JPH10235770A - Transparent conductive antireflection multi-layer film and display device with the multi-layer film - Google Patents
Transparent conductive antireflection multi-layer film and display device with the multi-layer filmInfo
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- JPH10235770A JPH10235770A JP9042645A JP4264597A JPH10235770A JP H10235770 A JPH10235770 A JP H10235770A JP 9042645 A JP9042645 A JP 9042645A JP 4264597 A JP4264597 A JP 4264597A JP H10235770 A JPH10235770 A JP H10235770A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、優れた帯電防止効果、
電磁波遮蔽効果、反射防止効果を有する透明導電性反射
防止多層膜およびその多層膜を有する表示装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention provides an excellent antistatic effect,
The present invention relates to a transparent conductive antireflection multilayer film having an electromagnetic wave shielding effect and an antireflection effect, and a display device having the multilayer film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】陰極線管、プラズマディスプレイ、液晶
表示装置等の表示装置、特にＴＶブラウン管やコンピュ
ータのディスプレイ等として用いられている陰極線管や
プラズマディスプレイにあっては、フェースパネル面に
発生する静電気により埃が付着して視認性が低下する
他、電磁波を輻射して周囲の機器等に影響を及ぼす虞れ
があり、近年、ＴＣＯ規格という電磁波に対する規格が
制定されている。2. Description of the Related Art In a display device such as a cathode ray tube, a plasma display and a liquid crystal display device, particularly a cathode ray tube and a plasma display used as a TV cathode ray tube and a display of a computer, etc., the static electricity generated on the face panel surface causes In addition to dust adhering and lowering visibility, there is a possibility that electromagnetic waves may be radiated and affect surrounding devices and the like. In recent years, a standard for electromagnetic waves called the TCO standard has been established.
【０００３】このため、特開平 5−70181 号公報には、
オートクレーブ処理された酸化錫粒子を合む塗布液を基
体上に塗布し、加熱して、透明導電膜を形成し、この透
明導電膜上に、酸化錫より低い屈折率の材料からなる薄
膜を形成した低反射帯電防止膜が提案されている。しか
しながら、この低反射帯電防止膜は１×ｌ０8 〜１×１
０10Ω／□程度の導電性しか得られず、帯電防止効果は
期待できるものの、電磁波遮蔽のためには導電性が大幅
に不足するという問題点があり、更に、この低反射帯電
防止膜を構成する各薄膜の膜厚、屈折率について十分な
検討がなされておらず、実用性に欠けるという問題点が
あった。[0003] For this reason, Japanese Patent Laid-Open No. 5-70181 discloses that
A coating solution containing the autoclaved tin oxide particles is applied to a substrate and heated to form a transparent conductive film, and a thin film made of a material having a lower refractive index than tin oxide is formed on the transparent conductive film. A low reflection antistatic film has been proposed. However, this low reflection antistatic film is 1 × 10 8 to 1 × 1.
Although a conductivity of only about 0 10 Ω / □ can be obtained and an antistatic effect can be expected, there is a problem that the conductivity is largely insufficient for shielding electromagnetic waves. There has been a problem that the film thickness and the refractive index of each of the constituent thin films have not been sufficiently studied, and the film lacks practicality.
【０００４】また、特開平 5−299036号公報には、陰極
線管等のフェースパネルに、帯電を防止するばかりでな
く電磁波を遮蔽するような高い導電性を有する透明導電
性反射防止膜を形成する方法として、酸化錫からなる透
明性導電膜をＣＶＤ法により形成し、この透明性導電膜
上に酸化錫より低い屈折率の材料からなる透明薄膜を形
成する方法が提案されている。しかしながら、この方法
にあっては、１×１０3 〜１×１０6 Ω／□程度の面低
抗を有する透明導電膜が得られるものの、ＴＣＯ規格に
適合するためには導電性が充分とは言い難く、この対策
として、透明性導電膜の膜厚を厚くして導電性を向上さ
せることが考えられるが、このようにすると反射防止効
果が低下し、ぎらつきの激しい実用に耐えない膜となる
ため、透明性導電膜の膜厚を厚くすることには自ずから
限度があるという問題点があった。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-299036, a transparent conductive antireflection film having high conductivity not only to prevent charging but also to shield electromagnetic waves is formed on a face panel such as a cathode ray tube. As a method, a method has been proposed in which a transparent conductive film made of tin oxide is formed by a CVD method, and a transparent thin film made of a material having a refractive index lower than that of tin oxide is formed on the transparent conductive film. However, in this method, although a transparent conductive film having a surface resistance of about 1 × 10 3 to 1 × 10 6 Ω / □ is obtained, the conductivity is not sufficient to meet the TCO standard. As a countermeasure, as a countermeasure, it is conceivable to improve the conductivity by increasing the thickness of the transparent conductive film. However, in this case, the antireflection effect is reduced, and the film becomes inferior to practical use with severe glare. For this reason, there is a problem that there is a natural limit in increasing the thickness of the transparent conductive film.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みなされたものであり、これを解決するための具体的
な課題は、画像表示装置等に用いて優れた帯電防止効
果、電磁波遮蔽効果、および反射防止効果を有する透明
導電性反射防止多層膜およびその多層膜を有する表示装
置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and a specific object for solving the problems is to provide an excellent antistatic effect and an excellent electromagnetic wave shielding effect for an image display device or the like. An object of the present invention is to provide a transparent conductive antireflection multilayer film having an effect and an antireflection effect, and a display device having the multilayer film.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
に係る透明導電性反射防止多層膜は、基板側から順に、
屈折率ｎ1 ＝1.60〜1.88、膜厚ｄ1 ＝50〜120 ｎｍを有
する中屈折率透明膜と、該中屈折率透明膜上にＣＶＤ法
または熱分解法によって形成される屈折率ｎ2＝1.90〜
2.10、膜厚ｄ2 ＝30〜300 ｎｍを有する導電性高屈折率
透明膜と、該導電性高屈折率透明膜上に形成される屈折
率ｎ3 ＝1.40〜1.50、膜厚ｄ3 ＝80〜120 ｎｍを有する
低屈折率透明膜とからなる多層膜を具備したことを特徴
とするものである。Means for Solving the Problems Claim 1 of the present invention
The transparent conductive anti-reflection multilayer film according to, in order from the substrate side,
A medium refractive index transparent film having a refractive index n 1 = 1.60-1.88 and a film thickness d 1 = 50-120 nm, and a refractive index n 2 formed on the medium refractive index transparent film by a CVD method or a thermal decomposition method. 1.90 ~
2.10, a conductive high refractive index transparent film having a film thickness d 2 = 30 to 300 nm, and a refractive index n 3 = 1.40-1.50 formed on the conductive high refractive index transparent film, and a film thickness d 3 = 80. And a low-refractive-index transparent film having a thickness of up to 120 nm.
【０００７】また、請求項２に係る透明導電性反射防止
多層膜は、前記導電性高屈折率透明膜は、酸化錫、酸化
インジウム、酸化アンチモン、アンチモン含有酸化錫、
錫含有酸化インジウムのうちの少なくとも１種を含有す
ることを特徴とする。Further, in the transparent conductive antireflection multilayer film according to claim 2, the conductive high-refractive-index transparent film is formed of tin oxide, indium oxide, antimony oxide, tin oxide containing antimony,
It is characterized by containing at least one of tin-containing indium oxide.
【０００８】また、請求項３に係る透明導電性反射防止
多層膜は、前記中屈折率透明膜は、酸化珪素と酸化チタ
ンとを含有することを特徴とする。[0008] A third aspect of the present invention is a transparent conductive antireflection multilayer film, wherein the medium refractive index transparent film contains silicon oxide and titanium oxide.
【０００９】また、請求項４に係る透明導電性反射防止
多層膜は、酸化珪素を含有する薄膜上に前記多層膜を形
成したことを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a transparent conductive anti-reflection multilayer film, wherein the multilayer film is formed on a thin film containing silicon oxide.
【００１０】また、請求項５に係る表示装置は、請求項
１〜４のいずれかに記載の透明導電性反射防止多層膜を
表面に形成したことを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a display device, wherein the transparent conductive anti-reflection multilayer film according to any one of the first to fourth aspects is formed on the surface.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明者等は、鋭意検討した結
果、電磁波遮蔽効果を期待するに十分な導電性を得るた
めには透明導電膜の製法を特定することが有効であるこ
と、更に、この透明導電膜を合む多層膜に充分な反射防
止性を付与するためには前記透明導電膜を含む多層膜を
構成する各膜の屈折率および膜厚を所定範囲内とするこ
とが必要であることを知見し、本発明を完成した。以
下、その実施の形態につき具体的に説明する。ただし、
この実施の形態は、本発明をより良く理解させるために
具体的に説明するものであって、特に指定のない限り、
発明の内容を限定するものではない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As a result of intensive studies, the present inventors have found that it is effective to specify a method for producing a transparent conductive film in order to obtain sufficient conductivity to expect an electromagnetic wave shielding effect. In order to impart a sufficient antireflection property to the multilayer film including the transparent conductive film, it is necessary that the refractive index and the thickness of each film constituting the multilayer film including the transparent conductive film are within a predetermined range. Thus, the present invention was completed. Hereinafter, the embodiment will be specifically described. However,
This embodiment is specifically described for better understanding of the present invention, and unless otherwise specified.
It does not limit the content of the invention.
【００１２】〔構成〕透明導電性反射防止多層膜として
は、基板側から順に形成する各層を、中屈折率透明膜と
導電性高屈折率透明膜と低屈折率透明膜との３層膜を具
備したものとする。そして、これら各層の屈折率および
膜厚は、中屈折率透明膜では屈折率ｎ1 ＝1.60 〜 1.88
、膜厚ｄ1 ＝ 50 〜120 ｎｍとし、導電性高屈折率透
明膜では屈折率ｎ2 ＝ 1.90 〜 2.10 、膜厚ｄ2 ＝ 30
〜300 ｎｍとし、低屈折率透明膜では屈折率ｎ3 ＝ 1.4
0 〜 1.50 、膜厚ｄ3 ＝ 80 〜120 ｎｍとする。さら
に、中屈折率透明膜上に形成する導電性高屈折率透明膜
はＣＶＤ法または熱分解法によって形成するものとす
る。[Structure] As the transparent conductive antireflection multilayer film, each layer formed in order from the substrate side is a three-layer film of a medium refractive index transparent film, a conductive high refractive index transparent film and a low refractive index transparent film. It shall be provided. The refractive index and the film thickness of each of these layers are n 1 = 1.60 to 1.88 for the medium refractive index transparent film.
And the film thickness d 1 = 50 to 120 nm, and the refractive index n 2 = 1.90 to 2.10 and the film thickness d 2 = 30 in the case of a conductive high refractive index transparent film.
300300 nm, and the refractive index n 3 = 1.4 for the low refractive index transparent film.
0 to 1.50, and the film thickness d 3 = 80 to 120 nm. Further, the conductive high refractive index transparent film formed on the medium refractive index transparent film is formed by a CVD method or a thermal decomposition method.
【００１３】この導電性高屈折率透明膜をＣＶＤ法また
は熱分解法を用いて形成する理由は、他のコーティング
法による場合と比較して、形成される膜が細かい緻密な
構造となり、導電性が著しく向上することになるからで
ある。なお、膜厚が均一な膜を形成することができる点
でＣＶＤ法が特に好適である。また、導電性高屈折率透
明膜の膜厚を 30 〜300 ｎｍとしたのは、膜厚が 30ｎ
ｍ末満では充分な導電性即ち電磁波遮蔽効果が得られ
ず、膜厚が 300ｎｍを超えると良好な反射防止効果が得
られなくなるばかりでなく膜にシミが目立ちやすくな
り、膜の外観が劣るからである。The reason for forming this conductive high-refractive-index transparent film by the CVD method or the thermal decomposition method is that the formed film has a finer and more dense structure as compared with the case of other coating methods, and the conductive high-refractive-index transparent film has a fine structure. Is significantly improved. Note that the CVD method is particularly preferable in that a film having a uniform thickness can be formed. The reason why the thickness of the conductive high-refractive-index transparent film is set to 30 to 300 nm is that the film thickness is 30 n
If the film thickness is less than m, sufficient conductivity, that is, an electromagnetic wave shielding effect cannot be obtained. If the film thickness exceeds 300 nm, not only a good antireflection effect cannot be obtained, but also stains become more conspicuous and the film appearance is poor. It is.
【００１４】さらに、導電性高屈折率透明膜を形成する
材料としては、金属、金属酸化物が使用可能であるが、
特に酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、アンチ
モン含有酸化錫、錫含有酸化インジウムのうちの少なく
とも１種を含有することが好ましい。これら金属酸化物
のうちの少なくとも１種を構成成分として含有する膜
は、屈折率が 1.90 〜 2.10 という高屈折率を容易に形
成し得るほか、透明性、導電性に優れ、着色の虞もない
からである。Further, as a material for forming the conductive high-refractive-index transparent film, metals and metal oxides can be used.
In particular, it is preferable to contain at least one of tin oxide, indium oxide, antimony oxide, antimony-containing tin oxide, and tin-containing indium oxide. A film containing at least one of these metal oxides as a constituent component can easily form a high refractive index having a refractive index of 1.90 to 2.10, is excellent in transparency and conductivity, and has no risk of coloring. Because.
【００１５】そして、透明導電性反射防止多層膜に対し
て充分な反射防止性を付与するためには、中屈折率透明
膜の屈折率ｎ1 を 1.60 〜 1.88 、膜厚ｄ1 を 50 〜12
0 ｎｍとし、更に低屈折率透明膜の屈折率ｎ3 を 1.40
〜 1.50 、膜厚ｄ3 を 80 〜120 ｎｍとすることが必要
である。In order to impart a sufficient anti-reflection property to the transparent conductive anti-reflection multilayer film, the medium refractive index transparent film has a refractive index n 1 of 1.60 to 1.88 and a thickness d 1 of 50 to 12.
0 nm, and the refractive index n 3 of the low refractive index transparent film is 1.40.
To 1.50, it is necessary to the thickness d 3 80 ~120 nm.
【００１６】また、この中屈折率透明膜には、屈折率を
所定範囲内に制御することが容易になる点で、酸化珪素
と共に、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニ
ウム、酸化セリウム、酸化ランタン、酸化インジウム、
酸化アンチモン、酸化ネオジウムのうちの少なくとも１
種を含有させることが望ましい。In addition, the intermediate refractive index transparent film, together with silicon oxide, titanium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, cerium oxide, lanthanum oxide, Indium oxide,
At least one of antimony oxide and neodymium oxide
It is desirable to include a seed.
【００１７】また、多層膜が酸化珪素を含有する薄膜上
に形成されているか、または中屈折率透明膜が酸化珪素
を含有していることが好ましい。即ち、多層膜を構成す
る各膜を成膜する際には 100〜450 ℃の熱処理が必要と
なる。パネルガラスは 400℃を超える温度に加熱される
と、アルカリ成分がパネルガラスから溶出するから、こ
のアルカリ成分が導電性高屈折率透明膜へ拡散し、導電
性高屈折率透明膜の導電性を低下させる。しかし、パネ
ルガラスと導電性高屈折率透明膜との間に、酸化珪素を
合む膜が存在すると、アルカリ成分の導電性高屈折率透
明膜中への拡散を防止することができて、導電性高屈折
率透明膜の導電性の劣化を防止することが可能となる。It is preferable that the multilayer film is formed on a thin film containing silicon oxide, or that the medium refractive index transparent film contains silicon oxide. That is, when forming each film constituting the multilayer film, a heat treatment at 100 to 450 ° C. is required. When the panel glass is heated to a temperature exceeding 400 ° C., the alkali component is eluted from the panel glass, and this alkali component is diffused into the conductive high-refractive-index transparent film, and the conductivity of the conductive high-refractive-index transparent film is reduced. Lower. However, if there is a film containing silicon oxide between the panel glass and the conductive high-refractive-index transparent film, the diffusion of the alkali component into the conductive high-refractive-index transparent film can be prevented, and the conductive It is possible to prevent the conductivity of the highly refractive index transparent film from deteriorating.
【００１８】また、透明導電性反射防止多層膜の最上層
に、ノングレア性を付与するために、スプレー法でシリ
カ膜を形成させることも可能である。また、必要に応じ
て各透明膜のいずれかに有色顔料を入れ、着色すること
もできる。そして、前記透明導電性反射防止多層膜は、
陰極線管、液晶表示板等の表示装置に適用することがで
きる。In order to impart non-glare properties to the uppermost layer of the transparent conductive antireflection multilayer film, a silica film can be formed by a spray method. If necessary, a colored pigment may be added to one of the transparent films to be colored. And the transparent conductive anti-reflection multilayer film,
The present invention can be applied to display devices such as a cathode ray tube and a liquid crystal display panel.
【００１９】〔製造方法〕次に、透明導電性反射防止多
層膜の製造方法について説明する。導電性高屈折率透明
膜の形成に関しては、ＣＶＤ法、熱分解法が適用可能で
あり、特に、膜厚を均一に形成することができる点でＣ
ＶＤ法が好適である。中屈折率透明膜または低屈折率膜
を形成するには、それぞれ中屈折率透明膜形成用コーテ
ィング液、低屈折率透明膜形成用コーティング液を用い
る。[Production Method] Next, a method for producing a transparent conductive antireflection multilayer film will be described. As for the formation of the conductive high-refractive-index transparent film, a CVD method and a thermal decomposition method can be applied.
The VD method is preferred. In order to form a medium refractive index transparent film or a low refractive index film, a coating liquid for forming a medium refractive index transparent film and a coating liquid for forming a low refractive index transparent film are used, respectively.
【００２０】これらのコーティング液に用いられる成分
は、一般式Ｒ1 ｎＭ（ＯＲ2 ）4-n（Ｒ1 はアルキル
基、アルケニル基、アリール基を表し、ＭはＳｉ，Ａ
１，Ｚｒ，Ｃｅ，Ｍｇ，Ｌａ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｎｄ
等の金属を表し、Ｒ2 はアルキル基を表し、ｎは０また
は１の整数を表す）で示される化合物、または、これら
の加水分解縮重合物を用いる。The components used in these coating solutions are represented by the general formula R 1 nM (OR 2 ) 4-n (R 1 represents an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group, and M represents Si, A
1, Zr, Ce, Mg, La, Sn, In, Sb, Nd
Wherein R 2 represents an alkyl group and n represents an integer of 0 or 1), or a hydrolyzed polycondensate thereof.
【００２１】一般式Ｒ1 ｎＭ（ＯＲ2 ）4-n で表される
化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、テトライソプロポキシチタン、ト
リブトキシアルミニウム、セリウムアセチルアセトナー
ト、ジエトキシマグネシウム、ジイソプロポキシマグネ
シウム、トリエトキシランタン、トリイソプロポキシラ
ンタン、ランタンアセチルアセトナート、テトラエトキ
シ錫、テトライソプロポキシ錫、テトラブトキシ錫、ネ
オジウムアセチルアセトン等を挙げることができる。Specific examples of the compound represented by the general formula R 1 nM (OR 2 ) 4-n include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, tetraisopropoxytitanium, Butoxyaluminum, cerium acetylacetonate, diethoxymagnesium, diisopropoxymagnesium, triethoxysilanetan, triisopropoxysilanetan, lanthanum acetylacetonate, tetraethoxytin, tetraisopropoxytin, tetrabutoxytin, neodymium acetylacetone, etc. Can be.
【００２２】これらのＲ1 ｎＭ（ＯＲ2 ）4-n は、単独
で使用することも、または二種以上を併用することもで
きる。また、Ｒ1 ｎＭ（ＯＲ2 ）4-n を二種以上併用す
ることで膜の屈折率を自由に制御することができる。な
お、酸化珪素を含む透明膜を形成するコーティング液で
は、一般式Ｒ1 ｎＭ（ＯＲ2 ）4-n で表される化合物の
うち、ＭがＳｉである化合物またはその加水分解縮重合
物を主成分として用いる必要がある。These R 1 nM (OR 2 ) 4-n can be used alone or in combination of two or more. Also, by using two or more kinds of R 1 nM (OR 2 ) 4-n , the refractive index of the film can be freely controlled. In the coating liquid for forming a transparent film containing silicon oxide, among compounds represented by the general formula R 1 nM (OR 2 ) 4-n , a compound in which M is Si or a hydrolyzed polycondensate thereof is mainly used. It must be used as a component.
【００２３】このＲ1 ｎＭ（ＯＲ2 ）4-n の加水分解縮
重合には、触媒として塩酸、硝酸、燐酸、ほう酸等の無
機酸、ぎ酸、酢酸、マレイン酸、フマル酸、プロピオン
酸、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、コハク酸等の有機
酸、アンモニア、トリメチルアンモニウム等のアルカリ
が挙げられ、特に、塩酸、硝酸が好適に用いられる。こ
のＲ1 ｎＭ（ＯＲ2 ）4-n の加水分解縮重合に用いられ
る水の量も適宜決められるが、好適には、Ｒ1 ｎＭ（Ｏ
Ｒ2 ）4-n １モルに対して 0.001〜0.4 モルの範囲で用
いられる。In the hydrolytic condensation polymerization of R 1 nM (OR 2 ) 4-n , an inorganic acid such as hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, boric acid, formic acid, acetic acid, maleic acid, fumaric acid, propionic acid, Examples thereof include organic acids such as oxalic acid, malonic acid, tartaric acid, and succinic acid; and alkalis such as ammonia and trimethylammonium. Particularly, hydrochloric acid and nitric acid are preferably used. The R 1 nM (OR 2) the amount of water used in the 4-n for the hydrolysis condensation polymerization is also suitably determined, preferably, R 1 nM (O
R 2 ) 4-n is used in an amount of 0.001 to 0.4 mol per 1 mol.
【００２４】中屈折率透明膜形成用コーティング液、低
屈折率透明膜形成用コーティング液に用いられる溶媒と
しては、アルコール類、グリコール誘導体、エステル
類、ケトン類、エーテル類等が挙げられ、単独で使用す
ることも、または２種以上を併用することもできる。Solvents used for the coating liquid for forming the medium refractive index transparent film and the coating liquid for forming the low refractive index transparent film include alcohols, glycol derivatives, esters, ketones, ethers and the like. They can be used alone or in combination of two or more.
【００２５】アルコール類としてはメタノール、エタノ
ール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコー
ル等が、グリコール誘導体としてはエチレングリコー
ル、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エ
チレングリコールモノメチルエーテル等が、エステル類
としては酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト
酢酸メチル、アセト酢酸エチル等が、ケトン類としては
アセトン、メチルエチルケトン、メチルエチルブチルケ
トン、アセチルアセトン等が、エーテル類としてはエチ
ルエーテル、ブチルエーテル、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ等が挙げられる。Alcohols include methanol, ethanol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, etc., glycol derivatives include ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, etc., and esters include methyl acetate, ethyl acetate, and the like. Examples of butyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, etc., ketones include acetone, methyl ethyl ketone, methyl ethyl butyl ketone, acetylacetone, etc., and ethers include ethyl ether, butyl ether, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, etc.
【００２６】中屈折率透明膜形成用コーティング液、低
屈折率透明膜形成用コーティング液の塗布法としてはス
ピンコート法、スプレー法、ディップ法等が適用できる
が、特に、膜厚が均一な膜を形成するにはスピンコート
法が好適である。このようにして塗布された各層の塗布
膜は、 100〜450 ℃の温度下で熱処理を行なうことによ
り、所望の屈折率、膜強度を有する透明膜となる。前記
熱処理は各層を成膜毎に行なうことも、多層膜を形成さ
せた後に一度に行なうこともできる。As a method for applying the coating liquid for forming a medium-refractive-index transparent film and the coating liquid for forming a low-refractive-index transparent film, a spin coating method, a spraying method, a dipping method and the like can be applied. Is preferably formed by a spin coating method. The coating film of each layer applied in this manner becomes a transparent film having desired refractive index and film strength by performing a heat treatment at a temperature of 100 to 450 ° C. The heat treatment can be performed for each layer each time it is formed, or can be performed once after forming the multilayer film.
【００２７】[0027]
【実施例】多層膜の特性を次のように測定した。 (1) 表面抵抗値は、三菱化学社製ロレスタＡＰを用
い、４端子プローブにて測定した。 (2) 反射率は入射角５度の正反射治具を用い、日本分
光社製Ｕ−ｂｅｓｔ５０にて測定した。 (3) 膜強度（密着性）は、ＭＩＬ−Ｃ−６７５Ｃに準
じて、ライオン社製ケシゴムＥＲ−３０Ｒを用いて１ｋ
ｇｆの荷重をかけて表面を摩擦しながら 20回往復運動
せしめ、膜表面損傷の発生を目視し観察し評価した。EXAMPLES The characteristics of the multilayer film were measured as follows. (1) The surface resistance was measured using a Loresta AP manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation with a four-terminal probe. (2) The reflectance was measured using a specular reflection jig having an incident angle of 5 degrees with a U-best 50 manufactured by JASCO Corporation. (3) The film strength (adhesion) was 1 k in accordance with MIL-C-675C using a poppy rubber ER-30R manufactured by Lion Corporation.
The film was reciprocated 20 times while rubbing the surface under a load of gf, and the occurrence of damage to the film surface was visually observed and observed for evaluation.
【００２８】〔実施例１〕 (1) 低屈折率膜形成用コーティング液の調整 23.08ｇのテトラエトキシシランと、186.03ｇのエチル
アルコールと、 1.06ｇの１Ｎ塩酸と、 4.81 ｇの純水
とを混合し、 60 ℃、１時間の熟成を行い、低屈折率透
明膜形成用コーティング液（Ａ）とした。Example 1 (1) Preparation of Coating Solution for Forming Low Refractive Index Film 23.08 g of tetraethoxysilane, 186.03 g of ethyl alcohol, 1.06 g of 1N hydrochloric acid and 4.81 g of pure water were prepared. The mixture was mixed and aged at 60 ° C. for 1 hour to obtain a coating liquid (A) for forming a low refractive index transparent film.
【００２９】(2) 中屈折率透明膜形成用コーティング
液の調整 23.08ｇのテトライソプロポキシチタンと、 156.78 ｇ
のエチルアルコールと、 15.6 ｇのアセチルアセトン
と、 1.06 ｇのｌＮ塩酸と、 4.31 ｇの純水とを混合
し、 60 ℃、１時間の熟成を行い、均一な溶液（Ｂ）と
した。40 ｇの溶液（Ａ）と 60 ｇの溶液（Ｂ）を混合
し、中屈折率透明膜形成用コーティング液（Ｃ）とし
た。(2) Preparation of a coating liquid for forming a medium refractive index transparent film: 23.08 g of tetraisopropoxy titanium, and 156.78 g
Of ethyl alcohol, 15.6 g of acetylacetone, 1.06 g of 1N hydrochloric acid, and 4.31 g of pure water were mixed and aged at 60 ° C. for 1 hour to obtain a uniform solution (B). 40 g of the solution (A) and 60 g of the solution (B) were mixed to obtain a coating liquid (C) for forming a medium refractive index transparent film.
【００３０】(3) 多層膜の形成 透明ガラス基板の一方の面を 40 ℃に調整し、この面に
前記中屈折率透明膜形成用コーティング液（Ｃ）をスピ
ンコート法によって塗布し、塗布面を 50 ℃の温風で60
秒間乾燥し、第１層膜を形成した。次に、ＣＶＤ法によ
って、前記第１層膜上に酸化錫からなる第２層膜を形成
した。次に、前記低屈折率透明膜形成用コーティング液
（Ａ）をスピンコート法によって塗布し、 50 ℃の温風
で 60 秒間乾燥し、第３層膜を形成して、３層の多層膜
を形成した。(3) Formation of Multilayer Film One surface of the transparent glass substrate is adjusted to 40 ° C., and the coating liquid (C) for forming a medium refractive index transparent film is applied to this surface by a spin coating method. With hot air at 50 ° C for 60
After drying for 2 seconds, a first layer film was formed. Next, a second layer film made of tin oxide was formed on the first layer film by a CVD method. Next, the coating liquid (A) for forming a low-refractive-index transparent film is applied by a spin coating method, and dried with warm air at 50 ° C. for 60 seconds to form a third layer film. Formed.
【００３１】(4) 熱処理工程 前記のようにして形成された３層膜を 450℃で 30 分間
熱処理し、基板側から順に屈折率ｎ1 ＝ 1.73 、膜厚ｄ
1 ＝ 105ｎｍの中屈折率透明膜と、この中屈折率透明膜
上に形成された屈折率ｎ2 ＝ 2.00 、膜厚ｄ2 ＝ 150ｎ
ｍの導電性高屈折率透明膜と、この導電性高屈折率透明
膜上に形成された屈折率ｎ3 ＝ 1.46 、膜厚ｄ3 ＝90ｎ
ｍの低屈折率透明膜とからなる透明導電性反射防止多層
膜を得た。なお、着色は認められなかった。評価結果を
表１および図１に示す。(4) Heat treatment step The three-layer film formed as described above is heat-treated at 450 ° C. for 30 minutes, and the refractive index n 1 = 1.73 and the film thickness d in this order from the substrate side.
1 = 105 nm medium refractive index transparent film, refractive index n 2 = 2.00, film thickness d 2 = 150 n formed on this medium refractive index transparent film
m, a conductive high-refractive-index transparent film, a refractive index n 3 = 1.46, and a film thickness d 3 = 90 n formed on the conductive high-refractive-index transparent film.
Thus, a transparent conductive anti-reflection multilayer film comprising a low refractive index transparent film having a refractive index of m was obtained. No coloring was observed. The evaluation results are shown in Table 1 and FIG.
【００３２】〔実施例２〕 (1) 多層膜の作成 透明ガラス基板の一方の面を 40 ℃に調整し、この面に
低屈折率透明膜形成用コーティング液（Ａ）をスピンコ
ート法によって塗布し、 50 ℃の温風で60秒間乾燥し、
第１層膜を形成した。この第１層膜上に中屈折率透明膜
形成用コーティング液（Ｃ）をスピンコート法によって
塗布し、 50 ℃の温風で 60 秒間乾燥し、第２層膜を形
成した。次に、ＣＶＤ法によって酸化錫の第３層膜を形
成した。次に、低屈折率透明膜形成用コーティング液
（Ａ）をスピンコート法によって塗布し、 50 ℃の温風
で 60 秒間乾燥し、第４層膜を形成して、４層の多層膜
を形成した。Example 2 (1) Preparation of Multilayer Film One surface of a transparent glass substrate was adjusted to 40 ° C., and a coating liquid (A) for forming a low refractive index transparent film was applied to this surface by spin coating. And dried in warm air at 50 ° C for 60 seconds.
A first layer film was formed. A coating liquid (C) for forming a medium refractive index transparent film was applied on the first layer film by a spin coating method, and dried with warm air at 50 ° C. for 60 seconds to form a second layer film. Next, a third layer film of tin oxide was formed by a CVD method. Next, a coating liquid (A) for forming a low-refractive-index transparent film is applied by a spin coating method, and dried with warm air of 50 ° C. for 60 seconds to form a fourth layer film, thereby forming a four-layer film. did.
【００３３】(2) 熱処理工程 この４層の多層膜を 450℃で 30 分間熱処理し、基板側
から順に屈折率ｎ0 ＝1.46 、膜厚ｄ0 ＝ 200ｎｍの低
屈折率透明膜と、この低屈折率透明膜上に形成された屈
折率ｎ1 ＝ 1.73 、膜厚ｄ1 ＝ 105ｎｍの中屈折率透明
膜と、この中屈折率透明膜上に形成された屈折率ｎ2 ＝
2.00 、膜厚ｄ2 ＝ 150ｎｍの導電性高屈折率透明膜
と、この導電性高屈折率透明膜上に形成された屈折率ｎ
3 ＝ 1.46、膜厚ｄ3 ＝ 90 ｎｍの低屈折率透明膜とか
らなる透明導電性反射防止多層膜を得た。なお、着色は
認められなかった。評価結果を表１および図２に示す。(2) Heat treatment step The four-layered multilayer film is heat-treated at 450 ° C. for 30 minutes, and a low-refractive-index transparent film having a refractive index n 0 = 1.46 and a film thickness d 0 = 200 nm in this order from the substrate side. A medium-refractive-index transparent film formed on the transparent-refractive-index film with a refractive index n 1 = 1.73 and a film thickness d 1 = 105 nm, and a refractive index n 2 = on this medium-refractive-index transparent film
2.00, a conductive high-refractive-index transparent film having a thickness of d 2 = 150 nm, and a refractive index n formed on the conductive high-refractive-index transparent film.
A transparent conductive anti-reflection multilayer film composed of a low refractive index transparent film having 3 = 1.46 and a film thickness d 3 = 90 nm was obtained. No coloring was observed. The evaluation results are shown in Table 1 and FIG.
【００３４】〔実施例３〕 (1) 導電性高屈折率透明膜形成用コーティング液の調
整 23.08ｇのテトラエトキシ錫と、 156.78 ｇのエチルア
ルコールと、 15.6 ｇのアセチルアセトンと、 1.06 ｇ
の１Ｎ塩酸と、 4.31 ｇの純水とを混合して、60 ℃で
ｌ時間の熟成を行い、導電性高屈折率透明膜形成用コー
ティング液（Ｄ）とした。Example 3 (1) Preparation of a coating liquid for forming a conductive high-refractive-index transparent film: 23.08 g of tetraethoxytin, 156.78 g of ethyl alcohol, 15.6 g of acetylacetone, and 1.06 g
Of 1N hydrochloric acid and 4.31 g of pure water were mixed and aged at 60 ° C. for 1 hour to obtain a coating liquid (D) for forming a conductive high refractive index transparent film.
【００３５】(2) 多層膜の作成 透明ガラス基板の一面を温度 40 ℃に調整し、この面に
低屈折率透明膜形成用コーティング液（Ａ）をスピンコ
ート法によって塗布し、 50 ℃の温風で 60 秒間乾燥
し、第１層膜を形成した。次に、中屈折率透明膜形成用
コーティング液（Ｃ）をスピンコート法によって塗布
し、 50 ℃の温風で 60 秒間乾燥し、第２層膜を形成し
た。次に、導電性高屈折率透明膜形成用コーティング液
（Ｄ）をスピンコート法によって塗布し 50 ℃の温風で
60 秒間乾燥し、酸化錫の第３層膜を形成した。次に、
低屈折率透明膜形成用コーティング液（Ａ）をスピンコ
ート法によって塗布し 50 ℃の温風で 60 秒間乾燥し、
第４層膜を形成して、４層の多層膜を形成した。(2) Preparation of Multilayer Film One surface of the transparent glass substrate is adjusted to a temperature of 40 ° C., and a coating liquid (A) for forming a low refractive index transparent film is applied to this surface by a spin coating method. The film was dried with air for 60 seconds to form a first layer film. Next, the coating liquid (C) for forming a medium-refractive-index transparent film was applied by spin coating, and dried with warm air at 50 ° C. for 60 seconds to form a second layer film. Next, a coating liquid (D) for forming a conductive high-refractive-index transparent film is applied by a spin coating method, and heated with hot air at 50 ° C.
After drying for 60 seconds, a third layer film of tin oxide was formed. next,
The coating liquid (A) for forming a low-refractive-index transparent film is applied by a spin coating method and dried with warm air at 50 ° C. for 60 seconds.
A fourth-layer film was formed to form a four-layer multilayer film.
【００３６】(3) 熱処理工程 この４層の多層膜を 450℃で 30 分間熱処理し、基板側
から順に屈折率ｎ0 ＝1.46 、膜厚ｄ0 ＝ 200ｎｍの低
屈折率透明膜と、この低屈折率透明膜上に形成された屈
折率ｎ1 ＝ 1.73 、膜厚ｄ1 ＝ 100ｎｍの中屈折率透明
膜と、この中屈折率透明膜上に形成された屈折率ｎ2 ＝
2.00 、膜厚ｄ2 ＝ 35 ｎｍの導電性高屈折率透明膜
と、この導電性高屈折率透明膜上に形成された屈折率ｎ
3 ＝ 1.46、膜厚ｄ3 ＝ 100ｎｍの低屈折率透明膜とか
らなる透明導電性反射防止多層膜を得た。なお、着色は
認められなかった。評価結果を表１および図３に示す。(3) Heat treatment step The four-layered multilayer film is heat-treated at 450 ° C. for 30 minutes, and a low-refractive-index transparent film having a refractive index n 0 = 1.46 and a film thickness d 0 = 200 nm in this order from the substrate side. A medium-refractive-index transparent film formed on the transparent-refractive-index film with a refractive index n 1 = 1.73 and a film thickness d 1 = 100 nm, and a refractive index n 2 =
2.00, a conductive high-refractive-index transparent film having a thickness of d 2 = 35 nm, and a refractive index n formed on the conductive high-refractive-index transparent film.
A transparent conductive anti-reflection multilayer film composed of a low refractive index transparent film having 3 = 1.46 and a film thickness d 3 = 100 nm was obtained. No coloring was observed. The evaluation results are shown in Table 1 and FIG.
【００３７】〔比較例１〕透明ガラス基板の一方の面に
ＣＶＤ法によって酸化錫からなる第１層膜を形成した。
次に、低屈折率膜形成用コーティング液（Ａ）をスピン
コート法によって塗布し、 50 ℃の温風で 60 秒間乾燥
し、第２層膜を形成して、２層の多層膜を形成した。こ
の２層膜を 450℃で 30 分間熱処理し、基板側から順に
屈折率ｎ1 ＝ 1.67、膜厚ｄ1 ＝ 100ｎｍからなる導電
性高屈折率透明膜と、この導電性高屈折率透明膜上に形
成された屈折率ｎ2 ＝ 1.46 、膜厚ｄ2 ＝ 90 ｎｍの低
屈折率透明膜とからなる多層膜を得た。評価結果を表１
および図４に示す。Comparative Example 1 A first layer film made of tin oxide was formed on one surface of a transparent glass substrate by a CVD method.
Next, the coating liquid (A) for forming a low refractive index film was applied by a spin coating method, and dried with warm air at 50 ° C. for 60 seconds to form a second layer film to form a two-layer film. . This two-layer film is heat-treated at 450 ° C. for 30 minutes, and a conductive high refractive index transparent film having a refractive index n 1 = 1.67 and a film thickness d 1 = 100 nm in order from the substrate side, and A multilayer film composed of a low-refractive-index transparent film having a refractive index of n 2 = 1.46 and a thickness of d 2 = 90 nm was formed. Table 1 shows the evaluation results.
And FIG.
【００３８】〔比較例２〕 (1) 導電性高屈折率透明膜形成用コーティング液の調
整 1.9ｇのアンチモン含有酸化錫微粉末（住友大阪セメン
ト社製）と、 98.1 ｇの純水とを混合し、超音波ホモジ
ナイザー（セントラル科学貿易社製ソニファイヤー450
）で 10 分間分散させて導電性高屈折率透明膜形成用
コーティング液（Ｅ）とした。Comparative Example 2 (1) Preparation of Coating Solution for Forming Conductive High Refractive Index Transparent Film A mixture of 1.9 g of antimony-containing tin oxide fine powder (manufactured by Sumitomo Osaka Cement Co.) and 98.1 g of pure water was mixed. And an ultrasonic homogenizer (Sonyfire 450 manufactured by Central Science Trading Co., Ltd.)
) For 10 minutes to obtain a coating liquid (E) for forming a conductive high refractive index transparent film.
【００３９】(2) 多層膜の形成 透明ガラス基板の一面を 40 ℃に調整し、この面に導電
性高屈折率透明膜形成用コーティング液（Ｅ）をスピン
コート法によって塗布し、 50 ℃の温風で 60秒間乾燥
し、第１層膜を形成した。次に、低屈折率透明膜形成用
コーティング液（Ａ）をスピンコート法によって塗布
し、 50 ℃の温風で 60 秒間乾燥し、第２層膜を形成し
て、２層の多層膜を形成した。(2) Formation of Multilayer Film One surface of the transparent glass substrate was adjusted to 40 ° C., and a coating liquid (E) for forming a conductive high-refractive-index transparent film was applied to this surface by spin coating. It was dried with warm air for 60 seconds to form a first layer film. Next, a coating liquid (A) for forming a low-refractive-index transparent film is applied by a spin coating method, and dried with warm air at 50 ° C. for 60 seconds to form a second layer film to form a two-layer film. did.
【００４０】(3) 熱処理工程 このようにして形成された多層膜を 450℃で 30 分間熱
処埋し、基板側から順に屈折率ｎ1 ＝ 1.70 、膜厚ｄ1
＝ 100ｎｍの導電性高屈折率透明膜と、この導電性高屈
折率透明膜上に形成された屈折率ｎ2 ＝ 1.46 、膜厚ｄ
2 ＝ 100ｎｍの低屈折率透明膜とからなる反射防止多層
膜を得た。評価結果を表１および図５に示す。(3) Heat treatment step The multilayer film thus formed is heat-treated at 450 ° C. for 30 minutes to obtain a refractive index n 1 = 1.70 and a film thickness d 1 in order from the substrate side.
= 100 nm conductive high refractive index transparent film, refractive index n 2 = 1.46, film thickness d formed on this conductive high refractive index transparent film
An antireflection multilayer film composed of a transparent film having a low refractive index of 2 = 100 nm was obtained. The evaluation results are shown in Table 1 and FIG.
【００４１】〔比較例３〕 (1) 導電性高屈折率透明膜形成用コーティング液の調
整 1.9ｇのアンチモン含有酸化錫微粉末（住友大阪セメン
ト社製）と 98.1 ｇの水とを混合した後、超音波ホモジ
ナイザー（セントラル科学貿易社製：ソニファイヤー 4
50）で 10 分間分散させて、導電性高屈折率透明膜形成
用コーティング液（Ｆ）とした。Comparative Example 3 (1) Preparation of Coating Solution for Forming Conductive High Refractive Index Transparent Film After mixing 1.9 g of antimony-containing tin oxide fine powder (manufactured by Sumitomo Osaka Cement Co.) and 98.1 g of water , Ultrasonic homogenizer (Central Science Trading Co., Ltd .: Sonifire 4)
50) for 10 minutes to give a coating liquid (F) for forming a conductive high-refractive-index transparent film.
【００４２】(2) 多層膜の形成 透明ガラス基板の一方の面を 40 ℃に調整し、この面に
中屈折率透明膜形成用コーティング液（Ｃ）をスピンコ
ート法によって塗布し、 50 ℃の温風で 60 秒間乾燥
し、第１層膜を形成した。次に、導電性高屈折率膜形成
用コーティング液（Ｆ）をスピンコート法によって塗布
し、 50 ℃の温風で 60 秒間乾燥して、第２層膜を形成
した。次に、低屈折率膜形成用コーティング液（Ａ）を
スピンコート法によって塗布し、 50 ℃の温風で 60 秒
間乾燥し、第３層膜を形成して、３層の多層膜を形成し
た。(2) Formation of Multilayer Film One surface of the transparent glass substrate was adjusted to 40 ° C., and a coating liquid (C) for forming a medium refractive index transparent film was applied to this surface by spin coating, and the surface was heated at 50 ° C. It was dried with warm air for 60 seconds to form a first layer film. Next, a coating liquid (F) for forming a conductive high-refractive-index film was applied by spin coating, and dried with warm air at 50 ° C. for 60 seconds to form a second layer film. Next, the coating liquid (A) for forming a low refractive index film was applied by a spin coating method and dried with warm air at 50 ° C. for 60 seconds to form a third layer film, thereby forming a three-layer film. .
【００４３】(3) 熱処理工程 前記のようにして形成された３層膜を実施例１に準じて
熱処埋し、基板側から順に屈折率ｎ1 ＝ 1.73 、膜厚ｄ
1 ＝ 105ｎｍの中屈折率透明膜と、この中屈折率透明膜
上に形成された屈折率ｎ2 ＝ 2.00 、膜厚ｄ2 ＝ 30 ｎ
ｍの導電性高屈折率透明膜と、この導電性高屈折率透明
膜上に形成された屈折率ｎ3 ＝ 1.46 、膜厚ｄ3 ＝ 110
ｎｍの低屈折率透明膜とからなる透明導電性反射防止多
層膜を得た。なお着色は認められなかった。評価結果を
表１および図６に示す。(3) Heat treatment step The three-layer film formed as described above is heat-treated according to Example 1, and the refractive index n 1 = 1.73 and the film thickness d in this order from the substrate side.
1 = 105 nm middle refractive index transparent film, refractive index n 2 = 2.00, film thickness d 2 = 30 n formed on this middle refractive index transparent film
m, a high-refractive-index transparent film having a refractive index of n 3 = 1.46 and a thickness d 3 = 110 formed on the conductive high-refractive-index transparent film.
A transparent conductive antireflection multilayer film composed of a low refractive index transparent film having a thickness of nm was obtained. No coloring was observed. The evaluation results are shown in Table 1 and FIG.
【００４４】[0044]
【表１】 [Table 1]
【００４５】〔作用効果〕実施例１〜実施例３にあって
は、いずれも表面低抗値が 102 Ω／□のオーダであ
り、これに対して、導電性高屈折率透明膜とガラス基板
との間に、酸化珪素を含む透明膜を有していない比較例
１〜比較例３にあっては、表面低抗値がそれぞれ 106、
107、 104Ω／□のオーダである。従って、実施例の透
明導電性反射防止膜は導電性に優れ、帯電防止効果は勿
論のこと、電磁波遮蔽効果を期待するに十分な、即ち電
気回路を使用した対策を用いることなくＴＯＣ規格に適
合し得る導電性を有する。[Effects] In Examples 1 to 3, the surface resistivity was of the order of 10 2 Ω / □, whereas the conductive high refractive index transparent film and glass In Comparative Examples 1 to 3 having no transparent film containing silicon oxide between the substrate and the substrate, the surface resistance was 10 6 , respectively.
It is of the order of 10 7 , 10 4 Ω / □. Therefore, the transparent conductive anti-reflection film of the embodiment is excellent in conductivity and has a sufficient anti-electrostatic effect as well as an anti-electromagnetic wave shielding effect. That is, it conforms to the TOC standard without using a measure using an electric circuit. It has conductivity that can be used.
【００４６】また、反射防止効果に関しては、実施例１
〜実施例３の最低反射率はいずれも0.40 ％以下であ
り、これに対して比較例１〜比較例３における最低反射
率はいずれもほぼ 0.40 ％以上である。さらに、各図に
よっても判明するように、可視光の全領域（ 400〜 700
ｎｍ）における全光線の反射量も実施例１〜実施例３の
方が比較例１〜比較例３よりも低いことから、実施例の
導電性反射防止膜はぎらつきのない優れた反射防止効果
も有している。このように、本発明の実施の形態では、
優れた電磁波遮蔽効果および反射防止効果を兼ね備えた
透明導電性反射防止多層膜および表示装置を得ることが
できる。As for the antireflection effect, the first embodiment is explained.
The lowest reflectances of all of Examples 1 to 3 are 0.40% or less, whereas the lowest reflectances of Comparative Examples 1 to 3 are almost 0.40% or more. Furthermore, as can be seen from each figure, the entire visible light range (400 to 700
nm) in Examples 1 to 3 are also lower than those in Comparative Examples 1 to 3, so that the conductive antireflection film of Example has excellent antireflection effect without glare. Have. Thus, in the embodiment of the present invention,
A transparent conductive antireflection multilayer film and a display device having both excellent electromagnetic wave shielding effect and excellent antireflection effect can be obtained.
【００４７】[0047]
【発明の効果】本発明における請求項１に係る透明導電
性反射防止多層膜は、３層膜以上からなり、各々の被膜
の屈折率および膜厚の数値限定、並びに、導電性高屈折
率膜の形成法を特定したことにより、帯電防止効果は勿
論のこと、優れた電磁波遮蔽効果及び反射防止効果を兼
ね備えることができる。According to the first aspect of the present invention, the transparent conductive anti-reflection multilayer film is composed of three or more films, each of which has a refractive index and a numerical limit of film thickness, and a conductive high refractive index film. By specifying the method of forming, it is possible to have not only an antistatic effect but also an excellent electromagnetic wave shielding effect and an excellent antireflection effect.
【００４８】また、請求項２に係る透明導電性反射防止
多層膜は、前記導電性高屈折率透明膜は、酸化錫、酸化
インジウム、酸化アンチモン、アンチモン含有酸化錫、
錫含有酸化インジウムのうちの少なくとも１種を含有す
ることにより、高屈折率、透明性、および導電性に優れ
た膜を形成させることができる。Further, in the transparent conductive antireflection multilayer film according to claim 2, the conductive high refractive index transparent film is formed of tin oxide, indium oxide, antimony oxide, tin oxide containing antimony,
By containing at least one of tin-containing indium oxide, a film having a high refractive index, transparency, and excellent conductivity can be formed.
【００４９】また、請求項３に係る透明導電性反射防止
多層膜は、前記中屈折率透明膜は、酸化珪素と酸化チタ
ンとを含有することにより、必要とする屈折率を容易に
得ることができる。Further, in the transparent conductive antireflection multilayer film according to claim 3, the middle refractive index transparent film contains silicon oxide and titanium oxide, so that the required refractive index can be easily obtained. it can.
【００５０】また、請求項４に係る透明導電性反射防止
多層膜は、酸化珪素を含有する薄膜上に前記多層膜を形
成したことにより、パネルガラスから導電性高屈折率透
明膜へのアルカリ成分の拡散を防止することができて、
導電性高屈折率透明膜の導電性の劣化を防止することが
できる。Further, the transparent conductive anti-reflection multilayer film according to claim 4 is characterized in that the multilayer film is formed on a thin film containing silicon oxide, whereby an alkali component from the panel glass to the conductive high refractive index transparent film is formed. Can be prevented from spreading
Deterioration of the conductivity of the conductive high refractive index transparent film can be prevented.
【００５１】また、請求項５に係る表示装置は、帯電防
止効果、電磁波遮蔽効果、および反射防止性を有する透
明導電性反射防止多層膜を表面に形成したことによっ
て、フェースパネル面に埃を付着しにくくなり、表示面
の視認性の低下を防止することができ、しかも、電磁波
を周囲の機器等に輻射して悪影響を及ぼすことも避けら
れるようになる。Further, in the display device according to the fifth aspect, the transparent conductive antireflection multilayer film having the antistatic effect, the electromagnetic wave shielding effect, and the antireflection property is formed on the surface, so that dust adheres to the face panel surface. This makes it difficult to reduce the visibility of the display surface, and furthermore, it is possible to prevent the electromagnetic waves from radiating to surrounding devices and the like, thereby causing adverse effects.
【図１】本発明の実施例１における可視光領域の反射率
を示すグラフである。FIG. 1 is a graph showing a reflectance in a visible light region in Example 1 of the present invention.
【図２】本発明の実施例２における可視光領域の反射率
を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing a reflectance in a visible light region in Example 2 of the present invention.
【図３】本発明の実施例３における可視光領域の反射率
を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the reflectance in the visible light region in Example 3 of the present invention.
【図４】比較例１における可視光領域の反射率を示すグ
ラフである。FIG. 4 is a graph showing the reflectance in the visible light region in Comparative Example 1.
【図５】比較例２における可視光領域の反射率を示すグ
ラフである。FIG. 5 is a graph showing the reflectance in the visible light region in Comparative Example 2.
【図６】比較例３における可視光領域の反射率を示すグ
ラフである。FIG. 6 is a graph showing the reflectance in the visible light region in Comparative Example 3.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１８ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１８Ａ // Ｃ２３Ｃ 16/40 Ｃ２３Ｃ 16/40 (72)発明者 若林 淳美 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社内──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI G09F 9/00 318 G09F 9/00 318A // C23C 16/40 C23C 16/40 (72) Inventor Atsumi Wakabayashi Funabashi, Chiba 585, Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.
Claims (5)
8、膜厚ｄ1 ＝50〜120 ｎｍを有する中屈折率透明膜
と、該中屈折率透明膜上にＣＶＤ法または熱分解法によ
って形成される屈折率ｎ2 ＝1.90〜2.10、膜厚ｄ2 ＝30
〜300 ｎｍを有する導電性高屈折率透明膜と、該導電性
高屈折率透明膜上に形成される屈折率ｎ3 ＝1.40〜1.5
0、膜厚ｄ3 ＝80〜120 ｎｍを有する低屈折率透明膜と
からなる多層膜を具備したことを特徴とする透明導電性
反射防止多層膜。1. A refractive index n 1 = 1.60-1.8 in order from the substrate side.
8. A medium refractive index transparent film having a film thickness d 1 = 50 to 120 nm, and a refractive index n 2 = 1.90 to 2.10 and a film thickness d formed on the medium refractive index transparent film by a CVD method or a thermal decomposition method. 2 = 30
A conductive high-refractive-index transparent film having a thickness of 300 nm to 300 nm, and a refractive index n 3 formed on the conductive high-refractive-index transparent film of 1.40 to 1.5
0. A transparent conductive anti-reflection multilayer film comprising a multilayer film comprising a low refractive index transparent film having a thickness d 3 = 80 to 120 nm.
化インジウム、酸化アンチモン、アンチモン含有酸化
錫、錫含有酸化インジウムのうちの少なくとも１種を含
有することを特徴とする請求項１記載の透明導電性反射
防止多層膜。2. The conductive high-refractive-index transparent film contains at least one of tin oxide, indium oxide, antimony oxide, antimony-containing tin oxide, and tin-containing indium oxide. The transparent conductive anti-reflection multilayer film according to the above.
タンとを含有することを特徴とする請求項１または２記
載の透明導電性反射防止多層膜。3. The transparent conductive anti-reflection multilayer film according to claim 1, wherein the medium refractive index transparent film contains silicon oxide and titanium oxide.
形成したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに
記載の透明導電性反射防止多層膜。4. The transparent conductive anti-reflection multilayer film according to claim 1, wherein said multilayer film is formed on a thin film containing silicon oxide.
性反射防止多層膜を表面に形成したことを特徴とする表
示装置。5. A display device comprising the transparent conductive anti-reflection multilayer film according to claim 1 formed on a surface thereof.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9042645A JPH10235770A (en) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Transparent conductive antireflection multi-layer film and display device with the multi-layer film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9042645A JPH10235770A (en) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Transparent conductive antireflection multi-layer film and display device with the multi-layer film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10235770A true JPH10235770A (en) | 1998-09-08 |
Family
ID=12641759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9042645A Pending JPH10235770A (en) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Transparent conductive antireflection multi-layer film and display device with the multi-layer film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10235770A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005115740A1 (en) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Planar luminous body |
-
1997
- 1997-02-26 JP JP9042645A patent/JPH10235770A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005115740A1 (en) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Planar luminous body |
| CN100457443C (en) * | 2004-05-26 | 2009-02-04 | 日产化学工业株式会社 | Planar luminous body |
| US7834528B2 (en) | 2004-05-26 | 2010-11-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Planar luminous body with improved light-extraction efficiency |
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