JPH10261562A - 荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置Info
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- JPH10261562A JPH10261562A JP6453097A JP6453097A JPH10261562A JP H10261562 A JPH10261562 A JP H10261562A JP 6453097 A JP6453097 A JP 6453097A JP 6453097 A JP6453097 A JP 6453097A JP H10261562 A JPH10261562 A JP H10261562A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度の電子ビーム描画装置において、近接
効果補正を高速でかつ高精度に行う。 【解決手段】 電子ビーム描画用の近接効果補正装置に
おいて、対象表面上の微小な格子領域の照射量を求める
照射量計算回路１１２と、回路１１２で求めた照射量の
散乱による照射影響を評価する散乱影響評価回路１２３
と、回路１２３の結果から適切な電子ビームの補正照射
強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出回路１
３１とを具備してなり、回路１２３は、回路１１２で求
めた周辺格子領域での照射量とガウス分布関数の積によ
る畳み込み計算を、３通りのガウス分布について散乱率
で重み付けして計算した結果の和として求め、かつ各々
の畳み込み計算において、横方向について一次元ガウス
分布関数を用いて畳み込み計算を行い、横方向での畳み
込み計算結果を基に縦方向について畳み込み計算を行
う。
効果補正を高速でかつ高精度に行う。 【解決手段】 電子ビーム描画用の近接効果補正装置に
おいて、対象表面上の微小な格子領域の照射量を求める
照射量計算回路１１２と、回路１１２で求めた照射量の
散乱による照射影響を評価する散乱影響評価回路１２３
と、回路１２３の結果から適切な電子ビームの補正照射
強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出回路１
３１とを具備してなり、回路１２３は、回路１１２で求
めた周辺格子領域での照射量とガウス分布関数の積によ
る畳み込み計算を、３通りのガウス分布について散乱率
で重み付けして計算した結果の和として求め、かつ各々
の畳み込み計算において、横方向について一次元ガウス
分布関数を用いて畳み込み計算を行い、横方向での畳み
込み計算結果を基に縦方向について畳み込み計算を行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビームに
より照射対象面上に図形を描画する荷電ビーム描画装置
において、照射対象面上での荷電粒子散乱の効果を補正
して適切な照射量を求める照射量補正装置に係わり、特
に微細な半導体集積回路の回路パターンの描画に適した
荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置に関する。
より照射対象面上に図形を描画する荷電ビーム描画装置
において、照射対象面上での荷電粒子散乱の効果を補正
して適切な照射量を求める照射量補正装置に係わり、特
に微細な半導体集積回路の回路パターンの描画に適した
荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、微細な半導体の集積回路の回路パ
ターンをマスク上に描画する場合、電子ビーム描画装置
が用いられている。電子ビーム等の荷電粒子ビームでの
マスク描画では、電子ビームのレジスト内散乱から起こ
る近接効果により、細いパターンやパターンのコーナー
が露光不足となり、寸法精度が劣化したり矩形パターン
が丸くなるなどの不具合を生じる。また、パターンが近
くに配置されているときには、双方のパターンから散乱
される荷電粒子によりパターン以外の部分が露光されて
しまい、レジスト上の描画パターンが歪むなどの問題が
ある。
ターンをマスク上に描画する場合、電子ビーム描画装置
が用いられている。電子ビーム等の荷電粒子ビームでの
マスク描画では、電子ビームのレジスト内散乱から起こ
る近接効果により、細いパターンやパターンのコーナー
が露光不足となり、寸法精度が劣化したり矩形パターン
が丸くなるなどの不具合を生じる。また、パターンが近
くに配置されているときには、双方のパターンから散乱
される荷電粒子によりパターン以外の部分が露光されて
しまい、レジスト上の描画パターンが歪むなどの問題が
ある。
【０００３】近年、描画すべきマスク上の集積回路パタ
ーンの微細化が進み、近接効果の精度の高い補正が不可
欠となっている。微細なパターンの描画のコントラスト
を改良するために、荷電粒子ビームの加速電圧を上昇さ
せる場合に、近接効果の影響は益々大きなものとなる。
ーンの微細化が進み、近接効果の精度の高い補正が不可
欠となっている。微細なパターンの描画のコントラスト
を改良するために、荷電粒子ビームの加速電圧を上昇さ
せる場合に、近接効果の影響は益々大きなものとなる。
【０００４】このような電子ビームの散乱によるパター
ン寸法誤差を低減するために、従来から様々な近接効果
補正が試みられてきた。一つは、パターン部分の描画と
共に、パターンがない部分に対しても、拡散させたビー
ムで弱く露光する方法である。この方法は、補正計算が
不要であるが、パターン描画に加えて非パターン部分を
描画するため描画に時間がかかる。また、パターンがな
い部分まで露光するため、レジストコントラストが低下
しパターン寸法精度の低下を招く。このため、高精度で
高精細な描画になるほど使えなくなる。
ン寸法誤差を低減するために、従来から様々な近接効果
補正が試みられてきた。一つは、パターン部分の描画と
共に、パターンがない部分に対しても、拡散させたビー
ムで弱く露光する方法である。この方法は、補正計算が
不要であるが、パターン描画に加えて非パターン部分を
描画するため描画に時間がかかる。また、パターンがな
い部分まで露光するため、レジストコントラストが低下
しパターン寸法精度の低下を招く。このため、高精度で
高精細な描画になるほど使えなくなる。
【０００５】もう一つは、隣接するパターンからの影響
を計算し、照射量を電子ビームの描画単位毎に変えなが
ら描画する方法である。この方法は、レジストコントラ
ストの劣化が少なく高精度の描画に有利である。しか
し、半導体の高集積化が益々進む現在では、データ量，
補正計算の処理時間共に膨大なものとなってしまう。
を計算し、照射量を電子ビームの描画単位毎に変えなが
ら描画する方法である。この方法は、レジストコントラ
ストの劣化が少なく高精度の描画に有利である。しか
し、半導体の高集積化が益々進む現在では、データ量，
補正計算の処理時間共に膨大なものとなってしまう。
【０００６】そこで最近、高速に計算処理を行う方法と
して、細かく複雑なパターンの面積密度を用いて補正計
算を行う方法が提案されている。
して、細かく複雑なパターンの面積密度を用いて補正計
算を行う方法が提案されている。
【０００７】特開平３−２２５８１６号公報「荷電粒子
線描画装置」は、照射面積密度による近接効果補正回路
を組み込んだ荷電粒子線描画装置で、露光量を計算する
手段と、部分領域の数値を近傍の部分領域の数値で修正
する手段と、数値により予め設定されていた露光時間を
補正する手段を備えている。
線描画装置」は、照射面積密度による近接効果補正回路
を組み込んだ荷電粒子線描画装置で、露光量を計算する
手段と、部分領域の数値を近傍の部分領域の数値で修正
する手段と、数値により予め設定されていた露光時間を
補正する手段を備えている。
【０００８】また、特開平４−２５８１１１号公報「電
子ビームリトグラフィにおける近接効果を補正する方
法」では、正方形セルのメッシュを用いて、近接マトリ
ックスと細分密度マトリックスから畳み込みを計算し、
ドーズ補正マトリクスを求める方法を提案している。
子ビームリトグラフィにおける近接効果を補正する方
法」では、正方形セルのメッシュを用いて、近接マトリ
ックスと細分密度マトリックスから畳み込みを計算し、
ドーズ補正マトリクスを求める方法を提案している。
【０００９】また、文献（T.Abe,et all,"Representati
ve Fegure Method fer Proximity Effect Correction",
Japanese Journal of Applied Physics.Vol.30.No.3B,p
p.L528-531,1991 ）では、パターンの代表図形による計
算処理の高速化方法が示されている。
ve Fegure Method fer Proximity Effect Correction",
Japanese Journal of Applied Physics.Vol.30.No.3B,p
p.L528-531,1991 ）では、パターンの代表図形による計
算処理の高速化方法が示されている。
【００１０】また、特願平８−３６４４１号「荷電ビー
ム描画方法および描画装置」では、近接効果補正の高精
度化方法として、補正照射量を用いて後方散乱を再計算
することを繰り返すのではなく、照射量の補正式をある
種の摂動展開で表して繰り返し計算回数を減少させる方
法が示されている。
ム描画方法および描画装置」では、近接効果補正の高精
度化方法として、補正照射量を用いて後方散乱を再計算
することを繰り返すのではなく、照射量の補正式をある
種の摂動展開で表して繰り返し計算回数を減少させる方
法が示されている。
【００１１】しかしながら、いずれの装置及び方法にあ
っても、近接効果補正のための計算に多大な手間がかか
り、更に高精度の描画が要求されるほど近接効果補正の
ための計算量が増大し、計算時間が膨大となる問題があ
った。つまり、描画精度を上げようとすると計算時間が
膨大となり、その実用化は極めて困難であった。
っても、近接効果補正のための計算に多大な手間がかか
り、更に高精度の描画が要求されるほど近接効果補正の
ための計算量が増大し、計算時間が膨大となる問題があ
った。つまり、描画精度を上げようとすると計算時間が
膨大となり、その実用化は極めて困難であった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】微細な半導体を生産す
るための高精度の電子ビーム描画装置の近接効果を補正
するためには、微細な部分領域に対して最適な電子ビー
ム照射量を求める必要がある。高精度の描画が要求され
るほど、微細な部分領域に対しての最適な電子ビーム照
射量を求める必要がある。しかしながら、この部分領域
を小さくすればするほど、近接効果補正のための計算量
は増大し、計算時間が膨大となり、生産現場での実用性
が低くなる。また、高精細な描画のために電子ビームの
加速電圧を高くすれば、電子ビームの後方散乱の幅が広
くなり、照射に対する散乱影響の計算が必要な領域が広
くなり、計算時間の増加につながる。
るための高精度の電子ビーム描画装置の近接効果を補正
するためには、微細な部分領域に対して最適な電子ビー
ム照射量を求める必要がある。高精度の描画が要求され
るほど、微細な部分領域に対しての最適な電子ビーム照
射量を求める必要がある。しかしながら、この部分領域
を小さくすればするほど、近接効果補正のための計算量
は増大し、計算時間が膨大となり、生産現場での実用性
が低くなる。また、高精細な描画のために電子ビームの
加速電圧を高くすれば、電子ビームの後方散乱の幅が広
くなり、照射に対する散乱影響の計算が必要な領域が広
くなり、計算時間の増加につながる。
【００１３】従来の技術では、描画面上のある点に対し
て近接効果の影響を考慮する範囲での後方散乱を、その
範囲での全ての照射量の畳み込み計算に、その範囲の面
積に比例する回数の積和演算が必要とされる。詳細な計
算が必要であれば、その範囲を格子領域に分ける分け方
を細かくし、益々計算量が増加する。即ち、高精度の荷
電粒子ビーム描画装置の近接効果補正には、精度要求に
適合する補正計算が短時間に実行できる近接効果補正装
置が必要である。
て近接効果の影響を考慮する範囲での後方散乱を、その
範囲での全ての照射量の畳み込み計算に、その範囲の面
積に比例する回数の積和演算が必要とされる。詳細な計
算が必要であれば、その範囲を格子領域に分ける分け方
を細かくし、益々計算量が増加する。即ち、高精度の荷
電粒子ビーム描画装置の近接効果補正には、精度要求に
適合する補正計算が短時間に実行できる近接効果補正装
置が必要である。
【００１４】本発明は、上記の事情を考慮して成された
もので、その目的とするところは、高精度の荷電粒子ビ
ーム描画装置において、高精度な近接効果補正を高速で
行うことのできる近接効果補正装置を提供することにあ
る。
もので、その目的とするところは、高精度の荷電粒子ビ
ーム描画装置において、高精度な近接効果補正を高速で
行うことのできる近接効果補正装置を提供することにあ
る。
【００１５】
（構成）上記課題を解決するために本発明は、次のよう
な構成を採用している。
な構成を採用している。
【００１６】即ち、本発明（請求項１）は、荷電粒子ビ
ームを描画対象表面に照射して描画を行う際に、照射ビ
ームの散乱による近接効果を評価して照射量を補正する
荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置において、照
射対象面へ照射する荷電粒子ビームの照射面積及び照射
強度から、対象表面上の縦横方向に区切られた微小な格
子領域の照射量を求める照射量計算手段と、各々の格子
領域に対して、その周囲の長方形で囲まれる複数の周辺
格子領域に対する前記照射量計算手段で求められた照射
量の散乱による照射影響を評価する散乱影響評価手段
と、前記散乱影響評価手段の結果から、目的の描画図形
パターンを描画するための適切な荷電粒子ビームの補正
照射強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出手
段とを具備してなり、前記散乱影響評価手段は、前記照
射量計算手段で求めた各周辺格子領域での照射量とガウ
ス分布関数との積による畳み込み計算を行い、かつこの
畳み込み計算を２通り以上のガウス分布について散乱率
で重み付けして計算した結果の和として求めることによ
り近接効果を評価することを特徴とする。
ームを描画対象表面に照射して描画を行う際に、照射ビ
ームの散乱による近接効果を評価して照射量を補正する
荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置において、照
射対象面へ照射する荷電粒子ビームの照射面積及び照射
強度から、対象表面上の縦横方向に区切られた微小な格
子領域の照射量を求める照射量計算手段と、各々の格子
領域に対して、その周囲の長方形で囲まれる複数の周辺
格子領域に対する前記照射量計算手段で求められた照射
量の散乱による照射影響を評価する散乱影響評価手段
と、前記散乱影響評価手段の結果から、目的の描画図形
パターンを描画するための適切な荷電粒子ビームの補正
照射強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出手
段とを具備してなり、前記散乱影響評価手段は、前記照
射量計算手段で求めた各周辺格子領域での照射量とガウ
ス分布関数との積による畳み込み計算を行い、かつこの
畳み込み計算を２通り以上のガウス分布について散乱率
で重み付けして計算した結果の和として求めることによ
り近接効果を評価することを特徴とする。
【００１７】また、本発明（請求項２）は、荷電粒子ビ
ームを描画対象表面に照射して描画を行う際に、照射ビ
ームの散乱による近接効果を評価して照射量を補正する
荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置において、照
射対象面へ照射する荷電粒子ビームの照射面積及び照射
強度から、対象表面上の縦横方向に区切られた微小な格
子領域の照射量を求める照射量計算手段と、各々の格子
領域に対して、その周囲の長方形で囲まれる複数の周辺
格子領域に対する前記照射量計算手段で求められた照射
量の散乱による照射影響を評価する散乱影響評価手段
と、前記散乱影響評価手段の結果から、目的の描画図形
パターンを描画するための適切な荷電粒子ビームの補正
照射強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出手
段とを具備してなり、前記散乱影響評価手段は、前記格
子に沿った一方向について一次元ガウス分布関数を用い
て畳み込み計算を行い、他の直交する方向について前記
の畳み込み計算結果と前記のガウス分布関数と同じ一次
元ガウス分布関数との積で畳み込み計算を行うことを特
徴とする。
ームを描画対象表面に照射して描画を行う際に、照射ビ
ームの散乱による近接効果を評価して照射量を補正する
荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置において、照
射対象面へ照射する荷電粒子ビームの照射面積及び照射
強度から、対象表面上の縦横方向に区切られた微小な格
子領域の照射量を求める照射量計算手段と、各々の格子
領域に対して、その周囲の長方形で囲まれる複数の周辺
格子領域に対する前記照射量計算手段で求められた照射
量の散乱による照射影響を評価する散乱影響評価手段
と、前記散乱影響評価手段の結果から、目的の描画図形
パターンを描画するための適切な荷電粒子ビームの補正
照射強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出手
段とを具備してなり、前記散乱影響評価手段は、前記格
子に沿った一方向について一次元ガウス分布関数を用い
て畳み込み計算を行い、他の直交する方向について前記
の畳み込み計算結果と前記のガウス分布関数と同じ一次
元ガウス分布関数との積で畳み込み計算を行うことを特
徴とする。
【００１８】また、本発明（請求項３）は、荷電粒子ビ
ームを描画対象表面に照射して描画を行う際に、照射ビ
ームの散乱による近接効果を評価して照射量を補正する
荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置において、照
射対象面へ照射する荷電粒子ビームの照射面積及び照射
強度から、対象表面上の縦横方向に区切られた微小な格
子領域の照射量を求める照射量計算手段と、各々の格子
領域に対して、その周囲の長方形で囲まれる複数の周辺
格子領域に対する前記照射量計算手段で求められた照射
量の散乱による照射影響を評価する散乱影響評価手段
と、前記散乱影響評価手段の結果から、目的の描画図形
パターンを描画するための適切な荷電粒子ビームの補正
照射強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出手
段とを具備してなり、前記散乱影響評価手段は、前記照
射量計算手段で求めた各周辺格子領域での照射量とガウ
ス分布関数との積による畳み込み計算を、２通り以上の
ガウス分布について散乱率で重み付けして計算した結果
の和として求めるものであり、かつ各々の畳み込み計算
において、前記格子に沿った一方向について一次元ガウ
ス分布関数を用いて畳み込み計算を行い、他の直交する
方向について前記の畳み込み計算結果と前記のガウス分
布関数と同じ一次元ガウス分布関数との積で畳み込み計
算を行うことを特徴とする。
ームを描画対象表面に照射して描画を行う際に、照射ビ
ームの散乱による近接効果を評価して照射量を補正する
荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置において、照
射対象面へ照射する荷電粒子ビームの照射面積及び照射
強度から、対象表面上の縦横方向に区切られた微小な格
子領域の照射量を求める照射量計算手段と、各々の格子
領域に対して、その周囲の長方形で囲まれる複数の周辺
格子領域に対する前記照射量計算手段で求められた照射
量の散乱による照射影響を評価する散乱影響評価手段
と、前記散乱影響評価手段の結果から、目的の描画図形
パターンを描画するための適切な荷電粒子ビームの補正
照射強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出手
段とを具備してなり、前記散乱影響評価手段は、前記照
射量計算手段で求めた各周辺格子領域での照射量とガウ
ス分布関数との積による畳み込み計算を、２通り以上の
ガウス分布について散乱率で重み付けして計算した結果
の和として求めるものであり、かつ各々の畳み込み計算
において、前記格子に沿った一方向について一次元ガウ
ス分布関数を用いて畳み込み計算を行い、他の直交する
方向について前記の畳み込み計算結果と前記のガウス分
布関数と同じ一次元ガウス分布関数との積で畳み込み計
算を行うことを特徴とする。
【００１９】また、本発明の望ましい請求項４として、
請求項１〜３のいずれかにおいて、投射形状の可変な荷
電粒子ビーム描画装置を用い、前記照射量計算手段にお
いて、１回の荷電粒子ビームの照射を、照射図形の位置
と投射形状から、照射される単数又は複数の格子領域の
各内部における照射図形に分割し、各々の格子領域内部
での照射図形面積を求め、該図形面積にそれぞれ荷電粒
子ビーム照射の強度を乗じて求めた照射量を、各々の格
子領域内部において既に求められている照射量に累積す
ることで、各格子領域の照射量を求めることを特徴とす
る。
請求項１〜３のいずれかにおいて、投射形状の可変な荷
電粒子ビーム描画装置を用い、前記照射量計算手段にお
いて、１回の荷電粒子ビームの照射を、照射図形の位置
と投射形状から、照射される単数又は複数の格子領域の
各内部における照射図形に分割し、各々の格子領域内部
での照射図形面積を求め、該図形面積にそれぞれ荷電粒
子ビーム照射の強度を乗じて求めた照射量を、各々の格
子領域内部において既に求められている照射量に累積す
ることで、各格子領域の照射量を求めることを特徴とす
る。
【００２０】また、本発明の望ましい請求項５として、
請求項１〜４のいずれかにおいて、前記各手段によって
求められた補正照射強度を基に再度、前記各手段によっ
て補正照射強度を求めることを特徴とする。
請求項１〜４のいずれかにおいて、前記各手段によって
求められた補正照射強度を基に再度、前記各手段によっ
て補正照射強度を求めることを特徴とする。
【００２１】また、本発明の望ましい請求項６として、
請求項５において、２段目以降の照射量計算手段におい
て、既に算出されている各格子領域毎の照射面積と補正
照射強度の積を、各格子領域照射量として算出すること
を特徴とする。
請求項５において、２段目以降の照射量計算手段におい
て、既に算出されている各格子領域毎の照射面積と補正
照射強度の積を、各格子領域照射量として算出すること
を特徴とする。
【００２２】また、本発明の望ましい請求項７として、
請求項１又は６において、２段目以降の補正照射強度導
出手段が、新たな補正照射強度でなく、前段までに求め
た補正照射強度と目的の描画図形パターンを描画するた
めの適切な照射量との差の近似値を求めるよう構成され
たことを特徴とする。
請求項１又は６において、２段目以降の補正照射強度導
出手段が、新たな補正照射強度でなく、前段までに求め
た補正照射強度と目的の描画図形パターンを描画するた
めの適切な照射量との差の近似値を求めるよう構成され
たことを特徴とする。
【００２３】（作用）請求項１の発明の構成を図１に示
し、そのその作用を説明する。図中の１１は格子領域毎
の照射量を計算する照射量計算手段、２１は格子領域の
照射量と２次元ガウス分布による畳み込み計算を２通り
以上のガウス分布について散乱率で重み付けして行い、
格子領域毎の出力結果の和を求める散乱影響評価手段、
３１は格子領域毎の補正照射量強度を計算する補正照射
強度導出手段である。
し、そのその作用を説明する。図中の１１は格子領域毎
の照射量を計算する照射量計算手段、２１は格子領域の
照射量と２次元ガウス分布による畳み込み計算を２通り
以上のガウス分布について散乱率で重み付けして行い、
格子領域毎の出力結果の和を求める散乱影響評価手段、
３１は格子領域毎の補正照射量強度を計算する補正照射
強度導出手段である。
【００２４】本発明の近接効果補正装置の散乱影響評価
手段は、以下の原理で散乱影響評価を行う。
手段は、以下の原理で散乱影響評価を行う。
【００２５】位置（Ｘ，Ｙ）への照射強度Ｄ（Ｘ，Ｙ）
が、位置（ｘ，ｙ）へ後方散乱する率を、散乱の幅σ及
び全体の後方散乱率ηを用いて、ガウス分布密度関数と
の積である、
が、位置（ｘ，ｙ）へ後方散乱する率を、散乱の幅σ及
び全体の後方散乱率ηを用いて、ガウス分布密度関数と
の積である、
【数１】
【００２６】で、評価するものとする。しかし、後方散
乱は、ガウス分布密度関数に正確に従わない場合もあ
り、上の式でなく、複数のガウス分布密度関数の散乱率
による重み付きの和、
乱は、ガウス分布密度関数に正確に従わない場合もあ
り、上の式でなく、複数のガウス分布密度関数の散乱率
による重み付きの和、
【数２】
【００２７】で表すものとする。ηb は、それぞれのガ
ウス分布の散乱の幅σb による後方散乱量の前方散乱量
に対する比である。
ウス分布の散乱の幅σb による後方散乱量の前方散乱量
に対する比である。
【００２８】照射図形の存在する領域Ｅ内の全ての
（Ｘ，Ｙ）について積分することで、荷電粒子ビームの
後方散乱による位置（ｘ，ｙ）での露光影響Ｕ（ｘ，
ｙ）が評価される。
（Ｘ，Ｙ）について積分することで、荷電粒子ビームの
後方散乱による位置（ｘ，ｙ）での露光影響Ｕ（ｘ，
ｙ）が評価される。
【００２９】
【数３】
【００３０】照射されない点、即ち領域Ｅに属さない点
での照射強度Ｄ（Ｘ，Ｙ）の値を０とすると、この積分
は畳み込み計算となる。２次元のガウス分布密度関数に
よる畳み込みは、１次元のガウス分布密度関数との積に
よるＸ方向の積分結果に、同じ１次元のガウス分布密度
関数を乗じてＹ方向に積分するように表すことができ
る。
での照射強度Ｄ（Ｘ，Ｙ）の値を０とすると、この積分
は畳み込み計算となる。２次元のガウス分布密度関数に
よる畳み込みは、１次元のガウス分布密度関数との積に
よるＸ方向の積分結果に、同じ１次元のガウス分布密度
関数を乗じてＹ方向に積分するように表すことができ
る。
【００３１】請求項１の近接効果補正装置は、以下の方
法で散乱影響評価手段２１での処理を行う。
法で散乱影響評価手段２１での処理を行う。
【００３２】（式３）の近似として、以下の手順で荷電
粒子ビーム散乱の影響を評価する。照射量とガウス分布
密度関数を乗じて積分する代わりに、微小格子領域範囲
内の均一の照射強度で照射される面積から求める照射量
とガウス分布密度関数の積を用いて、散乱の影響の及ぶ
範囲内でのそれらの積の総和を求め、畳み込みを近似す
るものである。
粒子ビーム散乱の影響を評価する。照射量とガウス分布
密度関数を乗じて積分する代わりに、微小格子領域範囲
内の均一の照射強度で照射される面積から求める照射量
とガウス分布密度関数の積を用いて、散乱の影響の及ぶ
範囲内でのそれらの積の総和を求め、畳み込みを近似す
るものである。
【００３３】照射対象面上の間隔Ｍの２次元の格子領域
を設定する。ｉ行ｊ列目の格子領域［ｉ，ｊ］中の、照
射量計算手段１１が求めた照射量をＳijとする。Ｓ
ijは、格子領域［ｉ，ｊ］に照射される全ての照射の照
射強度と、各照射の面積の積を累積することで求められ
る。格子領域［ｉ，ｊ］に照射される照射Ｇの照射強度
をＤG 、格子領域［ｉ，ｊ］内のその照射の面積をＡ
Gij とすると、
を設定する。ｉ行ｊ列目の格子領域［ｉ，ｊ］中の、照
射量計算手段１１が求めた照射量をＳijとする。Ｓ
ijは、格子領域［ｉ，ｊ］に照射される全ての照射の照
射強度と、各照射の面積の積を累積することで求められ
る。格子領域［ｉ，ｊ］に照射される照射Ｇの照射強度
をＤG 、格子領域［ｉ，ｊ］内のその照射の面積をＡ
Gij とすると、
【数４】
【００３４】となる。使用する複数のガウス分布密度関
数は散乱の幅が異なる。ｂ番目のガウス分布密度関数の
１／ｅの散乱幅をσb とする。σb の値から、誤差評価
の観点で、１つの格子領域に対する散乱影響を評価する
のに考慮すべき最も離れた格子領域との距離を格子数で
表した幅として、１次元方向の格子領域数Ｋb を選択す
る。座標軸Ｘ，Ｙの各方向について以下のガウス分布密
度関数による畳み込みの離散的な近似Ｕb,ijを計算す
る。
数は散乱の幅が異なる。ｂ番目のガウス分布密度関数の
１／ｅの散乱幅をσb とする。σb の値から、誤差評価
の観点で、１つの格子領域に対する散乱影響を評価する
のに考慮すべき最も離れた格子領域との距離を格子数で
表した幅として、１次元方向の格子領域数Ｋb を選択す
る。座標軸Ｘ，Ｙの各方向について以下のガウス分布密
度関数による畳み込みの離散的な近似Ｕb,ijを計算す
る。
【００３５】
【数５】
【００３６】上式の積分計算は、格子領域の幅Ｍ、後方
散乱の幅σb 及び畳み込み近似の範囲ｋb が与えられれ
ば、予め算出しておくことができる。即ち、−ｋb から
＋ｋb までの範囲の全ての整数ｘとｙの組み合わせに対
して、予めＰx,y,b を次式のように計算できる。
散乱の幅σb 及び畳み込み近似の範囲ｋb が与えられれ
ば、予め算出しておくことができる。即ち、−ｋb から
＋ｋb までの範囲の全ての整数ｘとｙの組み合わせに対
して、予めＰx,y,b を次式のように計算できる。
【００３７】
【数６】
【００３８】以上のようにして、格子領域［ｉ，ｊ］へ
のσb による散乱量Ｕb,ijが評価される。
のσb による散乱量Ｕb,ijが評価される。
【００３９】ｂ番目のガウス分布密度関数による畳み込
みから、全体の後方散乱量を評価するには、
みから、全体の後方散乱量を評価するには、
【数７】
【００４０】を計算し、散乱量Ｕijを算出する。これら
のＵijが散乱影響評価手段２１の出力となる。
のＵijが散乱影響評価手段２１の出力となる。
【００４１】補正照射強度導出手段３１では、散乱量Ｕ
ijから、最終的に描画する図形の散乱影響を考慮した適
切な照射量を、格子領域毎に求める。
ijから、最終的に描画する図形の散乱影響を考慮した適
切な照射量を、格子領域毎に求める。
【００４２】一般には、Ｐａｖｋｏｖｉｃｈの式と呼ば
れる。
れる。
【００４３】
【数８】
【００４４】が用いられることが多い。ここで、Ｄ0 は
標準の照射強度、Ｄ(0) ijは適切な照射強度である。
標準の照射強度、Ｄ(0) ijは適切な照射強度である。
【００４５】請求項２の近接効果補正装置の構成及び作
用を図２に示す。図中の散乱影響評価手段２２が異なる
のみで、他の構成１１，３１は図１と同様である。
用を図２に示す。図中の散乱影響評価手段２２が異なる
のみで、他の構成１１，３１は図１と同様である。
【００４６】請求項２の近接効果補正装置は、以下の方
法で散乱影響評価手段２２での処理を行う。
法で散乱影響評価手段２２での処理を行う。
【００４７】前述の（式３）のσb を単にσ、ηb をη
と記し、ｂによる和をとらずに、
と記し、ｂによる和をとらずに、
【数９】
【００４８】とする。上式の下段は、Ｘ方向の畳み込み
とＹ方向の畳み込みを別々に実施できることを表してい
る。誤差評価上十分に離れた格子領域までの格子領域数
ｋとし、Ｘ方向の畳み込み結果を、Ｙ方向畳み込むこと
で以下のような離散的な近似で、散乱影響評価手段を実
現できる。
とＹ方向の畳み込みを別々に実施できることを表してい
る。誤差評価上十分に離れた格子領域までの格子領域数
ｋとし、Ｘ方向の畳み込み結果を、Ｙ方向畳み込むこと
で以下のような離散的な近似で、散乱影響評価手段を実
現できる。
【００４９】
【数１０】
【００５０】座標軸Ｘ，Ｙ両方向に共通の積分計算は予
め算出しておくことができる。Ｍ、及びσが決定されて
いれば、−ｋから＋ｋまでの範囲の全ての整数Ｌに対し
て、予めＰL を次式のように計算できる。
め算出しておくことができる。Ｍ、及びσが決定されて
いれば、−ｋから＋ｋまでの範囲の全ての整数Ｌに対し
て、予めＰL を次式のように計算できる。
【００５１】
【数１１】
【００５２】と書き換えられる。
【００５３】請求項３の近接効果補正装置の構成及び作
用を図３に示す。図中の散乱影響評価手段２３が異なる
のみで、他の構成１１，３１は図１と同様である。
用を図３に示す。図中の散乱影響評価手段２３が異なる
のみで、他の構成１１，３１は図１と同様である。
【００５４】請求項３の近接効果補正装置は、請求項１
と２を組み合わせたもので、以下の方法で散乱影響評価
手段２３での処理を行う。
と２を組み合わせたもので、以下の方法で散乱影響評価
手段２３での処理を行う。
【００５５】請求項２の説明の（式13）と、散乱の幅の
異なる複数のガウス分布密度関数に適用し、それらのｂ
番目の散乱の幅をσb 、散乱率をηb とし、
異なる複数のガウス分布密度関数に適用し、それらのｂ
番目の散乱の幅をσb 、散乱率をηb とし、
【数１２】
【００５６】として、離散的な畳み込み計算の近似を行
い、Ｕb,ijから散乱量Ｕijをｂについての和で、即ち請
求項１の説明の（式８）で算出する。
い、Ｕb,ijから散乱量Ｕijをｂについての和で、即ち請
求項１の説明の（式８）で算出する。
【００５７】請求項４の近接効果補正装置の構成及び作
用を図４に示す。照射量計算手段１２が請求項１〜３と
は異なり、他の構成は請求項１〜３と同様である。散乱
影響評価手段２１，２２，２３は、請求項１〜３のいず
れを選択しても良い。
用を図４に示す。照射量計算手段１２が請求項１〜３と
は異なり、他の構成は請求項１〜３と同様である。散乱
影響評価手段２１，２２，２３は、請求項１〜３のいず
れを選択しても良い。
【００５８】請求項４の近接効果補正装置の照射量計算
手段１２は、以下のように格子領域の照射量を求める。
手段１２は、以下のように格子領域の照射量を求める。
【００５９】格子領域１つの幅及び高さをＭ、１回の荷
電粒子ビーム照射の図形の縦及び横方向の最大長さをＮ
とし、ＣをＮ／Ｍ以上の最小の整数とする。ＭがＮに比
べて小さければ、本発明の請求項４による効果は大き
い。
電粒子ビーム照射の図形の縦及び横方向の最大長さをＮ
とし、ＣをＮ／Ｍ以上の最小の整数とする。ＭがＮに比
べて小さければ、本発明の請求項４による効果は大き
い。
【００６０】１回の荷電粒子ビーム照射は照射図形の外
接円の中心を中心として、周囲（Ｃ＋１）×（Ｃ＋１）
個の正方形に含まれる単数または複数の格子領域に必ず
入っている。
接円の中心を中心として、周囲（Ｃ＋１）×（Ｃ＋１）
個の正方形に含まれる単数または複数の格子領域に必ず
入っている。
【００６１】１回ずつの荷電粒子ビーム照射についてこ
れら、（Ｃ＋１）×（Ｃ＋１）個の格子領域それぞれの
領域内に分割される荷電粒子ビーム照射図形の面積を算
出し、照射強度を乗じて求めた照射量を、既に算出され
た各格子領域内の荷電粒子ビーム照射量に加え、累積を
行うことで、全ての格子領域内の照射量を求める。
れら、（Ｃ＋１）×（Ｃ＋１）個の格子領域それぞれの
領域内に分割される荷電粒子ビーム照射図形の面積を算
出し、照射強度を乗じて求めた照射量を、既に算出され
た各格子領域内の荷電粒子ビーム照射量に加え、累積を
行うことで、全ての格子領域内の照射量を求める。
【００６２】請求項５の近接効果補正装置の構成を図５
に示す。図中の１０は照射量計算手段、２０は散乱影響
評価手段、３０は補正照射強度導出手段であり、各々の
手段は請求項１〜３のいずれを選択しても良い。
に示す。図中の１０は照射量計算手段、２０は散乱影響
評価手段、３０は補正照射強度導出手段であり、各々の
手段は請求項１〜３のいずれを選択しても良い。
【００６３】請求項５の近接効果補正装置は、照射量計
算手段１０において、前段で算出した補正手段強度を次
段で各照射の照射量を求めるために用いる。
算手段１０において、前段で算出した補正手段強度を次
段で各照射の照射量を求めるために用いる。
【００６４】請求項６の近接効果補正装置の構成及び作
用を図６に示す。基本的な構成は図５と同じである。
用を図６に示す。基本的な構成は図５と同じである。
【００６５】請求項６の近接効果補正装置は、照射量計
算手段１０において、前段で算出した補正照射強度を、
前段で算出した格子領域毎の照射面積に乗じて、各格子
領域照射量とする。
算手段１０において、前段で算出した補正照射強度を、
前段で算出した格子領域毎の照射面積に乗じて、各格子
領域照射量とする。
【００６６】請求項７の近接効果補正装置の構成及び作
用を図７に示す。基本的な構成は図５と同じである。
用を図７に示す。基本的な構成は図５と同じである。
【００６７】請求項７の近接効果補正装置は、前段まで
に算出した補正照射強度を漸近的にもっと適切な照射強
度に補正するために、次段では補正照射強度ではなく補
正照射強度の増分を求める。最終的な補正照射強度は各
段の補正照射強度導出手段３０の出力結果の和となる。
に算出した補正照射強度を漸近的にもっと適切な照射強
度に補正するために、次段では補正照射強度ではなく補
正照射強度の増分を求める。最終的な補正照射強度は各
段の補正照射強度導出手段３０の出力結果の和となる。
【００６８】各段の補正照射強度導出手段３０の計算
は、例えば以下の方法で算出できる。第ｎ段の散乱影響
評価手段の出力結果をＵ(n) ij、補正照射強度導出手段
の出力をＤ(n) ij、最適な照射強度をＤ(0) ij、標準の
照射量をＤ0 と表すと、
は、例えば以下の方法で算出できる。第ｎ段の散乱影響
評価手段の出力結果をＵ(n) ij、補正照射強度導出手段
の出力をＤ(n) ij、最適な照射強度をＤ(0) ij、標準の
照射量をＤ0 と表すと、
【数１３】
【００６９】で補正照射強度導出手段の出力を求める。
上式の上段のようにｎ＝１の場合は、（式９）に一致す
る。
上式の上段のようにｎ＝１の場合は、（式９）に一致す
る。
【００７０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。
形態によって説明する。
【００７１】（第１の実施形態）図８は、本発明の第１
の実施形態に係わる近接効果補正装置を説明するための
図である。
の実施形態に係わる近接効果補正装置を説明するための
図である。
【００７２】本実施形態は、請求項３及び４の発明の実
施形態で、演算回路を組み合わせて近接効果補正装置を
実施したものであり、パイプライン処理で実現すること
により、実時間で近接効果補正を行う。後方散乱の影響
を、照射位置から２５μｍ以上離れた位置まで評価す
る。
施形態で、演算回路を組み合わせて近接効果補正装置を
実施したものであり、パイプライン処理で実現すること
により、実時間で近接効果補正を行う。後方散乱の影響
を、照射位置から２５μｍ以上離れた位置まで評価す
る。
【００７３】格子領域の大きさを、縦１μｍ，横１μｍ
とし、縦１０００μｍ，横１０００μｍの領域単位で補
正照射強度の導出を行う。１０００μｍ×１０００μｍ
の領域の補正照射強度計算のために、上下左右の周囲２
５μｍずつの領域を含めて、１０５０μｍ×１０５０μ
ｍの領域を用いて補正照射強度の計算を適用し、中央の
１０００μｍ×１０００μｍの領域を結果として出力す
る。
とし、縦１０００μｍ，横１０００μｍの領域単位で補
正照射強度の導出を行う。１０００μｍ×１０００μｍ
の領域の補正照射強度計算のために、上下左右の周囲２
５μｍずつの領域を含めて、１０５０μｍ×１０５０μ
ｍの領域を用いて補正照射強度の計算を適用し、中央の
１０００μｍ×１０００μｍの領域を結果として出力す
る。
【００７４】本実施形態は、請求項４記載の照射量計算
手段１２の作用を実施する照射量計算回路１１２と、請
求項３記載の散乱影響評価手段２３の作用を実施する散
乱影響評価回路１２３と、補正照射強度導出手段３１の
作用を実施する補正照射強度導出回路１３１とで構成す
る。
手段１２の作用を実施する照射量計算回路１１２と、請
求項３記載の散乱影響評価手段２３の作用を実施する散
乱影響評価回路１２３と、補正照射強度導出手段３１の
作用を実施する補正照射強度導出回路１３１とで構成す
る。
【００７５】本実施形態の１回の照射は、１辺が１μｍ
以下のＸ，Ｙ軸に平行な辺を持つ正方形で囲むことがで
きる図形に限定されているものとする。
以下のＸ，Ｙ軸に平行な辺を持つ正方形で囲むことがで
きる図形に限定されているものとする。
【００７６】本実施形態の照射量計算回路１１２を以下
に説明する。図９に本実施形態の照射量計算回路１１２
の作用を示す。
に説明する。図９に本実施形態の照射量計算回路１１２
の作用を示す。
【００７７】まず、照射量計算回路１１２は、照射図形
を入力する照射図形入力部に、各１回の照射図形を順次
入力する。ここで、計算対象とする１０５０μｍ×１０
５０μｍに照射される全ての照射図形を抽出したものが
入力部から入力される対象となる。
を入力する照射図形入力部に、各１回の照射図形を順次
入力する。ここで、計算対象とする１０５０μｍ×１０
５０μｍに照射される全ての照射図形を抽出したものが
入力部から入力される対象となる。
【００７８】次に、照射図形変換部で、入力した各照射
図形と同一の面積で重心の一致する、一辺が１μｍ以下
の長方形に、それぞれの照射図形を変換する。格子領域
の大きさが１μｍ、１回の照射図形の大きさが１μｍ以
下であるため、変換された長方形は縦２×横２の隣り合
う４格子領域に入れるように選択できる。
図形と同一の面積で重心の一致する、一辺が１μｍ以下
の長方形に、それぞれの照射図形を変換する。格子領域
の大きさが１μｍ、１回の照射図形の大きさが１μｍ以
下であるため、変換された長方形は縦２×横２の隣り合
う４格子領域に入れるように選択できる。
【００７９】変換された長方形は、照射図形分割部へ送
られる。入力された照射のｋ番目のものの左下座標を
（ｘ(k) ，ｙ(k) ）とし、その幅及び高さをｗ(k) ，ｈ
(k) とする。（ｘ(k) ，ｙ(k) ）はｉ行ｊ列の格子領域
［ｉ，ｊ］に入っているものとする（０≦ｉ≦１０４
９，０≦ｊ≦１０４９）。この照射図形は、４格子領域
に含まれる４個の長方形に分割される。分割された長方
形それぞれを４個の並列化された照射量累積部へ出力す
る。
られる。入力された照射のｋ番目のものの左下座標を
（ｘ(k) ，ｙ(k) ）とし、その幅及び高さをｗ(k) ，ｈ
(k) とする。（ｘ(k) ，ｙ(k) ）はｉ行ｊ列の格子領域
［ｉ，ｊ］に入っているものとする（０≦ｉ≦１０４
９，０≦ｊ≦１０４９）。この照射図形は、４格子領域
に含まれる４個の長方形に分割される。分割された長方
形それぞれを４個の並列化された照射量累積部へ出力す
る。
【００８０】照射量累積部は、入力した図形の面積をま
ず求める。格子領域で分割される左下長方形の辺の幅ｗ
0 (k) 、高さｈ0 (k) とし、４分割された各領域中の長
方形のそれぞれの面積を、Ａ(k) i,j ，Ａ(k) ij+1，Ａ
(k) i+1,j ，Ａ(k) i+1,j+1とする。
ず求める。格子領域で分割される左下長方形の辺の幅ｗ
0 (k) 、高さｈ0 (k) とし、４分割された各領域中の長
方形のそれぞれの面積を、Ａ(k) i,j ，Ａ(k) ij+1，Ａ
(k) i+1,j ，Ａ(k) i+1,j+1とする。
【００８１】Ａ(k) i,j ＝ｗ0 (k) ×ｈ0 (k) Ａ(k) ij+1＝ｗ0 (k) ×（ｈ(k) −ｈ0 (k) ） Ａ(k) i+1,j ＝（Ｗ(k) −ｗ0 (k) ）×ｈ0 (k) Ａ(k) i+1,j+1 ＝（Ｗ(k) −ｗ0 (k) ）×（ｈ(k) −ｈ
0 (k) ） これら４個の図形とそれらの面積に対応する４並列の回
路によって、これらの面積と、照射のｋ番目の照射強度
Ｄk の積を、格子領域［ｉ，ｊ］，［ｉ，ｊ＋１］，ｉ
＋１，ｊ］，［ｉ＋１，ｊ＋１］のｋ−１番目までの照
射による照射量にそれぞれ累積加算する。
0 (k) ） これら４個の図形とそれらの面積に対応する４並列の回
路によって、これらの面積と、照射のｋ番目の照射強度
Ｄk の積を、格子領域［ｉ，ｊ］，［ｉ，ｊ＋１］，ｉ
＋１，ｊ］，［ｉ＋１，ｊ＋１］のｋ−１番目までの照
射による照射量にそれぞれ累積加算する。
【００８２】１０５０μｍ×１０５０μｍの領域に関わ
る全ての照射について、上の４並列化された照射量累積
部での処理が完了した後に、４並列の各々で累積された
各格子領域の照射量を、照射量加算部で４並列全てにつ
いて加算し、各格子領域［ｉ，ｊ］の照射量Ｓijを求め
る。
る全ての照射について、上の４並列化された照射量累積
部での処理が完了した後に、４並列の各々で累積された
各格子領域の照射量を、照射量加算部で４並列全てにつ
いて加算し、各格子領域［ｉ，ｊ］の照射量Ｓijを求め
る。
【００８３】本実施形態の散乱影響評価回路１２３を以
下に説明する。図１０は、本実施形態の散乱影響評価回
路１２３の３つの散乱幅のうちの１つに対応する横方向
畳み込み部及び縦方向畳み込み部の作用を示す。
下に説明する。図１０は、本実施形態の散乱影響評価回
路１２３の３つの散乱幅のうちの１つに対応する横方向
畳み込み部及び縦方向畳み込み部の作用を示す。
【００８４】σ1 ，σ2 ，σ3 の３つの散乱幅で畳み込
み計算を行うものとする。上下左右の２５μｍの計算領
域マージンがあるため、σ1 ，σ2 ，σ3 の最大のもの
が例えば１０μｍ程度であれば、最大の後方散乱幅の影
響の約９９．９６％以上を計算することができる。それ
ぞれの散乱率をη1 ，η2 ，η3 とする。散乱影響評価
手段はこれらの３つの散乱幅に対応して、３個の並列な
散乱影響評価回路で散乱影響評価を実施する。各並列の
１つについて、次に説明する。
み計算を行うものとする。上下左右の２５μｍの計算領
域マージンがあるため、σ1 ，σ2 ，σ3 の最大のもの
が例えば１０μｍ程度であれば、最大の後方散乱幅の影
響の約９９．９６％以上を計算することができる。それ
ぞれの散乱率をη1 ，η2 ，η3 とする。散乱影響評価
手段はこれらの３つの散乱幅に対応して、３個の並列な
散乱影響評価回路で散乱影響評価を実施する。各並列の
１つについて、次に説明する。
【００８５】照射量計算回路１１２の照射量加算部で求
められた、１０５０μｍ×１０５０μｍの領域の各格子
領域について、横方向の行の畳み込み計算を、横方向畳
み込み部で求める。横方向畳み込み部は積和演算器を用
いて実施する。積和演算器としては、ＦＩＲフィルタと
して市販されている演算器を散乱の幅に応じて必要なだ
けカスケード接続して実施する。格子領域幅１μｍで、
計算出力よりも、入力する領域が片側２５μｍ多く設定
されているため、最も広い散乱幅に対して、２５格子領
域まで離れた格子領域を含む計算が可能である。積和演
算の幅を５１とすると、格子領域［ｉ，ｊ］に対して、
前述の（式14）を適用し、
められた、１０５０μｍ×１０５０μｍの領域の各格子
領域について、横方向の行の畳み込み計算を、横方向畳
み込み部で求める。横方向畳み込み部は積和演算器を用
いて実施する。積和演算器としては、ＦＩＲフィルタと
して市販されている演算器を散乱の幅に応じて必要なだ
けカスケード接続して実施する。格子領域幅１μｍで、
計算出力よりも、入力する領域が片側２５μｍ多く設定
されているため、最も広い散乱幅に対して、２５格子領
域まで離れた格子領域を含む計算が可能である。積和演
算の幅を５１とすると、格子領域［ｉ，ｊ］に対して、
前述の（式14）を適用し、
【数１４】
【００８６】を計算する。ＲL （Ｌは−２５０≦Ｌ≦２
５の整数）の値は、予め計算し、積和演算器の系数値と
して格納しておく。
５の整数）の値は、予め計算し、積和演算器の系数値と
して格納しておく。
【００８７】横方向畳み込み部で求めた結果を、縦方向
畳み込み部で、縦方向の畳み込み演算を行う。縦方向畳
み込み部は横方向畳み込み部と同じ構成であり、格子領
域の縦方向に積和演算器に入力する点だけが異なる。縦
方向畳み込み部は前述の（式14）を適用した、
畳み込み部で、縦方向の畳み込み演算を行う。縦方向畳
み込み部は横方向畳み込み部と同じ構成であり、格子領
域の縦方向に積和演算器に入力する点だけが異なる。縦
方向畳み込み部は前述の（式14）を適用した、
【数１５】
【００８８】を出力する。
【００８９】縦方向畳み込み部の３並列分の出力を、畳
み込み加算部で各格子領域について加算した結果が、散
乱影響評価回路１２３の出力である。
み込み加算部で各格子領域について加算した結果が、散
乱影響評価回路１２３の出力である。
【００９０】Ｕij＝Ｕ1,ij＋Ｕ2,ij＋Ｕ3,ij 本実施形態の補正照射強度導出回路１３１を以下に説明
する。
する。
【００９１】補正照射強度導出回路の入力は前記Ｕijで
ある。補正照射強度導出回路１３１は、適切な照射量Ｄ
(0) ijを前記（式９）によって計算し、出力する。
ある。補正照射強度導出回路１３１は、適切な照射量Ｄ
(0) ijを前記（式９）によって計算し、出力する。
【００９２】Ｄ(O) ij＝Ｄ0 ／（1/2+Ｕij） このとき、出力する領域の範囲は、格子領域［ｉ，ｊ］
の２５≦ｉ≦１０２４，２５≦ｊ≦１０２４の範囲であ
る。
の２５≦ｉ≦１０２４，２５≦ｊ≦１０２４の範囲であ
る。
【００９３】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態を以下に説明する。本発明の第２の実施形態の構成を
図１１に示す。本実施形態は、前記照射量計算手段１２
の作用を実施する照射量計算回路２１２と、前記散乱影
響評価手段２３の作用を実施する散乱影響評価回路２２
３と、前記補正照射強度導出手段３１の作用を実施する
補正照射強度導出回路２３１とで構成する。
態を以下に説明する。本発明の第２の実施形態の構成を
図１１に示す。本実施形態は、前記照射量計算手段１２
の作用を実施する照射量計算回路２１２と、前記散乱影
響評価手段２３の作用を実施する散乱影響評価回路２２
３と、前記補正照射強度導出手段３１の作用を実施する
補正照射強度導出回路２３１とで構成する。
【００９４】本実施形態は、請求項１及び４の発明の実
施形態で、演算回路を組み合わせて近接効果補正装置を
実施したものであり、散乱影響評価手段２３の作用を実
施する散乱影響評価回路２２３を以下のように実施する
こと以外は、第１の実施形態と同じである。
施形態で、演算回路を組み合わせて近接効果補正装置を
実施したものであり、散乱影響評価手段２３の作用を実
施する散乱影響評価回路２２３を以下のように実施する
こと以外は、第１の実施形態と同じである。
【００９５】本実施形態の散乱影響評価回路２２３を以
下に説明する。
下に説明する。
【００９６】本実施形態の散乱影響評価回路２２３にお
いては、第１の実施形態の横方向畳み込み部，縦方向畳
み込み部に代えて、ＦＦＴ部，乗算部，逆ＦＦＴ部で構
成する。
いては、第１の実施形態の横方向畳み込み部，縦方向畳
み込み部に代えて、ＦＦＴ部，乗算部，逆ＦＦＴ部で構
成する。
【００９７】（式７）の畳み込み計算を、高速フーリエ
変換（ＦＦＴ）デジタル信号プロセサを用いて以下のよ
うに実施する。
変換（ＦＦＴ）デジタル信号プロセサを用いて以下のよ
うに実施する。
【００９８】照射量計算回路２１２の出力Ｓijに対し
て、散乱影響評価回路２２３のＦＦＴ部にて２次元の高
速フーリエ変換（ＦＦＴ）を実施する。その結果をＦＦ
Ｔ（Ｓij）で表す。（式７）のＰxyは、（式６）に示す
通りの指数関数で表されるため、定数を省略して、高速
フーリエ変換（ＦＦＴ）を実施すると、 ＦＦＴ［ exp {-(ｘ2 ＋ｙ2 ) ／σb ｝］＝ exp {-(Ｖ
x 2 ＋Ｖy 2 ) ／σvb 2 ｝ で表される。ここで、Ｖx ，Ｖy は、座標（ｘ，ｙ）に
対する空間周波数である。
て、散乱影響評価回路２２３のＦＦＴ部にて２次元の高
速フーリエ変換（ＦＦＴ）を実施する。その結果をＦＦ
Ｔ（Ｓij）で表す。（式７）のＰxyは、（式６）に示す
通りの指数関数で表されるため、定数を省略して、高速
フーリエ変換（ＦＦＴ）を実施すると、 ＦＦＴ［ exp {-(ｘ2 ＋ｙ2 ) ／σb ｝］＝ exp {-(Ｖ
x 2 ＋Ｖy 2 ) ／σvb 2 ｝ で表される。ここで、Ｖx ，Ｖy は、座標（ｘ，ｙ）に
対する空間周波数である。
【００９９】フーリエ変換に単純に乗算することで、畳
み込み演算を周波数領域での乗算に代替えさせられる。
乗算部でこの乗算を行う。
み込み演算を周波数領域での乗算に代替えさせられる。
乗算部でこの乗算を行う。
【０１００】Ｕb,ijは、逆高速フーリエ変換をＦＦＴ-1
と表して、 Ｕb,ij＝（ηb ／πσb 2 ）・FFT -1［FFT(Ｓij）・ex
p{-(Ｖx 2 ＋Ｖy 2 )/σvb 2 ｝］ により、求める。この逆フーリエ変換をＦＦＴ部で行
う。
と表して、 Ｕb,ij＝（ηb ／πσb 2 ）・FFT -1［FFT(Ｓij）・ex
p{-(Ｖx 2 ＋Ｖy 2 )/σvb 2 ｝］ により、求める。この逆フーリエ変換をＦＦＴ部で行
う。
【０１０１】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態を以下に説明する。第３の実施形態の構成を図１２に
示す。
態を以下に説明する。第３の実施形態の構成を図１２に
示す。
【０１０２】本実施形態は、請求項７の発明の実施形態
で、第１の実施形態の近接効果補正装置を３段接続し、
補正照射強度の適切な照射強度との差を後段で摂動展開
により計算するものである。
で、第１の実施形態の近接効果補正装置を３段接続し、
補正照射強度の適切な照射強度との差を後段で摂動展開
により計算するものである。
【０１０３】本実施形態では図１２に示すように、前記
照射量計算手段１０に対して照射量計算回路３１０−
１，２，３が設けられ、前記散乱影響評価手段２０に対
して散乱影響評価回路３２０−１，２，３が設けられ、
前記補正照射強度導出手段３０に対して補正照射強度導
出回路３３０−１，２，３が設けられている。
照射量計算手段１０に対して照射量計算回路３１０−
１，２，３が設けられ、前記散乱影響評価手段２０に対
して散乱影響評価回路３２０−１，２，３が設けられ、
前記補正照射強度導出手段３０に対して補正照射強度導
出回路３３０−１，２，３が設けられている。
【０１０４】第１の実施形態と異なる点を以下に説明す
る。第１の実施形態では、縦１０００μｍ，横１０００
μｍの領域の出力を得るため、縦１０５０μｍ，横１０
５０μｍの領域を計算対象とした。本実施形態では、３
段の接続の２段目以降の段で前段の出力結果の照射強度
を用いるために、３倍のマージン幅をとり、縦１１５０
μｍ，横１１５０μｍの領域を計算対象とし、縦１００
０μｍ，横１０００μｍの領域の出力を得る。
る。第１の実施形態では、縦１０００μｍ，横１０００
μｍの領域の出力を得るため、縦１０５０μｍ，横１０
５０μｍの領域を計算対象とした。本実施形態では、３
段の接続の２段目以降の段で前段の出力結果の照射強度
を用いるために、３倍のマージン幅をとり、縦１１５０
μｍ，横１１５０μｍの領域を計算対象とし、縦１００
０μｍ，横１０００μｍの領域の出力を得る。
【０１０５】本実施形態の第１段目の部分は、照射量計
算回路３１０−１で格子領域毎の照射面積を算出してお
くこと以外は第１の実施形態と同様である。
算回路３１０−１で格子領域毎の照射面積を算出してお
くこと以外は第１の実施形態と同様である。
【０１０６】本実施形態の２段目の部分は、照射量計算
回路３１０−２で、各荷電粒子ビーム照射図形を入力す
るのでなく、第１段で求めた格子領域毎の照射面積に、
第１段の補正照射強度を乗じた照射量を求める。補正照
射強度導出回路３３０−２は、前記の（式15）の中段を
ｎ＝２とした場合の計算を行う。
回路３１０−２で、各荷電粒子ビーム照射図形を入力す
るのでなく、第１段で求めた格子領域毎の照射面積に、
第１段の補正照射強度を乗じた照射量を求める。補正照
射強度導出回路３３０−２は、前記の（式15）の中段を
ｎ＝２とした場合の計算を行う。
【０１０７】本実施形態の３段目の部分は、照射量計算
回路３１０−３で、各荷電粒子ビーム照射図形を入力す
るのでなく、第１段で求めた格子領域毎の照射面積に、
第２段の補正照射強度を乗じて照射量を求める。補正照
射強度導出回路３３０−３は、前記の（式15）の中段を
ｎ＝３とした場合の計算を行った後、（式15）の下段の
総和によって、補正照射強度を算出し、近接効果補正装
置の出力とする。
回路３１０−３で、各荷電粒子ビーム照射図形を入力す
るのでなく、第１段で求めた格子領域毎の照射面積に、
第２段の補正照射強度を乗じて照射量を求める。補正照
射強度導出回路３３０−３は、前記の（式15）の中段を
ｎ＝３とした場合の計算を行った後、（式15）の下段の
総和によって、補正照射強度を算出し、近接効果補正装
置の出力とする。
【０１０８】
【発明の効果】請求項１記載の近接効果補正装置は、荷
電粒子ビーム散乱の影響の分布がダブルガウシャンの近
似できない場合に、複数個のガウス分布の和によって荷
電粒子ビームの後方散乱の影響を評価することができ、
精度の高い近接効果補正を高速で実施できる。また、複
数個のガウス分布の和によって荷電粒子ビームの後方散
乱の影響を評価するため、後方散乱量の計算を同一処理
機構を並列化して実現することを容易とし、実質上の処
理実時間の増加を回避する手段を与える。
電粒子ビーム散乱の影響の分布がダブルガウシャンの近
似できない場合に、複数個のガウス分布の和によって荷
電粒子ビームの後方散乱の影響を評価することができ、
精度の高い近接効果補正を高速で実施できる。また、複
数個のガウス分布の和によって荷電粒子ビームの後方散
乱の影響を評価するため、後方散乱量の計算を同一処理
機構を並列化して実現することを容易とし、実質上の処
理実時間の増加を回避する手段を与える。
【０１０９】請求項２記載の近接効果補正装置は、２次
元の畳み込み計算を実施する代わりに、１次元ガウス分
布の積で２次元ガウス分布を表せることを利用して、
縦，横方向に各１回、計２回の畳み込み計算を行うこと
で、積和演算回数を減少させ、高速な近接効果補正処理
の実現を可能とするものである。第１の実施形態にある
ように、例えば周囲５１の格子領域についての積和演算
が必要なときには、１格子領域につき、２６０１回の積
和演算の代わりに１０２回の積和演算で計算が可能であ
る。従って、特に高加速電圧の荷電粒子ビームによる描
画のように、後方散乱の幅が広く、広い領域の畳み込み
計算が必要とされる場合に、その効果が大きい。
元の畳み込み計算を実施する代わりに、１次元ガウス分
布の積で２次元ガウス分布を表せることを利用して、
縦，横方向に各１回、計２回の畳み込み計算を行うこと
で、積和演算回数を減少させ、高速な近接効果補正処理
の実現を可能とするものである。第１の実施形態にある
ように、例えば周囲５１の格子領域についての積和演算
が必要なときには、１格子領域につき、２６０１回の積
和演算の代わりに１０２回の積和演算で計算が可能であ
る。従って、特に高加速電圧の荷電粒子ビームによる描
画のように、後方散乱の幅が広く、広い領域の畳み込み
計算が必要とされる場合に、その効果が大きい。
【０１１０】請求項３記載の近接効果補正装置は、請求
項１及び２を組み合わせたものであり、両者の効果を有
する。後方散乱がガウス分布では近似できない場合、請
求項２の近接効果補正装置が有効ではなくなるのを回避
でき、なおかつ、計算量の増加による処理速度の低下を
抑える。即ち、ガウス分布の和により後方散乱の影響を
評価することで、２次元の畳み込みを１次元の畳み込み
計算２回で可能とし、高い精度で高速な近接効果補正を
提供する。
項１及び２を組み合わせたものであり、両者の効果を有
する。後方散乱がガウス分布では近似できない場合、請
求項２の近接効果補正装置が有効ではなくなるのを回避
でき、なおかつ、計算量の増加による処理速度の低下を
抑える。即ち、ガウス分布の和により後方散乱の影響を
評価することで、２次元の畳み込みを１次元の畳み込み
計算２回で可能とし、高い精度で高速な近接効果補正を
提供する。
【０１１１】請求項４記載の近接効果補正装置は、請求
項１から３の近接効果補正装置に、格子領域の照射量を
高速に計算する手段を与えたものであり、荷電粒子ビー
ム照射の速度と同じ速度での格子領域の照射量計算を実
現することが可能となる。
項１から３の近接効果補正装置に、格子領域の照射量を
高速に計算する手段を与えたものであり、荷電粒子ビー
ム照射の速度と同じ速度での格子領域の照射量計算を実
現することが可能となる。
【０１１２】請求項５記載の近接効果補正装置は、請求
項１から４の近接効果補正装置が荷電粒子ビーム照射を
仮定された照射強度で一律に行った場合の近接効果を補
正できることに対し、補正された照射強度で再計算を繰
り返すことで、近接効果補正精度を向上させる。
項１から４の近接効果補正装置が荷電粒子ビーム照射を
仮定された照射強度で一律に行った場合の近接効果を補
正できることに対し、補正された照射強度で再計算を繰
り返すことで、近接効果補正精度を向上させる。
【０１１３】請求項６記載の近接効果補正装置は、請求
項５記載の近接効果補正装置が再計算時に各照射に対し
て補正された照射強度を適用するにの対し、格子領域毎
に補正された照射強度を適用することで、処理を高速化
し、また照射量計算手段の構成を可能にするものであ
る。
項５記載の近接効果補正装置が再計算時に各照射に対し
て補正された照射強度を適用するにの対し、格子領域毎
に補正された照射強度を適用することで、処理を高速化
し、また照射量計算手段の構成を可能にするものであ
る。
【０１１４】請求項７記載の近接効果補正装置は、請求
項５及び６記載の近接効果補正装置が、補正された照射
強度を適用して再計算により近接効果補正精度を向上さ
せるのに対し、補正された照射強度を適用して最適な照
射強度との差を摂動展開により求めるものであり、請求
項５及び６記載の近接効果補正装置よりも少ない繰り返
し回数で近接効果補正精度を向上させる効果を持つ。
項５及び６記載の近接効果補正装置が、補正された照射
強度を適用して再計算により近接効果補正精度を向上さ
せるのに対し、補正された照射強度を適用して最適な照
射強度との差を摂動展開により求めるものであり、請求
項５及び６記載の近接効果補正装置よりも少ない繰り返
し回数で近接効果補正精度を向上させる効果を持つ。
【図１】請求項１の発明の構成及び作用を説明するため
の図。
の図。
【図２】請求項２の発明の構成及び作用を説明するため
の図。
の図。
【図３】請求項３の発明の構成及び作用を説明するため
の図。
の図。
【図４】請求項４の発明の構成及び作用を説明するため
の図。
の図。
【図５】請求項５の発明の構成及び作用を説明するため
の図。
の図。
【図６】請求項６の発明の構成及び作用を説明するため
の図。
の図。
【図７】請求項７の発明の構成及び作用を説明するため
の図。
の図。
【図８】第１の実施形態を説明するための図。
【図９】第１の実施形態における照射量計算回路の作用
を説明するための図。
を説明するための図。
【図１０】第１の実施形態における散乱影響評価回路の
３つの散乱幅のうちの１つに対応する横方向畳み込み部
及び縦方向畳み込み部の作用を説明するための図。
３つの散乱幅のうちの１つに対応する横方向畳み込み部
及び縦方向畳み込み部の作用を説明するための図。
【図１１】第２の実施形態を説明するための図。
【図１２】第３の実施形態を説明するための図。
１０，１１，１２…照射量計算手段 ２０，２１，２２，２３…散乱影響評価手段 ３０，３１…補正照射強度導出手段 １１２，２１２，３１０…照射量計算回路 １２３，２２３，３２０…散乱影響評価回路 １３１，２３１，３３０…補正照射強度導出回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鶴巻 秀幸 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 阿部 隆幸 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 大木 進 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 清水 みつ子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 上久保 貴司 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 東條 徹 東京都中央区銀座四丁目２番11号 東芝機 械株式会社内 (72)発明者 吉川 良一 東京都中央区銀座四丁目２番11号 東芝機 械株式会社内 (72)発明者 片山 光庸 東京都中央区銀座四丁目２番11号 東芝機 械株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】荷電粒子ビームを描画対象表面に照射して
描画を行う際に、照射ビームの散乱による近接効果を評
価して照射量を補正する荷電粒子ビーム描画用の近接効
果補正装置において、 照射対象面へ照射する荷電粒子ビームの照射面積及び照
射強度から、対象表面上の縦横方向に区切られた微小な
格子領域の照射量を求める照射量計算手段と、各々の格
子領域に対して、その周囲の長方形で囲まれる複数の周
辺格子領域に対する前記照射量計算手段で求められた照
射量の散乱による照射影響を評価する散乱影響評価手段
と、前記散乱影響評価手段の結果から、目的の描画図形
パターンを描画するための適切な荷電粒子ビームの補正
照射強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出手
段とを具備してなり、 前記散乱影響評価手段は、前記照射量計算手段で求めた
各周辺格子領域での照射量とガウス分布関数との積によ
る畳み込み計算を行い、かつこの畳み込み計算を２通り
以上のガウス分布について散乱率で重み付けして計算し
た結果の和として求めることにより近接効果を評価する
ことを特徴とする荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正
装置。 - 【請求項２】荷電粒子ビームを描画対象表面に照射して
描画を行う際に、照射ビームの散乱による近接効果を評
価して照射量を補正する荷電粒子ビーム描画用の近接効
果補正装置において、 照射対象面へ照射する荷電粒子ビームの照射面積及び照
射強度から、対象表面上の縦横方向に区切られた微小な
格子領域の照射量を求める照射量計算手段と、各々の格
子領域に対して、その周囲の長方形で囲まれる複数の周
辺格子領域に対する前記照射量計算手段で求められた照
射量の散乱による照射影響を評価する散乱影響評価手段
と、前記散乱影響評価手段の結果から、目的の描画図形
パターンを描画するための適切な荷電粒子ビームの補正
照射強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出手
段とを具備してなり、 前記散乱影響評価手段は、前記格子に沿った一方向につ
いて一次元ガウス分布関数を用いて畳み込み計算を行
い、他の直交する方向について前記の畳み込み計算結果
と前記のガウス分布関数と同じ一次元ガウス分布関数と
の積で畳み込み計算を行うことを特徴とする荷電粒子ビ
ーム描画用の近接効果補正装置。 - 【請求項３】荷電粒子ビームを描画対象表面に照射して
描画を行う際に、照射ビームの散乱による近接効果を評
価して照射量を補正する荷電粒子ビーム描画用の近接効
果補正装置において、 照射対象面へ照射する荷電粒子ビームの照射面積及び照
射強度から、対象表面上の縦横方向に区切られた微小な
格子領域の照射量を求める照射量計算手段と、各々の格
子領域に対して、その周囲の長方形で囲まれる複数の周
辺格子領域に対する前記照射量計算手段で求められた照
射量の散乱による照射影響を評価する散乱影響評価手段
と、前記散乱影響評価手段の結果から、目的の描画図形
パターンを描画するための適切な荷電粒子ビームの補正
照射強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出手
段とを具備してなり、 前記散乱影響評価手段は、前記照射量計算手段で求めた
各周辺格子領域での照射量とガウス分布関数との積によ
る畳み込み計算を、２通り以上のガウス分布について散
乱率で重み付けして計算した結果の和として求めるもの
であり、かつ各々の畳み込み計算において、前記格子に
沿った一方向について一次元ガウス分布関数を用いて畳
み込み計算を行い、他の直交する方向について前記の畳
み込み計算結果と前記のガウス分布関数と同じ一次元ガ
ウス分布関数との積で畳み込み計算を行うことを特徴と
する荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置。 - 【請求項４】投射形状の可変な荷電粒子ビーム描画装置
を用い、 前記照射量計算手段において、１回の荷電粒子ビームの
照射を、照射図形の位置と投射形状から、照射される単
数又は複数の格子領域の各内部における照射図形に分割
し、各々の格子領域内部での照射図形面積を求め、該図
形面積にそれぞれ荷電粒子ビーム照射の強度を乗じて求
めた照射量を、各々の格子領域内部において既に求めら
れている照射量に累積することで、各格子領域の照射量
を求めることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
載の荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置。 - 【請求項５】前記各手段によって求められた補正照射強
度を基に再度、前記各手段によって補正照射強度を求め
ることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の荷
電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置。 - 【請求項６】２段目以降の照射量計算手段において、既
に算出されている各格子領域毎の照射面積と補正照射強
度の積を、各格子領域照射量として算出することを特徴
とする請求項５記載の荷電粒子ビーム描画用の近接効果
補正装置。 - 【請求項７】２段目以降の補正照射強度導出手段が、新
たな補正照射強度でなく、前段までに求めた補正照射強
度と目的の描画図形パターンを描画するための適切な照
射量との差の近似値を求めるよう構成されたことを特徴
とする請求項５又は６記載の荷電粒子ビーム描画用の近
接効果補正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09064530A JP3120051B2 (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09064530A JP3120051B2 (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261562A true JPH10261562A (ja) | 1998-09-29 |
| JP3120051B2 JP3120051B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=13260878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09064530A Expired - Lifetime JP3120051B2 (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120051B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2367228A (en) * | 2000-09-21 | 2002-03-27 | Leica Microsys Lithography Ltd | Method for ascertaining the radiation dose for a layout |
| US8423921B2 (en) | 2008-05-16 | 2013-04-16 | Nuflare Technology, Inc. | Data verification method and charged particle beam writing apparatus |
| JP2013089839A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-13 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| WO2015146313A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 日本コントロールシステム株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、および記録媒体 |
| JP2018022912A (ja) * | 2010-04-15 | 2018-02-08 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ | 放射エネルギーと設計形状の結合最適化を伴うリソグラフィー法 |
-
1997
- 1997-03-18 JP JP09064530A patent/JP3120051B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
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| JP2018022912A (ja) * | 2010-04-15 | 2018-02-08 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ | 放射エネルギーと設計形状の結合最適化を伴うリソグラフィー法 |
| JP2013089839A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-13 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| WO2015146313A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 日本コントロールシステム株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、および記録媒体 |
| JP2015191149A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 日本コントロールシステム株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム |
| KR20160138092A (ko) * | 2014-03-28 | 2016-12-02 | 니폰 컨트롤 시스템 가부시키가이샤 | 정보 처리 장치, 정보 처리 방법 및 기록 매체 |
| US9852884B2 (en) | 2014-03-28 | 2017-12-26 | Nippon Control System Corporation | Information processing apparatus, information processing method, and storage medium |
| TWI628505B (zh) * | 2014-03-28 | 2018-07-01 | 日商日本控制系統股份有限公司 | Information processing device, information processing method and recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3120051B2 (ja) | 2000-12-25 |
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