０℃，２分間熱処理して、０.
５６μｍの塗布膜を得た。この塗膜にＫｒＦエキシマー
レーザステッパを用いてパターン照射後、８０℃、２分
間熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８
％水溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、0.3
μｍのラインとスペースの繰り返しパターンが露光量１
５.０ｍＪ／cm2にて形成された。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パター
ン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較し
て小さいことがわかった。実施例のパターン形成材料を
用いたパターン形成方法によれば、ＫｒＦエキシマレー
ザ投影露光装置を用いた露光法によって高い寸法精度で
高解像度のパターンを形成することができ、工業的に有
利である。ここで、パターン寸法変動量は、露光後の加
熱処理温度が設定温度から１℃変化したときのパターン
寸法の変化量を表す。
エハ上に回転塗布し、８０℃，２分間熱処理して、０.
５６μｍの塗布膜を得た。この塗膜にＫｒＦエキシマー
レーザステッパを用いてパターン照射後、８０℃、２分
間熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８
％水溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、0.3
μｍのラインとスペースの繰り返しパターンが露光量１
５.０ｍＪ／cm2にて形成された。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パター
ン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較し
て小さいことがわかった。実施例のパターン形成材料を
用いたパターン形成方法によれば、ＫｒＦエキシマレー
ザ投影露光装置を用いた露光法によって高い寸法精度で
高解像度のパターンを形成することができ、工業的に有
利である。ここで、パターン寸法変動量は、露光後の加
熱処理温度が設定温度から１℃変化したときのパターン
寸法の変化量を表す。
【００５７】（実施例２）重量平均分子量８,０００の
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の０.１モル％がアセ
トアミノベンゼンスルホニル基で保護された樹脂：１０
０重量部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２.
５ 重量部、１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロ
ピル）ベンゼン：２０重量部、ベンジルアミン：０.０
５ 重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテル
に溶解させた。これを、孔径０.１μｍ のメンブレンフ
ィルターで濾過した後、シリコンウエハ上に回転塗布
し、１００℃，２分間熱処理して、１μｍの塗布膜を得
た。
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の０.１モル％がアセ
トアミノベンゼンスルホニル基で保護された樹脂：１０
０重量部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２.
５ 重量部、１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロ
ピル）ベンゼン：２０重量部、ベンジルアミン：０.０
５ 重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテル
に溶解させた。これを、孔径０.１μｍ のメンブレンフ
ィルターで濾過した後、シリコンウエハ上に回転塗布
し、１００℃，２分間熱処理して、１μｍの塗布膜を得
た。
【００５８】この塗膜に位相シフトマスクを用いてｉ線
縮小投影露光装置にて光照射後、７０℃，２分間熱処理
して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％ 水溶液
で６０秒間現像処理を行った。その結果、０.３５μｍ
のラインとスペースの繰り返しパターンが露光量５００
ｍＪ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料の
０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンにお
けるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パター
ン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較し
て小さいことがわかった。本実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法によれば、ｉ線縮小投影露光
装置と位相シフトマスクとの組合せによる露光法によっ
て高い寸法精度で高解像度のパターンを形成することが
でき、工業的に有利である。
縮小投影露光装置にて光照射後、７０℃，２分間熱処理
して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％ 水溶液
で６０秒間現像処理を行った。その結果、０.３５μｍ
のラインとスペースの繰り返しパターンが露光量５００
ｍＪ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料の
０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンにお
けるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パター
ン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較し
て小さいことがわかった。本実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法によれば、ｉ線縮小投影露光
装置と位相シフトマスクとの組合せによる露光法によっ
て高い寸法精度で高解像度のパターンを形成することが
でき、工業的に有利である。
【００５９】（実施例３）重量平均分子量８,０００ の
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の１モル％がプロピル
ベンゼンカルボニル基で保護された樹脂：１００重量
部，ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウムパラ
トルエンスルホネート：５重量部，１，４−ビス（２−
ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼン：２０、２，６−
ルチジン0.05重量部をプロピレングリコールモノメチル
エーテルに溶解させた。これを、孔径０.１μｍ のメン
ブレンフィルターで濾過した後、２４℃のクリーンルー
ム内に１ケ月保存した。保存前後の感度および現像時間
を測定したところ変化は見られず、良好な保存安定性を
示した。
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の１モル％がプロピル
ベンゼンカルボニル基で保護された樹脂：１００重量
部，ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウムパラ
トルエンスルホネート：５重量部，１，４−ビス（２−
ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼン：２０、２，６−
ルチジン0.05重量部をプロピレングリコールモノメチル
エーテルに溶解させた。これを、孔径０.１μｍ のメン
ブレンフィルターで濾過した後、２４℃のクリーンルー
ム内に１ケ月保存した。保存前後の感度および現像時間
を測定したところ変化は見られず、良好な保存安定性を
示した。
【００６０】次に、上記パターン形成材料をシリコンウ
エハ上に回転塗布し、９５℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に位相シフトマスクを用い
てｉ線縮小投影露光装置にて光照射後、６０℃，２分間
熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％
水溶液で６０秒間現像処理を行った。
エハ上に回転塗布し、９５℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に位相シフトマスクを用い
てｉ線縮小投影露光装置にて光照射後、６０℃，２分間
熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％
水溶液で６０秒間現像処理を行った。
【００６１】その結果、０.３５μｍ のラインとスペー
スの繰り返しパターンが露光量500ｍＪ／cm2にて形成で
きた。このパターン形成材料の０.５μｍのラインとス
ペースの繰り返しパターンにおけるパターン寸法変動量
は０.０２μｍ／℃ 以下であり、同じパターン寸法にお
ける架橋系パターン形成材料の寸法変動量（０.０５μ
ｍ／℃），極性変換系パターン形成材料の寸法変動量
（０.０３μｍ／℃ ）と比較して小さいことがわかっ
た。本実施例のパターン形成材料を用いたパターン形成
方法によれば、ｉ線縮小投影露光装置と位相シフトマス
クとの組合せによる露光法によって高い寸法精度で高解
像度のパターンを形成することができ、工業的に有利で
ある。
スの繰り返しパターンが露光量500ｍＪ／cm2にて形成で
きた。このパターン形成材料の０.５μｍのラインとス
ペースの繰り返しパターンにおけるパターン寸法変動量
は０.０２μｍ／℃ 以下であり、同じパターン寸法にお
ける架橋系パターン形成材料の寸法変動量（０.０５μ
ｍ／℃），極性変換系パターン形成材料の寸法変動量
（０.０３μｍ／℃ ）と比較して小さいことがわかっ
た。本実施例のパターン形成材料を用いたパターン形成
方法によれば、ｉ線縮小投影露光装置と位相シフトマス
クとの組合せによる露光法によって高い寸法精度で高解
像度のパターンを形成することができ、工業的に有利で
ある。
【００６２】（実施例４）重量平均分子量８,０００ の
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の１モル％がプロピル
ナフタレンカルボニル基で保護された樹脂：１００重量
部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２重量部、
１，３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ベンゼン：１５重量部、フェニルピリジン０.０５ 重量
部をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解さ
せた。これを、孔経０.１μｍ のメンブレンフィルター
で濾過した後、２４℃のクリーンルーム内に１ケ月保存
した。保存前後の感度および現像時間を測定したところ
変化は見られず、良好な保存安定性を示した。
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の１モル％がプロピル
ナフタレンカルボニル基で保護された樹脂：１００重量
部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２重量部、
１，３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ベンゼン：１５重量部、フェニルピリジン０.０５ 重量
部をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解さ
せた。これを、孔経０.１μｍ のメンブレンフィルター
で濾過した後、２４℃のクリーンルーム内に１ケ月保存
した。保存前後の感度および現像時間を測定したところ
変化は見られず、良好な保存安定性を示した。
【００６３】次に、上記パターン形成材料をシリコンウ
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、０.３μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射
量８μＣ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パター
ン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較し
て小さいことがわかった。本実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法によれば、電子線照射装置を
用いたパターン形成方法によって高い寸法精度で高解像
度のパターンを形成することができ、工業的に有利であ
る。
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、０.３μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射
量８μＣ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パター
ン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較し
て小さいことがわかった。本実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法によれば、電子線照射装置を
用いたパターン形成方法によって高い寸法精度で高解像
度のパターンを形成することができ、工業的に有利であ
る。
【００６４】（実施例５）重量平均分子量８,０００ の
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の２モル％がイソプロ
ピロキシカルボニル基で保護された樹脂：１００重量
部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２重量部、
１，３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ベンゼン：３０重量部、２−ベンジルピリジン０.０５
重量部をプロピレングリコールモノプロピルエーテルに
溶解させた。これを、孔径０.１μｍのメンブレンフィ
ルターで濾過した後、２４℃のクリーンルーム内に１ケ
月保存した。保存前後の感度および現像時間を測定した
ところ変化は見られず、良好な保存安定性を示した。
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の２モル％がイソプロ
ピロキシカルボニル基で保護された樹脂：１００重量
部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２重量部、
１，３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ベンゼン：３０重量部、２−ベンジルピリジン０.０５
重量部をプロピレングリコールモノプロピルエーテルに
溶解させた。これを、孔径０.１μｍのメンブレンフィ
ルターで濾過した後、２４℃のクリーンルーム内に１ケ
月保存した。保存前後の感度および現像時間を測定した
ところ変化は見られず、良好な保存安定性を示した。
【００６５】次に、上記パターン形成材料をシリコンウ
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で２５秒間現像処理を行った。その結果、０.３μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射
量８μＣ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パター
ン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較し
て小さいことがわかった。本実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法によれば、電子線照射装置を
用いたパターン形成方法によって高い寸法精度で高解像
度のパターンを形成することができ、工業的に有利であ
る。
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で２５秒間現像処理を行った。その結果、０.３μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射
量８μＣ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２μｍ／℃ 以下であ
り、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材料
の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パター
ン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較し
て小さいことがわかった。本実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法によれば、電子線照射装置を
用いたパターン形成方法によって高い寸法精度で高解像
度のパターンを形成することができ、工業的に有利であ
る。
【００６６】（実施例６）重量平均分子量８,０００の
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の０.１モル％がアセ
トアミノベンゼンスルホニル基で保護された樹脂：１０
０重量部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２重
量部、１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ベンゼン：２０重量部、テトラエチルアンモニウムパラ
トルエンスルホネート：０.５ 重量部をプロピレングリ
コールモノメチルエーテルに溶解させた。これを、孔経
０.１μｍ のメンブレンフィルターで濾過した後、２４
℃のクリーンルーム内に１ケ月保存した。保存前後の感
度および現像時間を測定したところ変化は見られず、良
好な保存安定性を示した。
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の０.１モル％がアセ
トアミノベンゼンスルホニル基で保護された樹脂：１０
０重量部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２重
量部、１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ベンゼン：２０重量部、テトラエチルアンモニウムパラ
トルエンスルホネート：０.５ 重量部をプロピレングリ
コールモノメチルエーテルに溶解させた。これを、孔経
０.１μｍ のメンブレンフィルターで濾過した後、２４
℃のクリーンルーム内に１ケ月保存した。保存前後の感
度および現像時間を測定したところ変化は見られず、良
好な保存安定性を示した。
【００６７】次に、上記パターン形成材料をシリコンウ
エハ上に回転塗布し、８０℃，２分間熱処理して、０.
５６μｍ の塗布膜を得た。この塗膜にＫｒＦエキシマ
レーザステッパを用いてパターン照射後、８０℃，２分
間熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８
％水溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、０.
３μｍのラインとスペースの繰り返しパターンが露光量
２０ｍＪ／cm2 にて形成された。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２５μｍ／℃ 以下で
あり、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材
料の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パタ
ーン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較
して小さいことがわかった。実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法によれば、ＫｒＦエキシマレ
ーザ投影露光装置を用いた露光法によって高い寸法精度
で高解像度のパターンを形成することができ、工業的に
有利である。
エハ上に回転塗布し、８０℃，２分間熱処理して、０.
５６μｍ の塗布膜を得た。この塗膜にＫｒＦエキシマ
レーザステッパを用いてパターン照射後、８０℃，２分
間熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８
％水溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、０.
３μｍのラインとスペースの繰り返しパターンが露光量
２０ｍＪ／cm2 にて形成された。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２５μｍ／℃ 以下で
あり、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材
料の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パタ
ーン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較
して小さいことがわかった。実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法によれば、ＫｒＦエキシマレ
ーザ投影露光装置を用いた露光法によって高い寸法精度
で高解像度のパターンを形成することができ、工業的に
有利である。
【００６８】（実施例７）重量平均分子量８,０００ の
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の１モル％がプロピル
ベンゼンカルボニル基で保護された樹脂：１００重量
部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２.５ 重量
部、１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベ
ンゼン：２０重量部、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
トリフルオロメタンスルホネート：０.５ 重量部をプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させた。こ
れを、孔径０.１μｍ のメンブレンフィルターで濾過し
た後、シリコンウエハ上に回転塗布し、１００℃，２分
間熱処理して、１μｍの塗布膜を得た。この塗膜に位相
シフトマスクを用いてｉ線縮小投影露光装置にて光照射
後、７０℃，２分間熱処理して水酸化テトラメチルアン
モニウム２.３８％ 水溶液で６０秒間現像処理を行っ
た。その結果、０.３５μｍ のラインとスペースの繰り
返しパターンが露光量５００ｍＪ／cm2 にて形成でき
た。
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の１モル％がプロピル
ベンゼンカルボニル基で保護された樹脂：１００重量
部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２.５ 重量
部、１，３−ビス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベ
ンゼン：２０重量部、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
トリフルオロメタンスルホネート：０.５ 重量部をプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させた。こ
れを、孔径０.１μｍ のメンブレンフィルターで濾過し
た後、シリコンウエハ上に回転塗布し、１００℃，２分
間熱処理して、１μｍの塗布膜を得た。この塗膜に位相
シフトマスクを用いてｉ線縮小投影露光装置にて光照射
後、７０℃，２分間熱処理して水酸化テトラメチルアン
モニウム２.３８％ 水溶液で６０秒間現像処理を行っ
た。その結果、０.３５μｍ のラインとスペースの繰り
返しパターンが露光量５００ｍＪ／cm2 にて形成でき
た。
【００６９】このパターン形成材料の０.５μｍ のライ
ンとスペースの繰り返しパターンにおけるパターン寸法
変動量は０.０２５μｍ／℃ 以下であり、同じパターン
寸法における架橋系パターン形成材料の寸法変動量
（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パターン形成材料の
寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較して小さいこと
がわかった。本実施例のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法によれば、ｉ線縮小投影露光装置と位相シ
フトマスクとの組合せによる露光法によって高い寸法精
度で高解像度のパターンを形成することができ、工業的
に有利である。
ンとスペースの繰り返しパターンにおけるパターン寸法
変動量は０.０２５μｍ／℃ 以下であり、同じパターン
寸法における架橋系パターン形成材料の寸法変動量
（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パターン形成材料の
寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較して小さいこと
がわかった。本実施例のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法によれば、ｉ線縮小投影露光装置と位相シ
フトマスクとの組合せによる露光法によって高い寸法精
度で高解像度のパターンを形成することができ、工業的
に有利である。
【００７０】（実施例８）重量平均分子量８,０００ の
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の２モル％がイソプロ
ピロキシカルボニル基で保護された樹脂：１００重量
部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２重量部、
１，３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ベンゼン：１５重量部、トリメチルスルホニウムヨージ
ド０.０５ 重量部をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルに溶解させた。これを、孔径０.１μｍ のメンブ
レンフィルターで濾過した後、２４℃のクリーンルーム
内に１ケ月保存した。保存前後の感度および現像時間を
測定したところ変化は見られず、良好な保存安定性を示
した。
ポリヒドロキシスチレンの水酸基の２モル％がイソプロ
ピロキシカルボニル基で保護された樹脂：１００重量
部、ジフェニルヨードニウムトリフレート：２重量部、
１，３，５−トリス（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ベンゼン：１５重量部、トリメチルスルホニウムヨージ
ド０.０５ 重量部をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルに溶解させた。これを、孔径０.１μｍ のメンブ
レンフィルターで濾過した後、２４℃のクリーンルーム
内に１ケ月保存した。保存前後の感度および現像時間を
測定したところ変化は見られず、良好な保存安定性を示
した。
【００７１】次に、上記パターン形成材料をシリコンウ
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、０.３μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射
量８μＣ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２５μｍ／℃ 以下で
あり、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材
料の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パタ
ーン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較
して小さいことがわかった。本実施例のパターン形成材
料を用いたパターン形成方法によれば、電子線照射装置
を用いたパターン形成方法によって高い寸法精度で高解
像度のパターンを形成することができ、工業的に有利で
ある。
エハ上に回転塗布し、９０℃，２分間熱処理して、１μ
ｍの塗布膜を得た。この塗膜に電子線描画装置（加速電
圧５０ｋＶ）を用いて電子線照射後、７５℃，２分間熱
処理して水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８％水
溶液で９０秒間現像処理を行った。その結果、０.３μ
ｍのラインとスペースの繰り返しパターンが電子線照射
量８μＣ／cm2 にて形成できた。このパターン形成材料
の０.５μｍ のラインとスペースの繰り返しパターンに
おけるパターン寸法変動量は０.０２５μｍ／℃ 以下で
あり、同じパターン寸法における架橋系パターン形成材
料の寸法変動量（０.０５μｍ／℃ ），極性変換系パタ
ーン形成材料の寸法変動量（０.０３μｍ／℃ ）と比較
して小さいことがわかった。本実施例のパターン形成材
料を用いたパターン形成方法によれば、電子線照射装置
を用いたパターン形成方法によって高い寸法精度で高解
像度のパターンを形成することができ、工業的に有利で
ある。
【００７２】（実施例９）図２に本発明のパターン形成
材料を用いた、パターン形成方法を示す。図２（ａ）に
示すように、半導体基板１上にタングステンの膜２を形
成し、その上にレジスト膜３を形成する。同図（ｂ）に
示すように、放射線５をマスク４を通して照射してパタ
ーンの潜像６を形成する。アルカリ現像処理によりレジ
ストパターンを得る同図（ｃ）。このパターンを介して
ドライエッチング処理を行い同図（ｄ）、その後アッシ
ングによりレジストパターン膜３を除去し、配線パター
ンを得ることができた同図（ｅ）。
材料を用いた、パターン形成方法を示す。図２（ａ）に
示すように、半導体基板１上にタングステンの膜２を形
成し、その上にレジスト膜３を形成する。同図（ｂ）に
示すように、放射線５をマスク４を通して照射してパタ
ーンの潜像６を形成する。アルカリ現像処理によりレジ
ストパターンを得る同図（ｃ）。このパターンを介して
ドライエッチング処理を行い同図（ｄ）、その後アッシ
ングによりレジストパターン膜３を除去し、配線パター
ンを得ることができた同図（ｅ）。
【００７３】
【発明の効果】本発明のパターン形成材料を用いれば、
形成パターンの剛直性を向上させ、かつ放射線照射前後
の塗膜放置によるパターン形状の劣化を防ぐことが出来
る。これによってパターン形成時の寸法精度が向上する
ので、集積回路製作時の歩留まりを良好にすることが可
能となり、工業的に有利である。
形成パターンの剛直性を向上させ、かつ放射線照射前後
の塗膜放置によるパターン形状の劣化を防ぐことが出来
る。これによってパターン形成時の寸法精度が向上する
ので、集積回路製作時の歩留まりを良好にすることが可
能となり、工業的に有利である。
【図１】本発明の一実施例のパターン形成材料の、放射
線照射量に対する規格化膜厚の測定図。
線照射量に対する規格化膜厚の測定図。
【図２】本発明のパターン形成材料を用いたパターン形
成工程を示す断面図。
成工程を示す断面図。
１…半導体基板、２…タングステン膜、３…レジスト
膜、４…マスク、５…放射線、６…潜像。
膜、４…マスク、５…放射線、６…潜像。
フロントページの続き (72)発明者 内野 正市 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 逆水 登志夫 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA03 AA13 AB16 AC01 AC04 AC06 AC08 AD01 BE00 BE10 CB16 CB29 CB41 CB45 CB52 CC20 EA04 FA12 FA17
Claims (5)
- 【請求項１】ポリヒドロキシスチレンのフェノール水酸
基の一部が保護された樹脂およびそれを含む混合樹脂，
芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有する三級アル
コール，放射線の照射により酸を発生する酸前駆体、な
らびに塩基性化合物または有機塩を含むことを特徴とす
るパターン形成材料。 - 【請求項２】請求項１に記載のパターン形成材料におい
て芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有する三級ア
ルコールとして、下記一般式（１）〜（１２）で表され
る群から選ばれた少なくとも１つの化合物を用いること
を特徴とするパターン形成材料。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 【化７】 【化８】 【化９】 【化１０】 【化１１】 【化１２】 （ここでＲ１，Ｒ２は炭素数１〜４の置換または無置換
アルキル基を表わす。Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およびＲ６は水
素，ハロゲン，炭素数１〜４の置換または無置換アルキ
ル基，炭素数１〜４の置換または無置換アルコキシ基，
フェニル基，メトキシ基，シクロプロピル基の中から選
ばれる原子または原子団を表わす。Ｒ１〜Ｒ６は同一で
あってもよく、異なっていてもよい。） - 【請求項３】請求項１に記載のパターン形成材料におい
て塩基性化合物または有機塩として、下記一般式（１
３）〜（２７）で表される群から選ばれた少なくとも１
つの化合物を用いることを特徴とするパターン形成材
料。 【化１３】 【化１４】 【化１５】 【化１６】 【化１７】 【化１８】 【化１９】 【化２０】 【化２１】 【化２２】 【化２３】 【化２４】 【化２５】 【化２６】 【化２７】 （ここでＲ１〜Ｒ７は水素，炭素数１〜４の置換、また
は無置換アルキル基，フェニル基，ベンジル基，フェネ
チル基，ピリジル基，シクロヘキシル基，ｐ−トリル
基，キノリル基，アリル基，メトキシメチル基の中から
選ばれる原子または原子団を表わす。Ｒ１〜Ｒ７は同一
であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ８〜Ｒ１１は
水素、１〜７個の炭素原子を有する、直鎖または分岐鎖
の置換、または無置換アルキル基，フェニル基，ベンジ
ル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。Ｒ８
〜Ｒ１１は同一であってもよく、異なっていてもよい。
Ｘ−はハロゲン，ヘキサフルオロアンチモネート，ヘキ
サフルオロアルセナート，テトラフルオロフォスフェー
ト，テトラフルオロボレート，トルエンスルホネート，
トリフルオロアセテート，トリフルオロメタンスルホネ
ート，パークロレートからなる群から選ばれたアニオン
を表わす。） - 【請求項４】請求項１または３のいずれかに記載のパタ
ーン形成材料において、ポリヒドロキシスチレンのフェ
ノール水酸基の一部が保護された樹脂およびそれを含む
混合樹脂，芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有す
る三級アルコール，放射線の照射によって酸を生成する
酸前駆体および塩基性化合物または有機塩の組成比が、
１００重量部，１〜５０重量部，０.０１〜３０重量
部，０.０００１〜５重量部の範囲であることを特徴と
するパターン形成材料。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載のパター
ン形成材料からなる塗膜を形成する工程と、電子線，紫
外線等放射線を用いて上記塗膜に所定のパターン潜像を
形成する工程と、上記パターン潜像形成部のアルカリ水
溶液に対する溶解性を変化させる反応を促進する工程
と、アルカリ水溶液を現像液として、上記所定パターン
を現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198353A JP2000031020A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | パターン形成材料およびそれを用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198353A JP2000031020A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | パターン形成材料およびそれを用いたパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031020A true JP2000031020A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16389707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10198353A Pending JP2000031020A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | パターン形成材料およびそれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031020A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001324811A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
| JP2002351062A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-12-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線又はｘ線用ネガ型レジスト組成物 |
| JP2010160447A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP2018087971A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-06-07 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| CN109298600A (zh) * | 2017-07-25 | 2019-02-01 | 台湾永光化学工业股份有限公司 | 增幅型I-line光阻组合物 |
-
1998
- 1998-07-14 JP JP10198353A patent/JP2000031020A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001324811A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
| JP2002351062A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-12-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線又はｘ線用ネガ型レジスト組成物 |
| JP2010160447A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP2018087971A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-06-07 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP7081118B2 (ja) | 2016-11-18 | 2022-06-07 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| CN109298600A (zh) * | 2017-07-25 | 2019-02-01 | 台湾永光化学工业股份有限公司 | 增幅型I-line光阻组合物 |
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