JPH10267778A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH10267778A JPH10267778A JP9090092A JP9009297A JPH10267778A JP H10267778 A JPH10267778 A JP H10267778A JP 9090092 A JP9090092 A JP 9090092A JP 9009297 A JP9009297 A JP 9009297A JP H10267778 A JPH10267778 A JP H10267778A
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- JP
- Japan
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- wall part
- thin wall
- pressure sensor
- thin portion
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 汚染を防止するために半導体基板の薄肉部に
シリコーンゲル等による保護材を設けても温度特性が良
好な半導体圧力センサを提供する。 【解決手段】 半導体結晶からなる基板の裏面に薄肉部
を形成し、前記基板の表面にピエゾ抵抗素子を形成して
なる半導体圧力センサにおいて、前記半導体基板の裏面
を薄肉部より大きい開口部を有する台座ガラスと接合
し、前記薄肉部及びその外縁をシリコーンゲル等の保護
材で保護して半導体圧力センサを得る。
シリコーンゲル等による保護材を設けても温度特性が良
好な半導体圧力センサを提供する。 【解決手段】 半導体結晶からなる基板の裏面に薄肉部
を形成し、前記基板の表面にピエゾ抵抗素子を形成して
なる半導体圧力センサにおいて、前記半導体基板の裏面
を薄肉部より大きい開口部を有する台座ガラスと接合
し、前記薄肉部及びその外縁をシリコーンゲル等の保護
材で保護して半導体圧力センサを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
に関するものである。さらに詳しくは、水やオイル等の
圧力を検知する半導体圧力センサに関するものである。
に関するものである。さらに詳しくは、水やオイル等の
圧力を検知する半導体圧力センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液体の圧力を検知する半導体圧力
センサとしては、例えば、特開平４−３７０７２６号公
報に開示されているように、ダイヤフラム部（以下、薄
肉部と呼ぶ。）の内側にシリコーンゲル等による保護材
を設けたものが提案されている。
センサとしては、例えば、特開平４−３７０７２６号公
報に開示されているように、ダイヤフラム部（以下、薄
肉部と呼ぶ。）の内側にシリコーンゲル等による保護材
を設けたものが提案されている。
【０００３】これは、前記薄肉部の表面に形成したピエ
ゾ抵抗素子が汚染に弱いため、汚染物質が直接薄肉部に
付着すると、汚染物質が薄肉部の表面に形成したピエゾ
抵抗素子部にまで悪い影響を与えて、センサの性能が劣
化する問題点があるからである。従って、シリコーンゲ
ル等による保護材を設けて汚染物質を含む水やオイル等
の液体の圧力をも検知できるように図ったものである。
ゾ抵抗素子が汚染に弱いため、汚染物質が直接薄肉部に
付着すると、汚染物質が薄肉部の表面に形成したピエゾ
抵抗素子部にまで悪い影響を与えて、センサの性能が劣
化する問題点があるからである。従って、シリコーンゲ
ル等による保護材を設けて汚染物質を含む水やオイル等
の液体の圧力をも検知できるように図ったものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
圧力センサは、保護材として使用するシリコーンゲルの
熱膨張率が半導体基板と比較して大きいので熱膨張によ
り応力が発生し、また、この応力が薄肉部に集中する構
造であるため、温度特性が悪いという問題点があった。
圧力センサは、保護材として使用するシリコーンゲルの
熱膨張率が半導体基板と比較して大きいので熱膨張によ
り応力が発生し、また、この応力が薄肉部に集中する構
造であるため、温度特性が悪いという問題点があった。
【０００５】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的は、薄肉部にシリコーンゲ
ル等による保護材を設けても温度特性が良好な半導体圧
力センサを提供することにある。
されたものであり、その目的は、薄肉部にシリコーンゲ
ル等による保護材を設けても温度特性が良好な半導体圧
力センサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した本発明の目的
は、半導体結晶からなる基板の裏面に薄肉部を形成し、
前記薄肉部に対向する半導体基板の表面にピエゾ抵抗素
子を形成してなる半導体圧力センサにおいて、前記半導
体基板の裏面を薄肉部より大きい開口部を有する台座ガ
ラスと接合し、前記薄肉部及びその外縁を保護材で保護
することを特徴とする半導体圧力センサによって達成さ
れる。
は、半導体結晶からなる基板の裏面に薄肉部を形成し、
前記薄肉部に対向する半導体基板の表面にピエゾ抵抗素
子を形成してなる半導体圧力センサにおいて、前記半導
体基板の裏面を薄肉部より大きい開口部を有する台座ガ
ラスと接合し、前記薄肉部及びその外縁を保護材で保護
することを特徴とする半導体圧力センサによって達成さ
れる。
【０００７】ここで、半導体基板の裏面の薄肉部及びそ
の外縁をシリコーンゲル等の保護材で保護する理由は、
このような構成にすることにより、シリコーンゲル等の
保護材が熱膨張したときに発生する応力の逃げ場がで
き、応力が薄肉部に集中するという従来の欠点を解決で
きる作用があるからである。
の外縁をシリコーンゲル等の保護材で保護する理由は、
このような構成にすることにより、シリコーンゲル等の
保護材が熱膨張したときに発生する応力の逃げ場がで
き、応力が薄肉部に集中するという従来の欠点を解決で
きる作用があるからである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、具体的な実施例により本
発明をさらに詳しく説明する。
発明をさらに詳しく説明する。
【０００９】図１は、本発明による半導体圧力センサの
圧力検出部の１実施例の構成断面図を示した図である。
圧力検出部の１実施例の構成断面図を示した図である。
【００１０】ここで、１は半導体基板の裏面に薄肉部を
形成し、前記薄肉部に対向する基板の表面にピエゾ抵抗
素子を形成してなる圧力検出部（以下、シリコンチップ
と呼ぶ。）である。次に、シリコンチップ１の裏面を薄
肉部より大きい開口部を有する台座ガラス２と接合し、
前記薄肉部及びその外縁にシリコーンゲル３を充填して
保護材とした。
形成し、前記薄肉部に対向する基板の表面にピエゾ抵抗
素子を形成してなる圧力検出部（以下、シリコンチップ
と呼ぶ。）である。次に、シリコンチップ１の裏面を薄
肉部より大きい開口部を有する台座ガラス２と接合し、
前記薄肉部及びその外縁にシリコーンゲル３を充填して
保護材とした。
【００１１】図２は、図１のシリコンチップを搭載した
本発明による半導体圧力センサの（１）背面図と（２）
Ａ−Ｂ断面図を示した図である。
本発明による半導体圧力センサの（１）背面図と（２）
Ａ−Ｂ断面図を示した図である。
【００１２】ここで、４は電極端子で、リード線５を介
してシリコンチップに接続されている。また、６は圧力
導入口である。
してシリコンチップに接続されている。また、６は圧力
導入口である。
【００１３】次に、図３に本発明による半導体圧力セン
サの温度特性の測定結果を示した。図３の結果より、本
発明による半導体圧力センサは、オフセット電圧温度特
性（ｄＶｏ）もフルスケール電圧温度特性（ｄＦＳ）も
従来品より優れていることが確認できた。
サの温度特性の測定結果を示した。図３の結果より、本
発明による半導体圧力センサは、オフセット電圧温度特
性（ｄＶｏ）もフルスケール電圧温度特性（ｄＦＳ）も
従来品より優れていることが確認できた。
【００１４】
【発明の効果】シリコンチップの薄肉部にシリコーンゲ
ル等による保護材を設けても温度特性が良好な半導体圧
力センサが得られる効果がある。
ル等による保護材を設けても温度特性が良好な半導体圧
力センサが得られる効果がある。
【図１】本発明による半導体圧力センサの圧力検出部の
構成断面図を示した図である。
構成断面図を示した図である。
【図２】本発明による半導体圧力センサの（１）背面図
と（２）Ａ−Ｂ断面図を示した図である。
と（２）Ａ−Ｂ断面図を示した図である。
【図３】本発明による半導体圧力センサの温度特性の測
定結果を示した図である。
定結果を示した図である。
１ シリコンチップ ２ 台座ガラス ３ シリコーンゲル ４ 電極端子 ５ リード線 ６ 圧力導入口
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体結晶からなる基板の裏面に薄肉部
を形成し、前記薄肉部に対向する半導体基板の表面にピ
エゾ抵抗素子を形成してなる半導体圧力センサにおい
て、前記半導体基板の裏面を薄肉部より大きい開口部を
有する台座ガラスと接合し、前記薄肉部及びその外縁を
保護材で保護することを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9090092A JPH10267778A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9090092A JPH10267778A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10267778A true JPH10267778A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13988882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9090092A Pending JPH10267778A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10267778A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007003383A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Denso Corp | 圧力センサ |
| US7284435B2 (en) | 2004-08-06 | 2007-10-23 | Denso Corporation | Pressure sensor |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP9090092A patent/JPH10267778A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7284435B2 (en) | 2004-08-06 | 2007-10-23 | Denso Corporation | Pressure sensor |
| JP2007003383A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP4556782B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-10-06 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080525 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090525 Year of fee payment: 8 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |