KR20010051016A - Composition for transparent conductive layer and display device having transparent conductive layer formed therefrom - Google Patents

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KR20010051016A
KR20010051016A KR1020000060260A KR20000060260A KR20010051016A KR 20010051016 A KR20010051016 A KR 20010051016A KR 1020000060260 A KR1020000060260 A KR 1020000060260A KR 20000060260 A KR20000060260 A KR 20000060260A KR 20010051016 A KR20010051016 A KR 20010051016A
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심면기
이종혁
장동식
이정진
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김순택
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Abstract

본 발명은 투명도전막 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 투명도전막을 구비하고 있는 표시소자를 제공한다. 상기 투명도전막 형성용 조성물은 제1층 및 제2층이 순차적으로 적층하여 된 투명도전막을 형성하기 위한 것으로서, 상기 제1층 형성용 조성물이 금속(M) 미립자와 이를 분산시키기 위한 용매를 포함하고, 상기 제2층 형성용 조성물이 실리콘 알콕사이드 Si(OR)4(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기임)와 용매 및/또는 상기 금속 (M) 미립자 및 이 금속 (M) 미립자를 함유하는 금속염중에서 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. 단, 상기 금속 미립자가 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 주석(Sn), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd) 및 티탄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이다. 본 발명의 투명도전막 형성용 조성물을 이용하여 형성된 투명도전막은 표면저항값이 낮다. 따라서 이러한 투명도전막을 음극선관 글래스 패널상에 형성하면, 회로의 보완 등과 같은 별도의 부가적인 조치가 없이도 도전막의 코팅만으로도 전자파 차폐 효과가 탁월하며, 광점현상도 나타나지 않으므로 고품질의 막질 및 화질을 제공할 수 있다. 또한, 상기 투명도전막을 플라즈마 표시 장치의 광학필터용 지지기판에 형성하면 대면적의 필터막을 스퍼터링법, 화학기상증착법 등을 이용하지 않고서도 외광반사방지, 콘트라스트 향상, 정전기 방지, 전자폐 차폐 기능이 우수한 광학필터를 대량으로 제조할 수 있다.The present invention provides a composition for forming a transparent conductive film and a display device having a transparent conductive film formed therefrom. The composition for forming a transparent conductive film is to form a transparent conductive film obtained by sequentially stacking a first layer and a second layer, and the first layer forming composition includes metal (M) fine particles and a solvent for dispersing it. Wherein the composition for forming the second layer contains silicon alkoxide Si (OR) 4 (where R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) and a solvent and / or the metal (M) fine particles and the metal (M) fine particles It characterized in that it comprises one selected from metal salts. However, the metal fine particles are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), nickel (Ni), lead (Pb), cobalt (Co), rhodium (Rh) And ruthenium (Ru), tin (Sn), iridium (Ir), palladium (Pd) and titanium (Ti). The transparent conductive film formed by using the composition for forming a transparent conductive film of the present invention has a low surface resistance value. Therefore, if the transparent conductive film is formed on the cathode ray tube glass panel, the electromagnetic wave shielding effect is excellent by the coating of the conductive film without any additional measures such as supplementation of the circuit, and the light spot phenomenon does not appear, thus providing high quality film quality and image quality. Can be. In addition, when the transparent conductive film is formed on the optical filter support substrate of the plasma display device, it is possible to prevent external light reflection, improve contrast, prevent static electricity, and shield the electron shield without using a large-area filter film without sputtering, chemical vapor deposition, or the like. Excellent optical filters can be manufactured in large quantities.

Description

투명도전막 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 투명도전막을 구비하고 있는 표시소자{Composition for transparent conductive layer and display device having transparent conductive layer formed therefrom}A composition for forming a transparent conductive film and a display device having a transparent conductive film formed therefrom {Composition for transparent conductive layer and display device having transparent conductive layer formed therefrom}

본 발명은 투명도전막 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 투명도전막을 구비하고 있는 표시소자에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 도전성이 우수하고 광점발생 현상이 없고, 외광반사방지, 콘트라스트 향상, 정전기 방지, 전자파 차폐 목적을 위한 투명도전막 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 투명도전막을 갖고 있는 표시소자에 관한 것이다.The present invention relates to a composition for forming a transparent conductive film and a display device having a transparent conductive film formed therefrom. More particularly, the present invention relates to a display device having excellent conductivity and no light spot generation, and to preventing external light reflection, improving contrast, preventing static electricity, and shielding electromagnetic waves. The present invention relates to a composition for forming a transparent conductive film for the purpose and a display device having a transparent conductive film formed therefrom.

음극선관은 전자총에서 나오는 전자빔이 음극선관 내면의 형광체와 충돌하여 발광하는 현상을 이용하여 화상을 구동하는데, 이 때 전자총에서 방출되는 전자에 의해 음극선관의 표면이 하전되면 인체 접촉시 쇼크를 일으키거나 먼지 입자가 표면에 쉽게 부착하게 된다. 또한, 음극선관 표면에서의 외광 반사에 의하여 시청자로 하여금 시청시 시각적 불쾌감을 주거나 화질에 악영향을 미치게 된다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여 도전성 소재를 이용하여 음극선관 패널 표면에 투명도전막을 형성한다. 여기서 상기 도전성 소재로는 주석-도핑 산화인듐(indium tin oxide:ITO), 안티몬 틴 옥사이드(antimony tin oxide: ATO), 아연 틴 옥사이드(zinc tin oxide: ZTO)와 같은 금속 산화물, 전도성 고분자 등이 이용된다.Cathode ray tube drives the image using the phenomenon that the electron beam from the electron gun collides with the phosphor on the inner surface of the cathode ray tube, and when the surface of the cathode ray tube is charged by the electrons emitted from the electron gun, it causes shock when the human body is touched. Dust particles easily adhere to the surface. In addition, the reflection of external light on the surface of the cathode ray tube causes the viewer to experience visual discomfort or adversely affect image quality. In order to overcome this problem, a transparent conductive film is formed on the surface of the cathode ray tube panel using a conductive material. Here, as the conductive material, a metal oxide such as tin-doped indium tin oxide (ITO), antimony tin oxide (ATO), zinc tin oxide (ZTO), or a conductive polymer is used. do.

최근 들어 음극선관의 평면화 추세에 따라 글래스 패널로서 투과율이 약 80%안 클리어틴트(clear-tint) 패널이나 세미틴트(semi-tint) 패널이 선호되면서 이의 표면에 형성하는 투명도전막을 이용하여 투과율을 소정값 범위로 저하시키는 방안이 대두되고 있다. 이 때 상기 투명도전막 형성 재료로는 카본 블랙과 같은 탄소재 등이 사용되는 것이 일반적이다.Recently, according to the trend of planarization of cathode ray tube, a transparent-tint panel or a semi-tint panel with a transmittance of about 80% is preferred as a glass panel. A method of lowering to a predetermined value range has emerged. In this case, a carbon material such as carbon black is generally used as the transparent conductive film forming material.

그러나, 상술한 바와 같이 금속 산화물, 전도성 고분자, 탄소재 등을 이용하여 투명도전막을 형성하는 경우, 이 코팅막의 도전성이 TCO 규격에 따른 전자파 차폐 규격에 부합되는 정도로 낮지 않기 때문에 음극선관의 패널 표면 처리만으로는 한계가 있으며 회로 보완과 같은 부가적인 처리를 더 필요로 한다.However, when the transparent conductive film is formed using a metal oxide, a conductive polymer, a carbon material, or the like as described above, since the conductivity of the coating film is not low enough to meet the electromagnetic shielding standard according to the TCO standard, the panel surface treatment of the cathode ray tube This alone is limited and requires additional processing, such as circuit enhancement.

바람직하게 사용될 수 있는 도전성 소재로서 금속 미립자들을 사용하는 방법이 제안되었다. 그런데, 이들 금속 미립자를 포함하는 투명도전막은 소재 자체의 특성상 코팅막 두께가 조금만 두꺼워도 반사율이 현저하게 높아지게 된다. 따라서 코팅막의 두께를 가능한 한 얇게 형성하다보니 코팅시 금속 미립자들이 도포되지 않은 부분이 발생하게 되고 이 미도포 부분을 통하여 광이 외부로 방출되어 은하수와 같은 형태의 광점이 나타난다는 문제점이 있다. 이러한 광점 발생 현상은 화질의 저하를 초래한다.A method of using metal fine particles as a conductive material which can be preferably used has been proposed. By the way, the transparent conductive film containing these metal microparticles | fine-particles will have a remarkably high reflectance even if the thickness of a coating film is a little thick by the characteristic of the raw material itself. Therefore, when the thickness of the coating film is formed as thin as possible, there is a problem in that a portion in which the metal fine particles are not applied during coating is generated and light is emitted to the outside through the uncoated portion so that light spots such as the milky way appear. This light spot generation phenomenon results in deterioration of image quality.

한편, 플라즈마 표시장치는 가스방전 현상을 이용하여 화상을 표시하기 위한 것으로서, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 시야각 등의 각종 표시능력이 우수하여 음극선관을 대체할 수 있는 표시장치로서 각광을 받고 있다. 이러한 플라즈마 표시 장치는 전극에 인가되는 직류 또는 교류 전압에 의하여 전극 사이의 가스에서 방전이 일어나고 여기에서 수반되는 자외선의 방사에 의하여 형광체를 여기시켜 발광하게 된다.On the other hand, the plasma display device is for displaying an image by using a gas discharge phenomenon, and has been spotlighted as a display device that can replace a cathode ray tube with excellent display capability such as display capacity, brightness, contrast, afterimage, and viewing angle. have. Such a plasma display device is discharged from a gas between the electrodes by a direct current or an alternating voltage applied to the electrode, and excites the phosphor by the radiation of ultraviolet rays accompanying the light, thereby emitting light.

플라즈마 표시 장치에 있어서 구동회로 및 교류 전류(AC) 전극에 전류 그리고 플라즈마 방전을 위한 고전압은 전자파 발생의 주원인이 된다. 이들 주된 전자파의 주파수 영역은 30 내지 200MHz이며, 이러한 전자파를 차단하기 위한 필터로서 고투과율, 저반사율 특성을 유지하면서 투명한 도전성 박막이나 도전성 메쉬가 주로 사용된다. 여기서 투명 도전성 박막으로는 은, 구리, ITO 등을 스퍼터링하여 만든 도전막이 주로 사용되며, 도전성 메쉬로는 폴리에스테르 등과 같은 메쉬 직물에 구리, 구리와 니켈 등과 같은 금속을 무전해 도금시킨 후 특수수지처리한 광투과성 도전 메쉬나 포토리소그래피 공정으로 형성한 미세 금속 메쉬가 주로 사용된다.In the plasma display device, the current in the driving circuit and the alternating current (AC) electrode and the high voltage for the plasma discharge are the main causes of the electromagnetic wave generation. The frequency range of these main electromagnetic waves is 30-200 MHz, and a transparent conductive thin film or a conductive mesh is mainly used as a filter for blocking such electromagnetic waves while maintaining high transmittance and low reflectance characteristics. In this case, a conductive film made by sputtering silver, copper, or ITO is mainly used as the transparent conductive thin film, and as the conductive mesh, a special resin treatment is performed after electroless plating of metals such as copper, copper and nickel on a mesh fabric such as polyester. A fine conductive mesh or a fine metal mesh formed by a photolithography process is mainly used.

그런데 상술한 도전성 메쉬를 사용하는 경우에는 금속 물질을 두껍게 증착하는 것이 가능하여 전자파 차폐 효율은 증가시킬 수는 있지만, 표시 발광 부위를 일부 가림으로 인하여 투과율이 낮아지며 모아레 현상으로 화질이 저하되고 제조비용이 높은 단점이 있다. 그리고 상술한 투명 도전성 박막을 이용하면, 투과율은 우수하지만, 박막 형성시 스퍼터링이나 화학기상증착법 등의 방법을 이용해야 하므로 별도의 고가장비가 필요하여 제조비용이 상승된다는 문제점이 있다.However, in the case of using the above-described conductive mesh, it is possible to deposit a metal material thickly and increase the electromagnetic shielding efficiency, but the transmittance is lowered by partially covering the display light emitting part, and the image quality is deteriorated due to the moiré phenomenon and the manufacturing cost is increased. There is a high disadvantage. When the above-mentioned transparent conductive thin film is used, the transmittance is excellent, but there is a problem in that the manufacturing cost is increased due to the need for additional expensive equipment because sputtering or chemical vapor deposition is used in forming the thin film.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 문제점을 해결하기 위하여 도전성이 우수하고 광점발생 현상이 없고, 외광반사방지, 콘트라스트 향상, 정전기 방지 및 전자파 차폐 목적을 위한 투명도전막 형성용 조성물을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a composition for forming a transparent conductive film for the purpose of solving the above problems, excellent conductivity and no light spot generation phenomenon, anti-reflective light, contrast enhancement, anti-static and electromagnetic shielding purposes.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 투명도전막 형성용 조성물로부터 형성된 투명도전막을 구비하고 있는 표시소자에 의하여 이루어진다.Another object of the present invention is achieved by a display device having a transparent conductive film formed from the composition for forming a transparent conductive film.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명도전막의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

10... 기판 20... 제1층10 ... substrate 20 ... first layer

30... 제2층 40... 제3층30 ... 2nd floor 40 ... 3rd floor

21, 31... 금속 미립자 32... 실리콘 알콕사이드의 가수분해물21, 31 ... metal particulate 32 ... hydrolyzate of silicon alkoxide

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는, 제1층 및 제2층이 순차적으로 적층하여 된 투명도전막을 형성하기 위한 조성물로서,In order to achieve the above technical problem, in the present invention, as a composition for forming a transparent conductive film in which the first layer and the second layer are sequentially laminated,

상기 제1층 형성용 조성물이 금속(M) 미립자와 이를 분산시키기 위한 용매를 포함하고,The first layer-forming composition comprises a metal (M) fine particles and a solvent for dispersing it,

상기 제2층 형성용 조성물이 실리콘 알콕사이드 Si(OR)4(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기임)와 용매 및/또는 상기 금속 (M) 미립자 및 이 금속 (M) 미립자를 함유하는 금속염중에서 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막 형성용 조성물(단, 상기 금속 미립자가 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 주석(Sn), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd) 및 티탄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이다)을 제공한다.The second layer-forming composition comprises a silicon alkoxide Si (OR) 4 (where R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) and a solvent and / or a metal salt containing the metal (M) fine particles and the metal (M) fine particles A composition for forming a transparent conductive film, characterized in that it comprises one selected from (However, the fine metal particles are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), nickel ( At least one selected from the group consisting of Ni, lead (Pb), cobalt (Co), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), tin (Sn), iridium (Ir), palladium (Pd), and titanium (Ti) Is provided).

상기 금속 미립자의 평균입경이 5 내지 120nm이고, 제1층 형성용 조성물에서의 금속 미립자의 함량은 조성물의 총중량 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1.5 중량부이고, 제2층 형성용 조성물에서의 금속 미립자의 함량은 조성물의 총중량 100 중량부에 대하여 0.005 내지 0.5 중량부인 것이 바람직하다. 그리고 상기 제2층 상부에는 이들을 보호하기 위한 제3층을 형성할 수 있는데, 이 제3층을 형성하기 위한 조성물은 실리콘 알콕사이드 Si(OR)4(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기임)와 용매 및/또는 금속 (M) 미립자 및 이 금속 (M) 미립자를 함유하는 금속염중에서 선택된 하나를 포함한다. 이 때 상기 금속(M) 미립자의 평균입경은 5 내지 120nm이고, 그의 함량은 제3형성용 조성물 총중량 100 중량부에 대하여 0.005 내지 0.5 중량부이다.The average particle diameter of the metal fine particles is 5 to 120nm, the content of the metal fine particles in the composition for forming the first layer is 0.1 to 1.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the composition, the metal fine particles in the composition for forming the second layer The content of is preferably 0.005 to 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the composition. In addition, a third layer may be formed on the second layer to protect them, and the composition for forming the third layer may include silicon alkoxide Si (OR) 4 , provided that R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. And one selected from a solvent and / or metal (M) fine particles and a metal salt containing the metal (M) fine particles. At this time, the average particle diameter of the metal (M) fine particles is 5 to 120nm, the content thereof is 0.005 to 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the composition for third formation.

한편, 상기 제2층 형성용 조성물에는 실리콘 알콕사이드의 가수분해를 돕기 위한 촉매가 더 포함되며, 이 때 상기 촉매로는 염산 및 질산으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 사용한다.On the other hand, the composition for forming the second layer further includes a catalyst for assisting hydrolysis of the silicon alkoxide, wherein the catalyst is used at least one selected from the group consisting of hydrochloric acid and nitric acid.

본 발명의 다른 기술적 과제는 금속(M) 미립자와 이를 분산시키기 위한 용매를 포함하는 제1층 형성용 조성물을 도포함으로써 금속 미립자를 포함하여 된 제1층; 및Another technical problem of the present invention is a first layer comprising metal fine particles by applying a composition for forming a first layer comprising metal (M) fine particles and a solvent for dispersing it; And

상기 제1층 상부에 실리콘 알콕사이드 Si(OR)4(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기임)와 용매 및/또는 상기 금속 (M) 미립자 및 이 금속 (M) 미립자를 함유하는 금속염중에서 선택된 하나를 포함하는 제2층 형성용 조성물을 도포함으로써 실리콘 알콕사이드의 가수분해물 및/또는 금속 미립자를 포함하여 된 제2층;이 순차적으로 적층하여 이루어진 투명도전막을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 표시소자(단, 상기 금속 미립자가 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 주석(Sn), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd) 및 티탄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이다)에 의하여 이루어진다.A silicon alkoxide Si (OR) 4 (wherein R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) and a solvent and / or a metal salt containing the metal (M) fine particles and the metal (M) fine particles above the first layer A second conductive layer comprising a hydrolyzate of silicon alkoxide and / or metal fine particles by applying a composition for forming a second layer comprising one; a display element comprising a transparent conductive film formed by sequentially laminating However, the metal fine particles are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), nickel (Ni), lead (Pb), cobalt (Co), rhodium (Rh) , Ruthenium (Ru), tin (Sn), iridium (Ir), palladium (Pd) and titanium (Ti).

상기 제2층 상부에는 실리콘 알콕사이드와 용매 및/또는 금속(M) 미립자를 포함하는 제3층 형성용 조성물을 스프레이 코팅함으로써 실리콘 알콕사이드의 가수분해물 및 금속 미립자를 포함하여 된 제3층이 형성될 수 있다.The third layer including the hydrolyzate of the silicon alkoxide and the metal fine particles may be formed by spray coating a composition for forming a third layer including the silicon alkoxide and the solvent and / or metal (M) fine particles on the second layer. have.

상기 투명도전막은 특히 음극선관의 글래스 패널 표면에 형성되거나 플라즈마 표시 장치의 필터 지지기판 표면에 형성된다.The transparent conductive film is particularly formed on the surface of the glass panel of the cathode ray tube or on the surface of the filter support substrate of the plasma display device.

본 발명은 표시소자의 도전성, 전자차폐 등의 특성이 개선된 투명도전막으로서, 금속 미립자의 분산액을 도포하여 금속 미립자가 포함된 제1층을 형성하고, 그 상부에 실리콘 알콕사이드 및/또는 제1층 형성시 사용된 것과 동일한 금속 미립자 또는 그의 염을 포함하는 코팅액을 도포하여 실리콘 알콕사이드의 가수분해물 및/또는 금속 미립자가 함유된 제2층이 형성된 코팅막을 사용한 데 그 특징이 있다. 여기서 상기 제2층 상부에는 실리콘 알콕사이드의 가수분해물 및/또는 제1층, 제2층에 사용된 것과 동일한 금속 미립자가 포함된 제3층을 더 형성하는 것도 가능하다. 이 때 제2층은 투명도전막의 전체적인 막의 강도를 유지하는 기능을 하며 제3층은 하부층을 보호하는 역할을 한다.The present invention provides a transparent conductive film having improved characteristics such as conductivity and electron shielding of a display device, wherein a dispersion of metal fine particles is applied to form a first layer including metal fine particles, and a silicon alkoxide and / or first layer thereon. It is characterized by using a coating film having a second layer containing a hydrolyzate of silicon alkoxide and / or metal fine particles by applying a coating liquid containing the same metal fine particles or salts thereof as used in formation. Here, it is also possible to further form a third layer containing the hydrolyzate of silicon alkoxide and / or the same metal fine particles as used in the first layer and the second layer on the second layer. At this time, the second layer serves to maintain the overall film strength of the transparent conductive film, and the third layer serves to protect the lower layer.

상기 제2층 및/또는 제3층에 금속 미립자가 함유되는 경우, 제1층중 금속 미립자가 미도포된 부분을 덮어 주어 광점이 발생하는 것을 막아줄 뿐만 아니라 도전층내의 금속 미립자들과 연계하여 금속 미립자간의 접촉저항을 낮춤으로써 투명도전막 자체의 표면저항을 크게 떨어뜨리는 역할을 한다.When the second layer and / or the third layer contains metal fine particles, the metal fine particles in the first layer cover the uncoated portion to prevent the occurrence of light spots, and in conjunction with the metal fine particles in the conductive layer. By lowering the contact resistance between the fine particles it serves to significantly reduce the surface resistance of the transparent conductive film itself.

본 발명에 따른 투명도전막 형성용 조성물을 구성하는 각 성분들에 대하여 설명하면 다음과 같다.Referring to each component constituting the composition for forming a transparent conductive film according to the present invention.

본 발명의 투명도전막 형성용 조성물은 제1층 형성용 조성물과 제2층 형성용 조성물을 혼합한 것이다. 제2층 상부에 제3층을 더 형성하는 경우에는 제3층 형성용 조성물도 상기 제1층 및 제2층 형성용 조성물과 함께 혼합된다.The composition for transparent conductive film formation of this invention mixes the composition for 1st layer formation and the composition for 2nd layer formation. In the case where the third layer is further formed on the second layer, the composition for forming the third layer is also mixed with the composition for forming the first layer and the second layer.

제1층 형성용 조성물은 금속(M) 미립자와 이를 분산시키기 위한 용매를 혼합하여 제조된다. 이 때 금속 미립자는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 주석(Sn), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd) 및 티탄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 사용한다. 이중에서도 금속(M) 미립자로는 산화가 용이하지 않고 안정적인 은(Ag), 금(Au) 또는 백금(Pt)이 바람직하며, 특히 광투과율 저하 효과가 우수한 은(Ag)/금(Au) 합금 또는 은(Ag)/팔라듐(Pd) 합금이 보다 바람직하다. 그리고 상기 금속 미립자의 입경은 5 내지 120nm인 것이 보다 바람직하다. 만약 금속 미립자의 입경이 5nm 미만인 경우에는 도전성이 저하되고 120nm를 초과하는 경우에는 막이 탁해질 수 있으므로 바람직하지 못하다.The composition for forming the first layer is prepared by mixing metal (M) fine particles and a solvent for dispersing it. At this time, the metal fine particles are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), nickel (Ni), lead (Pb), cobalt (Co), rhodium (Rh), At least one selected from the group consisting of ruthenium (Ru), tin (Sn), iridium (Ir), palladium (Pd) and titanium (Ti) is used. Of these, metal (M) fine particles are preferably not easily oxidized and stable silver (Ag), gold (Au), or platinum (Pt), and particularly silver (Ag) / gold (Au) alloys having excellent light transmittance lowering effects. Or silver (Ag) / palladium (Pd) alloy is more preferable. The particle diameter of the metal fine particles is more preferably 5 to 120 nm. If the particle diameter of the metal fine particles is less than 5 nm, the conductivity is lowered. If the particle size exceeds 120 nm, the film may become turbid, which is not preferable.

상기 금속 미립자의 함량은 조성물이 코팅되는 기판 자체의 투과율, 소망하는 투명도전막의 표면저항값 등에 따라 임의의 범위로 제어될 수 있으나, 특히 제1층 형성용 조성물의 총중량 100 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 1.5 중량부인 것이 바람직하다. 만약 금속 미립자의 함량이 0.1 중량부 미만이면, 콘트라스트 및 도전성 특성이 저하되고, 1.5 중량부를 초과하면 투과율이 지나치게 저하되므로 바람직하지 못하다.The content of the metal fine particles may be controlled in an arbitrary range according to the transmittance of the substrate itself coated with the composition, the surface resistance value of the desired transparent conductive film, etc., in particular 0.1 based on 100 parts by weight of the total weight of the first layer-forming composition It is preferably from 1.5 parts by weight. If the content of the metal fine particles is less than 0.1 part by weight, the contrast and the conductive properties are lowered, and if it exceeds 1.5 parts by weight, the transmittance is too low, which is not preferable.

상기 금속 미립자를 분산시키기 위한 용매로는 메탄올, 부탄올, 에탄올, 메틸셀로솔브 등과 같은 알콜 용매, 물 또는 이들의 혼합용매가 사용된다. 그리고 이 용매의 함량은 제1층 형성용 조성물의 총중량 100 중량부를 기준으로 하여 98.5 내지 99.9 중량부인 것이 바람직하다.As a solvent for dispersing the fine metal particles, alcohol solvents such as methanol, butanol, ethanol, methyl cellosolve, and the like, water or a mixed solvent thereof are used. And the content of this solvent is preferably 98.5 to 99.9 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the first layer-forming composition.

본 발명의 제2층 형성용 조성물은 실리콘 알콕사이드 Si(OR)4(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기임)와 용매 및/또는 상기 금속(M) 미립자 및 이 금속(M) 미립자를 함유하는 금속염중에서 선택된 하나 이상을 혼합하여 제조된다. 이 때 금속 미립자는 제1층 형성용 조성물의 금속 미립자의 경우와 동일한 것을 사용한다.The composition for forming a second layer of the present invention contains silicon alkoxide Si (OR) 4 (where R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms), a solvent and / or the metal (M) fine particles and the metal (M) fine particles It is prepared by mixing one or more selected from metal salts. In this case, the same metal fine particles as those of the metal fine particles of the first layer-forming composition are used.

금속 미립자를 함유하는 금속염으로는 대응하는 금속의 염화물, 질산염, 술폰산염 등을 사용한다. 그리고 상기 금속 미립자의 함량은 제2층 형성용 조성물의 총중량 100 중량부를 기준으로 하여 0.005 내지 0.5 중량부를 사용한다. 만약 금속 미립자 또는 그의 염의 함량이 0.5 중량부를 초과하는 경우에는 막이 탁해질 수 있고 0.005 중량부 미만이면 도전성이 저하되므로 바람직하지 못하다.As the metal salt containing the metal fine particles, chlorides, nitrates, sulfonates and the like of the corresponding metals are used. The content of the metal fine particles is 0.005 to 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the composition for forming the second layer. If the content of the metal fine particles or salts thereof is more than 0.5 parts by weight, the film may become cloudy and less than 0.005 parts by weight, which is not preferable because the conductivity is lowered.

상기 실리콘 알콕사이드의 구체적인 화합물예로는 테트라에틸오르토실리케이트(ES28), 메틸실리케이트올리고머(MS51) 등이 있고, 이의 함량은 제2층 형성용 조성물의 총중량 100 중량부를 기준으로 하여 1.0 내지 10.0 중량부이다. 이 때 실리콘 알콕사이드의 함량이 1.0 중량부 미만인 경우에는 막이 약해서 쉽게 긁힐 수 있으며 실리콘 알콕사이드의 함량이 10.0 중량부를 초과하는 경우에는 막형성이 어렵거나 열처리시 막이 갈라질 수 있고 적정 함량이 맞지 않으면 외광반사방지 효율이 불량하다는 문제점이 있다. 이 실리콘 알콕사이드를 용해시키기 위한 용매로는 에탄올, 메탄올, 부탄올, 물, 그 혼합물 등을 사용한다. 이 용매의 함량은 제2층 형성용 조성물의 총중량 100 중량부를 기준으로 하여 96 내지 99 중량부를 사용한다.Specific examples of the silicon alkoxide include tetraethyl orthosilicate (ES28), methyl silicate oligomer (MS51) and the like, and the content thereof is 1.0 to 10.0 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the composition for forming a second layer. . At this time, if the silicon alkoxide content is less than 1.0 part by weight, the film is weak and easily scratched. If the silicon alkoxide content is more than 10.0 parts by weight, it is difficult to form the film or the film may crack during heat treatment. There is a problem that the efficiency is poor. As a solvent for dissolving this silicon alkoxide, ethanol, methanol, butanol, water, a mixture thereof and the like are used. The content of this solvent is 96 to 99 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the composition for forming the second layer.

경우에 따라서는 상기 제2층 형성용 조성물에 실리콘 알콕사이드의 가수분해를 촉진하는 역할을 하는 물질로서 염산, 질산 등과 같은 산 촉매를 사용된다. 이 때 촉매의 함량은 통상적인 수준이다.In some cases, an acid catalyst such as hydrochloric acid, nitric acid, or the like is used as the material for promoting hydrolysis of the silicon alkoxide in the composition for forming the second layer. At this time, the content of the catalyst is a normal level.

제3층 형성용 조성물은 실리콘 알콕사이드 Si(OR)4(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기임))와 용매 및/또는 금속(M) 미립자 및 이 금속(M) 미립자를 함유하는 금속염중에서 선택된 하나 이상을 혼합하여 제조된다. 이 때 실리콘 알콕사이드와 용매는 제2층 형성용 조성물의 제조시와 동일한 종류 및 함량을 사용하면 된다.The composition for forming a third layer is selected from silicon alkoxide Si (OR) 4 (where R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) and a solvent and / or metal (M) fine particles and a metal salt containing the metal (M) fine particles. It is prepared by mixing one or more selected. In this case, the silicon alkoxide and the solvent may be used in the same kind and content as in the preparation of the composition for forming the second layer.

상기 금속 미립자가 제3층 형성용 조성물에 부가되는 경우, 이의 종류 및 입경은 제1층 및 제2층 형성용 조성물 제조시와 동일한 것을 사용한다. 그리고 금속 미립자 또는 그 염의 함량은 제3층 형성용 조성물의 100 중량부를 기준으로 하여 0.005 내지 0.5 중량부를 사용한다. 여기서 금속 미립자 또는 그의 염 함량이 0.005 중량부 미만이면 도전성 개선 효과가 미미하고 0.5 중량부를 초과하면 막이 탁해질 수 있으므로 바람직하지 못하다.When the metal fine particles are added to the composition for forming a third layer, the kind and particle diameter thereof are the same as those used for producing the composition for forming the first layer and the second layer. And the content of the metal fine particles or salts thereof is 0.005 to 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the third layer-forming composition. If the content of metal fine particles or salts thereof is less than 0.005 parts by weight, the effect of improving conductivity is insignificant, and if it exceeds 0.5 parts by weight, the film may become turbid, which is not preferable.

이하, 본 발명에 따른 투명도전막 형성용 조성물을 이용하여 투명도전막을 제조하는 방법에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a transparent conductive film using the composition for forming a transparent conductive film according to the present invention will be described in more detail.

먼저, 입경이 5 내지 120nm인 금속(M) 미립자를 용매에 분산시켜 제1층 형성용 조성물을 제조한다.First, metal (M) fine particles having a particle diameter of 5 to 120 nm are dispersed in a solvent to prepare a composition for forming a first layer.

이어서, 실리콘 알콕사이드를 용매에 용해하여 제2층 형성용 조성물을 제조한다. 경우에 따라서는 이 제2층 형성용 조성물 제조시 입경이 5 내지 120nm인 금속(M) 미립자의 콜로이드 용액 또는 이의 염을 부가하며, 실리콘 알콕사이드의 가수분해를 돕기 위한 촉매를 부가하기도 한다.Subsequently, the silicon alkoxide is dissolved in a solvent to prepare a composition for forming a second layer. In some cases, when preparing the composition for forming the second layer, a colloidal solution of metal (M) fine particles having a particle size of 5 to 120 nm or a salt thereof is added, and a catalyst for assisting hydrolysis of silicon alkoxide may be added.

상술한 바와 같이 제조된 제1층 형성용 조성물을 기판상에 도포한 다음, 이 결과물 상부에 상기 제2층 형성용 조성물을 도포한다. 이어서, 상기 결과물을 150 내지 300℃에서 열처리함으로써 투명도전막이 얻어진다. 이 때 열처리온도가 150℃ 미만인 경우에는 막이 치밀하지 못하여 쉽게 긁힐 수 있고 300℃를 초과하는 경우에는 막의 열화가 일어나므로 바람직하지 못하다.The first layer-forming composition prepared as described above is applied onto a substrate, and then the second layer-forming composition is applied on the resultant. Subsequently, a transparent conductive film is obtained by heat-processing the said resultant at 150-300 degreeC. At this time, when the heat treatment temperature is less than 150 ° C, the film is not dense and easily scratched. When the heat treatment temperature exceeds 300 ° C, the film is deteriorated, which is not preferable.

이러한 투명도전막 제조과정에서 제1층 형성용 조성물 도포후 건조과정을 별도로 실시하거나 또는 실시하지 않는 것도 가능하다. 상기 제1층 형성용 조성물과 제2층 형성용 조성물의 도포방법은 특별히 제한되지 않는다. 제2층 형성용 조성물의 도포방법중 스핀도핑법을 사용하는 것이 저비용으로 양산면에서 바람직하나 대화면의 스핀공정중 회전기류에 의해 코팅막에 얼룩이 형성될 수 있으므로 이 경우 딥 코팅이나 롤 코팅 또는 캐필러리 방식의 헤드를 사용한 코팅법을 사용하는 것이 바람직하다.In the process of manufacturing the transparent conductive film, it is also possible to separately or not perform the drying process after applying the composition for forming the first layer. The method of applying the composition for forming the first layer and the composition for forming the second layer is not particularly limited. It is preferable to use the spin doping method in the production method of the composition for forming the second layer, but since the stain may be formed on the coating film by the rotational air during the spin process of the large screen, in this case, dip coating, roll coating or capillary It is preferable to use a coating method using a head of the type.

한편, 상기 제2층 형성용 조성물을 도포한 뒤에는 제3층 형성용 조성물을 스프레이코팅하여 제3층을 더 형성하는 것도 가능하다. 이와 같이 제3층을 형성하는 경우에는 150 내지 300℃에서의 열처리과정은 3층 형성용 조성물 스프레이 코팅후 실시한다.On the other hand, after applying the composition for forming the second layer, it is also possible to form a third layer by spray coating the composition for forming the third layer. In the case of forming the third layer as described above, the heat treatment at 150 to 300 ° C. is performed after spray coating of the composition for forming the three layers.

반사방지, 오염방지, 투과율 제어, 도전성 개선 등과 같은 투명도전막의 여러 기능을 고려할 때 제3층의 형성이 그렇게 바람직하다고는 볼 수 없지만 표면 질감을 개선하고 제1층 및 제2층 형성시 발생할 수도 있는 막 결함을 보완할 수 있다는 점에서 매우 유용하다.Considering the various functions of the transparent conductive film such as antireflection, antifouling, control of transmittance, and improved conductivity, formation of the third layer may not be desirable, but it may improve surface texture and occur when forming the first and second layers. It is very useful in that it can compensate for the existing film defects.

상술한 바와 같은 제조과정에 따라 얻어진 투명도전막은 TCO 규격을 달성할 수 있는 3000Ω/?보다도 훨씬 작은 10 Ω/? 내외로 도전성이 매우 우수하다. 이는 금속 미립자가 통상의 투명도전성 입자로 사용되는 금속 산화물 미립자에 비하여 도전성이 훨씬 우수하기 때문이다. 또한 제1층에 있을 수 있는 금속 미립자 미도포부분이 제2층 및/또는 제3층에 함유되는 금속 미립자들로 메워지게 되어 금속 미립자로 된 도전층에서 통상 문제점으로 지적되고 있는 광점 현상을 극복할 수 있다.The transparent conductive film obtained according to the manufacturing process as described above is 10 mW / ?, which is much smaller than 3000 mW /? That can achieve the TCO specification. The conductivity is very good inside and out. This is because the metal fine particles are much more excellent in conductivity than the metal oxide fine particles used as ordinary transparent conductive particles. In addition, the uncoated portion of the metal fine particles, which may be present in the first layer, is filled with the metal fine particles contained in the second layer and / or the third layer, thereby overcoming the light spot phenomenon which is usually pointed out as a problem in the conductive layer of the metal fine particles. can do.

본 발명에 따라 제조된 투명도전막은 각종 표시소자에 적용가능하다. 특히 음극선관의 글래스 패널에 적용되면 대전방지 및 전자파 차폐 기능을 갖는 도전막으로 사용가능하며, 플라즈마 표시 장치의 광학 필터용 지지기판에 적용되면 반사방지 기능을 가지는 동시에 전자파 차단 기능이 우수한 필터로 사용될 수 있다. 여기서 광학필터용 지지기판으로는 투명성 재질로 형성된 투명기판을 사용하며, 구체적인 예로서 유리 기판, 아크릴 수지 기판 등이 있다. 그리고 플라즈마 표시 장치의 광학필터 지지기판에 본 발명의 투명도전막 형성용 조성물을 도포한 후 열처리하는 방법으로는 가온소성하거나 자외선 등의 광을 이용하여 소성하는 방법을 이용한다. 이와 같이 본 발명의 투명도전막 형성용 조성물을 플라즈마 표시 장치의 광힉 필터 제조시 이용하면 금속 미립자를 포함한 투명 도전막 형성용 조성물을 이용한 습식 코팅법을 이용하여 스퍼터링법, 화학기상증착법 등을 이용한 경우에 비하여 제조비용이 줄어들고 양산화가 가능하다.The transparent conductive film prepared according to the present invention is applicable to various display devices. In particular, when applied to the glass panel of the cathode ray tube, it can be used as a conductive film having antistatic and electromagnetic shielding functions, and when applied to an optical filter support substrate of a plasma display device, it can be used as a filter having an anti-reflection function and excellent electromagnetic shielding function. Can be. Here, a transparent substrate formed of a transparent material is used as the support substrate for the optical filter. Specific examples thereof include a glass substrate and an acrylic resin substrate. As a method of applying the composition for forming a transparent conductive film of the present invention to an optical filter support substrate of a plasma display device and then heat-treating it, a method of baking by heating or heating using light such as ultraviolet rays is used. As described above, when the composition for forming a transparent conductive film of the present invention is used to manufacture an optical filter of a plasma display device, the sputtering method, the chemical vapor deposition method, etc. are used by using a wet coating method using the composition for forming a transparent conductive film containing metal fine particles. In comparison, manufacturing costs are reduced and mass production is possible.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 투명도전막을 단면을 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a transparent conductive film in a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 (10)상에 제1층 (20), 제2층 (30) 및 제3층 (40)이 순차적으로 적층되어 있다. 여기서 상기 기판 (10)으로는 음극선관의 글래스 패널이나 플라즈마 표시 장치의 광학 필터 지지기판 등을 사용한다. 글래스 패널로는 클리어틴트 패널이나 세미틴트 패널을 사용하고 광학필터 지지기판으로는 유리기판, 아크릴 수지 기판 등을 사용한다.Referring to FIG. 1, the first layer 20, the second layer 30, and the third layer 40 are sequentially stacked on the substrate 10. As the substrate 10, a glass panel of a cathode ray tube, an optical filter supporting substrate of a plasma display device, or the like is used. Clear tint panels or semi-tint panels are used as glass panels, and glass substrates and acrylic resin substrates are used as optical filter support substrates.

상기 제1층 (20)은 금속 미립자 (21)가 도포된 층으로서 도전성을 제공한다. 그리고 제2층 (30)은 제1층 (20)의 보호층으로서 금속 미립자 (31) 및 실리콘 알콕사이드의 가수분해물 (32)을 포함한다.The first layer 20 is a layer coated with the metal fine particles 21 to provide conductivity. The second layer 30 includes the metal fine particles 31 and the hydrolyzate 32 of the silicon alkoxide as the protective layer of the first layer 20.

상기 제2층 (20) 상부에는 실리콘 알콕사이드의 가수분해물로 된 제3층(40)이 형성되어 있다.On the second layer 20, a third layer 40 made of a hydrolyzate of silicon alkoxide is formed.

이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 상세히 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to the following examples.

〈실시예 1〉<Example 1>

2% Ag 수분산액 12g을 에탄올 25g, 메탄올 38g 및 메틸셀로솔브 25g과 혼합하여 제1층 형성용 코팅액을 제조하였다.12 g of 2% Ag aqueous dispersion was mixed with 25 g of ethanol, 38 g of methanol, and 25 g of methyl cellosolve to prepare a coating solution for forming a first layer.

이어서, 질산은 0.1g과 테트라에틸오르토실리케이트 3g을 물 9.5g, 메탄올 24g, 에탄올 30g 및 부탄올 33g과 혼합하고 여기에 질산 0.5g을 첨가하여 60℃에서 약 4시간 동안 교반하여 제2층 형성용 코팅액을 제조하였다.Subsequently, 0.1 g of silver nitrate and 3 g of tetraethylorthosilicate were mixed with 9.5 g of water, 24 g of methanol, 30 g of ethanol, and 33 g of butanol, and 0.5 g of nitric acid was added thereto, stirred at 60 ° C. for about 4 hours to form a coating solution for forming a second layer. Was prepared.

음극선관의 글래스 패널을 불산과 물을 이용하여 세정한 후, 이 글래스 패널상에 상기 제1층 형성용 코팅액을 붓고 패널의 회전속도를 약 150rpm으로 상승시켰다. 그리고 나서, 상기 제2형성용 코팅액을 제1층 형성용 코팅액과 마찬가지의 방법으로 스핀코팅하였다. 이어서, 상기 패널을 건조하고 200℃에서 약 30분 동안 소성하여 음극선관의 투명도전막을 얻었다.After the glass panel of the cathode ray tube was washed with hydrofluoric acid and water, the coating liquid for forming the first layer was poured on the glass panel, and the rotation speed of the panel was raised to about 150 rpm. Then, the coating solution for forming the second was spin-coated in the same manner as the coating solution for forming the first layer. Subsequently, the panel was dried and calcined at 200 ° C. for about 30 minutes to obtain a transparent conductive film of a cathode ray tube.

〈실시예 2〉<Example 2>

제3층 형성용 코팅액을 다음과 같이 제조한 다음, 이를 제2층 형성용 코팅액을 스핀코팅한 이후에 스프레이 코팅하는 것을 제외하고는 실시예 1에서와 동일한 방법에 따라서 투명도전막을 얻었다.A transparent conductive film was obtained according to the same method as in Example 1 except that the coating solution for forming a third layer was prepared as follows, and then spray-coated after spin coating the coating solution for forming a second layer.

제3층 형성용 코팅액은 테트라에틸오르토실리케이트 3.5g를 물 10g, 메탄올 50g, 에탄올 30g 및 부탄올 6.5g과 혼합하여 제조하였다.A coating solution for forming a third layer was prepared by mixing 3.5 g of tetraethylorthosilicate with 10 g of water, 50 g of methanol, 30 g of ethanol, and 6.5 g of butanol.

〈비교예 1〉<Comparative Example 1>

제2층 형성용 코팅액 제조시 질산은을 전혀 첨가하지 않는 것을 제외하고는 실시예 1에서와 동일한 방법으로 제1층 및 제2층 형성용 코팅액을 제조한 다음, 이로부터 투명도전막을 형성하였다.The first layer and the second layer forming coating liquid were prepared in the same manner as in Example 1 except that no silver nitrate was added at the time of preparing the coating liquid for forming the second layer, and then a transparent conductive film was formed therefrom.

〈비교예 2〉<Comparative Example 2>

Ag 수분산액 대신 입경이 약 80nm인 ITO 미립자 12g을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1에서와 동일한 방법으로 제1층 및 제2층 형성용 코팅액을 제조하고, 이를 이용하여 투명도전막을 얻었다.A coating liquid for forming a first layer and a second layer was prepared in the same manner as in Example 1, except that 12g of ITO fine particles having a particle size of about 80 nm instead of an Ag aqueous dispersion was used to obtain a transparent conductive film.

상기 실시예 1-2 및 비교예 1-2에 따라 제조된 음극선관의 투명도전막에 있어서, 표면저항 및 광점현상 측정 결과를 하기 표 1에 나타내었다.In the transparent conductive film of the cathode ray tube manufactured according to Example 1-2 and Comparative Example 1-2, the results of surface resistance and light spot development are shown in Table 1 below.

구분division 표면저항(Ω/?)Surface resistance (Ω /?) 광점현상Light spot phenomenon 실시예 1Example 1 0.45×103 0.45 × 10 3 거의 없음Almost none 실시예 2Example 2 0.65×103 0.65 × 10 3 거의 없음Almost none 비교예 1Comparative Example 1 1.3×103 1.3 × 10 3 은하수 형태의 광점 나타남Light spots appear in the form of Milky Way 비교예 2Comparative Example 2 7.5×103 7.5 × 10 3 거의 없음Almost none

상기 표 1로부터, 실시예 1 및 2에 따른 투명도전막의 경우 비교예 1-2의 경우와 비교하여 표면저항값이 현저하게 낮고 광점 현상이 거의 나타나지 않는 것을 알 수 있었다.From Table 1, it can be seen that the transparent conductive films according to Examples 1 and 2 have a significantly lower surface resistance value and almost no light spot phenomenon than those of Comparative Examples 1-2.

이에 반하여, 제2층 형성용 코팅액이 금속 미립자를 포함하지 않는 경우(비교예 1)에는 표면저항값이 실시예 1에 따른 투명도전막에 비하여 높은 뿐 아니라 은하수 형태의 광점현상이 나타나며, 종래의 투명도전성 산화물 미립자를 이용하는 경우(비교예 2)에는 광점현상은 나타나지 않지만 표면저항값이 현저하게 높아 도전성이 불량한 것으로 나타났다.On the contrary, when the coating liquid for forming the second layer does not contain metal fine particles (Comparative Example 1), the surface resistance value is not only higher than that of the transparent conductive film according to Example 1, but also light spot phenomena in the form of the Milky Way appear. In the case of using the exclusive oxide fine particles (Comparative Example 2), there was no light spot phenomenon, but the surface resistance value was remarkably high, indicating poor electrical conductivity.

〈실시예 3〉<Example 3>

5% Ag 수분산액 4g을 에탄올 25g, 메탄올 38g 및 메틸셀로솔브 25g과 혼합하여 제1층 형성용 코팅액을 제조하였다.4 g of a 5% Ag aqueous dispersion was mixed with 25 g of ethanol, 38 g of methanol, and 25 g of methyl cellosolve to prepare a coating solution for forming a first layer.

이어서, 질산은 0.15g과 테트라에틸오르토실리케이트 3g을 물 9.5g, 메탄올 24g, 에탄올 30g 및 부탄올 33g과 혼합하고 여기에 질산 0.5g을 첨가하여 실온에서 약 24시간 동안 교반하여 제2층 형성용 코팅액을 제조하였다.Subsequently, 0.15 g of silver nitrate and 3 g of tetraethylorthosilicate were mixed with 9.5 g of water, 24 g of methanol, 30 g of ethanol, and 33 g of butanol, and 0.5 g of nitric acid was added thereto and stirred at room temperature for about 24 hours to prepare a coating solution for forming a second layer. Prepared.

유리 기판상에 상기 제1층 형성용 코팅액을 도포하고 건조하여 제1층을 형성하였다. 이어서, 상기 제1층 상부에 상기 제2층 형성용 코팅액을 도포한 다음, 이를 건조하여 200℃에서 약 30분 동안 소성하여 플라즈마 표시 장치용 광학필터를 완성하였다.The first layer-forming coating liquid was applied onto a glass substrate and dried to form a first layer. Subsequently, the coating solution for forming the second layer was applied on the first layer, and then dried and baked at 200 ° C. for about 30 minutes to complete an optical filter for a plasma display device.

〈실시예 4〉<Example 4>

제2층 형성용 코팅액 제조시 질산은 0.15g 대신 질산은 0.3g을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법에 따라 실시하여 플라즈마 표시 장치용 광학필터를 완성하였다.An optical filter for a plasma display device was completed in the same manner as in Example 3, except that 0.3 g of silver nitrate was used instead of 0.15 g of nitric acid when preparing the coating solution for forming the second layer.

〈실시예 5〉<Example 5>

제1층 형성용 코팅액 제조시 5% Ag 수분산액을 30g을 사용하고 2층 형성용 코팅액 제조시 질산은 0.4g이 사용된 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법에 따라 실시하여 플라즈마 표시장치용 광학필터를 완성하였다.The plasma display device was manufactured according to the same method as Example 3 except that 30 g of a 5% Ag aqueous dispersion was used in the preparation of the first layer forming coating and 0.4 g of nitrate was used in the preparation of the coating solution for forming the second layer. The optical filter was completed.

〈비교예 3〉<Comparative Example 3>

제2층 형성용 코팅액에 질산은이 부가되지 않은 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법에 따라 실시하여 플라즈마 표시 장치용 광학필터를 완성하였다.An optical filter for a plasma display device was completed in the same manner as in Example 3 except that silver nitrate was not added to the coating liquid for forming the second layer.

상기 실시예 3-5 및 비교예 3에 따라 제조된 플라즈마 표시 장치용 광학필터에 있어서, 각각의 표면저항을 측정하여 하기 표 2에 나타내었다.In the optical filter for plasma display device manufactured according to Example 3-5 and Comparative Example 3, the surface resistance is measured and shown in Table 2 below.

구분division 표면저항(Ω/?)Surface resistance (Ω /?) 실시예 3Example 3 600600 실시예 4Example 4 300300 실시예 5Example 5 2020 비교예 3Comparative Example 3 1000010000

상기 표 2로부터 실시예 3 내지 5에 따라 제조된 광학필터는 비교예 2의 경우에 비하여 표면저항이 현저하게 줄어들어 도전성이 개선된다는 것을 확인할 수 있었다.It can be seen that the optical filters manufactured according to Examples 3 to 5 from Table 2 have significantly reduced surface resistance compared to the case of Comparative Example 2, thereby improving conductivity.

본 발명의 투명도전막 형성용 조성물을 이용하여 형성된 투명도전막은 표면저항값이 낮다. 따라서 이러한 투명도전막을 음극선관 글래스 패널상에 형성하면, 회로의 보완 등과 같은 별도의 부가적인 조치가 없이도 도전막의 코팅만으로도 전자파 차폐 효과가 탁월하다. 또한 광점현상도 나타나지 않으므로 고품질의 막질 및 화질을 제공할 수 있다.The transparent conductive film formed by using the composition for forming a transparent conductive film of the present invention has a low surface resistance value. Therefore, when the transparent conductive film is formed on the cathode ray tube glass panel, the electromagnetic wave shielding effect is excellent only by coating the conductive film without any additional measures such as complementing the circuit. In addition, since the light spot phenomenon does not appear, it is possible to provide high quality film quality and image quality.

또한, 상기 투명도전막을 플라즈마 표시 장치의 광학필터용 지지기판에 형성하면 대면적의 필터막을 스퍼터링법, 화학기상증착법 등을 이용하지 않고서도 외광반사방지, 콘트라스트 향상, 정전기 방지, 전자폐 차폐 기능이 우수한 광학필터를 대량으로 제조할 수 있다. 이 방법에 따라 광학필터를 제조하는 경우, 스퍼터링법, 화학기상증착법 등을 이용한 경우와 비교하여 제조비용을 현저하게 줄일 수 있다.In addition, when the transparent conductive film is formed on the optical filter support substrate of the plasma display device, it is possible to prevent external light reflection, improve contrast, prevent static electricity, and shield the electron shield without using a large-area filter film without sputtering, chemical vapor deposition, or the like. Excellent optical filters can be manufactured in large quantities. In the case of manufacturing the optical filter by this method, the manufacturing cost can be significantly reduced as compared with the case of using the sputtering method, the chemical vapor deposition method and the like.

본 발명에 대해 상기 실시예를 참고하여 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명에 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the above embodiments, it is merely illustrative, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. . Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (11)

제1층 및 제2층이 순차적으로 적층하여 된 투명도전막을 형성하기 위한 조성물로서,As a composition for forming the transparent conductive film which the 1st layer and the 2nd layer were laminated sequentially, 상기 제1층 형성용 조성물이 금속(M) 미립자와 이를 분산시키기 위한 용매를 포함하고,The first layer-forming composition comprises a metal (M) fine particles and a solvent for dispersing it, 상기 제2층 형성용 조성물이 실리콘 알콕사이드 Si(OR)4(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기임)와 용매 및/또는 상기 금속 (M) 미립자 및 이 금속 (M) 미립자를 함유하는 금속염중에서 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막 형성용 조성물(단, 상기 금속 미립자가 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 주석(Sn), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd) 및 티탄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이다).The second layer-forming composition comprises a silicon alkoxide Si (OR) 4 (where R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) and a solvent and / or a metal salt containing the metal (M) fine particles and the metal (M) fine particles A composition for forming a transparent conductive film, characterized in that it comprises one selected from (However, the fine metal particles are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), nickel ( At least one selected from the group consisting of Ni, lead (Pb), cobalt (Co), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), tin (Sn), iridium (Ir), palladium (Pd), and titanium (Ti) to be). 제1항에 있어서, 상기 금속 미립자의 평균입경이 5 내지 120nm이고,The method of claim 1, wherein the average particle diameter of the metal fine particles is 5 to 120nm, 제1층 형성용 조성물에서의 금속 미립자의 함량은 조성물의 총중량 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1.5 중량부이고,The content of the metal fine particles in the composition for forming the first layer is 0.1 to 1.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the composition, 제2층 형성용 조성물에서의 금속 미립자의 함량은 조성물의 총중량 100 중량부에 대하여 0.005 내지 0.5 중량부인 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.The content of the metal fine particles in the composition for forming the second layer is 0.005 to 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the composition. 제1항에 있어서, 상기 제2층 상부에 제3층을 형성하기 위한 조성물로서,The method of claim 1, wherein the composition for forming a third layer on the second layer, 상기 제3층 형성용 조성물이 실리콘 알콕사이드 Si(OR)4(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기임)와 용매 및/또는 금속 (M) 미립자 및 이 금속 (M) 미립자를 함유하는 금속염중에서 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.The composition for forming a third layer is selected from silicon alkoxide Si (OR) 4 (where R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) and a solvent and / or metal (M) fine particles and metal salts containing the metal (M) fine particles. Transparent conductive film-forming composition comprising a selected one. 제3항에 있어서, 상기 금속(M) 미립자의 평균입경이 5 내지 120nm이고,The method of claim 3, wherein the average particle diameter of the metal (M) fine particles is 5 to 120nm, 그의 함량이 제3형성용 조성물 총중량 100 중량부에 대하여 0.005 내지 0.5중량부인 것 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.The composition for forming a transparent conductive film, characterized in that the content is 0.005 to 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the composition for third formation. 제1항에 있어서, 상기 제2층 형성용 조성물에 실리콘 알콕사이드의 가수분해를 돕기 위한 촉매가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.The composition for forming a transparent conductive film of claim 1, further comprising a catalyst for assisting hydrolysis of the silicon alkoxide in the composition for forming the second layer. 제1항에 있어서, 상기 촉매가 염산 및 질산으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 투명도전막 형성용 조성물.The composition of claim 1, wherein the catalyst is at least one selected from the group consisting of hydrochloric acid and nitric acid. 금속(M) 미립자와 이를 분산시키기 위한 용매를 포함하는 제1층 형성용 조성물을 도포함으로써 금속 미립자를 포함하여 된 제1층; 및A first layer containing metal fine particles by applying a composition for forming a first layer comprising metal (M) fine particles and a solvent for dispersing it; And 상기 제1층 상부에 실리콘 알콕사이드 Si(OR)4(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기임)와 용매 및/또는 상기 금속 (M) 미립자 및 이 금속 (M) 미립자를 함유하는 금속염중에서 선택된 하나를 포함하는 제2층 형성용 조성물을 도포함으로써 실리콘 알콕사이드의 가수분해물 및/또는 금속 미립자를 포함하여 된 제2층;이 순차적으로 적층하여 이루어진 투명도전막을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 표시소자(단, 상기 금속 미립자가 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 납(Pb), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 주석(Sn), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd) 및 티탄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이다).A silicon alkoxide Si (OR) 4 (wherein R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) and a solvent and / or a metal salt containing the metal (M) fine particles and the metal (M) fine particles above the first layer A second conductive layer comprising a hydrolyzate of silicon alkoxide and / or metal fine particles by applying a composition for forming a second layer comprising one; a display element comprising a transparent conductive film formed by sequentially laminating However, the metal fine particles are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), nickel (Ni), lead (Pb), cobalt (Co), rhodium (Rh) And ruthenium (Ru), tin (Sn), iridium (Ir), palladium (Pd) and titanium (Ti). 제7항에 있어서, 상기 금속 미립자의 평균입경이 5 내지 120nm이고,The method of claim 7, wherein the average particle diameter of the metal fine particles is 5 to 120nm, 제1층 형성용 조성물에서의 금속 미립자의 함량은 조성물의 총중량 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1.5 중량부이고,The content of the metal fine particles in the composition for forming the first layer is 0.1 to 1.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the composition, 제2층 형성용 조성물에서의 금속 미립자의 함량은 조성물의 총중량 100 중량부에 대하여 0.005 내지 0.5 중량부인 것을 특징으로 하는 표시소자.The content of the metal fine particles in the composition for forming the second layer is 0.005 to 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the composition. 제7항에 있어서, 상기 제2층 상부에 실리콘 알콕사이드와 용매 및/또는 금속(M) 미립자를 포함하는 제3층 형성용 조성물을 스프레이 코팅함으로써 실리콘 알콕사이드의 가수분해물 및 금속 미립자를 포함하여 된 제3층이 적층된 것을 특징으로 하는 표시소자.The method of claim 7, wherein the third layer-forming composition comprising silicon alkoxide and a solvent and / or metal (M) fine particles is spray-coated on the second layer to include a hydrolyzate of silicon alkoxide and metal fine particles. A display element characterized in that three layers are stacked. 제9항에 있어서, 상기 금속(M) 미립자의 평균입경이 5 내지 120nm이고,10. The method of claim 9, wherein the average particle diameter of the metal (M) fine particles is 5 to 120nm, 그의 함량이 제3형성용 조성물 총중량 100 중량부에 대하여 0.005 내지 0.5 중량부인 것을 특징으로 하는 표시소자.A content of the display element is 0.005 to 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the third forming composition. 제7항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명도전막이 음극선관의 글래스 패널 표면에 형성되거나 플라즈마 표시 장치의 필터 지지기판 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시소자.The display element according to any one of claims 7 to 10, wherein the transparent conductive film is formed on the surface of the glass panel of the cathode ray tube or on the surface of the filter support substrate of the plasma display device.
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