JPH10255301A - 光情報記録再生装置 - Google Patents
光情報記録再生装置Info
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- JPH10255301A JPH10255301A JP9052916A JP5291697A JPH10255301A JP H10255301 A JPH10255301 A JP H10255301A JP 9052916 A JP9052916 A JP 9052916A JP 5291697 A JP5291697 A JP 5291697A JP H10255301 A JPH10255301 A JP H10255301A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体を対象とした
光情報記録再生装置構成で、３段階のゲイン切換えでＣ
Ｄ‐ＲＷ系の光情報記録媒体はもちろん、ＣＤ‐ＲＷ系
以外の光情報記録媒体に関しても同じ条件で再生を行え
る互換性を持たせる。 【解決手段】 レーザ光源の再生時のレーザパワーを、
反射率の大きく異なるＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に
対する場合と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体に対
する場合とで異ならせて設定し、結果として、何れの光
情報記録媒体からの再生用の反射光量もほぼ等しくなる
ようにすることで、電流‐電圧変換増幅器１のゲインに
関して再生時のゲインは何れの光情報記録媒体について
も共通にでき、後は、記録時用のゲインをＣＤ‐ＲＷ系
の光情報記録媒体に対する場合と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の
光情報記録媒体に対する場合とで異ならせればよく、３
段階のゲイン切換えで全て対処することができる。
光情報記録再生装置構成で、３段階のゲイン切換えでＣ
Ｄ‐ＲＷ系の光情報記録媒体はもちろん、ＣＤ‐ＲＷ系
以外の光情報記録媒体に関しても同じ条件で再生を行え
る互換性を持たせる。 【解決手段】 レーザ光源の再生時のレーザパワーを、
反射率の大きく異なるＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に
対する場合と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体に対
する場合とで異ならせて設定し、結果として、何れの光
情報記録媒体からの再生用の反射光量もほぼ等しくなる
ようにすることで、電流‐電圧変換増幅器１のゲインに
関して再生時のゲインは何れの光情報記録媒体について
も共通にでき、後は、記録時用のゲインをＣＤ‐ＲＷ系
の光情報記録媒体に対する場合と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の
光情報記録媒体に対する場合とで異ならせればよく、３
段階のゲイン切換えで全て対処することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク関連機器等の分野で利用される光情報記録再生装置に
関する。
ク関連機器等の分野で利用される光情報記録再生装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】マルチメディアの普及に伴い、音楽用Ｃ
Ｄ（ＣＤ‐ＤＡ）やＣＤ‐ＲＯＭなどの再生専用の光デ
ィスクや情報再生装置が実用化されている。特に、ＣＤ
‐ＲＯＭは大容量のデータ、アプリケーション、ＯＳ等
を記録でき、かつ、安価にして大量作成できる光ディス
クとして普及が進んでおり、再生専用光ディスクとして
非常に大きな市場を形成している。このようなＣＤ‐Ｒ
ＯＭの長所は、大容量で安価に作成できることにある
が、内容の書換えが不可能であるという大きな欠点を有
している。ここに、既存のデータを書換えできないこと
は、特定の応用分野においては長所となることもある
が、大容量のデータを記録したい、という要望も大き
く、記録可能型のＣＤ‐ＲＯＭが要望されていた。
Ｄ（ＣＤ‐ＤＡ）やＣＤ‐ＲＯＭなどの再生専用の光デ
ィスクや情報再生装置が実用化されている。特に、ＣＤ
‐ＲＯＭは大容量のデータ、アプリケーション、ＯＳ等
を記録でき、かつ、安価にして大量作成できる光ディス
クとして普及が進んでおり、再生専用光ディスクとして
非常に大きな市場を形成している。このようなＣＤ‐Ｒ
ＯＭの長所は、大容量で安価に作成できることにある
が、内容の書換えが不可能であるという大きな欠点を有
している。ここに、既存のデータを書換えできないこと
は、特定の応用分野においては長所となることもある
が、大容量のデータを記録したい、という要望も大き
く、記録可能型のＣＤ‐ＲＯＭが要望されていた。
【０００３】そこで、１回だけ記録が可能な追記型ＣＤ
‐ＲＯＭが出現し、ＣＤ‐Ｒ（ＣＤ‐Ｒecordable） と
して普及し始めている。しかし、このＣＤ‐Ｒにして
も、記録できる回数は１回だけに限られており、一度記
録したデータを書換えることはできない。よって、ＣＤ
‐Ｒにしても、利用できる応用範囲は制限されてしま
い、ＣＤ‐Ｒでは不十分なため、任意の回数の書換え記
録が可能なＣＤ‐ＲＯＭフォーマットを有する光ディス
クが望まれている。
‐ＲＯＭが出現し、ＣＤ‐Ｒ（ＣＤ‐Ｒecordable） と
して普及し始めている。しかし、このＣＤ‐Ｒにして
も、記録できる回数は１回だけに限られており、一度記
録したデータを書換えることはできない。よって、ＣＤ
‐Ｒにしても、利用できる応用範囲は制限されてしま
い、ＣＤ‐Ｒでは不十分なため、任意の回数の書換え記
録が可能なＣＤ‐ＲＯＭフォーマットを有する光ディス
クが望まれている。
【０００４】このようなことから、最近では、レーザビ
ームの照射による情報の記録、再生及び消去可能な光デ
ィスク媒体の一つとして、結晶‐非結晶相間、或いは、
結晶‐結晶相間の転移を利用する、所謂、相変化型記録
媒体が注目されている。この相変化型記録媒体による場
合、特に光磁気メモリでは困難な単一ビームによるオー
バライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純
である、ことなどから、最近、その研究開発が活発とな
っている。特に、同一の光学系を用いることができると
いう利点から、高反射率、高コントラストといった特性
を併せ持った書換え可能なＣＤ‐ＲＯＭとして応用でき
るものとなる。このような光ディスクは再書込み可能な
ＣＤ‐ＲＷ（ＣＤ‐Ｒewritable)と称されている。
ームの照射による情報の記録、再生及び消去可能な光デ
ィスク媒体の一つとして、結晶‐非結晶相間、或いは、
結晶‐結晶相間の転移を利用する、所謂、相変化型記録
媒体が注目されている。この相変化型記録媒体による場
合、特に光磁気メモリでは困難な単一ビームによるオー
バライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純
である、ことなどから、最近、その研究開発が活発とな
っている。特に、同一の光学系を用いることができると
いう利点から、高反射率、高コントラストといった特性
を併せ持った書換え可能なＣＤ‐ＲＯＭとして応用でき
るものとなる。このような光ディスクは再書込み可能な
ＣＤ‐ＲＷ（ＣＤ‐Ｒewritable)と称されている。
【０００５】ところで、一般に、この種の光ディスクを
取り扱う光情報記録再生装置では、半導体レーザから出
射された光を照射光学系を介して光ディスク面に集光照
射させ、この光ディスクからの反射光を検出光学系を介
して受光素子に導き受光させるように光ピックアップが
構成されている。この光ピックアップ中の受光素子の検
出信号（電流信号）は、一般に、光ピックアップ中に内
蔵された電流‐電圧変換増幅器を介して電圧信号に変換
した形で信号処理回路に出力される。ここに、電流‐電
圧変換増幅器を経て出力される信号の振幅レベルが低す
ぎると、情報の再生等に支障を来すため、電流‐電圧変
換増幅器のゲインはその出力振幅レベルが適正範囲とな
るように設定される。この設定に際しては、ＣＤ‐ＲＯ
Ｍの物理規格を規定している仕様書であるイエローブッ
クや、ＣＤ‐Ｒの物理規格を規定している仕様書である
オレンジブックなどによる規格を満たすように考慮され
る。このとき、規格の異なる各光ディスク毎に専用の光
情報記録再生装置を構成する場合であれば、唯一の仕様
を満たすように構成すればよいので特に問題はない。
取り扱う光情報記録再生装置では、半導体レーザから出
射された光を照射光学系を介して光ディスク面に集光照
射させ、この光ディスクからの反射光を検出光学系を介
して受光素子に導き受光させるように光ピックアップが
構成されている。この光ピックアップ中の受光素子の検
出信号（電流信号）は、一般に、光ピックアップ中に内
蔵された電流‐電圧変換増幅器を介して電圧信号に変換
した形で信号処理回路に出力される。ここに、電流‐電
圧変換増幅器を経て出力される信号の振幅レベルが低す
ぎると、情報の再生等に支障を来すため、電流‐電圧変
換増幅器のゲインはその出力振幅レベルが適正範囲とな
るように設定される。この設定に際しては、ＣＤ‐ＲＯ
Ｍの物理規格を規定している仕様書であるイエローブッ
クや、ＣＤ‐Ｒの物理規格を規定している仕様書である
オレンジブックなどによる規格を満たすように考慮され
る。このとき、規格の異なる各光ディスク毎に専用の光
情報記録再生装置を構成する場合であれば、唯一の仕様
を満たすように構成すればよいので特に問題はない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、例えば、Ｃ
Ｄ‐ＲＷ仕様の光ディスクに関して記録、再生、消去可
能に構成された光情報記録再生装置において、同じ条件
でＣＤ‐ＤＡ，ＣＤ‐ＲＯＭ，ＣＤ‐Ｒ等の光ディスク
に関しても再生できるようにする上では、規格ないしは
仕様の違いが支障となる。
Ｄ‐ＲＷ仕様の光ディスクに関して記録、再生、消去可
能に構成された光情報記録再生装置において、同じ条件
でＣＤ‐ＤＡ，ＣＤ‐ＲＯＭ，ＣＤ‐Ｒ等の光ディスク
に関しても再生できるようにする上では、規格ないしは
仕様の違いが支障となる。
【０００７】例えば、オレンジブック等の規格によれ
ば、光ディスクの反射率に関して ＣＤ‐ＲＯＭ；０．７（最小値） ＣＤ‐Ｒ ；０．６５（最小値） ＣＤ‐ＲＷ ；０．１５〜０．２５ といった違いがある。特に、ＣＤ‐ＲＷの場合には相変
化型記録媒体を用いるため反射率が低い特性がある。ま
た、照射光を発するレーザ光源、特に半導体レーザのレ
ーザパワーに関しても記録、再生、消去の３段階のパワ
ーが必要とされており、 記録時パワー；８〜１２ｍＷ（平均パワー） 再生時パワー；１ｍＷ以下 消去時パワー；８〜１２ｍＷ（平均パワー） のように動作モードによって違いがある。
ば、光ディスクの反射率に関して ＣＤ‐ＲＯＭ；０．７（最小値） ＣＤ‐Ｒ ；０．６５（最小値） ＣＤ‐ＲＷ ；０．１５〜０．２５ といった違いがある。特に、ＣＤ‐ＲＷの場合には相変
化型記録媒体を用いるため反射率が低い特性がある。ま
た、照射光を発するレーザ光源、特に半導体レーザのレ
ーザパワーに関しても記録、再生、消去の３段階のパワ
ーが必要とされており、 記録時パワー；８〜１２ｍＷ（平均パワー） 再生時パワー；１ｍＷ以下 消去時パワー；８〜１２ｍＷ（平均パワー） のように動作モードによって違いがある。
【０００８】このような光ディスク反射率やレーザパワ
ーの違いにより、ゲインが固定された電流‐電圧変換増
幅器を用いた場合には、信号検出系のダイナミックレン
ジが制限されてしまう。即ち、検出信号振幅が飽和しな
いようにゲインを固定すると、高反射率、高パワー用に
適した電流‐電圧変換増幅器となってしまい、反射率の
低い光ディスク（ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスク）につい
て再生を行う場合には、ゲインが低すぎて良好なるＳ／
Ｎ（信号成分とノイズ成分との比）が得られなくなって
しまう。このため、ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクの場合
には再生信号がノイズに埋もれてしまい、再生できない
ことになってしまう。
ーの違いにより、ゲインが固定された電流‐電圧変換増
幅器を用いた場合には、信号検出系のダイナミックレン
ジが制限されてしまう。即ち、検出信号振幅が飽和しな
いようにゲインを固定すると、高反射率、高パワー用に
適した電流‐電圧変換増幅器となってしまい、反射率の
低い光ディスク（ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスク）につい
て再生を行う場合には、ゲインが低すぎて良好なるＳ／
Ｎ（信号成分とノイズ成分との比）が得られなくなって
しまう。このため、ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクの場合
には再生信号がノイズに埋もれてしまい、再生できない
ことになってしまう。
【０００９】この点、ディスク反射率とレーザパワーと
を考えると、光ディスクに関して反射率が大きく異なる
ＣＤ‐ＲＷ系の光ディスクとそれ以外の光ディスク（以
下、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクと称する）とに大別
し得ることから、電流‐電圧変換増幅器について ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクの再生用のゲイン ＣＤ‐ＲＷ系の光ディスクの再生用のゲイン ＣＤ‐ＲＷ系以外（ＣＤ‐Ｒ）の光ディスクの記録
用のゲイン ＣＤ‐ＲＷ系の光ディスクの記録、消去用のゲイン なる４段階のゲイン切換え機能を持たせることが考えら
れている。このように電流‐電圧変換増幅器のゲインを
４段階に切り換えれば、反射率の異なる光ディスクに関
してもＣＤ‐ＲＷ対応の光情報記録再生装置で互換性を
もって再生することができる。
を考えると、光ディスクに関して反射率が大きく異なる
ＣＤ‐ＲＷ系の光ディスクとそれ以外の光ディスク（以
下、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクと称する）とに大別
し得ることから、電流‐電圧変換増幅器について ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクの再生用のゲイン ＣＤ‐ＲＷ系の光ディスクの再生用のゲイン ＣＤ‐ＲＷ系以外（ＣＤ‐Ｒ）の光ディスクの記録
用のゲイン ＣＤ‐ＲＷ系の光ディスクの記録、消去用のゲイン なる４段階のゲイン切換え機能を持たせることが考えら
れている。このように電流‐電圧変換増幅器のゲインを
４段階に切り換えれば、反射率の異なる光ディスクに関
してもＣＤ‐ＲＷ対応の光情報記録再生装置で互換性を
もって再生することができる。
【００１０】ところが、電流‐電圧変換増幅器に関して
４段階のゲイン切換えを要するため、ゲイン切換部に関
してコスト高となってしまう。
４段階のゲイン切換えを要するため、ゲイン切換部に関
してコスト高となってしまう。
【００１１】そこで、本発明は、ＣＤ‐ＲＷ系の光情報
記録媒体を対象とした光情報記録再生装置構成で、３段
階のゲイン切換えでＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体はも
ちろん、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体に関しても
同じ条件で再生を行える互換性を備えた光情報記録再生
装置を提供することを目的とする。
記録媒体を対象とした光情報記録再生装置構成で、３段
階のゲイン切換えでＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体はも
ちろん、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体に関しても
同じ条件で再生を行える互換性を備えた光情報記録再生
装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
レーザ光源から出射された光を光情報記録媒体に集光照
射させ、前記光情報記録媒体からの反射光を受光素子に
より受光し、この受光素子の検出信号を電流‐電圧変換
増幅器により電圧信号に変換して出力させる光情報記録
再生装置において、前記レーザ光源の再生時のレーザパ
ワーを、ＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に対するパワー
と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体に対するパワー
とで、光情報記録媒体からの反射光量がほぼ等しくなる
ように異ならせて設定し、前記電流‐電圧変換増幅器の
ゲインを、光情報記録媒体に対する再生時用の第１のゲ
インと、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体に対する記
録時用の第２のゲインと、ＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒
体に対する記録、消去時用の第３のゲインとで３段階に
切り換えるゲイン切換部を設けた。
レーザ光源から出射された光を光情報記録媒体に集光照
射させ、前記光情報記録媒体からの反射光を受光素子に
より受光し、この受光素子の検出信号を電流‐電圧変換
増幅器により電圧信号に変換して出力させる光情報記録
再生装置において、前記レーザ光源の再生時のレーザパ
ワーを、ＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に対するパワー
と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体に対するパワー
とで、光情報記録媒体からの反射光量がほぼ等しくなる
ように異ならせて設定し、前記電流‐電圧変換増幅器の
ゲインを、光情報記録媒体に対する再生時用の第１のゲ
インと、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体に対する記
録時用の第２のゲインと、ＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒
体に対する記録、消去時用の第３のゲインとで３段階に
切り換えるゲイン切換部を設けた。
【００１３】従って、レーザ光源の再生時のレーザパワ
ーを、反射率の大きく異なるＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録
媒体に対する場合と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒
体に対する場合とで異ならせ、結果として、何れの光情
報記録媒体からの再生用の反射光量がほぼ等しくなるよ
うにしているので、電流‐電圧変換増幅器のゲインに関
しても再生時のゲインは何れの光情報記録媒体について
も共通にできる。この結果、記録時用のゲインをＣＤ‐
ＲＷ系の光情報記録媒体に対する場合と、ＣＤ‐ＲＷ系
以外の光情報記録媒体に対する場合とで異ならせればよ
く、３段階のゲイン切換えで全て対処できる。
ーを、反射率の大きく異なるＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録
媒体に対する場合と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒
体に対する場合とで異ならせ、結果として、何れの光情
報記録媒体からの再生用の反射光量がほぼ等しくなるよ
うにしているので、電流‐電圧変換増幅器のゲインに関
しても再生時のゲインは何れの光情報記録媒体について
も共通にできる。この結果、記録時用のゲインをＣＤ‐
ＲＷ系の光情報記録媒体に対する場合と、ＣＤ‐ＲＷ系
以外の光情報記録媒体に対する場合とで異ならせればよ
く、３段階のゲイン切換えで全て対処できる。
【００１４】請求項２記載の発明は、請求項１記載の光
情報記録再生装置において、ゲイン切換部は、電流‐電
圧変換増幅器の出力・入力間に接続されて第１のゲイン
を決める高抵抗な第１の抵抗と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光
情報記録媒体に対する記録時に閉じられるスイッチ素子
とともに前記再生時用抵抗に並列に接続されて再生時用
抵抗との合成抵抗により第２のゲインを決める低抵抗な
第２の抵抗と、ＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に対する
記録、消去時に閉じられるスイッチ素子とともに前記再
生時用抵抗に並列に接続されて再生時用抵抗との合成抵
抗により第３のゲインを決める第３の抵抗とを有してい
る。従って、２つのスイッチ素子と第１〜第３の抵抗と
の組合せによる簡単な構成で、請求項１記載の発明にお
ける３段階のゲイン切り換えが実現される。
情報記録再生装置において、ゲイン切換部は、電流‐電
圧変換増幅器の出力・入力間に接続されて第１のゲイン
を決める高抵抗な第１の抵抗と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光
情報記録媒体に対する記録時に閉じられるスイッチ素子
とともに前記再生時用抵抗に並列に接続されて再生時用
抵抗との合成抵抗により第２のゲインを決める低抵抗な
第２の抵抗と、ＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に対する
記録、消去時に閉じられるスイッチ素子とともに前記再
生時用抵抗に並列に接続されて再生時用抵抗との合成抵
抗により第３のゲインを決める第３の抵抗とを有してい
る。従って、２つのスイッチ素子と第１〜第３の抵抗と
の組合せによる簡単な構成で、請求項１記載の発明にお
ける３段階のゲイン切り換えが実現される。
【００１５】これらの発明において、ゲイン切換部によ
り切り換えられるゲインの比を、請求項３記載の発明の
ように、再生時における光情報記録媒体からの反射光量
を１としたとき、第１のゲイン：第２のゲイン：第３の
ゲイン＝１：１／（記録時におけるＣＤ‐ＲＷ系以外の
光情報記録媒体からの反射光量）：１／（記録、消去時
におけるＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体からの反射光
量）なる関係に設定することにより、何れの信号処理時
にも電流‐電圧変換増幅器からはダイナミックレンジを
広くとれる適正なる振幅の信号が出力される。本発明に
おいて、「記録時におけるＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記
録媒体からの反射光量」とは、（ＣＤ‐Ｒ仕様の光情報
記録媒体に対する平均記録レーザパワー）×（ＣＤ‐Ｒ
仕様の光情報記録媒体の反射率）を意味する。また、
「記録、消去時におけるＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体
からの反射光量」とは、（ＣＤ‐ＲＷ仕様の光情報記録
媒体に対する平均記録レーザパワー）×（ＣＤ‐ＲＷ仕
様の光情報記録媒体の反射率）を意味する。
り切り換えられるゲインの比を、請求項３記載の発明の
ように、再生時における光情報記録媒体からの反射光量
を１としたとき、第１のゲイン：第２のゲイン：第３の
ゲイン＝１：１／（記録時におけるＣＤ‐ＲＷ系以外の
光情報記録媒体からの反射光量）：１／（記録、消去時
におけるＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体からの反射光
量）なる関係に設定することにより、何れの信号処理時
にも電流‐電圧変換増幅器からはダイナミックレンジを
広くとれる適正なる振幅の信号が出力される。本発明に
おいて、「記録時におけるＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記
録媒体からの反射光量」とは、（ＣＤ‐Ｒ仕様の光情報
記録媒体に対する平均記録レーザパワー）×（ＣＤ‐Ｒ
仕様の光情報記録媒体の反射率）を意味する。また、
「記録、消去時におけるＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体
からの反射光量」とは、（ＣＤ‐ＲＷ仕様の光情報記録
媒体に対する平均記録レーザパワー）×（ＣＤ‐ＲＷ仕
様の光情報記録媒体の反射率）を意味する。
【００１６】また、請求項４記載の発明は、請求項２記
載の光情報記録再生装置において、電流‐電圧変換増幅
器が、ゲイン切換部のゲイン切換えに連動してオフセッ
ト抵抗が切り換えられるオフセット抑制部を有してい
る。電流‐電圧変換増幅器に生ずるオフセット電圧はそ
の出力・入力間に接続されているゲイン切換用の抵抗の
抵抗値によって異なるが、そのゲイン切換えに連動して
オフセット抵抗の抵抗値も切り換えられるので、オフセ
ット電圧が常に最小となるように抑制でき、出力電圧に
及ぼすオフセット電圧の影響が軽減される。
載の光情報記録再生装置において、電流‐電圧変換増幅
器が、ゲイン切換部のゲイン切換えに連動してオフセッ
ト抵抗が切り換えられるオフセット抑制部を有してい
る。電流‐電圧変換増幅器に生ずるオフセット電圧はそ
の出力・入力間に接続されているゲイン切換用の抵抗の
抵抗値によって異なるが、そのゲイン切換えに連動して
オフセット抵抗の抵抗値も切り換えられるので、オフセ
ット電圧が常に最小となるように抑制でき、出力電圧に
及ぼすオフセット電圧の影響が軽減される。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
に基づいて説明する。本実施の形態における光情報記録
再生装置は、その全体的な構成等については図示を省略
するが、ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクに関して記録、再
生、消去可能な構成を基本としている。使用される光デ
ィスク自体はＣＤ‐ＲＷ系に限らず、ＣＤ‐ＤＡ，ＣＤ
‐ＲＯＭ，ＣＤ‐Ｒ等のＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスク
も装填自在であり、互換性を有している。光情報記録再
生装置の概要として、レーザ光源である半導体レーザか
ら出射された光を照射光学系により光ディスクに集光照
射させ、この光ディスクからの反射光を検出光学系を介
して受光素子により受光し、この受光素子の検出信号
（電流信号）を電流‐電圧変換増幅器により電圧信号に
変換して出力させるように構成されている。
に基づいて説明する。本実施の形態における光情報記録
再生装置は、その全体的な構成等については図示を省略
するが、ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクに関して記録、再
生、消去可能な構成を基本としている。使用される光デ
ィスク自体はＣＤ‐ＲＷ系に限らず、ＣＤ‐ＤＡ，ＣＤ
‐ＲＯＭ，ＣＤ‐Ｒ等のＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスク
も装填自在であり、互換性を有している。光情報記録再
生装置の概要として、レーザ光源である半導体レーザか
ら出射された光を照射光学系により光ディスクに集光照
射させ、この光ディスクからの反射光を検出光学系を介
して受光素子により受光し、この受光素子の検出信号
（電流信号）を電流‐電圧変換増幅器により電圧信号に
変換して出力させるように構成されている。
【００１８】また、本実施の形態では、半導体レーザか
ら出射される光のレーザパワーは周知の切換手段により
切換自在とされており、ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクに
対する記録、消去時、及び、ＣＤ‐Ｒ仕様の光ディスク
に対する記録時のレーザパワーは、例えば、１０ｍＷに
設定されている。また、ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクに
対する再生時のレーザパワーが例えば１ｍＷに設定され
ているのに対し、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクに対す
る再生時のレーザパワーは例えば０．４ｍＷ程度に設定
されている。即ち、半導体レーザの再生時のレーザパワ
ーは、ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクに対するパワーと、
ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクに対するパワーとで異な
らせて設定されている。このレーザパワーの異ならせ方
は、結果として、再生時の光ディスクからの反射光量が
ほぼ等しくなるように考慮されている。即ち、ＣＤ‐Ｒ
仕様の光ディスクの場合の平均的な反射率を０．２程
度、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクの平均的な反射率を
０．６程度と考えると、ＣＤ‐Ｒ仕様の光ディスクの場
合の再生時の反射光量は、１ｍＷ×０．２＝０．２ｍ
Ｗ、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクの場合の再生時の反
射光量は、０．４ｍＷ×０．６＝０．２４ｍＷで、両者
はほぼ等しい反射光量となる。
ら出射される光のレーザパワーは周知の切換手段により
切換自在とされており、ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクに
対する記録、消去時、及び、ＣＤ‐Ｒ仕様の光ディスク
に対する記録時のレーザパワーは、例えば、１０ｍＷに
設定されている。また、ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクに
対する再生時のレーザパワーが例えば１ｍＷに設定され
ているのに対し、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクに対す
る再生時のレーザパワーは例えば０．４ｍＷ程度に設定
されている。即ち、半導体レーザの再生時のレーザパワ
ーは、ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクに対するパワーと、
ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクに対するパワーとで異な
らせて設定されている。このレーザパワーの異ならせ方
は、結果として、再生時の光ディスクからの反射光量が
ほぼ等しくなるように考慮されている。即ち、ＣＤ‐Ｒ
仕様の光ディスクの場合の平均的な反射率を０．２程
度、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクの平均的な反射率を
０．６程度と考えると、ＣＤ‐Ｒ仕様の光ディスクの場
合の再生時の反射光量は、１ｍＷ×０．２＝０．２ｍ
Ｗ、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクの場合の再生時の反
射光量は、０．４ｍＷ×０．６＝０．２４ｍＷで、両者
はほぼ等しい反射光量となる。
【００１９】このようなレーザパワーの設定条件下に、
本実施の形態では、光ピックアップ中に内蔵される電流
‐電圧変換増幅器１は図１に示すように構成されてい
る。この電流‐電圧変換増幅器１はＯＰアンプ２を主要
部とするものであり、このＯＰアンプ２の−入力端子に
は光ディスクからの反射光を受光する受光素子３が接続
されている。また、ＯＰアンプ２の＋入力端子には基準
電圧Ｖref なる基準電源が接続されている。このＯＰア
ンプ２の出力端子４と入力側（−入力端子側）との間に
は、ゲイン切換部５が接続されている。
本実施の形態では、光ピックアップ中に内蔵される電流
‐電圧変換増幅器１は図１に示すように構成されてい
る。この電流‐電圧変換増幅器１はＯＰアンプ２を主要
部とするものであり、このＯＰアンプ２の−入力端子に
は光ディスクからの反射光を受光する受光素子３が接続
されている。また、ＯＰアンプ２の＋入力端子には基準
電圧Ｖref なる基準電源が接続されている。このＯＰア
ンプ２の出力端子４と入力側（−入力端子側）との間に
は、ゲイン切換部５が接続されている。
【００２０】このゲイン切換部５は３つの抵抗Ｒ1 ，Ｒ
2 ，Ｒ3 の並列回路からなり、抵抗Ｒ2 にはスイッチ素
子６が直列に接続され、抵抗Ｒ3 にはスイッチ素子７が
直列に接続されている。これらのスイッチ素子６，７と
しては、例えばアナログスイッチが用いられている。こ
こに、ＯＰアンプ２の出力・入力間に常時接続されてい
る抵抗Ｒ1 は再生時用の第１のゲインＧ1 を決める第１
の抵抗であり、比較的、高抵抗なものが用いられてい
る。スイッチ素子６はＣＤ‐ＲＷ系以外（具体的には、
ＣＤ‐Ｒ仕様）の光ディスクに対する記録時にのみ制御
回路（図示せず）からの信号に基づき閉じられるもの
で、このスイッチ素子６が閉じられたときの抵抗Ｒ1 ，
Ｒ2 の合成抵抗がＣＤ‐Ｒ仕様の光ディスクに対する記
録時用の第２のゲインＧ2 を決めるように抵抗Ｒ2 の抵
抗値が設定されている。スイッチ素子７はＣＤ‐ＲＷ仕
様の光ディスクに対する記録時又は消去時にのみ制御回
路からの信号に基づき閉じられるもので、このスイッチ
素子７が閉じられたときの抵抗Ｒ1 ，Ｒ3 の合成抵抗が
ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクに対する記録、消去時用の
第３のゲインＧ3 を決めるように抵抗Ｒ3 の抵抗値が設
定されている。
2 ，Ｒ3 の並列回路からなり、抵抗Ｒ2 にはスイッチ素
子６が直列に接続され、抵抗Ｒ3 にはスイッチ素子７が
直列に接続されている。これらのスイッチ素子６，７と
しては、例えばアナログスイッチが用いられている。こ
こに、ＯＰアンプ２の出力・入力間に常時接続されてい
る抵抗Ｒ1 は再生時用の第１のゲインＧ1 を決める第１
の抵抗であり、比較的、高抵抗なものが用いられてい
る。スイッチ素子６はＣＤ‐ＲＷ系以外（具体的には、
ＣＤ‐Ｒ仕様）の光ディスクに対する記録時にのみ制御
回路（図示せず）からの信号に基づき閉じられるもの
で、このスイッチ素子６が閉じられたときの抵抗Ｒ1 ，
Ｒ2 の合成抵抗がＣＤ‐Ｒ仕様の光ディスクに対する記
録時用の第２のゲインＧ2 を決めるように抵抗Ｒ2 の抵
抗値が設定されている。スイッチ素子７はＣＤ‐ＲＷ仕
様の光ディスクに対する記録時又は消去時にのみ制御回
路からの信号に基づき閉じられるもので、このスイッチ
素子７が閉じられたときの抵抗Ｒ1 ，Ｒ3 の合成抵抗が
ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクに対する記録、消去時用の
第３のゲインＧ3 を決めるように抵抗Ｒ3 の抵抗値が設
定されている。
【００２１】具体的には、Ｒ1 ＝４８ｋΩ，Ｒ2 ＝２ｋ
Ω，Ｒ3 ＝７ｋΩの如く設定され、Ｒ1 とＲ2 との合成
抵抗Ｒ12は約１．９ｋΩ、Ｒ1 とＲ3 との合成抵抗Ｒ13
は約６．１ｋΩとなるように設定されている。
Ω，Ｒ3 ＝７ｋΩの如く設定され、Ｒ1 とＲ2 との合成
抵抗Ｒ12は約１．９ｋΩ、Ｒ1 とＲ3 との合成抵抗Ｒ13
は約６．１ｋΩとなるように設定されている。
【００２２】このような構成において、光ディスクの種
別を問わず、再生時にはスイッチ素子６，７がともに開
放状態にあり、ＯＰアンプ２の出力・入力間には抵抗Ｒ
1 のみが接続された状態となるので、電流‐電圧変換増
幅器１としてのゲインＧは抵抗Ｒ1 （＝４８ｋΩ）によ
り規定されるゲインＧ1 となる。この場合、半導体レー
ザのレーザパワーはＣＤ‐Ｒ仕様の光ディスクに対する
場合とＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクに対する場合とで
異なるように切換え制御されるが、光ディスクからの反
射光量はほぼ等しくなるように設定されているので、何
れの種別の光ディスクの場合にもダイナミックレンジを
広くとれる適正な信号振幅となる電圧信号が出力端子４
から出力され、反射率の大きな違いによる影響を受ける
ことなく情報信号を再生することができる。
別を問わず、再生時にはスイッチ素子６，７がともに開
放状態にあり、ＯＰアンプ２の出力・入力間には抵抗Ｒ
1 のみが接続された状態となるので、電流‐電圧変換増
幅器１としてのゲインＧは抵抗Ｒ1 （＝４８ｋΩ）によ
り規定されるゲインＧ1 となる。この場合、半導体レー
ザのレーザパワーはＣＤ‐Ｒ仕様の光ディスクに対する
場合とＣＤ‐ＲＷ系以外の光ディスクに対する場合とで
異なるように切換え制御されるが、光ディスクからの反
射光量はほぼ等しくなるように設定されているので、何
れの種別の光ディスクの場合にもダイナミックレンジを
広くとれる適正な信号振幅となる電圧信号が出力端子４
から出力され、反射率の大きな違いによる影響を受ける
ことなく情報信号を再生することができる。
【００２３】次に、ＣＤ‐Ｒ仕様の光ディスクに対する
記録時には、スイッチ素子６が閉じられるので（スイッ
チ素子７は開放されたまま）、電流‐電圧変換増幅器１
としてのゲインＧは抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の合成抵抗Ｒ12（≒
１．９ｋΩ）により規定されるゲインＧ2 となる。即
ち、上記のような再生時のゲインＧ1 よりも低め（Ｒ12
／Ｒ1 ≒１／２５程度）のゲインＧ2 となっているの
で、ダイナミックレンジを広くとれる適正な信号振幅と
なる電圧信号（記録確認用の信号）が出力端子４から出
力され、情報信号を記録することができる。
記録時には、スイッチ素子６が閉じられるので（スイッ
チ素子７は開放されたまま）、電流‐電圧変換増幅器１
としてのゲインＧは抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の合成抵抗Ｒ12（≒
１．９ｋΩ）により規定されるゲインＧ2 となる。即
ち、上記のような再生時のゲインＧ1 よりも低め（Ｒ12
／Ｒ1 ≒１／２５程度）のゲインＧ2 となっているの
で、ダイナミックレンジを広くとれる適正な信号振幅と
なる電圧信号（記録確認用の信号）が出力端子４から出
力され、情報信号を記録することができる。
【００２４】さらに、ＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクに対
する記録又は消去時には、スイッチ素子７が閉じられる
ので（スイッチ素子６は開放される）、電流‐電圧変換
増幅器１としてのゲインＧは抵抗Ｒ1 ，Ｒ3 の合成抵抗
Ｒ13（≒６．１ｋΩ）により規定されるゲインＧ3 とな
る。即ち、上記のような再生時のゲインＧ1 よりも低め
（Ｒ13／Ｒ1 ≒１／８程度）のゲインＧ3 となっている
ので、ダイナミックレンジを広くとれる適正な信号振幅
となる電圧信号（記録又は消去確認用の信号）が出力端
子４から出力され、情報信号を記録し、又は、消去する
ことができる。
する記録又は消去時には、スイッチ素子７が閉じられる
ので（スイッチ素子６は開放される）、電流‐電圧変換
増幅器１としてのゲインＧは抵抗Ｒ1 ，Ｒ3 の合成抵抗
Ｒ13（≒６．１ｋΩ）により規定されるゲインＧ3 とな
る。即ち、上記のような再生時のゲインＧ1 よりも低め
（Ｒ13／Ｒ1 ≒１／８程度）のゲインＧ3 となっている
ので、ダイナミックレンジを広くとれる適正な信号振幅
となる電圧信号（記録又は消去確認用の信号）が出力端
子４から出力され、情報信号を記録し、又は、消去する
ことができる。
【００２５】従って、本実施の形態の場合の電流‐電圧
変換増幅器１におけるゲイン比は、再生時における光デ
ィスク（種別を問わない）からの反射光量（＝再生レー
ザパワー×反射率）を１とすると、 Ｇ1 ：Ｇ2 ：Ｇ3＝１：１／（記録時におけるＣＤ‐Ｒ
仕様の光ディスクからの反射光量）：１／（記録、消去
時におけるＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクからの反射光
量）＝１：１／２５：１／８ なる関係に設定されることにより、全ての信号の振幅が
適正化される。
変換増幅器１におけるゲイン比は、再生時における光デ
ィスク（種別を問わない）からの反射光量（＝再生レー
ザパワー×反射率）を１とすると、 Ｇ1 ：Ｇ2 ：Ｇ3＝１：１／（記録時におけるＣＤ‐Ｒ
仕様の光ディスクからの反射光量）：１／（記録、消去
時におけるＣＤ‐ＲＷ仕様の光ディスクからの反射光
量）＝１：１／２５：１／８ なる関係に設定されることにより、全ての信号の振幅が
適正化される。
【００２６】本実施の形態における光ディスクの種類、
記録・再生時の反射光量（＝レーザパワー×光ディスク
反射率）をまとめると表１のようになる。
記録・再生時の反射光量（＝レーザパワー×光ディスク
反射率）をまとめると表１のようになる。
【００２７】
【表１】
【００２８】本発明の第二の実施の形態を図２及び図３
に基づいて説明する。図１で示した部分と同一部分は同
一符号を用いて示し、説明も省略する。基本的には、図
１に示した電流‐電圧変換増幅器１と同様の構成とされ
ているが、本実施の形態では、ＯＰアンプ２に必然的に
生ずるオフセット電圧ＶOFS の影響を最小限に抑制する
ためのオフセット抑制部８がＯＰアンプ２の＋入力端子
に対して付加されている。このオフセット抑制部８は、
抵抗値の異なる３つのオフセット抵抗Ｒ1′ ，Ｒ2′ ，
Ｒ3′ の並列回路からなり、オフセット抵抗Ｒ2′ には
スイッチ素子６と同時に閉じられるスイッチ素子６ａが
直列に接続され、オフセット抵抗Ｒ3′にはスイッチ素
子７と同時に閉じられるスイッチ素子７ａが直列に接続
されている。即ち、スイッチ素子６，６ａは連動する関
係にあり、スイッチ素子７，７ａも連動する関係にあ
る。これらのスイッチ素子６ａ，７ａとしては、例えば
アナログスイッチが用いられている。また、オフセット
抵抗Ｒ1′ ，Ｒ2′ ，Ｒ3′の各々の抵抗値は前述した
３段階のゲイン切換えにおいて、各々のオフセット電圧
ＶOFS を最小とするように設定されている。
に基づいて説明する。図１で示した部分と同一部分は同
一符号を用いて示し、説明も省略する。基本的には、図
１に示した電流‐電圧変換増幅器１と同様の構成とされ
ているが、本実施の形態では、ＯＰアンプ２に必然的に
生ずるオフセット電圧ＶOFS の影響を最小限に抑制する
ためのオフセット抑制部８がＯＰアンプ２の＋入力端子
に対して付加されている。このオフセット抑制部８は、
抵抗値の異なる３つのオフセット抵抗Ｒ1′ ，Ｒ2′ ，
Ｒ3′ の並列回路からなり、オフセット抵抗Ｒ2′ には
スイッチ素子６と同時に閉じられるスイッチ素子６ａが
直列に接続され、オフセット抵抗Ｒ3′にはスイッチ素
子７と同時に閉じられるスイッチ素子７ａが直列に接続
されている。即ち、スイッチ素子６，６ａは連動する関
係にあり、スイッチ素子７，７ａも連動する関係にあ
る。これらのスイッチ素子６ａ，７ａとしては、例えば
アナログスイッチが用いられている。また、オフセット
抵抗Ｒ1′ ，Ｒ2′ ，Ｒ3′の各々の抵抗値は前述した
３段階のゲイン切換えにおいて、各々のオフセット電圧
ＶOFS を最小とするように設定されている。
【００２９】ここに、オフセット抵抗Ｒ1′ ，Ｒ2′ ，
Ｒ3′ の抵抗値を設定するためのオフセット電圧ＶOFS
の影響について、図３に示す原理図を参照して説明す
る。図３では、ゲインを決定する抵抗をＲ0 、対応する
オフセット抵抗をＲ0′ 、受光素子３の持つ抵抗を
ＲS 、オフセット抵抗Ｒ0′ に流れるオフセット電流を
ＩOF S 、ＯＰアンプ２の＋入力端子におけるオフセット
電圧をＶOFS とする。すると、ＯＰアンプ２の出力端子
４に得られる出力電圧ＶO は、 ＶO ＝Ｖref ＋ＶOFS ×ＲS ／（Ｒ0 ＋ＲS ） となる。ここに、ＶOFS ＝ＩOFS ×Ｒ0′ であるので、
上式は、 ＶO ＝Ｖref ＋ＩOFS ×Ｒ0′ ×ＲS ／（Ｒ0 ＋ＲS ） となる。従って、Ｒ0′ ×ＲS ／（Ｒ0 ＋ＲS ）の値が
最小となるようにオフセット抵抗Ｒ0′ の抵抗値を設定
することにより、出力電圧ＶO におけるオフセット電圧
ＶOFS の影響が最小となる。Ｒ0′ ×ＲS ／（Ｒ0 ＋Ｒ
S ）の値が最小となるオフセット抵抗Ｒ0′ の抵抗値
は、Ｒ0′ ＝（Ｒ0 ＋ＲS ）／ＲS であり、出力電圧Ｖ
O は ＶO ＝Ｖref ＋ＩOFS ×１ となる。
Ｒ3′ の抵抗値を設定するためのオフセット電圧ＶOFS
の影響について、図３に示す原理図を参照して説明す
る。図３では、ゲインを決定する抵抗をＲ0 、対応する
オフセット抵抗をＲ0′ 、受光素子３の持つ抵抗を
ＲS 、オフセット抵抗Ｒ0′ に流れるオフセット電流を
ＩOF S 、ＯＰアンプ２の＋入力端子におけるオフセット
電圧をＶOFS とする。すると、ＯＰアンプ２の出力端子
４に得られる出力電圧ＶO は、 ＶO ＝Ｖref ＋ＶOFS ×ＲS ／（Ｒ0 ＋ＲS ） となる。ここに、ＶOFS ＝ＩOFS ×Ｒ0′ であるので、
上式は、 ＶO ＝Ｖref ＋ＩOFS ×Ｒ0′ ×ＲS ／（Ｒ0 ＋ＲS ） となる。従って、Ｒ0′ ×ＲS ／（Ｒ0 ＋ＲS ）の値が
最小となるようにオフセット抵抗Ｒ0′ の抵抗値を設定
することにより、出力電圧ＶO におけるオフセット電圧
ＶOFS の影響が最小となる。Ｒ0′ ×ＲS ／（Ｒ0 ＋Ｒ
S ）の値が最小となるオフセット抵抗Ｒ0′ の抵抗値
は、Ｒ0′ ＝（Ｒ0 ＋ＲS ）／ＲS であり、出力電圧Ｖ
O は ＶO ＝Ｖref ＋ＩOFS ×１ となる。
【００３０】ここに、抵抗Ｒ0 の抵抗値は前述したよう
に、Ｒ1 ，Ｒ12，Ｒ13の３段階に切り換えられるので、
オフセット抵抗Ｒ0′ の抵抗値も３段階に切り換える必
要がある。従って、オフセット抵抗Ｒ1′ ，Ｒ2′ の合
成抵抗をＲ12′、オフセット抵抗Ｒ1′ ，Ｒ3′ の合成
抵抗をＲ13′とすると、 Ｒ1′ ＝（Ｒ1 ＋ＲS ）／ＲS Ｒ12′＝（Ｒ12＋ＲS ）／ＲS Ｒ13′＝（Ｒ13＋ＲS ）／ＲS なる関係を満たすように各々のオフセット抵抗Ｒ1′ ，
Ｒ2′ ，Ｒ3′ の抵抗値を設定することにより、常にオ
フセット電圧ＶOFS の影響が最小となる状態で出力電圧
ＶO が得られる。
に、Ｒ1 ，Ｒ12，Ｒ13の３段階に切り換えられるので、
オフセット抵抗Ｒ0′ の抵抗値も３段階に切り換える必
要がある。従って、オフセット抵抗Ｒ1′ ，Ｒ2′ の合
成抵抗をＲ12′、オフセット抵抗Ｒ1′ ，Ｒ3′ の合成
抵抗をＲ13′とすると、 Ｒ1′ ＝（Ｒ1 ＋ＲS ）／ＲS Ｒ12′＝（Ｒ12＋ＲS ）／ＲS Ｒ13′＝（Ｒ13＋ＲS ）／ＲS なる関係を満たすように各々のオフセット抵抗Ｒ1′ ，
Ｒ2′ ，Ｒ3′ の抵抗値を設定することにより、常にオ
フセット電圧ＶOFS の影響が最小となる状態で出力電圧
ＶO が得られる。
【００３１】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、レーザ光
源の再生時のレーザパワーを、反射率の大きく異なるＣ
Ｄ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に対する場合と、ＣＤ‐Ｒ
Ｗ系以外の光情報記録媒体に対する場合とで異ならせ、
結果として、何れの光情報記録媒体からの再生用の反射
光量がほぼ等しくなるようにすることで、電流‐電圧変
換増幅器のゲインに関しても再生時のゲインは何れの光
情報記録媒体についても共通としたので、後は、記録時
用のゲインをＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に対する場
合と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体に対する場合
とで異ならせればよく、３段階のゲイン切換えで全て対
処することができ、ゲイン切換部を安価に構成でき、Ｃ
Ｄ‐ＲＷ対応の光情報記録再生装置において、同じ条件
でＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体の再生を行わせる
こともでき、互換性に優れたものとなる。
源の再生時のレーザパワーを、反射率の大きく異なるＣ
Ｄ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に対する場合と、ＣＤ‐Ｒ
Ｗ系以外の光情報記録媒体に対する場合とで異ならせ、
結果として、何れの光情報記録媒体からの再生用の反射
光量がほぼ等しくなるようにすることで、電流‐電圧変
換増幅器のゲインに関しても再生時のゲインは何れの光
情報記録媒体についても共通としたので、後は、記録時
用のゲインをＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に対する場
合と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体に対する場合
とで異ならせればよく、３段階のゲイン切換えで全て対
処することができ、ゲイン切換部を安価に構成でき、Ｃ
Ｄ‐ＲＷ対応の光情報記録再生装置において、同じ条件
でＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体の再生を行わせる
こともでき、互換性に優れたものとなる。
【００３２】請求項２記載の発明によれば、ゲイン切換
部を３つの抵抗と２つのスイッチ素子との組合せによる
簡単な構成としているので、請求項１記載の発明におけ
る３段階のゲイン切り換えを簡単に実現することができ
る。この際、ゲイン切換部により切り換えられるゲイン
の比を、請求項３記載の発明のような関係に設定するこ
とにより、何れの信号処理時にも電流‐電圧変換増幅器
からはダイナミックレンジを広くとれる適正なる振幅の
電圧信号を出力させることができる。
部を３つの抵抗と２つのスイッチ素子との組合せによる
簡単な構成としているので、請求項１記載の発明におけ
る３段階のゲイン切り換えを簡単に実現することができ
る。この際、ゲイン切換部により切り換えられるゲイン
の比を、請求項３記載の発明のような関係に設定するこ
とにより、何れの信号処理時にも電流‐電圧変換増幅器
からはダイナミックレンジを広くとれる適正なる振幅の
電圧信号を出力させることができる。
【００３３】請求項４記載の発明によれば、電流‐電圧
変換増幅器が、ゲイン切換部のゲイン切換えに連動して
オフセット抵抗が切り換えられるオフセット抑制部を有
しているので、オフセット電圧が常に最小となるように
抑制でき、出力電圧に及ぼすオフセット電圧の影響を低
減させることができる。
変換増幅器が、ゲイン切換部のゲイン切換えに連動して
オフセット抵抗が切り換えられるオフセット抑制部を有
しているので、オフセット電圧が常に最小となるように
抑制でき、出力電圧に及ぼすオフセット電圧の影響を低
減させることができる。
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す回路図であ
る。
る。
【図２】本発明の第二の実施の形態を示す回路図であ
る。
る。
【図３】ＯＰアンプにおけるオフセット電圧の影響を説
明するための原理的な回路図である。
明するための原理的な回路図である。
１ 電流‐電圧変換増幅器 ３ 受光素子 ５ ゲイン切換部 ６，７ スイッチ素子 ８ オフセット抑制部 Ｒ1 第１の抵抗 Ｒ2 第２の抵抗 Ｒ3 第３の抵抗
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ光源から出射された光を光情報記
録媒体に集光照射させ、前記光情報記録媒体からの反射
光を受光素子により受光し、この受光素子の検出信号を
電流‐電圧変換増幅器により電圧信号に変換して出力さ
せる光情報記録再生装置において、 前記レーザ光源の再生時のレーザパワーを、ＣＤ‐ＲＷ
系の光情報記録媒体に対するパワーと、ＣＤ‐ＲＷ系以
外の光情報記録媒体に対するパワーとで、光情報記録媒
体からの反射光量がほぼ等しくなるように異ならせて設
定し、 前記電流‐電圧変換増幅器のゲインを、光情報記録媒体
に対する再生時用の第１のゲインと、ＣＤ‐ＲＷ系以外
の光情報記録媒体に対する記録時用の第２のゲインと、
ＣＤ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に対する記録、消去時用
の第３のゲインとで３段階に切り換えるゲイン切換部を
設けたことを特徴とする光情報記録再生装置。 - 【請求項２】 ゲイン切換部は、電流‐電圧変換増幅器
の出力・入力間に接続されて第１のゲインを決める高抵
抗な第１の抵抗と、ＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体
に対する記録時に閉じられるスイッチ素子とともに前記
第１の抵抗に並列に接続されて第１の抵抗との合成抵抗
により第２のゲインを決める低抵抗な第２の抵抗と、Ｃ
Ｄ‐ＲＷ系の光情報記録媒体に対する記録、消去時に閉
じられるスイッチ素子とともに前記第１の抵抗に並列に
接続されて第１の抵抗との合成抵抗により第３のゲイン
を決める第３の抵抗とを有することを特徴とする請求項
１記載の光情報記録再生装置。 - 【請求項３】 ゲイン切換部により切り換えられるゲイ
ンの比は、再生時における光情報記録媒体からの反射光
量を１としたとき、 第１のゲイン：第２のゲイン：第３のゲイン＝１：１／
（記録時におけるＣＤ‐ＲＷ系以外の光情報記録媒体か
らの反射光量）：１／（記録、消去時におけるＣＤ‐Ｒ
Ｗ系の光情報記録媒体からの反射光量） なる関係に設定されていることを特徴とする請求項１又
は２記載の光情報記録再生装置。 - 【請求項４】 電流‐電圧変換増幅器は、ゲイン切換部
のゲイン切換えに連動してオフセット抵抗が切り換えら
れるオフセット抑制部を有することを特徴とする請求項
２記載の光情報記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9052916A JPH10255301A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 光情報記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9052916A JPH10255301A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 光情報記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10255301A true JPH10255301A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=12928165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9052916A Pending JPH10255301A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 光情報記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10255301A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000011668A1 (fr) * | 1998-08-20 | 2000-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Unite de commande de puissance laser et dispositif a disque optique |
| US6477131B1 (en) * | 1998-12-16 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Head amplifier and an optical disk device using the same |
| GB2382873A (en) * | 2001-07-18 | 2003-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Apparatus and method for detecting beam power in optical drive |
| US7006411B2 (en) | 2001-06-13 | 2006-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Optical pickup unit having electro-optical element and information recording and reproduction apparatus |
| KR100614964B1 (ko) | 2005-01-24 | 2006-08-25 | 엘지전자 주식회사 | 광기록장치에 사용하는 단순한 구조의레이저출력안정화서보 및 이를 이용한 레이저출력 제어방법 |
| US7133346B2 (en) | 2001-12-14 | 2006-11-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-detector amplifier circuit for optical disk device |
| US11852524B2 (en) | 2020-12-24 | 2023-12-26 | Yokogawa Electric Corporation | Optical measurement apparatus |
-
1997
- 1997-03-07 JP JP9052916A patent/JPH10255301A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7345967B2 (en) | 2001-06-13 | 2008-03-18 | Ricoh Company, Ltd. | Optical pickup unit |
| US7813233B2 (en) | 2001-06-13 | 2010-10-12 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording and reproduction apparatus including optical pickup unit |
| GB2382873A (en) * | 2001-07-18 | 2003-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Apparatus and method for detecting beam power in optical drive |
| GB2382873B (en) * | 2001-07-18 | 2004-05-26 | Samsung Electronics Co Ltd | Apparatus and method for detecting beam power in optical drive |
| US7133346B2 (en) | 2001-12-14 | 2006-11-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-detector amplifier circuit for optical disk device |
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