JPH10223920A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPH10223920A JPH10223920A JP9024032A JP2403297A JPH10223920A JP H10223920 A JPH10223920 A JP H10223920A JP 9024032 A JP9024032 A JP 9024032A JP 2403297 A JP2403297 A JP 2403297A JP H10223920 A JPH10223920 A JP H10223920A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｉ層内のｐ層側の界面近傍における光吸収を
抑止することによって、応答周波数が高く且つ高調波歪
を低減する半導体受光素子を提供する。 【解決手段】半絶縁性基板１６上に、ｎ型ＩｎＰから成
るｎ+層１８と、アンドープＧａＩｎＡｓから成るｉ層
２０と、炭素（Ｃ）をドープしたｐ型ＩｎＰ又はｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓから成るｐ+層２２が積層されている。炭素
（Ｃ）は拡散性が非常に低いためｉ層２０にはほとんど
拡散せず、ｉ層２０のｐ+層２２との界面に空間電荷分
布が発生しないので、ｉ層内２０での電界強度の低下に
伴う応答周波数の低下を招来せず、実質的に応答周波数
の向上及び出力信号の高調波歪の低減が実現される。
抑止することによって、応答周波数が高く且つ高調波歪
を低減する半導体受光素子を提供する。 【解決手段】半絶縁性基板１６上に、ｎ型ＩｎＰから成
るｎ+層１８と、アンドープＧａＩｎＡｓから成るｉ層
２０と、炭素（Ｃ）をドープしたｐ型ＩｎＰ又はｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓから成るｐ+層２２が積層されている。炭素
（Ｃ）は拡散性が非常に低いためｉ層２０にはほとんど
拡散せず、ｉ層２０のｐ+層２２との界面に空間電荷分
布が発生しないので、ｉ層内２０での電界強度の低下に
伴う応答周波数の低下を招来せず、実質的に応答周波数
の向上及び出力信号の高調波歪の低減が実現される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｐｉｎ型の半導体
受光素子に関し、特に、ｉ層内のｐ層側の界面近傍にお
けるｐ型不純物の拡散を抑止することによって、応答周
波数が高く且つ高調波歪を低減する半導体受光素子に関
するものである。
受光素子に関し、特に、ｉ層内のｐ層側の界面近傍にお
けるｐ型不純物の拡散を抑止することによって、応答周
波数が高く且つ高調波歪を低減する半導体受光素子に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば光通信用のｐｉｎ型半導体
受光素子は、図３に示すように、ＩｎＰの半絶縁性基板
２上に、ｎ+層４、ｉ層６、ｐ+層８及び反射防止膜１０
が積層され、更に、ｎ+層４とｐ+層８との間に所定のバ
イアス電圧ＶRを印加するためのオーミック電極１２，
１４が形成された構造を備えている。
受光素子は、図３に示すように、ＩｎＰの半絶縁性基板
２上に、ｎ+層４、ｉ層６、ｐ+層８及び反射防止膜１０
が積層され、更に、ｎ+層４とｐ+層８との間に所定のバ
イアス電圧ＶRを印加するためのオーミック電極１２，
１４が形成された構造を備えている。
【０００３】ｎ+層４はシリコン（Ｓｉ）をドープした
ｎ型ＩｎＰ又はｎ型ＩｎＧａＡｓで形成され、ｉ層６は
ｎ型ＩｎＧａＡｓで形成され、ｐ+層８は亜鉛（Ｚｎ）
をドープしたｎ型ＩｎＰ又はｎ型ＩｎＧａＡｓで形成さ
れることにより、１．３μｍ波長帯又は１．５５μｍ波
長帯の入射光に対する感度を有している。
ｎ型ＩｎＰ又はｎ型ＩｎＧａＡｓで形成され、ｉ層６は
ｎ型ＩｎＧａＡｓで形成され、ｐ+層８は亜鉛（Ｚｎ）
をドープしたｎ型ＩｎＰ又はｎ型ＩｎＧａＡｓで形成さ
れることにより、１．３μｍ波長帯又は１．５５μｍ波
長帯の入射光に対する感度を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】かかる構造を有する従
来の半導体受光素子にあっては、ｐ+層８に拡散性の強
いＺｎをドープしているために、そのドーパントＺｎが
ｉ層６中に拡散し、その結果、ｉ層６内におけるｐ+層
８側の界面近傍（図３中、ＤＩＦで示す領域）がｐ型に
変換することによって、応答周波数が低下し且つ出力信
号の高調波歪が増大するという問題があった。
来の半導体受光素子にあっては、ｐ+層８に拡散性の強
いＺｎをドープしているために、そのドーパントＺｎが
ｉ層６中に拡散し、その結果、ｉ層６内におけるｐ+層
８側の界面近傍（図３中、ＤＩＦで示す領域）がｐ型に
変換することによって、応答周波数が低下し且つ出力信
号の高調波歪が増大するという問題があった。
【０００５】即ち、前記のドーパントＺｎがｉ層６中に
拡散して、ｐ型に変換した界面領域ＤＩＦが生じると、
界面領域ＤＩＦにおける電界強度が低下するため、この
界面領域ＤＩＦで生成されるキャリアの移動度が小さく
なり、応答周波数が低下する。特に、ｐ+層８側から光
が入射する受光素子では、この電界強度の低下した界面
領域ＤＩＦで正孔電子対が顕著に発生することとなり、
電子は迅速に拡散及びドリフトして負電極側へ移動し得
るが、正孔は界面領域ＤＩＦ中に長時間滞留して空間電
荷（プラス電荷）を形成する。そして、この空間電荷
（プラス電荷）に対応する電荷（マイナス電荷）が対局
側（図３では負電極側）に形成されることになるため、
ｐｉｎ型構造中の容量成分が増大して、応答周波数の低
下及び出力信号の高調波歪の増大を招来する。
拡散して、ｐ型に変換した界面領域ＤＩＦが生じると、
界面領域ＤＩＦにおける電界強度が低下するため、この
界面領域ＤＩＦで生成されるキャリアの移動度が小さく
なり、応答周波数が低下する。特に、ｐ+層８側から光
が入射する受光素子では、この電界強度の低下した界面
領域ＤＩＦで正孔電子対が顕著に発生することとなり、
電子は迅速に拡散及びドリフトして負電極側へ移動し得
るが、正孔は界面領域ＤＩＦ中に長時間滞留して空間電
荷（プラス電荷）を形成する。そして、この空間電荷
（プラス電荷）に対応する電荷（マイナス電荷）が対局
側（図３では負電極側）に形成されることになるため、
ｐｉｎ型構造中の容量成分が増大して、応答周波数の低
下及び出力信号の高調波歪の増大を招来する。
【０００６】本発明は、このような従来の半導体受光素
子の課題に鑑みてなされたものであり、応答周波数が高
く且つ出力信号の高調波歪の発生を低減することができ
る半導体受光素子を提供することを目的とする。
子の課題に鑑みてなされたものであり、応答周波数が高
く且つ出力信号の高調波歪の発生を低減することができ
る半導体受光素子を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに本発明は、不純物を高濃度で導入した第１導電型の
第１の層と、入射光を吸収して正孔電子対を生成し且つ
不純物を故意に導入していない第２の層とを有する半導
体受光素子において、前記第１の層に、拡散性の低い不
純物を用いることを特徴とする。
めに本発明は、不純物を高濃度で導入した第１導電型の
第１の層と、入射光を吸収して正孔電子対を生成し且つ
不純物を故意に導入していない第２の層とを有する半導
体受光素子において、前記第１の層に、拡散性の低い不
純物を用いることを特徴とする。
【０００８】また、所定の不純物を高濃度で導入した第
１導電型の第１の層と、入射光を吸収して正孔電子対を
生成し且つ不純物を故意に導入していない第２の層とを
有する半導体受光素子において、前記第１の層と前記第
２の層との間に、前記第１の層の不純物の前記第２の層
への拡散を抑止する拡散抑止層を備えることを特徴とす
る。
１導電型の第１の層と、入射光を吸収して正孔電子対を
生成し且つ不純物を故意に導入していない第２の層とを
有する半導体受光素子において、前記第１の層と前記第
２の層との間に、前記第１の層の不純物の前記第２の層
への拡散を抑止する拡散抑止層を備えることを特徴とす
る。
【０００９】
【作用】第１の層に拡散性の低い不純物を用いることに
よって、第２層の第１層との界面に不要な空間電荷分布
が発生しないため、応答周波数の向上が実現され、且つ
出力信号の高調波歪が低減される。
よって、第２層の第１層との界面に不要な空間電荷分布
が発生しないため、応答周波数の向上が実現され、且つ
出力信号の高調波歪が低減される。
【００１０】また、前記第１の層と第２の層との間に、
前記第１の層の不純物の前記第２の層への拡散を抑止す
る拡散抑止層を備えることにより、第２の層に不要な空
間電荷分布が発生しないため、応答周波数の向上が実現
され、且つ出力信号の高調波歪が低減される。
前記第１の層の不純物の前記第２の層への拡散を抑止す
る拡散抑止層を備えることにより、第２の層に不要な空
間電荷分布が発生しないため、応答周波数の向上が実現
され、且つ出力信号の高調波歪が低減される。
【００１１】
（第１の実施の形態）本発明の第１の実施の形態を図１
を参照しながら説明する。尚、同図は、本実施の形態に
係る半導体受光素子の要部構造を模式的に示した縦断面
図である。同図において、ＩｎＰの半絶縁性基板１６上
に、Ｓｉをドープしたｎ型ＩｎＰ（キャリア濃度が５×
１０18ｃｍ-3 、厚さが２５μｍ）から成るｎ+層１８
と、アンドープＧａ0.53Ｉｎ0.47Ａｓ（エネルギーギャ
ップが約０．７６ｅＶ、厚さが２．５μｍのイントリン
シックＧａＩｎＡｓ）から成るｉ層２０と、炭素（Ｃ）
をドープしたｐ型ＩｎＰ（キャリア濃度５×１０18ｃｍ
-3、エネルギーギャップが約１．３５ｅＶ、厚さ０．５
μｍ）から成るｐ+層２２が積層されている。更に、ｎ+
層１８の一端にＡｕＧｅのｎ型オーミック電極２６、ｐ
+層２２の一端にＡｕＺｎのｐ型オーミック電極２８が
形成されると共に、ｐ型オーミック電極２８で挟まれた
ｐ+層２８の光入射表面に反射防止膜２４が積層された
構造と成っている。そして、ｎ型オーミック電極２６と
ｐ型オーミック電極２８との間に所定のバイアス電圧Ｖ
Rが印加される。
を参照しながら説明する。尚、同図は、本実施の形態に
係る半導体受光素子の要部構造を模式的に示した縦断面
図である。同図において、ＩｎＰの半絶縁性基板１６上
に、Ｓｉをドープしたｎ型ＩｎＰ（キャリア濃度が５×
１０18ｃｍ-3 、厚さが２５μｍ）から成るｎ+層１８
と、アンドープＧａ0.53Ｉｎ0.47Ａｓ（エネルギーギャ
ップが約０．７６ｅＶ、厚さが２．５μｍのイントリン
シックＧａＩｎＡｓ）から成るｉ層２０と、炭素（Ｃ）
をドープしたｐ型ＩｎＰ（キャリア濃度５×１０18ｃｍ
-3、エネルギーギャップが約１．３５ｅＶ、厚さ０．５
μｍ）から成るｐ+層２２が積層されている。更に、ｎ+
層１８の一端にＡｕＧｅのｎ型オーミック電極２６、ｐ
+層２２の一端にＡｕＺｎのｐ型オーミック電極２８が
形成されると共に、ｐ型オーミック電極２８で挟まれた
ｐ+層２８の光入射表面に反射防止膜２４が積層された
構造と成っている。そして、ｎ型オーミック電極２６と
ｐ型オーミック電極２８との間に所定のバイアス電圧Ｖ
Rが印加される。
【００１２】この構造を有する半導体受光素子は、ｉ層
２０が１．３μｍ波長帯と１．５５μｍ波長帯の入射光
に対して感度を有するので、例えば光ファイバ通信等に
適用することができる。ここで、ｉ層２０に対してｐ+
層２２のエネルギーギャップが大きいので、ｐ+層２２
は前記１．３３μｍと１．５５μｍの波長帯に対して透
明になる。したがって、ｉ層２０は光吸収によりキャリ
アを生成するのに反し、ｐ+層２２では光吸収が起こら
ず、ｉ層２０のｐ+層２２との界面に空間電荷分布が発
生しないので、従来技術のようなｉ層内での電界強度の
低下に伴う応答周波数の低下を招来せず、実質的に応答
周波数の向上及び出力信号の高調波歪の低減が実現され
る。
２０が１．３μｍ波長帯と１．５５μｍ波長帯の入射光
に対して感度を有するので、例えば光ファイバ通信等に
適用することができる。ここで、ｉ層２０に対してｐ+
層２２のエネルギーギャップが大きいので、ｐ+層２２
は前記１．３３μｍと１．５５μｍの波長帯に対して透
明になる。したがって、ｉ層２０は光吸収によりキャリ
アを生成するのに反し、ｐ+層２２では光吸収が起こら
ず、ｉ層２０のｐ+層２２との界面に空間電荷分布が発
生しないので、従来技術のようなｉ層内での電界強度の
低下に伴う応答周波数の低下を招来せず、実質的に応答
周波数の向上及び出力信号の高調波歪の低減が実現され
る。
【００１３】即ち、ｐ+層２２のドーパントである炭素
（Ｃ）の拡散定数は、通常用いられている亜鉛（Ｚｎ）
の拡散定数に較べて数桁小さく、ｐ+層２２中のドーパ
ントＣのｉ層２０への拡散は実質的に無いことから、ｉ
層２０内のｐ+層２２側界面における電界強度の低下は
実質的に無視できる（換言すれば、電界強度が実質的に
低下しない）。したがって、ｉ層２０内で生成したキャ
リアの移動度が小さくなることが無く、応答周波数の向
上及び出力信号の高調波歪の低減化が実現される。
（Ｃ）の拡散定数は、通常用いられている亜鉛（Ｚｎ）
の拡散定数に較べて数桁小さく、ｐ+層２２中のドーパ
ントＣのｉ層２０への拡散は実質的に無いことから、ｉ
層２０内のｐ+層２２側界面における電界強度の低下は
実質的に無視できる（換言すれば、電界強度が実質的に
低下しない）。したがって、ｉ層２０内で生成したキャ
リアの移動度が小さくなることが無く、応答周波数の向
上及び出力信号の高調波歪の低減化が実現される。
【００１４】尚、以上の説明では、ｐ+層２２を、炭素
（Ｃ）をドープしたｐ型ＩｎＰで形成する場合を述べた
が、これに代えて、炭素（Ｃ）をドープ゜したｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰで形成してもよい。この場合にも、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰのｐ+層２２で光吸収が生じないので、ｉ層
２０とｐ+層２２の界面に空間電荷分布が発生せず、応
答周波数の向上及び出力信号の高調波歪が低減される。
（Ｃ）をドープしたｐ型ＩｎＰで形成する場合を述べた
が、これに代えて、炭素（Ｃ）をドープ゜したｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰで形成してもよい。この場合にも、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰのｐ+層２２で光吸収が生じないので、ｉ層
２０とｐ+層２２の界面に空間電荷分布が発生せず、応
答周波数の向上及び出力信号の高調波歪が低減される。
【００１５】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態を図２を参照しながら説明する。同図は、
本実施の形態に係る半導体受光素子の要部構造を模式的
に示した縦断面図である。同図において、ＩｎＰの半絶
縁性基板３０上に、Ｓｉをドープしたｎ型ＩｎＰ（キャ
リア濃度が５×１０18ｃｍ-3 、厚さが２５μｍ）から
成るｎ+層３２と、アンドープＧａ0.53Ｉｎ0.47Ａｓ
（エネルギーギャップが約０．７６ｅＶ、厚さが２．５
μｍ）から成るｉ層３４と、不純物の拡散を阻止するた
めの拡散抑止層３６と、亜鉛（Ｚｎ）をドープしたｐ型
ＩｎＰ又は亜鉛（Ｚｎ）をドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐから成るｐ+層３８が積層され、更に、ｎ+層３２の一
端にＡｕＧｅのｎ型オーミック電極４２、ｐ+層３８の
一端にＡｕＺｎのｐ型オーミック電極４４が形成される
と共に、ｐ型オーミック電極４４で挟まれたｐ+層３８
の光入射表面に反射防止膜４０が積層されている。
の実施の形態を図２を参照しながら説明する。同図は、
本実施の形態に係る半導体受光素子の要部構造を模式的
に示した縦断面図である。同図において、ＩｎＰの半絶
縁性基板３０上に、Ｓｉをドープしたｎ型ＩｎＰ（キャ
リア濃度が５×１０18ｃｍ-3 、厚さが２５μｍ）から
成るｎ+層３２と、アンドープＧａ0.53Ｉｎ0.47Ａｓ
（エネルギーギャップが約０．７６ｅＶ、厚さが２．５
μｍ）から成るｉ層３４と、不純物の拡散を阻止するた
めの拡散抑止層３６と、亜鉛（Ｚｎ）をドープしたｐ型
ＩｎＰ又は亜鉛（Ｚｎ）をドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐから成るｐ+層３８が積層され、更に、ｎ+層３２の一
端にＡｕＧｅのｎ型オーミック電極４２、ｐ+層３８の
一端にＡｕＺｎのｐ型オーミック電極４４が形成される
と共に、ｐ型オーミック電極４４で挟まれたｐ+層３８
の光入射表面に反射防止膜４０が積層されている。
【００１６】更に、ｉ層３４とｐ+層３８間に設けられ
た拡散抑止層３６は、厚さ約１０ÅのアンドープＩｎＰ
の層と、厚さ約１０ÅのＩｎ0.81Ｇａ0.19Ａｓ0.4Ｐ0.6
の層とを交互に積層して夫々５層ずつ設けることによ
り、全体として約１００Åの厚さに形成された超格子構
造となっている。尚、この拡散抑止層３６の厚さは、入
射光に応じてｉ層３４で生成される正孔がトンネル効果
によって容易にｐ+層３８側へ移動できる厚さに設定す
る必要がある。
た拡散抑止層３６は、厚さ約１０ÅのアンドープＩｎＰ
の層と、厚さ約１０ÅのＩｎ0.81Ｇａ0.19Ａｓ0.4Ｐ0.6
の層とを交互に積層して夫々５層ずつ設けることによ
り、全体として約１００Åの厚さに形成された超格子構
造となっている。尚、この拡散抑止層３６の厚さは、入
射光に応じてｉ層３４で生成される正孔がトンネル効果
によって容易にｐ+層３８側へ移動できる厚さに設定す
る必要がある。
【００１７】そして、ｎ型オーミック電極４２とｐ型オ
ーミック電極４４との間に所定のバイアス電圧ＶRが印
加される。
ーミック電極４４との間に所定のバイアス電圧ＶRが印
加される。
【００１８】この構造を有する半導体受光素子は、ｉ層
３４が１．３μｍ波長帯と１．５５μｍ波長帯の入射光
に対して感度を有するのに反して、拡散抑止層３６は、
これらの波長帯に対して透明になり、且つｐ+層３８内
のドーパント（Ｚｎ）のｉ層３４への拡散を阻止する機
能を発揮する。したがって、ｉ層３４内の拡散抑止層３
６側界面近傍に空間電荷分布が発生しないことから、こ
の界面近傍における電界強度の低下を招来せず、実質的
に応答周波数の向上及び出力信号の高調波歪の低減が実
現される。また、拡散抑止層３６を設けたことにより、
通常用いられるＺｎをドープしたｐ+層３８を有する半
導体受光素子を提供することができる。
３４が１．３μｍ波長帯と１．５５μｍ波長帯の入射光
に対して感度を有するのに反して、拡散抑止層３６は、
これらの波長帯に対して透明になり、且つｐ+層３８内
のドーパント（Ｚｎ）のｉ層３４への拡散を阻止する機
能を発揮する。したがって、ｉ層３４内の拡散抑止層３
６側界面近傍に空間電荷分布が発生しないことから、こ
の界面近傍における電界強度の低下を招来せず、実質的
に応答周波数の向上及び出力信号の高調波歪の低減が実
現される。また、拡散抑止層３６を設けたことにより、
通常用いられるＺｎをドープしたｐ+層３８を有する半
導体受光素子を提供することができる。
【００１９】尚、拡散抑止層３６にＩｎＰ／ＩｎＧａＡ
ｓ超格子を適用する場合を述べたが、ＩｎＰ／ＧａＡｓ
超格子を適用しても同様の効果を得ることができる。但
し、ＩｎＰ／ＧａＡｓ超格子を適用する場合、ＩｎＰ半
絶縁性基板３０に対してＧａＡｓが不整系となるが、格
子不整による欠陥が発生しない臨界厚以下であれば、超
格子を形成することが可能である。
ｓ超格子を適用する場合を述べたが、ＩｎＰ／ＧａＡｓ
超格子を適用しても同様の効果を得ることができる。但
し、ＩｎＰ／ＧａＡｓ超格子を適用する場合、ＩｎＰ半
絶縁性基板３０に対してＧａＡｓが不整系となるが、格
子不整による欠陥が発生しない臨界厚以下であれば、超
格子を形成することが可能である。
【００２０】また、亜鉛（Ｚｎ）をドープしたｐ型Ｉｎ
Ｐ又は亜鉛（Ｚｎ）をドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓＰか
ら成るｐ+層３８を用いた半導体受光素子について説明
したが、このｐ+層３８を、炭素（Ｃ）をドープしたｐ
型ＩｎＰ又は炭素（Ｃ）をドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐで形成してもよい。かかる構造によれば、炭素（Ｃ）
をドープしたｐ+層３８が光吸収しないので不要な空間
電荷分布の発生が抑止され、且つ拡散抑止層３６の存在
と併せた効果が得られて、応答周波数の向上及び高調波
歪の低減が実現される。
Ｐ又は亜鉛（Ｚｎ）をドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓＰか
ら成るｐ+層３８を用いた半導体受光素子について説明
したが、このｐ+層３８を、炭素（Ｃ）をドープしたｐ
型ＩｎＰ又は炭素（Ｃ）をドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐで形成してもよい。かかる構造によれば、炭素（Ｃ）
をドープしたｐ+層３８が光吸収しないので不要な空間
電荷分布の発生が抑止され、且つ拡散抑止層３６の存在
と併せた効果が得られて、応答周波数の向上及び高調波
歪の低減が実現される。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体受光
素子によれば、第１の層に拡散性の低い不純物を用いる
ことにより、第２層内の第１層との界面付近に、拡散し
た不純物に起因する空間電荷領域が発生しなくなるの
で、第２の層中の光吸収で生成されるキャリアを迅速に
遷移させることができて、応答周波数の向上及び出力信
号の高調波歪の低減化が実現される。
素子によれば、第１の層に拡散性の低い不純物を用いる
ことにより、第２層内の第１層との界面付近に、拡散し
た不純物に起因する空間電荷領域が発生しなくなるの
で、第２の層中の光吸収で生成されるキャリアを迅速に
遷移させることができて、応答周波数の向上及び出力信
号の高調波歪の低減化が実現される。
【００２２】また、前記第１の層と第２の層との間に、
前記第１の層の不純物の前記第２の層への拡散を抑止す
る拡散抑止層を備えることにより、第２の層に不要な空
間電荷分布が発生しないため、第２の層中の光吸収で生
成されるキャリアを迅速に遷移させることができて、応
答周波数の向上及び出力信号の高調波歪の低減化が実現
される。
前記第１の層の不純物の前記第２の層への拡散を抑止す
る拡散抑止層を備えることにより、第２の層に不要な空
間電荷分布が発生しないため、第２の層中の光吸収で生
成されるキャリアを迅速に遷移させることができて、応
答周波数の向上及び出力信号の高調波歪の低減化が実現
される。
【図１】第１の実施の形態に係る半導体受光素子の要部
構造を模式的に示す縦断面図である。
構造を模式的に示す縦断面図である。
【図２】第２の実施の形態に係る半導体受光素子の要部
構造を模式的に示す縦断面図である。
構造を模式的に示す縦断面図である。
【図３】従来の半導体受光素子の構造を示す縦断面図で
ある。
ある。
１６，３０…半絶縁性基板、１８，３２…ｎ+層、２
０，３４…ｉ層、２２，３８…ｐ+層、２４，４０…反
射防止膜、２６，４２…ｎ型オーミック電極、２８，４
４…ｐ型オーミック電極、３６…拡散抑止層。
０，３４…ｉ層、２２，３８…ｐ+層、２４，４０…反
射防止膜、２６，４２…ｎ型オーミック電極、２８，４
４…ｐ型オーミック電極、３６…拡散抑止層。
Claims (6)
- 【請求項１】 不純物を高濃度で導入した第１導電型の
第１の層と、 入射光を吸収して正孔電子対を生成し且つ不純物を故意
に導入していない第２の層とを有する半導体受光素子に
おいて、 前記第１の層に、拡散性の低い不純物を用いることを特
徴とする半導体受光素子。 - 【請求項２】 不純物を高濃度で導入した第１導電型の
第１の層と、 入射光を吸収して正孔電子対を生成し且つ不純物を故意
に導入していない第２の層とを有する半導体受光素子に
おいて、 前記第１の層と前記第２の層との間に、前記第１の層の
不純物の前記第２の層への拡散を抑止する拡散抑止層を
備えることを特徴とする半導体受光素子。 - 【請求項３】 前記第１の層は、ＩｎＰ又はＩｎＧａＡ
ｓＰから成り、前記第２の層は、ＩｎＧａＡｓから成る
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体受光素
子。 - 【請求項４】 前記拡散抑止層は、ＩｎＡｓとＧａＡｓ
の超格子で構成されることを特徴とする請求項２に記載
の半導体受光素子。 - 【請求項５】 前記拡散抑止層は、ＩｎＰとＧａＡｓの
超格子で構成されることを特徴とする請求項２に記載の
半導体受光素子。 - 【請求項６】 前記第１の層は、前記不純物として炭素
が導入されたｐ型導電性を有することを特徴とする請求
項１又は２に記載の半導体受光素子。
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|---|---|---|---|
| JP02403297A JP3172996B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02403297A JP3172996B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 半導体受光素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223920A true JPH10223920A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3172996B2 JP3172996B2 (ja) | 2001-06-04 |
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ID=12127185
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP02403297A Expired - Fee Related JP3172996B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172996B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019544A1 (en) * | 1998-09-25 | 2000-04-06 | Picometrix Inc. | Highly-doped p-type contact for high-speed, front-side illuminated photodiode |
| JP2002314118A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
-
1997
- 1997-02-06 JP JP02403297A patent/JP3172996B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019544A1 (en) * | 1998-09-25 | 2000-04-06 | Picometrix Inc. | Highly-doped p-type contact for high-speed, front-side illuminated photodiode |
| AU765715B2 (en) * | 1998-09-25 | 2003-09-25 | Picometrix, Inc. | Highly-doped p-type contact for high-speed, front-side illuminated photodiode |
| KR100660471B1 (ko) * | 1998-09-25 | 2006-12-22 | 피코메트릭스 아이엔씨. | 고속 정면 조사형 포토 다이오드용의 고도화 도핑된 ｐ형접점 |
| JP2002314118A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3172996B2 (ja) | 2001-06-04 |
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