JPH10228257A - プラズマディスプレイパネルの駆動方法、駆動装置及びこれを用いたプラズマディスプレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】全面消去放電を低減してコントラストを向上さ
せる。 【解決手段】 透過性の基板２１に配置されている共通
に駆動可能な共通Ｘ電極２２と、この電極２２に平行に
配置され、独立に駆動可能な独立Ｙ電極２３と、他の基
板２８に配置され、これら電極２２、２３と垂直に交差
し、かつ、独立に駆動可能なアドレスＡ電極２９を有
し、共通Ｘ電極２２と独立Ｙ電極２３でサステイン放電
を行い、独立Ｙ電極２３とアドレスＡ電極２９でアドレ
ス放電を行い、各セルの荷電粒子の状態を略等しくする
ためにサステイン放電が行われたセルに対してのみ細線
消去放電を行ない、さらに放電を伴わない電圧を印加す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はパーソナルコンピュ
ータやワークステーションなどのディスプレイ装置、平
面型の壁掛けテレビジョン、広告、情報等の表示装置等
に用いられる表示装置、例えば、プラズマディスプレイ
パネルの駆動方法、駆動装置及びこれを用いたプラズマ
ディスプレイに関するものである。本発明は特にＡＣ型
プラズマディスプレイに適用して好適である。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイは１フィールドを
複数のサブフィールドに分け、各画素（セル）ごとに放
電により紫外線を発生させて蛍光体を励起し、発光させ
ている。この発光を行なうセルは前面側ガラス基板およ
び背面側ガラス基板上にお互いに直交するように配置さ
れた２組の独立駆動可能な電極群のアドレス放電により
決定される。

【０００３】第１の従来例としては、例えば特開平６−
１８６９２７号公報に開示されているようにサブフィー
ルドごとに各セルの荷電粒子状態を略等しくし、発光さ
せないセルは確実に発光しない状態として、かつ、アド
レス放電を低い電圧で行なえるようにするため、全面書
き込み放電および全面消去放電の２回の発光放電を行な
っていた。このため、黒の表示においても全面での発光
があり、コントラストを劣化させていた。

【０００４】また、第２の従来例として、特開平７−４
９６６３号公報に開示されているように、同一発光輝度
のサブフィールドを複数個連続して配置してサブフィー
ルド群とし、１つのサブフィールド群では、予備放電と
各画素に対する書込みと消去動作とを１回とすることに
より、パネルの劣化の低減とコントラストの向上を図っ
ていた。上記第２の従来例はコントラストの向上を図る
一手法を示すものであるが、発行輝度が異なるサブフィ
ールドをブロックに纏めてコントラストを向上させた例
がない。

【０００５】プラズマパネルへの書込みは１行に対して
概略２〜４μｓ必要であり、通常のテレビ画面は４８０
行からなるため、１画面の書込み期間は、１行の書込み
時間を３μｓとしても、１．４４ｍｓとなり、１フィー
ルド中では、１．４４ｍｓ×９＝略１３ｍｓを要する。
１フィールド期間は１６．７ｍｓであるから、ここから
書込み期間と予備放電期間とを除くと、発光期間は充分
な長さがあるとはいえない。さらに、高精細画面で、例
えば、１画面７６０行ある場合は書込みを略２μｓとし
ても２５６階調８サブフィールドの場合には、時間は十
分ではなく、サブフィールドを増やすことは困難であ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】これに対して、本発明
ではコントラストを向上させることを目的とするもので
ある。

【０００７】本発明の他の目的は全面消去放電を無くす
と共に、全面書き込み放電も無くすことでコントラスト
を向上させようとするものである。

【０００８】本発明のさらに他の目的は、かかる問題を
解消し、サブフィールドの数は変えずに予備放電回数
(全面書込み放電および細線消去放電)を低減して、コン
トラストを向上させることができるようにしたプラズマ
ディスプレイパネルの駆動方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ために、本発明では、 透過性の基板に配置されている
共通に駆動可能な第１の電極群と、前記第１の電極に平
行に配置され、独立に駆動可能な第２の電極群と、他の
基板に配置され、上記第１及び第２の電極群と垂直に交
差し、かつ、独立に駆動可能な第３の電極群を有し、各
セルの荷電粒子の状態を略等しくするためにその直前に
放電が行われたセルでのみ、少なくとも１回の放電を行
うと共に、放電を伴わない電圧を印加している。

【００１０】本発明の一実施例では、全セルに放電用電
圧を印加しても、サステイン放電が行われたセルでしか
放電は行われないし、放電を伴わない電圧は全セルに印
加されたとしても、この放電が行われたセルでのみ荷電
粒子の状態を略等しくすることに役立つ。

【００１１】本発明の目的を達成するために、本発明で
は、更に、サステイン期間後に細線パルスにより荷電粒
子の消去と分極を行ない、最後の細線パルスを印加した
電極群に高い電位の均一化パルスを印加した直後に他方
の電極群に規制パルスを印加するだけで全面消去放電を
無くし、かつ、全面書き込み放電も無くして荷電粒子の
制御を行なう。これにより、黒表示の際の不要な放電発
光を無くし、コントラストを向上させている。

【００１２】本発明の他の目的を達成するために、本発
明では、複数のサブフィールドでブロックを形成し、全
面書込み放電および細線消去放電は各ブロックの最初に
１回としてこれらの放電回数を低減している。この際、
予備放電は全書込放電及び細線消去放電からなり、この
予備放電を行うとアドレス電極にプラス荷電粒子が集ま
るため、アドレスパルスの電圧を低くすることが出来
る。各発光画素（セル）において、アドレス放電が起き
ないかぎり、この荷電粒子状態は少なくとも１フィール
ド期間（１６．７ｍｓ）は充分に保持される。このた
め、アドレス放電がないセルでは、予備放電は１フィー
ルド期間に１回で充分である。一方、アドレス放電が行
なわれて発光するセルでは、サステイン放電を利用し、
発光したセルのみ選択して荷電粒子の移動と消去を行な
い、予備放電終了後の荷電粒子状態と同等の荷電粒子状
態にすることにより、次のサブフィールドでは、予備放
電なしでアドレス放電の電圧を低くできる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。

【００１４】図１は本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの構造の一部を示す分解斜視図である。前面ガラス基
板２１の下面には透明な共通Ｘ電極２２と透明な独立Ｙ
電極２３が設けられている。また、それぞれの電極には
Ｘバス電極２４とＹバス電極２５が積層されている。更
に、その下面には誘電体層２６と「酸化マグネシウム」
(ＭｇＯ)等の保護層２７が設けられている。一方、背面
ガラス基板２８の上面には前面ガラス基板２１の共通Ｘ
電極２２と独立Ｙ電極２３とに直角方向にアドレスＡ電
極２９が設けられている。このアドレスＡ電極２９を誘
電体層３０が覆っており、その上に隔壁３１がアドレス
Ａ電極２９と平行に設けられている。さらに、隔壁３１
と誘電体層３０上には蛍光体３２が塗布されている。

【００１５】図２は図１中矢印Ａ方向から見たプラズマ
ディスプレイパネルの１つのセルの断面図である。アド
レスＡ電極２９は隔壁３１の中間に位置する。また、前
面ガラス基板２１と背面ガラス基板２８の間の空間３３
には、ネオン(Ｎｅ)、キセノン(Ｘｅ)等の放電ガスが充
填されている。

【００１６】図３は図１中矢印Ｂ方向から見たプラズマ
ディスプレイパネルの３つのセルの断面図である。１セ
ルの境界は概略点線で示す位置であり、共通Ｘ電極２２
と独立Ｙ電極２３が交互に配置されている。ＡＣ型のプ
ラズマディスプレイパネルではこの、共通Ｘ電極２２と
独立Ｙ電極２３近傍の誘電体層２６の上に正負の荷電粒
子を分けて集め、この荷電粒子を利用して放電を行なう
ための電界を形成している。

【００１７】図４は図１に示すプラズマディスプレイパ
ネルの電極及び電極に接続される回路構成を示す平面図
である。

【００１８】図は共通Ｘ電極２２、独立Ｙ電極２３及び
アドレスＡ電極２９の配線と回路構成を示す。Ｘ電極駆
動回路３５は共通Ｘ電極２２と１ないし複数個所で接続
されており共通Ｘ電極２２に印加する駆動パルスを発生
している。Ｙ電極駆動回路３６は独立Ｙ電極２３の１本
ごとに接続され、独立Ｙ電極２３に印加する駆動パルス
を発生している。Ａ電極駆動回路３７はアドレスＡ電極
２９の１本ごとに接続され、アドレスＡ電極２９に印加
する駆動パルスを発生している。

【００１９】図５は本発明における第１の駆動方式を示
す図である。図５(a)は１フィールド期間のサブフィー
ルドの配置を示すタイムチャートである。図において、
１は１フィールド期間を示し、横軸は時間（１フィール
ド期間）、縦軸はセルの行を表わしている。この場合は
１フィールドが第１〜第８の８個のサブフィールド２〜
９に分けられている。各サブフィールド２〜９の最初に
は荷電粒子均一化期間２ａ〜９ａがあり、その後各アド
レス期間２ｂ〜９ｂ、サステイン期間２ｃ〜９ｃがあ
る。このサステイン期間２ｃ〜９ｃではそれぞれに放電
回数が割り振られており、これらの放電回数の組合せに
より中間調の表示を行なう。放電回数の多少とサブフィ
ールドの順番は任意であり、本実施例では放電回数の少
ない順に並ぶ例を示している。

【００２０】図５(ｂ)から図５(ｅ)は共通Ｘ電極、アド
レスＡ電極、独立Ｙ電極に供給されるパルス波形を示す
波形図である。

【００２１】図において、パルス波形１０は第１サブフ
ィールド２において共通Ｘ電極２２に印加される駆動波
形の一部であり、パルス波形１１はアドレスＡ電極２９
の１本に印加される駆動波形の一部であり、パルス波形
１２、１３は独立Ｙ電極２３の例えば１行目、２行目
（Ｙ１、Ｙ２）に印加される駆動波形の一部である。

【００２２】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加されるパルス波形１０は荷電粒子均一化期間
２ａからアドレス期間２ｂへ続く規制パルス４０と、サ
ステイン期間２ｃのサステインパルス４１よりなる。こ
の際、規制パルス４０の電圧はサステインパルス４１よ
り低い。次にアドレスＡ電極２９の１本に印加される波
形１１は発光させるセルに対応する第１サブフィールド
２のアドレス期間２ｂのアドレスパルス４２よりなる。

【００２３】なお、発光させるセルが無い場合にはアド
レスパルス４２も無い。すなわち、すべてのアドレス電
極の内、発光させるセルがある電極にはアドレスパルス
が印加され、発光されるセルがないアドレス電極にはア
ドレスパルスが印加されない。

【００２４】次に独立Ｙ電極２３の例えば隣接する１、
２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形１２、１３はそ
れぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子均一化期間２ａ
の均一化パルス４３ａ、４３ｂ、…、アドレス期間２ｂ
のスキャンパルス４４ａ、４４ｂ、…、サステイン期間
２ｃのサステインパルス４５ａ、４５ｂ、…、細線消去
パルス４６ａ、４６ｂ、…よりなる。この際、スキャン
パルス４４ａ、４４ｂ、…の電圧はサステインパルス４
５ａ、４５ｂ、…より低い。なお、細線消去パルスと均
一化パルス４３ａ、４３ｂ、…は同じ電極群に印加され
るように構成される。なお、細線消去パルス４６ａ、４
６ｂの幅は０．５μｓ以上２μｓ以下が最適である。

【００２５】次に、本発明の動作について説明する。図
５において電源投入直後の第１サブフィールド２の荷電
粒子均一化期間２ａでは独立Ｙ電極２３に印加される均
一化パルス４３によりすべてのセルにおいて独立Ｙ電極
２３と共通Ｘ電極２２間で放電が起こり、独立Ｙ電極２
３近傍の誘電体層上にマイナスの荷電粒子が形成され
る。なお、この均一化パルス４３による放電は最初の一
回のみであり、その後は放電しない。すなわち、セル内
の空間３３の電荷状態が異常な状態にならない限り均一
化パルス４３による放電は最初の一回限りである。均一
化パルス４３の立上りから略０．３μｓ以上２μｓ以下
の時間で共通Ｘ電極２２に規制パルス４０が印加され
る。これにより、共通Ｘ電極２２近傍の誘電体層上にも
マイナスの荷電粒子が形成され、アドレスＡ電極２９側
にはプラスの荷電粒子が形成される。

【００２６】均一化パルス４３ａ、４３ｂの立ち上がり
から規制パルス４０の立ち上がりの時間を上記の様に決
めたのは、この間隔をあまり長くすると独立Ｙ電極２３
上にマイナスの荷電粒子が集まりすぎ、共通Ｘ電極２２
にプラスの荷電粒子が集まり始めるからである。この間
隔を狭くすると、独立Ｙ電極２３にマイナス荷電粒子が
十分に集まらず、アドレスＡ電極にプラスの荷電粒子を
十分に集めることが出来ない。

【００２７】この規制パルス４０の主な役割は共通Ｘ電
極２２にマイナスの荷電粒子を引き寄せ、アドレスＡ電
極２９にプラスの荷電粒子を形成させることである。他
の役割は、アドレス電極２９と独立Ｙ電極２３とでアド
レス放電を行う際、共通Ｘ電極２２と独立Ｙ電極２３間
で放電を起こさせ、アドレス放電を助長させることにあ
る。

【００２８】次に、アドレス期間２ｂでは例えば独立Ｙ
電極２３の１行目に印加されるスキャンパルス４４ａと
同時にアドレスＡ電極２９の１本にアドレスパルス４２
が印加されると、独立Ｙ電極２３の１行目とこの１本の
アドレスＡ電極２９との交点に位置するセルにおいて書
き込み放電が起こって荷電粒子を形成し、このセルの独
立Ｙ電極２３側にプラスの荷電粒子が集まる。

【００２９】一方、独立Ｙ電極２３の２行目のようにス
キャンパルス４４ｂに対応するアドレスパルス４２が印
加されない場合には書き込み放電は起こらず、独立Ｙ電
極２３側には荷電粒子も形成されない。すなわち、すべ
てのアドレスＡ電極２９と独立Ｙ電極２３との交点に位
置するセルのうち点灯させたいセルに対応するアドレス
Ａ電極２９にアドレスパルス４２が出力され、独立Ｙ電
極２３にはスキャンパルス４４ａまたは４４ｂが出力さ
れるため、アドレスパルス４２が出力されたアドレスＡ
電極２９と独立Ｙ電極２３で放電が起こる。

【００３０】次にサステイン期間２ｃでは前記アドレス
期間２ｂで書き込み放電が行なわれ、独立Ｙ電極２３側
にプラスの荷電粒子が集まったセルでのみ、サステイン
パルス４１、４５ａ、４５ｂ、…により共通Ｘ電極２２
と独立Ｙ電極２３間で発光表示のための放電、即ち、サ
ステイン放電が起こる。その後、独立Ｙ電極２３に印加
される細線消去パルス４６ａ、４６ｂ、…で独立Ｙ電極
２３と共通Ｘ電極２２間で放電が起こり荷電粒子を消去
する。これにより、発光表示のための放電が起ったセル
はすべて荷電粒子の消去が行なわれる。放電の継続時間
に対して細線消去パルス４６ａ、４６ｂ、…の幅をやや
長く設定しているため、独立Ｙ電極２３近傍の誘電体層
上にマイナスの荷電粒子が集まっている。発光表示のた
めの放電が起らなかったセルは「セルの中に荷電粒子が
不足したため」消去放電も起こらない。このため、荷電
粒子均一化期間２ａで独立Ｙ電極２３近傍の誘電体層上
に形成されたマイナスの荷電粒子はそのまま維持されて
いる。

【００３１】この状態で次のサブフィールドで均一化パ
ルス４３を印加してもセル内のマイナスの荷電粒子が均
一化パルス４３の電圧を打ち消すため、セル内では放電
に必要な十分な電界が形成されず、放電は起こらない。
以後、すべてのサブフィールドにおいて、均一化パルス
４３を印加しても放電は起こらない。

【００３２】以上のようにして、電源投入後の最初のサ
ブフィールドを除いて均一化パルス４３によって放電は
起こらないので、黒表示の場合の発光はなくなる。ま
た、サステインパルス数で規定される階調表示の直線性
に対しては、２回の放電より１回の放電の方が影響が少
ない。本発明に於いては、サステイン放電が起こったセ
ルでは１回の放電でも荷電粒子の均一化を行うことが出
来るため、サステインパルス数で規定される階調表示の
直線性に対して影響が少ない。

【００３３】第２〜第８サブフィールド３〜９でも同様
な動作が繰り返され、１フィールドの画面を構成する。

【００３４】図６〜図１０は発光表示の放電が発生する
セルにおける電源投入直後の最初のサブフィールドから
次のサブフィールドの均一化パルスおよび規制パルスが
印加されるまでの荷電粒子の状態を示すプラズマディス
プレイパネルの断面図であり、これらの図において６０
はプラスの荷電粒子、６１はマイナスの荷電粒子を示
す。なお、荷電粒子の動きは図６〜図１０に示した３つ
のセルのうち、中央のセルに関してのみ示す。

【００３５】図６は電源が投入され、最先の均一化パル
スと規制パルスが印加された後のパネルのセルのなかの
荷電粒子状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面
図である。

【００３６】図は電源投入直後の最初のサブフィールド
において、独立Ｙ電極２３に均一化パルス４３が印加さ
れ、直後に共通Ｘ電極２２に規制パルス４０が印加され
た後の荷電粒子状態を示す。この最初のサブフィールド
では均一化パルス４３により全セルにおいて共通Ｘ電極
２２と独立Ｙ電極２３間で放電が起こり、規制パルスに
よって独立Ｙ電極２３および共通Ｘ電極２２側の誘電体
層上にはマイナスの荷電粒子６１が集まり、アドレスＡ
電極２９側にはプラスの荷電粒子６０が集まる。

【００３７】図７はアドレス放電後のパネルのセル内の
荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断
面図である。

【００３８】図はアドレスＡ電極２９にアドレスパルス
４２が印加され、アドレスＡ電極２９と独立Ｙ電極２３
間でアドレス放電が発生した後の荷電粒子状態を示す。
アドレス放電時には独立Ｙ電極２３はアドレスＡ電極２
９および共通Ｘ電極２２よりも低い電位にあり、独立Ｙ
電極２３近傍の誘電体層上にプラスの荷電粒子６０が集
まる。よって、図７に示すような荷電粒子状態となる。

【００３９】このプラスの荷電粒子６０による荷電粒子
と独立Ｙ電極２３に印加されるサステインパルス４５
ａ、４５ｂ、…の第１パルスの電圧とで共通Ｘ電極２２
との間で放電が開始し、維持放電が行なわれる。サステ
インパルス４５ａ、４５ｂによる放電によって今度は独
立Ｙ電極２３にマイナスの荷電粒子が集まり(図示せ
ず)、共通Ｘ電極２２にプラスの荷電粒子が集まるた
め、今度はサステインパルス４１の第１パルス電圧によ
って、独立Ｙ電極２３と共通Ｘ電極２２との間で維持放
電が行われる。サステイン期間２ｃではこれが繰り返え
さらえる。

【００４０】図８は細線消去パルス印加後のパネルのセ
ル内の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネ
ルの断面図である。

【００４１】図は共通Ｘ電極２２に印加された最後のサ
ステインパルス４１の後に独立Ｙ電極２３に細線消去パ
ルス４６ａ、４６ｂ、…が印加された後の荷電粒子状態
を示す。最後のサステインパルス４１で放電を行った後
の荷電粒子の状態は図７の状態になる。この細線消去パ
ルス４６ａ、４６ｂ、…の幅は放電の継続時間より長
く、独立Ｙ電極２３近傍の誘電体層上には動きの早いマ
イナスの荷電粒子６１が集まる。これにより、荷電粒子
の分極が行なわれる。プラスの荷電粒子６０は動きが遅
いため、しばらくの間放電空間を漂う。また、マイナス
の荷電粒子６１の一部もしばらくの間放電空間を漂う。

【００４２】図９は２番目のサブフィールドにおいて均
一化パルス印加後のパネルのセル内の荷電粒子の状態を
示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。

【００４３】２番目のサブフィールドの均一化パルス４
３の電圧はマイナスの荷電粒子６１に相殺されて放電開
始電圧に達せず、放電しない。この際、独立Ｙ電極２３
は他の電極群よりも高い電位にあるため、さらにマイナ
スの荷電粒子６１を引き付ける。

【００４４】図１０は２番目のサブフィールドにおいて
規制パルス印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を
示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。

【００４５】図は共通Ｘ電極２２に規制パルス４０が印
加された後の荷電粒子状態を示す。共通Ｘ電極２２側の
誘電体層上にもマイナスの荷電粒子６１が集まると共
に、アドレスＡ電極２９側にはプラスの荷電粒子６０が
集まる。これにより、均一化パルス４３で放電しなくて
も最初のサブフィールドと同様に駆動が可能となる。ま
た、この場合独立Ｙ電極２３側のマイナス荷電粒子によ
って、均一化パルス４３ａ、４３ｂ…の電圧は実質的に
下げられるので、独立Ｙ電極２３と共通Ｘ電極２２との
間では放電は起こらない。

【００４６】以上の過程により各サブフィールドごとの
全書き込み放電および消去放電無しで駆動が可能となる
ため、黒表示の際の不要な発光がなくなり、コントラス
トが向上する。

【００４７】次に、第２の実施例について説明する。図
１１は本発明における第２の駆動方式を示す図である。
図１１(a)は１フィールド期間のサブフィールドの配置
を示すタイムチャートである。図５と同様１フィールド
期間１の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセ
ルの行を表わしている。図１１(ｂ)から図１１（ｅ）は
共通Ｘ電極、アドレスＡ電極、独立Ｙ電極に供給される
パルス波形を示す波形図である。

【００４８】波形７０は第１サブフィールド２において
共通Ｘ電極２２に印加される駆動波形の一部であり、波
形７１はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆動波
形の一部であり、波形７２、７３は独立Ｙ電極２３の例
えば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される駆動波
形の一部である。

【００４９】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加される波形７０は荷電粒子均一化期間２ａか
らアドレス期間２ｂへ続く規制パルス４０と、サステイ
ン期間２ｃのサステインパルス４１と、第２細線消去パ
ルス７４よりなる。次にアドレスＡ電極２９の１本に印
加される波形７１は発光させるセルに対応する第１サブ
フィールド２のアドレス期間２ｂのアドレスパルス４２
よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレ
ス電極２９にアドレスパルス４２が印加されない。

【００５０】次に独立Ｙ電極２３の例えば隣接する１、
２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形７２、７３はそ
れぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子均一化期間２ａ
の均一化パルス４３ａ、４３ｂ、…、アドレス期間２ｂ
のスキャンパルス４４ａ、４４ｂ、…、サステイン期間
２ｃのサステインパルス４５ａ、４５ｂ、…、第１細線
消去パルス７５ａ、７５ｂ、…よりなる。

【００５１】この際、第１細線消去パルス７５ａ、７５
ｂ、…の幅は第２細線消去パルス７４と同等もしくは第
２細線消去パルス７４より狭い。なお、本実施例のよう
に細線消去パルスが偶数個の場合、最後の細線消去パル
スとなる第１細線消去パルス７５ａ、７５ｂ、…と均一
化パルス４３ａ、４３ｂ、…、は同じ電極群に印加され
るように構成され、最初の細線消去パルスとなる第２細
線消去パルス７４は最後の細線消去パルスとは異なる電
極、すなわち共通Ｘ電極２２に印加される。

【００５２】この場合、最後のサステインパルスは独立
Ｙ電極２３に印加される。これにより、第１細線消去パ
ルス７５ａ、７５ｂ、…印加後の荷電粒子状態は第１の
実施例の図８に示す状態と略等しく、同様に動作する。
他のサブフィールド３〜９も同様の構成になっている。
なお、この細線消去パルス群で荷電粒子の消去と分極を
行なうため総称してこれら細線消去パルス群を分極パル
ス群と呼ぶ。この実施例では第１、第２の細線消去パル
スを用いることにより、より効果的に消去を行うことが
できるため、アドレス放電時の放電時間を一定に保つこ
とができる。

【００５３】次に、第３の実施例について説明する。図
１２は本発明における第３の駆動方式を示す図である。
図１２(a)は１フィールド期間のサブフィールドの配置
を示すタイムチャートである。図５と同様１フィールド
期間１の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセ
ルの行を表わしている。図１２(ｂ)から図１２(ｅ)は共
通Ｘ電極、アドレスＡ電極、独立Ｙ電極に供給されるパ
ルス波形を示す波形図である。

【００５４】波形８０は第１サブフィールド２において
共通Ｘ電極２２に印加される駆動波形の一部であり、波
形８１はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆動波
形の一部であり、波形８２、８３は独立Ｙ電極２３の例
えば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される駆動波
形の一部である。

【００５５】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加される波形８０は荷電粒子均一化期間２ａか
らアドレス期間２ｂへ続く規制パルス４０と、サステイ
ン期間２ｃのサステインパルス４１と、第２細線消去パ
ルス８４よりなる。次にアドレスＡ電極２９の１本に印
加される波形８１は発光させるセルに対応する第１サブ
フィールド２のアドレス期間２ｂのアドレスパルス４２
よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレ
スパルス４２も無い。

【００５６】次に独立Ｙ電極２３の例えば隣接する１、
２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形８２、８３はそ
れぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子均一化期間２ａ
の均一化パルス４３ａ、４３ｂ、…、アドレス期間２ｂ
のスキャンパルス４４ａ、４４ｂ、…、サステイン期間
２ｃのサステインパルス４５ａ、４５ｂ、…、第３細線
消去パルス８５ａ、ｂ、…、第１細線消去パルス８６
ａ、８６ｂ、…よりなる。

【００５７】この際、第２細線消去パルス８４の幅は第
３細線消去パルス８５ａ、８５ｂ、…と同等もしくは第
３細線消去パルス８５ａ、８５ｂ、…より狭い。また、
第１細線消去パルス８６ａ、８６ｂ、…の幅は第２細線
消去パルス８４と同等もしくは第２細線消去パルス８４
より狭い。

【００５８】なお、本実施例のように細線消去パルスが
奇数個の場合、最後の細線消去パルスとなる第１細線消
去パルス８６ａ、８６ｂ、…と均一化パルス４３ａ、４
３ｂ、…は同じ電極群に印加されるように構成され、最
初の細線消去パルスとなる第３細線消去パルス８５ａ、
８５ｂ、…は最後の細線消去パルスと同じ電極、すなわ
ち独立Ｙ電極２３に印加される。したがって、最後のサ
ステインパルスは共通Ｘ電極２２に印加される。これに
より、第１細線消去パルス８６ａ、８６ｂ、…印加後の
荷電粒子状態は第１の実施例の図８に示す状態と略等し
く、同様に動作する。他のサブフィールド３〜９も同様
の構成になっている。

【００５９】なお、この実施例では第１、第２、第３の
細線消去パルス８６ａ、８６ｂ、８４、８５ａ、８５ｂ
を用いることにより、さらに確実に消去を行うことがで
きる。なお、本発明者の実験によると３つの細線消去パ
ルス迄が有効であり、それ以上パルスの数を増やしても
あまり効果がないことが分かった。

【００６０】次に、第４の実施例について説明する。図
１３は本発明における第４の駆動方式を示す図である。
図１３(a)は１フィールド期間のサブフィールドの配置
を示すタイムチャートである。図５と同様１フィールド
期間１の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセ
ルの行を表わしている。図１３(ｂ)から図１３(ｅ)は共
通Ｘ電極、アドレスＡ電極、独立Ｙ電極に供給されるパ
ルス波形を示す波形図である。

【００６１】波形９０は第１サブフィールド２において
共通Ｘ電極２２に印加される駆動波形の一部であり、波
形９１はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆動波
形の一部であり、波形９２、９３は独立Ｙ電極２３の例
えば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される駆動波
形の一部である。

【００６２】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加される波形９０は荷電粒子均一化期間２ａか
らアドレス期間２ｂへ続く規制パルス９４と、サステイ
ン期間２ｃのサステインパルス４１とよりなる。この
際、規制パルス９４とサステインパルス４１とは同電位
であり、電源を共通にできるため回路構成が簡略化でき
る。

【００６３】次にアドレスＡ電極２９の１本に印加され
る波形９１は発光させるセルに対応する第１サブフィー
ルド２のアドレス期間２ｂのアドレスパルス４２よりな
る。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパル
ス４２も無い。

【００６４】次に独立Ｙ電極２３の例えば隣接する１、
２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形９２、９３はそ
れぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子均一化期間２ａ
の均一化パルス４３ａ、４３ｂ、…、アドレス期間２ｂ
のスキャンパルス４４ａ、４４ｂ、…、サステイン期間
２ｃのサステインパルス４５ａ、４５ｂ、…、細線消去
パルス４６ａ、４６ｂ、…よりなる。

【００６５】これにより、細線消去パルス４６ａ、４６
ｂ、…印加後の荷電粒子状態は第１の実施例の図８に示
す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィール
ド３〜９も同様の構成になっている。この駆動方式にお
いては、共通Ｘ電極２２に印加される規制パルス９４と
サステインパルス４１は同電圧であるためこの電源回路
の構成を簡単にすることができる。

【００６６】次に、第５の実施例について説明する。図
１４は本発明における第５の駆動方式を示す図である。
図１４(a)は１フィールド期間のサブフィールドの配置
を示すタイムチャートである。図５と同様１フィールド
期間１の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセ
ルの行を表わしている。図１４(ｂ)から図１４(ｅ)は共
通Ｘ電極、アドレスＡ電極、独立Ｙ電極に供給されるパ
ルス波形を示す波形図である。

【００６７】波形１００は第１サブフィールド２におい
て共通Ｘ電極２２に印加される駆動波形の一部であり、
波形１０１はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆
動波形の一部であり、波形１０２、１０３は独立Ｙ電極
２３の例えば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加され
る駆動波形の一部である。

【００６８】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加される波形１００は荷電粒子均一化期間２ａ
からアドレス期間２ｂへ続く規制パルス９４と、サステ
イン期間２ｃのサステインパルス４１とよりなる。この
際、図１３に示す第４の実施例と同様に規制パルス９４
とサステインパルス４１とは同電位であり、電源を共通
にできるため回路構成が簡略化できる。次にアドレスＡ
電極２９の１本に印加される波形１０１は発光させるセ
ルに対応する第１サブフィールド２のアドレス期間２ｂ
のアドレスパルス４２よりなる。なお、発光させるセル
が無い場合にはアドレスパルス４２も無い。

【００６９】次に独立Ｙ電極２３の例えば隣接する１、
２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形１０２、１０３
はそれぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子均一化期間
２ａの均一化パルス４３ａ、４３ｂ、…、アドレス期間
２ｂのスキャンパルス１０４ａ、１０４ｂ、…、サステ
イン期間２ｃのサステインパルス４５ａ、４５ｂ、…、
細線消去パルス４６ａ、４６ｂ、…よりなる。この際、
アドレス期間２ｂの独立Ｙ電極２３の電位はサステイン
パルス４５ａ、４５ｂ、…とは同電位であり、電源を共
通にできるため回路構成が簡略化できる。

【００７０】これにより、細線消去パルス４６ａ、４６
ｂ、…印加後の荷電粒子状態は第１の実施例の図８に示
す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィール
ド３〜９も同様の構成になっている。

【００７１】次に、第６の実施例について説明する。図
１５は本発明における第６の駆動方式を示す図である。
図１５(a)は１フィールド期間のサブフィールドの配置
を示すタイムチャートである。図５と同様１フィールド
期間１の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセ
ルの行を表わしている。図１５(ｂ)から図１５(ｅ)は共
通Ｘ電極、アドレスＡ電極、第１、第２の独立Ｙ電極に
供給されるパルス波形を示す波形図である。

【００７２】波形１１０は第１サブフィールド２におい
て共通Ｘ電極２２に印加される駆動波形の一部であり、
波形１１１はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆
動波形の一部であり、波形１１２、１１３は独立Ｙ電極
２３の例えば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加され
る駆動波形の一部である。

【００７３】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加される波形１１０は荷電粒子均一化期間２ａ
の第１規制パルス１１４と、アドレス期間２ｂの第２規
制パルス１１５と、サステイン期間２ｃのサステインパ
ルス４１とよりなる。このように、共通Ｘ電極２２に印
加される規制パルスを荷電粒子均一化期間２ａの第１規
制パルス１１４と、アドレス期間２ｂの第２規制パルス
１１５とに分けてもよい。

【００７４】次にアドレスＡ電極２９の１本に印加され
る波形１１１は発光させるセルに対応する第１サブフィ
ールド２のアドレス期間２ｂのアドレスパルス４２より
なる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパ
ルス４２も無い。

【００７５】次に独立Ｙ電極２３の例えば隣接する１、
２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形１１２、１１３
はそれぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子均一化期間
２ａの均一化パルス４３ａ、４３ｂ、…、アドレス期間
２ｂのスキャンパルス１１６ａ、１１６ｂ、…、サステ
イン期間２ｃのサステインパルス４５ａ、４５ｂ、…、
細線消去パルス４６ａ、４６ｂ、…よりなる。

【００７６】これにより、細線消去パルス４６ａ、４６
ｂ、…印加後の荷電粒子状態は第１の実施例の図８に示
す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィール
ド３〜９も同様の構成になっている。

【００７７】図において、第１規制パルス１１４の立ち
下がりを均一化パルス４３ａより僅かに早く立ち下げ
て、共通Ｘ電極２２と独立Ｙ電極２３間で誤放電するの
を防いでいる。また、第２の規制パルス１１５の立ち上
がりをスキャンパルス１１６ａの立ち上がりとほぼ同じ
にして共通Ｘ電極２２と独立Ｙ電極２３間での誤放電を
防いでいる。

【００７８】なお、図１５において、共通Ｘ電極２２に
印加される第１規制パルス１１４の電圧はサステインパ
ルス４１の電圧と同じでもよい。

【００７９】次に、第７の実施例について説明する。図
１６は本発明における第７の駆動方式を示す図である。
図１６(a)は１フィールド期間のサブフィールドの配置
を示すタイムチャートである。図５と同様１フィールド
期間１の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセ
ルの行を表わしている。図１６(ｂ)から図１６(ｅ)は共
通Ｘ電極、アドレスＡ電極、第１、第２の独立Ｙ電極に
供給されるパルス波形を示す波形図である。

【００８０】波形１３０は第１サブフィールド２におい
て共通Ｘ電極２２に印加される駆動波形の一部であり、
波形１３１はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆
動波形の一部であり、波形１３２、１３３は独立Ｙ電極
２３の例えば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加され
る駆動波形の一部である。

【００８１】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加される波形１３０は荷電粒子均一化期間２ａ
の第１規制パルス１３４と、アドレス期間２ｂの第２規
制パルス１３５と、サステイン期間２ｃのサステインパ
ルス４１とよりなる。次にアドレスＡ電極２９の１本に
印加される波形１３１は発光させるセルに対応する第１
サブフィールド２のアドレス期間２ｂのアドレスパルス
４２よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはア
ドレスパルス４２も無い。

【００８２】次に独立Ｙ電極２３の例えば隣接する１、
２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形１３２、１３３
はそれぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子均一化期間
２ａの均一化パルス１３６ａ、３６ｂ、…、アドレス期
間２ｂのスキャンパルス１３７ａ、ｂ、…、サステイン
期間２ｃのサステインパルス４５ａ、４５ｂ、…、細線
消去パルス４６ａ、４６ｂ、…よりなる。なお、均一化
パルス１３６ａ、１３６ｂ、…の立ち下がりは本実施例
に示すように前記実施例とは異なり、１μｓ以下で０電
位となるパルスとなっている。

【００８３】また、第５の実施例に示すように第２規制
パルス１３５とスキャンパルス１３７ａ、１３７ｂ、…
もそれぞれ、サステインパルス４１、４５ａ、４５ｂ、
…と同電位であってもよい。

【００８４】これにより、細線消去パルス４６ａ、４６
ｂ、…印加後の荷電粒子状態は第１の実施例の図８に示
す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィール
ド３〜９も同様の構成になっている。

【００８５】均一化パルス１３６ａを急激に立ち下げて
もそれ以前に第１規制パルス１３９が立ち下がっている
ため、共通Ｘ電極２２と独立Ｙ電極２３間で誤放電は起
きない。

【００８６】次に、第８の実施例について説明する。図
１７は本発明における第８の駆動方式を示す図である。
図１７(a)は１フィールド期間のサブフィールドの配置
を示すタイムチャートである。図５と同様１フィールド
期間１の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセ
ルの行を表わしている。図１７(ｂ)から図１７(ｅ)は共
通Ｘ電極、アドレスＡ電極、第１、第２の独立Ｙ電極に
供給されるパルス波形を示す波形図である。

【００８７】波形１４０は第１サブフィールド２におい
て共通Ｘ電極２２に印加される駆動波形の一部であり、
波形１４１はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆
動波形の一部であり、波形１４２、１４３は独立Ｙ電極
２３の例えば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加され
る駆動波形の一部である。

【００８８】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加される波形１４０は荷電粒子均一化期間２ａ
の第１規制パルス１４４と、アドレス期間２ｂの第２規
制パルス１３５と、サステイン期間２ｃのサステインパ
ルス４１とよりなる。第１規制パルス１４４は本実施例
ではサステインパルス４１より高い電位に設定されてい
る。

【００８９】次に、アドレスＡ電極２９の１本に印加さ
れる波形１４１は発光させるセルに対応する第１サブフ
ィールド２のアドレス期間２ｂのアドレスパルス４２よ
りなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレス
パルス４２も無い。次に独立Ｙ電極２３の例えば隣接す
る１、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形１４２、
１４３はそれぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子均一
化期間２ａの均一化パルス１３６ａ、１３６ｂ、…、ア
ドレス期間２ｂのスキャンパルス１３７ａ、１３７ｂ、
…、サステイン期間２ｃのサステインパルス４５ａ、４
５ｂ、…、細線消去パルス４６ａ、４６ｂ、…よりな
る。

【００９０】また、第２規制パルス１３５とスキャンパ
ルス１３７ａ、１３７ｂ、…もそれぞれ、サステインパ
ルス４１、４５ａ、４５ｂ、…と同電位であってもよ
い。これにより、細線消去パルス４６ａ、４６ｂ、…印
加後の荷電粒子状態は第１の実施例の図８に示す状態と
略等しく、同様に動作する。他のサブフィールド３〜９
も同様の構成になっている。

【００９１】この実施例においては、第１規制パルス１
４４の電圧をサステインパルス４１の電圧より高くして
いる。第１規制パルス１４４の電圧を高くすることによ
り共通Ｘ電極２２にマイナスの荷電粒子を集めることが
出来る為、アドレスＡ電極２９には多くのプラス荷電粒
子が集まり、よりアドレス放電をし易くすることが出来
る。

【００９２】次に、第９の実施例について説明する。図
１８は本発明における第９の駆動方式を示す図である。
図１８(a)は１フィールド期間のサブフィールドの配置
を示すタイムチャートである。図５と同様１フィールド
期間１の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセ
ルの行を表わしている。図１８(ｂ)から図１８(ｅ)は共
通Ｘ電極、アドレスＡ電極、独立Ｙ電極に供給されるパ
ルス波形を示す波形図である。

【００９３】波形１５０は第１サブフィールド２におい
て共通Ｘ電極２２に印加される駆動波形の一部であり、
波形１５１はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆
動波形の一部であり、波形１５２、１５３は独立Ｙ電極
２３の例えば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加され
る駆動波形の一部である。

【００９４】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加される波形１５０は荷電粒子均一化期間２ａ
の均一化パルス１５３と、アドレス期間２ｂの第２規制
パルス１５４と、サステイン期間２ｃのサステインパル
ス４１と、細線消去パルス１５５よりなる。なお、本実
施例は細線消去パルスが１個の場合であり、第５の実施
例と同様に細線消去パルスが印加された電極に均一化パ
ルスが印加される。

【００９５】また、第２、第３の実施例(図１１および
図１２参照)と同様に細線消去パルスが２本の場合、３
本の場合もそれぞれ、最後の細線消去パルスが印加され
た電極に均一化パルスが印加される。次にアドレスＡ電
極２９の１本に印加される波形１５１は発光させるセル
に対応する第１サブフィールド２のアドレス期間２ｂの
アドレスパルス４２よりなる。

【００９６】なお、発光させるセルが無い場合にはアド
レスパルス４２も無い。次に独立Ｙ電極２３の例えば隣
接する１、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形１５
２、１５３はそれぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子
均一化期間２ａの第１規制パルス１５６ａ、１５６ｂ、
…、アドレス期間２ｂのスキャンパルス１３７ａ、１３
７ｂ、…、サステイン期間２ｃのサステインパルス４５
ａ、４５ｂ、…よりなる。

【００９７】本実施例において、第１規制パルス１５６
ａ、１５６ｂ、…は均一化パルス１５３の立ち上がりか
ら０．３μｓ以上２μｓ以下の時間で印加されている。
また、第５の実施例(図１４参照)に示すように第２規制
パルス１５４とスキャンパルス１３７ａ、ｂ、…もそれ
ぞれ、サステインパルス４１、４５ａ、４５ｂ、…と同
電位であってもよい。他のサブフィールド３〜９も同様
の構成になっている。

【００９８】この実施例において、第１規制パルス４３
ａ、４３ｂは図１５等に示されている均一化パルス４３
ａ、４３ｂと類似しているが、本発明において、均一化
パルスとは均一化期間において先に立ち上がるパルスが
均一化パルスとしての役割を果たす。また、均一化パル
ス１５３の立ち上がりと第１規制パルス１５６ａ、１５
６ｂ間の間隔を０．３μｓ以上２μｓ以下とする理由は
すでに説明した通りである。

【００９９】図１９〜２３は第９の実施例(図１８参照)
においてサステイン放電が発生するセルにおける電源投
入直後の最初のサブフィールドから次のサブフィールド
の均一化パルスおよび規制パルスが印加されるまでの荷
電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面
図である。なお、荷電粒子の動きは図に示した３つのセ
ルのうち、中央のセルに関してのみ示す。

【０１００】図１９は電源が投入され、最先の均一化パ
ルスと規制パルスが印加された後のパネルのセル内の荷
電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面
図である。図は電源投入直後の最初のサブフィールドに
おいて共通Ｘ電極２２に均一化パルス１５３が印加さ
れ、直後に独立Ｙ電極２３に第１規制パルス１５６ａ、
１５６ｂ、…が印加された後の荷電粒子状態を示す。こ
の最初のサブフィールドでは均一化パルス１５３により
全セルにおいて放電が起こり、第１規制パルス１５６
ａ、１５６ｂによって共通Ｘ電極２２および独立Ｙ電極
２３側の誘電体層上には、マイナスの荷電粒子６１が集
まり、アドレスＡ電極２９側にはプラスの荷電粒子６０
が集まる。

【０１０１】図２０は第９の実施例において、アドレス
放電後のパネルのセル内の荷電粒子の状態を示すプラズ
マディスプレイパネルの断面図である。図はアドレスＡ
電極２９にアドレスパルス４２が印加され、アドレス放
電が発生した後の荷電粒子状態を示す。アドレス放電時
には独立Ｙ電極２３はアドレスＡ電極２９および共通Ｘ
電極２２よりも低い電位にあり、独立Ｙ電極２３近傍の
誘電体層上にプラスの荷電粒子６０が集まり、他の電極
にはマイナスの荷電粒子が集まる。図２０はこの状態を
示す。このプラスの荷電粒子６０による荷電粒子と独立
Ｙ電極２３に印加されるサステインパルス４５ａ、４５
ｂ、…の第１パルスの電圧とで放電が開始し、サステイ
ン放電が行なわれる。

【０１０２】図２１は第９の実施例における細線消去パ
ルス印加後のパれるのセル内の荷電粒子の状態を示すプ
ラズマディスプレイパネルの断面図である。図は独立Ｙ
電極２３に印加された最後のサステインパルス４５ａ、
４５ｂ、…の後に共通Ｘ電極２２に細線消去パルス１５
５が印加された後の荷電粒子状態を示す。この細線消去
パルス１５５の幅は放電の継続時間より長く、共通Ｘ電
極２２近傍の誘電体層上には動きの早いマイナスの荷電
粒子６１が集まる。プラスの荷電粒子６０は動きが遅い
ため、しばらくの間、放電空間を漂う。また、マイナス
の荷電粒子６１の一部もしばらくの間、放電空間を漂
う。

【０１０３】図２２は第９の実施例において２番目のサ
ブフィールドで均一化パルス印加後のパネルのセル内の
荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断
面図である。図は２番目のサブフィールドの均一化パル
ス１５３が印加された後の荷電粒子状態を示す。均一化
パルス１５３の電圧は共通Ｘ電極２２付近のマイナスの
荷電粒子６１に相殺されて放電開始電圧に達せず、放電
しない。

【０１０４】図２３は第９の実施例において２番目のサ
ブフィールドで均一化パルス印加後のパネルのセル内の
荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断
面図である。図は独立Ｙ電極２３に第１規制パルス１５
６ａ、１５６ｂ、…が印加された後の荷電粒子状態を示
す。独立Ｙ電極２３、共通Ｘ電極２２にプラスのパルス
１５３、１５６ａ、１５６ｂが印加されているため、こ
れら電極２２、２３側の誘電体層上にはマイナスの荷電
粒子６１が集まると共にアドレスＡ電極２９側にはプラ
スの荷電粒子６０が集まる。これにより、均一化パルス
１５３で放電しなくても最初のサブフィールドと同様に
駆動が可能となる。

【０１０５】次に、第１０の実施例について説明する。
図２４は本発明における第１０の駆動方式を示す図であ
る。図２４(a)は１フィールド期間のサブフィールドの
配置を示すタイムチャートである。図２４は図１８と同
様１フィールド期間１の分割を示す図であり、横軸は時
間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図２４(ｂ)〜図
２４(ｅ)は共通電極、アドレス電極、第１、第２の独立
Ｙ電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。

【０１０６】波形１６０は第１サブフィールド２におい
て共通Ｘ電極２２に印加される駆動波形の一部であり、
波形１６１はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆
動波形の一部であり、波形１６２、１６３は独立Ｙ電極
２３の例えば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加され
る駆動波形の一部である。

【０１０７】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加される波形１６０は荷電粒子均一化期間２ａ
の均一化パルス１６４と、均一化パルス１６４につなが
り、荷電粒子均一化期間２ａからアドレス期間２ｂにつ
ながる第２規制パルス１６５と、サステイン期間２ｃの
サステインパルス４１と、細線消去パルス１５５よりな
る。なお、本実施例は細線消去パルスが１個の場合であ
り、第１の実施例と同様に細線消去パルスが印加された
電極に均一化パルスが印加される。また、第２、第３の
実施例と同様に細線消去パルスが２本の場合、３本の場
合もそれぞれ、最後の細線消去パルスが印加された電極
に均一化パルスが印加される。

【０１０８】次にアドレスＡ電極２９の１本に印加され
る波形１６１は発光させるセルに対応する第１サブフィ
ールド２のアドレス期間２ｂのアドレスパルス４２より
なる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパ
ルス４２も無い。次に独立Ｙ電極２３の例えば隣接する
１、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形１６２、１
６３はそれぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子均一化
期間２ａの第１規制パルス１５６ａ、１５６ｂ、…、ア
ドレス期間２ｂのスキャンパルス１３７ａ、１３７ｂ、
…、サステイン期間２ｃのサステインパルス４５ａ、４
５ｂ、…よりなる。

【０１０９】本実施例において、第１規制パルス１５６
ａ、１５６ｂ、…は均一化パルス１５３の立ち上がりか
ら０．３μｓ以上２μｓ以下の時間で印加されている。
また、第９の実施例(図１８参照)に示すように第２規制
パルス１６５とスキャンパルス１３７ａ、１３７ｂ、…
もそれぞれ、サステインパルス４１、４５ａ、４５ｂ、
…と同電位であってもよい。他のサブフィールド３〜９
も同様の構成になっている。

【０１１０】本実施例において均一化パルス１６４を高
電位にしたのは共通Ｘ電極２２にマイナスの荷電粒子を
集めて、アドレスＡ電極側に多くのプラスの荷電粒子を
集めるためである。また、アドレス期間で第２規制パル
ス１６５の電圧を低くしたのは共通Ｘ電極２２と独立Ｙ
電極２３間でご放電が起こるのを防ぐためである。

【０１１１】次に、第１１の実施例について説明する。
図２５は本発明における第１１の駆動方式を示す図であ
る。図２５(a)は１フィールド期間のサブフィールドの
配置を示すタイムチャートである。図は図５と同様１フ
ィールド期間１の分割を示す図であり、横軸は時間軸、
縦軸はセルの行を表わしている。図２５(ｂ)から図２５
(ｅ)は共通Ｘ電極、アドレスＡ電極、独立Ｙ電極に供給
されるパルス波形を示す波形図である。

【０１１２】波形１７０は第１サブフィールド２におい
て共通Ｘ電極２２に印加される駆動波形の一部であり、
波形１７１はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆
動波形の一部であり、波形１７２、１７３は独立Ｙ電極
２３の例えば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加され
る駆動波形の一部である。

【０１１３】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加される波形１７０は荷電粒子均一化期間２ａ
からアドレス期間２ｂへ続く規制パルス４０と、維持放
電期間２ｃのサステインパルス４１とよりなる。次にア
ドレスＡ電極２９の１本に印加される波形１７１はアド
レス期間２ｂすべてにわたり、スキャンパルス４４ａ、
４４ｂにより独立Ｙ電極２３との間で放電しない程度の
電圧の保持パルス１７４と、発光させるセルに対応する
アドレスパルス１７５よりなる。

【０１１４】本実施例の場合、アドレス放電に必要な電
位は保持パルス１７４の電位とアドレスパルス１７５の
電位の和になるため、アドレスパルス１７５の変化分を
小さくすることができる。なお、発光させるセルが無い
場合にはアドレスパルス１７５も無い。

【０１１５】次に独立Ｙ電極２３の例えば隣接する１、
２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形１７２、１７３
はそれぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子均一化期間
２ａの均一化パルス４３ａ、４３ｂ、…、アドレス期間
２ｂのスキャンパルス４４ａ、４４ｂ、…、サステイン
期間２ｃのサステインパルス４５ａ、４５ｂ、…、細線
消去パルス４６ａ、４６ｂ、…よりなる。また、第５の
実施例に示すように規制パルス４０とスキャンパルス４
４ａ、４４ｂ…もそれぞれ、サステインパルス４１、４
５ａ、４５ｂ、…と同電位であってもよい。これによ
り、細線消去パルス４６ａ、４６ｂ、…印加後の荷電粒
子状態は第１の実施例の図８に示す状態と略等しく、同
様に動作する。他のサブフィールド３〜９も同様の構成
になっている。

【０１１６】次に、第１２の実施例について説明する。
図２６は本発明における第１２の駆動方式を示す図であ
る。図２６(a)は１フィールド期間のサブフィールドの
配置を示すタイムチャートである。図は図５と同様１フ
ィールド期間１の分割を示す図であり、横軸は時間軸、
縦軸はセルの行を表わしている。図２６(ｂ)から図２６
(ｅ)は共通Ｘ電極、アドレスＡ電極、第１、第２の独立
Ｙ電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。

【０１１７】波形１８０は第１サブフィールド２におい
て共通Ｘ電極２２に印加される駆動波形の一部であり、
波形１８１はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆
動波形の一部であり、波形１８２、１８３は独立Ｙ電極
２３の例えば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加され
る駆動波形の一部である。

【０１１８】第１サブフィールド２において共通Ｘ電極
２２に印加される波形１８０は荷電粒子均一化期間２ａ
の規制パルス１８４と、サステイン期間２ｃのサステイ
ンパルス４１とよりなる。次にアドレスＡ電極２９の１
本に印加される波形１８１は発光させるセルに対応する
アドレスパルス４２よりなる。なお、発光させるセルが
無い場合にはアドレスパルス４２も無い。

【０１１９】次に独立Ｙ電極２３の例えば隣接する１、
２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形１８２、１８３
はそれぞれ第１サブフィールド２の荷電粒子均一化期間
２ａの均一化パルス４３ａ、４３ｂ、…、アドレス期間
２ｂのマイナスのスキャンパルス１８５ａ、１８５ｂ、
…、サステイン期間２ｃのサステインパルス４５ａ、４
５ｂ、…、細線消去パルス４６ａ、４６ｂ、…よりな
る。また、第５の実施例に示すように規制パルス１８４
はサステインパルス４１と同電位であってもよい。これ
により、第１細線消去パルス４６ａ、ｂ、…印加後の荷
電粒子状態は第１の実施例の図８に示す状態と略等し
く、同様に動作する。他のサブフィールド３〜９も同様
の構成になっている。

【０１２０】この実施例においては、スキャンパルス１
８５ａ、１９５ｂはマイナス電圧となっており、アドレ
スパルス４２との電圧差を大きくとることができるの
で、アドレスＡ電極２９と独立Ｙ電極２３間のアドレス
放電を確実に行うことができる。

【０１２１】次に、第１３の実施例について説明する。
図２７は本発明における第１３の駆動方式を示す図であ
る。図２７(a)は１フィールド期間のサブフィールドの
配置を示すタイムチャートである。図は図５と同様１フ
ィールド期間１の分割を示す図であり、横軸は時間軸、
縦軸はセルの行を表わしている。図２７(ｂ)から図２７
(ｅ)は共通Ｘ電極、アドレスＡ電極、独立Ｙ電極に供給
されるパルス波形を示す波形図である。

【０１２２】波形１９０は第８サブフィールド９および
その後のフィールドブランク期間９ｄにおいて共通Ｘ電
極２２に印加される駆動波形の一部であり、波形１９１
はアドレスＡ電極２９の１本に印加される駆動波形の一
部であり、波形１９２、１９３は独立Ｙ電極２３の例え
ば１行目、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される駆動波形
の一部である。

【０１２３】第８サブフィールド９およびその後のフィ
ールドブランク期間９ｄにおいて共通Ｘ電極２２に印加
される波形１９０は荷電粒子均一化期間２ａからアドレ
ス期間２ｂに続く規制パルス４０と、サステイン期間２
ｃのサステインパルス４１と、フィールド全書き込みパ
ルス１９４よりなる。本実施例において、全書き込みパ
ルス１９４はその直前のサステイン放電の有無にかかわ
らず放電可能な電位を与えている。これにより、放電に
よる全セルの荷電粒子状態の均一化を図る。なお、フィ
ールドブランク期間は各サブフィールドの間に位置して
もよく、また、複数回あってもよい。

【０１２４】次にアドレスＡ電極２９の１本に印加され
る波形１９１は発光させるセルに対応するアドレスパル
ス４２よりなる。なお、発光させるセルが無い場合には
アドレスパルス４２も無い。次に独立Ｙ電極２３の例え
ば隣接する１、２行目（Ｙ１、Ｙ２）に印加される波形
１９２、１９３はそれぞれ第８サブフィールド９の荷電
粒子均一化期間２ａの均一化パルス４３ａ、４３ｂ、
…、アドレス期間２ｂのスキャンパルス４４ａ、４４
ｂ、…、サステイン期間２ｃのサステインパルス４５
ａ、４５ｂ、…、フィールドブランク期間９ｄの細線消
去パルス１９５ａ、１９５ｂ、…よりなる。また、第５
の実施例に示すように規制パルス４０、スキャンパルス
４４ａ、４４ｂ、…はサステインパルス４１、４５ａ、
４５ｂ、…と同電位であってもよい。これにより、第１
細線消去パルス１９５ａ、ｂ、…印加後の荷電粒子状態
は第１の実施例の図８に示す状態と略等しく、同様に動
作する。他のサブフィールド３〜９も同様の構成になっ
ている。

【０１２５】本実施例においては、例えば幾つかのサブ
フィールドに渡って黒の部分が続いた場合、セルの中に
荷電粒子がなくなり、続くアドレス放電でうまく放電が
できない場合がある。これを防ぐために、フィールド全
書込みパルス１９４により強制的に共通Ｘ電極２２と独
立Ｙ電極間で放電を起こさせることによりこれを防ぐこ
とができる。

【０１２６】以上のようにして、第１から第１２までの
実施例ではサステイン期間とアドレス期間の全てのセル
に渡って荷電粒子状態を均一化する全面放電および消去
放電無しで駆動でき、コントラストを向上できる。ま
た、第１３の実施例でも１フィールドにおける全面放電
および消去放電は減少しており、コントラストを向上で
きる。

【０１２７】以下、本発明のさらに他の実施形態を図面
により説明する。

【０１２８】図２８は本発明によるプラズマディスプレ
イパネルの駆動方法の第１４の実施形態を示す図であ
る。

【０１２９】図２８(a)は１フィールド期間のサブフィ
ールドの配置を示すタイムチャートである。横軸を時間
軸とし、縦軸をセルの行としている。図２８(ｂ)から図
２８(ｇ)は共通Ｘ電極、アドレスＡ電極、４本の独立Ｙ
電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。

【０１３０】図において、２０１は１フィールド期間、
２０２〜２０３はサブフィールド、２０２ａ〜２０９ａ
はアドレス期間、２０２ｂ〜２０９ｂはサステイン期
間、２１０〜２１３はフィールドブロック、２１０ａ〜
２１３ａは全書込消去期間である。

【０１３１】図２８(ｂ)において、波形２２０は共通Ｘ
電極２２に印加される駆動波形を、波形２２１は同じく
アドレスＡ電極２９に印加される駆動波形を、２２２〜
２２５は夫々同じく１行目、２行目、３行目、４行目の
独立Ｙ電極２３に印加される駆動波形である。

【０１３２】まず、図２８（ａ）において、１フィール
ド期間２０１が８個のサブフィールド２０２〜２０９に
分けられ、連続する２つのサブフィールドで１つのフィ
ールドブロックを形成し、従って、１フィールド期間２
０１は４つのフィールドブロック２１０〜２１３から構
成されている。

【０１３３】各フィールドブロック２１０〜２１３０で
は、最初のサブフィールド２０２、２０４、２０６、２
０８において、まず、最初に全書込消去期間２１０ａ、
２１１ａ、２１２ａ、２１３ａが設けられ、これに続い
て、アドレス期間２０２ａ、２０４ａ、２０６ａ、２０
８ａが、さらに、サステイン期間２０２ｂ、２０４ｂ、
２０６ｂ、２０８ｂが設けられている。次のサブフィー
ルド２０３、２０５、２０７、２０９では、まず、アド
レス期間２０３ａ、２０５ａ、２０７ａ、２０９ａが設
けられ、これに続いて、サステイン期間２０３ｂ、２０
５ｂ、２０７ｂ、２０９ｂが設けられている。

【０１３４】ここで、これらサステイン期間２０２ｂ〜
２０９ｂでは、夫々毎に発光回数が割り振られており、
これらの発光回数の組合せにより、中間調の表示が行な
われる。発光回数の多少とサブフィールドの順番は任意
であり、この実施形態では、サステイン期間２０２ｂ、
２０４ｂ、２０６ｂ、２０８ｂ、２０３ｂ、２０５ｂ、
２０７ｂ、２０９ｂの順に発光回数が多くなっており、
全書込消去期間が設けられていないサブフィールド２０
３、２０５、２０７、２０９の直前のサステイン期間２
０２ｂ、２０４ｂ、２０６ｂ、２０８ｂとしては、発光
回数の少ないものとしている。

【０１３５】図２８（ｂ）はフィールドブロック２１０
を例として示しているが、他のフィールドブロックにつ
いても同様である。共通Ｘ電極２２に印加される駆動波
形２２０は、最初のサブフィールド２０２では、全書込
消去期間２１０ａで全書込パルス２４０と分極パルス２
４１とからなり、次のアドレス期間２０２ａでハイパル
ス２４２からなり、さらに次のサステイン期間２０２ｂ
でサステインパルス２４３と荷電粒子制御パルス２４４
と細線消去パルス２４５とからなり、次のサブフィール
ド２０３では、アドレス期間２０３ａでハイパルス２４
６からなり、次のサステイン期間２０３ｂでサステイン
パルス２４７からなっている。

【０１３６】なお、荷電粒子制御パルス２４４と消去パ
ルス２４５とはサステインパルス２４３と同等またはそ
れ以下の電圧レベルであり、サステインパルス２４７に
続いて次のフィールドブロック２１１に入る。また、図
２８(ｂ)において、全面書込みパルス２４０は２段階に
電圧を上げているが、通常この電圧は約３００ボルトで
あり２段階に電圧を上げた方が回路構成が簡単になるか
らであり、特にこの全面書込みパルス２４０に段差をつ
ける必要はない。

【０１３７】図２８(ｃ)に示すアドレスＡ電極２９に印
加される駆動波形２２１は、発光させるセルに対応し
て、最初のサブフィールド２０２のアドレス期間２０２
ａでは、複数のアドレスパルス２４８ａ、２４８ｂ、…
からなり、次のサブフィールド２０３のアドレス期間２
０３ａでは、複数のアドレスパルス２４９ａ、２４９
ｂ、…からなっている。なお、発光させるセルがない場
合には、アドレスパルスは供給されない。

【０１３８】図２８(ｄ)〜図２８(ｇ)に示すように互い
に隣合う４つの独立Ｙ電極２３に印加される駆動波形を
夫々２２２、２２３、２２４、２２５とすると、これら
は夫々、最初のサブフィールド２０２のアドレス期間２
０２ａに印加されるスキャンパルス２５０ａ、２５０
ｂ、２５０ｃ、２５０ｄ、…、サステイン期間２２２ｂ
に印加されるサステインパルス２５１ａ、２５１ｂ、２
５１ｃ、２５１ｄ、…、選択放電パルス２５２ａ、２５
２ｂ、２５２ｃ、２５２ｄ、…、細線消去パルス２５３
ａ、２５３ｂ、２５３ｃ、２５３ｄ、…と、次のサブフ
ィールド２０３のアドレス期間２０３ａに印加されるス
キャンパルス２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃ、２５４
ｄ、…、サステイン期間２０３ｂに印加されるサステイ
ンパルス２５５ａ、２５５ｂ、２５５ｃ、２５５ｄ、…
とからなっている。

【０１３９】なお、選択放電パルス２５２ａ、２５２
ｂ、２５２ｃ、２５２ｄ、…は荷電粒子制御パルス２４
４と略等しい電圧であり、この荷電粒子制御パルス２４
４は、選択放電パルス２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、
２５２ｄ、…に対して、やや遅れて立ち上がり、その遅
れ時間ｔ１は０．１〜１．５μｓである。また、荷電粒
子制御パルス２４４は、選択放電パルス２５２ａ、２５
２ｂ、２５２ｃ、２５２ｄ、…に対しては、やや早めに
終了し、その時間ｔ２は０．１〜１．０μｓである。本
実施例において、選択放電パルス２５２ａ〜２５２ｄの
立ち上げから荷電粒子制御パルス２４４の立ち上げを上
記のように規定したのは、この時間を長くすると独立Y
電極２３にマイナス荷電粒子があつまりすぎ、共通Ｘ電
極２２に少ししかマイナスの荷電粒子が集まらないから
である。

【０１４０】また、選択放電パルス２５２ａ〜２５２ｄ
を荷電粒子制御パルス２４４に比べてやや早く立ち上げ
るのは選択放電パルスによって共通X電極２２間で放電
を起こさせるためである。また、荷電粒子制御パルス２
４４を早く立ち下げるのは選択放電パルス２５２ａ〜２
５２０ｄを立ち下げたとき共通Ｘ電極２２との間で放電
が起こるのを防ぐためである。

【０１４１】また、選択放電パルス２５２ａ、２５２
ｂ、２５２ｃ、２５２ｄ、…及び細線消去パルス２５３
ａ、２５３ｂ、２５３ｃ、２５３ｄ、…のようなパルス
は、フィールドブロック２１０（図２８（ａ））の後の
方のサブフィールド２０３のサステインパルス２４７の
後には設けられていない。

【０１４２】さらに、サブフィールド２０３のサステイ
ンパルスは、独立Ｙ電極２３に印加されるサステインパ
ルス２５５ａ、２５５ｂ、２５５ｃ、２５５ｄ、…で終
了する。

【０１４３】図２８（ａ）における他のフィールドブロ
ック２１１〜２１３についても、同様な駆動波形が用い
られるが、サステインパルスのパルス数のみが異なる。
従って、選択放電パルスや荷電粒子制御パルス、細線消
去パルスは、フィールドブロック２１０〜２１３夫々の
最初のサブフィールド２０４、２０６、２０８のみに設
けられている。

【０１４４】次に、この実施形態の動作について、図２
９〜図３２を参照して、説明する。

【０１４５】図２８（ａ）、図２８（ｂ）において、フ
ィールドブロック２１０の全書込消去期間２１０ａで
は、共通Ｘ電極２２に印加される全書込パルス２４０に
より、全てのセルにて放電が起こり、荷電粒子が形成さ
れる。この際、アドレスＡ電極２９側には、プラスの荷
電粒子が集まる。その後、分極パルス２４１によって分
極のための放電がなされ、主に共通Ｘ電極２２、独立Ｙ
電極２３側の荷電粒子が分極される。

【０１４６】次のアドレス期間２０２ａでは、例えば、
１行目の独立Ｙ電極２３に印加される駆動波形２２２の
スキャンパルス２５０ａと同時に、所定のアドレスＡ電
極２９にアドレスパルス２４８ａが印加され、これによ
り、この１行目の独立Ｙ電極２３とこのアドレスＡ電極
２９との交点に位置するセルでアドレス放電が生じて荷
電粒子が形成され、このセルの独立Ｙ電極２３側にプラ
スの荷電粒子が集まる。

【０１４７】これと同様に、３行目の独立Ｙ電極２３に
駆動波形２２４のスキャンパルス２５０ｃが印加され、
上記の所定のアドレスＡ電極２９にアドレスパルス２４
８ｂが印加されると、この３行目の独立Ｙ電極２３とこ
のアドレスＡ電極２９との交点に位置するセルでアドレ
ス放電が生じて荷電粒子が形成され、このセルの独立Ｙ
電極２３側にプラスの荷電粒子が集まる。

【０１４８】一方、２行目及び４行目の図の特定のセル
を発光させない場合には独立Ｙ電極２３に印加される駆
動波形２２３、２２５のスキャンパルス２５０ｂ、２５
０ｄに対応するアドレスパルスが印加されないため、こ
れらの独立Ｙ電極２３とアドレスＡ電極２９との交点に
位置するセルでは、アドレス放電が起こらず、独立Ｙ電
極２３側には荷電粒子も形成されない。

【０１４９】次に、サステイン期間２０２ｂでは、アド
レスＡ期間２０２ａでアドレス放電が行なわれて独立Ｙ
電極２３側にプラスの荷電粒子が集まったセルでのみ、
駆動波形２２０のサステインパルス２４３と駆動波形２
２２、２２３、２２４、２２５のサステインパルス２５
１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ、２５１ｄ、…により、発光
表示のための放電が起こる。

【０１５０】その後、独立Ｙ電極２３に印加される選択
放電パルス２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、２５２ｄ、
…によって、発光表示のための放電が生じて充分に荷電
粒子が形成されたセルでのみ、選択的に放電が起こる。
この選択放電パルス２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、２
５２ｄ、…による放電が停止する前に、共通Ｘ電極２２
に荷電粒子制御パルス２４４を印加することにより、ア
ドレスＡ電極２９側にプラスの荷電粒子が集まる。

【０１５１】その後、共通Ｘ電極２２に印加される駆動
波形２２０の細線消去パルス２４５と、独立Ｙ電極に供
給される駆動波形２２２、２２３、２２４、２２５の細
線消去パルス２５３ａ、２５３ｂ、２５３ｃ、２５３
ｄ、…とにより、消去放電が起こり、主に共通Ｘ電極２
２、独立Ｙ電極２３側の荷電粒子を消去する。これによ
り、発光表示のための放電が起ったセルは全て全書込消
去期間２１０ａの終了後の荷電粒子状態とほぼ等しい荷
電粒子状態になる。

【０１５２】一方、発光表示のための放電が起らなかっ
たセルでは、アドレス放電も起こっておらず、全書込消
去期間２１０ａの終了後の荷電粒子状態が概略維持され
ている。

【０１５３】以上のようにして、最初のサブフィールド
２０２での消去パルス２４５、２５３ａ、２５３ｂ、２
５３ｃ、２５３ｄ、…の印加後の最後の時点で、全ての
セルの荷電粒子状態を全書込消去期間２１０ａの終了後
の荷電粒子状態とほぼ等しい荷電粒子状態にすることが
できる。これにより、次のサブフィールド２０３では、
全てのセルにおいて、全書込消去期間を設けることなし
に、アドレス放電を起こすことが可能となる。

【０１５４】フィールドブロック２１１〜２１３でも同
様の動作が繰り返され、１フィールドの画面が構成され
る。

【０１５５】図２９〜図３２は図２８に示す実施例にお
いて、サステイン放電が発生したセルでの荷電粒子の動
きを示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
図において、６０はプラスの荷電粒子、６１はマイナス
の荷電粒子であり、前出図面に対応する部分には同一符
号を付けている。なお、荷電粒子の動きは図示した３つ
のセルのうち、中央のセルに関してのみ示す。

【０１５６】図２９は図２８で示す実施例におけるサス
テインパルスの印加後のパネルのセル内の荷電粒子の状
態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
図に示すように共通Ｘ電極２２にサステインパルス２４
３の最後のパルスが印加されると誘電体層２６の共通Ｘ
電極２２側には、マイナスの荷電粒子６１が集まり、独
立Ｙ電極２３側には、プラスの荷電粒子６０が集まる。

【０１５７】図３０は図２８の実施例において、選択放
電パルスによる放電時のパネルのセル内での荷電粒子の
状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図であ
る。図において、独立Ｙ電極２３に選択放電パルス２５
２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、２５２ｄ、…が印加される
と選択放電パルス２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、２５
２ｄ、…の電圧と誘電体層２６の独立Ｙ電極２３側の集
まっているプラスの荷電粒子６０による電圧とで独立Ｙ
電極２３と共通Ｘ電極間で放電が起こり、放電空間３３
に多数のプラスの荷電粒子６０及びマイナスの荷電粒子
６１が発生する。

【０１５８】図３１は図２８に示す実施例において荷電
粒子制御パルス印加時のパネルのセル内での荷電粒子の
状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図であ
る。図において、共通Ｘ電極２２に荷電粒子制御パルス
２４４が印加されると共通Ｘ電極２２と独立Ｙ電極２３
との電位が略等しく、かつアドレスＡ電極２９よりも高
い電位であるため、アドレスＡ電極２９側にプラスの荷
電粒子６０が集まる。なお、共通Ｘ電極２２側、独立Ｙ
電極２３側及び放電空間３３には中和消滅せずに残った
荷電粒子があるため、消去パルスによる荷電粒子の消去
が必要になる。

【０１５９】図３２は図２８の実施例における細線消去
パルス印加後のパネルのセル内での荷電粒子の状態を示
すプラズマディスプレイパネルの断面図である。図にお
いて、細線消去パルス２４５、２５３ａ、２５３ｂ、２
５３ｃ、２５３ｄが印加されるとアドレスＡ電極２９側
にプラスの荷電粒子６０が集まり、共通Ｘ電極２２側、
独立Ｙ電極２３側にはマイナスの荷電粒子６１が残る。
この状態は全書込消去期間２１０ａの終了後の荷電粒子
状態とほぼ等しい。

【０１６０】サステイン放電が起こっていないセルで
は、アドレス放電が起こっていないので、サステイン期
間でも全書込消去期間２１０ａの終了後の荷電粒子状態
が概略維持される上、選択放電パルス２５２ａ、２５２
ｂ、２５２ｃ、２５２ｄ、…でも放電が起こらないの
で、その後の荷電粒子制御パルス２４４や消去パルスで
も荷電粒子状態に変化はない。従って、全てのセルで全
書込消去期間２１０ａの終了後の荷電粒子状態と概略等
しい状態にすることができ、次のサブフィールド２０３
では、このままでアドレス放電を起こすことが可能とな
る。これにより、コントラストを２倍にすることができ
る。

【０１６１】なお、サステイン放電が起こっていないセ
ルでも、アドレスＡ電極２９側に集まっているプラスの
荷電粒子６０はわずかずつ中和消去して減少しているた
め、全書込消去期間が設けられていないサブフィールド
２０３、２０５、２０７、２０９でのアドレスパルス２
４９ａ、２４９ｂの電圧を他のサブフィールド２０２、
２０４、２０６、２０８のアドレスパルス２４８ａ、２
４８ｂの電圧よりも高くすることにより、確実なアドレ
ス放電を行なうことができる。

【０１６２】図３３本発明によるプラズマディスプレイ
パネルの第１５の実施例を示すサブフィールドのタイム
チャートである。図において、横軸は時間軸、縦軸はセ
ルの行を表わし、２７０は１フィールド期間、２７１〜
２７６はサブフィールド、２７１ａ〜２７６ａはアドレ
ス期間、２７１ｂ〜２７６ｂはサステイン期間、２７
７、２７８はフィールドブロック、２７７ａ、２７８ａ
は全書込消去期間である。

【０１６３】同図において、１フィールド期間２７０が
６個のサブフィールド２７１〜２７６に分けられ、連続
する最初の３つのサブフィールド２７１〜２７３でフィ
ールドブロック２７７を、これに続く３つのサブフィー
ルド２７４〜２７６で次のフィールドブロック７８を夫
々構成している。

【０１６４】これらフィールドブロック２７７、２７８
の最初の期間は全書込消去期間２７７ａ、２７８ａであ
り、各サブフィールド２７１〜２７６には、アドレス期
間２７１ａ〜２７６ａとサステイン期間２７１ｂ〜２７
６ｂとが設けられている。即ち、フィールドブロック２
７７、２７８の最初のサブフィールド２７１、２７４に
のみ、その最初の期間として、全書込消去期間２７７
ａ、２７８ａが設けられている。これらサステイン期間
２７１ｂ〜２７６ｂでは、夫々に発光回数が割り振られ
ており、これらの発光回数の組合せによって中間調の表
示が行なわれる。

【０１６５】なお、この第１５の実施形態では、この発
光回数がサブフィールド２７１、２７２、２７３、…の
順に多くなるようにしている。

【０１６６】先の第１４の実施形態で用いた選択放電パ
ルス、荷電粒子制御パルス、細線消去パルスは夫々、夫
々のフィールドブロック２７７、２７８の最初の２つの
サブフィールド２７１、２７２、２７４、２７５にのみ
設けられており、最後のサブフィールド２７３、２７６
には設ける必要はない。また、この選択放電パルス、荷
電粒子制御パルス、細線消去パルスはサステイン期間２
７１ｂ、２７２ｂ、２７４ｂ、２７５ｂの最後に設けら
れており、これにより、サステイン期間２７１ｂ、２７
２ｂ、２７４ｂ、２７５ｂの終了時に全てのセルにおい
て、全書込消去期間２７７ａの終了後の荷電粒子状態と
概略等しい状態にすることができるため、各フィールド
ブロック２７７、２７８での最初のサブフィールド２７
１、２７４以外のサブフィールド２７２、２７３、２７
５、２７６で全書込消去期間を削除し、かつ、最後のサ
ブフィールドにおいては選択パルス、荷電粒子制御パル
スを印加しなくともアドレス期間２７２ａ、２７３ａ、
２７５ａ、２７６ａでのアドレス放電が可能となる。こ
れにより、コントラストを３倍にすることができる。

【０１６７】図３４は本発明によるプラズマディスプレ
イパネルの駆動方法の第１６の実施例を示すサブフィー
ルドのタイムチャートである。図は１フィールド期間の
サブフィールドについて横軸は時間軸、縦軸はセルの行
を表わし、２８０は１フィールド期間、２８１〜２８８
はサブフィールド、２８１ａ〜２８８ａはアドレス期
間、２８１ｂ〜２８８ｂはサステイン期間、２８９、２
９０はフィールドブロック、２８９ａ、２９０ａは全書
込消去期間である。

【０１６８】同図において、１フィールド期間２８０が
８個のサブフィールド２８１〜２８８に分けられ、連続
する最初の４つのサブフィールド２８１〜２８４でフィ
ールドブロック２８９を、次の４つのサブフィールド２
８５〜２８８でフィールドブロック２９０を夫々構成し
ている。

【０１６９】これらフィールドブロック２８９、２９０
の最初の期間は全書込消去期間２８９ａ、２９０ａがあ
り、各サブフィールド２８１〜２８８には、アドレス期
間２８１ａ〜２８８ａとサステイン期間２８１ｂ〜２８
８ｂとが設けられている。即ち、フィールドブロック２
８９、２９０の最初のサブフィールド２８１、２８５に
のみ、その最初の期間として、全書込消去期間２８９
ａ、２９０ａが設けられている。これらサステイン期間
２８１ｂ〜２８８ｂでは夫々に発光回数が割り振られて
おり、これらの発光回数の組合せによって中間調の表示
が行なわれる。

【０１７０】なお、この第１６の実施形態では、発光回
数はサブフィールド毎に異なるようにしているが、先の
実施形態のようにその回数の大きさの順序は、サブフィ
ールド２８１〜２８８の順序に特に関係を持たせていな
い。

【０１７１】先の第１４の実施形態で示した選択放電パ
ルス２５２ａ〜２５２ｄ、荷電粒子制御パルス２４４、
細線消去パルス２４５、２５３ａ―２５３ｂは、各フィ
ールドブロック２８９、２９０の最初の３つのサブフィ
ールド２８１、２８２、２８３、２８５、２８６２８７
のサステイン期間２８１ｂ、２８２ｂ、２８３ｂ、２８
５ｂ、２８６ｂ、２８７ｂに設けられており、これによ
り、フィールドブロック２８９のサブフィールド２８
１、２８２、２８３でのサステイン期間２８１ｂ、２８
２ｂ、２８３ｂとフィールドブロック２９０のサブフィ
ールド２８５、２８６、２８７でのサステイン期間２８
５ｂ、２８６ｂ、２８７ｂの終了時に、全てのセルにお
いて、全書込消去期間２８９ａの終了後の荷電粒子状態
と概略等しい状態にできるため、フィールドブロック２
８９、２９０夫々において、最初のサブフィールド２８
１、２８５に続く３つのサブフィールド２８２、２８
３、２８４、２８６、２８７、２８８で全書込消去期間
を削除することができ、それらのアドレス期間２８２
ａ、２８３ａ、２８４ａ、２８６ａ、２８７ａ、２８８
ａでのアドレス放電が可能となる。これにより、コント
ラストを４倍にすることができる。

【０１７２】図３５は本発明によるプラズマディスプレ
イパネルの駆動方法の第１７の実施例を示すサブフィー
ルドのタイムチャートである。図は１フィールド期間の
サブフィールドを示しており、横軸は時間軸、縦軸はセ
ルの行を表わす。３００は１フィールド期間、３０１〜
３０８はサブフィールド、３０１ａ〜３０８ａはアドレ
ス期間、３０１ｂ〜３０８ｂはサステイン期間、３０９
はフィールドブロック、３０９は全書込消去期間であ
る。

【０１７３】同図において、１フィールド期間３００が
８個のサブフィールド３０１〜３０８に分けられ、１フ
ィールド中の全てのサブフィールド３０１―３０８で１
つのフィールドブロック３０９を構成している。このフ
ィールドブロック３０９の最初の期間は全書込消去期間
３０９ａがあり、各サブフィールド３０１〜３０８には
夫々、アドレス期間３０１ａ〜３０８ａとこれに続くサ
ステイン期間３０１ｂ〜３０８ｂとが設けられている。
即ち、最初のサブフィールド３０１にのみ、その最初の
期間として、全書込消去期間３０９ａが設けられてい
る。また、サステイン期間３０１ｂ〜３０８ｂには夫
々、発光回数が割り振られており、これらの発光回数の
組合せによって中間調の表示が行なわれる。

【０１７４】先の第１４の実施形態で示した選択放電パ
ルス、荷電粒子制御パルス及び細線消去パルスは最初の
７つのサブフィールド３０１〜３０７のサステイン期間
３０１ｂ〜３０７ｂに設けられている。また、全書込み
消去期間３０９ａは最初のサブフィールド３０１のみに
設けられており、これに続くサブフィールド３０２〜３
０８で全書込消去期間を削除してもこれらのアドレス期
間３０２ａ〜３０８ａでアドレス放電が可能となる。こ
れにより、コントラストを８倍にすることができる。

【０１７５】以上のようにして、上記いずれの実施形態
においても、全書込消去期間を削減することにより、コ
ントラストを向上させることができる。具体的には、Ｃ
ＲＴ表示装置の実用コントラストが、一般に、１５０：
１であるのに対して、図３３あるいは図３４に示す実施
形態では、これとほぼ同等のコントラストを達成するこ
とができる。

【０１７６】なお、１フィールドを分割するサブフィー
ルドの数とフィールドブロックにまとめるサブフィール
ド数とは、上記記載のものに限定されるものではなく、
任意の組み合わせが可能である。

【０１７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では全面放
電および消去放電をまったくなくすか、減少させること
ができ、コントラストを向上させることができる。

【０１７８】また、本発明では、全書込消去期間の設定
を数サブフィールドに１回にすることにより、コントラ
ストを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマディスプレイパネルの構造を
示す分解斜視図である。

【図２】図１で矢印Ａ方向から見たパネルの断面図であ
る。

【図３】図１で矢印Ｂ方向から見たパネルの断面図であ
る。

【図４】図１のプラズマディスプレイパネルの電極及び
電極に接続される回路構成を示す平面図である。

【図５】本発明の１フィールド中のサブフィールドの配
置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプレイパ
ネルの電極に印加される本発明の第１の実施例の駆動波
形図である。

【図６】電源が投入され、最先の均一化パルスと規制パ
ルスが印加された後のパネルのセル中の荷電粒子の状態
を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。

【図７】アドレス放電後のパネルのセル中の荷電粒子の
状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図であ
る。

【図８】細線消去パルス印加後のパネルのセル中の荷電
粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図
である。

【図９】２番目のサブフィールドにおいて均一化パルス
印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズ
マディスプレイパネルの断面図である。

【図１０】２番目のサブフィールドにおいて規制パルス
印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズ
マディスプレイパネルの断面図である。

【図１１】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプ
レイパネルの電極に印加される本発明の第２の実施例の
駆動波形図である。

【図１２】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプ
レイパネルの電極に印加される本発明の第３の実施例の
駆動波形図である。

【図１３】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプ
レイパネルの電極に印加される本発明の第４の実施例の
駆動波形図である。

【図１４】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプ
レイパネルの電極に印加される本発明の第５の実施例の
駆動波形図である。

【図１５】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプ
レイパネルの電極に印加される本発明の第６の実施例の
駆動波形図である。

【図１６】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプ
レイパネルの電極に印加される本発明の第７の実施例の
駆動波形図である。

【図１７】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプ
レイパネルの電極に印加される本発明の第８の実施例の
駆動波形図である。

【図１８】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートおよびびプラズマディス
プレイパネルの電極に印加される本発明の第９の実施例
の駆動波形図である。

【図１９】図１８において、電源が投入され、最先の均
一化パルスと規制パルスが印加された後のパネルのセル
中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネル
の断面図である。

【図２０】図１８において、アドレス放電後のパネルの
セル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパ
ネルの断面図である。

【図２１】図１８において、細線消去パルス印加後のパ
ネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプ
レイパネルの断面図である。

【図２２】図１８において、２番目のサブフィールドで
均一化パルス印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態
を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。

【図２３】図１８において、２番目のサブフィールドで
規制パルス印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を
示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。

【図２４】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプ
レイパネルの電極に印加される本発明の第１０の実施例
の駆動波形図である。

【図２５】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプ
レイパネルの電極に印加される本発明の第１１の実施例
の駆動波形図である。

【図２６】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートプラズマディスプレイパ
ネルの電極に印加される本発明の第１２の実施例の駆動
波形図である。

【図２７】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置を示すタイムチャートプラズマディスプレイパ
ネルの電極に印加される本発明の第１３の実施例の駆動
波形図である。

【図２８】本発明による１フィールド中のサブフィール
ドの配置の第２の実施例を示すタイムチャートプラズマ
ディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第１４
の実施例の駆動波形図である。

【図２９】図２８におけるサステインパルスの印加終了
時のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマデ
ィスプレイパネルの断面図である。

【図３０】図２８における選択放電パルスによる放電時
のパネルのセル内での荷電粒子の状態を示すプラズマデ
ィスプレイパネルの断面図である。

【図３１】図２８における荷電粒子制御パルス印加時の
パネルのセル内での荷電粒子の状態を示すプラズマディ
スプレイパネルの断面図である。

【図３２】図２８における細線消去パルス印加後のパネ
ルのセル内での荷電粒子の状態を示すプラズマディスプ
レイパネルの断面図である。

【図３３】本発明によるプラズマディスプレイパネルの
駆動方法の第３の実施形態を示すサブフィールドのタイ
ムチャートである。

【図３４】本発明によるプラズマディスプレイパネルの
駆動方法の第４の実施形態を示すサブフィールドのタイ
ムチャートである。

【図３５】本発明によるプラズマディスプレイパネルの
駆動方法の第５の実施形態を示すサブフィールドのタイ
ムチャートである。

【符号の説明】

１、２０１、２７０、２８０、３００…１フィールド期
間、２〜９、２０２〜２０９、２７１〜２７６、２８１
〜２８８、３０１〜３０８…サブフィールド、２ａ〜９
ａ…電荷均一化期間、２ｂ〜９ｂ、２０２ａ〜２０９
ａ、２７１ａ〜２７６ａ、２８１ａ〜２８８ａ、３０１
ａ〜３０８ａ…アドレス期間、２ｃ〜９ｃ、２０２ｂ〜
２０９ｂ、２７１ｂ〜２７６ｂ、２８１ｂ〜２８８ｂ、
３０１ｂ〜３０８ｂ…サステイン放電期間、２１…前面
ガラス基板、２２…共通Ｘ電極、２３…独立Ｙ電極、２
８…背面ガラス基板、２９…アドレスＡ電極、３１…隔
壁、３５…Ｘ駆動回路、３６…Ｙ駆動回路、３７…Ａ駆
動回路、４０…規制パルス、４１、４５ａ、４５ｂ、２
４３、２５１ａ〜２５１ｄ…サステインパルス、４２、
２４８ａ、２４８ｂ…アドレスパルス、４３ａ、４３ｂ
…均一化パルス、４４ａ、４４ｂ、２５０ａ〜２５０ｄ
…スキャンパルス、４６ａ、４６ｂ、２４５、２５３ａ
〜２５３ｄ…細線消去パルス、２４４…荷電粒子制御パ
ルス、２５２ａ〜２５２ｄ…選択放電パルス、２１０〜
２１３、２７７、２７８、２８９、２９０、３０９…フ
ィールドブロック、２１０ａ〜２１３ａ、２７７ａ、２
７８ａ、２８９ａ、２９０ａ、２８９ａ、２９０ａ、３
０９ａ…全書込消去期間。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水田 尊久 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所家電・情報メディア事業本 部内 (72)発明者 増田 健夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所家電・情報メディア事業本 部内

Claims (44)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透過性の基板に配置されている共通に駆動
   可能な第１の電極群と、前記第１の電極に平行に配置さ
   れ、独立に駆動可能な第２の電極群と、他の基板に配置
   され、前記第１及び第２の電極群と垂直に交差し、か
   つ、独立に駆動可能な第３の電極群とを有し、直前に放
   電が行われたセルのみに対して少なくとも１回の放電を
   伴う電圧を印加し、さらに放電を伴わない電圧を印加す
   ることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動
   方法。
2. 【請求項２】透過性の基板に配置されている共通に駆動
   可能な第１の電極群と、前記第１の電極に平行に配置さ
   れ、独立に駆動可能な第２の電極群と、他の基板に配置
   され、前記第１及び第２の電極群と垂直に交差し、か
   つ、独立に駆動可能な第３の電極群と、直前に放電が行
   われたセルのみに対し少なくとも１回の放電を伴う電圧
   を印加し、さらに放電を伴わない電圧を印加するパルス
   発生手段とを有することを特徴とするプラズマディスプ
   レイパネルの駆動装置。
3. 【請求項３】透過性の基板に配置されている共通に駆動
   可能な第１の電極群と、前記第１の電極に平行に配置さ
   れ、独立に駆動可能な第２の電極群と、他の基板に配置
   され、前記第１及び第２の電極群と垂直に交差し、か
   つ、独立に駆動可能な第３の電極群と、直前に放電が行
   われたセルのみに対し少なくとも１回の放電を伴う電圧
   を印加し、さらに放電を伴わない電圧を印加するパルス
   発生手段とを有し階調表示の直線性を改善したプラズマ
   ディスプレイ。
4. 【請求項４】第１のガラス基板に配置されている共通に
   駆動可能な第１の電極群と，前記第１の電極に平行に配
   置され，独立に駆動可能な第２の電極群と，第２のガラ
   ス基板に配置され、上記第１及び第２の電極群と垂直に
   交差し、かつ、独立に駆動可能な第３の電極群を有し、
   サステイン放電が行なわれたセルの荷電粒子状態をサス
   テイン放電が行われなかったセルの荷電粒子状態と略等
   しくすることを上記第１及び第２の電極群で全面同時に
   行ない、発光する画素を決定するアドレス放電は上記第
   ２及び第３の電極群で行ない、表示発光のためのサステ
   イン放電を上記第１及び第２の電極群で全面同時に行な
   うプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、サ
   ステイン放電終了後に印加される細線消去パルスはサス
   テイン放電が発生した画素のみ放電して荷電粒子の消去
   分極を行なうと共に、続く均一化パルスにより、前記細
   線消去パルスによる放電で集められた荷電粒子により、
   電圧を打ち消されて放電することなく全画素の荷電粒子
   をプラス、マイナスに分離し、第１および第２電極群の
   一方の電極群に該均一化パルスを印加後、他方の電極群
   に規制パルスを印加して、該均一化パルスが印加された
   電極群側と同じ極性の荷電粒子を集め、かつ、第３の電
   極側に異なる極性の荷電粒子を集めることを特徴とする
   プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
5. 【請求項５】第１の基板に設けられた共通に駆動される
   第１の電極群と、前記第１の基板に第１の電極と平行に
   設けられ、独立に制御される第２電極群と、前記第１の
   基板に対向して配置れた第２基板に設けられ、前記第１
   の電極群および前記第２電極群に垂直に配置された第３
   電極群と、から成るプラズマディスプレイにおいて、パ
   ネルの駆動方法は、前記第１の電極群と前記第２の電極
   群とにサステインパルスを印加してサステイン放電を行
   う第１のステップと、前記第１の電極群と前記第２の電
   極群の一方の電極群に細線消去パルスを印加してセル内
   の荷電粒子を分極する第２のステップと、前記一方の電
   極群に均一化パルスを印加し、前記第１および前記第２
   の電極群の他方の電極群に前記均一化パルスに遅れて規
   制パルスを印加して均一化パルスによる放電を行うこと
   なく、前記第１および前記第２の電極群の近傍に 一方
   の極性の荷電粒子を集め、第３の電極群の近傍に他方の
   極性の荷電粒子を集める第３のステップから成ることを
   特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
6. 【請求項６】請求項４又は５記載のプラズマディスプレ
   イパネルの駆動方法において、電源投入直後前記一方の
   電極群に印加された前記均一かパルスによって前記第１
   の電極群と前記第２の電極群との間で放電を起こさせ、
   前記他方の電極群に前記均一化パルスに遅れて規制パル
   スを印加して前記第１の電極群および第２の電極群の近
   傍に一方の極性の荷電粒子を集め、前記第３の電極群の
   近傍に他方の極性の荷電粒子を集めるスッテプを有する
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方
   法。
7. 【請求項７】請求項４又は５のプラズマディスプレイパ
   ネルの駆動方法において、前記第１および前記第２の電
   極群の近傍に一方の極性の荷電粒子を集め、前記第３の
   電極群の近傍に他方の極性の荷電粒子を集めた後、前記
   第２の電極群と前記第３の電極群間でアドレス放電を行
   ない、その後サステイン放電を行うステップを有するこ
   とを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方
   法。
8. 【請求項８】請求項４又は５記載のプラズマディスプレ
   イパネルの駆動方法において、前記一方の電極群に印加
   する前記均一化パルスの立上り後０．３μｓ以上２μｓ
   以下の期間で前記他方の電極群に規制パルスを立ち上げ
   るステップを有することを特徴とするプラズマディスプ
   レイパネルの駆動方法。
9. 【請求項９】請求項４または５記載のプラズマディスプ
   レイパネルの駆動方法において、前記細線消去パルスの
   うち、最初の細線消去パルスの幅を０．５μｓ以上２μ
   ｓ以下とし、２番目以降の分極パルスの幅を順次、同等
   もしくは短くして荷電粒子の消去と分極を行なうステッ
   プを有することをことを特徴とするプラズマディスプレ
   イパネルの駆動方法。
10. 【請求項１０】請求項４、または５または８記載のプラ
    ズマディスプレイパネルの駆動方法において、前記均一
    化パルスを前記第２の電極群に印加し、第１の電極群に
    印加する規制パルスをすべての発光する画素を決定し終
    えるまで保持して、荷電粒子を所定の電極側に集めるス
    テップを有することを特徴とするプラズマディスプレイ
    パネルの駆動方法。
11. 【請求項１１】請求項４、５、１０記載のプラズマディ
    スプレイパネルの駆動方法において、前記規制パルスを
    全画素の荷電粒状態を略等しくする期間の第１の規制パ
    ルスと発光する画素を決定する期間に印加する第２の規
    制パルスとに分けたステップを有することを特徴とする
    プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
12. 【請求項１２】請求項４又は５記載のプラズマディスプ
    レイパネルの駆動方法において、前記規制パルスの電位
    をサステイン放電を行なうパルスの電位と略等しくした
    ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方
    法。
13. 【請求項１３】請求項１１記載のプラズマディスプレイ
    パネルの駆動方法において、前記第１の規制パルスの立
    ち下がり後に前記均一化パルスを立ち下げ、該均一化パ
    ルスの後のエッジを１μｓ以下の時間で０電位となるよ
    うにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル
    の駆動方法。
14. 【請求項１４】請求項４又は５記載のプラズマディスプ
    レイパネルの駆動方法において、１フィ−ルドに１ない
    し数回、あるいは複数のフィールドに１回、サステイン
    放電終了後に前記第１、または第２の電極群に全放電パ
    ルスを印加して全画素同時に放電を起こし、次に細線消
    去パルス群を印加してすべての画素で放電し、荷電粒子
    の消去を行なうと共に、上記第１及び第２の電極近傍に
    プラスマイナスの荷電粒子を振り分けるステップを有す
    ることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動
    方法。
15. 【請求項１５】請求項４又は５記載のプラズマディスプ
    レイパネルの駆動方法において、複数の細線消去パルス
    を前記第１の電極群および第２の電極群に交互に印加
    し、２番目以降の細線消去パルスの幅を最初の細線消去
    パルスの幅に比べて順次短くし、最後の細線消去パルス
    を前記一方の電極群に印加するステップを有することを
    特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
16. 【請求項１６】請求項４、５、６または８記載のプラズ
    マディスプレイパネルの駆動方法において、前記均一化
    パルスを前記一方の電極群に印加し、前記均一化パルス
    の後のエッジを１μｓ以上の時間で０電位となるように
    したことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆
    動方法。
17. 【請求項１７】第１の基板に設けられた共通に駆動され
    る第１の電極群と、前記第１の基板に第１の電極と平行
    に設けられ、独立に制御される第２電極群と、前記第１
    の基板に対向して配置れた第２基板に設けられ、前記第
    １の電極群および前記第２電極群に垂直に配置された独
    立に制御される第３電極群と、前記第１の電極群に接続
    され第１の駆動パルスを印加する第１の駆動回路と、前
    記第２の電極群に接続され第２の駆動パルスを印加する
    第２の駆動回路と、前記第３の電極群に接続されアドレ
    ス用の駆動パルスを印加する第３の駆動回路とを有し、
    サステイン放電終了後に、前記第１及び第２の電極群の
    一方の電極群に、この電極に接続された前記駆動回路か
    ら細線消去パルスを印加し、細線消去パルスが印加され
    た電極群に、この電極群に接続された前記駆動回路から
    均一化パルスを印加し、第１の電極群および第２の電極
    群の他方の電極群に、この電極群に接続された前記駆動
    回路から前記均一化パルスの立ち上がりより遅れて規制
    パルスを印加し、第１の電極群および第２の電極群の近
    傍に同一極性の荷電粒子を集め、第３の電極群の近傍に
    他の極性の荷電粒子を集めることを特徴とするプラズマ
    ディスプレイパネルの駆動装置。
18. 【請求項１８】請求項１７記載のプラズマディスプレイ
    パネルの駆動装置において、前記一方の電極群に印加さ
    れた均一化パルスの立上り後０．３μｓ以上２μｓ以下
    の期間で前記他方の電極群に規制パルスを印加すること
    を特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
19. 【請求項１９】請求項１７または１８記載のプラズマデ
    ィスプレイパネルの駆動装置において、前記第１及び第
    ２の駆動回路により、前記細線消去パルスを複数発生さ
    せ、最初の細線消去パルスの幅を０．５μｓ以上２μｓ
    以下とし、２番目以降の細線消去パルスの幅を順次、同
    等もしくは短くして印加することを特徴とするプラズマ
    ディスプレイパネルの駆動装置。
20. 【請求項２０】請求項１７、または１８、または１９記
    載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
    前記第２の駆動回路により前記均一化パルスを前記第２
    の電極群に印加し、前記第１の駆動回路により前記第１
    の電極群に印加する前記規制パルスをすべての発光する
    画素を決定し終えるまで保持して印加することを特徴と
    するプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
21. 【請求項２１】請求項１７記載のプラズマディスプレイ
    パネルの駆動装置において、前記一方の電極群に接続さ
    れた前記駆動回路により第１の規制パルスと第２の規制
    パルスを発生させることを特徴とするプラズマディスプ
    レイパネルの駆動装置。
22. 【請求項２２】請求項１７記載のプラズマディスプレイ
    パネルの駆動装置において、前記規制パルスの電圧をサ
    ステイン放電を行なうサステインパルスの電圧と略等し
    くすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
    駆動装置。
23. 【請求項２３】請求項１７、または１８、または２０記
    載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
    前記一方の駆動回路により、前記均一化パルスの後のエ
    ッジを１μｓ以上の時間で０電位となるようにしたこと
    を特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
24. 【請求項２４】請求項１７記載のプラズマディスプレイ
    パネルの駆動装置において、前記第１および第２の駆動
    回路の一方の駆動回路で、１フィ−ルドに１ないし数
    回、あるいは複数のフィールドに１回、サステイン放電
    終了後に前記一方の駆動回路に接続された電極群に全書
    込放電パルスを印加することを特徴とするプラズマディ
    スプレイパネルの駆動装置。
25. 【請求項２５】請求項２１記載のプラズマディスプレイ
    パネルの駆動装置において、前記他方の電極群に印加さ
    れている前記第１規制パルスの立ち下がり後に、前記一
    方の駆動回路により前記均一化パルスを立ち下げ、前記
    均一化パルスの後のエッジを１μｓ以下の時間で０電位
    となるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレ
    イパネルの駆動装置。
26. 【請求項２６】第１の基板に設けらた共通に駆動される
    第１の電極群と、前記第１の基板に第１の電極と平行に
    設けられ、独立に制御される第２電極群と、前記第１の
    基板に対向して配置れた第２基板に設けられ、前記第１
    の電極群および前記第２電極群に垂直に配置され独立に
    駆動される第３電極群と、前記第１の電極、前記第２の
    電極および前記第３の電極の交点でセルを形成し、サス
    テイン放電終了後から発光する画素を決定するアドレス
    期間の直前までの期間で直前にサステイン放電が行なわ
    れたセルでのみ荷電粒子の消去及び分極のための放電を
    行ない、該放電以外では放電せずに全画素の荷電粒子状
    態略等しくすることを特徴とするプラズマディスプレ
    イ。
27. 【請求項２７】第１の基板に設けられた共通に駆動され
    る第１の電極群と、前記第１の基板に第１の電極と平行
    に設けられ、独立に制御される第２電極群と、前記第１
    の基板に対向して配置れた第２基板に設けられ、前記第
    １の電極群および前記第２電極群に垂直に配置された第
    ３電極群と、前記第１の電極、前記第２の電極および前
    記第３の電極の交点でセルを形成し、サステイン放電後
    第１の電極群および第２の電極群の一方の電極群に印加
    された細線消去パルスの放電によって、サステイン放電
    されたセルの荷電粒子の消去および分極を行い、一方の
    電極群に印加された均一化パルスと第１の電極群と第２
    の電極群の他方の電極群に印加された規制パルスによっ
    て第１の電極群および第２の電極群の近傍に一方の極性
    の荷電粒子を集め、第３の電極群の近傍に他の極性の荷
    電粒子を集めて、第３の電極群による発光を決定するア
    ドレス放電を行うことができるようにしたことを特徴と
    するプラズマディスプレイ。
28. 【請求項２８】請求項２７記載のプラズマディスプレイ
    において、一方の電極群に印加する前記均一化パルスの
    立上り後０．３μｓ以上２μｓ以下の期間で前記他方の
    電極群に規制パルスを立ち上げるようし、前記第１及び
    第２の電極群側に一方の極性の荷電粒子を集め、前記第
    ３の電極群側には他方の極性の荷電粒子を集めてること
    を特徴とするプラズマディスプレイ。
29. 【請求項２９】請求項２７記載のプラズマディスプレイ
    において、前記第１の電極群に接続された第１の駆動回
    路及び前記第２の電極群に接続された第２の駆動回路を
    設け、前記第１および第２の駆動回路により、前記細線
    消去パルスを複数個発生させ、最初の細線消去パルスの
    幅を０．５μｓ以上２μｓ以下とし、２番目以降の分極
    パルスの幅を順次、同等もしくは短くして前記一方の電
    極群に最後の細線消去パルスを印加して荷電粒子の消去
    と分極を行なうことを特徴とするプラズマディスプレ
    イ。
30. 【請求項３０】請求項２７記載のプラズマディスプレイ
    において、前記第２の電極群に接続された第２の駆動回
    路により前記均一化パルスを前記第２の電極群に印加
    し、前記第１の電極群に接続された第１の駆動回路によ
    り前記第１の電極群に印加する前記規制パルスをすべて
    の発光する画素を決定し終えるまで保持することを特徴
    とするプラズマディスプレイ。
31. 【請求項３１】請求項２７記載のプラズマディスプレイ
    において、前記第１の電極群に接続された第１の駆動回
    路および第２の電極群に接続された第２の駆動回路の一
    方の駆動回路により第１の規制パルスと第２の規制パル
    スを発生させることを特徴とするプラズマディスプレ
    イ。
32. 【請求項３２】請求項２７記載のプラズマディスプレイ
    において、前記第１の電極群に接続された第１の駆動回
    路と第２の電極群に接続された第２の駆動回路を設け、
    第１および第２の駆動回路の一方の回路により、前記規
    制パルスの電圧をサステイン放電を行なうパルスの電圧
    と略等しくして印加しすることを特徴とするプラズマデ
    ィスプレイ。
33. 【請求項３３】請求項２７記載のプラズマディスプレイ
    において、前記一方の電極群に接続された駆動回路を設
    け、前記駆動回路により、前記均一化パルスの後のエッ
    ジを１μｓ以上の時間で０電位として印加することを特
    徴とするプラズマディスプレイ。
34. 【請求項３４】請求項２７記載の駆動装置を有するプラ
    ズマディスプレイにおいて、前記第１の電極群に接続さ
    れた第１の駆動回路と、前記第２の電極群に接続された
    第２の駆動回路を設け、第１および第２の駆動回路の一
    方の回路に１フィ−ルドに１ないし数回、あるいは複数
    のフィールドに１回、サステイン放電終了後に全画素で
    同時に放電させるための全書込みパルスを発生させるこ
    とを特徴とするプラズマディスプレイ。
35. 【請求項３５】１フィールドを複数のサブフィールドに
    より構成し、各サブフィールドに、発光する画素を規定
    するアドレス放電を行なう期間と、発光表示のためのサ
    ステイン放電を行なう期間とを設けるステップと、複数
    の該サブフィールドによりフィールドブロックを構成
    し、前記フィールドブロックでは、最初のサブフィール
    ドに全面放電と全面消去放電を行なうステップとを有す
    ることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動
    方法。
36. 【請求項３６】請求項３５において、前記各フィールド
    ブロックの最後のサブフィールド以外のサブフィールド
    では、前記サステイン電により発光した画素のみサステ
    イン放電後に選択放電を行なうことにより、前記画素の
    荷電粒子状態を全面放電及び全面消去放電を行なった場
    合の荷電粒子状態と略等しくし、前記サステイン放電に
    より発光しなかった画素では、荷電粒子状態を変化させ
    る該選択放電を行なわないことを特徴とするプラズマデ
    ィスプレイパネルの駆動方法。
37. 【請求項３７】請求項３５または３６において、プラズ
    マディスプレイパネルは、第１のガラス基板に、共通に
    駆動可能な第１の電極群と、前記第１の電極群と平行で
    かつ独立に駆動される第２の電極群とが誘電体層によっ
    て覆われて配設され、前記第１のガラス基板に対向した
    第２のガラス基板に、前記第１、第２の電極群とは垂直
    に立体交差して独立に駆動可能な第３の電極群が誘電体
    層に覆われて構成され、前記各フィールドブロックの最
    後のサブフィールド以外のサブフィールドでは、前記サ
    ステイン放電により発光した画素のみ、サステイン放電
    後の選択放電により、前記第３の電極群側の誘電体層上
    にプラスの荷電粒子を集めるとともに、前記第１、第２
    の電極群側の誘電体層上にマイナスの荷電粒子を集める
    ようにし、前記主放電により発光しなかった画素では、
    荷電粒子状態を変化させる前記選択放電を行なわないこ
    とを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方
    法。
38. 【請求項３８】請求項３７において、前記第２、第３の
    電極群で発光する画素を規定する前記アドレス放電を行
    ない、前記第１、第２の電極群で発光表示のための前記
    サステイン放電を行ない、各フィールドブロックの最後
    のサブフィールドを除く全てのサブフィールドの前記第
    １、第２の電極群で行なう前記サステイン放電の最後の
    パルスの後に、前記第１および前記第２の電極群のう
    ち、最後のパルスが印加された電極群とは異なる電極群
    に第１のパルスを印加し、前記第１のパルスは前記サス
    テイン放電の印加パルスと略同電位であって前記サステ
    イン放電が起こっている画素では放電を起こさせ、前記
    第１のパルスより略０．３〜１．５μｓ遅れて立ち上が
    り、該第１のパルスが印加された電極とは異なる電極群
    に印加される第２のパルスと、該第１、第２のパルスの
    後に前記第１、第２の電極群の近傍の荷電粒子を消去す
    る１または複数の細線消去パルスを設けたことを特徴と
    するプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
39. 【請求項３９】請求項３８において、サステイン放電の
    最後のパルスの後に印加される第１、第２のパルス及び
    １パルスまたは複数の細線消去パルスの電圧を、アドレ
    ス放電が行なわれた画素のサステイン放電が起こる最低
    電圧以上であって、かつ、アドレス放電が行なわれなか
    った画素のサステイン放電が起こる電圧よりも低い電圧
    に設定したことを特徴とするプラズマディスプレイパネ
    ルの駆動方法。
40. 【請求項４０】請求項３８または３９において、前記全
    面放電及び全面消去放電を行なわないサブフィールドの
    発光する画素を規定するアドレス放電を行なうために、
    前記第３の電極群に印加するアドレスパルスの電圧を前
    記全面放電及び全面消去放電を行なうサブフィールドの
    アドレスパルスの電圧よりも高くしたことを特徴とする
    プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
41. 【請求項４１】第１のガラス基板に、共通に駆動可能な
    第１の電極群と、該第１の電極群と平行でかつ独立に駆
    動される第２の電極群と、該第１のガラス基板に対向し
    た第２のガラス基板に、該第１、第２の電極群とは垂直
    に立体交差して設けられ独立に駆動可能な第３の電極群
    と、複数のサブフィールドでフィールドブロックを構成
    する手段と、前記フィールドブロックの最初のサブフィ
    ールドにおいて第１の電極群と第２の電極群との間で全
    面書込み放電を行う手段と、前記各フィールドブロック
    の最後のサブフィールド以外のサブフィールドでは、第
    １および第２の電極群の一方の電極群に選択放電パルス
    を印加してサステイン放電により発光した画素のみ選択
    して放電する手段と、前記選択放電パルスと前記第１の
    電極群および前記第２の電極群の他方の電極群に印加さ
    れる荷電粒子制御パルスにより前記第１および第２の電
    極群側に一方の電極の荷電粒子を集め、前記第３の電極
    群側に他方の電極の荷電粒子を集める手段と、前記サス
    テイン放電により発光しなかった画素では、荷電粒子状
    態を変化させる前記選択放電を行なわないことを特徴と
    するプラズマディスプレイ。
42. 【請求項４２】請求項４１のプラズマディスプレイにお
    いて、前記第１の電極群と第２の電極群にサステインパ
    ルスを印加する手段と、最後のサステインパルスを前記
    他方の電極群に印加する手段とを有することを特徴とす
    るプラズマディスプレイ。
43. 【請求項４３】請求項４１のプラズマディスプレイにお
    いて、前記一方の電極群に印加される選択放電パルスの
    立ち上がりから荷電粒子制御パルスの立ち上がりまでの
    間隔を略０．３〜１．５μｓとすることを特徴とするプ
    ラズマディスプレイ。
44. 【請求項４４】請求項４１のプラズマディスプレイにお
    いて、第１および第２の電極群に選択放電パルス印加後
    細線消去パルスを印加することを特徴とするプラズマデ
    ィスプレイ。