JP3660481B2 - プラズマディスプレイパネルの駆動方法、駆動装置及びこれを用いたプラズマディスプレイ - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの駆動方法、駆動装置及びこれを用いたプラズマディスプレイ Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はパーソナルコンピュータやワークステーションなどのディスプレイ装置、平面型の壁掛けテレビジョン、広告、情報等の表示装置等に用いられる表示装置、例えば、プラズマディスプレイパネルの駆動方法、駆動装置及びこれを用いたプラズマディスプレイに関するものである。本発明は特にAC型プラズマディスプレイに適用して好適である。
【0002】
【従来の技術】
プラズマディスプレイは1フィールドを複数のサブフィールドに分け、各画素(セル)ごとに放電により紫外線を発生させて蛍光体を励起し、発光させている。この発光を行なうセルは前面側ガラス基板および背面側ガラス基板上にお互いに直交するように配置された2組の独立駆動可能な電極群のアドレス放電により決定される。
【0003】
第1の従来例としては、例えば特開平6−186927号公報に開示されているようにサブフィールドごとに各セルの荷電粒子状態を略等しくし、発光させないセルは確実に発光しない状態として、かつ、アドレス放電を低い電圧で行なえるようにするため、全面書き込み放電および全面消去放電の2回の発光放電を行なっていた。このため、黒の表示においても全面での発光があり、コントラストを劣化させていた。
【0004】
また、第2の従来例として、特開平7−49663号公報に開示されているように、同一発光輝度のサブフィールドを複数個連続して配置してサブフィールド群とし、1つのサブフィールド群では、予備放電と各画素に対する書込みと消去動作とを1回とすることにより、パネルの劣化の低減とコントラストの向上を図っていた。上記第2の従来例はコントラストの向上を図る一手法を示すものであるが、発行輝度が異なるサブフィールドをブロックに纏めてコントラストを向上させた例がない。
【0005】
プラズマパネルへの書込みは1行に対して概略2〜4μs必要であり、通常のテレビ画面は480行からなるため、1画面の書込み期間は、1行の書込み時間を3μsとしても、1.44msとなり、1フィールド中では、1.44ms×9=略13msを要する。1フィールド期間は16.7msであるから、ここから書込み期間と予備放電期間とを除くと、発光期間は充分な長さがあるとはいえない。さらに、高精細画面で、例えば、1画面760行ある場合は書込みを略2μsとしても256階調8サブフィールドの場合には、時間は十分ではなく、サブフィールドを増やすことは困難である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
これに対して、本発明ではコントラストを向上させることを目的とするものである。
【0007】
本発明の他の目的は全面消去放電を無くすと共に、全面書き込み放電も無くすことでコントラストを向上させようとするものである。
【0008】
本発明のさらに他の目的は、かかる問題を解消し、サブフィールドの数は変えずに予備放電回数(全面書込み放電および細線消去放電)を低減して、コントラストを向上させることができるようにしたプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的を達成するために、本発明では、 透過性の基板に配置されている共通に駆動可能な第1の電極群と、前記第1の電極に平行に配置され、独立に駆動可能な第2の電極群と、他の基板に配置され、上記第1及び第2の電極群と垂直に交差し、かつ、独立に駆動可能な第3の電極群を有し、各セルの荷電粒子の状態を略等しくするためにその直前に放電が行われたセルでのみ、少なくとも1回の放電を行うと共に、放電を伴わない電圧を印加している。
【0010】
本発明の一実施例では、全セルに放電用電圧を印加しても、サステイン放電が行われたセルでしか放電は行われないし、放電を伴わない電圧は全セルに印加されたとしても、この放電が行われたセルでのみ荷電粒子の状態を略等しくすることに役立つ。
【0011】
本発明の目的を達成するために、本発明では、更に、サステイン期間後に細線パルスにより荷電粒子の消去と分極を行ない、最後の細線パルスを印加した電極群に高い電位の均一化パルスを印加した直後に他方の電極群に規制パルスを印加するだけで全面消去放電を無くし、かつ、全面書き込み放電も無くして荷電粒子の制御を行なう。これにより、黒表示の際の不要な放電発光を無くし、コントラストを向上させている。
【0012】
本発明の他の目的を達成するために、本発明では、複数のサブフィールドでブロックを形成し、全面書込み放電および細線消去放電は各ブロックの最初に1回としてこれらの放電回数を低減している。この際、予備放電は全書込放電及び細線消去放電からなり、この予備放電を行うとアドレス電極にプラス荷電粒子が集まるため、アドレスパルスの電圧を低くすることが出来る。各発光画素(セル)において、アドレス放電が起きないかぎり、この荷電粒子状態は少なくとも1フィールド期間(16.7ms)は充分に保持される。このため、アドレス放電がないセルでは、予備放電は1フィールド期間に1回で充分である。一方、アドレス放電が行なわれて発光するセルでは、サステイン放電を利用し、発光したセルのみ選択して荷電粒子の移動と消去を行ない、予備放電終了後の荷電粒子状態と同等の荷電粒子状態にすることにより、次のサブフィールドでは、予備放電なしでアドレス放電の電圧を低くできる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
【0014】
図1は本発明のプラズマディスプレイパネルの構造の一部を示す分解斜視図である。前面ガラス基板21の下面には透明な共通X電極22と透明な独立Y電極23が設けられている。また、それぞれの電極にはXバス電極24とYバス電極25が積層されている。更に、その下面には誘電体層26と「酸化マグネシウム」(MgO)等の保護層27が設けられている。一方、背面ガラス基板28の上面には前面ガラス基板21の共通X電極22と独立Y電極23とに直角方向にアドレスA電極29が設けられている。このアドレスA電極29を誘電体層30が覆っており、その上に隔壁31がアドレスA電極29と平行に設けられている。さらに、隔壁31と誘電体層30上には蛍光体32が塗布されている。
【0015】
図2は図1中矢印A方向から見たプラズマディスプレイパネルの1つのセルの断面図である。アドレスA電極29は隔壁31の中間に位置する。また、前面ガラス基板21と背面ガラス基板28の間の空間33には、ネオン(Ne)、キセノン(Xe)等の放電ガスが充填されている。
【0016】
図3は図1中矢印B方向から見たプラズマディスプレイパネルの3つのセルの断面図である。1セルの境界は概略点線で示す位置であり、共通X電極22と独立Y電極23が交互に配置されている。AC型のプラズマディスプレイパネルではこの、共通X電極22と独立Y電極23近傍の誘電体層26の上に正負の荷電粒子を分けて集め、この荷電粒子を利用して放電を行なうための電界を形成している。
【0017】
図4は図1に示すプラズマディスプレイパネルの電極及び電極に接続される回路構成を示す平面図である。
【0018】
図は共通X電極22、独立Y電極23及びアドレスA電極29の配線と回路構成を示す。X電極駆動回路35は共通X電極22と1ないし複数個所で接続されており共通X電極22に印加する駆動パルスを発生している。Y電極駆動回路36は独立Y電極23の1本ごとに接続され、独立Y電極23に印加する駆動パルスを発生している。A電極駆動回路37はアドレスA電極29の1本ごとに接続され、アドレスA電極29に印加する駆動パルスを発生している。
【0019】
図5は本発明における第1の駆動方式を示す図である。図5(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図において、1は1フィールド期間を示し、横軸は時間(1フィールド期間)、縦軸はセルの行を表わしている。この場合は1フィールドが第1〜第8の8個のサブフィールド2〜9に分けられている。各サブフィールド2〜9の最初には荷電粒子均一化期間2a〜9aがあり、その後各アドレス期間2b〜9b、サステイン期間2c〜9cがある。このサステイン期間2c〜9cではそれぞれに放電回数が割り振られており、これらの放電回数の組合せにより中間調の表示を行なう。放電回数の多少とサブフィールドの順番は任意であり、本実施例では放電回数の少ない順に並ぶ例を示している。
【0020】
図5(b)から図5(e)は共通X電極、アドレスA電極、独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0021】
図において、パルス波形10は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、パルス波形11はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、パルス波形12、13は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0022】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加されるパルス波形10は荷電粒子均一化期間2aからアドレス期間2bへ続く規制パルス40と、サステイン期間2cのサステインパルス41よりなる。この際、規制パルス40の電圧はサステインパルス41より低い。次にアドレスA電極29の1本に印加される波形11は発光させるセルに対応する第1サブフィールド2のアドレス期間2bのアドレスパルス42よりなる。
【0023】
なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス42も無い。すなわち、すべてのアドレス電極の内、発光させるセルがある電極にはアドレスパルスが印加され、発光されるセルがないアドレス電極にはアドレスパルスが印加されない。
【0024】
次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形12、13はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス43a、43b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス44a、44b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…、細線消去パルス46a、46b、…よりなる。この際、スキャンパルス44a、44b、…の電圧はサステインパルス45a、45b、…より低い。なお、細線消去パルスと均一化パルス43a、43b、…は同じ電極群に印加されるように構成される。なお、細線消去パルス46a、46bの幅は0.5μs以上2μs以下が最適である。
【0025】
次に、本発明の動作について説明する。図5において電源投入直後の第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aでは独立Y電極23に印加される均一化パルス43によりすべてのセルにおいて独立Y電極23と共通X電極22間で放電が起こり、独立Y電極23近傍の誘電体層上にマイナスの荷電粒子が形成される。なお、この均一化パルス43による放電は最初の一回のみであり、その後は放電しない。すなわち、セル内の空間33の電荷状態が異常な状態にならない限り均一化パルス43による放電は最初の一回限りである。均一化パルス43の立上りから略0.3μs以上2μs以下の時間で共通X電極22に規制パルス40が印加される。これにより、共通X電極22近傍の誘電体層上にもマイナスの荷電粒子が形成され、アドレスA電極29側にはプラスの荷電粒子が形成される。
【0026】
均一化パルス43a、43bの立ち上がりから規制パルス40の立ち上がりの時間を上記の様に決めたのは、この間隔をあまり長くすると独立Y電極23上にマイナスの荷電粒子が集まりすぎ、共通X電極22にプラスの荷電粒子が集まり始めるからである。この間隔を狭くすると、独立Y電極23にマイナス荷電粒子が十分に集まらず、アドレスA電極にプラスの荷電粒子を十分に集めることが出来ない。
【0027】
この規制パルス40の主な役割は共通X電極22にマイナスの荷電粒子を引き寄せ、アドレスA電極29にプラスの荷電粒子を形成させることである。他の役割は、アドレス電極29と独立Y電極23とでアドレス放電を行う際、共通X電極22と独立Y電極23間で放電を起こさせ、アドレス放電を助長させることにある。
【0028】
次に、アドレス期間2bでは例えば独立Y電極23の1行目に印加されるスキャンパルス44aと同時にアドレスA電極29の1本にアドレスパルス42が印加されると、独立Y電極23の1行目とこの1本のアドレスA電極29との交点に位置するセルにおいて書き込み放電が起こって荷電粒子を形成し、このセルの独立Y電極23側にプラスの荷電粒子が集まる。
【0029】
一方、独立Y電極23の2行目のようにスキャンパルス44bに対応するアドレスパルス42が印加されない場合には書き込み放電は起こらず、独立Y電極23側には荷電粒子も形成されない。すなわち、すべてのアドレスA電極29と独立Y電極23との交点に位置するセルのうち点灯させたいセルに対応するアドレスA電極29にアドレスパルス42が出力され、独立Y電極23にはスキャンパルス44aまたは44bが出力されるため、アドレスパルス42が出力されたアドレスA電極29と独立Y電極23で放電が起こる。
【0030】
次にサステイン期間2cでは前記アドレス期間2bで書き込み放電が行なわれ、独立Y電極23側にプラスの荷電粒子が集まったセルでのみ、サステインパルス41、45a、45b、…により共通X電極22と独立Y電極23間で発光表示のための放電、即ち、サステイン放電が起こる。その後、独立Y電極23に印加される細線消去パルス46a、46b、…で独立Y電極23と共通X電極22間で放電が起こり荷電粒子を消去する。これにより、発光表示のための放電が起ったセルはすべて荷電粒子の消去が行なわれる。放電の継続時間に対して細線消去パルス46a、46b、…の幅をやや長く設定しているため、独立Y電極23近傍の誘電体層上にマイナスの荷電粒子が集まっている。発光表示のための放電が起らなかったセルは「セルの中に荷電粒子が不足したため」消去放電も起こらない。このため、荷電粒子均一化期間2aで独立Y電極23近傍の誘電体層上に形成されたマイナスの荷電粒子はそのまま維持されている。
【0031】
この状態で次のサブフィールドで均一化パルス43を印加してもセル内のマイナスの荷電粒子が均一化パルス43の電圧を打ち消すため、セル内では放電に必要な十分な電界が形成されず、放電は起こらない。以後、すべてのサブフィールドにおいて、均一化パルス43を印加しても放電は起こらない。
【0032】
以上のようにして、電源投入後の最初のサブフィールドを除いて均一化パルス43によって放電は起こらないので、黒表示の場合の発光はなくなる。また、サステインパルス数で規定される階調表示の直線性に対しては、2回の放電より1回の放電の方が影響が少ない。本発明に於いては、サステイン放電が起こったセルでは1回の放電でも荷電粒子の均一化を行うことが出来るため、サステインパルス数で規定される階調表示の直線性に対して影響が少ない。
【0033】
第2〜第8サブフィールド3〜9でも同様な動作が繰り返され、1フィールドの画面を構成する。
【0034】
図6〜図10は発光表示の放電が発生するセルにおける電源投入直後の最初のサブフィールドから次のサブフィールドの均一化パルスおよび規制パルスが印加されるまでの荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図であり、これらの図において60はプラスの荷電粒子、61はマイナスの荷電粒子を示す。なお、荷電粒子の動きは図6〜図10に示した3つのセルのうち、中央のセルに関してのみ示す。
【0035】
図6は電源が投入され、最先の均一化パルスと規制パルスが印加された後のパネルのセルのなかの荷電粒子状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【0036】
図は電源投入直後の最初のサブフィールドにおいて、独立Y電極23に均一化パルス43が印加され、直後に共通X電極22に規制パルス40が印加された後の荷電粒子状態を示す。この最初のサブフィールドでは均一化パルス43により全セルにおいて共通X電極22と独立Y電極23間で放電が起こり、規制パルスによって独立Y電極23および共通X電極22側の誘電体層上にはマイナスの荷電粒子61が集まり、アドレスA電極29側にはプラスの荷電粒子60が集まる。
【0037】
図7はアドレス放電後のパネルのセル内の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【0038】
図はアドレスA電極29にアドレスパルス42が印加され、アドレスA電極29と独立Y電極23間でアドレス放電が発生した後の荷電粒子状態を示す。アドレス放電時には独立Y電極23はアドレスA電極29および共通X電極22よりも低い電位にあり、独立Y電極23近傍の誘電体層上にプラスの荷電粒子60が集まる。よって、図7に示すような荷電粒子状態となる。
【0039】
このプラスの荷電粒子60による荷電粒子と独立Y電極23に印加されるサステインパルス45a、45b、…の第1パルスの電圧とで共通X電極22との間で放電が開始し、維持放電が行なわれる。サステインパルス45a、45bによる放電によって今度は独立Y電極23にマイナスの荷電粒子が集まり(図示せず)、共通X電極22にプラスの荷電粒子が集まるため、今度はサステインパルス41の第1パルス電圧によって、独立Y電極23と共通X電極22との間で維持放電が行われる。サステイン期間2cではこれが繰り返えさらえる。
【0040】
図8は細線消去パルス印加後のパネルのセル内の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【0041】
図は共通X電極22に印加された最後のサステインパルス41の後に独立Y電極23に細線消去パルス46a、46b、…が印加された後の荷電粒子状態を示す。最後のサステインパルス41で放電を行った後の荷電粒子の状態は図7の状態になる。この細線消去パルス46a、46b、…の幅は放電の継続時間より長く、独立Y電極23近傍の誘電体層上には動きの早いマイナスの荷電粒子61が集まる。これにより、荷電粒子の分極が行なわれる。プラスの荷電粒子60は動きが遅いため、しばらくの間放電空間を漂う。また、マイナスの荷電粒子61の一部もしばらくの間放電空間を漂う。
【0042】
図9は2番目のサブフィールドにおいて均一化パルス印加後のパネルのセル内の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【0043】
2番目のサブフィールドの均一化パルス43の電圧はマイナスの荷電粒子61に相殺されて放電開始電圧に達せず、放電しない。この際、独立Y電極23は他の電極群よりも高い電位にあるため、さらにマイナスの荷電粒子61を引き付ける。
【0044】
図10は2番目のサブフィールドにおいて規制パルス印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【0045】
図は共通X電極22に規制パルス40が印加された後の荷電粒子状態を示す。共通X電極22側の誘電体層上にもマイナスの荷電粒子61が集まると共に、アドレスA電極29側にはプラスの荷電粒子60が集まる。これにより、均一化パルス43で放電しなくても最初のサブフィールドと同様に駆動が可能となる。また、この場合独立Y電極23側のマイナス荷電粒子によって、均一化パルス43a、43b…の電圧は実質的に下げられるので、独立Y電極23と共通X電極22との間では放電は起こらない。
【0046】
以上の過程により各サブフィールドごとの全書き込み放電および消去放電無しで駆動が可能となるため、黒表示の際の不要な発光がなくなり、コントラストが向上する。
【0047】
次に、第2の実施例について説明する。図11は本発明における第2の駆動方式を示す図である。図11(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図5と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図11(b)から図11(e)は共通X電極、アドレスA電極、独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0048】
波形70は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形71はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形72、73は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0049】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される波形70は荷電粒子均一化期間2aからアドレス期間2bへ続く規制パルス40と、サステイン期間2cのサステインパルス41と、第2細線消去パルス74よりなる。次にアドレスA電極29の1本に印加される波形71は発光させるセルに対応する第1サブフィールド2のアドレス期間2bのアドレスパルス42よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレス電極29にアドレスパルス42が印加されない。
【0050】
次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形72、73はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス43a、43b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス44a、44b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…、第1細線消去パルス75a、75b、…よりなる。
【0051】
この際、第1細線消去パルス75a、75b、…の幅は第2細線消去パルス74と同等もしくは第2細線消去パルス74より狭い。なお、本実施例のように細線消去パルスが偶数個の場合、最後の細線消去パルスとなる第1細線消去パルス75a、75b、…と均一化パルス43a、43b、…、は同じ電極群に印加されるように構成され、最初の細線消去パルスとなる第2細線消去パルス74は最後の細線消去パルスとは異なる電極、すなわち共通X電極22に印加される。
【0052】
この場合、最後のサステインパルスは独立Y電極23に印加される。これにより、第1細線消去パルス75a、75b、…印加後の荷電粒子状態は第1の実施例の図8に示す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。なお、この細線消去パルス群で荷電粒子の消去と分極を行なうため総称してこれら細線消去パルス群を分極パルス群と呼ぶ。この実施例では第1、第2の細線消去パルスを用いることにより、より効果的に消去を行うことができるため、アドレス放電時の放電時間を一定に保つことができる。
【0053】
次に、第3の実施例について説明する。図12は本発明における第3の駆動方式を示す図である。図12(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図5と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図12(b)から図12(e)は共通X電極、アドレスA電極、独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0054】
波形80は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形81はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形82、83は独立Y電極23の例えば1行目、2行目
(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0055】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される波形80は荷電粒子均一化期間2aからアドレス期間2bへ続く規制パルス40と、サステイン期間2cのサステインパルス41と、第2細線消去パルス84よりなる。次にアドレスA電極29の1本に印加される波形81は発光させるセルに対応する第1サブフィールド2のアドレス期間2bのアドレスパルス42よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス42も無い。
【0056】
次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形82、83はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス43a、43b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス44a、44b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…、第3細線消去パルス85a、b、…、第1細線消去パルス86a、86b、…よりなる。
【0057】
この際、第2細線消去パルス84の幅は第3細線消去パルス85a、85b、…と同等もしくは第3細線消去パルス85a、85b、…より狭い。また、第1細線消去パルス86a、86b、…の幅は第2細線消去パルス84と同等もしくは第2細線消去パルス84より狭い。
【0058】
なお、本実施例のように細線消去パルスが奇数個の場合、最後の細線消去パルスとなる第1細線消去パルス86a、86b、…と均一化パルス43a、43b、…は同じ電極群に印加されるように構成され、最初の細線消去パルスとなる第3細線消去パルス85a、85b、…は最後の細線消去パルスと同じ電極、すなわち独立Y電極23に印加される。したがって、最後のサステインパルスは共通X電極22に印加される。これにより、第1細線消去パルス86a、86b、…印加後の荷電粒子状態は第1の実施例の図8に示す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。
【0059】
なお、この実施例では第1、第2、第3の細線消去パルス86a、86b、84、85a、85bを用いることにより、さらに確実に消去を行うことができる。なお、本発明者の実験によると3つの細線消去パルス迄が有効であり、それ以上パルスの数を増やしてもあまり効果がないことが分かった。
【0060】
次に、第4の実施例について説明する。図13は本発明における第4の駆動方式を示す図である。図13(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図5と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図13(b)から図13(e)は共通X電極、アドレスA電極、独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0061】
波形90は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形91はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形92、93は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0062】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される波形90は荷電粒子均一化期間2aからアドレス期間2bへ続く規制パルス94と、サステイン期間2cのサステインパルス41とよりなる。この際、規制パルス94とサステインパルス41とは同電位であり、電源を共通にできるため回路構成が簡略化できる。
【0063】
次にアドレスA電極29の1本に印加される波形91は発光させるセルに対応する第1サブフィールド2のアドレス期間2bのアドレスパルス42よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス42も無い。
【0064】
次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形92、93はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス43a、43b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス44a、44b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…、細線消去パルス46a、46b、…よりなる。
【0065】
これにより、細線消去パルス46a、46b、…印加後の荷電粒子状態は第1の実施例の図8に示す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。この駆動方式においては、共通X電極22に印加される規制パルス94とサステインパルス41は同電圧であるためこの電源回路の構成を簡単にすることができる。
【0066】
次に、第5の実施例について説明する。図14は本発明における第5の駆動方式を示す図である。図14(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図5と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図14(b)から図14(e)は共通X電極、アドレスA電極、独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0067】
波形100は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形101はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形102、103は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0068】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される波形100は荷電粒子均一化期間2aからアドレス期間2bへ続く規制パルス94と、サステイン期間2cのサステインパルス41とよりなる。この際、図13に示す第4の実施例と同様に規制パルス94とサステインパルス41とは同電位であり、電源を共通にできるため回路構成が簡略化できる。次にアドレスA電極29の1本に印加される波形101は発光させるセルに対応する第1サブフィールド2のアドレス期間2bのアドレスパルス42よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス42も無い。
【0069】
次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形102、103はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス43a、43b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス104a、104b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…、細線消去パルス46a、46b、…よりなる。この際、アドレス期間2bの独立Y電極23の電位はサステインパルス45a、45b、…とは同電位であり、電源を共通にできるため回路構成が簡略化できる。
【0070】
これにより、細線消去パルス46a、46b、…印加後の荷電粒子状態は第1の実施例の図8に示す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。
【0071】
次に、第6の実施例について説明する。図15は本発明における第6の駆動方式を示す図である。図15(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図5と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図15(b)から図15(e)は共通X電極、アドレスA電極、第1、第2の独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0072】
波形110は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形111はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形112、113は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0073】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される波形110は荷電粒子均一化期間2aの第1規制パルス114と、アドレス期間2bの第2規制パルス115と、サステイン期間2cのサステインパルス41とよりなる。このように、共通X電極22に印加される規制パルスを荷電粒子均一化期間2aの第1規制パルス114と、アドレス期間2bの第2規制パルス115とに分けてもよい。
【0074】
次にアドレスA電極29の1本に印加される波形111は発光させるセルに対応する第1サブフィールド2のアドレス期間2bのアドレスパルス42よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス42も無い。
【0075】
次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形112、113はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス43a、43b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス116a、116b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…、細線消去パルス46a、46b、…よりなる。
【0076】
これにより、細線消去パルス46a、46b、…印加後の荷電粒子状態は第1の実施例の図8に示す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。
【0077】
図において、第1規制パルス114の立ち下がりを均一化パルス43aより僅かに早く立ち下げて、共通X電極22と独立Y電極23間で誤放電するのを防いでいる。また、第2の規制パルス115の立ち上がりをスキャンパルス116aの立ち上がりとほぼ同じにして共通X電極22と独立Y電極23間での誤放電を防いでいる。
【0078】
なお、図15において、共通X電極22に印加される第1規制パルス114の電圧はサステインパルス41の電圧と同じでもよい。
【0079】
次に、第7の実施例について説明する。図16は本発明における第7の駆動方式を示す図である。図16(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図5と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図16(b)から図16(e)は共通X電極、アドレスA電極、第1、第2の独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0080】
波形130は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形131はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形132、133は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0081】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される波形130は荷電粒子均一化期間2aの第1規制パルス134と、アドレス期間2bの第2規制パルス135と、サステイン期間2cのサステインパルス41とよりなる。次にアドレスA電極29の1本に印加される波形131は発光させるセルに対応する第1サブフィールド2のアドレス期間2bのアドレスパルス42よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス42も無い。
【0082】
次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形132、133はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス136a、36b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス137a、b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…、細線消去パルス46a、46b、…よりなる。なお、均一化パルス136a、136b、…の立ち下がりは本実施例に示すように前記実施例とは異なり、1μs以下で0電位となるパルスとなっている。
【0083】
また、第5の実施例に示すように第2規制パルス135とスキャンパルス137a、137b、…もそれぞれ、サステインパルス41、45a、45b、…と同電位であってもよい。
【0084】
これにより、細線消去パルス46a、46b、…印加後の荷電粒子状態は第1の実施例の図8に示す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。
【0085】
均一化パルス136aを急激に立ち下げてもそれ以前に第1規制パルス139が立ち下がっているため、共通X電極22と独立Y電極23間で誤放電は起きない。
【0086】
次に、第8の実施例について説明する。図17は本発明における第8の駆動方式を示す図である。図17(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図5と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図17(b)から図17(e)は共通X電極、アドレスA電極、第1、第2の独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0087】
波形140は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形141はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形142、143は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0088】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される波形140は荷電粒子均一化期間2aの第1規制パルス144と、アドレス期間2bの第2規制パルス135と、サステイン期間2cのサステインパルス41とよりなる。第1規制パルス144は本実施例ではサステインパルス41より高い電位に設定されている。
【0089】
次に、アドレスA電極29の1本に印加される波形141は発光させるセルに対応する第1サブフィールド2のアドレス期間2bのアドレスパルス42よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス42も無い。次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形142、143はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス136a、136b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス137a、137b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…、細線消去パルス46a、46b、…よりなる。
【0090】
また、第2規制パルス135とスキャンパルス137a、137b、…もそれぞれ、サステインパルス41、45a、45b、…と同電位であってもよい。これにより、細線消去パルス46a、46b、…印加後の荷電粒子状態は第1の実施例の図8に示す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。
【0091】
この実施例においては、第1規制パルス144の電圧をサステインパルス41の電圧より高くしている。第1規制パルス144の電圧を高くすることにより共通X電極22にマイナスの荷電粒子を集めることが出来る為、アドレスA電極29には多くのプラス荷電粒子が集まり、よりアドレス放電をし易くすることが出来る。
【0092】
次に、第9の実施例について説明する。図18は本発明における第9の駆動方式を示す図である。図18(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図5と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図18(b)から図18(e)は共通X電極、アドレスA電極、独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0093】
波形150は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形151はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形152、153は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0094】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される波形150は荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス153と、アドレス期間2bの第2規制パルス154と、サステイン期間2cのサステインパルス41と、細線消去パルス155よりなる。なお、本実施例は細線消去パルスが1個の場合であり、第5の実施例と同様に細線消去パルスが印加された電極に均一化パルスが印加される。
【0095】
また、第2、第3の実施例(図11および図12参照)と同様に細線消去パルスが2本の場合、3本の場合もそれぞれ、最後の細線消去パルスが印加された電極に均一化パルスが印加される。次にアドレスA電極29の1本に印加される波形151は発光させるセルに対応する第1サブフィールド2のアドレス期間2bのアドレスパルス42よりなる。
【0096】
なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス42も無い。次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形152、153はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの第1規制パルス156a、156b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス137a、137b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…よりなる。
【0097】
本実施例において、第1規制パルス156a、156b、…は均一化パルス153の立ち上がりから0.3μs以上2μs以下の時間で印加されている。また、第5の実施例(図14参照)に示すように第2規制パルス154とスキャンパルス137a、b、…もそれぞれ、サステインパルス41、45a、45b、…と同電位であってもよい。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。
【0098】
この実施例において、第1規制パルス43a、43bは図15等に示されている均一化パルス43a、43bと類似しているが、本発明において、均一化パルスとは均一化期間において先に立ち上がるパルスが均一化パルスとしての役割を果たす。また、均一化パルス153の立ち上がりと第1規制パルス156a、156b間の間隔を0.3μs以上2μs以下とする理由はすでに説明した通りである。
【0099】
図19〜23は第9の実施例(図18参照)においてサステイン放電が発生するセルにおける電源投入直後の最初のサブフィールドから次のサブフィールドの均一化パルスおよび規制パルスが印加されるまでの荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。なお、荷電粒子の動きは図に示した3つのセルのうち、中央のセルに関してのみ示す。
【0100】
図19は電源が投入され、最先の均一化パルスと規制パルスが印加された後のパネルのセル内の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。図は電源投入直後の最初のサブフィールドにおいて共通X電極22に均一化パルス153が印加され、直後に独立Y電極23に第1規制パルス156a、156b、…が印加された後の荷電粒子状態を示す。この最初のサブフィールドでは均一化パルス153により全セルにおいて放電が起こり、第1規制パルス156a、156bによって共通X電極22および独立Y電極23側の誘電体層上には、マイナスの荷電粒子61が集まり、アドレスA電極29側にはプラスの荷電粒子60が集まる。
【0101】
図20は第9の実施例において、アドレス放電後のパネルのセル内の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。図はアドレスA電極29にアドレスパルス42が印加され、アドレス放電が発生した後の荷電粒子状態を示す。アドレス放電時には独立Y電極23はアドレスA電極29および共通X電極22よりも低い電位にあり、独立Y電極23近傍の誘電体層上にプラスの荷電粒子60が集まり、他の電極にはマイナスの荷電粒子が集まる。図20はこの状態を示す。このプラスの荷電粒子60による荷電粒子と独立Y電極23に印加されるサステインパルス45a、45b、…の第1パルスの電圧とで放電が開始し、サステイン放電が行なわれる。
【0102】
図21は第9の実施例における細線消去パルス印加後のパれるのセル内の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。図は独立Y電極23に印加された最後のサステインパルス45a、45b、…の後に共通X電極22に細線消去パルス155が印加された後の荷電粒子状態を示す。この細線消去パルス155の幅は放電の継続時間より長く、共通X電極22近傍の誘電体層上には動きの早いマイナスの荷電粒子61が集まる。プラスの荷電粒子60は動きが遅いため、しばらくの間、放電空間を漂う。また、マイナスの荷電粒子61の一部もしばらくの間、放電空間を漂う。
【0103】
図22は第9の実施例において2番目のサブフィールドで均一化パルス印加後のパネルのセル内の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。図は2番目のサブフィールドの均一化パルス153が印加された後の荷電粒子状態を示す。均一化パルス153の電圧は共通X電極22付近のマイナスの荷電粒子61に相殺されて放電開始電圧に達せず、放電しない。
【0104】
図23は第9の実施例において2番目のサブフィールドで均一化パルス印加後のパネルのセル内の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。図は独立Y電極23に第1規制パルス156a、156b、…が印加された後の荷電粒子状態を示す。独立Y電極23、共通X電極22にプラスのパルス153、156a、156bが印加されているため、これら電極22、23側の誘電体層上にはマイナスの荷電粒子61が集まると共にアドレスA電極29側にはプラスの荷電粒子60が集まる。これにより、均一化パルス153で放電しなくても最初のサブフィールドと同様に駆動が可能となる。
【0105】
次に、第10の実施例について説明する。図24は本発明における第10の駆動方式を示す図である。図24(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図24は図18と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図24(b)〜図24(e)は共通電極、アドレス電極、第1、第2の独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0106】
波形160は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形161はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形162、163は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0107】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される波形160は荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス164と、均一化パルス164につながり、荷電粒子均一化期間2aからアドレス期間2bにつながる第2規制パルス165と、サステイン期間2cのサステインパルス41と、細線消去パルス155よりなる。なお、本実施例は細線消去パルスが1個の場合であり、第1の実施例と同様に細線消去パルスが印加された電極に均一化パルスが印加される。また、第2、第3の実施例と同様に細線消去パルスが2本の場合、3本の場合もそれぞれ、最後の細線消去パルスが印加された電極に均一化パルスが印加される。
【0108】
次にアドレスA電極29の1本に印加される波形161は発光させるセルに対応する第1サブフィールド2のアドレス期間2bのアドレスパルス42よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス42も無い。次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形162、163はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの第1規制パルス156a、156b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス137a、137b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…よりなる。
【0109】
本実施例において、第1規制パルス156a、156b、…は均一化パルス
153の立ち上がりから0.3μs以上2μs以下の時間で印加されている。また、第9の実施例(図18参照)に示すように第2規制パルス165とスキャンパルス137a、137b、…もそれぞれ、サステインパルス41、45a、45b、…と同電位であってもよい。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。
【0110】
本実施例において均一化パルス164を高電位にしたのは共通X電極22にマイナスの荷電粒子を集めて、アドレスA電極側に多くのプラスの荷電粒子を集めるためである。また、アドレス期間で第2規制パルス165の電圧を低くしたのは共通X電極22と独立Y電極23間でご放電が起こるのを防ぐためである。
【0111】
次に、第11の実施例について説明する。図25は本発明における第11の駆動方式を示す図である。図25(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図は図5と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図25(b)から図25(e)は共通X電極、アドレスA電極、独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0112】
波形170は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形171はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形172、173は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0113】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される波形170は荷電粒子均一化期間2aからアドレス期間2bへ続く規制パルス40と、維持放電期間2cのサステインパルス41とよりなる。次にアドレスA電極29の1本に印加される波形171はアドレス期間2bすべてにわたり、スキャンパルス44a、44bにより独立Y電極23との間で放電しない程度の電圧の保持パルス174と、発光させるセルに対応するアドレスパルス175よりなる。
【0114】
本実施例の場合、アドレス放電に必要な電位は保持パルス174の電位とアドレスパルス175の電位の和になるため、アドレスパルス175の変化分を小さくすることができる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス175も無い。
【0115】
次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形172、173はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス43a、43b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス44a、44b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…、細線消去パルス46a、46b、…よりなる。また、第5の実施例に示すように規制パルス40とスキャンパルス44a、44b…もそれぞれ、サステインパルス41、45a、45b、…と同電位であってもよい。これにより、細線消去パルス46a、46b、…印加後の荷電粒子状態は第1の実施例の図8に示す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。
【0116】
次に、第12の実施例について説明する。図26は本発明における第12の駆動方式を示す図である。図26(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図は図5と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図26(b)から図26(e)は共通X電極、アドレスA電極、第1、第2の独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0117】
波形180は第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形181はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形182、183は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0118】
第1サブフィールド2において共通X電極22に印加される波形180は荷電粒子均一化期間2aの規制パルス184と、サステイン期間2cのサステインパルス41とよりなる。次にアドレスA電極29の1本に印加される波形181は発光させるセルに対応するアドレスパルス42よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス42も無い。
【0119】
次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形182、183はそれぞれ第1サブフィールド2の荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス43a、43b、…、アドレス期間2bのマイナスのスキャンパルス185a、185b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…、細線消去パルス46a、46b、…よりなる。また、第5の実施例に示すように規制パルス184はサステインパルス41と同電位であってもよい。これにより、第1細線消去パルス46a、b、…印加後の荷電粒子状態は第1の実施例の図8に示す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。
【0120】
この実施例においては、スキャンパルス185a、195bはマイナス電圧となっており、アドレスパルス42との電圧差を大きくとることができるので、アドレスA電極29と独立Y電極23間のアドレス放電を確実に行うことができる。
【0121】
次に、第13の実施例について説明する。図27は本発明における第13の駆動方式を示す図である。図27(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。図は図5と同様1フィールド期間1の分割を示す図であり、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わしている。図27(b)から図27(e)は共通X電極、アドレスA電極、独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0122】
波形190は第8サブフィールド9およびその後のフィールドブランク期間9dにおいて共通X電極22に印加される駆動波形の一部であり、波形191はアドレスA電極29の1本に印加される駆動波形の一部であり、波形192、193は独立Y電極23の例えば1行目、2行目(Y1、Y2)に印加される駆動波形の一部である。
【0123】
第8サブフィールド9およびその後のフィールドブランク期間9dにおいて共通X電極22に印加される波形190は荷電粒子均一化期間2aからアドレス期間2bに続く規制パルス40と、サステイン期間2cのサステインパルス41と、フィールド全書き込みパルス194よりなる。本実施例において、全書き込みパルス194はその直前のサステイン放電の有無にかかわらず放電可能な電位を与えている。これにより、放電による全セルの荷電粒子状態の均一化を図る。なお、フィールドブランク期間は各サブフィールドの間に位置してもよく、また、複数回あってもよい。
【0124】
次にアドレスA電極29の1本に印加される波形191は発光させるセルに対応するアドレスパルス42よりなる。なお、発光させるセルが無い場合にはアドレスパルス42も無い。次に独立Y電極23の例えば隣接する1、2行目(Y1、Y2)に印加される波形192、193はそれぞれ第8サブフィールド9の荷電粒子均一化期間2aの均一化パルス43a、43b、…、アドレス期間2bのスキャンパルス44a、44b、…、サステイン期間2cのサステインパルス45a、45b、…、フィールドブランク期間9dの細線消去パルス195a、195b、…よりなる。また、第5の実施例に示すように規制パルス40、スキャンパルス44a、44b、…はサステインパルス41、45a、45b、…と同電位であってもよい。これにより、第1細線消去パルス195a、b、…印加後の荷電粒子状態は第1の実施例の図8に示す状態と略等しく、同様に動作する。他のサブフィールド3〜9も同様の構成になっている。
【0125】
本実施例においては、例えば幾つかのサブフィールドに渡って黒の部分が続いた場合、セルの中に荷電粒子がなくなり、続くアドレス放電でうまく放電ができない場合がある。これを防ぐために、フィールド全書込みパルス194により強制的に共通X電極22と独立Y電極間で放電を起こさせることによりこれを防ぐことができる。
【0126】
以上のようにして、第1から第12までの実施例ではサステイン期間とアドレス期間の全てのセルに渡って荷電粒子状態を均一化する全面放電および消去放電無しで駆動でき、コントラストを向上できる。また、第13の実施例でも1フィールドにおける全面放電および消去放電は減少しており、コントラストを向上できる。
【0127】
以下、本発明のさらに他の実施形態を図面により説明する。
【0128】
図28は本発明によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第14の実施形態を示す図である。
【0129】
図28(a)は1フィールド期間のサブフィールドの配置を示すタイムチャートである。横軸を時間軸とし、縦軸をセルの行としている。図28(b)から図28(g)は共通X電極、アドレスA電極、4本の独立Y電極に供給されるパルス波形を示す波形図である。
【0130】
図において、201は1フィールド期間、202〜203はサブフィールド、202a〜209aはアドレス期間、202b〜209bはサステイン期間、210〜213はフィールドブロック、210a〜213aは全書込消去期間である。
【0131】
図28(b)において、波形220は共通X電極22に印加される駆動波形を、波形221は同じくアドレスA電極29に印加される駆動波形を、222〜225は夫々同じく1行目、2行目、3行目、4行目の独立Y電極23に印加される駆動波形である。
【0132】
まず、図28(a)において、1フィールド期間201が8個のサブフィールド202〜209に分けられ、連続する2つのサブフィールドで1つのフィールドブロックを形成し、従って、1フィールド期間201は4つのフィールドブロック210〜213から構成されている。
【0133】
各フィールドブロック210〜2130では、最初のサブフィールド202、204、206、208において、まず、最初に全書込消去期間210a、211a、212a、213aが設けられ、これに続いて、アドレス期間202a、204a、206a、208aが、さらに、サステイン期間202b、204b、206b、208bが設けられている。次のサブフィールド203、205、207、209では、まず、アドレス期間203a、205a、207a、209aが設けられ、これに続いて、サステイン期間203b、205b、207b、209bが設けられている。
【0134】
ここで、これらサステイン期間202b〜209bでは、夫々毎に発光回数が割り振られており、これらの発光回数の組合せにより、中間調の表示が行なわれる。発光回数の多少とサブフィールドの順番は任意であり、この実施形態では、サステイン期間202b、204b、206b、208b、203b、205b、207b、209bの順に発光回数が多くなっており、全書込消去期間が設けられていないサブフィールド203、205、207、209の直前のサステイン期間202b、204b、206b、208bとしては、発光回数の少ないものとしている。
【0135】
図28(b)はフィールドブロック210を例として示しているが、他のフィールドブロックについても同様である。共通X電極22に印加される駆動波形220は、最初のサブフィールド202では、全書込消去期間210aで全書込パルス240と分極パルス241とからなり、次のアドレス期間202aでハイパルス242からなり、さらに次のサステイン期間202bでサステインパルス243と荷電粒子制御パルス244と細線消去パルス245とからなり、次のサブフィールド203では、アドレス期間203aでハイパルス246からなり、次のサステイン期間203bでサステインパルス247からなっている。
【0136】
なお、荷電粒子制御パルス244と消去パルス245とはサステインパルス243と同等またはそれ以下の電圧レベルであり、サステインパルス247に続いて次のフィールドブロック211に入る。また、図28(b)において、全面書込みパルス240は2段階に電圧を上げているが、通常この電圧は約300ボルトであり2段階に電圧を上げた方が回路構成が簡単になるからであり、特にこの全面書込みパルス240に段差をつける必要はない。
【0137】
図28(c)に示すアドレスA電極29に印加される駆動波形221は、発光させるセルに対応して、最初のサブフィールド202のアドレス期間202aでは、複数のアドレスパルス248a、248b、…からなり、次のサブフィールド203のアドレス期間203aでは、複数のアドレスパルス249a、249b、…からなっている。なお、発光させるセルがない場合には、アドレスパルスは供給されない。
【0138】
図28(d)〜図28(g)に示すように互いに隣合う4つの独立Y電極23に印加される駆動波形を夫々222、223、224、225とすると、これらは夫々、最初のサブフィールド202のアドレス期間202aに印加されるスキャンパルス250a、250b、250c、250d、…、サステイン期間222bに印加されるサステインパルス251a、251b、251c、251d、…、選択放電パルス252a、252b、252c、252d、…、細線消去パルス253a、253b、253c、253d、…と、次のサブフィールド203のアドレス期間203aに印加されるスキャンパルス254a、254b、254c、254d、…、サステイン期間203bに印加されるサステインパルス255a、255b、255c、255d、…とからなっている。
【0139】
なお、選択放電パルス252a、252b、252c、252d、…は荷電粒子制御パルス244と略等しい電圧であり、この荷電粒子制御パルス244は、選択放電パルス252a、252b、252c、252d、…に対して、やや遅れて立ち上がり、その遅れ時間t1は0.1〜1.5μsである。また、荷電粒子制御パルス244は、選択放電パルス252a、252b、252c、252d、…に対しては、やや早めに終了し、その時間t2は0.1〜1.0μsである。本実施例において、選択放電パルス252a〜252dの立ち上げから荷電粒子制御パルス244の立ち上げを上記のように規定したのは、この時間を長くすると独立Y電極23にマイナス荷電粒子があつまりすぎ、共通X電極22に少ししかマイナスの荷電粒子が集まらないからである。
【0140】
また、選択放電パルス252a〜252dを荷電粒子制御パルス244に比べてやや早く立ち上げるのは選択放電パルスによって共通X電極22間で放電を起こさせるためである。また、荷電粒子制御パルス244を早く立ち下げるのは選択放電パルス252a〜2520dを立ち下げたとき共通X電極22との間で放電が起こるのを防ぐためである。
【0141】
また、選択放電パルス252a、252b、252c、252d、…及び細線消去パルス253a、253b、253c、253d、…のようなパルスは、フィールドブロック210(図28(a))の後の方のサブフィールド203のサステインパルス247の後には設けられていない。
【0142】
さらに、サブフィールド203のサステインパルスは、独立Y電極23に印加されるサステインパルス255a、255b、255c、255d、…で終了する。
【0143】
図28(a)における他のフィールドブロック211〜213についても、同様な駆動波形が用いられるが、サステインパルスのパルス数のみが異なる。従って、選択放電パルスや荷電粒子制御パルス、細線消去パルスは、フィールドブロック210〜213夫々の最初のサブフィールド204、206、208のみに設けられている。
【0144】
次に、この実施形態の動作について、図29〜図32を参照して、説明する。
【0145】
図28(a)、図28(b)において、フィールドブロック210の全書込消去期間210aでは、共通X電極22に印加される全書込パルス240により、全てのセルにて放電が起こり、荷電粒子が形成される。この際、アドレスA電極29側には、プラスの荷電粒子が集まる。その後、分極パルス241によって分極のための放電がなされ、主に共通X電極22、独立Y電極23側の荷電粒子が分極される。
【0146】
次のアドレス期間202aでは、例えば、1行目の独立Y電極23に印加される駆動波形222のスキャンパルス250aと同時に、所定のアドレスA電極29にアドレスパルス248aが印加され、これにより、この1行目の独立Y電極23とこのアドレスA電極29との交点に位置するセルでアドレス放電が生じて荷電粒子が形成され、このセルの独立Y電極23側にプラスの荷電粒子が集まる。
【0147】
これと同様に、3行目の独立Y電極23に駆動波形224のスキャンパルス250cが印加され、上記の所定のアドレスA電極29にアドレスパルス248bが印加されると、この3行目の独立Y電極23とこのアドレスA電極29との交点に位置するセルでアドレス放電が生じて荷電粒子が形成され、このセルの独立Y電極23側にプラスの荷電粒子が集まる。
【0148】
一方、2行目及び4行目の図の特定のセルを発光させない場合には独立Y電極23に印加される駆動波形223、225のスキャンパルス250b、250dに対応するアドレスパルスが印加されないため、これらの独立Y電極23とアドレスA電極29との交点に位置するセルでは、アドレス放電が起こらず、独立Y電極23側には荷電粒子も形成されない。
【0149】
次に、サステイン期間202bでは、アドレスA期間202aでアドレス放電が行なわれて独立Y電極23側にプラスの荷電粒子が集まったセルでのみ、駆動波形220のサステインパルス243と駆動波形222、223、224、225のサステインパルス251a、251b、251c、251d、…により、発光表示のための放電が起こる。
【0150】
その後、独立Y電極23に印加される選択放電パルス252a、252b、252c、252d、…によって、発光表示のための放電が生じて充分に荷電粒子が形成されたセルでのみ、選択的に放電が起こる。この選択放電パルス252a、252b、252c、252d、…による放電が停止する前に、共通X電極22に荷電粒子制御パルス244を印加することにより、アドレスA電極29側にプラスの荷電粒子が集まる。
【0151】
その後、共通X電極22に印加される駆動波形220の細線消去パルス245と、独立Y電極に供給される駆動波形222、223、224、225の細線消去パルス253a、253b、253c、253d、…とにより、消去放電が起こり、主に共通X電極22、独立Y電極23側の荷電粒子を消去する。これにより、発光表示のための放電が起ったセルは全て全書込消去期間210aの終了後の荷電粒子状態とほぼ等しい荷電粒子状態になる。
【0152】
一方、発光表示のための放電が起らなかったセルでは、アドレス放電も起こっておらず、全書込消去期間210aの終了後の荷電粒子状態が概略維持されている。
【0153】
以上のようにして、最初のサブフィールド202での消去パルス245、253a、253b、253c、253d、…の印加後の最後の時点で、全てのセルの荷電粒子状態を全書込消去期間210aの終了後の荷電粒子状態とほぼ等しい荷電粒子状態にすることができる。これにより、次のサブフィールド203では、全てのセルにおいて、全書込消去期間を設けることなしに、アドレス放電を起こすことが可能となる。
【0154】
フィールドブロック211〜213でも同様の動作が繰り返され、1フィールドの画面が構成される。
【0155】
図29〜図32は図28に示す実施例において、サステイン放電が発生したセルでの荷電粒子の動きを示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。図において、60はプラスの荷電粒子、61はマイナスの荷電粒子であり、前出図面に対応する部分には同一符号を付けている。なお、荷電粒子の動きは図示した3つのセルのうち、中央のセルに関してのみ示す。
【0156】
図29は図28で示す実施例におけるサステインパルスの印加後のパネルのセル内の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。図に示すように共通X電極22にサステインパルス243の最後のパルスが印加されると誘電体層26の共通X電極22側には、マイナスの荷電粒子61が集まり、独立Y電極23側には、プラスの荷電粒子60が集まる。
【0157】
図30は図28の実施例において、選択放電パルスによる放電時のパネルのセル内での荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。図において、独立Y電極23に選択放電パルス252a、252b、252c、252d、…が印加されると選択放電パルス252a、252b、252c、252d、…の電圧と誘電体層26の独立Y電極23側の集まっているプラスの荷電粒子60による電圧とで独立Y電極23と共通X電極間で放電が起こり、放電空間33に多数のプラスの荷電粒子60及びマイナスの荷電粒子61が発生する。
【0158】
図31は図28に示す実施例において荷電粒子制御パルス印加時のパネルのセル内での荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。図において、共通X電極22に荷電粒子制御パルス244が印加されると共通X電極22と独立Y電極23との電位が略等しく、かつアドレスA電極29よりも高い電位であるため、アドレスA電極29側にプラスの荷電粒子60が集まる。なお、共通X電極22側、独立Y電極23側及び放電空間33には中和消滅せずに残った荷電粒子があるため、消去パルスによる荷電粒子の消去が必要になる。
【0159】
図32は図28の実施例における細線消去パルス印加後のパネルのセル内での荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。図において、細線消去パルス245、253a、253b、253c、253dが印加されるとアドレスA電極29側にプラスの荷電粒子60が集まり、共通X電極22側、独立Y電極23側にはマイナスの荷電粒子61が残る。この状態は全書込消去期間210aの終了後の荷電粒子状態とほぼ等しい。
【0160】
サステイン放電が起こっていないセルでは、アドレス放電が起こっていないので、サステイン期間でも全書込消去期間210aの終了後の荷電粒子状態が概略維持される上、選択放電パルス252a、252b、252c、252d、…でも放電が起こらないので、その後の荷電粒子制御パルス244や消去パルスでも荷電粒子状態に変化はない。従って、全てのセルで全書込消去期間210aの終了後の荷電粒子状態と概略等しい状態にすることができ、次のサブフィールド203では、このままでアドレス放電を起こすことが可能となる。これにより、コントラストを2倍にすることができる。
【0161】
なお、サステイン放電が起こっていないセルでも、アドレスA電極29側に集まっているプラスの荷電粒子60はわずかずつ中和消去して減少しているため、全書込消去期間が設けられていないサブフィールド203、205、20
7、209でのアドレスパルス249a、249bの電圧を他のサブフィールド202、204、206、208のアドレスパルス248a、248bの電圧よりも高くすることにより、確実なアドレス放電を行なうことができる。
【0162】
図33本発明によるプラズマディスプレイパネルの第15の実施例を示すサブフィールドのタイムチャートである。図において、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わし、270は1フィールド期間、271〜276はサブフィールド、271a〜276aはアドレス期間、271b〜276bはサステイン期間、277、278はフィールドブロック、277a、278aは全書込消去期間である。
【0163】
同図において、1フィールド期間270が6個のサブフィールド271〜276に分けられ、連続する最初の3つのサブフィールド271〜273でフィールドブロック277を、これに続く3つのサブフィールド274〜276で次のフィールドブロック78を夫々構成している。
【0164】
これらフィールドブロック277、278の最初の期間は全書込消去期間277a、278aであり、各サブフィールド271〜276には、アドレス期間271a〜276aとサステイン期間271b〜276bとが設けられている。即ち、フィールドブロック277、278の最初のサブフィールド271、274にのみ、その最初の期間として、全書込消去期間277a、278aが設けられている。これらサステイン期間271b〜276bでは、夫々に発光回数が割り振られており、これらの発光回数の組合せによって中間調の表示が行なわれる。
【0165】
なお、この第15の実施形態では、この発光回数がサブフィールド271、272、273、…の順に多くなるようにしている。
【0166】
先の第14の実施形態で用いた選択放電パルス、荷電粒子制御パルス、細線消去パルスは夫々、夫々のフィールドブロック277、278の最初の2つのサブフィールド271、272、274、275にのみ設けられており、最後のサブフィールド273、276には設ける必要はない。また、この選択放電パルス、荷電粒子制御パルス、細線消去パルスはサステイン期間271b、272b、274b、275bの最後に設けられており、これにより、サステイン期間271b、272b、274b、275bの終了時に全てのセルにおいて、全書込消去期間277aの終了後の荷電粒子状態と概略等しい状態にすることができるため、各フィールドブロック277、278での最初のサブフィールド271、274以外のサブフィールド272、273、275、276で全書込消去期間を削除し、かつ、最後のサブフィールドにおいては選択パルス、荷電粒子制御パルスを印加しなくともアドレス期間272a、273a、275a、276aでのアドレス放電が可能となる。これにより、コントラストを3倍にすることができる。
【0167】
図34は本発明によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第16の実施例を示すサブフィールドのタイムチャートである。図は1フィールド期間のサブフィールドについて横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わし、280は1フィールド期間、281〜288はサブフィールド、281a〜288aはアドレス期間、281b〜288bはサステイン期間、289、290はフィールドブロック、289a、290aは全書込消去期間である。
【0168】
同図において、1フィールド期間280が8個のサブフィールド281〜288に分けられ、連続する最初の4つのサブフィールド281〜284でフィールドブロック289を、次の4つのサブフィールド285〜288でフィールドブロック290を夫々構成している。
【0169】
これらフィールドブロック289、290の最初の期間は全書込消去期間289a、290aがあり、各サブフィールド281〜288には、アドレス期間281a〜288aとサステイン期間281b〜288bとが設けられている。即ち、フィールドブロック289、290の最初のサブフィールド281、285にのみ、その最初の期間として、全書込消去期間289a、290aが設けられている。これらサステイン期間281b〜288bでは夫々に発光回数が割り振られており、これらの発光回数の組合せによって中間調の表示が行なわれる。
【0170】
なお、この第16の実施形態では、発光回数はサブフィールド毎に異なるようにしているが、先の実施形態のようにその回数の大きさの順序は、サブフィールド281〜288の順序に特に関係を持たせていない。
【0171】
先の第14の実施形態で示した選択放電パルス252a〜252d、荷電粒子制御パルス244、細線消去パルス245、253a―253bは、各フィールドブロック289、290の最初の3つのサブフィールド281、282、283、285、286287のサステイン期間281b、282b、283b、285b、286b、287bに設けられており、これにより、フィールドブロック289のサブフィールド281、282、283でのサステイン期間281b、282b、283bとフィールドブロック290のサブフィールド285、286、287でのサステイン期間285b、286b、287bの終了時に、全てのセルにおいて、全書込消去期間289aの終了後の荷電粒子状態と概略等しい状態にできるため、フィールドブロック289、290夫々において、最初のサブフィールド281、285に続く3つのサブフィールド282、283、284、286、287、288で全書込消去期間を削除することができ、それらのアドレス期間282a、283a、284a、286a、287a、288aでのアドレス放電が可能となる。これにより、コントラストを4倍にすることができる。
【0172】
図35は本発明によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第17の実施例を示すサブフィールドのタイムチャートである。図は1フィールド期間のサブフィールドを示しており、横軸は時間軸、縦軸はセルの行を表わす。300は1フィールド期間、301〜308はサブフィールド、301a〜308aはアドレス期間、301b〜308bはサステイン期間、309はフィールドブロック、309は全書込消去期間である。
【0173】
同図において、1フィールド期間300が8個のサブフィールド301〜308に分けられ、1フィールド中の全てのサブフィールド301―308で1つのフィールドブロック309を構成している。このフィールドブロック309の最初の期間は全書込消去期間309aがあり、各サブフィールド301〜308には夫々、アドレス期間301a〜308aとこれに続くサステイン期間301b〜308bとが設けられている。即ち、最初のサブフィールド301にのみ、その最初の期間として、全書込消去期間309aが設けられている。また、サステイン期間301b〜308bには夫々、発光回数が割り振られており、これらの発光回数の組合せによって中間調の表示が行なわれる。
【0174】
先の第14の実施形態で示した選択放電パルス、荷電粒子制御パルス及び細線消去パルスは最初の7つのサブフィールド301〜307のサステイン期間301b〜307bに設けられている。また、全書込み消去期間309aは最初のサブフィールド301のみに設けられており、これに続くサブフィールド302〜308で全書込消去期間を削除してもこれらのアドレス期間302a〜308aでアドレス放電が可能となる。これにより、コントラストを8倍にすることができる。
【0175】
以上のようにして、上記いずれの実施形態においても、全書込消去期間を削減することにより、コントラストを向上させることができる。具体的には、CRT表示装置の実用コントラストが、一般に、150:1であるのに対して、図33あるいは図34に示す実施形態では、これとほぼ同等のコントラストを達成することができる。
【0176】
なお、1フィールドを分割するサブフィールドの数とフィールドブロックにまとめるサブフィールド数とは、上記記載のものに限定されるものではなく、任意の組み合わせが可能である。
【0177】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では全面放電および消去放電をまったくなくすか、減少させることができ、コントラストを向上させることができる。
【0178】
また、本発明では、全書込消去期間の設定を数サブフィールドに1回にすることにより、コントラストを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプラズマディスプレイパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図2】図1で矢印A方向から見たパネルの断面図である。
【図3】図1で矢印B方向から見たパネルの断面図である。
【図4】図1のプラズマディスプレイパネルの電極及び電極に接続される回路構成を示す平面図である。
【図5】本発明の1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第1の実施例の駆動波形図である。
【図6】電源が投入され、最先の均一化パルスと規制パルスが印加された後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図7】アドレス放電後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図8】細線消去パルス印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図9】2番目のサブフィールドにおいて均一化パルス印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図10】2番目のサブフィールドにおいて規制パルス印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図11】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第2の実施例の駆動波形図である。
【図12】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第3の実施例の駆動波形図である。
【図13】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第4の実施例の駆動波形図である。
【図14】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第5の実施例の駆動波形図である。
【図15】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第6の実施例の駆動波形図である。
【図16】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第7の実施例の駆動波形図である。
【図17】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第8の実施例の駆動波形図である。
【図18】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートおよびびプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第9の実施例の駆動波形図である。
【図19】図18において、電源が投入され、最先の均一化パルスと規制パルスが印加された後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図20】図18において、アドレス放電後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図21】図18において、細線消去パルス印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図22】図18において、2番目のサブフィールドで均一化パルス印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図23】図18において、2番目のサブフィールドで規制パルス印加後のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図24】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第10の実施例の駆動波形図である。
【図25】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートおよびプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第11の実施例の駆動波形図である。
【図26】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第12の実施例の駆動波形図である。
【図27】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置を示すタイムチャートプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第13の実施例の駆動波形図である。
【図28】本発明による1フィールド中のサブフィールドの配置の第2の実施例を示すタイムチャートプラズマディスプレイパネルの電極に印加される本発明の第14の実施例の駆動波形図である。
【図29】図28におけるサステインパルスの印加終了時のパネルのセル中の荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図30】図28における選択放電パルスによる放電時のパネルのセル内での荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図31】図28における荷電粒子制御パルス印加時のパネルのセル内での荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図32】図28における細線消去パルス印加後のパネルのセル内での荷電粒子の状態を示すプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図33】本発明によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第3の実施形態を示すサブフィールドのタイムチャートである。
【図34】本発明によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第4の実施形態を示すサブフィールドのタイムチャートである。
【図35】本発明によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第5の実施形態を示すサブフィールドのタイムチャートである。
【符号の説明】
1、201、270、280、300…1フィールド期間、2〜9、202〜209、271〜276、281〜288、301〜308…サブフィールド、2a〜9a…電荷均一化期間、2b〜9b、202a〜209a、271a〜276a、281a〜288a、301a〜308a…アドレス期間、2c〜9c、202b〜209b、271b〜276b、281b〜288b、301b〜308b…サステイン放電期間、21…前面ガラス基板、22…共通X電極、23…独立Y電極、28…背面ガラス基板、29…アドレスA電極、31…隔壁、35…X駆動回路、36…Y駆動回路、37…A駆動回路、40…規制パルス、41、45a、45b、243、251a〜251d…サステインパルス、42、248a、248b…アドレスパルス、43a、43b…均一化パルス、44a、44b、250a〜250d…スキャンパルス、46a、46b、245、253a〜253d…細線消去パルス、244…荷電粒子制御パルス、252a〜252d…選択放電パルス、210〜213、277、278、289、290、309…フィールドブロック、210a〜213a、277a、278a、289a、290a、289a、290a、309a…全書込消去期間。
Claims (34)
- 透過性の基板に配置されている共通に駆動可能な第1の電極群と、前記第1の電極群に平行に配置され、独立に駆動可能な第2の電極群と、他の基板に配置され、前記第1および第2の電極群と垂直に交差し、かつ、独立に駆動可能な第3の電極群とを有し、前記第1と第2の電極群による発光表示のためのサステイン放電の後に、前記第1の電極群および第2の電極群の近傍に形成された荷電粒子を消去する、少なくとも1回の放電を伴う所定の電圧を前記第1の電極群と前記第2の電極群の少なくとも何れか一方に印加し、さらに電源投入直後に1回のみ放電し、その後は前記電極群近傍にマイナス極性の荷電粒子を集めることで放電を伴わない電圧を、前記所定の電圧を最後に印加した電極群と同じ電極群に印加することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 透過性の基板に配置されている共通に駆動可能な第1の電極群と、前記第1の電極群に平行に配置され、独立に駆動可能な第2の電極群と、他の基板に配置され、前記第1および第2の電極群と垂直に交差し、かつ、独立に駆動可能な第3の電極群と、前記第1と第2の電極群による発光表示のためのサステイン放電の後に、前記第1の電極群および第2の電極群の近傍に形成された荷電粒子を消去する、少なくとも1回の放電を伴う所定の電圧を前記第1の電極群と前記第2の電極群の少なくとも何れか一方に印加し、さらに電源投入直後に1回のみ放電し、その後は前記電極群近傍にマイナス極性の荷電粒子を集めることで放電を伴わない電圧を、前記所定の電圧を最後に印加した電極群と同じ電極群に印加するパルス発生手段とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
- 透過性の基板に配置されている共通に駆動可能な第1の電極群と、前記第1の電極群に平行に配置され、独立に駆動可能な第2の電極群と、他の基板に配置され、前記第1および第2の電極群と垂直に交差し、かつ、独立に駆動可能な第3の電極群と、前記第1と第2の電極群による発光表示のためのサステイン放電の後に、前記第1の電極群および第2の電極群の近傍に形成された荷電粒子を消去する、少なくとも1回の放電を伴う所定の電圧を前記第1の電極群と前記第2の電極群の少なくとも何れか一方に印加し、さらに電源投入直後に1回のみ放電し、その後は前記電極群近傍にマイナス極性の荷電粒子を集めることで放電を伴わない電圧を、前記所定の電圧を最後に印加した電極群と同じ電極群に印加するパルス発生手段とを有し階調表示の直線性を改善したプラズマディスプレイ。
- 第1のガラス基板に配置されている共通に駆動可能な第1の電極群と、前記第1の電極群に平行に配置され、独立に駆動可能な第2の電極群と、第2のガラス基板に配置され、上記第1および第2の電極群と垂直に交差し、かつ、独立に駆動可能な第3の電極群を有し、サステイン放電が行なわれたセルの前記第1の電極群、前記第2の電極群および前記第3の電極群近傍の荷電粒子状態をサステイン放電が行われなかったセルの前記第1の電極群、前記第2の電極群および前記第3の電極群近傍の荷電粒子状態と略等しくすることを上記第1及び第2の電極群に印加する電圧で全面同時に行ない、発光する画素を決定するアドレス放電は上記第2および第3の電極群に印加する電圧で行ない、表示発光のためのサステイン放電を上記第1及び第2の電極群に印加する電圧で全面同時に行なうプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、サステイン放電終了後に印加される細線消去パルスはサステイン放電が発生した画素のみ放電してサステイン放電で前記第1の電極群および第2の電極群近傍に形成された荷電粒子の消去を行ない、さらに前記細線消去パルスの電圧で消去放電前と逆の極性の荷電粒子を前記第1の電極群および第2の電極群近傍に集めると共に、続く均一化パルスにより、前記細線消去パルスによる放電で前記第1の電極群及び第2の電極群近傍に集められた荷電粒子により、電圧を打ち消されて放電することなく全画素の空間に残った荷電粒子をプラス、マイナスに分離し、第1および第2電極群の一方の電極群に該均一化パルスを印加後、他方の電極群に均一化パルスと同極性の電圧を印加して、該均一化パルスが印加された電極群側と同じ極性の荷電粒子を集め、かつ、第3の電極群側に異なる極性の荷電粒子を集めることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 第1の基板に設けられた共通に駆動される第1の電極群と、前記第1の基板に第1の電極群と平行に設けられ、独立に制御される第2電極群と、前記第1の基板に対向して配置された第2基板に設けられ、前記第1の電極群および前記第2電極群に垂直に配置された第3電極群とを備えて成るプラズマディスプレイにおいて、パネルの駆動方法は、前記第1の電極群と前記第2の電極群とにサステインパルスを印加してサステイン放電を行う第1のステップと、前記第1の電極群と前記第2の電極群の少なくとも一方の電極群に放電を伴う細線消去パルスを印加して、サステイン放電で前記第1の電極群および第2の電極群近傍に形成された荷電粒子の消去を行ない、さらにセル内の空間に残った荷電粒子を前記第1の電極群および第2の電極群近傍に極性を分けて集める第2のステップと、前記一方の電極群に均一化パルスを印加し、前記第1および前記第2の電極群の他方の電極群に前記均一化パルスに遅れて規制パルスを印加して均一化パルスによる放電を行うことなく、前記第1および前記第2の電極群の近傍に一方の極性の荷電粒子を集め、第3の電極群の近傍に他方の極性の荷電粒子を集める第3のステップから成ることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 請求項4又は5記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、電源投入直後前記一方の電極群に印加された前記均一化パルスによって前記第1の電極群と前記第2の電極群との間で放電を起こさせ、前記他方の電極群に前記均一化パルスに遅れて規制パルスを印加して前記第1の電極群および第2の電極群の近傍に一方の極性の荷電粒子を集め、前記第3の電極群の近傍に他方の極性の荷電粒子を集めるスッテプを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 請求項4又は5のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、前記第1および前記第2の電極群の近傍に一方の極性の荷電粒子を集め、前記第3の電極群の近傍に他方の極性の荷電粒子を集めた後、前記第2の電極群と前記第3の電極群間でアドレス放電を行ない、その後サステイン放電を行なうステップを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 請求項4又は5記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、前記一方の電極群に印加する前記均一化パルスの立上り後0.3μs以上、2μs以下の期間で前記他方の電極群に規制パルスを立ち上げるステップを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 請求項4又は5記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、前記細線消去パルスのうち、最初の細線消去パルスの幅を0.5μs以上、2μs以下とし、2番目以降の細線消去パルスの幅を順次、同等もしくは短くして放電で第1および第2電極群近傍に形成された荷電粒子の消去を行ない、さらに前記細線消去パルスの電圧で消去放電前と逆の極性の荷電粒子を第1および第2電極近傍に集めるステップを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 請求項5又は8記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、前記均一化パルスを前記第2の電極群に印加し、第1の電極群に印加する規制パルスをすべての発光する画素を決定し終えるまで保持して、荷電粒子を所定の電極側に集めるステップを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 請求項5又は10記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、前記規制パルスを、全画素の前記第1の電極群、前記第2の電極群および前記第3の電極群近傍の荷電粒子状態を略等しくする期間の第1の規制パルスと、発光する画素を決定する期間に印加する第2の規制パルスとに分けたステップを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 請求項5記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、前記規制パルスの電位を、サステイン放電を行なうパルスの電位と略等しくしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 請求項11記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、前記第1の規制パルスの立ち下がり後に前記均一化パルスを立ち下げ、該均一化パルスの後のエッジを1μs以下の時間で0電位となるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 請求項4又は5記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、1フィ−ルドに1ないし数回、あるいは複数のフィールドに1回、サステイン放電終了後に前記第1又は第2の電極群に全画素で放電する電圧を印加して全画素同時に放電を起こし、次に細線消去パルス群を印加してすべての画素で放電し、荷電粒子の消去を行なうと共に、上記第1および第2の電極群近傍にプラスマイナスの荷電粒子を振り分けるステップを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 請求項4又は5記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、複数の細線消去パルスを前記第1の電極群および第2の電極群に交互に印加し、2番目以降の細線消去パルスの幅を最初の細線消去パルスの幅に比べて順次短くし、最後の細線消去パルスを前記一方の電極群に印加するステップを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 請求項4、5、6又は8記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、前記均一化パルスを前記一方の電極群に印加し、前記均一化パルスの後のエッジを1μs以上の時間で0電位となるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
- 第1の基板に設けられた共通に駆動される第1の電極群と、前記第1の基板に第1の電極群と平行に設けられ、独立に制御される第2電極群と、前記第1の基板に対向して配置された第2基板に設けられ、前記第1の電極群および前記第2電極群に垂直に配置された独立に制御される第3電極群と、前記第1の電極群に接続され第1の駆動パルスを印加する第1の駆動回路と、前記第2の電極群に接続され第2の駆動パルスを印加する第2の駆動回路と、前記第3の電極群に接続されアドレス用の駆動パルスを印加する第3の駆動回路とを有し、前記第1と前記第2の電極群による発行表示のためのサステイン放電終了後に、前記第1及び第2の電極群の少なくとも一方の電極群に、この電極群に接続された前記駆動回路から少なくとも1回の消去放電を伴う細線消去パルスを印加し、最後の細線消去パルスが印加された電極群に、この電極群に接続された前記駆動回路から、電源投入直後に1回のみ放電し、その後は前記電極群近傍にマイナス極性の荷電粒子を集めることで放電を伴わない電圧を印加し、他方の電極群に、この電極群に接続された前記駆動回路から前記均一化パルスの立ち上がりより遅れて均一化パルスと同極性の電圧を印加し、第1の電極群および第2の電極群の近傍に同一極性の荷電粒子を集め、第3の電極群の近傍に他の極性の荷電粒子を集めることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
- 請求項17記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、前記一方の電極群に印加された均一化パルスの立上り後0.3μs以上、2μs以下の期間で前記他方の電極群に規制パルスを印加することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
- 請求項17又は18記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、前記第1および第2の駆動回路により、前記細線消去パルスを複数発生させ、最初の細線消去パルスの幅を0.5μs以上、2μs以下とし、2番目以降の細線消去パルスの幅を順次、同等もしくは短くして印加することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
- 請求項18記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、前記第2の駆動回路により前記均一化パルスを前記第2の電極群に印加し、前記第1の駆動回路により前記第1の電極群に印加する前記規制パルスをすべての発光する画素を決定し終えるまで保持して印加することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
- 請求項17記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、前記一方の電極群に接続された前記駆動回路により第1の規制パルスと第2の規制パルスを発生させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
- 請求項18記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、前記規制パルスの電圧を、サステイン放電を行なうサステインパルスの電圧と略等しくすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
- 請求項17、18又は20記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、前記一方の駆動回路により、前記均一化パルスの後のエッジを1μs以上の時間で0電位となるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
- 請求項17記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、前記第1および第2の駆動回路の一方の駆動回路で、1フィ−ルドに1ないし数回、あるいは複数のフィールドに1回、サステイン放電終了後に前記一方の駆動回路に接続された電極群に全画素で放電する電圧を印加することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
- 請求項21記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、前記他方の電極群に印加されている前記第1規制パルスの立ち下がり後に、前記一方の駆動回路により前記均一化パルスを立ち下げ、前記均一化パルスの後のエッジを1μs以下の時間で0電位となるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
- 第1の基板に設けられた共通に駆動される第1の電極群と、前記第1の基板に第1の電極群と平行に設けられ、独立に制御される第2電極群と、前記第1の基板に対向して配置された第2基板に設けられ、前記第1の電極群および前記第2電極群に垂直に配置され独立に駆動される第3電極群と、前記第1の電極群、前記第2の電極群および前記第3の電極群の交点でセルを形成し、サステイン放電終了後から発光する画素を決定するアドレス期間の直前までの期間で直前にサステイン放電が行なわれたセルでのみサステイン放電で前記第1の電極群および第2の電極群近傍に形成された荷電粒子の消去を行ない、さらに、放電を伴わない細線消去パルスの電圧で消去放電前と逆の極性の荷電粒子を前記第1の電極群および第2の電極群近傍に集め、該放電以外では放電しない電圧によって全画素の荷電粒子状態を略等しくすることを特徴とするプラズマディスプレイ。
- 第1の基板に設けられた共通に駆動される第1の電極群と、前記第1の基板に第1の電極群と平行に設けられ、独立に制御される第2電極群と、前記第1の基板に対向して配置された第2基板に設けられ、前記第1の電極群および前記第2電極群に垂直に配置された第3電極群と、前記第1の電極群、前記第2の電極群および前記第3の電極群の交点でセルを形成し、サステイン放電後第1の電極群および第2の電極群の一方の電極群に印加された細線消去パルスの放電によって、サステイン放電されたセルのサステイン放電で前記第1の電極群および第2の電極群近傍に形成された荷電粒子の消去を行ない、さらに前記細線消去パルスの電圧で消去放電前と逆の極性の荷電粒子を前記第1の電極群および第2の電極群近傍に集め、一方の電極群に印加された放電を伴わない均一化パルスと第1の電極群と第2の電極群の他方の電極群に印加された規制パルスによって第1の電極群および第2の電極群の近傍に一方の極性の荷電粒子を集め、第3の電極群の近傍に他の極性の荷電粒子を集めて、第3の電極群による発光を決定するアドレス放電を行なうことができるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイ。
- 請求項27記載のプラズマディスプレイにおいて、一方の電極群に印加する前記均一化パルスの立上り後0.3μs以上、2μs以下の期間で前記他方の電極群に規制パルスを立ち上げるようし、前記第1および第2の電極群側に一方の極性の荷電粒子を集め、前記第3の電極群側には他方の極性の荷電粒子を集めることを特徴とするプラズマディスプレイ。
- 請求項27記載のプラズマディスプレイにおいて、前記第1の電極群に接続された第1の駆動回路および前記第2の電極群に接続された第2の駆動回路を設け、前記第1および第2の駆動回路により、前記細線消去パルスを複数個発生させ、最初の細線消去パルスの幅を0.5μs以上、2μs以下とし、2番目以降の分極パルスの幅を順次、同等もしくは短くして前記一方の電極群に最後の細線消去パルスを印加して放電で形成された前記第1の電極群および第2の電極群近傍に形成された荷電粒子の消去を行ない、さらに前記細線消去パルスの電圧で消去放電前と逆の極性の荷電粒子を前記第1の電極群および第2の電極群近傍に集めることを特徴とするプラズマディスプレイ。
- 請求項27記載のプラズマディスプレイにおいて、前記第2の電極群に接続された第2の駆動回路により前記均一化パルスを前記第2の電極群に印加し、前記第1の電極群に接続された第1の駆動回路により前記第1の電極群に印加する前記規制パルスをすべての発光する画素を決定し終えるまで保持することを特徴とするプラズマディスプレイ。
- 請求項27記載のプラズマディスプレイにおいて、前記第1の電極群に接続された第1の駆動回路および第2の電極群に接続された第2の駆動回路の一方の駆動回路により第1の規制パルスと第2の規制パルスを発生させることを特徴とするプラズマディスプレイ。
- 請求項27記載のプラズマディスプレイにおいて、前記第1の電極群に接続された第1の駆動回路と第2の電極群に接続された第2の駆動回路を設け、第1および第2の駆動回路の一方の回路により、前記規制パルスの電圧をサステイン放電を行なうパルスの電圧と略等しくして印加することを特徴とするプラズマディスプレイ。
- 請求項27記載のプラズマディスプレイにおいて、前記一方の電極群に接続された駆動回路を設け、前記駆動回路により、前記均一化パルスの後のエッジを1μs以上の時間で0電位として印加することを特徴とするプラズマディスプレイ。
- 請求項27記載の駆動装置を有するプラズマディスプレイにおいて、前記第1の電極群に接続された第1の駆動回路と、前記第2の電極群に接続された第2の駆動回路を設け、第1および第2の駆動回路の一方の回路に1フィ−ルドに1ないし数回、あるいは複数のフィールドに1回、サステイン放電終了後に全画素で同時に放電させるための全画素で放電する電圧を発生させることを特徴とするプラズマディスプレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27287897A JP3660481B2 (ja) | 1996-10-08 | 1997-10-06 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法、駆動装置及びこれを用いたプラズマディスプレイ |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26726496 | 1996-10-08 | ||
JP8-267264 | 1996-10-08 | ||
JP8-330596 | 1996-12-11 | ||
JP33059696 | 1996-12-11 | ||
JP27287897A JP3660481B2 (ja) | 1996-10-08 | 1997-10-06 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法、駆動装置及びこれを用いたプラズマディスプレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10228257A JPH10228257A (ja) | 1998-08-25 |
JP3660481B2 true JP3660481B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=27335544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27287897A Expired - Lifetime JP3660481B2 (ja) | 1996-10-08 | 1997-10-06 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法、駆動装置及びこれを用いたプラズマディスプレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3660481B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1174850A1 (en) * | 2000-01-26 | 2002-01-23 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Method for processing video pictures for display on a display device |
JP3556097B2 (ja) | 1998-06-30 | 2004-08-18 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル駆動方法 |
JP4617541B2 (ja) * | 2000-07-14 | 2011-01-26 | パナソニック株式会社 | Ac型プラズマディスプレイパネルの駆動装置 |
EP1178461B1 (en) * | 2000-08-03 | 2008-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Improved gas discharge display device |
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-
1997
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10228257A (ja) | 1998-08-25 |
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