JPH10256894A - 近接センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 近接センサにおいて、動作距離の応差を大き
くすることなくチャタリングを防止できるようにするこ
と。 【解決手段】 発振回路２１の出力を周波数弁別回路２
によって振幅に変換し、比較回路３で比較する。比較回
路３により閾値Ｖ_ONを越えれば発振回路２１の共振回路
のコイルＬ１に直流電流を重畳し、発振周波数を低下さ
せる。周波数弁別出力が閾値Ｖ_OFF 以上となれば直流電
流を停止する。こうすれば動作距離の応差を大きくする
ことなく比較回路３のヒステリシスを大きくすることが
でき、チャタリングを防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は発振周波数又は発振
振幅の変化によって近接する金属体を検出する近接セン
サに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来高周波発振型の近接センサには、一
定の周波数で発振を行い金属体の接近によって発振の振
幅の変化を検出する振幅検出型近接センサと、発振周波
数の変化を検出する周波数変化型近接センサがある。図
１４は従来の周波数変化型近接センサの一例を示すブロ
ック図である。本図においてコイルとコンデンサから成
るタンク回路に発振回路１が接続される。そして発振回
路１にはその発振周波数の変化を振幅レベルの変化に変
換するための周波数弁別回路２が接続される。そして振
幅の変化を比較回路３によって所定の閾値と比較するこ
とにより物体検知信号を得て出力回路４より出力するよ
うにしている。定電圧回路５は各部に定電圧を供給する
ものである。この周波数弁別回路２は、例えば図１５に
示すように、周波数が高くなれば振幅レベルが低下する
ローパスフィルタ、又はこれと逆の特性を有するハイパ
スフィルタや、周波数を直接電圧信号に変換するＦ／Ｖ
変換回路が用いられ、周波数をそれに対応する電圧信号
に変換している。そして検出体までの距離Ｌと発振周波
数との関係は、図１６（ａ）に示すように検出体がアル
ミニウムの場合、検出体が近づくにつれて発振周波数が
上昇する特性となる。図１６（ｂ）は周波数弁別回路２
の出力と検出体までの距離Ｌの関係を示すグラフであ
る。比較回路３にはあらかじめヒステリシスを有する閾
値を設定しておくことにより、振幅レベルにより検出体
との距離を検出することができる。

【０００３】図１７は従来の振幅検出型近接センサの一
例を示すブロック図である。振幅検出型近接センサは発
振コイルを有する発振回路１１とその振幅を検出する比
較回路１２を有しており、所定の閾値レベルで発振振幅
を弁別して出力回路１３を介して物体検知信号を出力す
るものである。図１８（ａ），（ｂ）は検出体までの距
離に対するコンダクタンス及び発振振幅の変化を示して
おり、検出体が接近するとコイルのコンダクタンスが変
化して振幅が低下する。従って閾値レベルによって振幅
を比較して検出信号を得ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このように比較回路３
にＶ_ON，Ｖ_OFF とヒステリシスを設けて検出信号のオン
オフを行っている。しかし図１６（ｂ）に示すように検
出信号がオンするときとオフするときとの出力振幅の差
が小さいため、比較回路３に微小なヒステリシスを必要
とする。又このヒステリシスを大きくするためには動作
距離Ｌ_ON，Ｌ_OFFの差（以下、応差という）を大きくす
る必要がある。動作距離Ｌ_ON，Ｌ_OFF の差を小さく保っ
たままではヒステリシスが小さくなるため、チャタリン
グが起こり易くなるという欠点があった。又動作距離を
調整する際に比較回路の閾値を変化させることによって
設定しているが、微妙な調整がしにくいという欠点があ
った。

【０００５】又振幅検出型の近接センサにおいても検出
スイッチを高感度化し、遠方の物体を検出しようとすれ
ば、微小な振幅変化を検出する必要がある。この場合も
応差を小さくしようとすると、比較回路１２の閾値Ｖ_ON
とＶ_OFF の差が小さくなってヒステリシスを設けること
は難しくなり、検出信号のチャタリングが起こり易くな
るという問題点があった。

【０００６】本発明はこのような従来の問題点に着目し
てなされたものであって、発振回路の発振周波数や振幅
を変化させることによって比較手段のヒステリシスを大
きくすると共に、動作距離の調整を高精度に行えるよう
にすることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、発振コイルを有する発振回路と、前記発振回路の発
振周波数を弁別する周波数弁別手段と、前記周波数弁別
手段の出力を所定の閾値レベルと比較する比較手段と、
前記比較手段の比較出力に基づいて前記発振回路の発振
コイルに重畳する直流電流を制御することにより発振周
波数を制御する直流電流制御回路と、を具備することを
特徴とするものである。

【０００８】本願の請求項２の発明は、請求項１の近接
センサにおいて、前記直流電流制御回路は、前記比較手
段の出力に基づいて直流電流を断続することを特徴とす
るものである。

【０００９】本願の請求項３の発明は、発振コイルを有
する発振回路と、前記発振回路の発振周波数を弁別する
周波数弁別手段と、前記周波数弁別手段の出力を所定の
閾値レベルと比較する比較手段と、前記発振回路の発振
コイルに重畳する直流電流を制御することによって動作
距離を制御する直流電流制御回路と、を具備することを
特徴とするものである。

【００１０】本願の請求項４の発明は、発振コイルを有
する発振回路と、前記発振回路の発振振幅を所定の閾値
レベルと比較する比較手段と、前記比較手段の比較出力
に基づいて前記発振回路の発振コイルに重畳する直流電
流を制御することにより発振振幅を制御する直流電流制
御回路と、を具備することを特徴とするものである。

【００１１】本願の請求項５の発明は、請求項４の近接
センサにおいて、前記直流電流制御回路は、前記比較回
路の出力に基づいて直流電流を断続することを特徴とす
るものである。

【００１２】本願の請求項６の発明は、発振コイルを有
する発振回路と、前記発振回路の発振振幅を所定の閾値
レベルと比較する比較手段と、前記発振回路の発振コイ
ルに重畳する直流電流を制御することによって動作距離
を制御する直流電流制御回路と、を具備することを特徴
とするものである。

【００１３】このような特徴を有する本願の請求項１，
２の発明によれば、発振回路の発振周波数を周波数弁別
手段により弁別し、比較手段により所定閾値と比較する
ようにしている。そして比較手段より出力が得られれば
直流電流制御回路により発振コイルに直流電流を重畳す
る。こうすれば発振回路の発振周波数が低下するため、
周波数弁別手段の出力は上昇する。このため比較手段の
ヒステリシスを大きくすることなく動作を安定化するこ
とができる。

【００１４】又請求項３の発明によれば、直流電流制御
回路により重畳する直流電流を連続して変化させること
により、物体までの距離に対する発振周波数の特性が変
化する。そのため比較手段の閾値を変更することなく動
作距離を調整することができる。

【００１５】又請求項４，５の発明によれば、発振回路
の発振振幅を比較手段により所定閾値と比較するように
している。そして比較手段より出力が得られなければ直
流電流制御回路により発振コイルに直流電流を重畳し、
出力が得られると重畳を停止する。こうすれば発振回路
の発振振幅は上昇する。このため比較手段のヒステリシ
スを大きくすることなく動作を安定化することができ
る。

【００１６】又請求項６の発明によれば、直流電流制御
回路により重畳する直流電流を連続して変化させること
により、物体までの距離に対する発振振幅の特性が変化
する。そのため比較手段の閾値を変更することなく動作
距離を調整することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態
による高周波発振型近接センサの全体構成を示すブロッ
ク図であり、従来例と同一部分は同一符号を付してい
る。本図において発振回路２１は後述するようにスイッ
チング信号によって発振周波数をわずかに変化させるこ
とができる発振回路であり、発振出力は周波数弁別回路
２に与えられる。比較回路３は従来例のものよりヒステ
リシスを大きくしたものであり、出力回路４及び定電圧
回路５の構成については前述した従来例と同様である。
そして比較回路３の出力は直流電流制御回路２２にも与
えられる。直流電流制御回路２２は比較回路３の比較出
力によって発振回路２１に接続される共振回路のコイル
に重畳する直流電流を変化させるものである。

【００１８】次にこの発振回路の構成について説明す
る。図２（ａ）は発振回路２１と直流電流制御回路２２
の一例を示す回路図である。この発振回路はコルピッツ
発振回路を示しており、発振コイルＬ１に並列にコンデ
ンサＣ１，Ｃ２が接続される。そしてコイルＬ１及びコ
ンデンサＣ１の共通接続端と電源との間にＰＮＰ型トラ
ンジスタＱ１と抵抗Ｒ１が接続される。トランジスタＱ
１のベースには抵抗Ｒ２，Ｒ３の分圧回路が接続され
る。又そのエミッタより抵抗Ｒ４を介してコンデンサＣ
１，Ｃ２の共通接続端に帰還するように構成されてい
る。更に直流電流制御回路２２は定電流源２２ａとアナ
ログスイッチ等のスイッチ手段２２ｂを有し、比較回路
３により物体が検出されてオン状態となったときにスイ
ッチ手段２２ｂを閉成し、発振コイルＬ１に一定の直流
電流を供給し、オフ状態でスイッチ手段２２ｂを開放す
るように構成されている。

【００１９】図２（ｂ）は発振回路２１と直流電流制御
回路２２の他の例を示す図である。この発振回路２１は
トランジスタＱ２，Ｑ３のエミッタが夫々抵抗Ｒ５，Ｒ
６を介して接続されており、その中点に抵抗Ｒ７を介し
てコンデンサＣ１，Ｃ２の中点が接続される。そしてコ
ンデンサＣ１と発振コイルＬ１の共通接続端が夫々コン
デンサＣ３，Ｃ４を介してトランジスタＱ２，Ｑ３のベ
ースに接続されるように構成される。又電源と接地端間
には抵抗Ｒ８、２つのダイオードＤ１，Ｄ２、抵抗Ｒ９
が直列に接続されており、抵抗Ｒ８とダイオードＤ１、
及び抵抗Ｒ９とダイオードＤ９の共通接続端にトランジ
スタＱ２，Ｑ３のベースが接続されてベースの電位を一
定に保っている。その他の構成は図２（ａ）の発振回路
と同様であり、直流電流制御回路２２によって発振コイ
ルＬ１に流す直流電流を制御するようにしている。

【００２０】図３（ａ）は発振コイルＬ１に流れる直流
電流とこの電流に対する発振コイルＬ１のインダクタン
スＬの変化率を示すグラフであり、図３（ｂ）は発振コ
イルのコンダクタンスｇの変化を示すグラフである。こ
れらの図に示すように直流電流が増加するとインダクタ
ンスＬ及びコンダクタンスｇが増加する。インダクタン
スＬの増加により発振周波数は低下し、コンダクタンス
ｇの増加により発振周波数は上昇するが、発振周波数に
与えるインダクタンスの影響が大きいため、直流電流を
増加することにより発振周波数を減少させることができ
る。図４は図２（ａ）の発振回路において、発振コイル
Ｌ１に流す直流電流の変化に対する発振周波数の変化の
一例を示すグラフである。本図に示すように直流電流に
応じて発振周波数が低下している。

【００２１】図５（ａ）は物体までの距離に対する発振
周波数の変化、（ｂ）は周波数弁別回路２の出力の変化
を示すグラフであり、夫々曲線Ａ，Ｃは直流電流が重畳
されていない場合、曲線Ｂ，Ｄは直流電流が重畳されて
いる場合を示す。物体の非検知時には直流電流を流して
おらず、曲線Ａに沿って発振周波数が変化する。この場
合には周波数弁別回路２の出力も曲線Ｃに沿って変化す
る。そして物体が距離Ｌ_ONに達すると発振周波数の弁別
出力がＶ_ONとなり、比較回路３より物体が接近したこと
が検出される。このとき比較出力は直流電流制御回路２
２にも与えられる。そうすればスイッチ手段２２ｂがオ
ンとなり、発振回路２１の発振コイルＬ１に直流電流を
重畳する。こうすれば図５（ａ），（ｂ）に示す曲線
Ｂ，Ｄに移動し、発振周波数が低下する。これにより物
体が距離Ｌ_ONより離れてもＬ_OFF に達するまではオン状
態が保持されることとなる。このように発振コイルＬ１
に流す直流電流をオンオフすることで、発振周波数にヒ
ステリシスを設けることができる。このため動作距離の
応差を大きくすることなく、即ちＬ_ONとＬ_OFF との差を
従来例と同一に保ったままで、出力振幅の差を大きくす
ることができ、比較回路３のヒステリシス（Ｖ_OFF −Ｖ
_ON）を大きくすることができる。このように比較回路３
のヒステリシスが大きくできるため、ヒステリシスの設
定に余裕ができ、チャタリングの防止効果も得られる。

【００２２】次に本発明の第２の実施の形態による高周
波発振型近接センサについて図６のブロック図を用いて
説明する。この実施の形態による近接センサは直流電流
制御回路として定電流回路２３とその電流値を制御する
電流値調整回路２４を設けている。電流値調整回路２４
は発振コイルＬ１に重畳する直流電流を連続的に変化さ
せることによって検出体までの距離を調整できるように
したものである。前述したように電流値によって発振周
波数が変化するため、図７の曲線Ｅ〜Ｆに示すように電
流値調整回路２４により重畳する直流電流を変化させる
ことにより、検出体までの検出距離Ｌ_ON1 〜Ｌ_ON3 を調
整することができる。尚図７ではＶ_ONについてのみ示し
ているが、比較回路３のヒステリシスによりＶ_ONよりわ
ずかに高いレベルにＶ_OFF があり、このレベルを越える
とオフとなる。この場合には比較回路３の閾値を変化さ
せて動作距離を調整する場合に比べて、電流の調整を正
確に行うことにより検出距離の微調整が可能となる。又
比較回路３の閾値の調整と組合せることで検出距離の調
整範囲を大きくし、同時に微調整が可能となる。

【００２３】次に本発明の第３の実施の形態について説
明する。図８は本発明による第３の実施の形態による振
幅検出型の近接センサの全体構成を示すブロック図であ
る。本図において、発振回路３１は後述するスイッチン
グ信号によって発振振幅を変化させることができる発振
回路であり、発振出力は比較回路１２に与えられる。比
較回路１２は従来例のものよりヒステリシスを大きくし
た比較回路であり、発振振幅を閾値Ｖ_ON，Ｖ_OFF で弁別
して物体検知信号を出力し、出力回路より検出信号とし
て出力する。又比較回路１２の出力は出力回路４及び直
流電流制御回路３２に与えられる。直流電流制御回路３
２は比較回路１２からの出力によって発振回路３１に接
続される検出コイルに重畳する直流電流を変化させるも
のである。

【００２４】次にこの発振回路の構成について説明す
る。図９（ａ）は発振回路３１と直流電流制御回路３２
の一例を示す回路図である。この発振回路はコルピッツ
発振回路を示しており、発振コイルＬ１に並列にコンデ
ンサＣ１，Ｃ２が接続される。そしてコイルＬ１及びコ
ンデンサＣ１の共通接続端と電源との間にＰＮＰ型トラ
ンジスタＱ１と抵抗Ｒ１が接続される。トランジスタＱ
１のベースには抵抗Ｒ２，Ｒ３の分圧回路が接続され
る。又そのエミッタより抵抗Ｒ４を介してコンデンサＣ
１，Ｃ２の共通接続端に帰還するように構成されてい
る。更に直流電流制御回路３２は定電流源３２ａとアナ
ログスイッチ等のスイッチ手段３２ｂを有している。そ
して図２に示す直流電流制御回路２２と異なり、比較回
路１２により物体が検出されてオン状態となったときに
スイッチ手段３２ｂを開放し、比較回路１２によって物
体が検出されない状態（オフ状態）でスイッチ手段３２
ｂを閉成して発振コイルＬ１に一定の直流電流を供給す
るように構成されている。

【００２５】図９（ｂ）は発振回路３１と直流電流制御
回路３２の他の例を示す図である。この発振回路３１は
トランジスタＱ２，Ｑ３のエミッタが夫々抵抗Ｒ５，Ｒ
６を介して接続されており、その中点に抵抗Ｒ７を介し
てコンデンサＣ１，Ｃ２の中点が接続される。そしてコ
ンデンサＣ１と発振コイルＬ１との共通接続端が夫々コ
ンデンサＣ３，Ｃ４を介してトランジスタＱ２，Ｑ３の
ベースに接続されるように構成される。又電源と接地端
間には抵抗Ｒ８、２つのダイオードＤ１，Ｄ２、抵抗Ｒ
９が直列に接続されており、抵抗Ｒ８とダイオードＤ
１、及び抵抗Ｒ９とダイオードＤ９の共通接続端にトラ
ンジスタＱ２，Ｑ３のベースが接続されてベースの電位
を一定に保っている。その他の構成は図２（ａ）の発振
回路と同様であり、直流電流制御回路３２によって発振
コイルＬ１に流す直流電流を制御するようにしている。

【００２６】図９に示す発振回路３１においても図３
（ｂ）と同様に、発振コイルＬ１に流れる直流電流が増
加すると発振コイルＬ１のコンダクタンスＬがこれに応
じて増加し、コンダクタンスが増加すれば発振振幅が低
下する。そして直流電流を減少させてコンダクタンスを
低下させれば、振幅が上昇する。図１０は図９（ａ）の
発振回路３１における直流電流と発振振幅の関係を示す
グラフである。又図１１（ａ），（ｂ）は検出距離に対
するコンダクタンスと振幅の変化を示すグラフである。
本図において曲線Ｇ，Ｉは直流電流が重畳されている場
合、曲線Ｈ，Ｊは直流電流が重畳されていない場合を示
す。物体の非検知時には検出コイルに直流電流を流して
おり、曲線Ｇに沿ってコンダクタンスが変化し、発振振
幅は曲線Ｉに沿って変化する。そして物体が距離Ｌ_ONに
達すると発振振幅がＶ_ONとなり、比較回路１２より物体
が接近したことが検出される。このとき比較出力は直流
電流制御回路３２にも与えられる。そうすればスイッチ
手段３２ｂがオフとなり、発振回路３１の発振コイルＬ
１の直流電流を停止する。こうすれば図１１（ａ），
（ｂ）に示すように曲線Ｈ，Ｊに移動し、発振振幅が上
昇する。これにより物体が距離Ｌ_ONより離れてもＬ_OFF
に達するまではオン状態が保持されることとなる。そし
てＬ_OFF より離れると、直流電流制御回路３２のスイッ
チ手段３２ｂがオンとなり、再び直流電流が重畳され、
曲線Ｇ，Ｉに移行する。このように発振コイルＬ１の直
流電流をオンオフすることで発振振幅にヒステリシスを
設けることができる。このため動作距離の応差を大きく
することなく、即ちＬ_ONとＬ_OFF との差を従来例と同一
に保ったままで出力振幅の差を大きくすることができ、
比較回路１２のヒステリシス（Ｖ_OFF −Ｖ_ON）を大きく
することができる。このように比較回路１２のヒステリ
シスが大きくできるため、ヒステリシスの設定に余裕が
でき、チャタリングの防止効果も得られる。

【００２７】次に本発明の第４の実施の形態による高周
波発振型近接センサについて図１２のブロック図を用い
て説明する。この実施の形態による近接センサは振幅検
出型近接センサであり、直流電流制御回路として定電流
回路３３とその電流値を制御する電流値調整回路３４を
設けている。電流値調整回路３４は発振コイルＬ１に重
畳する直流電流を連続的に変化させることによって検出
体までの距離を調整できるようにしたものである。前述
したように電流値によって発振振幅が変化するため、図
１３の曲線Ｋ〜Ｍに示すように電流値調整回路３４によ
り重畳する直流電流を変化させることにより、検出体ま
での検出距離Ｖ_ON1 〜Ｖ_ON3 を調整することができる。
尚図１３ではＶ_ONについてのみ示しているが、比較回路
１２のヒステリシスによりＶ_ONよりわずかに高いレベル
にＶ_OFF があり、このレベルを越えるとオフとなる。こ
の場合には比較回路１２の閾値を変化させて動作距離を
調整する場合に比べて、電流の調整を正確に行うことに
より検出距離の微調整が可能となる。又比較回路１２の
閾値の調整と組合せることで検出距離の調整範囲を大き
くし、同時に微調整が可能となる。

【００２８】尚上述した各実施の形態では、直流電流を
発振コイルに重畳するため定電流回路を用いているが、
電源に直列に高抵抗を接続し定電流回路に代えてもよ
い。

【００２９】又前述した第１，第２の実施の形態では、
周波数弁別回路２はフィルタやＦ／Ｖ変換回路を用いた
回路としているが、周波数を識別するものであればよ
く、例えば発振出力を整形する波形整形回路と発振周波
数を計数するカウンタ等によって構成してもよい。又比
較回路はコンパレータで構成されるハードウェア回路だ
けでなく、カウンタにより検出された周波数データをソ
フトウェアによって比較機能を達成できるものであれ
ば、どのような比較手段を用いてもよい。又第３，第４
の実施の形態における比較回路についても同様に、振幅
をＡ／Ｄ変換してデジタル値とし、そのレベルをソフト
ウェア処理により比較するようにしてもよい。

【００３０】

【発明の効果】以上詳細に説明したように本願の請求項
１，２の発明によれば、近接センサの発振回路のコイル
に重畳する直流電流を変化させることにより発振の周波
数を変化させているため、動作距離の応差を大きくする
ことなく発振周波数の差を大きくすることができる。従
って比較手段のヒステリシスを大きくすることができる
ため、動作を確実にすることが可能となる。請求項３の
発明によれば、コイルに流す直流電流を変化させること
により動作距離を調整することができ、動作距離の調整
を正確に行うことができるという効果が得られる。

【００３１】又本願の請求項４，５の発明によれば、近
接センサの発振回路のコイルに重畳する直流電流を変化
させることにより、発振振幅を変化させているため、動
作距離の応差を大きくすることなく発振振幅の差を大き
くすることができる。従って比較手段のヒステリシスを
大きくすることができ、動作を確実にすることが可能と
なる。又請求項６の発明によれば、コイルに流す直流電
流を変化させることにより、発振振幅を変化させて動作
距離を調整することができ、動作距離の調整を正確に行
うことができるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による近接センサの
全体構成を示すブロック図である。

【図２】（ａ），（ｂ）は本実施の形態による近接セン
サの発振回路の異なる例を示す回路図である。

【図３】（ａ）は直流電流の変化に対するコイルのイン
ダクタンスＬ１の変化率、（ｂ）はコンダクタンスｇの
変化率を示すグラフである。

【図４】コイルに流す直流電流に対する発振周波数の変
化を示すグラフである。

【図５】（ａ）は検出体までの距離に対する発振周波数
の変化を示すグラフ、（ｂ）は周波数弁別回路の振幅の
変化を示すグラフである。

【図６】本発明の第２の実施の形態による近接センサの
全体構成を示すブロック図である。

【図７】本実施の形態による近接センサの検出体までの
距離に対する周波数弁別回路の振幅変化を示すグラフで
ある。

【図８】本発明の第３の実施の形態による近接センサの
全体構成を示すブロック図である。

【図９】（ａ），（ｂ）は本実施の形態による近接セン
サの発振回路の異なる例を示す回路図である。

【図１０】直流電流の変化にいする発振振幅の変化を示
すグラフである。

【図１１】第３の実施の形態の発振回路において（ａ）
は検出体までの距離に対するコンダクタンスの変化を示
すグラフ、（ｂ）は発振振幅の変化を示すグラフであ
る。

【図１２】本発明の第４の実施の形態による近接センサ
の全体構成を示すブロック図である。

【図１３】本実施の形態の近接センサの検出体までの距
離に対する振幅の変化を示すグラフである。

【図１４】従来の周波数変化型近接センサの構成を示す
ブロック図である。

【図１５】周波数弁別回路の特性を示すグラフである。

【図１６】（ａ）は検出体までの距離に対する発振周波
数の変化を示すグラフ、（ｂ）は検出体までの距離に対
する周波数弁別回路の出力変化を示すグラフである。

【図１７】従来の振幅変化型近接センサの構成を示すブ
ロック図である。

【図１８】（ａ）は検出体までの距離に対するコンダク
タンスの変化を示すグラフ、（ｂ）は検出体までの距離
に対する発振振幅の変化を示すグラフである。

【符号の説明】

１，１１，２１，３１ 発振回路 ２ 周波数弁別回路 ３，１２ 比較回路 ４ 出力回路 ２２，３２ 直流電流制御回路 ２２ａ，３２ａ 定電流源 ２２ｂ，３２ｂ スイッチ手段 ２３，３３ 定電流回路 ２４，３４ 電流値調整回路

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発振コイルを有する発振回路と、 前記発振回路の発振周波数を弁別する周波数弁別手段
   と、 前記周波数弁別手段の出力を所定の閾値レベルと比較す
   る比較手段と、 前記比較手段の比較出力に基づいて前記発振回路の発振
   コイルに重畳する直流電流を制御することにより発振周
   波数を制御する直流電流制御回路と、を具備することを
   特徴とする近接センサ。
2. 【請求項２】 前記直流電流制御回路は、前記比較手段
   の出力に基づいて直流電流を断続するものであることを
   特徴とする請求項１記載の近接センサ。
3. 【請求項３】 発振コイルを有する発振回路と、 前記発振回路の発振周波数を弁別する周波数弁別手段
   と、 前記周波数弁別手段の出力を所定の閾値レベルと比較す
   る比較手段と、 前記発振回路の発振コイルに重畳する直流電流を制御す
   ることによって動作距離を制御する直流電流制御回路
   と、を具備することを特徴とする近接センサ。
4. 【請求項４】 発振コイルを有する発振回路と、 前記発振回路の発振振幅を所定の閾値レベルと比較する
   比較手段と、 前記比較手段の比較出力に基づいて前記発振回路の発振
   コイルに重畳する直流電流を制御することにより発振振
   幅を制御する直流電流制御回路と、を具備することを特
   徴とする近接センサ。
5. 【請求項５】 前記直流電流制御回路は、前記比較回路
   の出力に基づいて直流電流を断続するものであることを
   特徴とする請求項４記載の近接センサ。
6. 【請求項６】 発振コイルを有する発振回路と、 前記発振回路の発振振幅を所定の閾値レベルと比較する
   比較手段と、 前記発振回路の発振コイルに重畳する直流電流を制御す
   ることによって動作距離を制御する直流電流制御回路
   と、を具備することを特徴とする近接センサ。