JPH10240362A - 並列接続された静止補償装置のコンデンサ装置を制御する方法および装置 - Google Patents

並列接続された静止補償装置のコンデンサ装置を制御する方法および装置

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JPH10240362A
JPH10240362A JP10024769A JP2476998A JPH10240362A JP H10240362 A JPH10240362 A JP H10240362A JP 10024769 A JP10024769 A JP 10024769A JP 2476998 A JP2476998 A JP 2476998A JP H10240362 A JPH10240362 A JP H10240362A
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semiconductor
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 電力ネットワークに接続されたコンデンサデ
バイスのスイッチーイン後の過渡現象および共振現象を
良好に減衰すること。 【解決手段】 無効電力を補償するためのシャント接続
されたスタティックな補償ユニットCOM1、COM
2、COM3のためのコンデンサデバイスを制御する装
置であり、コンデンサデバイスはコンデンサとコンデン
サに直列に接続された半導体バルブとを備え、第1、第
2半導体はコンデンサを電流が通過する第1および第2
導通方向に対応する。補償器で検出された電圧Uab、
Ubc、Ucaに応じて、それぞれの半導体のための点
弧命令を交互に発生する回路VN、FSD、CUを備え
る。それぞれの点弧命令に関連した導通方向に電流を流
さないことを表示するデブロッキング信号を第1、第2
導通方向の各々に対し発生し、その後、任意の時間遅延
して第1、第2導通方向うちの第2方向に対する点弧命
令を発生する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力ネットワーク
における無効電力を補償し、シャント接続された静止補
償ユニットのコンデンサデバイスを制御する方法および
この方法を実施する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電力ネットワークおよびこの電力ネット
ワークに接続された機器の無効電力消費量を補償するよ
う、シャント接続されたスタティック補償器を電力ネッ
トワークに接続することは知られている。かかる補償器
のうちのあるタイプは、少なくとも1つの、通常は複数
の、サイリスタでスイッチングされるコンデンサを備え
る。サイリスタでスイッチングされる1つのコンデンサ
は、基本的には制御可能な半導体と直列に接続されたコ
ンデンサを含む。この他に、通常、誘導性素子、すなわ
ちインダクタがコンデンサに直列に接続され、電力ネッ
トワークへの接続点に設けられたコンデンサを流れる電
流の変化率を制限し、電力ネットワーク内に存在する誘
導性部品との共振現象を防止するようになっている。以
下、かかるサイリスタでスイッチングされるコンデンサ
をコンデンサデバイスと称し、三相電力ネットワークに
おける1つの補償ユニットは、通常、Δ接続された3つ
のかかるコンデンサデバイスから成る。
【0003】制御自在な半導体バルブは、互いに逆向き
に接続された2つの制御可能な半導体、通常はサイリス
タを備える。これら半導体を接続することにより、すな
わち交流ネットワークの電圧の位相位置に対する半導体
の点弧時間を制御することにより無効電力を発生するよ
う、電力ネットワークにコンデンサを接続できる。本願
ではコンデンサなる概念は、コンデンサが制御可能な半
導体バルブにより、すべて共通に接続された複数の相互
接続された容量性素子、すなわちサブコンデンサから成
るケースも含むと理解すべきである。更に本願では、半
導体の概念は、半導体バルブの制御可能な半導体のうち
の各々が点弧命令により、すべて共通に制御される相互
に直列接続された複数のサイリスタから成るケースも含
むと理解すべきである。従って1つの制御デバイスは、
半導体バルブ内に含まれる半導体に対する個々の点弧パ
ルスを発生するようになっている。
【0004】上記タイプの補償器は、通常、多数の補償
ユニットから成り、この補償ユニットのスイッチーイン
は、電力ネットワークで検出された電圧およびこの電圧
に対する基準値に応じて、それぞれの補償ユニットをス
イッチーインするためのスイッチーイン命令を発生する
上位の電圧制御システムによって制御されるようになっ
ている。
【0005】サイリスタでスイッチングされるコンデン
サおよびその制御を一般的に説明するために、例えばエ
ッケ・エクストレームによる「大電力電気回路のHVD
CおよびSVC」、1990年ストックホルム、特にペ
ージ10−1〜10−7およびK・ライヒェルトによる
「制御可能な無効補償」、電力およびエネルギーシステ
ム、第4巻、第1号、1982年1月ページ51〜61
を参照する。
【0006】次に、電力ネットワークにおける電圧また
は電流の基本的成分の用語は、それぞれの電圧または電
流の成分が電力ネットワークの周波数に対応する周波数
となっていることを意味する。例えば、50Hzの公称
周波数を有する電力ネットワークは、50Hzの周波数
または少なくとも50Hzに近い周波数を有する。
【0007】サイリスタでスイッチングされるコンデン
サを通過する電流は、静的には位相位置がこのコンデン
サの両端の電圧よりも電気的に90度進んでいるので、
サイリスタでスイッチングされるコンデンサの両端の電
圧の基本成分の時間変化率が正の値から負の値に符号を
変える際に、更に負の値から正の値に符号を変える際
に、半導体バルブの2つの半導体に点弧命令を交互に与
えなければならない。電圧の位相位置を、その電圧の振
幅が0度で0となり、正の方向に増加するものと定義す
ると、静的な条件下では、これら符号の反転は、90度
および270度の電気的角度で生じる。上記時間変化率
が正から負の値に符号を変える際に、次のインターバル
における予想電流方向、すなわち90度〜270度のイ
ンターバルにおける上記コンベンションと導通方向が一
致する半導体に点弧命令を与えなければならない。この
ような導通方向を当該インターバルの間の予想電流搬送
導通方向と称す。上記時間変化率が再び符号を変える際
に、次のインターバルにおける予想電流方向、すなわち
270度〜450度のインターバルでの上記導通方向と
導通方向が一致する他の半導体に点弧命令を与える。
【0008】例えば、電圧制御システムに応じて点弧命
令の発生が終了させられると、次の電流ゼロクロス点で
半導体バルブを通過する電流が終了する。従って、コン
デンサの電圧は、コンデンサを通過する電流が終了する
際の電力ネットワークの電圧によって決定されるレベル
のままになる。上記基準に従って再び点弧命令が発生さ
れ、電力ネットワークの電圧が変わらないままである
と、基本的には電流および電圧の過渡現象を生じること
なく、コンデンサのスイッチ−インが生じる。
【0009】
【発明が解決使用とする課題】しかしながら、電力ネッ
トワークの電圧とコンデンサの両端の電圧との間に電圧
差が存在する場合にコンデンサがスイッチーインされる
と、高調波振動が開始し、これにより半導体およびコン
デンサに異常なほど大きい電流が流れることがある。こ
のような振動は、補償器と電力ネットワークとの間の接
続点における電流および電圧に影響する。この影響は、
電力ネットワークの電気的な質を劣化させると見なすこ
とができる。
【0010】サイリスタでスイッチングされるコンデン
サに関連した公知の現象は、電力ネットワークの電圧に
対しコンデンサの両端の電圧が極性を反転する際に、半
導体を誤って点弧することである。この理由は、コンデ
ンサを通過する電流が極めて急に増加し、これによりコ
ンデンサに好ましくない電圧の増加が生じたり、半導体
に対する電流が異常に大きくなったりすることとなるか
らである。
【0011】点弧命令を発生する公知の方法は、上記基
準に従ってスイッチーイン命令が発生し、既に第1点弧
命令が生じている際に双方の半導体に点弧命令を連続的
に印加する方法である。このように半導体バルブの双方
の導通方向は、コンデンサを通過する電流に対してオー
プンに維持され、誤って点弧される恐れが解消される。
【0012】しかしながら、研究によれば、コンデンサ
をスイッチーインする際、電力ネットワークの電圧とコ
ンデンサの電圧との間に電圧差がある際の上記高調波振
動を極くわずかだけ減衰すると、乱れのない作動への状
態への変化が極めて長くなることが判った。
【0013】電力ネットワークの電圧に高調波が含まれ
るような場合でも、サイリスタでスイッチングされるコ
ンデンサに対する電流が致命的なほど大きくなると、共
振状態が生じ得る。
【0014】点弧命令を発生する他の公知の方法は、上
記180度のインターバルの各々の開始点、すなわち電
力ネットワークの電圧の時間変化率が符号を正の値から
負の値に、または負の値から正の値に変える際に、次の
インターバルにおける予想電流方向と導通方向が一致す
る半導体だけに点弧命令を与える方法である。従って、
インターバル中の予想される電流搬送導通方向と導通方
向が一致する半導体に対し、2つの半導体の点弧命令が
交互に発生される。位相ロックループは電力ネットワー
クの電圧に応じてコンデンサデバイスの両端の電圧の基
本成分に対応し、この電圧よりも電気角が90度進むよ
うに位相ロックされたサイン波信号を発生する。従っ
て、このようなサイン波信号は、電力ネットワークで検
出された電圧より誘導された、コンデンサデバイスの両
端の電圧の基本成分の値の時間変化率を決定する。基本
的には、位相ロック信号のゼロクロス点、実際には若干
それよりも直前にバルブに対する点弧命令が発生され
る。
【0015】点弧命令を発生するための上記方法によれ
ば、電力ネットワークとコンデンサとの間に電圧差が存
在する際のスイッチーイン後の過渡現象、更に電力ネッ
トワークの電圧に高調波が含まれる際の上記共振現象を
良好に減衰できる。
【0016】しかしながら、所定の条件下では、一般的
には位相ロックループの過渡時間のために、例えばネッ
トワーク内の故障によって生じた電力ネットワークの電
圧の位相位置が急速に変化した場合、位相ロックループ
によって生じたサイン波信号が電力ネットワークの電圧
に対して電気角が90度だけ位相がずれていないと、少
なくとも過渡現象が生じる。この結果、電流搬送コンデ
ンサを流れる電流は、上記180度のインターバルのう
ちの1つにおいてゼロに近づくので、この電流は遮断さ
れ、導通方向の反転に対して点弧命令が発生されるまで
ゼロのままとなる。従って、電力ネットワークの電圧
は、次に点弧命令を受ける半導体の両端における導通方
向のオフ状態の電圧として蓄積され、この電圧は、点弧
命令が発生されると、コンデンサを通過する電流を大き
くし、このコンデンサの両端に過電圧を発生させる恐れ
が生じる。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明の課題は、一方
で、電力ネットワークとコンデンサとの間に電圧差が存
在する時のコンデンサデバイスのスイッチーイン後の過
渡現象および電力ネットワークの電圧に高調波が含まれ
る時の上記共振現象を良好に減衰しながら、他方で、例
えば半導体の両端のオフ状態の電圧の蓄積により生じ
る、電力ネットワークの電圧の位相位置が急速に変化し
た場合のコンデンサの両端における有害な電圧の増加に
反作用する、本明細書の冒頭に記載したタイプの改善さ
れた方法を提供することにある。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照し、実施例
に基づき本発明をより詳細に説明する。
【0019】次の説明は、方法および装置の双方に関す
る。
【0020】本装置は、ブロック図として図に示された
論理回路および時間遅延回路から成り、これら回路は、
一部または全体をアナログまたはデジタル電気回路とし
て発生してもよいし、また本発明の目的のためにマイク
ロプロセッサにプログラムされたプログラム機能を含ん
でもよい。これに関連し、それぞれの回路の入出力信号
は電気/論理信号または計算値から構成できる。従っ
て、下記において信号値と計算値なる用語は、同義語と
して使用する。
【0021】当業者に明らかな違いを表示する手間をな
くすために電力ネットワークおよび補償器で生じる電流
および電圧に対し、次に説明する制御機器に供給され、
処理される信号および計算量に対応する測定された値お
よび信号/計算値には、一般に同じ表示を用いることと
する。
【0022】ブロック図は、他の図示されたブロックで
使用される所定の計算値を発生するためのブロックを示
す。これらブロックの間の接続線は、図面を簡略にする
ために所定の場合には省略されているが、計算値を計算
するブロックからそれぞれの計算値が得られると理解す
べきである。
【0023】図1は、3つの補償ユニットCOM1、C
OM2、COM3を含む補償器COMを一本の線の図で
示している。互いに同様な補償ユニットの各1つは、上
記タイプのコンデンサデバイスを含む。バスバーNBに
は、補償器が接続されており、このバスバーNBは、ト
ランスTRを介し周波数fHzおよび位相a、bおよび
cの三相電力ネットワークNWに接続されている。後に
より詳細に説明する制御機器CEQは、点弧信号デバイ
スFSDと、電圧制御デバイスVREGと、補償ユニッ
トの各々に対するそれぞれの制御デバイスCD1、CD
2、CD3とから成る。互いに同様な制御デバイスの各
1つは、3つの制御ユニットを備え、これら制御ユニッ
トも互いに同様である。制御デバイスCD1における制
御ユニットは、図ではそれぞれCUab、CUbc、C
Ucaと表示されている。
【0024】電力ネットワークNWにおける基本電圧
U’ab、U’bcおよびU’caは、電圧検出デバイ
スVMによって検出される。この電圧検出デバイスによ
って得られた対応する測定値は、電圧制御デバイスVR
EGへ供給される。バスバーNB上の主電圧Uab、U
bcおよびUcaは、電圧検出デバイスVMによって検
出される。この電圧検出デバイスVMによって得られた
対応する測定値は、点弧信号デバイスFSDへ供給され
る。制御機器CEQは、上記測定値に応じて補償器制御
信号を発生し、それぞれの補償金ユニットへこれら信号
を供給する。
【0025】制御機器と補償ユニットの各々との間で
は、信号フローSF1、SF2、SF3が双方向に送ら
れ、これら信号フローは、基本的には互いに同様なタイ
プのものである。
【0026】点弧信号デバイスは、制御デバイス各々に
信号フローSF4、SF5、SF6を供給し、これらフ
ローは、基本的には互いに同様なタイプのものである。
【0027】電圧制御デバイスは、信号フローSF7を
発生する。上記信号フローのすべてについて後により詳
細に説明する。
【0028】図2は、補償ユニットCOM1の三相図を
示す。この補償ユニットは、互いにΔ接続された3つの
コンデンサデバイスTSCab、TSCbc、TSCc
aを備え、各コンデンサデバイスは、互いに直列に接続
されたコンデンサCと、半導体バルブTSと、リアクタ
LRとから成る。
【0029】2つの接続点JabとJbcとの間に、コ
ンデンサデバイスTSCabが接続され、接続点Jab
とJcaとの間に、コンデンサデバイスTSCcaが接
続され、接続点JbcとJcaとの間に、コンデンサデ
バイスTSCbcが接続されている。次に接続点Ja
b、Jbc、Jcaは、バスバーNB上の位相a、b、
cにそれぞれ接続されている。接続点Jabと、Jbc
と、Jcaとの間の電圧は、それぞれUab、Ubcお
よびUcaと表示されている。
【0030】図に示されるような補償ユニットCOM1
と制御デバイスCD1との間の信号フローSF1は、制
御デバイスCD1に含まれ、それぞれのコンデンサデバ
イスに属すコンデンサデバイスTSCab、TSCb
c、TSCcaと制御ユニットCUab、CUbc、C
Ucaとの間の3つの部分信号フローSF1ab、SF
1bc、SF1caとから成る。
【0031】図3は、コンデンサデバイスTSCab
と、コンデンサデバイスと制御ユニットCUabとの間
の部分信号フローSF1aと点弧信号デバイスSFDか
ら制御ユニットCUabまでの部分信号フローSF4の
abと、電圧制御デバイスVREGから制御ユニットま
での信号フローSF7に含まれる信号COM1ONとを
示す。この図では、図を簡略にするため部分信号フロー
SF1abに含まれる信号上の添字1、aおよびbは省
略してある。
【0032】半導体バルブTSは、互いに逆向きに接続
された2つの半導体TYp、TYnから成り、図には各
半導体は、サイリスタとして示されている。半導体TY
pは、バスバーNB上の導通方向が位相aからbへの方
向となっている。コンデンサデバイスの両端には、主電
圧Uabが供給される。コンデンサCの両端の電圧はU
Cと表示され、半導体の両端の電圧は、UTYと表示さ
れている。表示デバイスUMp、UMnは、それ自体公
知の態様で表示信号INPpおよびINPnを発生し、
半導体TYpおよび半導体TYnの両端にオフ状態の電
圧をそれぞれの導通方向に印加することを表示する。図
を簡単にするため図には示されていないが、半導体の各
々は、複数の互いに直列に接続されたサイリスタを備
え、共通な表示INPn、INPpをそれぞれ有する複
数の矢印により図において表示されたサイリスタの各々
に対し、表示信号が発生され供給される。一般に、オフ
状態の電圧がサイリスタの両端で約50Vに達すると、
表示信号が発生される。同様に、それ自体公知の態様で
半導体バルブは、半導体TYpおよびTYnに含まれる
サイリスタのための、それぞれの点弧信号FPpおよび
FPnを受ける。更に図では、点弧信号は、共通表示F
Pn、FPpが付けられた複数の矢印により表示されて
おり、点弧信号が半導体に含まれるサイリスタの各々に
供給されることを示している。電流検出回路CMは、そ
れ自体公知の態様でコンデンサを通過する電流ICを検
出し、この電流、すなわち半導体TYpを流れる電流I
pの正の半サイクルの電流測定値および電流IC、すな
わち半導体TYnを流れる電流Inの負の半サイクルの
電流測定値を供給する。図に表示されているように、部
分信号フローSF1abは、上記表示信号、点弧パルス
および電流測定値を含む。
【0033】電圧制御デバイスVREG(図4)は、電
力ネットワークNWにおける主電圧U’ab、U’bc
およびU’caの供給された測定値に応じ、それ自体公
知の態様でそれぞれの補償ユニットCOM1、COM
2、COM3をスイッチーインするためのスイッチーイ
ン命令COM1ON、COM2ON、COM3ONを発
生する。上記3つのスイッチーイン命令は、信号フロー
SF7に含まれる。
【0034】点弧信号デバイスFSD(図4)は、主電
源Uab、UbcおよびUcaの各々に対し位相ロック
ループPLLab、PLLbcおよびPLLcaを含
み、この位相ロックループは、これら主電源の供給され
た測定値に応じて、それ自体公知の態様で供給された測
定値におけるそれぞれの基本成分に対応し、これら測定
値よりも電気角が90度前に位相ロックされた対応する
サイン波状の基本信号SUab、SUbcおよびSUc
aを発生する。この点弧信号デバイスは、基本信号SU
abに対し公知の態様で2つの導通命令CPp,abお
よびCPn,abを発生し、これら導通命令は、基本信
号SUabが0よりも大となった時に、導通命令CP
p,abが生じ、上記基本信号が0よりも小さくなった
時に、導通命令CPn,abが生じるように互いに相補
的となっている。このことは、主電源Uab、すなわち
コンデンサデバイスの両端の電圧TSCabにおける基
本成分Uab1の時間変化率が0よりも大となった時、
すなわち(dUab1/dt)>0となった時、導通命
令CPp,abが生じ、更にこの時間変化率が0よりも
小さくなったとき、すなわち(dUab1/dt)<0
となった時に導通命令CPn,abが生じることを意味
している。
【0035】図3および4に示されるように、信号フロ
ーSF4は、部分信号フローSF4ab、SF4bcお
よびSF4caから成り、ここで部分信号フローSF4
abは、上記導通命令CPp,abおよびCPn,ab
を備え、部分信号フローSF4bcおよびSF4ca
は、基本信号SUbcおよび基本信号SUcaにそれぞ
れ応じて同様に発生される、対応する導通命令CPp,
bc、CPn,bc、CPp,caおよびCPn,ca
を備える。部分信号フローSF4bcおよびSF4ca
は、コンデンサデバイスTSCbc、TSCcaのため
のそれぞれの制御ユニットCUbcおよびCUcaに供
給される。
【0036】図5においてブロック図として制御ユニッ
トCUabの実施例が示されている。制御ユニットCU
bcおよびCUcaは、同様な構造となっているので、
図5では図内で生じる信号には添字abは示されていな
い。
【0037】表示信号INPpおよびINPnは、図で
は大まかにしか表示されていない光ガイドLC1p、L
C1nを介し、制御デバイス内に含まれる光ダイオード
回路1P、1Nへそれぞれ送られ、各回路は、それぞれ
個々の弁別回路1P’、1N’と組み合わされている。
この弁別回路1P’は、少なくとも1つの表示信号IN
Ppが光ガイドを介して受信されると、信号S1pを発
生する。このことは、半導体TYpにおける少なくとも
1つのサイリスタが順方向のオフ信号の電圧を吸収した
ことを意味している。同様に、半導体TYnにおける少
なくとも1つのサイリスタが順方向のオフ状態の電圧を
吸収すると、弁別回路1N’は、信号S1nを供給す
る。安全性を増すために、図に表示された弁別回路は、
少なくとも所定のm個の表示信号が受信され、対応する
数のサイリスタがオフ状態の電圧を吸収したことが表示
されると、それぞれの信号S1p、S1nを供給するよ
うにできる。
【0038】制御デバイス内に含まれ、反転出力端を有
するレベル検出回路2P、2Nには、それぞれ電流Ip
およびInの電流測定値が供給される。半導体TYpに
電流が流れないことを供給された信号が表示すると、レ
ベル検出回路2Pは、出力信号S2pを発生し、半導体
TYnを電流が流れないことを供給された信号が表示す
ると、レベル検出回路2Nは、出力信号S2nを発生す
る。一般に、それぞれの電流の値が電流の公称実効値
(RMS)の約1%よりも小さくなると、出力信号S2
pおよびS2nが発生される。
【0039】AND回路3Pには、スイッチーイン命令
COM1ON、導通命令CPpおよび信号S1pが供給
され、これら信号のすべてが同時に生じると、AND回
路3Pは、出力信号S3pを発生する。対応する態様で
AND回路3Nには、スイッチーイン命令COM1O
N、導通命令CPnおよび信号S1nが供給され、これ
らすべての信号が同時に発生した時に、AND回路3N
は出力信号S3nを発生する。
【0040】AND回路4Pには、スイッチーイン命令
COM1ON、導通命令CPn、信号S1pおよび信号
S2nが供給され、これら信号のすべてが同時に生じる
と、AND回路4Pは、出力信号としてデブロッキング
信号S4pを発生する。
【0041】AND回路4Nには、スイッチーイン命令
COM1ON、導通命令CPp、信号S1nおよび信号
S2pが供給され、これらすべての信号が同時に生じた
時にAND回路4Nは、出力信号としてデブロッキング
信号S4nを発生する。
【0042】本発明によれば、デブロッキング信号S4
pおよびS4nは、それぞれ任意の遅延時間T1を有す
る時間遅延回路5P、5Nに送られる。従って、デブロ
ッキング信号S4pに対して時間T1だけ遅延された時
間遅延回路5Pからの出力信号および信号S3pは、O
R回路6Pへ加えられ、このOR回路は、これら入力信
号の少なくとも一方が発生されている時に出力信号とし
て点弧命令S6pを発生する。
【0043】また、デブロッキング信号S4nに対し
て、時間T1だけ遅延された時間遅延回路5Nからの出
力信号S5nは、OR回路6Nに対して加えられ、これ
ら入力信号の少なくとも1つが生じたときに、このOR
回路6Nは、出力信号として点弧命令S6nを発生す
る。
【0044】点弧命令S6pおよびS6nは、それぞれ
パルス整形デバイス7P、7Nへ加えられ、これらパル
ス成形デバイスは、それぞれパルス整形された出力信号
S7p、S7nを発生する。これら出力信号S7p、S
7nは、それぞれ光カプラー8P、8Nへ加えられ、こ
れら光カプラは、出力信号として点弧信号FPpおよび
FPnをそれぞれ発生し、これら点弧信号は、光ガイド
LC3pおよびLC3nを介して半導体バルブTSへ加
えられる。半導体バルブは、図3に示されていない回路
を備え、これら回路は、それ自体公知の態様で点弧命令
S6pおよびS6nに応じて、それぞれの半導体に含ま
れるサイリスタに対する点弧パルスを発生する。
【0045】次に、図6A−6Bを参照して制御デバイ
スの作動モードについてより詳細に説明する。図6A−
6Bにおいて、すべてのケースにおける水平軸は、垂直
軸に示された値に対する電気的な角度を示す。説明は図
4に示されるようなコンデンサデバイスTSCabおよ
び図5に示されるような制御ユニットCUabに関する
ものである。その他のコンデンサおよび制御ユニットも
同様に構成されている。
【0046】図6Aは、図を簡略にするために極性を反
転させた状態の基本信号SUabを垂直軸に示す。上記
から明らかなように、基本信号SUabは、バスバーN
B上の電圧Uabの基本成分の時間変化率に対応し、よ
ってコンデンサデバイスの両端の電圧の対応する成分の
時間変化率に対応する。垂直軸には、スイッチーインさ
れたコンデンサユニットにより作動が乱されていない間
に、コンデンサデバイスTSCab内のコンデンサCを
流れる電流ICも実線で示されている。表示ICに近い
表示Ipは、電流ICを流すのは半導体TYpであるこ
とを示し、表示Inは、電流ICを流すのは半導体In
であることを示している。比較すると、垂直軸にはコン
デンサデバイスの両端の電圧Uabの基本成分Uab1
も示されている。動作が乱されていない間、基本信号の
ゼロクロス点と電流のゼロクロス点とは基本的に一致す
る。
【0047】破線は、例えば電力ネットワーク内の故障
の結果として180度〜270度のインターバル内の、
図に示された角度α度、従って270度の基本信号の対
応するゼロクロス点よりも前で負の値からのゼロクロス
が生じるような位相位置にされた、コンデンサを通過す
る電流IC’を示す。図に示されるコンデンサデバイス
の両端の電圧Uabの基本成分Uab1は、乱されてい
ない作動に当てはまるが、電流IC’の図示された位相
位置に対応するケースには当てはまらないことに留意す
べきである。
【0048】図6Bは、基本信号に応じて発生される導
通命令CPpおよびCPn、信号S1p、S2n、S3
p、デブロッキング信号S4p、信号S5pおよび点弧
命令S6pをそれぞれの軸に上部から下方に順に示す。
【0049】図6Bに示された信号は、スイッチーイン
補償ユニットにより作動が乱されていない場合には実線
で示されており、コンデンサを通過する電流が図6Bに
より電流IC’を有するような位相位置になっている場
合には破線で示されている。図面は、基本信号SUab
>0の時に導通命令CPpが発生し、基本信号SUab
<0の時に導通命令CPnが発生することを示す。
【0050】乱れのない作動中であり、コンデンサデバ
イスの両端の電圧Uabに高調波がない場合、この電圧
の時間変化率(dUab/dt)は、角度270度にて
符号を負から正に変えるので、次のインターバル270
度〜450度では導通命令CPnは発生しないが、導通
命令CPpは発生する。半導体バルブを通過する電流I
nは各度270度でゼロに接近し、この角度で終了す
る。その理由は、半導体TYnは反対方向に電流を流さ
ないからである。半導体TYpに含まれるサイリスタ
は、先のインターバル90度から270度の間で非導通
状態になっていたので、角度170度では順方向の電圧
を吸収する。これにより信号S1pが発生するので、A
ND回路3Pへの入力信号がすべて発生すると信号S3
p、従って点弧信号FPpが発生される。この時点では
導通命令CPnは生じていないので、AND回路4Pか
らのデブロッキング信号S4pは発生されない。
【0051】例えば、コンデンサを通過する電流が図6
Aにおける電流IC’に対して示された位相位置となる
場合、角度αにて電流Inはゼロに接近する。導通命令
CPpは生じていないので、この角度では信号S3pは
発生されない。
【0052】本発明の一実施例では、AND回路4P
は、信号S1p、CPnおよびCOM1Nに対する入力
信号しか含まないと見なされるので、制御ユニットCU
からレベル検出回路2Nを省略してもよい。
【0053】角度αでは、上記と同じ理由から信号S1
pが発生される。このインターバルでは、導通命令CP
nが発生されるので、角度αでデブロッキング信号S4
pが発生され、時間T1だけ遅延され、信号S5pが発
生され、この結果、点弧信号FPpが発生される。半導
体TYpが導通状態にセットされている時は、信号S1
pは消滅する。
【0054】図6Bの下方に示されるように、乱れのな
い作動中は、信号S3pに応じ、角度270度にて電流
のゼロクロス点で点弧命令S6p、従って点弧信号FP
pが発生される。角度270度の前の角度αで生じる電
流Inのゼロクロスを生じさせるような作動上の乱れが
生じた場合、信号S5p、従ってデブロッキング信号S
4pに応じて点弧命令S6pが発生される。この点弧命
令は、電流Inが負の値からゼロに接近した後の角度T
* * 360°(ここでfは、電力ネットワークNW
の周波数である)で生じる。
【0055】本発明の他の実施例では、制御ユニットC
Uは、レベル検出回路2NとAND回路4Pを備え、回
路4Pは、信号S2nに対する入力端も有する。図5お
よび6Bから明らかなように、信号S2nは、電流がゼ
ロに近づく際に、すなわち弁別回路1P’からの信号S
1pとほぼ同時に(実際には表示デバイスUMp、UM
nおよびレベル検出回路2P、2Nにおける設定レベル
に応じ、多少早く)発生される。従って、デブロッキン
グ信号S4pおよび信号S5pの発生に関する制御ユニ
ットの機能は、上記機能と同様である。しかしながら、
半導体バルブを通過するそれぞれの電流IpおよびIn
の検出および電流が半導体を通過して流れることを終了
した場合に限り、デブロッキング信号を発生すべき条件
は、コンデンサデバイスの制御に関する別の安全性を必
要とし、更に本発明の有利な改善を必要とする。
【0056】制御ユニットは、点弧信号FPpおよび点
弧信号FPnの発生に関して全く対称的に設計されてい
るので、後者の点弧命令がどのように発生されるかの説
明は省略する。
【0057】従って、要約すれば、本発明に係わる制御
ユニットの機能は、次のとおりである。すなわち、半導
体バルブの2つの導通方向のうちの第1の導通方向に半
導体を通過する電流が流れ、関連する予想された導通方
向の所定の角度インターバルでの導通命令が存在する
が、第2の導通方向の導通命令が存在せず、電流が半導
体バルブを通過して流れるのを終了させる表示(信号S
1p、S2n、S2p、S1n)がない時に、所定の角
度インターバルで電流がゼロに接近する際に、デブロッ
キング信号が発生されてから任意の遅延をさせてデブロ
ッキング信号に応じて、第2の導通方向に対する点弧命
令を発生させるような機能となっている。
【0058】時間遅延T1は、電気角T1* * 360
°(ここでfは、電力ネットワークNWの周波数)に対
応する。研究によれば、この角度は、インターバル7度
〜11度の間になるよう、すなわち電力ネットワークに
おける50Hzの周波数では約0.4〜0.6msのイン
ターバルにおける時間遅延に対応するインターバル内に
なるように有利に選択すべきであることが判っている。
このように電力ネットワークとコンデンサとの間に電圧
差がある時に、スイッチーイン後の過渡現象および電力
ネットワークの電圧に高調波が含まれる時の上記共振現
象の良好な減衰を維持すると同時に、この期間中にコン
デンサの両端に危険な過電圧が蓄積される可能性が大幅
に低減される。
【0059】本発明は、上記実施例のみに限定されるも
のではない。例えば、制御ユニットによって実行される
機能を実施する手段に応じ、当業者が知っている多数の
方法で制御ユニットCUab等を設計することができ
る。
【0060】遅延時間T1の値も、例えば表示デバイス
UMp、UMnで検出されるオフ状態の電圧に逆比例す
るように、この検出されたオフ状態の電圧に応じて当業
者に知られた方法で設定してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】電力ネットワークに接続されたサイリスタでス
イッチングされるコンデンサを含む補償器を示す単一ラ
インの図である。
【図2】図1に示された補償器に含まれる補償ユニット
の三相図である。
【図3】図2に示された補償ユニットに含まれるコンデ
ンサデバイスを示す図である。
【図4】図1に示された補償器のための制御機器の一部
の公知の実施例を示す図である。
【図5】図1に示された補償器のための制御機器に含ま
れる、本発明に係わる制御ユニットの一実施例を示す図
である。
【図6】図5の制御ユニットにおける多数の信号波形を
示す波形図であり、そのうちのAは基本信号を示し、B
は導通命令、デブロッキング信号、点弧命令を示す図で
ある。
【符号の説明】
TSCab、TSCbc、TSCca コンデンサデバ
イス COM1、COM2、COM3 補償ユニット NW 電力ネットワーク C コンデンサ TS 半導体バルブ TYp 第1半導体 CTYp 第1導通方向 TYn 第2半導体 CTYn 第2導通方向 Uab、Ubc、Uca 補償器で検出される電圧 S6p 第1点弧命令 S6n 第2点弧命令 S4p、S4n デブロッキング信号

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電力回路網(NW)における無効電力を
    補償するために並列接続された静止補償装置(COM
    1、COM2、COM3)のコンデンサ装置(TSCa
    b、TSCbc、TSCca)を制御する制御方法であ
    り、前記コンデンサ装置がコンデンサ(C)と、このコ
    ンデンサに直列に接続された半導体バルブ(TS)とを
    備え、第1半導体(TYp)がコンデンサを経た電流の
    第1導通方向(CTYp)に対応し、第2半導体(TY
    n)がコンデンサを経た電流の第2導通方向(CTY
    n)に対応し、 補償装置において電圧(Uab、Ubc、Uca)を検
    出し、この検出された電圧から誘導される、この電圧の
    基本成分の値の時間変化率の符号に応じて第1半導体の
    第1点弧命令(S6p)および第2半導体のための第2
    点弧命令(S6n)を交互に発生するコンデンサ装置を
    制御する制御方法において、 第1および第2導通方向(CTYp、CTYn)の各々
    に対し、それぞれの点弧命令に関連した導通方向に電流
    を流さないことを表示する阻止信号(S4p、S4n)
    を発生し、 前記阻止信号の発生を任意の時間(T1* * 360
    °)だけ遅延して第1および第2導通方向のうちの第2
    方向(CTYn、CTYp)に対する点弧命令を発生す
    ることを特徴とする前記制御方法。
  2. 【請求項2】 前記検出された電圧に対し、90度の電
    気角度の位相遅れを有する正弦波状信号として、前記時
    間変化率を位相ロックループ(PLLab、PLLb
    c、PLLca)により設定することを特徴とする請求
    項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 半導体の両端のオフ状態の電圧(UT
    Y)を検出することにより、阻止信号を発生することを
    特徴とする請求項1および2のいずれかに記載の方法。
  4. 【請求項4】 半導体を通過する電流(Ip、In)を
    検出することにより、阻止信号を発生することを特徴と
    する請求項1および2のいずれかに記載の方法。
  5. 【請求項5】 前記任意の遅延時間が7から11度の電
    気角度の範囲内にあることを特徴とする請求項1〜4の
    いずれかに記載の方法。
  6. 【請求項6】 電力回路網(NW)における無効電力を
    補償するために並列接続された静止補償装置(COM
    1、COM2、COM3)のコンデンサ装置(TSCa
    b、TSCbc、TSCca)を制御する制御装置であ
    り、前記コンデンサ装置が、コンデンサ(C)と、この
    コンデンサに直列に接続された半導体バルブ(TS)と
    を備え、第1半導体(TYp)がコンデンサを経た電流
    の第1導通方向(CTYp)に対応し、第2半導体(T
    Yn)がコンデンサを経た電流の第2導通方向(CTY
    n)に対応し、 前記制御装置は、補償装置における電圧(Uab、Ub
    c、Uca)を検出する回路(VN、FSD、CU)を
    備え、これら回路が、前記検出された電圧から誘導され
    た、この電圧の基本成分の値の時間変化率の値を設定
    し、更に、この時間変化率の符号に応じて、第1半導体
    の第1点弧命令(S6p)および第2半導体の第2点弧
    命令(S6n)を発生するようになっている並列接続さ
    れた静止補償装置のコンデンサ装置を制御する制御装置
    において、 前記制御装置が更に回路(UMp、UMn、CM、1
    P、1P’、2N、2P、1N、1N’、5P、5N)
    を備え、これら回路が、第1および第2導通方向(CT
    Yp、CTYn)の各々に対し、それぞれの点弧命令に
    関連した導通方向に電流を流さないことを表示する阻止
    信号(S4p、S4n)を発生し、前記阻止信号の発生
    後、任意の時間(T1* * 360°)だけ遅延して第
    1および第2導通方向のうちの第2方向(CTYn、C
    TYp)に対する点弧命令を発生することを特徴とする
    前記制御装置。
  7. 【請求項7】 前記検出された電圧に対し、90度の電
    気角度の位相遅れを有する正弦波状信号として、時間変
    化率の値を設定する位相ロックループ(PLLab、P
    LLbc、PLLca)を含むことを特徴とする、請求
    項6記載の装置。
  8. 【請求項8】 半導体バルブの両端のオフ状態の電圧
    (UTY)を検出することにより、前記阻止信号を発生
    する手段(UMp、UMn、1P、1P’、1N、1
    N’)を含むことを特徴とする請求項6および7のいず
    れかに記載の装置。
  9. 【請求項9】 半導体バルブを通過する電流(Ip、I
    n)を検出することにより、前記阻止信号を発生する手
    段(CM、2N、2P)を含むことを特徴とする請求項
    6および7のいずれかに記載の装置。
  10. 【請求項10】 好ましくは7から11度の電気角度の
    範囲内に前記任意の遅延時間を設定する時間遅延回路
    (5P、5N)を含むことを特徴とする請求項6〜9の
    いずれかに記載の装置。
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