JPH1026769A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置の画素電極層と、これに電圧を
印加する駆動用トランジスタとのコンタクト部におい
て、画素電極層や遮光用導電層の段切れを有効に防止
し、コンタクト不良や画面上の輝点欠陥を低減する。 【解決手段】 画素電極層３８の段切れ要因となるアン
ダーカットが、遮光用導電層６６表面に構造上導入され
ないように、遮光用導電層６６を上部コンタクト孔６８
ａのエッジより内側に形成した。一方、遮光用導電層６
６の段切れ防止に関しては、電極配線層６０との間に介
在させた層間絶縁層６４について、そのコンタクト孔６
４ａの開口端面の少なくとも一部を、電極配線層６０に
できた段差のテーパ部上に形成させ、アンダーカット部
６０ａを上向きに開口させて、遮光用導電層６６の膜構
成材の充填性を高めることで対処した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタを用
いて各画素のキャパシタを駆動するアクティブマトリッ
クス方式の液晶表示装置に係わり、特に、トランジスタ
電極とキャパシタ画素電極とのコンタクト部における段
切れ防止技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリックス方式の液晶表示
装置（液晶パネル）としては、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を用いたものが現在の主流である。このＴＦＴ型液
晶パネルは、一般に、２枚のガラス基板を対向させ、そ
の間隙に液晶を封入して構成されている。一方のガラス
基板には、透明な共通電極が形成されており、他方の駆
動側のガラス基板には、画素ごとにマトリックス状に分
割された透明な画素電極が形成されている。この両電極
及び液晶により、各画素ごとにキャパシタが形成されて
いる。そして、各キャパシタに対し、それぞれＴＦＴを
介して画像信号に応じた電圧を画素電極側に印加し、画
素ごとに液晶の分子配向方向を変化させ、光の透過率を
各画素ごとに制御して各種画像を表示させるようにして
いる。

【０００３】図２には、一般的なアクティブマトリック
ス方式の液晶パネルについて、その電気的等価回路を示
す。図示した液晶パネルには、画像信号が印加される信
号線Ｓ1 ，Ｓ2 …，Ｓｎと、走査信号が印加されるゲー
ト線Ｇ1 ，Ｇ2 ，…，Ｇｍとが行列状に配列され、各交
点付近に薄膜トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタＴｒ
11，Ｔｒ12，Ｔｒ21，Ｔｒ22，…，Ｔｒnm、以下、「Ｔ
ｒij」と表記する）が形成されている。各ｎＭＯＳトラ
ンジスタＴｒijは、そのゲートがゲート線Ｇ1 ，Ｇ2 ，
…，Ｇｍの何れかに接続され、一方の不純物拡散層が信
号線Ｓ1 ，Ｓ2 …，Ｓｎの何れかに接続されている。

【０００４】一方、各ｎＭＯＳトランジスタＴｒijの他
方側の不純物拡散層には、それぞれキャパシタＣ11，Ｃ
12，Ｃ21，Ｃ22，…，Ｃnm、以下、「Ｃij」と表記す
る）と、液晶とが並列に接続されている。その接続点側
のキャパシタＣijの電極は、前述した画素電極を構成す
る。反対側のキャパシタＣijの電極は、前述した共通電
極を構成し、共通電位Ｖcom で保持される。

【０００５】図４は、この液晶パネルにおける駆動側の
ガラス基板の要部断面図及びその部分拡大図を示す。こ
の要部は、等価回路上では図２のＡ部に該当する。図
中、符号２は、石英ガラスからなる基板を示し、このガ
ラス基板２上には、導電化ポリシリコン層等からなる能
動層４が形成され、能動層４表面には、ｎＭＯＳトラン
ジスタ（図２のＴｒ11）が形成されている。すなわち、
能動層４表面のゲート酸化膜６を介して、ゲート電極８
が形成され、その両側に２つの不純物拡散領域、即ちソ
ース領域１０とドレイン領域１２とが形成されている。

【０００６】ｎＭＯＳトランジスタ上には、そのソース
領域１０に接続され、第１の層間絶縁層１４を介して積
層されたＡｌ等からなる電極配線層１６が形成されてい
る。また、電極配線層１６上でｎＭＯＳトランジスタ上
方位置には、第２の層間絶縁層１８を介してＴｉ等から
なる遮光用導電層２０が積層され、この遮光用導電層２
０は、ｎＭＯＳトランジスタ上方に広く開口した第２の
層間絶縁層１８のコンタクト孔１８ａを介して、下層側
の電極配線層１６に接続されている。同様に、ほぼ同じ
ような大きさのコンタクト孔２２ａを有し厚膜な平坦化
層２２を介して、前記キャパシタ（図２のＣ11）の画素
電極となる透明な画素電極層２４が積層され、コンタク
ト孔２２ａの内底面で下層側の遮光用導電層２０に接続
されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】この従来の液晶パネル
において、透明な画素電極層２４は、バックライト光源
（図の下方側から照射）からの光を効率よく液晶パネル
表面（図の上方）側に透過させなければならないことか
ら、数十ｎｍ程度と薄く、コンタクト孔２２ａの下側エ
ッジ部（図４（ａ）のＢ部，Ｂ’部）で段切れを起こし
易いといった課題があった。

【０００８】このＢ部における段切れの様子を、図４
（ｂ）に拡大して示す。同図からも判るように、平坦化
層２２にコンタクト孔２２ａを開口した後、画素電極層
２４の構成材をスパッタ法等により成膜する前に、下層
側の遮光用導電層２０表面を活性化する目的で、その最
表面を薄くエッチングしている。このライトエッチング
は、例えばＴｉに対しては、アンモニア過酸化水素水等
により等方的に施される。したがって、図示のように、
コンタクト孔２２ａのエッジ下側に遮光用導電層２０に
よるアンダーカット２０ａが形成される。従来の液晶パ
ネルのコンタクト構造では、この上から薄い画素電極層
２４を、カバレッジのよいスパッタ法によって成膜して
も、膜構成材がアンダーカット２０ａ部分でくびれて、
どうしても図示のような段切れが発生することが多かっ
た。

【０００９】この段切れが発生すると、その画素電極に
電圧がかからず液晶を偏向できないので、画素が白いま
まの輝点欠陥が画面に現れ、これが液晶パネルの歩留り
を著しく低下させていた。かといって、この段切れ防止
のためにライトエッチング時間を短くすれば、今度はコ
ンタクト抵抗の増大を招いてしまう。

【００１０】この段切れは、更に下層側のコンタクト孔
１８ａ（図４（ａ）のＣ部，Ｃ’部）でも起こり得る共
通な問題である。すなわち、図４（ｃ）に拡大して示す
ように、コンタクト下地としての電極配線層１６が例え
ばＡｌの場合、リン酸系のエッチャント等を用いて行う
ライトエッチングにより、同様なアンダーカット１６ａ
が形成され、このため遮光用導電層２０が段切れするこ
とがあった。この場合の段切れは、遮光用導電層２０が
上下の電極層２４，１６に面状に挟まれて接続されてい
ることから、上記した輝点欠陥には直ぐには結びつかな
いものの、コンタクト抵抗の増大を招く要因となる点で
問題であった。

【００１１】本発明は、このような実情に鑑みてなさ
れ、画素電極や遮光用導電層の段切れを有効に防止し、
コンタクト不良や画面上の輝点欠陥を低減できる画素電
極と駆動用トランジスタとのコンタクト構造を新たに提
案し、これを用いて歩留り及び信頼性の向上を図った液
晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を挟ん
で互いに対向して電極が配置されたキャパシタと、当該
キャパシタの一方の電極に対し、画像信号に応じて所定
電圧を印加する駆動用トランジスタとを各画素ごとに有
する液晶表示装置に適用される。

【００１３】上述した従来技術の問題点のうち、図４
（ｂ）に例示したＢ部（及びＢ’部）の段切れを防止す
るために、本発明の液晶表示装置では、遮光用導電層に
構造上アンダーカットが導入されないように、これをコ
ンタクト孔のエッジより内側に形成し、このエッジ下側
にはエッチング耐性が高い絶縁層等が接するようなコン
タクト構造にした。

【００１４】すなわち、本液晶表示装置には、その駆動
用トランジスタが形成された基板上に、駆動用トランジ
スタの一方の不純物拡散層に接続された電極配線層と、
電極配線層上に少なくとも部分的に接続して積層され、
駆動用トランジスタへの入射光を遮る遮光用導電層と、
遮光用導電層の周縁部と同一面上で当該遮光用導電層の
外側に、孔内部の周壁下部を臨ませるような配置のコン
タクト孔を有する層間絶縁層と、層間絶縁層上からコン
タクト孔内の遮光用導電層に接続され、キャパシタの一
方の電極を構成する透明な画素電極層とが形成されてい
ることを特徴とする。これにより、遮光用導電層のライ
トエッチング時にコンタクト孔のエッジ下側にアンダー
カットが形成されず、したがって、画素電極層の段切れ
発生を大幅に低減できる。

【００１５】また、図４（ｃ）に例示したＣ部（及び
Ｃ’部）における遮光用導電層の段切れ防止に関して
は、電極配線層と遮光用導電層との間に介在させた層間
絶縁層について、そのコンタクト孔の開口端面の少なく
とも一部を、電極配線層にできた段差のテーパ部上に形
成させることとした。

【００１６】その後、下地の電極配線層に活性化のため
にライトエッチが施されると、従来と同様、下部コンタ
クト孔のエッジ下側の電極配線層にアンダーカットが導
入される。しかし、ここでのアンダーカットは、段差の
テーパ部途中に形成されることから、このアンダーカッ
ト部の開口方向が、従来は略水平方向であったのに対
し、本発明では水平より上向きになる。したがって、そ
の後の遮光用導電層を成膜する際に、膜構成材がアンダ
ーカット部に充填されやくすなり、この結果、遮光用導
電層の被膜性が向上して段切れも発生し難くなる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる液晶表示装
置（液晶パネル）を、図面を参照にしながら詳細に説明
する。ここで、図１，２には、液晶パネルの大まかな構
成を示し、図１は液晶パネルの２画素（図２のＰ11, Ｐ
21）部分の断面構造図、図２は等価回路図である。図１
に示すように、この液晶パネル３０は、図２に等価回路
を示すアクティブマトリックス方式の液晶パネルであ
り、一般に、２枚の基板３２，３４を対向させ、その間
隙に液晶層３６を封入して構成されている。

【００１８】この２枚の基板として、ＭＯＳ−ＦＥＴ型
等の反射型では単結晶シリコンでもよいが、現在、主流
のＴＦＴ型では、バックライトからの光を透過させるた
めに石英ガラス基板などが用いられる。ここでは、図の
下側（バックライト光源側）の基板３２を駆動基板と称
し、図の上側（パネル表面側）の基板３４を対向基板と
称する。

【００１９】駆動基板３２の液晶側表面には、図２に示
すように、画像信号が印加される信号線Ｓ1 ，Ｓ2 …，
Ｓｎと、走査信号が印加されるゲート線Ｇ1 ，Ｇ2 ，
…，Ｇｍとが行列状に配列され、各交点付近に薄膜トラ
ンジスタ（ｎＭＯＳトランジスタＴｒ11，Ｔｒ12，Ｔｒ
21，Ｔｒ22，…，Ｔｒnm、以下、「Ｔｒij」と表記す
る）が設けられている。各ｎＭＯＳトランジスタＴｒij
は、そのゲートがゲート線Ｇ1 ，Ｇ2 ，…，Ｇｍの何れ
かに接続され、一方の不純物拡散層が信号線Ｓ1 ，Ｓ2
…，Ｓｎの何れかに接続されている。

【００２０】このｎＭＯＳトランジスタＴｒij上には、
図１に示すように、画素ごとに分割された透明な画素電
極層３８が形成され、その上には、液晶層３６の分子配
列方向を揃えるための配向膜４０が成膜されている。画
素電極層３８は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透
明な導電膜で構成される。配向膜４０としては、無機膜
でもよいが、通常、ポリイミド膜などの有機膜が用いら
れることが多い。

【００２１】一方、対向基板３４側の液晶側表面には、
カラーフィルタ４２とブラックストライプ４４とが交互
に形成され、その表面には、ＩＴＯ膜などからなる透明
な共通電極層４６が形成され、配向膜４８で覆われてい
る。この配向膜４８は、駆動基板３２側の配向膜４０と
は分子配列方向が９０度直交するように形成されてい
る。これにより、液晶層３６は、その分子配列方向が厚
さ方向に９０度よじれた状態が整えられている。

【００２２】この共通電極層４６および前記した画素電
極層３８とにより、液晶層３６を挟んでキャパシタが構
成されている。図２の等価回路上では、各ｎＭＯＳトラ
ンジスタＴｒijの一方の不純物拡散層に、それぞれキャ
パシタＣ11，Ｃ12，Ｃ21，Ｃ22，…，Ｃnm、以下、「Ｃ
ij」と表記する）と、液晶とが並列に接続されている。
共通電極層４６は、共通電位Ｖcom で保持される。

【００２３】つぎに、このキャパシタＣijとｎＭＯＳト
ランジスタＴｒijとのコンタクト部の構造について、図
３を参照しながら詳述する。図３は、コンタクト部の一
例を示すために、図２の点線で囲った画素Ｐ11部分（Ａ
部）を示す概略断面図である。

【００２４】図中、符号３２は、先に説明した駆動基板
を示し、この駆動基板３２上には、導電化ポリシリコン
層等からなる能動層５０が形成されている。この能動層
５０を形成するには、まず、駆動基板３２上にポリシリ
コン層を７５ｎｍ程度成長させ、次に、ＳＰＧ（Solid
Phase Growth）法を用いてＳｉ等の不純物を多量に導入
してアモルファス化した後、最後に、６３０℃で１２時
間ほどアニールして、最初の１０倍程度のグレンサイズ
まで再結晶化する。

【００２５】能動層５０上には、ゲート酸化膜５２を介
してゲート電極５４が形成され、ゲート電極５４両側の
能動層５０表面には、ｎ型不純物が高濃度に導入された
不純物拡散層（ソース領域５６およびドレイン領域５
８）が形成されている。これにより、図２のｎＭＯＳト
ランジスタＴｒ11が形成されている。ここでは、ゲート
酸化膜５２として、熱酸化法により成膜される５０ｎｍ
ほどの酸化シリコン膜と、成膜温度が８００℃ほどのＣ
ＶＤ法により成膜されるＨＴＯ膜（High temperature c
hemical vapor deposited Oxide:高温化学的気相成長酸
化膜）との２層膜を用いて、膜特性の向上が図られてい
る。他の部位の形成は、通常のｎＭＯＳトランジスタの
形成法にしたがう。

【００２６】このｎＭＯＳトランジスタの一方の不純物
拡散領域（例えば、ソース領域５６）からは、電極配線
層６０が引き出され、これが第１の層間絶縁層６２を介
してｎＭＯＳトランジスタ上に積層されている。電極配
線層６０は、例えばＡｌからなり、第１の層間絶縁層６
２はＰＳＧ（phoshosilicate glass）等からなる。これ
らの膜厚は、ともに６００ｎｍ程度である。

【００２７】電極配線層６０上でｎＭＯＳトランジスタ
上方位置には、第２の層間絶縁層６４を介して遮光用導
電層６６が積層されている。この遮光用導電層６６は、
ｎＭＯＳトランジスタ上方に広く開口した第２の層間絶
縁層６４のコンタクト孔６４ａを介して、下層側の電極
配線層６０に接続されている。遮光用導電層６６は、膜
厚が４０ｎｍほどのＴｉ等の薄い膜であり、ｎＭＯＳト
ランジスタがノイズ源とならないように、下層側の電極
配線層６０とともにパネル表面側からの光を遮る役割を
果たしている。第２の層間絶縁層６４は、４００ｎｍほ
どの膜厚を有したＰＳＧ膜等から構成される。

【００２８】この遮光用導電層６６の成膜には、通常、
スパッタ法が用いられる。本実施形態のように下地がＡ
ｌの場合、遮光用導電層６６を成膜する前に、Ａｌ表面
に形成された自然酸化膜を除去し活性化する必要があ
る。コンタクト抵抗低減のためである。この表面活性化
は、通常、リン酸系のエッチャントを用いたウエットエ
ッチング（以下、ライトエッチングという）によるが、
これは、遮光用導電層６６の成膜直前に、第２の層間絶
縁層６４のコンタクト孔６４ａを介して行われる。した
がって、ライトエッチにより、多くの場合、コンタクト
孔６４ａのエッジ下側の電極配線層６０にアンダーカッ
トが導入される。

【００２９】本発明では、図３に示すように、第２の層
間絶縁層６４について、そのコンタクト孔６４ａの開口
端面の少なくとも一部を、電極配線層６０にできた段差
のテーパ部上に形成させている。この図示例では、ゲー
ト電極５４形状を反映した電極配線層６０の段差を利用
している。したがって、図３（ｃ）に拡大して示すよう
に、この場合のアンダーカット６０ａは、その開口方向
が水平より上向きになっている。このため、その後に遮
光用導電層６６を成膜する際、膜構成材がアンダーカッ
ト部６０ａに充填されやくすなり、この結果、遮光用導
電層６６の被膜性が向上して段切れの発生が有効に防止
される。

【００３０】このように段切れを防止しつつ成膜された
遮光用導電層６６周囲には、これをコンタクト孔６８ａ
の内底部に配置させるようにして、第３の層間絶縁層６
８（上部層間絶縁層）が形成されている。言い換える
と、第３の層間絶縁層６８に形成されたコンタクト孔６
８ａは、遮光用導電層６６の周縁部が形成された同一面
（ここでは、第２の層間絶縁層６４）上で、遮光用導電
層６６の外側に、その孔内部の周壁下部を臨ませるよう
に配置されている。第３の層間絶縁層６８は、後の液晶
層形成工程の作業性向上のため、平坦化膜として２μｍ
程度の膜厚を有し、その材質は、バックライトの高効率
化のため成膜後にＵＶ照射で光透過率を高めることがで
きる有機膜から構成されている。そして、第３の層間絶
縁層６８上には、図２のキャパシタＣ11の一方の電極を
構成する透明な画素電極層３８が形成され、これがコン
タクト孔６８ａの内底面で下層側の遮光用導電層６６に
接続されている。

【００３１】本発明で、このようにコンタクト孔６８ａ
を遮光用導電層６６より広く開口させているのは、画素
電極層３８の段切れ防止のためである。すなわち、図３
のＢ部，Ｂ’部の段切れを防止するために、遮光用導電
層６６に構造上アンダーカットが導入されないように、
これをコンタクト孔６８ａのエッジより内側に形成し、
このエッジ下側にはエッチング耐性が高い絶縁層（第２
の層間絶縁層６４）が接するようなコンタクト構造にし
ている。画素電極層３８の成膜前には、遮光用導電層６
６表面の活性化のために、過酸化水素水等によるライト
エッチングが施されるが、本発明におけるコンタクト構
造では、図３（ｂ）に示すように、このエッチング時に
コンタクト孔６８ａのエッジ下側にアンダーカットが形
成されず、したがって、画素電極層３８の段切れ発生が
有効に防止されている。

【００３２】以後は、図１に示すように、配向膜４０を
成膜し、更に液晶層３６を形成する。また、石英ガラス
基板にカラーフィルタ４２，共通電極層４６，配向膜４
８を順次積層させて、対向基板３４を予め形成してお
き、この対向基板３４を配向膜４８側から駆動基板３２
上に張りつけると、当該液晶パネル３０が完成する。

【００３３】なお、上記説明で特に言及した以外の事項
については、特に限定はなく、本発明の範囲内で種々に
改変できる。たとえば、遮光用導電層６６や画素電極層
３８のエッチング加工時に、下地の電極配線層６０との
選択比がとれるようであれば、第２の層間絶縁層６４は
省略可能である。これにより、遮光用導電層６６の段切
れ問題は解消される。ただし、この場合、図３（ｂ）に
おけるコンタクト部の下地が第２の層間絶縁層６４では
なく電極配線層６０となるので、電極配線層６０は、遮
光用導電層６６のライトエッチング時にエッチングされ
ない材質に限定される。

【００３４】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係わ
る液晶表示装置（液晶パネル）によれば、駆動用トラン
ジスタとのコンタクト部における画素電極層の段切れが
有効に防止できる。このため、この画素電極と駆動用ト
ランジスタ間の断線不良が殆ど発生しなくなり、画面上
の輝点欠陥を大幅に低減できる。

【００３５】これに加え、本発明では、コンタクト部の
中間の接続層として介在する遮光用導電層の段切れも有
効に防止されており、これによりコンタクト抵抗の低減
が可能となる。よって、液晶表示装置の歩留り及び信頼
性の向上に、本発明が大きく貢献するものと期待され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施形態に係わる液晶パネル
の２画素（図２のＰ11, Ｐ21）部分の断面構造図であ
る。

【図２】図２は、図１，４の液晶パネルの概略構成を示
す等価回路図である。

【図３】図３（ａ）は、駆動用トランジスタと画素電極
層とのコンタクト部（図２のＡ部）を示す駆動基板の要
部断面図である。同図（ｂ），（ｃ）は、それぞれＢ
部，Ｃ部の拡大図である。

【図４】図４（ａ）は、従来の液晶パネルにおける駆動
側ガラス基板の要部断面図であり、同図（ｂ），（ｃ）
は、それぞれＢ部，Ｃ部の拡大図である。

【符号の説明】

３０…液晶パネル（液晶表示装置）、３２…駆動基板
（基板）、３４…対向基板（基板）、３６…液晶層、３
８…画素電極層、４０，４８…配向膜、４２…カラーフ
ィルタ、４４…ブラックストライプ、４６…共通電極
層、５０…能動層、５２…ゲート酸化膜、５４…ゲート
電極、５６…ソース領域、５８…ドレイン領域、６０…
電極配線層、６０ａ…アンダーカット部、６２…第１の
層間絶縁層、６４…第２の層間絶縁層（層間絶縁層）、
６４ａ…コンタクト孔、６６…遮光用導電層、６８…第
３の層間絶縁層（上部層間絶縁層）、６８ａ…コンタク
ト孔、Ａ…コンタクト部、Ｂ，Ｃ…コンタクト孔のエッ
ジ周辺部、Ｃ11等…キャパシタ、Ｐ11等…画素、ＴＲ11
等…駆動用トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）、Ｇ
1 〜Ｇｍ…ゲート線、Ｓ1 〜Ｓｎ…信号線、Ｖcom …共
通電位。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶層を挟んで互いに対向して電極が配
   置されたキャパシタと、当該キャパシタの一方の電極に
   対し、画像信号に応じて所定電圧を印加する駆動用トラ
   ンジスタとを各画素ごとに有する液晶表示装置であっ
   て、 前記駆動用トランジスタが形成された基板上には、 駆動用トランジスタの一方の不純物拡散層に接続された
   電極配線層と、 電極配線層上に少なくとも部分的に接続して積層され、
   駆動用トランジスタへの入射光を遮る遮光用導電層と、 遮光用導電層の周縁部と同一面上で当該遮光用導電層の
   外側に、孔内部の周壁下部を臨ませるような配置のコン
   タクト孔を有する層間絶縁層と、 層間絶縁層上から前記コンタクト孔内の遮光用導電層に
   接続され、前記キャパシタの一方の電極を構成する透明
   な画素電極層と、 が形成されている液晶表示装置。
2. 【請求項２】 液晶層を挟んで互いに対向して電極が配
   置されたキャパシタと、当該キャパシタの一方の電極に
   対し、画像信号に応じて所定電圧を印加する駆動用トラ
   ンジスタとを各画素ごとに有する液晶表示装置であっ
   て、 前記駆動用トランジスタが形成された基板上には、 駆動用トランジスタの一方の不純物拡散層に接続された
   電極配線層と、 電極配線層上に層間絶縁層を介して積層され、層間絶縁
   層に開口されたコンタクト孔を介して下層側の電極配線
   層を、前記キャパシタの一方電極を構成する透明な上層
   側の画素電極層に接続させながら、駆動用トランジスタ
   への入射光を遮る遮光用導電層とを有し、 前記コンタクト孔の開口端面の少なくとも一部が、下層
   側の前記電極配線層にできた段差のテーパ部上に形成さ
   れている液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記遮光用導電層の周囲には、 遮光用導電層の周縁部と同じ前記層間絶縁層上で、当該
   遮光用導電層の外側に、孔内部の周壁下部を臨ませるよ
   うな配置のコンタクト孔を有する上部層間絶縁層を更に
   有し、 前記画素電極層が、上部層間絶縁層上からコンタクト孔
   内の遮光用導電層に接続されている請求項２に記載の液
   晶表示装置。