JPH10261201A - 磁気ディスクの耐久性評価方法及び装置 - Google Patents
磁気ディスクの耐久性評価方法及び装置Info
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- JPH10261201A JPH10261201A JP9065124A JP6512497A JPH10261201A JP H10261201 A JPH10261201 A JP H10261201A JP 9065124 A JP9065124 A JP 9065124A JP 6512497 A JP6512497 A JP 6512497A JP H10261201 A JPH10261201 A JP H10261201A
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- head
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N3/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N3/56—Investigating resistance to wear or abrasion
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N19/00—Investigating materials by mechanical methods
- G01N19/02—Measuring coefficient of friction between materials
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は磁気ディスクの耐久性評価方法及び
装置に関し、磁気ディスクの耐久性を効率良く、且つ、
正確に評価することを目的とする。 【解決手段】 第１のヘッドの第１の磁気ディスクの表
面に対する接触摺動状態が安定する条件を求める第１の
ステップと、前記条件下で第２のヘッドを第２の磁気デ
ィスクの表面と接触摺動させて第２の磁気ディスクの耐
久性評価を行う第２のステップとを含むように構成す
る。
装置に関し、磁気ディスクの耐久性を効率良く、且つ、
正確に評価することを目的とする。 【解決手段】 第１のヘッドの第１の磁気ディスクの表
面に対する接触摺動状態が安定する条件を求める第１の
ステップと、前記条件下で第２のヘッドを第２の磁気デ
ィスクの表面と接触摺動させて第２の磁気ディスクの耐
久性評価を行う第２のステップとを含むように構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスクの耐久
性評価方法及び装置に係り、特に磁気ディスク装置に使
用される磁気ディスクの耐久性を評価するための磁気デ
ィスクの耐久性評価方法及び装置に関する。磁気ディス
クを使用する磁気ディスク装置では、所謂コンタクト・
スタート・ストップ（ＣＳＳ：Ｃｏｎｔａｃｔ Ｓｔａ
ｒｔ Ｓｔｏｐ）方式が採用されており、磁気ディスク
装置の動作スタート時及び動作ストップ時には、ヘッド
が磁気ディスクの表面と接触する。このため、磁気ディ
スクの表面には保護膜が設けられているものの、ヘッド
との接触による磨耗が発生する。
性評価方法及び装置に係り、特に磁気ディスク装置に使
用される磁気ディスクの耐久性を評価するための磁気デ
ィスクの耐久性評価方法及び装置に関する。磁気ディス
クを使用する磁気ディスク装置では、所謂コンタクト・
スタート・ストップ（ＣＳＳ：Ｃｏｎｔａｃｔ Ｓｔａ
ｒｔ Ｓｔｏｐ）方式が採用されており、磁気ディスク
装置の動作スタート時及び動作ストップ時には、ヘッド
が磁気ディスクの表面と接触する。このため、磁気ディ
スクの表面には保護膜が設けられているものの、ヘッド
との接触による磨耗が発生する。
【０００２】他方、磁気ディスク装置の大容量化、高密
度化及び小型化に伴い、ヘッドの磁気ディスクからの浮
上量が小さくなってきている。又、ヘッドが磁気ディス
クの表面に吸い付けられて浮上しにくくなるのを防止す
るために、磁気ディスクの表面は完全な平面ではなく、
意図的にある程度のアンジュレーションが形成されてい
る。この結果、ヘッドと磁気ディスクとが接触する確率
が増加してきた。
度化及び小型化に伴い、ヘッドの磁気ディスクからの浮
上量が小さくなってきている。又、ヘッドが磁気ディス
クの表面に吸い付けられて浮上しにくくなるのを防止す
るために、磁気ディスクの表面は完全な平面ではなく、
意図的にある程度のアンジュレーションが形成されてい
る。この結果、ヘッドと磁気ディスクとが接触する確率
が増加してきた。
【０００３】このため、最近では特に磁気ディスクの耐
久性が重視されるようになり、磁気ディスクの耐久性を
効率良く、且つ、正確に評価する方法及び装置が望まれ
ている。
久性が重視されるようになり、磁気ディスクの耐久性を
効率良く、且つ、正確に評価する方法及び装置が望まれ
ている。
【０００４】
【従来の技術】従来、磁気ディスクを低速で回転してヘ
ッドが磁気ディスクから浮上しないようにし、磁気ディ
スクの耐久性を評価する従来方法がある。又、磁気ディ
スクの耐久性試験方法としては、例えば特開昭６３−１
８７４２２号公報にて提案されている方法がある。この
第１の提案方法では、評価するべき磁気ディスクを１０
０ｍＴｏｒｒ以下の真空中で回転させることで、ヘッド
が磁気ディスクから浮上するのを防止する。このため、
ヘッドは磁気ディスクの表面に対して接触摺動し、磁気
ディスクの表面の劣化を音響センサで検出することで、
磁気ディスクの耐久性を評価する。
ッドが磁気ディスクから浮上しないようにし、磁気ディ
スクの耐久性を評価する従来方法がある。又、磁気ディ
スクの耐久性試験方法としては、例えば特開昭６３−１
８７４２２号公報にて提案されている方法がある。この
第１の提案方法では、評価するべき磁気ディスクを１０
０ｍＴｏｒｒ以下の真空中で回転させることで、ヘッド
が磁気ディスクから浮上するのを防止する。このため、
ヘッドは磁気ディスクの表面に対して接触摺動し、磁気
ディスクの表面の劣化を音響センサで検出することで、
磁気ディスクの耐久性を評価する。
【０００５】更に、ヘッドの浮上安定性評価方法として
は、例えば特開昭５９−１１５７８号公報にて提案され
ている方法がある。この第２の提案方法では、圧力を１
００〜１Ｔｏｒｒ間で減圧し、ヘッドが磁気ディスクと
接触し始めてから摺動するまでの時間を、同様にして測
定した標準ヘッドについての時間と比較することで、ヘ
ッドの浮上安定性を評価する。
は、例えば特開昭５９−１１５７８号公報にて提案され
ている方法がある。この第２の提案方法では、圧力を１
００〜１Ｔｏｒｒ間で減圧し、ヘッドが磁気ディスクと
接触し始めてから摺動するまでの時間を、同様にして測
定した標準ヘッドについての時間と比較することで、ヘ
ッドの浮上安定性を評価する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来方法では、
磁気ディスクが低速で回転されるため、ヘッドと磁気デ
ィスクとの接触摺動による磁気ディスクの劣化を調べる
には非常に時間がかかる。又、磁気ディスクの劣化を調
べるには、先ず磁気ディスクの表面を清掃する必要があ
る。このため、磁気ディスクの耐久性を効率良く評価す
ることはできないという問題があった。
磁気ディスクが低速で回転されるため、ヘッドと磁気デ
ィスクとの接触摺動による磁気ディスクの劣化を調べる
には非常に時間がかかる。又、磁気ディスクの劣化を調
べるには、先ず磁気ディスクの表面を清掃する必要があ
る。このため、磁気ディスクの耐久性を効率良く評価す
ることはできないという問題があった。
【０００７】上記第１の提案方法では、評価するべき磁
気ディスクを１００ｍＴｏｒｒ以下の真空中で回転させ
てヘッドと接触させる。又、上記第１の提案方法では、
使用するヘッド及び磁気ディスクに拘らず、一律に磁気
ディスクを１００ｍＴｏｒｒ以下の真空中で評価する。
このため、１００ｍＴｏｒｒ以下の真空状態を実現する
ための装置が高価になると共に、真空状態を得るために
時間がかかり、短時間で磁気ディスクの評価を行うこと
ができないという問題があった。
気ディスクを１００ｍＴｏｒｒ以下の真空中で回転させ
てヘッドと接触させる。又、上記第１の提案方法では、
使用するヘッド及び磁気ディスクに拘らず、一律に磁気
ディスクを１００ｍＴｏｒｒ以下の真空中で評価する。
このため、１００ｍＴｏｒｒ以下の真空状態を実現する
ための装置が高価になると共に、真空状態を得るために
時間がかかり、短時間で磁気ディスクの評価を行うこと
ができないという問題があった。
【０００８】更に、上記第２の提案方法では、磁気ディ
スクを１００〜１Ｔｏｒｒの圧力中で回転させてヘッド
と接触させる。又、上記第２の提案方法では、評価する
ヘッド及び磁気ディスクに拘らず、一律にヘッドを１０
０〜１Ｔｏｒｒの圧力中で評価する。このため、１００
〜１Ｔｏｒｒの圧力状態を実現するための装置が比較的
高価になると共に、第２の提案方法程ではないものの、
この圧力状態を得るために時間がかかり、短時間でヘッ
ドの評価を行うことができないという問題があった。更
に、上記第２の提案方法は、ヘッドの浮上安定性評価を
目的としており、磁気ディスクの耐久性評価についての
記載はなかった。
スクを１００〜１Ｔｏｒｒの圧力中で回転させてヘッド
と接触させる。又、上記第２の提案方法では、評価する
ヘッド及び磁気ディスクに拘らず、一律にヘッドを１０
０〜１Ｔｏｒｒの圧力中で評価する。このため、１００
〜１Ｔｏｒｒの圧力状態を実現するための装置が比較的
高価になると共に、第２の提案方法程ではないものの、
この圧力状態を得るために時間がかかり、短時間でヘッ
ドの評価を行うことができないという問題があった。更
に、上記第２の提案方法は、ヘッドの浮上安定性評価を
目的としており、磁気ディスクの耐久性評価についての
記載はなかった。
【０００９】そこで、本発明は、磁気ディスクの耐久性
を効率良く、且つ、正確に評価することのできる磁気デ
ィスクの耐久性評価方法及び装置を提供することを目的
とする。
を効率良く、且つ、正確に評価することのできる磁気デ
ィスクの耐久性評価方法及び装置を提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、請求項１
記載の、第１のヘッドの第１の磁気ディスクの表面に対
する接触摺動状態が安定する条件を求める第１のステッ
プと、該条件下で第２のヘッドを第２の磁気ディスクの
表面と接触摺動させて該第２の磁気ディスクの耐久性評
価を行う第２のステップとを含む磁気ディスクの耐久性
評価方法によって達成される。
記載の、第１のヘッドの第１の磁気ディスクの表面に対
する接触摺動状態が安定する条件を求める第１のステッ
プと、該条件下で第２のヘッドを第２の磁気ディスクの
表面と接触摺動させて該第２の磁気ディスクの耐久性評
価を行う第２のステップとを含む磁気ディスクの耐久性
評価方法によって達成される。
【００１１】請求項２記載の発明では、請求項１におい
て、前記第１のヘッド及び第１の磁気ディスクは夫々第
２のヘッド及び第２の磁気ディスクとは同種類又は同タ
イプであり、第１のステップは前記条件を予め求めてお
く。請求項３記載の発明では、請求項１又は２におい
て、前記第２のステップは、前記第２の磁気ディスクの
表面に対するアクースティックエミッション（ＡＥ）の
検出と、前記第２のヘッドと該第２の磁気ディスク間の
摩擦力の検出と、該第２のヘッドと該第２の磁気ディス
ク間の電気抵抗の検出とのうち、少なくとも１つの検出
の結果に基づいて該第２の磁気ディスクの表面に設けら
れた保護膜の破断を検出する。
て、前記第１のヘッド及び第１の磁気ディスクは夫々第
２のヘッド及び第２の磁気ディスクとは同種類又は同タ
イプであり、第１のステップは前記条件を予め求めてお
く。請求項３記載の発明では、請求項１又は２におい
て、前記第２のステップは、前記第２の磁気ディスクの
表面に対するアクースティックエミッション（ＡＥ）の
検出と、前記第２のヘッドと該第２の磁気ディスク間の
摩擦力の検出と、該第２のヘッドと該第２の磁気ディス
ク間の電気抵抗の検出とのうち、少なくとも１つの検出
の結果に基づいて該第２の磁気ディスクの表面に設けら
れた保護膜の破断を検出する。
【００１２】請求項４記載の発明では、請求項１〜３の
いずれかにおいて、前記条件は、前記第１のヘッド及び
前記第１の磁気ディスクが収容された密閉容器内の圧力
のうち前記接触摺動状態が安定する圧力、及び該第１の
ヘッドと該第１の磁気ディスクとの間の相対速度のうち
該第１の磁気ディスクの耐久性が変化しない相対速度の
うち、少なくとも一方である。
いずれかにおいて、前記条件は、前記第１のヘッド及び
前記第１の磁気ディスクが収容された密閉容器内の圧力
のうち前記接触摺動状態が安定する圧力、及び該第１の
ヘッドと該第１の磁気ディスクとの間の相対速度のうち
該第１の磁気ディスクの耐久性が変化しない相対速度の
うち、少なくとも一方である。
【００１３】請求項５記載の発明では、請求項１〜４の
いずれかにおいて、前記第２のステップは、前記第２の
磁気ディスクの表面に対して斜めに光を照射し、該光の
正反射光路からずれた位置で該第２の磁気ディスクの表
面を観察するステップを含む。請求項６記載の発明で
は、請求項１〜５のいずれかにおいて、前記第２のステ
ップは、モータ内蔵型の磁気軸受けスピンドルにより前
記第２の磁気ディスクを回転する。
いずれかにおいて、前記第２のステップは、前記第２の
磁気ディスクの表面に対して斜めに光を照射し、該光の
正反射光路からずれた位置で該第２の磁気ディスクの表
面を観察するステップを含む。請求項６記載の発明で
は、請求項１〜５のいずれかにおいて、前記第２のステ
ップは、モータ内蔵型の磁気軸受けスピンドルにより前
記第２の磁気ディスクを回転する。
【００１４】上記の課題は、請求項７記載の、第１のヘ
ッドの第１の磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態
が安定する条件を予め求めておき、該条件下で第２のヘ
ッドを第２の磁気ディスクの表面と接触摺動させる第１
の手段と、該第２の磁気ディスクの耐久性評価を行う第
２の手段とを備えた磁気ディスクの耐久性評価装置によ
っても達成される。
ッドの第１の磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態
が安定する条件を予め求めておき、該条件下で第２のヘ
ッドを第２の磁気ディスクの表面と接触摺動させる第１
の手段と、該第２の磁気ディスクの耐久性評価を行う第
２の手段とを備えた磁気ディスクの耐久性評価装置によ
っても達成される。
【００１５】請求項８記載の発明では、請求項７におい
て、前記第１のヘッド及び第１の磁気ディスクは夫々第
２のヘッド及び第２の磁気ディスクとは同種類又は同タ
イプであり、前記条件は耐久性評価装置により予め求め
ておく。請求項９記載の発明では、請求項７又は８にお
いて、前記第２の手段は、前記第２の磁気ディスクの表
面に対するアクースティックエミッション（ＡＥ）を検
出する検出手段と、前記第２のヘッドと該第２の磁気デ
ィスク間の摩擦力を検出する検出手段と、該第２のヘッ
ドと該第２の磁気ディスク間の電気抵抗を検出する検出
手段とのうち、少なくとも１つの検出手段の検出結果に
基づいて該第２の磁気ディスクの表面に設けられた保護
膜の破断を検出する。
て、前記第１のヘッド及び第１の磁気ディスクは夫々第
２のヘッド及び第２の磁気ディスクとは同種類又は同タ
イプであり、前記条件は耐久性評価装置により予め求め
ておく。請求項９記載の発明では、請求項７又は８にお
いて、前記第２の手段は、前記第２の磁気ディスクの表
面に対するアクースティックエミッション（ＡＥ）を検
出する検出手段と、前記第２のヘッドと該第２の磁気デ
ィスク間の摩擦力を検出する検出手段と、該第２のヘッ
ドと該第２の磁気ディスク間の電気抵抗を検出する検出
手段とのうち、少なくとも１つの検出手段の検出結果に
基づいて該第２の磁気ディスクの表面に設けられた保護
膜の破断を検出する。
【００１６】請求項１０記載の発明では、請求項７〜９
のいずれかにおいて、前記条件は、前記第１のヘッド及
び前記第１の磁気ディスクが収容された密閉容器内の圧
力のうち前記接触摺動状態が安定する圧力、及び該第１
のヘッドと該第１の磁気ディスクとの間の相対速度のう
ち該第１の磁気ディスクの耐久性が変化しない相対速度
のうち、少なくとも一方である。
のいずれかにおいて、前記条件は、前記第１のヘッド及
び前記第１の磁気ディスクが収容された密閉容器内の圧
力のうち前記接触摺動状態が安定する圧力、及び該第１
のヘッドと該第１の磁気ディスクとの間の相対速度のう
ち該第１の磁気ディスクの耐久性が変化しない相対速度
のうち、少なくとも一方である。
【００１７】請求項１１記載の発明では、請求項７〜１
０のいずれかにおいて、前記第２の手段は、前記第２の
磁気ディスクの表面に対して斜めに光を照射し、該光の
正反射光路からずれた位置で該第２の磁気ディスクの表
面を観察する手段を含む。請求項１２記載の発明では、
請求項７〜１１のいずれかにおいて、前記第２の手段
は、前記第２の磁気ディスクを回転するモータ内蔵型の
磁気軸受けスピンドルを有する。
０のいずれかにおいて、前記第２の手段は、前記第２の
磁気ディスクの表面に対して斜めに光を照射し、該光の
正反射光路からずれた位置で該第２の磁気ディスクの表
面を観察する手段を含む。請求項１２記載の発明では、
請求項７〜１１のいずれかにおいて、前記第２の手段
は、前記第２の磁気ディスクを回転するモータ内蔵型の
磁気軸受けスピンドルを有する。
【００１８】請求項１記載の発明によれば、第１のヘッ
ドの第１の磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態が
安定する条件下で第２の磁気ディスクを評価するので、
耐久性の評価を短時間で、且つ、正確に行うことができ
る。請求項２記載の発明によれば、第２の磁気ディスク
の耐久性を、これと同種類又は同タイプの第１の磁気デ
ィスクに対して予め求めておいた条件下で評価するの
で、短時間で信頼性の高い耐久性の評価を行うことがで
きる。
ドの第１の磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態が
安定する条件下で第２の磁気ディスクを評価するので、
耐久性の評価を短時間で、且つ、正確に行うことができ
る。請求項２記載の発明によれば、第２の磁気ディスク
の耐久性を、これと同種類又は同タイプの第１の磁気デ
ィスクに対して予め求めておいた条件下で評価するの
で、短時間で信頼性の高い耐久性の評価を行うことがで
きる。
【００１９】請求項３記載の発明によれば、第２の磁気
ディスクの表面に設けられた保護膜の破断を短時間で、
高い信頼性をもって検出することができる。請求項４記
載の発明によれば、第２のヘッドの第２の磁気ディスク
の表面に対する接触摺動状態が安定する条件又は第２の
磁気ディスクの耐久性が相対速度によって変化しない条
件下で第２の磁気ディスクを評価することができる。
ディスクの表面に設けられた保護膜の破断を短時間で、
高い信頼性をもって検出することができる。請求項４記
載の発明によれば、第２のヘッドの第２の磁気ディスク
の表面に対する接触摺動状態が安定する条件又は第２の
磁気ディスクの耐久性が相対速度によって変化しない条
件下で第２の磁気ディスクを評価することができる。
【００２０】請求項５記載の発明によれば、比較的簡単
に、且つ、正確に第２の磁気ディスクの表面を観察する
ことができる。請求項６記載の発明によれば、第２の磁
気ディスクの駆動部からの発熱を外部へ効率良く放出し
て第２の磁気ディスクの温度上昇を防止することがで
き、第２の磁気ディスクの面振れを抑さえて高速回転す
ることができ、短時間で耐久性の評価を行うことができ
る。
に、且つ、正確に第２の磁気ディスクの表面を観察する
ことができる。請求項６記載の発明によれば、第２の磁
気ディスクの駆動部からの発熱を外部へ効率良く放出し
て第２の磁気ディスクの温度上昇を防止することがで
き、第２の磁気ディスクの面振れを抑さえて高速回転す
ることができ、短時間で耐久性の評価を行うことができ
る。
【００２１】請求項７記載の発明によれば、第１のヘッ
ドの第１の磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態が
安定する条件下で第２の磁気ディスクを評価するので、
耐久性の評価を短時間で、且つ、正確に行うことができ
る。請求項８記載の発明によれば、第２の磁気ディスク
の耐久性を、これと同種類又は同タイプの第１の磁気デ
ィスクに対して予め求めておいた条件下で評価するの
で、短時間で信頼性の高い耐久性の評価を行うことがで
きる。
ドの第１の磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態が
安定する条件下で第２の磁気ディスクを評価するので、
耐久性の評価を短時間で、且つ、正確に行うことができ
る。請求項８記載の発明によれば、第２の磁気ディスク
の耐久性を、これと同種類又は同タイプの第１の磁気デ
ィスクに対して予め求めておいた条件下で評価するの
で、短時間で信頼性の高い耐久性の評価を行うことがで
きる。
【００２２】請求項９記載の発明によれば、第２の磁気
ディスクの表面に設けられた保護膜の破断を短時間で、
高い信頼性をもって検出することができる。請求項１０
記載の発明によれば、第２のヘッドの第２の磁気ディス
クの表面に対する接触摺動状態が安定する条件又は第２
の磁気ディスクの耐久性が相対速度によって変化しない
条件下で第２の磁気ディスクを評価することができる。
ディスクの表面に設けられた保護膜の破断を短時間で、
高い信頼性をもって検出することができる。請求項１０
記載の発明によれば、第２のヘッドの第２の磁気ディス
クの表面に対する接触摺動状態が安定する条件又は第２
の磁気ディスクの耐久性が相対速度によって変化しない
条件下で第２の磁気ディスクを評価することができる。
【００２３】請求項１１記載の発明によれば、比較的簡
単に、且つ、正確に第２の磁気ディスクの表面を観察す
ることができる。請求項１２記載の発明によれば、第２
の磁気ディスクの駆動部からの発熱を外部へ効率良く放
出して第２の磁気ディスクの温度上昇を防止することが
でき、第２の磁気ディスクの面振れを抑さえて高速回転
することができ、短時間で耐久性の評価を行うことがで
きる。
単に、且つ、正確に第２の磁気ディスクの表面を観察す
ることができる。請求項１２記載の発明によれば、第２
の磁気ディスクの駆動部からの発熱を外部へ効率良く放
出して第２の磁気ディスクの温度上昇を防止することが
でき、第２の磁気ディスクの面振れを抑さえて高速回転
することができ、短時間で耐久性の評価を行うことがで
きる。
【００２４】従って、本発明によれば、ヘッドの磁気デ
ィスクの表面に対する接触摺動状態が安定する条件下で
磁気ディスクを評価するので、耐久性の評価を短時間
で、且つ、正確に行うことができる。
ィスクの表面に対する接触摺動状態が安定する条件下で
磁気ディスクを評価するので、耐久性の評価を短時間
で、且つ、正確に行うことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を、以下図面と共
に説明する。
に説明する。
【００２６】
【実施例】先ず、本発明になる磁気ディスクの耐久性評
価方法の第１実施例を説明する。図１は、磁気ディスク
の耐久性評価方法の第１実施例の評価条件を求める処理
を説明するためのフローチャートである。同図中、ステ
ップＳ１は、評価の対象となる磁気ディスクと同じ種類
又は同じタイプの標準磁気ディスクを、耐久性評価装置
（図示せず）内にセットする。この耐久性評価装置に
は、評価の対象となる磁気ディスクに対して信号記録再
生を行うヘッドと同じ種類又は同じタイプの標準ヘッド
が設けられている。ステップＳ２は、セットされた標準
磁気ディスクを、例えば４７７６ｒｐｍで、半径位置が
標準磁気ディスクの中心から３０ｍｍの位置での周速度
（相対速度）が１５ｍ／ｓｅｃとなるように回転する。
価方法の第１実施例を説明する。図１は、磁気ディスク
の耐久性評価方法の第１実施例の評価条件を求める処理
を説明するためのフローチャートである。同図中、ステ
ップＳ１は、評価の対象となる磁気ディスクと同じ種類
又は同じタイプの標準磁気ディスクを、耐久性評価装置
（図示せず）内にセットする。この耐久性評価装置に
は、評価の対象となる磁気ディスクに対して信号記録再
生を行うヘッドと同じ種類又は同じタイプの標準ヘッド
が設けられている。ステップＳ２は、セットされた標準
磁気ディスクを、例えば４７７６ｒｐｍで、半径位置が
標準磁気ディスクの中心から３０ｍｍの位置での周速度
（相対速度）が１５ｍ／ｓｅｃとなるように回転する。
【００２７】ステップＳ３は、耐久性評価装置内の圧力
の減少を開始し、ステップＳ４は、標準磁気ディスクの
表面に対するアクースティックエミッション（ＡＥ）を
ＡＥ素子からなる音響センサを用いて検出し、耐久性評
価装置内の圧力とＡＥ素子の出力信号との関係を求め
る。図２は、このようにしてステップＳ４で求められた
関係を示す図である。同図中、縦軸はＡＥ素子の出力信
号をμＶで示し、横軸は耐久性評価装置内の圧力をＴｏ
ｒｒで示す。
の減少を開始し、ステップＳ４は、標準磁気ディスクの
表面に対するアクースティックエミッション（ＡＥ）を
ＡＥ素子からなる音響センサを用いて検出し、耐久性評
価装置内の圧力とＡＥ素子の出力信号との関係を求め
る。図２は、このようにしてステップＳ４で求められた
関係を示す図である。同図中、縦軸はＡＥ素子の出力信
号をμＶで示し、横軸は耐久性評価装置内の圧力をＴｏ
ｒｒで示す。
【００２８】ステップＳ５は、図２に示す如き関係か
ら、ＡＥ素子の出力信号が安定する圧力、即ち、標準ヘ
ッドの標準磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態が
安定する条件を求める。耐久性評価装置内の圧力を減少
させるには、圧力を小さくする程排気量が多くなり、装
置が大掛かりになり高価になると共に、所望の低圧力を
得るための時間もかかる。このため、ステップＳ５で求
める圧力は、図２に示す関係中、ＡＥ素子の出力信号が
安定する最大圧力であることが望ましい。本実施例で
は、ステップＳ５は一例として、図２に示す関係から１
５Ｔｏｒｒを求める。
ら、ＡＥ素子の出力信号が安定する圧力、即ち、標準ヘ
ッドの標準磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態が
安定する条件を求める。耐久性評価装置内の圧力を減少
させるには、圧力を小さくする程排気量が多くなり、装
置が大掛かりになり高価になると共に、所望の低圧力を
得るための時間もかかる。このため、ステップＳ５で求
める圧力は、図２に示す関係中、ＡＥ素子の出力信号が
安定する最大圧力であることが望ましい。本実施例で
は、ステップＳ５は一例として、図２に示す関係から１
５Ｔｏｒｒを求める。
【００２９】ところで、磁気ディスクの耐久性は、ヘッ
ドと磁気ディスクとの間の相対速度によっても変化す
る。そこで、磁気ディスクの耐久性は、磁気ディスクの
耐久性が変化しない相対速度において評価することが望
ましい。図３は、図２と同じ条件下で圧力が０．５Ｔｏ
ｒｒの場合に求められた、標準ヘッドと標準磁気ディス
クとの間の相対速度と、標準磁気ディスクの耐久性との
関係を示す図である。図３中、縦軸は標準磁気ディスク
の耐久性の評価の結果パスした（問題なしとされた）回
数を示し、横軸は標準ヘッドと標準磁気ディスクとの間
の相対速度をｍ／ｓｅｃで示す。図３から、標準磁気デ
ィスクの耐久性は、相対速度が約１０ｍ／ｓｅｃ以上で
あれば変化しないことがわかる。従って、図１に示すス
テップＳ５は、圧力に加えて、相対速度も求めても良
い。この場合、ステップＳ５は、図３に示す如き関係か
ら、標準磁気ディスクの耐久性が変化しない相対速度、
即ち、標準磁気ディスクの耐久性が変化しない条件を求
める。ステップＳ５で求める相対速度は、図３に示す関
係中、標準磁気ディスクの耐久性が変化せず、装置に過
大な負荷がかからない程度で最大の値であることが、評
価時間を短縮する上からも望ましい。本実施例では、ス
テップＳ５は一例として、図３に示す関係から１５ｍ／
ｓｅｃを求める。
ドと磁気ディスクとの間の相対速度によっても変化す
る。そこで、磁気ディスクの耐久性は、磁気ディスクの
耐久性が変化しない相対速度において評価することが望
ましい。図３は、図２と同じ条件下で圧力が０．５Ｔｏ
ｒｒの場合に求められた、標準ヘッドと標準磁気ディス
クとの間の相対速度と、標準磁気ディスクの耐久性との
関係を示す図である。図３中、縦軸は標準磁気ディスク
の耐久性の評価の結果パスした（問題なしとされた）回
数を示し、横軸は標準ヘッドと標準磁気ディスクとの間
の相対速度をｍ／ｓｅｃで示す。図３から、標準磁気デ
ィスクの耐久性は、相対速度が約１０ｍ／ｓｅｃ以上で
あれば変化しないことがわかる。従って、図１に示すス
テップＳ５は、圧力に加えて、相対速度も求めても良
い。この場合、ステップＳ５は、図３に示す如き関係か
ら、標準磁気ディスクの耐久性が変化しない相対速度、
即ち、標準磁気ディスクの耐久性が変化しない条件を求
める。ステップＳ５で求める相対速度は、図３に示す関
係中、標準磁気ディスクの耐久性が変化せず、装置に過
大な負荷がかからない程度で最大の値であることが、評
価時間を短縮する上からも望ましい。本実施例では、ス
テップＳ５は一例として、図３に示す関係から１５ｍ／
ｓｅｃを求める。
【００３０】尚、ステップＳ５は、ＡＥ素子の出力信号
が安定する圧力及び標準磁気ディスクの耐久性が変化し
ない相対速度のうち、少なくとも一方を求めるようにし
も良い。又、ステップＳ２で設定された相対速度が、ス
テップＳ５で求められた最小相対速度より小さい場合
は、ステップＳ２で設定する相対速度を、ステップＳ５
で求められた相対速度に基づいて変更し、再度ステップ
Ｓ３〜Ｓ５を実行することが望ましい。
が安定する圧力及び標準磁気ディスクの耐久性が変化し
ない相対速度のうち、少なくとも一方を求めるようにし
も良い。又、ステップＳ２で設定された相対速度が、ス
テップＳ５で求められた最小相対速度より小さい場合
は、ステップＳ２で設定する相対速度を、ステップＳ５
で求められた相対速度に基づいて変更し、再度ステップ
Ｓ３〜Ｓ５を実行することが望ましい。
【００３１】図４は、本実施例における評価処理を説明
するフローチャートである。同図中、ステップＳ１１
は、評価するべき磁気ディスクを、上記耐久性評価装置
と同様の耐久性評価装置（図示せず）内にセットする。
ステップＳ１２は、耐久性評価装置内の圧力を、上記ス
テップＳ５で求められた圧力に設定する。耐久性評価装
置内には、評価するべき磁気ディスクに対して信号記録
再生を行うヘッドと同じ種類又は同じタイプのヘッドが
設けられており、この減圧により耐久性評価装置内のヘ
ッドは磁気ディスクの表面と接触する。ステップＳ１３
は、セットされた磁気ディスクを、上記ステップＳ２と
同じ条件下で回転する。つまり、磁気ディスクを、４７
７６ｒｐｍで、半径位置が磁気ディスクの中心から３０
ｍｍの位置での相対速度が１５ｍ／ｓｅｃとなるように
回転する。この結果、耐久性評価装置内のヘッドは磁気
ディスクの表面に対して接触摺動する。
するフローチャートである。同図中、ステップＳ１１
は、評価するべき磁気ディスクを、上記耐久性評価装置
と同様の耐久性評価装置（図示せず）内にセットする。
ステップＳ１２は、耐久性評価装置内の圧力を、上記ス
テップＳ５で求められた圧力に設定する。耐久性評価装
置内には、評価するべき磁気ディスクに対して信号記録
再生を行うヘッドと同じ種類又は同じタイプのヘッドが
設けられており、この減圧により耐久性評価装置内のヘ
ッドは磁気ディスクの表面と接触する。ステップＳ１３
は、セットされた磁気ディスクを、上記ステップＳ２と
同じ条件下で回転する。つまり、磁気ディスクを、４７
７６ｒｐｍで、半径位置が磁気ディスクの中心から３０
ｍｍの位置での相対速度が１５ｍ／ｓｅｃとなるように
回転する。この結果、耐久性評価装置内のヘッドは磁気
ディスクの表面に対して接触摺動する。
【００３２】ステップＳ１４は、磁気ディスクの耐久性
の評価をＡＥ素子の出力信号に基づいて行い、評価の結
果パスした（問題なしとされた）回数を求める。ステッ
プＳ１５は、求められたパス回数が、基準値以上である
か否かを判定し、基準値以上であれば耐久性は設計値を
満足していると判断される。尚、ステップＳ１４と同様
の評価を上記標準磁気ディスクについて予め行っておけ
ば、標準磁気ディスクの耐久パス回数を基準に基準値を
決定することができる。
の評価をＡＥ素子の出力信号に基づいて行い、評価の結
果パスした（問題なしとされた）回数を求める。ステッ
プＳ１５は、求められたパス回数が、基準値以上である
か否かを判定し、基準値以上であれば耐久性は設計値を
満足していると判断される。尚、ステップＳ１４と同様
の評価を上記標準磁気ディスクについて予め行っておけ
ば、標準磁気ディスクの耐久パス回数を基準に基準値を
決定することができる。
【００３３】次に、本発明になる磁気ディスクの耐久性
評価装置の第１実施例を説明する。図５は、磁気ディス
クの耐久性評価装置の第１実施例を示す図である。磁気
ディスクの耐久性評価装置の第１実施例は、上記磁気デ
ィスクの耐久性評価方法の第１実施例を採用する。図５
において、耐久性評価装置は、大略ヘッド２と、コント
ローラ３と、評価するべき磁気ディスク１がセットされ
るスピンドルを有する駆動部４と、ヘッド２と同じアー
ム５に設けられたＡＥ素子６と、アンプ７と、バンドパ
スフィルタ（ＢＰＦ）８と、実効値計（ＲＭＳ計）９
と、レコーダ１０と、メモリ１１と、操作部１２と、真
空計１３と、排気機構１４とからなる。
評価装置の第１実施例を説明する。図５は、磁気ディス
クの耐久性評価装置の第１実施例を示す図である。磁気
ディスクの耐久性評価装置の第１実施例は、上記磁気デ
ィスクの耐久性評価方法の第１実施例を採用する。図５
において、耐久性評価装置は、大略ヘッド２と、コント
ローラ３と、評価するべき磁気ディスク１がセットされ
るスピンドルを有する駆動部４と、ヘッド２と同じアー
ム５に設けられたＡＥ素子６と、アンプ７と、バンドパ
スフィルタ（ＢＰＦ）８と、実効値計（ＲＭＳ計）９
と、レコーダ１０と、メモリ１１と、操作部１２と、真
空計１３と、排気機構１４とからなる。
【００３４】コントローラ３は、操作部１２からの入力
された設定値又はメモリ１１に予め格納されている設定
値に基づき、駆動部４の回転数及び排気機構１４の排気
量を制御する。設定値は、耐久性評価装置内の圧力の値
及びヘッド２と磁気ディスク１との間の相対速度の値を
含み、図１と共に説明した方法で、磁気ディスク１と同
じ種類又はタイプの標準磁気ディスクに対して予め求め
ておく。コントローラ３は、例えば中央制御装置（ＣＰ
Ｕ）からなり、メモリ１１には上記設定値、ＣＰＵが実
行するプログラムやデータ等が格納されている。本実施
例では、コントローラ３が、真空計１３で検出した耐久
性評価装置内の圧力を監視しながら上記設定値に基づい
て排気機構１４を制御することにより、耐久性評価装置
内の圧力が上記の如く１５Ｔｏｒｒとなる。又、コント
ローラ３は、上記設定値に基づいて、図示を省略する周
知のフィードバックループからなる回転制御を行いなが
ら駆動部４を制御することにより、磁気ディスク１は４
７７６ｒｐｍで、半径位置が磁気ディスク１の中心から
３０ｍｍの位置での相対速度が１５ｍ／ｓｅｃとなるよ
うに回転される。圧力が１５Ｔｏｒｒであると、磁気デ
ィスク１駆動部４により回転されていても、ヘッド２は
磁気ディスク１の表面と接触摺動する。
された設定値又はメモリ１１に予め格納されている設定
値に基づき、駆動部４の回転数及び排気機構１４の排気
量を制御する。設定値は、耐久性評価装置内の圧力の値
及びヘッド２と磁気ディスク１との間の相対速度の値を
含み、図１と共に説明した方法で、磁気ディスク１と同
じ種類又はタイプの標準磁気ディスクに対して予め求め
ておく。コントローラ３は、例えば中央制御装置（ＣＰ
Ｕ）からなり、メモリ１１には上記設定値、ＣＰＵが実
行するプログラムやデータ等が格納されている。本実施
例では、コントローラ３が、真空計１３で検出した耐久
性評価装置内の圧力を監視しながら上記設定値に基づい
て排気機構１４を制御することにより、耐久性評価装置
内の圧力が上記の如く１５Ｔｏｒｒとなる。又、コント
ローラ３は、上記設定値に基づいて、図示を省略する周
知のフィードバックループからなる回転制御を行いなが
ら駆動部４を制御することにより、磁気ディスク１は４
７７６ｒｐｍで、半径位置が磁気ディスク１の中心から
３０ｍｍの位置での相対速度が１５ｍ／ｓｅｃとなるよ
うに回転される。圧力が１５Ｔｏｒｒであると、磁気デ
ィスク１駆動部４により回転されていても、ヘッド２は
磁気ディスク１の表面と接触摺動する。
【００３５】ＡＥ素子６は、磁気ディスク１の表面に対
するＡＥを検出し、出力信号電圧をアンプ７及びＢＰＦ
８を介してＲＭＳ計９に供給する。ＡＥ素子６の検知方
向は、図５中、矢印で示す。レコーダ１０には、ＲＭＳ
計９の測定結果が出力されるので、操作者は、レコーダ
１０の出力をモニターすることで磁気ディスク１の評価
を行うことができる。
するＡＥを検出し、出力信号電圧をアンプ７及びＢＰＦ
８を介してＲＭＳ計９に供給する。ＡＥ素子６の検知方
向は、図５中、矢印で示す。レコーダ１０には、ＲＭＳ
計９の測定結果が出力されるので、操作者は、レコーダ
１０の出力をモニターすることで磁気ディスク１の評価
を行うことができる。
【００３６】ところで、レコーダ１０でモニターするべ
き周波数成分は、ＡＥ素子６の出力信号電圧の周波数成
分のうち、磁気ディスク１の表面に設けられた保護膜の
破断部前後で顕著に変化する周波数成分にする必要があ
る。このモニターするべき周波数成分は、ヘッド２と磁
気ディスク１との組み合わせで決定されるので、ヘッド
２と磁気ディスク１との組み合わせと同じ種類又は同じ
タイプの標準ヘッドと標準磁気ディスクとの組み合わせ
を用いて、標準磁気ディスクの保護膜の破断により顕著
に変化する周波数成分を予め求めておく。
き周波数成分は、ＡＥ素子６の出力信号電圧の周波数成
分のうち、磁気ディスク１の表面に設けられた保護膜の
破断部前後で顕著に変化する周波数成分にする必要があ
る。このモニターするべき周波数成分は、ヘッド２と磁
気ディスク１との組み合わせで決定されるので、ヘッド
２と磁気ディスク１との組み合わせと同じ種類又は同じ
タイプの標準ヘッドと標準磁気ディスクとの組み合わせ
を用いて、標準磁気ディスクの保護膜の破断により顕著
に変化する周波数成分を予め求めておく。
【００３７】図６は、標準磁気ディスクの保護膜が破断
される前の耐久性評価装置のＡＥ素子の出力信号電圧の
周波数成分を示す図である。又、図７は、標準磁気ディ
スクの保護膜が破断された後の耐久性評価装置のＡＥ素
子の出力信号電圧の周波数成分を示す図である。図６及
び図７において、縦軸は耐久性評価装置のＡＥ素子の出
力信号電圧の振幅をｄＢＶで示し、横軸は周波数をＭＨ
ｚで示す。図６及び図７より、この場合は約０．１ＭＨ
ｚの周波数成分が標準磁気ディスクの保護膜の破断部で
顕著に変化するので、レコーダ１０は、約０．１ＭＨｚ
の周波数成分を出力するようにする。
される前の耐久性評価装置のＡＥ素子の出力信号電圧の
周波数成分を示す図である。又、図７は、標準磁気ディ
スクの保護膜が破断された後の耐久性評価装置のＡＥ素
子の出力信号電圧の周波数成分を示す図である。図６及
び図７において、縦軸は耐久性評価装置のＡＥ素子の出
力信号電圧の振幅をｄＢＶで示し、横軸は周波数をＭＨ
ｚで示す。図６及び図７より、この場合は約０．１ＭＨ
ｚの周波数成分が標準磁気ディスクの保護膜の破断部で
顕著に変化するので、レコーダ１０は、約０．１ＭＨｚ
の周波数成分を出力するようにする。
【００３８】図８は、この場合にレコーダ１０で得られ
る出力を示す図である。図８中、縦軸はＡＥ素子６の出
力信号電圧を任意単位で示し、横軸は時間を任意単位で
示す。同図中、Ａ点で示す位置では、ＡＥ素子６の出力
信号電圧が急激に小さくなっており、このＡ点における
急激な変化から磁気ディスク１の保護膜の破断を正確に
検出することができる。従って、Ａ点のような急激な変
化が発生する時間を、標準磁気ディスクに対して同様の
処理を行って得られる時間と比較することにより、磁気
ディスク１の評価を行うことができる。
る出力を示す図である。図８中、縦軸はＡＥ素子６の出
力信号電圧を任意単位で示し、横軸は時間を任意単位で
示す。同図中、Ａ点で示す位置では、ＡＥ素子６の出力
信号電圧が急激に小さくなっており、このＡ点における
急激な変化から磁気ディスク１の保護膜の破断を正確に
検出することができる。従って、Ａ点のような急激な変
化が発生する時間を、標準磁気ディスクに対して同様の
処理を行って得られる時間と比較することにより、磁気
ディスク１の評価を行うことができる。
【００３９】次に、本発明になる磁気ディスクの耐久性
評価装置の第２実施例を説明する。図９は、磁気ディス
クの耐久性評価装置の第２実施例を示す図である。同図
中、図５と同一部分には同一符号を付し、その説明は省
略する。磁気ディスクの耐久性評価装置の第２実施例
は、磁気ディスクの耐久性評価方法の第２実施例を採用
する。
評価装置の第２実施例を説明する。図９は、磁気ディス
クの耐久性評価装置の第２実施例を示す図である。同図
中、図５と同一部分には同一符号を付し、その説明は省
略する。磁気ディスクの耐久性評価装置の第２実施例
は、磁気ディスクの耐久性評価方法の第２実施例を採用
する。
【００４０】図９において、アーム５には、ヘッド２が
磁気ディスク１とが接触している状態での磁気ディスク
１の面方向の摩擦力を検知する歪みゲージ１６が設けら
れている。歪みゲージ１６の出力信号電圧は、アンプ１
７を介してレコーダ２０に供給される。図１０は、この
場合にレコーダ２０で得られる出力を示す図である。図
１０中、縦軸は歪みゲージ１６の出力信号電圧を任意単
位で示し、横軸は時間を任意単位で示す。同図中、Ｂ点
で示す位置では、歪みゲージ１６の出力信号電圧が急激
に小さくなっており、このＢ点における急激な変化から
磁気ディスク１の保護膜の破断を正確に検出することが
できる。従って、Ｂ点のような急激な変化が発生する時
間を、標準磁気ディスクに対して同様の処理を行って得
られる時間と比較することにより、磁気ディスク１の評
価を行うことができる。
磁気ディスク１とが接触している状態での磁気ディスク
１の面方向の摩擦力を検知する歪みゲージ１６が設けら
れている。歪みゲージ１６の出力信号電圧は、アンプ１
７を介してレコーダ２０に供給される。図１０は、この
場合にレコーダ２０で得られる出力を示す図である。図
１０中、縦軸は歪みゲージ１６の出力信号電圧を任意単
位で示し、横軸は時間を任意単位で示す。同図中、Ｂ点
で示す位置では、歪みゲージ１６の出力信号電圧が急激
に小さくなっており、このＢ点における急激な変化から
磁気ディスク１の保護膜の破断を正確に検出することが
できる。従って、Ｂ点のような急激な変化が発生する時
間を、標準磁気ディスクに対して同様の処理を行って得
られる時間と比較することにより、磁気ディスク１の評
価を行うことができる。
【００４１】従って、磁気ディスクの耐久性評価方法の
第２の実施例では、上記磁気ディスクの耐久性評価方法
の第１の実施例で用いたＡＥ素子６の出力信号の代わり
に、歪みゲージ１６の出力信号を用いて磁気ディスク１
の保護膜の破断を検知する。次に、本発明になる磁気デ
ィスクの耐久性評価装置の第３実施例を説明する。図１
１は、磁気ディスクの耐久性評価装置の第３実施例を示
す図である。同図中、図５と同一部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。磁気ディスクの耐久性評価装
置の第３実施例は、磁気ディスクの耐久性評価方法の第
３実施例を採用する。
第２の実施例では、上記磁気ディスクの耐久性評価方法
の第１の実施例で用いたＡＥ素子６の出力信号の代わり
に、歪みゲージ１６の出力信号を用いて磁気ディスク１
の保護膜の破断を検知する。次に、本発明になる磁気デ
ィスクの耐久性評価装置の第３実施例を説明する。図１
１は、磁気ディスクの耐久性評価装置の第３実施例を示
す図である。同図中、図５と同一部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。磁気ディスクの耐久性評価装
置の第３実施例は、磁気ディスクの耐久性評価方法の第
３実施例を採用する。
【００４２】図１１において、アーム５には、ノードＮ
１と接続され、ヘッド２と電気的に接続された電極３１
が設けられている。又、磁気ディスク１と、駆動部４の
スピンドル４ａを介して電気的に接続された電極３２
は、ノードＮ２と接続されている。ノードＮ１とノード
Ｎ２との間には、抵抗３３及び電源３４が直列接続され
た回路部分と、レコーダ３０とが、並列に接続されてい
る。例えば、抵抗３３の抵抗値は１ｋΩであり、電源３
４の供給する電圧は１００ｍＶである。
１と接続され、ヘッド２と電気的に接続された電極３１
が設けられている。又、磁気ディスク１と、駆動部４の
スピンドル４ａを介して電気的に接続された電極３２
は、ノードＮ２と接続されている。ノードＮ１とノード
Ｎ２との間には、抵抗３３及び電源３４が直列接続され
た回路部分と、レコーダ３０とが、並列に接続されてい
る。例えば、抵抗３３の抵抗値は１ｋΩであり、電源３
４の供給する電圧は１００ｍＶである。
【００４３】磁気ディスク１の保護膜は、絶縁体からな
り、破断すると破断部分でヘッド２と磁気ディスク１と
が導通し、磁気ディスク１の電気抵抗が変化する。従っ
て、電源３４によりノードＮ１，Ｎ２間に電圧を加えな
がらヘッド２が磁気ディスク１上を接触摺動すると、保
護膜に破断が発生すると上記電気抵抗が急激に変化し、
レコーダ３０でモニターする上記電気抵抗に比例する電
圧が急激に変化する。
り、破断すると破断部分でヘッド２と磁気ディスク１と
が導通し、磁気ディスク１の電気抵抗が変化する。従っ
て、電源３４によりノードＮ１，Ｎ２間に電圧を加えな
がらヘッド２が磁気ディスク１上を接触摺動すると、保
護膜に破断が発生すると上記電気抵抗が急激に変化し、
レコーダ３０でモニターする上記電気抵抗に比例する電
圧が急激に変化する。
【００４４】図１２は、この場合にレコーダ３０で得ら
れる出力を示す図である。図１２中、縦軸はノードＮ
１，Ｎ２間の電圧を任意単位で示し、横軸は時間を任意
単位で示す。同図中、Ｃ点で示す位置では、ノードＮ
１，Ｎ２間の電圧、即ち、磁気ディスク１の電気抵抗
が、急激に小さくなっており、このＣ点における急激な
変化から磁気ディスク１の保護膜の破断を正確に検出す
ることができる。従って、Ｃ点のような急激な変化が発
生する時間を、標準磁気ディスクに対して同様の処理を
行って得られる時間と比較することにより、磁気ディス
ク１の評価を行うことができる。
れる出力を示す図である。図１２中、縦軸はノードＮ
１，Ｎ２間の電圧を任意単位で示し、横軸は時間を任意
単位で示す。同図中、Ｃ点で示す位置では、ノードＮ
１，Ｎ２間の電圧、即ち、磁気ディスク１の電気抵抗
が、急激に小さくなっており、このＣ点における急激な
変化から磁気ディスク１の保護膜の破断を正確に検出す
ることができる。従って、Ｃ点のような急激な変化が発
生する時間を、標準磁気ディスクに対して同様の処理を
行って得られる時間と比較することにより、磁気ディス
ク１の評価を行うことができる。
【００４５】従って、磁気ディスクの耐久性評価方法の
第３の実施例では、上記磁気ディスクの耐久性評価方法
の第１の実施例で用いたＡＥ素子６の出力信号の代わり
に、磁気ディスク１の電気抵抗を用いて磁気ディスク１
の保護膜の破断を検知する。尚、評価の信頼性を更に向
上するために、上記磁気ディスクの耐久性評価方法及び
装置の第１〜第３実施例のうち２以上の実施例を組み合
わせても良いことは言うまでもない。２以上の実施例を
組み合わせる場合、例えば少なくとも１つの実施例の方
法で磁気ディスク１の保護膜の破断が検知された時点
で、破断が発生したとしてこれに基づいて磁気ディスク
１の評価を行うことができる。
第３の実施例では、上記磁気ディスクの耐久性評価方法
の第１の実施例で用いたＡＥ素子６の出力信号の代わり
に、磁気ディスク１の電気抵抗を用いて磁気ディスク１
の保護膜の破断を検知する。尚、評価の信頼性を更に向
上するために、上記磁気ディスクの耐久性評価方法及び
装置の第１〜第３実施例のうち２以上の実施例を組み合
わせても良いことは言うまでもない。２以上の実施例を
組み合わせる場合、例えば少なくとも１つの実施例の方
法で磁気ディスク１の保護膜の破断が検知された時点
で、破断が発生したとしてこれに基づいて磁気ディスク
１の評価を行うことができる。
【００４６】次に、本発明になる磁気ディスクの耐久性
評価装置の第４実施例を説明する。図１３は、磁気ディ
スクの耐久性評価装置の第４実施例を示す図である。同
図（ａ）は耐久性評価装置の平面図、同図（ｂ）は耐久
性評価装置の横から見た断面図である。図１３中、制御
系の図示は省略すると共に、図５、図９及び図１１と同
一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。磁気
ディスクの耐久性評価装置の第４実施例は、磁気ディス
クの耐久性評価方法の第４実施例を採用する。本実施例
では、上記磁気ディスクの耐久性評価方法及び装置の第
１〜第３実施例を全て組み合わせている。
評価装置の第４実施例を説明する。図１３は、磁気ディ
スクの耐久性評価装置の第４実施例を示す図である。同
図（ａ）は耐久性評価装置の平面図、同図（ｂ）は耐久
性評価装置の横から見た断面図である。図１３中、制御
系の図示は省略すると共に、図５、図９及び図１１と同
一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。磁気
ディスクの耐久性評価装置の第４実施例は、磁気ディス
クの耐久性評価方法の第４実施例を採用する。本実施例
では、上記磁気ディスクの耐久性評価方法及び装置の第
１〜第３実施例を全て組み合わせている。
【００４７】図１３（ａ），（ｂ）において、減圧容器
１０３内には、ヘッド取付け台１１１や駆動部４等が装
置ベース１２１上に設けられている。アーム５は、絶縁
ブロック１１０を介してヘッド取付け台１１１に取付け
られている。排気機構１４には、真空ポンプが含まれ
る。ハロゲンランプ１１３からの光は、光ファイバ１３
０、凸レンズ１１２及び減圧容器１０３に設けられた光
入射窓１１４を介して、図１３（ｂ）に示すように、磁
気ディスク１の表面に対して約３５°の入射角度で磁気
ディスク１の表面に照射される。減圧容器１０３の外周
面又は内周面には、光入射窓１１４及び後述する反射光
観察窓１１５の部分を除いて、遮光フィルム１１６が設
けられており、光を照射された磁気ディスク１の表面部
分は、減圧容器１０３に設けられた反射光観察窓１１５
から観察することができる。この反射光観察窓１１５
は、図１３（ａ）に示すように、光の正反射方向から約
２０°ずらした位置に設けられているので、磁気ディス
ク１の表面を正確に観察することができる。
１０３内には、ヘッド取付け台１１１や駆動部４等が装
置ベース１２１上に設けられている。アーム５は、絶縁
ブロック１１０を介してヘッド取付け台１１１に取付け
られている。排気機構１４には、真空ポンプが含まれ
る。ハロゲンランプ１１３からの光は、光ファイバ１３
０、凸レンズ１１２及び減圧容器１０３に設けられた光
入射窓１１４を介して、図１３（ｂ）に示すように、磁
気ディスク１の表面に対して約３５°の入射角度で磁気
ディスク１の表面に照射される。減圧容器１０３の外周
面又は内周面には、光入射窓１１４及び後述する反射光
観察窓１１５の部分を除いて、遮光フィルム１１６が設
けられており、光を照射された磁気ディスク１の表面部
分は、減圧容器１０３に設けられた反射光観察窓１１５
から観察することができる。この反射光観察窓１１５
は、図１３（ａ）に示すように、光の正反射方向から約
２０°ずらした位置に設けられているので、磁気ディス
ク１の表面を正確に観察することができる。
【００４８】尚、ハロゲンランプ１１３、光ファイバ１
３０、凸レンズ１１２等は、減圧容器１０３内に設けて
も良い。図１４は、駆動部４の一実施例を示す一部を断
面で示す側面図である。同図中、駆動部４は、モータ内
蔵型の磁気軸受けスピンドルを備える。駆動部４は、大
略スピンドルハウジング４０１と、モータコイルハウジ
ング４０２と、内蔵モータ部４０３と、スピンドル部４
０４と、磁気軸受け部４０５と、段差部４０６と、接触
部４０７とからなる。スピンドルハウジング４０１及び
モータコイルハウジング４０２は、夫々アルミニウム、
アルミニウム合金、銅、銅合金等の熱伝導率の高い材料
からなる。スピンドルハウジング４０１が図１３（ｂ）
に示す装置ベース１２１と接触する接触部４０７は、大
きく設定されており、モータコイルハウジング４０２と
スピンドルハウジング４０１との段差部４０６には真空
グリースが充填される。
３０、凸レンズ１１２等は、減圧容器１０３内に設けて
も良い。図１４は、駆動部４の一実施例を示す一部を断
面で示す側面図である。同図中、駆動部４は、モータ内
蔵型の磁気軸受けスピンドルを備える。駆動部４は、大
略スピンドルハウジング４０１と、モータコイルハウジ
ング４０２と、内蔵モータ部４０３と、スピンドル部４
０４と、磁気軸受け部４０５と、段差部４０６と、接触
部４０７とからなる。スピンドルハウジング４０１及び
モータコイルハウジング４０２は、夫々アルミニウム、
アルミニウム合金、銅、銅合金等の熱伝導率の高い材料
からなる。スピンドルハウジング４０１が図１３（ｂ）
に示す装置ベース１２１と接触する接触部４０７は、大
きく設定されており、モータコイルハウジング４０２と
スピンドルハウジング４０１との段差部４０６には真空
グリースが充填される。
【００４９】磁気ディスク１の直径が小さい場合、磁気
ヘッド２と磁気ディスク１との間の相対速度を大きくす
るためには、磁気ディスク１の回転数を高くする必要が
ある。しかし、メカニカル軸受けを用いたスピンドルで
は、回転数が約１０，０００ｒｐｍ程度となると、振れ
が大きくなり、磁気ディスク１の面振れが非常に大きく
なってしまう。更に、発熱に対する対策や、減圧状態に
保つために必要な回転部の磁気シールド対策が難しい。
従って、メカニカル軸受けを用いたスピンドルは、磁気
ディスク１の耐久性評価には不向きである。又、エアー
軸受けを用いたスピンドルの場合、回転数が高くなって
も振れは少ないものの、減圧容器１０３内でエアーを吹
き出すわけにはいかないので、これも磁気ディスク１の
耐久性評価には不向きである。
ヘッド２と磁気ディスク１との間の相対速度を大きくす
るためには、磁気ディスク１の回転数を高くする必要が
ある。しかし、メカニカル軸受けを用いたスピンドルで
は、回転数が約１０，０００ｒｐｍ程度となると、振れ
が大きくなり、磁気ディスク１の面振れが非常に大きく
なってしまう。更に、発熱に対する対策や、減圧状態に
保つために必要な回転部の磁気シールド対策が難しい。
従って、メカニカル軸受けを用いたスピンドルは、磁気
ディスク１の耐久性評価には不向きである。又、エアー
軸受けを用いたスピンドルの場合、回転数が高くなって
も振れは少ないものの、減圧容器１０３内でエアーを吹
き出すわけにはいかないので、これも磁気ディスク１の
耐久性評価には不向きである。
【００５０】これに対し、図１４に示す駆動部４によれ
ば、駆動部４の発熱を効率良く外部へ放出でき、磁気デ
ィスク１の温度上昇を防ぐことができる。又、磁気ディ
スク１の面振れを非常に小さく保ちながら、磁気ディス
ク１を高速回転させることができる。更に、安定した磁
気ディスク１の高速回転が可能であるため、ヘッド２と
磁気ディスク１との間の相対速度を高く設定して、小径
の磁気ディスク１であっても高い信頼性で耐久性評価を
行えると共に、耐久性評価時間を大幅に短縮可能であ
る。
ば、駆動部４の発熱を効率良く外部へ放出でき、磁気デ
ィスク１の温度上昇を防ぐことができる。又、磁気ディ
スク１の面振れを非常に小さく保ちながら、磁気ディス
ク１を高速回転させることができる。更に、安定した磁
気ディスク１の高速回転が可能であるため、ヘッド２と
磁気ディスク１との間の相対速度を高く設定して、小径
の磁気ディスク１であっても高い信頼性で耐久性評価を
行えると共に、耐久性評価時間を大幅に短縮可能であ
る。
【００５１】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言う
までもない。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言う
までもない。
【００５２】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、第１のヘ
ッドの第１の磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態
が安定する条件下で第２の磁気ディスクを評価するの
で、耐久性の評価を短時間で、且つ、正確に行うことが
できる。請求項２記載の発明によれば、第２の磁気ディ
スクの耐久性を、これと同種類又は同タイプの第１の磁
気ディスクに対して予め求めておいた条件下で評価する
ので、短時間で信頼性の高い耐久性の評価を行うことが
できる。
ッドの第１の磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態
が安定する条件下で第２の磁気ディスクを評価するの
で、耐久性の評価を短時間で、且つ、正確に行うことが
できる。請求項２記載の発明によれば、第２の磁気ディ
スクの耐久性を、これと同種類又は同タイプの第１の磁
気ディスクに対して予め求めておいた条件下で評価する
ので、短時間で信頼性の高い耐久性の評価を行うことが
できる。
【００５３】請求項３記載の発明によれば、第２の磁気
ディスクの表面に設けられた保護膜の破断を短時間で、
高い信頼性をもって検出することができる。請求項４記
載の発明によれば、第２のヘッドの第２の磁気ディスク
の表面に対する接触摺動状態が安定する条件又は第２の
磁気ディスクの耐久性が相対速度によって変化しない条
件下で第２の磁気ディスクを評価することができる。
ディスクの表面に設けられた保護膜の破断を短時間で、
高い信頼性をもって検出することができる。請求項４記
載の発明によれば、第２のヘッドの第２の磁気ディスク
の表面に対する接触摺動状態が安定する条件又は第２の
磁気ディスクの耐久性が相対速度によって変化しない条
件下で第２の磁気ディスクを評価することができる。
【００５４】請求項５記載の発明によれば、比較的簡単
に、且つ、正確に第２の磁気ディスクの表面を観察する
ことができる。請求項６記載の発明によれば、第２の磁
気ディスクの駆動部からの発熱を外部へ効率良く放出し
て第２の磁気ディスクの温度上昇を防止することがで
き、第２の磁気ディスクの面振れを抑さえて高速回転す
ることができ、短時間で耐久性の評価を行うことができ
る。
に、且つ、正確に第２の磁気ディスクの表面を観察する
ことができる。請求項６記載の発明によれば、第２の磁
気ディスクの駆動部からの発熱を外部へ効率良く放出し
て第２の磁気ディスクの温度上昇を防止することがで
き、第２の磁気ディスクの面振れを抑さえて高速回転す
ることができ、短時間で耐久性の評価を行うことができ
る。
【００５５】請求項７記載の発明によれば、第１のヘッ
ドの第１の磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態が
安定する条件下で第２の磁気ディスクを評価するので、
耐久性の評価を短時間で、且つ、正確に行うことができ
る。請求項８記載の発明によれば、第２の磁気ディスク
の耐久性を、これと同種類又は同タイプの第１の磁気デ
ィスクに対して予め求めておいた条件下で評価するの
で、短時間で信頼性の高い耐久性の評価を行うことがで
きる。
ドの第１の磁気ディスクの表面に対する接触摺動状態が
安定する条件下で第２の磁気ディスクを評価するので、
耐久性の評価を短時間で、且つ、正確に行うことができ
る。請求項８記載の発明によれば、第２の磁気ディスク
の耐久性を、これと同種類又は同タイプの第１の磁気デ
ィスクに対して予め求めておいた条件下で評価するの
で、短時間で信頼性の高い耐久性の評価を行うことがで
きる。
【００５６】請求項９記載の発明によれば、第２の磁気
ディスクの表面に設けられた保護膜の破断を短時間で、
高い信頼性をもって検出することができる。請求項１０
記載の発明によれば、第２のヘッドの第２の磁気ディス
クの表面に対する接触摺動状態が安定する条件又は第２
の磁気ディスクの耐久性が相対速度によって変化しない
条件下で第２の磁気ディスクを評価することができる。
ディスクの表面に設けられた保護膜の破断を短時間で、
高い信頼性をもって検出することができる。請求項１０
記載の発明によれば、第２のヘッドの第２の磁気ディス
クの表面に対する接触摺動状態が安定する条件又は第２
の磁気ディスクの耐久性が相対速度によって変化しない
条件下で第２の磁気ディスクを評価することができる。
【００５７】請求項１１記載の発明によれば、比較的簡
単に、且つ、正確に第２の磁気ディスクの表面を観察す
ることができる。請求項１２記載の発明によれば、第２
の磁気ディスクの駆動部からの発熱を外部へ効率良く放
出して第２の磁気ディスクの温度上昇を防止することが
でき、第２の磁気ディスクの面振れを抑さえて高速回転
することができ、短時間で耐久性の評価を行うことがで
きる。
単に、且つ、正確に第２の磁気ディスクの表面を観察す
ることができる。請求項１２記載の発明によれば、第２
の磁気ディスクの駆動部からの発熱を外部へ効率良く放
出して第２の磁気ディスクの温度上昇を防止することが
でき、第２の磁気ディスクの面振れを抑さえて高速回転
することができ、短時間で耐久性の評価を行うことがで
きる。
【００５８】従って、本発明によれば、ヘッドの磁気デ
ィスクの表面に対する接触摺動状態が安定する条件下で
磁気ディスクを評価するので、耐久性の評価を短時間
で、且つ、正確に行うことができる。
ィスクの表面に対する接触摺動状態が安定する条件下で
磁気ディスクを評価するので、耐久性の評価を短時間
で、且つ、正確に行うことができる。
【図１】本発明になる磁気ディスクの耐久性評価方法の
第１実施例の評価条件を求める処理を説明するためのフ
ローチャートである。
第１実施例の評価条件を求める処理を説明するためのフ
ローチャートである。
【図２】耐久性評価装置内の圧力とＡＥ素子の出力信号
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図３】標準ヘッドと標準磁気ディスクとの間の相対速
度と、標準磁気ディスクの耐久性との関係を示す図であ
る。
度と、標準磁気ディスクの耐久性との関係を示す図であ
る。
【図４】磁気ディスクの耐久性評価方法の第１実施例に
おける評価処理を説明するフローチャートである。
おける評価処理を説明するフローチャートである。
【図５】本発明になる磁気ディスクの耐久性評価装置の
第１実施例を示す図である。
第１実施例を示す図である。
【図６】標準磁気ディスクの保護膜が破断される前の耐
久性評価装置のＡＥ素子の出力信号電圧の周波数成分を
示す図である。
久性評価装置のＡＥ素子の出力信号電圧の周波数成分を
示す図である。
【図７】標準磁気ディスクの保護膜が破断された後の耐
久性評価装置のＡＥ素子の出力信号電圧の周波数成分を
示す図である。
久性評価装置のＡＥ素子の出力信号電圧の周波数成分を
示す図である。
【図８】レコーダで得られる出力を示す図である。
【図９】本発明になる磁気ディスクの耐久性評価装置の
第２実施例を示す図である。
第２実施例を示す図である。
【図１０】レコーダで得られる出力を示す図である。
【図１１】本発明になる磁気ディスクの耐久性評価装置
の第３実施例を示す図である。
の第３実施例を示す図である。
【図１２】レコーダで得られる出力を示す図である。
【図１３】本発明になる磁気ディスクの耐久性評価装置
の第４実施例を示す図である。
の第４実施例を示す図である。
【図１４】駆動部の一実施例の一部を断面で示す側面図
である。
である。
１ 磁気ディスク ２ ヘッド ３ コントローラ ４ 駆動部 ５ アーム ６ ＡＥ素子 ７ アンプ ８ ＢＰＦ ９ ＲＭＳ計 １０，２０，３０ レコーダ １２ 操作部 １３ 真空計 １４ 排気機構 １６ 歪みゲージ ３１，３２ 電極 ３３ 抵抗 ３４ 電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井垣 誠吾 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 亀山 正毅 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 第１のヘッドの第１の磁気ディスクの表
面に対する接触摺動状態が安定する条件を求める第１の
ステップと、 該条件下で第２のヘッドを第２の磁気ディスクの表面と
接触摺動させて該第２の磁気ディスクの耐久性評価を行
う第２のステップとを含む、磁気ディスクの耐久性評価
方法。 - 【請求項２】 前記第１のヘッド及び第１の磁気ディス
クは夫々第２のヘッド及び第２の磁気ディスクとは同種
類又は同タイプであり、第１のステップは前記条件を予
め求めておく、請求項１記載の磁気ディスクの耐久性評
価方法。 - 【請求項３】 前記第２のステップは、前記第２の磁気
ディスクの表面に対するアクースティックエミッション
（ＡＥ）の検出と、前記第２のヘッドと該第２の磁気デ
ィスク間の摩擦力の検出と、該第２のヘッドと該第２の
磁気ディスク間の電気抵抗の検出とのうち、少なくとも
１つの検出の結果に基づいて該第２の磁気ディスクの表
面に設けられた保護膜の破断を検出する、請求項１又は
２記載の磁気ディスクの耐久性評価方法。 - 【請求項４】 前記条件は、前記第１のヘッド及び前記
第１の磁気ディスクが収容された密閉容器内の圧力のう
ち前記接触摺動状態が安定する圧力、及び該第１のヘッ
ドと該第１の磁気ディスクとの間の相対速度のうち該第
１の磁気ディスクの耐久性が変化しない相対速度のう
ち、少なくとも一方である、請求項１〜３のいずれか１
項記載の磁気ディスクの耐久性評価方法。 - 【請求項５】 前記第２のステップは、前記第２の磁気
ディスクの表面に対して斜めに光を照射し、該光の正反
射光路からずれた位置で該第２の磁気ディスクの表面を
観察するステップを含む、請求項１〜４のいずれか１項
記載の磁気ディスクの耐久性評価方法。 - 【請求項６】 前記第２のステップは、モータ内蔵型の
磁気軸受けスピンドルにより前記第２の磁気ディスクを
回転する、請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気ディ
スクの耐久性評価方法。 - 【請求項７】 第１のヘッドの第１の磁気ディスクの表
面に対する接触摺動状態が安定する条件を予め求めてお
き、 該条件下で第２のヘッドを第２の磁気ディスクの表面と
接触摺動させる第１の手段と、 該第２の磁気ディスクの耐久性評価を行う第２の手段と
を備えた、磁気ディスクの耐久性評価装置。 - 【請求項８】 前記第１のヘッド及び第１の磁気ディス
クは夫々第２のヘッド及び第２の磁気ディスクとは同種
類又は同タイプであり、前記条件は耐久性評価装置によ
り予め求めておく、請求項７記載の磁気ディスクの耐久
性評価装置。 - 【請求項９】 前記第２の手段は、前記第２の磁気ディ
スクの表面に対するアクースティックエミッション（Ａ
Ｅ）を検出する検出手段と、前記第２のヘッドと該第２
の磁気ディスク間の摩擦力を検出する検出手段と、該第
２のヘッドと該第２の磁気ディスク間の電気抵抗を検出
する検出手段とのうち、少なくとも１つの検出手段の検
出結果に基づいて該第２の磁気ディスクの表面に設けら
れた保護膜の破断を検出する、請求項７又は８記載の磁
気ディスクの耐久性評価装置。 - 【請求項１０】 前記条件は、前記第１のヘッド及び前
記第１の磁気ディスクが収容された密閉容器内の圧力の
うち前記接触摺動状態が安定する圧力、及び該第１のヘ
ッドと該第１の磁気ディスクとの間の相対速度のうち該
第１の磁気ディスクの耐久性が変化しない相対速度のう
ち、少なくとも一方である、請求項７〜９のいずれか１
項記載の磁気ディスクの耐久性評価装置。 - 【請求項１１】 前記第２の手段は、前記第２の磁気デ
ィスクの表面に対して斜めに光を照射し、該光の正反射
光路からずれた位置で該第２の磁気ディスクの表面を観
察する手段を含む、請求項７〜１０のいずれか１項記載
の磁気ディスクの耐久性評価装置。 - 【請求項１２】 前記第２の手段は、前記第２の磁気デ
ィスクを回転するモータ内蔵型の磁気軸受けスピンドル
を有する、請求項７〜１１のいずれか１項記載の磁気デ
ィスクの耐久性評価装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9065124A JPH10261201A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 磁気ディスクの耐久性評価方法及び装置 |
| US08/965,638 US5993982A (en) | 1997-03-18 | 1997-11-06 | Method and apparatus for evaluating durability of magnetic disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9065124A JPH10261201A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 磁気ディスクの耐久性評価方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261201A true JPH10261201A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13277823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9065124A Withdrawn JPH10261201A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 磁気ディスクの耐久性評価方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5993982A (ja) |
| JP (1) | JPH10261201A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100947230B1 (ko) | 2003-09-16 | 2010-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크 표면의 기계적 내구성 검사 장치 및 방법 |
| JP2021032287A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 日立Ｇｅニュークリア・エナジー株式会社 | 状態監視システムおよび方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5911578A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-21 | Hitachi Ltd | デイスクヘツドの浮動安定性評価方法及び同装置 |
| JPH0668801B2 (ja) * | 1985-08-28 | 1994-08-31 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録装置 |
| JPH0673183B2 (ja) * | 1987-01-30 | 1994-09-14 | 日本電信電話株式会社 | 磁気デイスク記録媒体の耐久性試験方法および試験装置 |
| JPH076855B2 (ja) * | 1989-02-01 | 1995-01-30 | 小野田セメント株式会社 | 動摩擦力試験装置 |
| JPH02306136A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置の耐久性試験方法 |
| JPH0353146A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Fujitsu Ltd | ディスク状記録媒体の耐久性試験方法 |
| JP2907925B2 (ja) * | 1990-03-12 | 1999-06-21 | 富士通株式会社 | ディスク装置 |
| JPH04155620A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスクの耐久性評価方法 |
| JPH04366746A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-18 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体耐久性評価装置 |
| JPH05142103A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-08 | Fujitsu Ltd | 磁気デイスクの耐久試験装置 |
| JPH05182386A (ja) * | 1992-01-07 | 1993-07-23 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッドの取付け方法 |
| JPH05264408A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-12 | Fujitsu Ltd | 薄膜の耐久性評価方法および評価装置 |
-
1997
- 1997-03-18 JP JP9065124A patent/JPH10261201A/ja not_active Withdrawn
- 1997-11-06 US US08/965,638 patent/US5993982A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7864643B2 (en) | 2003-09-15 | 2011-01-04 | Lg Electronics Inc. | Apparatus and method for testing mechanical endurance of surface of optical disc, the optical disc of same kind as the tested optical disc |
| KR100947230B1 (ko) | 2003-09-16 | 2010-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크 표면의 기계적 내구성 검사 장치 및 방법 |
| JP2021032287A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 日立Ｇｅニュークリア・エナジー株式会社 | 状態監視システムおよび方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5993982A (en) | 1999-11-30 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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