JPH10261694A - ポジショニング及びアライメント装置 - Google Patents
ポジショニング及びアライメント装置Info
- Publication number
- JPH10261694A JPH10261694A JP9353743A JP35374397A JPH10261694A JP H10261694 A JPH10261694 A JP H10261694A JP 9353743 A JP9353743 A JP 9353743A JP 35374397 A JP35374397 A JP 35374397A JP H10261694 A JPH10261694 A JP H10261694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer stage
- interferometers
- positioning
- interferometer
- pentaprism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02017—Interferometers characterised by the beam path configuration with multiple interactions between the target object and light beams, e.g. beam reflections occurring from different locations
- G01B9/02021—Interferometers characterised by the beam path configuration with multiple interactions between the target object and light beams, e.g. beam reflections occurring from different locations contacting different faces of object, e.g. opposite faces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02027—Two or more interferometric channels or interferometers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Control Of Conveyors (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
Abstract
を低減し、かつウェーハステージの寸法又は重量を増加
することなく移動距離を増大する。 【解決手段】 可動ウェーハステージ(10;10’)
上に、一対の静止直交反射ミラー(30、32;3
0’、32’)と関連付けられた複数の干渉計レーザゲ
ージ(14、16;14’、16’)が置かれ、X軸に
平行な光ビームがペンタプリズム(36)と複数のビー
ムスプリッタ(22、24、26;22’、24’)と
フォールドミラー(28;46、48、50、52)を
介して、ウェーハステージ上のウェーハ平面に近接して
載置された干渉計レーザゲージ(14、16;14’、
16’)に方向付けられる。
Description
において使用されるフォトリソグラフィーに関し、より
詳細には正確なポジショニングとアライメントの可能な
ウェーハステージに関する。
スプレイの製造において、フォトリソグラフィーやマイ
クロリソグラフィーが多用される。半導体ウェーハない
しその他の基板を上部に載置するための基板ないしウェ
ーハステージを使用して、露光中にウェーハのアライメ
ントとポジショニングが行われる。ウェーハのアライメ
ントとポジショニングに使用されるウェーハステージが
米国特許第4952858号明細書に開示されている。
ここに開示されている電磁アライメント装置はモノリシ
ックステージ、サブステージ、及び独立の参照構造体を
有している。別のウェーハステージが米国特許第528
5142号明細書に開示されている。この米国特許によ
れば、電磁サブステージと電磁モノリシックステージが
順次結合され、モノリシックステージの動作範囲の全域
にわたって単一の参照表面が延在するよう構成される。
さらにこの米国特許明細書にはウェーハステージ上に載
置された干渉計反射ミラーが開示されている。干渉計反
射ミラーは干渉計アライメントシステムにおいて、ウェ
ーハステージを正確にポジショニング及びアライメント
するために使用される。干渉計反射ミラーは常にウェー
ハステージ上に置かれ、干渉計はウェーハステージから
離れて置かれる。このような構成は大抵のフォトリソグ
ラフィー作業に対応できたが、ウェーハサイズの拡大と
回路素子の線幅の微小化につれて、ウェーハステージの
構造を改良し、ウェーハのポジショニングとアライメン
トを改善する必要性が生じてきた。干渉計システムにお
ける反射ミラーは安定性を要するため、通常大型で重
い。ウェーハサイズの拡大につれて、ウェーハステージ
はこれまで以上の距離を移動しなければならない。その
結果、ウェーハステージ上に大型で重い干渉計反射ミラ
ーが載置されることになる。このため、ウェーハステー
ジを素早く正確に動かすことが困難になる。さらに、ウ
ェーハステージ上に載置されるミラーがウェーハステー
ジの回転に対して敏感なため、コサイン誤差と呼ばれる
誤差を招いてしまう。また、ウェーハステージを回転さ
せると光学信号損失が生じるため、ステージの移動と回
転が制限され、より大型で強力なレーザ照明光源を干渉
計と共に用いる必要が出てくる。このように、通常のウ
ェーハステージ構造を改良し、ポジショニング及びアラ
イメント精度を改善すると共に、通常のウェーハステー
ジにおいて必要とされる重量と電力を低減する必要があ
る。
ーハステージのポジショニング及びアライメントにおけ
る誤差を低減することである。
寸法と重量を低減する、ないしはウェーハステージの寸
法と重量を増加することなくウェーハステージの移動距
離を増大させることである。
テージは複数の干渉計をその上部に有し、該干渉計がウ
ェーハステージと共に移動される。2つの静止直交反射
干渉計ミラーがウェーハステージに隣接して配置され、
ウェーハステージ上に載置された干渉計と共に正確なア
ライメント及びポジショニング情報を得るために使用さ
れる。実施例の1つにおいて、ウェーハステージは垂直
に設置され、レーザービームがペンタプリズムにより曲
げられてウェーハステージ上の複数の干渉計に複数のビ
ームスプリッタとフォールドミラーを介して向けられ
る。
ェーハステージ上に置かれ、静止干渉計反射ミラーが可
動ウェーハステージから離れて配置される。また、ペン
タプリズム等の適当なミラー系を用いてビームが、ウェ
ーハステージの参照平面内のねじれや回転に関係無く、
静止反射ミラーに対して直交に維持される。その結果、
低電力のレーザ照明光源が使用でき、ウェーハステージ
の回転又はねじれの影響を比較的受けにくいという利点
が得られる。
ジ10はウェーハ12を上部に有する。ウェーハステー
ジ10は右回りの、ウェーハ12上に中心を有する
(X,Y,Z)デカルト座標系11を有する。ウェーハ
ステージ10上にはまた、4つのレーザ計測式干渉計1
4、16がそれぞれX軸とY軸に沿ってウェーハステー
ジ10の端部に配設されている。干渉計14と16から
の光は2つの直交参照ミラー30、32に入射する。干
渉計14、16からの光はY方向に沿って静止反射ミラ
ー30に入射する。干渉計14からの光はY方向に進行
し、静止反射ミラー30に入射する。該静止反射ミラー
30の面はX−Z平面に平行に置かれる。干渉計16か
らの光はX方向に進行し、第2の静止反射ミラー32に
入射する。第2静止反射ミラー32はその面がY−Z平
面に平行となるよう配置される。本明細書では光という
用語はあらゆる波長の電磁放射を意味し、可視スペクト
ル領域の光に限定されない。
平面ミラー型干渉計の3つが、4箇所ある干渉計位置の
うち任意の3箇所を取る。照明が与えられると、それぞ
れの平面ミラー干渉計は計測学的軸を、対応参照ミラー
の直交方向に設定される照明方向に有する。図1に示す
ように、4つ目の同型の干渉計を使用して名目上余剰な
情報を得て、誤差補正その他の目的に使用することがで
きる。この構成では、4つの干渉計レーザビームは、ウ
ェーハ平面に名目上平行な平面内において整合される。
レーザゲージ即ち干渉計14、16から得られるアライ
メント情報は全て、ウェーハ平面に平行な平面に対して
参照される。マイクロリソグラフィーにおいて非常に重
要なオーバレイアライメントに関する要求に答えるた
め、ウェーハの6自由度、即ちウェーハ平面での3自由
度とウェーハ平面に直交する方向での3自由度における
微小な動き制御とアライメントが必要である。ウェーハ
ステージ10は干渉計レーザビームが参照ミラー30、
32に入射する限り、比較的大きな距離、例えばウェー
ハ直径以上の距離を平面内、即ちX−Y方向で自由に移
動できる。Z軸回りの回転は通常数ミリラジアン以内に
制限される。残りの3自由度に関しては、システム上の
制限により非常にわずかな移動しか行えない。
に必要な情報が得られる。必ずしも光学的である必要は
ないが、何らかの別の手段を用いて残りの3自由度の制
御情報を得なければならない。2つの参照ミラー30、
32の面により5自由度が規定される。平面ミラー形干
渉計を5つウェーハステージ10上に配設し、参照ミラ
ー30、32に向けることにより、これら5自由度に関
する情報が得られる。有利な構成として、5つの干渉計
は干渉計16を2つと、例えば右端の干渉計14を1つ
と、図示しない干渉計を更に2つとすることができる。
追加の2つの干渉計は、1方を前記選択された右端の干
渉計14の下部に、もう1方を干渉計16の何れかの下
部に配設することができる。従って、図示しない2つの
干渉計は負のZ方向即ちページの反対側への方向におい
て干渉計14、16に対してオフセットされる。この構
成では、追加干渉計レーザビームに対応するため、ミラ
ー30、32の幅は同様に負のZ方向において広くされ
る。典型的には、3個の干渉計の測定軸はウェーハに平
行な平面内にある。他の2個の干渉計の測定軸はZ軸に
沿ってオフセットされた平行平面内にある。残りの6番
目の自由度即ちZ軸位置は、さらに別の参照用構造体を
必要とする。有利な参照用構造体の例として、ウェーハ
平面に平行な構造体を2つ説明する。1つ(図示しな
い)は、ウェーハ12の表面の上方に配設され、ウェー
ハまでの距離を測定するための2個ないし3個のセンサ
を保持でき、Z軸又は3つ全ての面外情報を得ることが
できる。又は該構造体をX−Y平面に平行な面を有した
ミラーとして構成することもできる。この参照構造体ミ
ラーは、ウェーハ10により規定された平面に平行な平
坦参照平面として機能する。Z平面ないしは全ての面外
計測学的情報は、干渉計を含むウェーハステージ上の1
個又は3個のセンサにより測定できる。
フォトリソグラフィー像に対して機械的に安定でなけれ
ばならない。
を開けるべきであり、典型的にはウェーハ直径分程度と
する。いくつかの単一軸干渉計を、適切に選択された複
数軸干渉計で置き換えることもできる。
定機構(Test and Management O
rganization)が本発明において使用可能な
レーザーゲージ部品を数多く製造している。これらの部
品は同社の1996年度カタログに“レーザ干渉計ポジ
ショニングシステム”として掲載されている。本発明に
関連を有する前記カタログの部品は例えば、レーザヘッ
ド、ビーム方向付けレンズ、1乃至3軸干渉計、光りフ
ァイバ検出器、及び関連する計測用電子装置等である。
する。出力18は光検出器(図示しない)に光ファイバ
ケーブル20を介して接続される。光ファイバケーブル
20は機械的に干渉計に接続してもよいし、機械的には
分離されて光学的にのみ、以下に説明する光学的入力供
給方法と類似の方法で接続することもできる。
が、関連するミラー30、32の面に出来るだけ直角に
維持されるように照明しなければならない。干渉計1
4、16は1つのグループとして、例えば図1に示すよ
うに、比較的劣る精度で配置された単一軸ステージから
ウェーハステージ10上のレンズに分配された照明を照
射することもできる。又は、照明は干渉計14、16そ
れぞれ別々に、ウェーハステージ10上でなく、比較的
劣る精度で配置されたステージ上の分配レンズにより行
うこともできる。後者の概念は図2に示されている。
は、干渉計レーザゲージ16の一方に隣接して配設され
る。第2ペンタプリズムビームスプリッタ24は他方の
干渉計レーザゲージ16に隣接して配設される。ビーム
スプリッタ26はペンタプリズムビームスプリッタ24
に隣接して配置され、光を干渉計レーザゲージ14に隣
接する第2のビーム折り曲げ手段すなわちフォールドミ
ラー28の方向へ折り曲げるないしは方向付けるために
使用される。レーザ34はウェーハステージ10から離
れて配置され、光ビーム37をX軸に平行に方向付け
る。ペンタプリズム36はレーザ34からの光を受光す
るよう配置され、ウェーハステージ10上のペンタプリ
ズムビームスプリッタ22に光を方向付ける。ビームス
プリッタ38はレーザ34からの光の一部を波長モニタ
40へ向ける。
示されるように、X方向においてウェーハステージ10
の移動に追随するよう配設される。公知の技術によるレ
ーザ計測用レーザは比較的大きく、典型的には静止プラ
ットフォーム上に載置されることにより、図1及び2に
示したように干渉計を照明し易くされる。即ち参照ミラ
ー32に直交しレーザ光に対して平行な矢印35の方向
に移動する単一軸ステージ上で移動するペンタプリズム
36からの照明がし易いように構成される。干渉計計測
学的軸の参照ミラーに対する直交性は、単一軸ステージ
によるウェーハ平面内の回転に敏感であるが、ペンタプ
リズム36はこれらの回転が十分小さければ、フォール
ドミラーで置き換えることも可能である。
直接取り付け、光がミラー30と直交するように位置合
わせすることも可能である。波長モニタ40はレーザ3
4に影響を与える大気の状態をモニタし測定するために
使用される。
し、その一部がビームスプリッタ38により分割されて
波長モニタ40に向けられる。光ビーム37のほとんど
はペンタプリズム36に向けられ、ペンタプリズム36
によりペンタプリズムビームスプリッタ22に方向付け
られる。ペンタプリズムビームスプリッタ22により光
の一部がペンタプリズムビームスプリッタ24に進行さ
せられる。光の一部はペンタプリズムビームスプリッタ
22により反射されて隣接する干渉計16に向けられ
る。射出ビームの一部は隣接する干渉計レーザゲージ1
6に向けられ、ペンタプリズムビームスプリッタ22に
入射する光ビームに対して直角である。光は干渉計レー
ザゲージ16に入射し、反射ミラー32に向けられ、そ
こで反射される。出力18は光ファイバケーブル20を
介して光検出器(図示しない)に送られる。この出力か
ら、ウェーハステージ10の場所に関する情報が得ら
れ、それに基づいて公知の方法に従って位置及びアライ
メント情報が計算される。ペンタプリズムビームスプリ
ッタ24に入射する光は同様に隣接の干渉計レーザゲー
ジ16に向けられる。光の一部は分離されてビームスプ
リッタ26に向けられる。ビームスプリッタに入射する
光の一部は隣接の干渉計レーザゲージ14に向けられ、
一部の光がビーム折り曲げ手段即ちフォールドミラー2
8に向けて折り曲げられる。フォールドミラー28によ
り光は折り曲げられ、隣接の干渉計レーザゲージ14に
向けられる。干渉計レーザゲージ14、16は4個図示
されているが、一般的には3個で十分である。所望であ
れば4個目を冗長用に配設できる。
6から50センチ乃至150センチの距離を置いて配置
される。実施の態様によってはレーザの寸法又は熱が望
ましくない場合、レーザ34はさらに離して配設するこ
ともできる。ペンタプリズム36はウェーハステージ1
0の最大移動位置から20乃至50センチ離して載置す
ることもできる。2つの干渉計レーザゲージ14は約2
0センチの距離で分離することができる。同様に、2つ
の干渉計レーザゲージ14は約20センチの距離だけ離
すことができる。干渉計14、16はそれぞれ典型的に
は反射ミラー30、32から2乃至32センチ離して配
置される。上記寸法は単なる例示であり、適用分野によ
っては他の寸法が適切な場合もある。
られる。ウェーハステージから離してミラーを配設する
ことにより、ミラーを大型化しより安定させることがで
き、低いコストでより正確に製造できる。さらに、ウェ
ーハステージを小型化、軽量化できる。ウェーハステー
ジの回転精度も、対になった干渉計間の距離をウェーハ
ステージの寸法を増大することなく拡大することによ
り、改善される。ウェーハステージの寸法増大は、通常
のようにミラーをレーザステージ上に載置する場合必要
となるものである。また、干渉計をウェーハ平面内又は
それに近接して載置することも可能となり、その結果、
アッベオフセット誤差等の誤差が除去できる。さらに
は、本発明の構造によれば、入射ビームが干渉計に入射
する角度によりアライメントが影響されない。よって、
使用する干渉計レーザゲージに依存して、Z軸を中心と
して約2ミリラジアン程度、アライメント又は位置合わ
せ精度に影響を与えることなく回転可能である。典型的
にはウェーハステージ10は、ウェーハ平面に近接して
配置された3個のレーザゲージ干渉計を有し、それらに
よって3自由度即ちX平行移動、Y平行移動、Z回転が
測定される。3個のレーザゲージ干渉計は好適には直角
三角形をなすようにウェーハステージ10上に載置さ
れ、その際90度を挟む2個の短い足部分が反射ミラー
30、32それぞれの長手方向軸に平行になるようにさ
れる。
を示す斜視図である。ウェーハステージ10’の上部に
はウェーハチャック12’が載置されている。ウェーハ
(図示しない)がウェーハチャック12’上に配置され
る。干渉計14’はウェーハステージ10’の一角に配
置される。一対の干渉計レーザゲージ16’がY軸に平
行に配置される。従って、この実施例では3個の干渉計
レーザゲージ14’、16’を使用するだけで、十分な
ポジショニング及びアライメント情報が得られる。ウェ
ーハステージ10’は典型的にはY平行移動、X平行移
動、Z回転における3自由度を有する。一対の干渉計1
6’間には第1ビームスプリッタ22’および第2ビー
ムスプリッタ24’が配設される。ビームスプリッタ2
2’及び24’はペンタプリズムとすることができる。
一対のビーム折り曲げ手段即ちフォールドミラー44、
52を用いて光ビームが干渉計16’の一方に向けられ
る。ビーム折り曲げ手段即ちフォールドミラー46は他
方の干渉計16’に関連付けられ、そこへ光を向ける。
ビーム折り曲げ手段即ちフォールドミラー48、50は
干渉計14’と関連付けられており、そこへ光ビームを
向ける。干渉計14’、16’にはそれぞれ、参照ミラ
ー56を上部に有したアーム54が関連付けられてい
る。ウェーハステージ10’は好適には3個の空気軸受
け42上に載置されるが、図中には2個のみ示してあ
る。空気軸受け42は図示しない平面上の置かれる。ウ
ェーハステージ10’を垂直に配設する場合、反力シリ
ンダ58を使用してウェーハステージ10’の重量が補
償される。反力シリンダ58は、モータ又は線形駆動部
62が接続された支持体60に取り付けられる。モータ
又は線形駆動部62によりウェーハステージ10’が矢
印64で示されたX方向に移動される。静止反射ミラー
32’は、一対の干渉計16’により形成されたY軸に
平行に配置される。反射ミラー32’は、ウェーハステ
ージ10’のY方向での移動距離全域をカバーできる長
さを有する。静止反射ミラー30’はX軸に平行に配設
され、ウェーハステージ10’のX方向での移動距離全
域をカバーできる長さを有する。したがって、静止反射
ミラー30’、32’はウェーハステージ10’上に配
設されないため、比較的大きく安定にできる。ウェーハ
ステージ10’にはまた、校正検出器66が関連付けら
れている。校正検出器66は特定のアライメント及びポ
ジショニング操作において使用される。
7’がX軸に平行に発せられる。ビームはペンタプリズ
ム36’に入射し、それによってビームスプリッタ2
2’の方へ90度曲げられる。ビームスプリッタ22’
はペンタプリズムにより構成できる。ビームスプリッタ
22’によりビームの一部がフォールドミラー46に向
けられ、別の一部が別のビームスプリッタ24’に向け
られる。ビームスプリッタ24’はペンタプリズムによ
り構成できる。フォールドミラー46によりビームは第
1干渉計16’に向けられる。ビームスプリッタ24’
はビームの一部を別のビームフォルダ48に向け、ビー
ムの別の一部がビームフォルダ44に向けられる。フォ
ールドミラー即ちビームフォルダ48はビームをビーム
フォルダ50に向け、該ビームフォルダ50から更に干
渉計14’へとビームが向けられる。フォールドミラー
44により受光されたビームはビームをフォールドミラ
ー52に向ける。そしてフォールドミラー52は光ビー
ムを第2干渉計レーザ測定器16’に方向付ける。3個
の干渉計レーザゲージ16’、14’を静止ミラー3
0’、32’と共働して用いることにより、ウェーハス
テージ10’の正確な場所、即ちX平行移動、Y平行移
動、Z回転に関するポジショニング及びアライメント情
報が正確に得られる。3個の干渉計14’、16は好適
には、ウェーハチャック12’の平坦表面に平行な面内
で直角三角形を形成する。好適には、干渉計レーザゲー
ジ14’、16’はウェーハ平面に近隣して配設される
ことにより、アッベオフセット誤差等の誤差が除去され
る。さらに、ペンタプリズムを使用した本発明の構造に
より、Z軸回りの微小な回転またはねじれに関係なく、
干渉計レーザゲージのアライメントを維持できる。よっ
て、本発明のアライメント装置は公知の干渉計を使用し
たアライメント装置に較べて比較的回転の影響を受けな
い。
い質量ないし重量を有するウェーハステージの移動距離
が改善されると同時に、アライメントとポジショニング
精度が改善される。また、本発明の構造は回転、又は干
渉計をウェーハ平面から離すことにより生じる特定の誤
差の影響を受けにくい。
Claims (13)
- 【請求項1】 一定の移動距離を有したウェーハステー
ジと、 前記ウェーハステージ上に配設された干渉計と、 前記ウェーハステージに隣接して配設された第1静止ミ
ラーと、 フォールドミラーとを具備したポジショニング及びアラ
イメント装置において、 前記第1静止ミラーは前記ウェーハステージの移動距離
をカバーできる長さを有し、前記フォールドミラーによ
り光ビームが前記ウェーハステージ上の干渉計に向けら
れることにより、前記ウェーハステージの正確なポジシ
ョニング及びアライメントが行われるよう構成された、
ポジショニング及びアライメント装置。 - 【請求項2】 第2静止ミラーと、 前記ウェーハステージ上に配設された一対の干渉計と、 複数のビームスプリッタとをさらに具備し、 前記第2静止ミラーがウェーハステージに隣接しかつ前
記第1静止ミラーに直交して配設され、ウェーハステー
ジの移動距離をカバーする長さを有し、 前記一対のビームスプリッタにより光ビームが前記一対
の干渉計に向けられ、 干渉計と一対の干渉計がウェーハステージ上で直角三角
形を形成するよう配置される、請求項1記載のポジショ
ニング及びアライメント装置。 - 【請求項3】 前記一対の干渉計が少なくとも20セン
チの距離で互いに分離されている、請求項2記載のポジ
ショニング及びアライメント装置。 - 【請求項4】 レーザ光源と、 ペンタプリズムとをさらに具備し、 前記レーザ光源により光ビームが前記第1静止ミラー又
は第2静止ミラーに実質的に平行に向けられ、前記ペン
タプリズムが光ビームを受光するよう配置された、請求
項2記載のポジショニング及びアライメント装置。 - 【請求項5】 レーザ光源と、 ペンタプリズムと、 単一軸ウェーハステージと、 フォールドミラーとビームスプリッタの一組を更に具備
し、 前記レーザ光源によりレーザ光ビームが、実質的に安定
でかつ前記第1又は第2静止ミラーに対して直交方向に
方向付けられ、 前記ペンタプリズムによりレーザ光ビームが受光され、 前記単一軸ウェーハステージはペンタプリズムを載置
し、レーザ光ビームの伝播方向に平行に移動可能であ
り、該単一軸ウェーハステージを該軸方向に移動するこ
とによりレーザ光ビームを前記干渉計と一対の干渉計に
方向付けることができ、 前記フォールドミラーとビームスプリッタの一組により
レーザ光ビームが前記干渉計と一対の干渉計に分配さ
れ、同時にレーザ光ビームがそれぞれの干渉計に関連付
けられた第1又は第2静止ミラーに実質上直交方向にレ
ーザ光が維持される、請求項2記載のポジショニング及
びアライメント装置。 - 【請求項6】 レーザ光源と、 レーザ光を個々の干渉計に方向付ける手段とをさらに具
備し、 前記レーザ光源によりレーザ光ビームが、前記第1と第
2静止ミラーに対して実質的に安定な方向へ向けられ、 前記手段によりレーザ光が個々の干渉計に方向付けられ
る際、個々の干渉計に関連付けられた前記第1又は第2
静止ミラーに対して名目上直交方向に維持される、請求
項2記載の位置合わせ及びアライメント装置。 - 【請求項7】 ウェーハステージと、 前記ウェーハステージ上に配設された第1、第2及び第
3干渉計と、 第1及び第2静止反射ミラーと、 複数のビームスプリッタとを具備した、フォトリソグラ
フィー用ポジショニング及びアライメント装置におい
て、 前記第1静止反射ミラーは、前記第1と第2干渉計間に
形成される線に実質上平行な面を有し、前記第1と第2
干渉計からの光ビームを受光するよう配置され、 前記第2静止反射ミラーは、前記第1干渉計の表面に実
質上直交する面を有し、前記第3干渉計からの光ビーム
を受光するよう配置され、 前記複数のビームスプリッタが、光ビームを、前記第
1、第2、及び第3干渉計に方向付けるよう配置され
た、ポジショニング及びアライメント装置。 - 【請求項8】 前記複数のビームスプリッタが少なくと
も1つのペンタプリズムを含む、請求項7記載のポジシ
ョニング及びアライメント装置。 - 【請求項9】 前記ウェーハステージから分離されか
つ、光ビームを前記複数のビームスプリッタのうちの1
つに向けるよう配置されたペンタプリズムをさらに具備
した、請求項7記載のポジショニング及びアライメント
装置。 - 【請求項10】 前記ペンタプリズムが前記ウェーハス
テージと共に1軸方向においてのみ移動する、請求項9
記載のポジショニング及びアライメント装置。 - 【請求項11】 光ビーム光源をさらに具備し、該光ビ
ーム光源から光ビームが前記軸に実質上平行に前記ペン
タプリズムに向けられる、請求項10記載の装置。 - 【請求項12】 前記ウェーハステージに接続された支
持体と、モータを更に具備し、 前記支持体は、前記ウェーハステージと共に前記軸に沿
って移動し、上部には前記ペンタプリズムが載置され、 前記モータにより前記支持体が前記軸に沿って駆動され
る、請求項11記載のポジショニング及びアライメント
装置。 - 【請求項13】 可動ウェーハステージと、 前記ウェーハステージ上に載置され、共に移動する少な
くとも3個の干渉計と、 それぞれ長手方向軸を有した第1と第2静止反射ミラー
と、 前記ウェーハステージを支持する反力手段と、 前記反力手段に取り付けられた支持体と、 前記支持体上に載置されたペンタプリズムと、 前記支持体を単一の軸に沿って駆動するモータと、 光ビームを前記ペンタプリズムに向けるレーザ光源とを
具備した、フォトリソグラフィーにおけるウェーハのア
ライメントとポジショニングを行うためのポジショニン
グ及びアライメント装置において、 前記可動ウェーハステージは3自由度を有し、 前記第1静止反射ミラーは前記少なくとも3個の干渉計
のうちの2個から光ビームを受光するよう配置され、 前記第2静止反射ミラーは前記少なくとも3個の干渉計
のうちの1個から光ビームを受光するよう配置され、 第1静止反射ミラーと第2静止反射ミラーそれぞれの長
手方向軸は互いに直交しており、 前記レーザ光源からの光ビームが前記ペンタプリズムに
より折り曲げられ、前記少なくとも3個の干渉計に方向
付けられることにより、比較的軽量で、特定のねじれ又
は回転の影響を受けない、改善された移動範囲を有した
ウェーハステージが得られるよう構成された、ポジショ
ニング及びアライメント装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/785,764 US5757160A (en) | 1996-12-23 | 1996-12-23 | Moving interferometer wafer stage |
US08/785764 | 1996-12-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10261694A true JPH10261694A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=25136565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9353743A Pending JPH10261694A (ja) | 1996-12-23 | 1997-12-22 | ポジショニング及びアライメント装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5757160A (ja) |
EP (1) | EP0851303B1 (ja) |
JP (1) | JPH10261694A (ja) |
KR (1) | KR100519942B1 (ja) |
CA (1) | CA2224925A1 (ja) |
DE (1) | DE69732516T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006194672A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Ushio Inc | ステージ装置 |
KR102123119B1 (ko) * | 2019-05-30 | 2020-06-15 | 주식회사 에스피텍 | 평행 위치 식별형 슬라이더 |
Families Citing this family (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6317196B1 (en) * | 1996-06-25 | 2001-11-13 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
KR100525521B1 (ko) | 1996-10-21 | 2006-01-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치및노광방법 |
US20030145353A1 (en) * | 1997-05-07 | 2003-07-31 | Lightner Jonathan E. | Starch biosynthetic enzymes |
TW392065B (en) * | 1998-08-20 | 2000-06-01 | Nikon Corp | Laser interferometer, position measuring device and measuring method, exposure device and manufacturing methods thereof |
US6313918B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-11-06 | Zygo Corporation | Single-pass and multi-pass interferometery systems having a dynamic beam-steering assembly for measuring distance, angle, and dispersion |
US6252667B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-06-26 | Zygo Corporation | Interferometer having a dynamic beam steering assembly |
US7139080B2 (en) * | 1998-09-18 | 2006-11-21 | Zygo Corporation | Interferometry systems involving a dynamic beam-steering assembly |
US6144118A (en) * | 1998-09-18 | 2000-11-07 | General Scanning, Inc. | High-speed precision positioning apparatus |
WO2000022376A1 (fr) * | 1998-10-14 | 2000-04-20 | Nikon Corporation | Procede et dispositif de mesure de forme, procede de commande de position, dispositif a etage, appareil d'exposition et procede de production dudit appareil d'exposition et dispositif et procede de fabrication du dispositif |
US6271923B1 (en) | 1999-05-05 | 2001-08-07 | Zygo Corporation | Interferometry system having a dynamic beam steering assembly for measuring angle and distance |
US6888638B1 (en) | 1999-05-05 | 2005-05-03 | Zygo Corporation | Interferometry system having a dynamic beam steering assembly for measuring angle and distance |
US6512588B1 (en) | 1999-05-05 | 2003-01-28 | Zygo Corporation | Method and system for correcting an interferometric angle measurement for the effects of dispersion |
US6324933B1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-12-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Planar movable stage mechanism |
US6389702B1 (en) * | 2000-05-12 | 2002-05-21 | Electroglas, Inc. | Method and apparatus for motion control |
JP2004510129A (ja) | 2000-05-17 | 2004-04-02 | ザイゴ コーポレイション | 干渉装置および干渉方法 |
JP3728180B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 干渉計搭載ステージ |
US6541759B1 (en) | 2000-06-20 | 2003-04-01 | Zygo Corporation | Interferometry system having a dynamic beam-steering assembly for measuring angle and distance and employing optical fibers for remote photoelectric detection |
SG142150A1 (en) * | 2000-07-16 | 2008-05-28 | Univ Texas | High-resolution overlay alignment systems for imprint lithography |
WO2002073122A2 (en) * | 2001-03-13 | 2002-09-19 | Zygo Corporation | Cyclic error reduction in average interferometric position measurements |
US6947148B2 (en) * | 2001-07-24 | 2005-09-20 | Zygo Corporation | Interferometric apparatus and method with phase shift compensation |
US6847452B2 (en) * | 2001-08-02 | 2005-01-25 | Zygo Corporation | Passive zero shear interferometers |
JP4030960B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2008-01-09 | ザイゴ コーポレーション | 入力ビームの方向の動的干渉分光制御 |
US7193726B2 (en) * | 2001-08-23 | 2007-03-20 | Zygo Corporation | Optical interferometry |
US6762845B2 (en) | 2001-08-23 | 2004-07-13 | Zygo Corporation | Multiple-pass interferometry |
US6912054B2 (en) * | 2001-08-28 | 2005-06-28 | Zygo Corporation | Interferometric stage system |
AU2002360461A1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-17 | Zygo Corporation | Compensating for effects of non-isotropics gas mixtures in interferometers |
US6819434B2 (en) | 2002-01-28 | 2004-11-16 | Zygo Corporation | Multi-axis interferometer |
JP4279679B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2009-06-17 | ザイゴ コーポレーション | 干渉法システムにおける非サイクリック・エラーの特性評価および補償 |
US6856402B2 (en) * | 2002-02-12 | 2005-02-15 | Zygo Corporation | Interferometer with dynamic beam steering element |
US6906784B2 (en) * | 2002-03-04 | 2005-06-14 | Zygo Corporation | Spatial filtering in interferometry |
US7030993B2 (en) * | 2002-04-24 | 2006-04-18 | Zygo Corporation | Athermal zero-shear interferometer |
AU2003234413A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-11 | Zygo Corporation | Compensation for geometric effects of beam misalignments in plane mirror interferometers |
US6757110B2 (en) * | 2002-05-29 | 2004-06-29 | Asml Holding N.V. | Catadioptric lithography system and method with reticle stage orthogonal to wafer stage |
AU2003249334A1 (en) * | 2002-06-17 | 2003-12-31 | Zygo Corporation | Interferometry systems involving a dynamic beam-steering assembly |
US7616322B2 (en) * | 2002-07-08 | 2009-11-10 | Zygo Corporation | Cyclic error compensation in interferometry systems |
JP4547257B2 (ja) | 2002-07-08 | 2010-09-22 | ザイゴ コーポレーション | 干渉計システムにおける周期誤差の補正 |
US7428685B2 (en) * | 2002-07-08 | 2008-09-23 | Zygo Corporation | Cyclic error compensation in interferometry systems |
US7262860B2 (en) * | 2002-07-29 | 2007-08-28 | Zygo Corporation | Compensation for errors in off-axis interferometric measurements |
US7274462B2 (en) * | 2002-09-09 | 2007-09-25 | Zygo Corporation | In SITU measurement and compensation of errors due to imperfections in interferometer optics in displacement measuring interferometry systems |
WO2004023069A1 (en) * | 2002-09-09 | 2004-03-18 | Zygo Corporation | Measurement and compensation of errors in interferometrs |
JP2006505778A (ja) * | 2002-11-04 | 2006-02-16 | ザイゴ コーポレーション | 干渉計経路内の屈折度の摂動の補正 |
AU2003297000A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-06-30 | Zygo Corporation | In-process correction of stage mirror deformations during a photolithography exposure cycle |
GB2397646B (en) * | 2003-01-24 | 2005-12-07 | Interferomet Ltd | Interferometric plural-dimensional displacement measuring system |
US6853440B1 (en) | 2003-04-04 | 2005-02-08 | Asml Netherlands B.V. | Position correction in Y of mask object shift due to Z offset and non-perpendicular illumination |
JP2007526450A (ja) * | 2003-06-19 | 2007-09-13 | ザイゴ コーポレーション | 平面ミラー干渉計測定システムにおけるビーム・ミスアライメントの幾何学的な影響に対する補償 |
US7327465B2 (en) * | 2003-06-19 | 2008-02-05 | Zygo Corporation | Compensation for effects of beam misalignments in interferometer metrology systems |
US20040263840A1 (en) * | 2003-06-25 | 2004-12-30 | Segall Stephen B. | Calibration of reconfigurable inspection machine |
US7180603B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-02-20 | Zygo Corporation | Reduction of thermal non-cyclic error effects in interferometers |
US7283200B2 (en) * | 2003-07-17 | 2007-10-16 | Nikon Corporation | System and method for measuring displacement of a stage |
US7289226B2 (en) * | 2003-11-04 | 2007-10-30 | Zygo Corporation | Characterization and compensation of errors in multi-axis interferometry systems |
US7379190B2 (en) * | 2004-01-05 | 2008-05-27 | Zygo Corporation | Stage alignment in lithography tools |
JP4790632B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2011-10-12 | ザイゴ コーポレーション | 多軸干渉計ならびに多軸干渉計を用いる方法およびシステム |
EP1716456B1 (en) * | 2004-02-11 | 2011-03-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A system and method for positioning a product |
US7310152B2 (en) * | 2004-03-03 | 2007-12-18 | Zygo Corporation | Interferometer assemblies having reduced cyclic errors and system using the interferometer assemblies |
US7109679B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-09-19 | Hr Textron, Inc. | Damping for electromechanical actuators |
US7375823B2 (en) * | 2004-04-22 | 2008-05-20 | Zygo Corporation | Interferometry systems and methods of using interferometry systems |
JP2007534941A (ja) * | 2004-04-22 | 2007-11-29 | ザイゴ コーポレーション | 光学干渉計システムおよび光学干渉計システムを用いる方法 |
US7385671B2 (en) * | 2004-05-28 | 2008-06-10 | Azores Corporation | High speed lithography machine and method |
US7298493B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-11-20 | Zygo Corporation | Interferometric optical assemblies and systems including interferometric optical assemblies |
WO2006041984A2 (en) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Zygo Corporation | Error correction in interferometry systems |
WO2006102234A2 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Zygo Corporation | Multi-axis interferometer with procedure and data processing for mirror mapping |
US8693006B2 (en) * | 2005-06-28 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Reflector, optical element, interferometer system, stage device, exposure apparatus, and device fabricating method |
JP5340730B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2013-11-13 | ザイゴ コーポレーション | 干渉分光法における非周期性の非線形誤差を軽減するための装置および方法 |
US7348574B2 (en) * | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
US20080148875A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
US7870471B2 (en) * | 2007-01-31 | 2011-01-11 | Sandisk 3D Llc | Methods and apparatus for employing redundant arrays to configure non-volatile memory |
US7870472B2 (en) * | 2007-01-31 | 2011-01-11 | Sandisk 3D Llc | Methods and apparatus for employing redundant arrays to configure non-volatile memory |
US7576868B2 (en) * | 2007-06-08 | 2009-08-18 | Zygo Corporation | Cyclic error compensation in interferometry systems |
CN102809346B (zh) * | 2011-05-31 | 2014-12-17 | 上海微电子装备有限公司 | 运动平台的位置测量装置及其测量方法 |
DE102011120565B4 (de) * | 2011-12-08 | 2019-07-18 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen eines scheibenförmigen Substrats |
KR101448510B1 (ko) * | 2014-04-10 | 2014-10-14 | 순환엔지니어링 주식회사 | 스테이지의 직각도 측정 시스템 및 이를 이용한 스테이지의 홈 포지셔닝 방법 |
CN106931878A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 上海微电子装备有限公司 | 一种干涉仪测量装置及其控制方法 |
WO2019067809A2 (en) | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Rudolph Technologies, Inc. | SYSTEM AND METHOD FOR OPTIMIZING LITHOGRAPHIC EXPOSURE METHOD |
CN107560553B (zh) * | 2017-10-26 | 2019-11-22 | 清华大学 | 多轴激光位移测量系统中干涉仪的安装偏差标定方法 |
US11687010B2 (en) | 2020-02-21 | 2023-06-27 | Onto Innovation Inc. | System and method for correcting overlay errors in a lithographic process |
JP2022135679A (ja) * | 2021-03-05 | 2022-09-15 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、リソグラフィー装置および物品製造方法 |
NL2032613B1 (en) * | 2022-07-27 | 2024-02-05 | Vdl Enabling Tech Group B V | Position detection system using laser light interferometry. |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3648048A (en) * | 1969-10-15 | 1972-03-07 | Thomson Houston Comp Francaise | System and method for positioning a wafer coated with photoresist and for controlling the displacements of said wafer in a scanning electron apparatus |
JPH0674963B2 (ja) * | 1988-02-08 | 1994-09-21 | 株式会社日立製作所 | レーザ干渉測長器及びそれを用いた位置決め方法 |
US4952858A (en) * | 1988-05-18 | 1990-08-28 | Galburt Daniel N | Microlithographic apparatus |
US5140242A (en) * | 1990-04-30 | 1992-08-18 | International Business Machines Corporation | Servo guided stage system |
JPH0438813A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
US5363196A (en) * | 1992-01-10 | 1994-11-08 | Ultratech Stepper, Inc. | Apparatus for measuring a departure from flatness or straightness of a nominally-plane mirror for a precision X-Y movable-stage |
US5285142A (en) * | 1993-02-09 | 1994-02-08 | Svg Lithography Systems, Inc. | Wafer stage with reference surface |
JPH07142336A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-06-02 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH0822948A (ja) * | 1994-07-08 | 1996-01-23 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JPH09171954A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Nikon Corp | 位置測定装置 |
-
1996
- 1996-12-23 US US08/785,764 patent/US5757160A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-12-12 EP EP97121988A patent/EP0851303B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-12 DE DE69732516T patent/DE69732516T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-15 CA CA002224925A patent/CA2224925A1/en not_active Abandoned
- 1997-12-17 KR KR1019970070006A patent/KR100519942B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-12-22 JP JP9353743A patent/JPH10261694A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006194672A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Ushio Inc | ステージ装置 |
JP4513574B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2010-07-28 | ウシオ電機株式会社 | ステージ装置 |
KR102123119B1 (ko) * | 2019-05-30 | 2020-06-15 | 주식회사 에스피텍 | 평행 위치 식별형 슬라이더 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980064272A (ko) | 1998-10-07 |
EP0851303A3 (en) | 2001-07-25 |
CA2224925A1 (en) | 1998-06-23 |
EP0851303A2 (en) | 1998-07-01 |
EP0851303B1 (en) | 2005-02-16 |
US5757160A (en) | 1998-05-26 |
DE69732516D1 (de) | 2005-03-24 |
KR100519942B1 (ko) | 2005-12-01 |
DE69732516T2 (de) | 2005-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH10261694A (ja) | ポジショニング及びアライメント装置 | |
JP4216348B2 (ja) | 干渉計システムおよびそのようなシステムを含むリソグラフィー装置 | |
JP3631766B2 (ja) | 時間を節約する高さ測定を用いた、基板にマスク・パターンを繰り返し投影する方法および装置 | |
KR100554886B1 (ko) | 2파장을 갖는 간섭계 시스템 및 그 시스템을 구비한 전사장치 | |
US6057921A (en) | Two piece mirror arrangement for interferometrically controlled stage | |
US6819434B2 (en) | Multi-axis interferometer | |
US6509971B2 (en) | Interferometer system | |
US7474409B2 (en) | Lithographic interferometer system with an absolute measurement subsystem and differential measurement subsystem and method thereof | |
JPS60219744A (ja) | 投影露光装置 | |
JP2007528125A (ja) | 少なくとも一つの光学部品で構成される機器 | |
US8654345B2 (en) | Optical system, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus | |
US20030063267A1 (en) | Interferometer system for a semiconductor exposure system | |
JP2023171867A (ja) | 多軸レーザ干渉測長器 | |
JP2011091298A (ja) | ステージ装置 | |
US7046370B2 (en) | Interferometer with reduced shear | |
JPH1074692A (ja) | 露光装置 | |
CN117309320A (zh) | 一种快调反射镜测试装置 | |
JPH10274658A (ja) | 微小変位量測定機構および微小量移動機構 | |
JPS63244027A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
JPH05157516A (ja) | 高精度座標測定器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040714 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040714 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060915 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070221 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070516 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070521 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080122 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080218 |