JPH10247624A - ｎ型単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、人工ダイヤモンドの製造方法 - Google Patents
ｎ型単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、人工ダイヤモンドの製造方法Info
- Publication number
- JPH10247624A JPH10247624A JP5010697A JP5010697A JPH10247624A JP H10247624 A JPH10247624 A JP H10247624A JP 5010697 A JP5010697 A JP 5010697A JP 5010697 A JP5010697 A JP 5010697A JP H10247624 A JPH10247624 A JP H10247624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type dopant
- type
- diamond
- single crystal
- crystal diamond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低抵抗のｎ型単結晶ダイヤモンドを得る。
【解決手段】真空チャンバ１内に基板２を設置し、この
基板２にＣの原子状ガスを供給するとともに、この基板
２に向けて、ｐ型ドーパントであるＢとｎ型ドーパント
であるＮを同時に流しながら、３００℃〜６５０℃でｎ
型単結晶ダイヤモンド薄膜６を結晶成長させる。
基板２にＣの原子状ガスを供給するとともに、この基板
２に向けて、ｐ型ドーパントであるＢとｎ型ドーパント
であるＮを同時に流しながら、３００℃〜６５０℃でｎ
型単結晶ダイヤモンド薄膜６を結晶成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｎ型単結晶ダイヤ
モンドおよびその製造方法に関し、特に、ドナー濃度が
１×１０18（ｃｍ-3）以上である低抵抗ｎ型単結晶ダイ
ヤモンド、および透明な人工ダイヤモンドが得られる方
法に関する。
モンドおよびその製造方法に関し、特に、ドナー濃度が
１×１０18（ｃｍ-3）以上である低抵抗ｎ型単結晶ダイ
ヤモンド、および透明な人工ダイヤモンドが得られる方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ｐ型単結晶ダイヤモンドは、
ｐ型ドーパントであるＢ（ホウ素）のドーピングによ
り、低抵抗のものを容易に作製することができるが、ｎ
型単結晶ダイヤモンドの場合には、ｎ型ドーパントであ
るＮ（窒素）やＰ（燐）を用いたドーピングによると、
高抵抗のものはできるが低抵抗のものは作製することが
できなかった。
ｐ型ドーパントであるＢ（ホウ素）のドーピングによ
り、低抵抗のものを容易に作製することができるが、ｎ
型単結晶ダイヤモンドの場合には、ｎ型ドーパントであ
るＮ（窒素）やＰ（燐）を用いたドーピングによると、
高抵抗のものはできるが低抵抗のものは作製することが
できなかった。
【０００３】また、宝石用の人工ダイヤモンドは、ニッ
ケル触媒を用いて高圧下で行われるが、空気中からの窒
素混入により、バンドギャップ内１．７ｅＶの位置に深
い不純物準位が形成されるため、緑がかった色に着色さ
れていた。
ケル触媒を用いて高圧下で行われるが、空気中からの窒
素混入により、バンドギャップ内１．７ｅＶの位置に深
い不純物準位が形成されるため、緑がかった色に着色さ
れていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来技術の問題点に着目してなされたものであり、低抵抗
のｎ型単結晶ダイヤモンド、および宝石用として好適な
透明度の高い人工ダイヤモンドを得ることを課題とす
る。
来技術の問題点に着目してなされたものであり、低抵抗
のｎ型単結晶ダイヤモンド、および宝石用として好適な
透明度の高い人工ダイヤモンドを得ることを課題とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に係る発明は、ｎ型ドーパントとｐ型ドー
パントを含有しているｎ型単結晶ダイヤモンドを提供す
る。
に、請求項１に係る発明は、ｎ型ドーパントとｐ型ドー
パントを含有しているｎ型単結晶ダイヤモンドを提供す
る。
【０００６】請求項２に係る発明は、カーボンに水素を
添加、または水素化炭素ガスを分解し半導体基板上で急
冷成長、または水素原子によるグラファイトのスパッタ
リングにより、単結晶ダイヤモンド薄膜を成長させる際
に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントを同時にドーピン
グすることにより作製された１×１０18（ｃｍ-3）以上
のドナー濃度を持つｎ型低抵抗単結晶ダイヤモンド薄膜
を提供する。
添加、または水素化炭素ガスを分解し半導体基板上で急
冷成長、または水素原子によるグラファイトのスパッタ
リングにより、単結晶ダイヤモンド薄膜を成長させる際
に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントを同時にドーピン
グすることにより作製された１×１０18（ｃｍ-3）以上
のドナー濃度を持つｎ型低抵抗単結晶ダイヤモンド薄膜
を提供する。
【０００７】請求項３に係る発明は、請求項１記載のｎ
型単結晶ダイヤモンドの製造方法であって、ダイヤモン
ドの単結晶を形成する際に、ｎ型ドーパントおよびｐ型
ドーパントを、ｎ型ドーパント濃度がｐ型ドーパント濃
度より大きくなるようにドーピングすることを特徴とす
る方法を提供する。
型単結晶ダイヤモンドの製造方法であって、ダイヤモン
ドの単結晶を形成する際に、ｎ型ドーパントおよびｐ型
ドーパントを、ｎ型ドーパント濃度がｐ型ドーパント濃
度より大きくなるようにドーピングすることを特徴とす
る方法を提供する。
【０００８】この方法によれば、ｎ型ドーパントとｐ型
ドーパントの間で静電エネルギーや格子エネルギーが低
下するため、ｎ型ドーパントを高濃度で安定的にドープ
することができる。例えば、ドナー濃度が１×１０
18（ｃｍ-3）以上であるｎ型単結晶ダイヤモンドが得ら
れる。
ドーパントの間で静電エネルギーや格子エネルギーが低
下するため、ｎ型ドーパントを高濃度で安定的にドープ
することができる。例えば、ドナー濃度が１×１０
18（ｃｍ-3）以上であるｎ型単結晶ダイヤモンドが得ら
れる。
【０００９】また、ダイヤモンド結晶中にｎ型ドーパン
トとｐ型ドーパントの対が形成するため、ｎ型キャリア
ーのドーパントによる電子散乱を低下させることができ
る。これにより、移動度を大きく増大させることができ
るため、低抵抗のｎ型単結晶ダイヤモンドが得られる。
トとｐ型ドーパントの対が形成するため、ｎ型キャリア
ーのドーパントによる電子散乱を低下させることができ
る。これにより、移動度を大きく増大させることができ
るため、低抵抗のｎ型単結晶ダイヤモンドが得られる。
【００１０】また、得られるｎ型単結晶ダイヤモンドに
負の電子親和力系が実現される。請求項４に係る発明
は、請求項３記載のｎ型単結晶ダイヤモンドの製造方法
において、アモルファスカーボン、アモルファスシリコ
ンカーバイド、シリコン、シリコンカーバイド、III 族
元素とＶ族元素との化合物、またはII族元素とVI族元素
との化合物からなる半導体基板を用い、当該半導体基板
上にｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜を形成することを特徴
とする方法を提供する。
負の電子親和力系が実現される。請求項４に係る発明
は、請求項３記載のｎ型単結晶ダイヤモンドの製造方法
において、アモルファスカーボン、アモルファスシリコ
ンカーバイド、シリコン、シリコンカーバイド、III 族
元素とＶ族元素との化合物、またはII族元素とVI族元素
との化合物からなる半導体基板を用い、当該半導体基板
上にｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜を形成することを特徴
とする方法を提供する。
【００１１】ｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜を形成する方
法としては、ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントを同時に
供給しながら、カーボンに水素を添加するか炭化水素ガ
スを分解して半導体基板上にＣ（炭素）ガスを供給する
方法、またはｐ型ドーパントとｎ型ドーパントを同時に
供給しながら、水素原子を用いてグラファイトをスパッ
タリングする方法等が挙げられる。
法としては、ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントを同時に
供給しながら、カーボンに水素を添加するか炭化水素ガ
スを分解して半導体基板上にＣ（炭素）ガスを供給する
方法、またはｐ型ドーパントとｎ型ドーパントを同時に
供給しながら、水素原子を用いてグラファイトをスパッ
タリングする方法等が挙げられる。
【００１２】また、III 族元素とＶ族元素との化合物
（III-V 族化合物半導体）としてはＧａＡｓ等が、II族
元素とVI族元素との化合物（II-VI 族化合物半導体）と
してはＺｎＳｅ等が挙げられる。
（III-V 族化合物半導体）としてはＧａＡｓ等が、II族
元素とVI族元素との化合物（II-VI 族化合物半導体）と
してはＺｎＳｅ等が挙げられる。
【００１３】請求項５に係る発明は、請求項４記載のｎ
型単結晶ダイヤモンドの製造方法において、ｎ型ドーパ
ントとして、Ｎ、Ｐ、またはＡｓをラジオ波、レーザ
ー、Ｘ線、電子線などを用いて電子励起することにより
原子状にしたものを用い、ｐ型ドーパントとして、Ｂ、
Ａｌ、Ｇａ，またはＩｎをラジオ波、レーザー、Ｘ線、
電子線などを用いて電子励起することにより原子状にし
たものを用いることを特徴とする方法を提供する。
型単結晶ダイヤモンドの製造方法において、ｎ型ドーパ
ントとして、Ｎ、Ｐ、またはＡｓをラジオ波、レーザ
ー、Ｘ線、電子線などを用いて電子励起することにより
原子状にしたものを用い、ｐ型ドーパントとして、Ｂ、
Ａｌ、Ｇａ，またはＩｎをラジオ波、レーザー、Ｘ線、
電子線などを用いて電子励起することにより原子状にし
たものを用いることを特徴とする方法を提供する。
【００１４】請求項６に係る発明は、請求項４または５
に記載のｎ型単結晶ダイヤモンドの製造方法において、
請求項４または５に記載の方法で半導体基板上にｎ型単
結晶ダイヤモンド薄膜を形成した後、冷却し、さらに高
温で電場をかけながら熱処理することを特徴とする方法
を提供する。
に記載のｎ型単結晶ダイヤモンドの製造方法において、
請求項４または５に記載の方法で半導体基板上にｎ型単
結晶ダイヤモンド薄膜を形成した後、冷却し、さらに高
温で電場をかけながら熱処理することを特徴とする方法
を提供する。
【００１５】これにより、水素によるドナーを結晶外に
取り去る（水素の不働態化）ことができる。請求項７に
係る発明は、ニッケル触媒を用い高圧下でダイヤモンド
の単結晶を形成する人工ダイヤモンドの製造方法におい
て、ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントを、ｐ型ドーパン
ト：ｎ型ドーパント＝１：２で添加して単結晶の形成を
行うことを特徴とする人工ダイヤモンドの製造方法を提
供する。
取り去る（水素の不働態化）ことができる。請求項７に
係る発明は、ニッケル触媒を用い高圧下でダイヤモンド
の単結晶を形成する人工ダイヤモンドの製造方法におい
て、ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントを、ｐ型ドーパン
ト：ｎ型ドーパント＝１：２で添加して単結晶の形成を
行うことを特徴とする人工ダイヤモンドの製造方法を提
供する。
【００１６】ｐ型ドーパントとしては例えばＢ（ホウ
素）が、ｎ型ドーパントとしては例えばＮ（窒素）が用
いられ、Ｂ：Ｎ＝１：２で添加することにより、ダイヤ
モンドの単結晶内に「Ｎ−Ｂ−Ｎ」が形成される。これ
により、大きな陰性度で深い準位を形成していた窒素が
浅い準位に移動するため、透明度の高い人工ダイヤモン
ドが得られる。
素）が、ｎ型ドーパントとしては例えばＮ（窒素）が用
いられ、Ｂ：Ｎ＝１：２で添加することにより、ダイヤ
モンドの単結晶内に「Ｎ−Ｂ−Ｎ」が形成される。これ
により、大きな陰性度で深い準位を形成していた窒素が
浅い準位に移動するため、透明度の高い人工ダイヤモン
ドが得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態とし
て、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法により、基板
上にｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜を形成する方法につい
て説明する。
て、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法により、基板
上にｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜を形成する方法につい
て説明する。
【００１８】すなわち、図１に示すように、真空度１０
-10 ｔｏｒｒに維持された真空チャンバ１内に基板２を
設置し、この基板２にＣの原子状ガスを供給するととも
に、この基板２に向けて、ｐ型ドーパントであるＢを流
量１０-9ｔｏｒｒで、ｎ型ドーパントであるＮを流量５
×１０-9ｔｏｒｒで同時に流しながら、３００℃〜６５
０℃でｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜６を結晶成長させ
る。
-10 ｔｏｒｒに維持された真空チャンバ１内に基板２を
設置し、この基板２にＣの原子状ガスを供給するととも
に、この基板２に向けて、ｐ型ドーパントであるＢを流
量１０-9ｔｏｒｒで、ｎ型ドーパントであるＮを流量５
×１０-9ｔｏｒｒで同時に流しながら、３００℃〜６５
０℃でｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜６を結晶成長させ
る。
【００１９】ここで、Ｃとしては、プロパン、メタン、
エタン、ブタン等の炭化水素ガスｇ 1 に、マイクロ波領
域の電磁波を照射することで原子状にしたものを用い
る。また、ｎ型ドーパントであるＮおよびｐ型ドーパン
トであるＢとしては、分子ガスにマイクロ波領域の電磁
波を照射することで原子状にしたものや、単体セルを高
温で原子状にしたものを用いる。図１の符号３はそのた
めのＲＦ（高周波）コイルを、符号４はヒータを、符号
５は単体セル（ホウ素源）を示す。
エタン、ブタン等の炭化水素ガスｇ 1 に、マイクロ波領
域の電磁波を照射することで原子状にしたものを用い
る。また、ｎ型ドーパントであるＮおよびｐ型ドーパン
トであるＢとしては、分子ガスにマイクロ波領域の電磁
波を照射することで原子状にしたものや、単体セルを高
温で原子状にしたものを用いる。図１の符号３はそのた
めのＲＦ（高周波）コイルを、符号４はヒータを、符号
５は単体セル（ホウ素源）を示す。
【００２０】各結晶成長温度で得られたｎ型単結晶ダイ
ヤモンドのドナー濃度を測定し、その結果を、ｐ型ドー
パントであるＢのドーピングを同時には行わず、ｎ型ド
ーパントであるＮのみを単独ドーピングした場合との比
較で表１に示す。
ヤモンドのドナー濃度を測定し、その結果を、ｐ型ドー
パントであるＢのドーピングを同時には行わず、ｎ型ド
ーパントであるＮのみを単独ドーピングした場合との比
較で表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から分かるように、結晶成長温度が高
いほどドナー濃度は高く、Ｎの単独ドーピングの結果と
比較すると、各結晶成長温度においてＮおよびＢの同時
ドーピングの方がドナー濃度が高くなっている。また、
ＮおよびＢの同時ドーピングでは、３５０℃の低い結晶
成長温度で１×１０18（ｃｍ-3）と高いドナー濃度のｎ
型単結晶ダイヤモンド薄膜が得られる。すなわち、低抵
抗のｎ型単結晶ダイヤモンドが得られる。
いほどドナー濃度は高く、Ｎの単独ドーピングの結果と
比較すると、各結晶成長温度においてＮおよびＢの同時
ドーピングの方がドナー濃度が高くなっている。また、
ＮおよびＢの同時ドーピングでは、３５０℃の低い結晶
成長温度で１×１０18（ｃｍ-3）と高いドナー濃度のｎ
型単結晶ダイヤモンド薄膜が得られる。すなわち、低抵
抗のｎ型単結晶ダイヤモンドが得られる。
【００２３】図２（ａ）に、ダイヤモンド結晶中のアク
セプターとドナーの構造配置を示すが、この図から分か
るように、ダイヤモンド結晶中に、ＮとともにＢが入る
ことによりＮの結晶学的な構造配置が安定化し、より高
濃度までＮをドーピングできることが確認された。な
お、ｎ型ドーパントとしてＮの代わりにＰを用いる場合
も、上記と同様のことが言える。
セプターとドナーの構造配置を示すが、この図から分か
るように、ダイヤモンド結晶中に、ＮとともにＢが入る
ことによりＮの結晶学的な構造配置が安定化し、より高
濃度までＮをドーピングできることが確認された。な
お、ｎ型ドーパントとしてＮの代わりにＰを用いる場合
も、上記と同様のことが言える。
【００２４】第１原理バンド構造計算法によって電荷分
布をシミュレーションするとＢとＮの同時ドーピングに
より、図２（ｂ）に示すように、Ｎ−Ｂ−Ｎは浅いドナ
ー準位となって、ダイヤモンド結晶中に価電子の波動関
数が拡がり、その価電子の有効質量の減少により、低抵
抗のｎ型単結晶ダイヤモンドが作製されていることが明
白となった。
布をシミュレーションするとＢとＮの同時ドーピングに
より、図２（ｂ）に示すように、Ｎ−Ｂ−Ｎは浅いドナ
ー準位となって、ダイヤモンド結晶中に価電子の波動関
数が拡がり、その価電子の有効質量の減少により、低抵
抗のｎ型単結晶ダイヤモンドが作製されていることが明
白となった。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１のｎ型単
結晶ダイヤモンドおよび請求項２のｎ型低抵抗単結晶ダ
イヤモンド薄膜によれば、既に実現されている低抵抗の
ｐ型ダイヤモンドと組み合わせることにより、高温で作
動し高速動作が可能で高出力の半導体デバイス、高密度
記録や大量情報の伝達用として好適な紫外線領域の半導
体レーザーダイオード等を作製することができる。
結晶ダイヤモンドおよび請求項２のｎ型低抵抗単結晶ダ
イヤモンド薄膜によれば、既に実現されている低抵抗の
ｐ型ダイヤモンドと組み合わせることにより、高温で作
動し高速動作が可能で高出力の半導体デバイス、高密度
記録や大量情報の伝達用として好適な紫外線領域の半導
体レーザーダイオード等を作製することができる。
【００２６】また、低抵抗のｎ型透明単結晶保護膜とし
て非常に硬度の高いものを得ることができる。さらに、
負の電子親和力系を実現できるため、このｎ型単結晶ダ
イヤモンドに円偏光したレーザーを照射することによ
り、高温、高速動作、高出力、および高効率のスピン編
極電子線源を作製することができる。
て非常に硬度の高いものを得ることができる。さらに、
負の電子親和力系を実現できるため、このｎ型単結晶ダ
イヤモンドに円偏光したレーザーを照射することによ
り、高温、高速動作、高出力、および高効率のスピン編
極電子線源を作製することができる。
【００２７】請求項３〜６の方法によれば、請求項１の
ｎ型単結晶ダイヤモンドを容易に得ることができる。ま
た、請求項７の人工ダイヤモンドの製造方法によれば、
透明度の高い人工ダイヤモンドを容易に得ることができ
る。
ｎ型単結晶ダイヤモンドを容易に得ることができる。ま
た、請求項７の人工ダイヤモンドの製造方法によれば、
透明度の高い人工ダイヤモンドを容易に得ることができ
る。
【図１】本発明の実施形態において、ＭＢＥ法により、
基板上にｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜を形成させる場合
の真空チャンバ内を示す概略構成図である。
基板上にｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜を形成させる場合
の真空チャンバ内を示す概略構成図である。
【図２】ダイヤモンド結晶中のｐ型ドーパントとｎ型ド
ーパントの配置を示す模式図であり、（ａ）は、アクセ
プター（ｐ型ドーパント）とドナー（ｎ型ドーパント）
の構造配置を、（ｂ）は、第１原理バンド構造計算法に
よってシミュレーションされた電荷分布を、それぞれ示
す。
ーパントの配置を示す模式図であり、（ａ）は、アクセ
プター（ｐ型ドーパント）とドナー（ｎ型ドーパント）
の構造配置を、（ｂ）は、第１原理バンド構造計算法に
よってシミュレーションされた電荷分布を、それぞれ示
す。
１ 真空チャンバ ２ 基板 ３ ＲＦコイル ４ ヒータ ５ 単体セル（ホウ源） ６ ｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜
Claims (7)
- 【請求項１】 ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントを含有
しているｎ型単結晶ダイヤモンド。 - 【請求項２】 カーボンに水素を添加、または水素化炭
素ガスを分解し半導体基板上で急冷成長、または水素原
子によるグラファイトのスパッタリングにより、単結晶
ダイヤモンド薄膜を成長させる際に、ｎ型ドーパントと
ｐ型ドーパントを同時にドーピングすることにより作製
された１×１０18（ｃｍ-3）以上のドナー濃度を持つｎ
型低抵抗単結晶ダイヤモンド薄膜。 - 【請求項３】 ダイヤモンドの単結晶を形成する際に、
ｎ型ドーパントおよびｐ型ドーパントを、ｎ型ドーパン
ト濃度がｐ型ドーパント濃度より大きくなるようにドー
ピングすることを特徴とする請求項１記載のｎ型単結晶
ダイヤモンドの製造方法。 - 【請求項４】 アモルファスカーボン、アモルファスシ
リコンカーバイド、シリコン、シリコンカーバイド、II
I 族元素とＶ族元素との化合物、またはII族元素とVI族
元素との化合物からなる半導体基板を用い、当該半導体
基板上にｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜を形成することを
特徴とする請求項３記載のｎ型単結晶ダイヤモンドの製
造方法。 - 【請求項５】 ｎ型ドーパントとして、Ｎ、Ｐ、または
Ａｓをラジオ波、レーザー、Ｘ線、電子線などを用いて
電子励起することにより原子状にしたものを用い、ｐ型
ドーパントとして、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ，またはＩｎをラジ
オ波、レーザー、Ｘ線、電子線などを用いて電子励起す
ることにより原子状にしたものを用いることを特徴とす
る請求項４記載のｎ型単結晶ダイヤモンドの製造方法。 - 【請求項６】 請求項４または５に記載の方法で半導体
基板上にｎ型単結晶ダイヤモンド薄膜を形成した後、冷
却し、さらに高温で電場をかけながら熱処理することを
特徴とする請求項４または５に記載のｎ型単結晶ダイヤ
モンドの製造方法。 - 【請求項７】 ニッケル触媒を用い高圧下でダイヤモン
ドの単結晶を形成する人工ダイヤモンドの製造方法にお
いて、ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントを、ｐ型ドーパ
ント：ｎ型ドーパント＝１：２で添加して単結晶の形成
を行うことを特徴とする人工ダイヤモンドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5010697A JPH10247624A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | ｎ型単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、人工ダイヤモンドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5010697A JPH10247624A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | ｎ型単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、人工ダイヤモンドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247624A true JPH10247624A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=12849842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5010697A Withdrawn JPH10247624A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | ｎ型単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、人工ダイヤモンドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247624A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000001867A1 (fr) * | 1998-07-07 | 2000-01-13 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de synthese de diamant de type n a faible resistance |
| EP1030352A2 (en) * | 1999-02-17 | 2000-08-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming materials layers from atomic gases |
| JP2003303954A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｎ型ダイヤモンド半導体 |
| WO2004061167A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドおよびその製造方法 |
| JP2008036631A (ja) * | 2007-08-03 | 2008-02-21 | Toyo Tanso Kk | 流動床用導電性ダイヤモンド粒状体、流動床電解処理装置用の流動床、流動床電解処理装置、工業用又は家庭用廃水の処理方法、及び、金属を含む溶液の処理方法 |
| US7368317B2 (en) | 2002-12-06 | 2008-05-06 | Centre National De La Recherche Scientifique-Cnrs | Method of producing an N-type diamond with high electrical conductivity |
| CN110323132A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-10-11 | 北京科技大学 | 一种降低氢终端金刚石欧姆接触电阻的方法 |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP5010697A patent/JPH10247624A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000001867A1 (fr) * | 1998-07-07 | 2000-01-13 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de synthese de diamant de type n a faible resistance |
| US6340393B1 (en) | 1998-07-07 | 2002-01-22 | Japan Science And Technology Corporation | Method for synthesizing n-type diamond having low resistance |
| EP1030352A2 (en) * | 1999-02-17 | 2000-08-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming materials layers from atomic gases |
| EP1030352A3 (en) * | 1999-02-17 | 2001-10-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming materials layers from atomic gases |
| JP2003303954A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｎ型ダイヤモンド半導体 |
| US7368317B2 (en) | 2002-12-06 | 2008-05-06 | Centre National De La Recherche Scientifique-Cnrs | Method of producing an N-type diamond with high electrical conductivity |
| WO2004061167A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドおよびその製造方法 |
| US7255744B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-08-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Low-resistivity n-type semiconductor diamond and method of its manufacture |
| JP2008036631A (ja) * | 2007-08-03 | 2008-02-21 | Toyo Tanso Kk | 流動床用導電性ダイヤモンド粒状体、流動床電解処理装置用の流動床、流動床電解処理装置、工業用又は家庭用廃水の処理方法、及び、金属を含む溶液の処理方法 |
| CN110323132A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-10-11 | 北京科技大学 | 一种降低氢终端金刚石欧姆接触电阻的方法 |
| CN110323132B (zh) * | 2019-07-02 | 2024-02-13 | 北京科技大学 | 一种降低氢终端金刚石欧姆接触电阻的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3540275B2 (ja) | ｐ型ＺｎＯ単結晶およびその製造方法 | |
| JP4126332B2 (ja) | 低抵抗ｐ型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法 | |
| EP1036863B1 (en) | Method for synthesizing n-type diamond having low resistance | |
| JP4844330B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 | |
| KR20070083755A (ko) | 다이아몬드 반도체소자 및 이의 제조방법 | |
| Riordan | The lost history of the transistor | |
| JP3439994B2 (ja) | 低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜の合成法 | |
| JPWO2003105162A1 (ja) | 強磁性ｉｖ族系半導体、強磁性ｉｉｉ−ｖ族系化合物半導体、または強磁性ｉｉ−ｖｉ族系化合物半導体とその強磁性特性の調整方法 | |
| US7063742B1 (en) | N-type semiconductor diamond and its fabrication method | |
| JPH10247624A (ja) | ｎ型単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、人工ダイヤモンドの製造方法 | |
| US5903015A (en) | Field effect transistor using diamond | |
| JP4019136B2 (ja) | ダイヤモンド紫外光発光素子 | |
| JPH02192494A (ja) | 複合材料 | |
| JP2004189541A (ja) | ＺｎＯ系ｐ型半導体結晶、それを用いた半導体複合体、それを用いた発光素子およびその製造方法 | |
| JP3401594B2 (ja) | 半導体デバイスおよびその製造方法 | |
| CN114717657B (zh) | 基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法 | |
| Shohno et al. | Epitaxial growth of BP compounds on Si substrates using the B2H6-PH3-H2 system | |
| Fahrenbruch et al. | Ion-and photon-assisted p-type doping of CdTe during physical vapor deposition | |
| JP3938284B2 (ja) | 強磁性ＧａＮ系混晶化合物及びその強磁性特性の調整方法 | |
| US4186355A (en) | Semiconductor diode laser with increased frequency tuning range | |
| JPH0377384A (ja) | 窒化ホウ素を用いた電子装置 | |
| JPH0379769A (ja) | 窒化ホウ素の作製方法 | |
| Razeghi | LP-MOCVD growth, characterization, and application of InP material | |
| Imaizumi et al. | Growth of n-and p-ZnSe by gas source molecular beam epitaxy using metal Zn and H2Se | |
| JP2662801B2 (ja) | 希土類添加▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の気相成長法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040511 |