JPH1022282A - 酸化シリコン膜の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
酸化シリコン膜の製造方法およびその製造装置Info
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- JPH1022282A JPH1022282A JP17771896A JP17771896A JPH1022282A JP H1022282 A JPH1022282 A JP H1022282A JP 17771896 A JP17771896 A JP 17771896A JP 17771896 A JP17771896 A JP 17771896A JP H1022282 A JPH1022282 A JP H1022282A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】スループットが高く、基板間の特性差が少ない
酸化シリコン膜の製造方法およびこれに用いる製造装置
を提供する。 【解決手段】酸化シリコン生成のための第２の熱処理
を、加熱プレートによる加熱と高光エネルギを有する電
磁波の照射を併用して行う。 【効果】基板を高温度に加熱することなしに、短時間に
酸化シリコンを生成することができる、スループットが
向上し、しかも、基板間の特性の差が減少して信頼性が
向上する。
酸化シリコン膜の製造方法およびこれに用いる製造装置
を提供する。 【解決手段】酸化シリコン生成のための第２の熱処理
を、加熱プレートによる加熱と高光エネルギを有する電
磁波の照射を併用して行う。 【効果】基板を高温度に加熱することなしに、短時間に
酸化シリコンを生成することができる、スループットが
向上し、しかも、基板間の特性の差が減少して信頼性が
向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は酸化シリコン膜の製
造方法およびそれに用いる製造装置に関し、詳しくは塗
布ガラス塗布膜の熱処理による酸化シリコン膜の製造方
法およびこれに用いる製造装置に関する。
造方法およびそれに用いる製造装置に関し、詳しくは塗
布ガラス塗布膜の熱処理による酸化シリコン膜の製造方
法およびこれに用いる製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、酸化シリコン膜を製造す
る方法として、熱酸化法およびＣＶＤ（化学気相成長）
法の他に、塗布によって形成する方法が知られている。
塗布法によって酸化シリコン膜を形成する方法は、塗布
ガラスと呼ばれる液を基板表面上に塗布して塗布膜を形
成した後、熱処理を行なって上記塗布膜を酸化シリコン
膜にするものであり、表面に段差を有する基板上酸化シ
リコン膜を形成する場合に特に有効である。
る方法として、熱酸化法およびＣＶＤ（化学気相成長）
法の他に、塗布によって形成する方法が知られている。
塗布法によって酸化シリコン膜を形成する方法は、塗布
ガラスと呼ばれる液を基板表面上に塗布して塗布膜を形
成した後、熱処理を行なって上記塗布膜を酸化シリコン
膜にするものであり、表面に段差を有する基板上酸化シ
リコン膜を形成する場合に特に有効である。
【０００３】上記塗布ガラスとしては、スピン・オン・
グラス（商品名；以下、ＳＯＧと記す）が広く用いられ
ており、通常、下記のように行なわれる。 （１）表面に酸化シリコン膜を形成すべき基板の温度を
一定に保ち、所定の温度および湿度に雰囲気が管理され
た塗布スピンコータに上記基板を搬送した後、所定量の
ＳＯＧ液をこの基板の中心部に適下する。
グラス（商品名；以下、ＳＯＧと記す）が広く用いられ
ており、通常、下記のように行なわれる。 （１）表面に酸化シリコン膜を形成すべき基板の温度を
一定に保ち、所定の温度および湿度に雰囲気が管理され
た塗布スピンコータに上記基板を搬送した後、所定量の
ＳＯＧ液をこの基板の中心部に適下する。
【０００４】（２）上記塗布スピンコータによって上記
基板を低速回転して、基板表面全体に上記ＳＯＧ液を塗
布した後、高速回転して所定の膜厚および基板面内膜厚
均一性を得る。
基板を低速回転して、基板表面全体に上記ＳＯＧ液を塗
布した後、高速回転して所定の膜厚および基板面内膜厚
均一性を得る。
【０００５】（３）上記ＳＯＧ液中に含まれる溶剤を除
去できる温度および雰囲気に保たれたプレート部に上記
基板を搬送して一定時間置き、上記溶剤を気散させて除
去する（第１の熱処理）。
去できる温度および雰囲気に保たれたプレート部に上記
基板を搬送して一定時間置き、上記溶剤を気散させて除
去する（第１の熱処理）。
【０００６】（４）上記基板を石英ボートに移し、ベー
ク炉内に搬送して、上記石英ボートをドーム状の石英治
具で覆い、所定のガスを上記石英治具内に流して石英治
具内の雰囲気を制御した後、所定温度の最終熱処理を所
定時間行なって、上記ＳＯＧ液中のＯＨ基や水分を除去
して酸化シリコン膜を形成する（第２の熱処理）。
ク炉内に搬送して、上記石英ボートをドーム状の石英治
具で覆い、所定のガスを上記石英治具内に流して石英治
具内の雰囲気を制御した後、所定温度の最終熱処理を所
定時間行なって、上記ＳＯＧ液中のＯＨ基や水分を除去
して酸化シリコン膜を形成する（第２の熱処理）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法におい
ては、下記問題があった。すなわち、上記ベーク炉内に
おける第２の熱処理の際には、ＳＯＧ自体の化学反応に
よって酸化シリコンが生成される。しかし、ＳＯＧ塗布
膜の熱処理によって形成される酸化シリコン膜は、主と
して層間絶縁膜として使用されるため、上記第２熱処理
の温度が高いと、ＳＯＧ塗布膜の下に形成されている配
線の抵抗が高くなってしまい、動作速度の低下など好ま
しくない障害が発生する恐れがある。そのため、上記第
２の熱処理の温度をあまり高くすることができず、４０
０℃前後としなければならないので、ＳＯＧ膜から酸化
シリコン膜を形成するためには長時間（約６０〜９０
分）の熱処理を行なう必要があり、スループットが低か
った。
ては、下記問題があった。すなわち、上記ベーク炉内に
おける第２の熱処理の際には、ＳＯＧ自体の化学反応に
よって酸化シリコンが生成される。しかし、ＳＯＧ塗布
膜の熱処理によって形成される酸化シリコン膜は、主と
して層間絶縁膜として使用されるため、上記第２熱処理
の温度が高いと、ＳＯＧ塗布膜の下に形成されている配
線の抵抗が高くなってしまい、動作速度の低下など好ま
しくない障害が発生する恐れがある。そのため、上記第
２の熱処理の温度をあまり高くすることができず、４０
０℃前後としなければならないので、ＳＯＧ膜から酸化
シリコン膜を形成するためには長時間（約６０〜９０
分）の熱処理を行なう必要があり、スループットが低か
った。
【０００８】しかも、上記のように、第２の熱処理が他
の工程よりはるかに長時間を要するため、他の工程は枚
葉処理によって処理できるにもかかわらず、第２の熱処
理のみは枚葉処理を行なうことはできず、バッチ処理を
行なう他なかった。そのため、基板によって第１の熱処
理から第２の熱処理までの待ち時間に差が生じ、ＳＯＧ
塗布膜の経時変化によって膜質の基板間変動が生ずる恐
れがあった。
の工程よりはるかに長時間を要するため、他の工程は枚
葉処理によって処理できるにもかかわらず、第２の熱処
理のみは枚葉処理を行なうことはできず、バッチ処理を
行なう他なかった。そのため、基板によって第１の熱処
理から第２の熱処理までの待ち時間に差が生じ、ＳＯＧ
塗布膜の経時変化によって膜質の基板間変動が生ずる恐
れがあった。
【０００９】このように、上記従来の方法では、第２の
熱処理工程の作業性が低く処理に長時間を必要とする、
および得られた酸化シリコン膜の膜質が基板間で変動す
る恐れがあるという問題があった。
熱処理工程の作業性が低く処理に長時間を必要とする、
および得られた酸化シリコン膜の膜質が基板間で変動す
る恐れがあるという問題があった。
【００１０】本発明の目的は、従来の方法が有する上記
問題を解決し、所要時間が短く、しかも基板間における
膜質変動が小さい酸化シリコン膜の製造方法およびこれ
に用いる酸化シリコン膜の製造装置を提供することであ
る。
問題を解決し、所要時間が短く、しかも基板間における
膜質変動が小さい酸化シリコン膜の製造方法およびこれ
に用いる酸化シリコン膜の製造装置を提供することであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の酸化シリコン膜の製造方法は、基板の表面上
に塗布ガラス液を塗布して塗布膜を形成する工程と、第
１の熱処理を行って上記塗布膜中の水分を除去する工程
と、第２の熱処理を行って上記塗布膜中のＯＨ基および
残った水分を除去して酸化シリコン膜を形成する工程を
含み、少なくとも上記第２の熱処理は、上記塗布膜に電
磁波を照射しながら行われることを特徴とする。
の本発明の酸化シリコン膜の製造方法は、基板の表面上
に塗布ガラス液を塗布して塗布膜を形成する工程と、第
１の熱処理を行って上記塗布膜中の水分を除去する工程
と、第２の熱処理を行って上記塗布膜中のＯＨ基および
残った水分を除去して酸化シリコン膜を形成する工程を
含み、少なくとも上記第２の熱処理は、上記塗布膜に電
磁波を照射しながら行われることを特徴とする。
【００１２】すなわち、本発明は、酸化シリコン膜を表
面上に形成すべき基板上に塗布ガラス液を塗布して塗布
膜を形成した後、第１の熱処理を行なってこの塗布膜中
の水分の大部分を除去し、さらに第２の熱処理を、電磁
波を照射しながら行なう。上記電磁波を照射することに
よって、上記第２の熱処理の温度を、著しく低くし、所
要時間を短縮することができる。
面上に形成すべき基板上に塗布ガラス液を塗布して塗布
膜を形成した後、第１の熱処理を行なってこの塗布膜中
の水分の大部分を除去し、さらに第２の熱処理を、電磁
波を照射しながら行なう。上記電磁波を照射することに
よって、上記第２の熱処理の温度を、著しく低くし、所
要時間を短縮することができる。
【００１３】上記塗布膜は、上記塗布ガラス液を上記基
板の中心部近傍に滴下した後、上記基板を面内方向に回
転することによって行われる。回転数と時間を制御する
ことによって、所望膜厚を容易に得ることができる。
板の中心部近傍に滴下した後、上記基板を面内方向に回
転することによって行われる。回転数と時間を制御する
ことによって、所望膜厚を容易に得ることができる。
【００１４】上記第１の熱処理は、５０℃〜３００℃の
範囲内の温度で行われ、塗布膜中の水分の大部分は容易
に除去される。
範囲内の温度で行われ、塗布膜中の水分の大部分は容易
に除去される。
【００１５】また、上記第２の熱処理は２００℃〜５０
０℃の範囲内の温度で行われる。電磁波を照射しながら
第２の熱処理が行なわれるので、電磁波を照射しない場
合にくらべてはるかに低い温度で塗布膜を酸化シリコン
膜とすることができ、所要時間も短縮される。
０℃の範囲内の温度で行われる。電磁波を照射しながら
第２の熱処理が行なわれるので、電磁波を照射しない場
合にくらべてはるかに低い温度で塗布膜を酸化シリコン
膜とすることができ、所要時間も短縮される。
【００１６】上記第１の熱処理は、不活性ガス雰囲気中
で行われる。
で行われる。
【００１７】上記第２の熱処理において照射される電磁
波としては、エキシマレーザ、色素レーザ、Ｎ2レー
ザ、水銀ランプおよび重水素ランプからなる群から選択
されたものを使用することができ、いずれを用いても好
ましい結果が得られる。
波としては、エキシマレーザ、色素レーザ、Ｎ2レー
ザ、水銀ランプおよび重水素ランプからなる群から選択
されたものを使用することができ、いずれを用いても好
ましい結果が得られる。
【００１８】上記第２の熱処理のみではなく、上記第１
の熱処理も、上記塗布膜に電磁波を照射して行ってもよ
い。電磁波の照射が、第１の熱処理の温度の低下および
所要時間の短縮に有効であることは第２の熱処理の場合
と同じである。
の熱処理も、上記塗布膜に電磁波を照射して行ってもよ
い。電磁波の照射が、第１の熱処理の温度の低下および
所要時間の短縮に有効であることは第２の熱処理の場合
と同じである。
【００１９】上記電磁波を照射しながら熱処理を行なう
装置としては、反応容器内の所定の位置に配置された、
その表面上に酸化シリコン膜を形成すべき基板を所定の
温度に加熱するための加熱手段と、この加熱手段の上方
に配置された、上記基板に電磁波を照射する光源と、上
記反応容器内に所定のガスを供給する手段を少なくとも
具備した加熱部を有する酸化シリコン膜製造装置を用い
ることができる。
装置としては、反応容器内の所定の位置に配置された、
その表面上に酸化シリコン膜を形成すべき基板を所定の
温度に加熱するための加熱手段と、この加熱手段の上方
に配置された、上記基板に電磁波を照射する光源と、上
記反応容器内に所定のガスを供給する手段を少なくとも
具備した加熱部を有する酸化シリコン膜製造装置を用い
ることができる。
【００２０】上記加熱手段としては加熱プレートを用い
ることができ、この加熱プレートと上記光源の間に、開
閉可能な遮光板を設けることによって、上記電磁波の照
射を、極めて容易に制御することができ、さらに、上記
光源と上記遮光板の間には石英板を設けることができ
る。
ることができ、この加熱プレートと上記光源の間に、開
閉可能な遮光板を設けることによって、上記電磁波の照
射を、極めて容易に制御することができ、さらに、上記
光源と上記遮光板の間には石英板を設けることができ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】上記第１の熱処理は、ＳＯＧ塗布
膜から大部分の水分を除去するために行われるのであ
り、その温度範囲は５０℃〜３００℃とするのが好まし
く、所要時間は３０秒〜３００秒である。
膜から大部分の水分を除去するために行われるのであ
り、その温度範囲は５０℃〜３００℃とするのが好まし
く、所要時間は３０秒〜３００秒である。
【００２２】また、上記第２の熱処理は、ＳＯＧ塗布膜
からＯＨ基や残った水分などを除去するとともに、ＳＯ
Ｇ塗布膜を酸化シリコン膜に変えるために行われるので
あり、その温度範囲は２００℃〜５００℃とするのが好
ましい。この場合の所要時間は６０秒〜６００秒の範囲
内である。
からＯＨ基や残った水分などを除去するとともに、ＳＯ
Ｇ塗布膜を酸化シリコン膜に変えるために行われるので
あり、その温度範囲は２００℃〜５００℃とするのが好
ましい。この場合の所要時間は６０秒〜６００秒の範囲
内である。
【００２３】上記第１の熱処理は不活性ガス雰囲気中で
行われ、例えば窒素、アルゴンまたはヘリウムなどの単
独または混合ガス雰囲気中で行うことができる。また、
上記第２の熱処理は、任意のガス雰囲気中で行ってＳＯ
Ｇ塗布膜を酸化し、酸化シリコン膜を形成する。その雰
囲気としては、例えば窒素、酸素または酸素＋水蒸気と
することができる。
行われ、例えば窒素、アルゴンまたはヘリウムなどの単
独または混合ガス雰囲気中で行うことができる。また、
上記第２の熱処理は、任意のガス雰囲気中で行ってＳＯ
Ｇ塗布膜を酸化し、酸化シリコン膜を形成する。その雰
囲気としては、例えば窒素、酸素または酸素＋水蒸気と
することができる。
【００２４】上記第２の熱処理の際における電磁波の照
射は、エキシマランプ、水銀ランプ、または重水素ラン
プを用いて行うことができる。
射は、エキシマランプ、水銀ランプ、または重水素ラン
プを用いて行うことができる。
【００２５】
〈実施例１〉図１を用いて本発明の実施例を説明する。
図１は本実施例における最終熱処理に用いられる加熱部
を示す断面図である。
図１は本実施例における最終熱処理に用いられる加熱部
を示す断面図である。
【００２６】まず、半導体（シリコン）基板上に、段差
０．９μｍの配線パターンを形成した後、周知のＣＶＤ
法（化学気相成長法）によって厚さ０．５μｍの酸化シ
リコン膜を全面に形成した。
０．９μｍの配線パターンを形成した後、周知のＣＶＤ
法（化学気相成長法）によって厚さ０．５μｍの酸化シ
リコン膜を全面に形成した。
【００２７】次に、上記基板を、ＳＯＧ液の塗布と熱処
理を一貫して行なうことができる装置に移し、基板間に
おけるＳＯＧ膜厚および面内膜厚分布均一性の変動を抑
制するため、２０℃に保たれたプレート上に１分間放置
して、基板温度を一定にした。
理を一貫して行なうことができる装置に移し、基板間に
おけるＳＯＧ膜厚および面内膜厚分布均一性の変動を抑
制するため、２０℃に保たれたプレート上に１分間放置
して、基板温度を一定にした。
【００２８】スピンコータ（回転塗布機）に上記基板を
セットして、ＳＯＧ液を上記基板の中心近傍に滴下した
後、スピンコータを動作させて上記基板を面内方向に回
転し、ＳＯＧ塗布膜を形成した。この際の基板の回転数
は、ＳＯＧ塗布膜の所望膜厚によって適宜選択すること
ができ、本実施例では１５００ｒｐｍ、１分間の回転処
理を行なって、厚さ０．５μｍのＳＯＧ塗布膜を形成し
た。
セットして、ＳＯＧ液を上記基板の中心近傍に滴下した
後、スピンコータを動作させて上記基板を面内方向に回
転し、ＳＯＧ塗布膜を形成した。この際の基板の回転数
は、ＳＯＧ塗布膜の所望膜厚によって適宜選択すること
ができ、本実施例では１５００ｒｐｍ、１分間の回転処
理を行なって、厚さ０．５μｍのＳＯＧ塗布膜を形成し
た。
【００２９】次に、窒素雰囲気中で第１の熱処理を行な
って、上記ＳＯＧ塗布膜中に含まれる溶媒の大部分を除
去した。この第１の熱処理は、窒素雰囲気中において、
３段階の温度（約１００℃、約１５０℃および約２５０
℃）に保ったプレート部を、低温の方から順次動かして
行なった。各プレートは密室構造を有しており、各プレ
ート部上における上記基板の滞留時間は、それぞれ約２
００秒とした。
って、上記ＳＯＧ塗布膜中に含まれる溶媒の大部分を除
去した。この第１の熱処理は、窒素雰囲気中において、
３段階の温度（約１００℃、約１５０℃および約２５０
℃）に保ったプレート部を、低温の方から順次動かして
行なった。各プレートは密室構造を有しており、各プレ
ート部上における上記基板の滞留時間は、それぞれ約２
００秒とした。
【００３０】第１の熱処理の終った上記基板を、図１に
示した加熱部に移して第２の熱処理を行ない、上記ＳＯ
Ｇ塗布膜中に含まれるＯＨ基および水分の大部分を除去
して、酸化シリコン膜を生成した。
示した加熱部に移して第２の熱処理を行ない、上記ＳＯ
Ｇ塗布膜中に含まれるＯＨ基および水分の大部分を除去
して、酸化シリコン膜を生成した。
【００３１】すなわち、シャッタ５を開いて、あらかじ
め窒素雰囲気とされた加熱部内に上記基板４を搬送し、
加熱プレート１上に置いてシャッタ５を閉じた。上記加
熱プレート１は、あらかじめヒータ１０に通電して３０
０℃に保たれている。
め窒素雰囲気とされた加熱部内に上記基板４を搬送し、
加熱プレート１上に置いてシャッタ５を閉じた。上記加
熱プレート１は、あらかじめヒータ１０に通電して３０
０℃に保たれている。
【００３２】次に、遮光板３を開くとともに、配線７に
通電してエキシマランプ２を動作させて、エキシマラン
プ２から発生した高エネルギの電磁波を、上記基板４の
表面に照射した。この状態を２００秒続けて、上記基板
４の表面上に形成された上記ＳＯＧ塗布膜を酸化シリコ
ン膜に変化させた。
通電してエキシマランプ２を動作させて、エキシマラン
プ２から発生した高エネルギの電磁波を、上記基板４の
表面に照射した。この状態を２００秒続けて、上記基板
４の表面上に形成された上記ＳＯＧ塗布膜を酸化シリコ
ン膜に変化させた。
【００３３】本実施例によれば、ＳＯＧ液の塗布から酸
化シリコン膜の形成までに要する時間は、従来の方法の
１／２以下に短縮された。また、第１および第２の熱処
理の所要時間の差がなくなり、各基板の処理時間がほと
んど同一になったため、得られた酸化シリコン膜の特性
の基板間差は極めて少なくなり、信頼性は著しく向上し
た。
化シリコン膜の形成までに要する時間は、従来の方法の
１／２以下に短縮された。また、第１および第２の熱処
理の所要時間の差がなくなり、各基板の処理時間がほと
んど同一になったため、得られた酸化シリコン膜の特性
の基板間差は極めて少なくなり、信頼性は著しく向上し
た。
【００３４】なお、図１において、符号８は上記エキシ
マランプ２を保持するためのステンレス板、６は石英
板、９は加熱プレート１０を保持するためのステンレス
台を、それぞれ示す。
マランプ２を保持するためのステンレス板、６は石英
板、９は加熱プレート１０を保持するためのステンレス
台を、それぞれ示す。
【００３５】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、ＳＯＧ膜の形成から酸化シリコン膜の形成まで
に要する時間が、従来の方法の１／２以下に短縮するこ
とができる。しかも、高エネルギの電磁波照射が加熱と
併用されるので、熱処理温度をあまり高くする必要がな
い。そのため、酸化シリコンを短時間で生成できるばか
りでなく、酸化シリコン生成の際に配線の粒子が成長す
ることがなく、高い信頼性を持った半導体装置が形成で
きる。
よれば、ＳＯＧ膜の形成から酸化シリコン膜の形成まで
に要する時間が、従来の方法の１／２以下に短縮するこ
とができる。しかも、高エネルギの電磁波照射が加熱と
併用されるので、熱処理温度をあまり高くする必要がな
い。そのため、酸化シリコンを短時間で生成できるばか
りでなく、酸化シリコン生成の際に配線の粒子が成長す
ることがなく、高い信頼性を持った半導体装置が形成で
きる。
【図１】本発明の酸化シリコン膜の製造装置の加熱部の
構造を説明するための図。
構造を説明するための図。
１…加熱プレート、２…エキシマランプ、３…遮光板、
４…基板、５…シャッタ、６…石英板、７…配線、８…
ステンレス板、 ９…ステンレス台、１０…ヒータ。
４…基板、５…シャッタ、６…石英板、７…配線、８…
ステンレス板、 ９…ステンレス台、１０…ヒータ。
Claims (10)
- 【請求項１】基板の表面上に塗布ガラス液を塗布して塗
布膜を形成する工程と、第１の熱処理を行って上記塗布
膜中の水分を除去する工程と、第２の熱処理を行って上
記塗布膜中のＯＨ基および残った水分を除去して酸化シ
リコン膜を形成する工程を含み、少なくとも上記第２の
熱処理は、上記塗布膜に電磁波を照射しながら行われる
ことを特徴とする酸化シリコン膜の製造方法。 - 【請求項２】上記塗布膜を形成する工程は、上記塗布ガ
ラス液を上記基板の中心部近傍に滴下した後、上記基板
を面内方向に回転することによって行われることを特徴
とする請求項１に記載の酸化シリコン膜の製造方法。 - 【請求項３】上記第１の熱処理は５０℃〜３００℃の範
囲内の温度で行われることを特徴とする請求項１若しく
は２に記載の酸化シリコン膜の製造方法。 - 【請求項４】上記第２の熱処理は２００℃〜５００℃の
範囲内の温度で行われることを特徴とする請求項１から
３のいずれか一に記載の酸化シリコン膜の製造方法。 - 【請求項５】上記第１の熱処理は不活性ガス雰囲気中で
行われることを特徴とする請求項１から４のいずれか一
に記載の酸化シリコン膜の製造方法。 - 【請求項６】上記電磁波は、エキシマレーザ、色素レー
ザ、Ｎ2レーザ、水銀ランプおよび重水素ランプからな
る群から選択されることを特徴とする請求項１から５の
いずれか一に記載の酸化シリコン膜の製造方法。 - 【請求項７】上記第１の熱処理は、上記塗布膜に電磁波
を照射して行われることを特徴とする請求項１から６の
いずれか一に記載の酸化シリコン膜の製造方法。 - 【請求項８】反応容器内の所定の位置に配置された、そ
の表面上に酸化シリコン膜を形成すべき基板を所定の温
度に加熱するための手段と、当該加熱するための手段の
上方に配置された、上記基板に電磁波を照射する光源
と、上記反応容器内に所定のガスを供給する手段を少な
くとも具備した加熱部を有することを特徴とする酸化シ
リコン膜製造装置。 - 【請求項９】上記加熱手段は加熱プレートであり、当該
加熱プレートと上記光源の間には開閉可能な遮光板が設
けられてあることを特徴とする請求項８に記載の酸化シ
リコン膜製造装置。 - 【請求項１０】上記光源と上記遮光板の間には石英板が
設けられてあることを特徴とする請求項９に記載の酸化
シリコン膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17771896A JPH1022282A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 酸化シリコン膜の製造方法およびその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17771896A JPH1022282A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 酸化シリコン膜の製造方法およびその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022282A true JPH1022282A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16035903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17771896A Pending JPH1022282A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 酸化シリコン膜の製造方法およびその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022282A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0962965A2 (en) * | 1998-05-26 | 1999-12-08 | Eaton Corporation | Treatment of dielectric materials |
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1996
- 1996-07-08 JP JP17771896A patent/JPH1022282A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0962965A2 (en) * | 1998-05-26 | 1999-12-08 | Eaton Corporation | Treatment of dielectric materials |
| EP0962965A3 (en) * | 1998-05-26 | 2002-01-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Treatment of dielectric materials |
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