JPH1022251A - 半導体用ケミカルの濃縮方法及び装置 - Google Patents
半導体用ケミカルの濃縮方法及び装置Info
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- JPH1022251A JPH1022251A JP8333936A JP33393696A JPH1022251A JP H1022251 A JPH1022251 A JP H1022251A JP 8333936 A JP8333936 A JP 8333936A JP 33393696 A JP33393696 A JP 33393696A JP H1022251 A JPH1022251 A JP H1022251A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体用ケミカルの定量分析のため、試料前
処理過程である半導体用ケミカルの濃縮方法及び装置を
提供する。 【解決手段】 半導体用ケミカルの濃縮方法は、試料容
器から離隔されたエネルギー光源を使用して、ケミカル
が入れてある試料容器を加熱し前記試料容器に高温のガ
スを注入し前記ケミカルを蒸発させ、前記ガスの圧力に
よって蒸発されたケミカルを排出して凝縮させる。その
濃縮装置は、試料供給口、ガス注入口及びガス排出口が
形成された試料容器； 前記の試料容器から離隔され
て、前記の試料容器を加熱する光源； 前記のガス注入
口を通じてガスを供給するガス供給源及び、前記のガス
供給源から供給されるガスを加熱する、ガス加熱装置か
ら構成される。
処理過程である半導体用ケミカルの濃縮方法及び装置を
提供する。 【解決手段】 半導体用ケミカルの濃縮方法は、試料容
器から離隔されたエネルギー光源を使用して、ケミカル
が入れてある試料容器を加熱し前記試料容器に高温のガ
スを注入し前記ケミカルを蒸発させ、前記ガスの圧力に
よって蒸発されたケミカルを排出して凝縮させる。その
濃縮装置は、試料供給口、ガス注入口及びガス排出口が
形成された試料容器； 前記の試料容器から離隔され
て、前記の試料容器を加熱する光源； 前記のガス注入
口を通じてガスを供給するガス供給源及び、前記のガス
供給源から供給されるガスを加熱する、ガス加熱装置か
ら構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用ケミカル
の濃縮方法及びその濃縮装置に関するもので、より詳細
には、化学分析機器で半導体用ケミカルを分析する前に
行われる試料前処理過程に用いられる半導体ケミカルの
濃縮方法及びその装置に関する。
の濃縮方法及びその濃縮装置に関するもので、より詳細
には、化学分析機器で半導体用ケミカルを分析する前に
行われる試料前処理過程に用いられる半導体ケミカルの
濃縮方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の高集積化によって、半導体素子
の大きさが減少して、素子の構成膜質に含まれた微量不
純物の存在は、素子特性に更に大きい影響を及ぼす。従
って、半導体製造工程の全般にかけて、微量不純物を制
御しようとする努力が続いてきている。
の大きさが減少して、素子の構成膜質に含まれた微量不
純物の存在は、素子特性に更に大きい影響を及ぼす。従
って、半導体製造工程の全般にかけて、微量不純物を制
御しようとする努力が続いてきている。
【０００３】特に湿式洗浄工程はウェーハの汚染を除去
するための代表的な工程である。この湿式洗浄工程に使
用されるケミカルは、主に弗酸、窒酸、硫酸、過酸化水
素水等が使用されるが、このようなケミカルは、ウェー
ハの再汚染を防止するために、高純度を有することが要
求され、これによって湿式洗浄用ケミカルの純度を管理
するために、ケミカルに含まれた微量不純物の定量及び
定性分析を必要とする。このような分析を通じて管理さ
れる不純物としては、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、銅（Ｃｕ）等の重金属と、ナトリウムイオン（Ｎ
ａ+）、アンモニウムイオン（ＮＨ4 +）、窒酸イオン
（ＮＯ３-）、塩素イオン（Ｃｌ-）等があり、これらの
分析には、黒鉛炉原子吸収分光機（ＧＦＡＡＳ）、誘導
結合プラズマ質量分析機（ＩＣＰ−ＭＳ）、イオンクロ
マトグラフィー（ＩＣ）等の分析機器が主に使用され
る。
するための代表的な工程である。この湿式洗浄工程に使
用されるケミカルは、主に弗酸、窒酸、硫酸、過酸化水
素水等が使用されるが、このようなケミカルは、ウェー
ハの再汚染を防止するために、高純度を有することが要
求され、これによって湿式洗浄用ケミカルの純度を管理
するために、ケミカルに含まれた微量不純物の定量及び
定性分析を必要とする。このような分析を通じて管理さ
れる不純物としては、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、銅（Ｃｕ）等の重金属と、ナトリウムイオン（Ｎ
ａ+）、アンモニウムイオン（ＮＨ4 +）、窒酸イオン
（ＮＯ３-）、塩素イオン（Ｃｌ-）等があり、これらの
分析には、黒鉛炉原子吸収分光機（ＧＦＡＡＳ）、誘導
結合プラズマ質量分析機（ＩＣＰ−ＭＳ）、イオンクロ
マトグラフィー（ＩＣ）等の分析機器が主に使用され
る。
【０００４】一方、半導体の湿式洗浄工程に使用される
ケミカルは純度が非常に高いので、ケミカルを定量分析
する場合、分析機器の検出限界によって、極微量不純物
の分析が難しくなる。従って分析機器で、半導体用ケミ
カルの定量分析を効果的に遂行するために、極微量不純
物が含まれたケミカルを蒸発させて、マトリクスの量を
減少させることによって、マトリクス(matrix)中に含ま
れた極微量不純物の濃度を相対的に増加させるケミカル
濃縮方法が利用されている。
ケミカルは純度が非常に高いので、ケミカルを定量分析
する場合、分析機器の検出限界によって、極微量不純物
の分析が難しくなる。従って分析機器で、半導体用ケミ
カルの定量分析を効果的に遂行するために、極微量不純
物が含まれたケミカルを蒸発させて、マトリクスの量を
減少させることによって、マトリクス(matrix)中に含ま
れた極微量不純物の濃度を相対的に増加させるケミカル
濃縮方法が利用されている。
【０００５】ケミカルを濃縮する方法としては、高純度
の酸を得るための等圧蒸留法、沸騰点以下の蒸留法、真
空蒸留法等が一般的に知られている。
の酸を得るための等圧蒸留法、沸騰点以下の蒸留法、真
空蒸留法等が一般的に知られている。
【０００６】等圧蒸留法は蒸気圧差を利用して試料を濃
縮する方法で、塩酸等の蒸気圧が高い酸の濃縮に利用す
ることができる。しかし、窒酸や硫酸等の蒸気圧が低い
酸には利用し難いので濃縮された試料を利用しなければ
ならないために、分析用の試料前処理の目的には適合し
ない。
縮する方法で、塩酸等の蒸気圧が高い酸の濃縮に利用す
ることができる。しかし、窒酸や硫酸等の蒸気圧が低い
酸には利用し難いので濃縮された試料を利用しなければ
ならないために、分析用の試料前処理の目的には適合し
ない。
【０００７】沸騰点以下の蒸留法は、一般に２つの瓶を
直角に設置して、一方は加熱し、他方は冷却して濃縮す
るように構成された、閉鎖されたシステムを使用して行
われる。当該蒸留法は沸騰点が低い弗酸等にはよく適用
できるが、沸騰点が高い硫酸等にはほぼ濃縮されない短
所がある。また、分析化学誌(Anal. Chem. vol. 44,No.
12, P. 2050(1972)参照）に“沸騰点以下の蒸留法によ
って精製された、特殊高純度酸の生産及び分析”という
タイトル下にエドウィン・シー・ケフナ(EdwinC. Kuehn
er)等が発表した石英材質の沸騰点以下の蒸留装置は、
沸騰点が高い硫酸等も濃縮することができる。しかし、
濃縮時間が長くなり、濃縮された試料を分析機器へ移動
する時に汚染の可能性が多く、装置の構造上極微量分析
に適用し難い。
直角に設置して、一方は加熱し、他方は冷却して濃縮す
るように構成された、閉鎖されたシステムを使用して行
われる。当該蒸留法は沸騰点が低い弗酸等にはよく適用
できるが、沸騰点が高い硫酸等にはほぼ濃縮されない短
所がある。また、分析化学誌(Anal. Chem. vol. 44,No.
12, P. 2050(1972)参照）に“沸騰点以下の蒸留法によ
って精製された、特殊高純度酸の生産及び分析”という
タイトル下にエドウィン・シー・ケフナ(EdwinC. Kuehn
er)等が発表した石英材質の沸騰点以下の蒸留装置は、
沸騰点が高い硫酸等も濃縮することができる。しかし、
濃縮時間が長くなり、濃縮された試料を分析機器へ移動
する時に汚染の可能性が多く、装置の構造上極微量分析
に適用し難い。
【０００８】また、真空蒸留法は蒸気圧が高い酸の濃縮
に使用され得るが、容器の加熱時に容器の壁から汚染さ
れる可能性が大きいので極微量分析に適合しない。
に使用され得るが、容器の加熱時に容器の壁から汚染さ
れる可能性が大きいので極微量分析に適合しない。
【０００９】ケミカルを濃縮するための他の方法とし
て、ヘパフィルター（HEPA filter)を通過した窒素ガス
が流れているパイレックス箱の中に、試料が入れてある
石英ビーカーを入れて置いて、パイレックス箱の外の上
部から、高電力の赤外線光を照射して、石英ビーカーを
加熱し、箱の下部には高温プレートを設置し加熱して、
試料を濃縮する方法がある。
て、ヘパフィルター（HEPA filter)を通過した窒素ガス
が流れているパイレックス箱の中に、試料が入れてある
石英ビーカーを入れて置いて、パイレックス箱の外の上
部から、高電力の赤外線光を照射して、石英ビーカーを
加熱し、箱の下部には高温プレートを設置し加熱して、
試料を濃縮する方法がある。
【００１０】前記方法は周囲環境による汚染、または試
料前処理装置がある実験室内の空気浄化装置でケミカル
が捕獲されて空気浄化装置が損傷される危険を減らすこ
とができ、高い沸騰点を有する酸の濃縮にも効果的に使
用することができる。しかし、ビーカー壁に沿って排出
される試料の損失と、パイレックスや石英材質からなる
ビーカーを直接加熱して使用しなければならないので、
これによる汚染可能性が大きいという問題点があった。
料前処理装置がある実験室内の空気浄化装置でケミカル
が捕獲されて空気浄化装置が損傷される危険を減らすこ
とができ、高い沸騰点を有する酸の濃縮にも効果的に使
用することができる。しかし、ビーカー壁に沿って排出
される試料の損失と、パイレックスや石英材質からなる
ビーカーを直接加熱して使用しなければならないので、
これによる汚染可能性が大きいという問題点があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ケミ
カルの定量分析のための、試料の濃縮時に試料の損失を
防止して、試料中に含まれた極微量不純物の回収率を極
大化することができ、実験室の周りの環境汚染を減らす
ことができる半導体用ケミカルの濃縮法法及び装置を提
供することにある。
カルの定量分析のための、試料の濃縮時に試料の損失を
防止して、試料中に含まれた極微量不純物の回収率を極
大化することができ、実験室の周りの環境汚染を減らす
ことができる半導体用ケミカルの濃縮法法及び装置を提
供することにある。
【００１２】また、本発明の他の課題は、高い蒸気圧を
有するケミカルを含む半導体用ケミカルの濃縮を、短時
間内に遂行することができ、高純度のケミカルを得るこ
とができる半導体用ケミカルの濃縮方法及びその装置を
提供するにある。
有するケミカルを含む半導体用ケミカルの濃縮を、短時
間内に遂行することができ、高純度のケミカルを得るこ
とができる半導体用ケミカルの濃縮方法及びその装置を
提供するにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前述の課題を達成するた
めの本発明の半導体用ケミカルの濃縮方法は、ケミカル
を蒸発させて濃縮する半導体用ケミカルの濃縮方法にお
いて、試料容器から離隔されたエネルギー光源を使用し
て、ケミカルが入れてある前記試料容器を加熱して、前
記試料容器に形成されたガス注入口を通してガスを注入
して、前記のケミカルを蒸発させ、前記ガスの圧力によ
って前記の蒸発したケミカルを前記試料容器のガス排出
口を通して排出するものである。
めの本発明の半導体用ケミカルの濃縮方法は、ケミカル
を蒸発させて濃縮する半導体用ケミカルの濃縮方法にお
いて、試料容器から離隔されたエネルギー光源を使用し
て、ケミカルが入れてある前記試料容器を加熱して、前
記試料容器に形成されたガス注入口を通してガスを注入
して、前記のケミカルを蒸発させ、前記ガスの圧力によ
って前記の蒸発したケミカルを前記試料容器のガス排出
口を通して排出するものである。
【００１４】また、前記半導体用ケミカルの濃縮法法を
達成するための半導体用ケミカルの濃縮装置は、試料供
給口、ガス注入口及びガス排出口を有する試料容器、前
記試料容器から離隔されてした前記試料容器を加熱する
エネルギー光源、前記試料容器のガス注入口を通してガ
スを供給するガス供給源、前記試料容器とガス供給源間
に設けられた前記ガス供給源から供給されるガスを加熱
するガス加熱装置から構成されたものである。
達成するための半導体用ケミカルの濃縮装置は、試料供
給口、ガス注入口及びガス排出口を有する試料容器、前
記試料容器から離隔されてした前記試料容器を加熱する
エネルギー光源、前記試料容器のガス注入口を通してガ
スを供給するガス供給源、前記試料容器とガス供給源間
に設けられた前記ガス供給源から供給されるガスを加熱
するガス加熱装置から構成されたものである。
【００１５】前記装置は前記試料容器のガス排出口を通
して排出されるガスを凝縮させる凝縮機及び前記凝縮機
から凝縮されて排出される液体を収集するケミカル収集
機を更に含むことが好ましい。
して排出されるガスを凝縮させる凝縮機及び前記凝縮機
から凝縮されて排出される液体を収集するケミカル収集
機を更に含むことが好ましい。
【００１６】前記装置は前記の光源から放出されたエネ
ルギーを更に効率的に吸収することができるようにする
ために、前記試料容器を傾斜するように支持する支持台
を更に含むことが好ましい。
ルギーを更に効率的に吸収することができるようにする
ために、前記試料容器を傾斜するように支持する支持台
を更に含むことが好ましい。
【００１７】また、前記装置は前記光源から放出された
エネルギーの損失を防ぐために内壁に反射膜がコーティ
ングされ、前記試料容器と前記エネルギー光源を囲むハ
ウジングを更に含むことが好ましい。
エネルギーの損失を防ぐために内壁に反射膜がコーティ
ングされ、前記試料容器と前記エネルギー光源を囲むハ
ウジングを更に含むことが好ましい。
【００１８】前記のように構成された本発明によると、
エネルギー光源から照射される光エネルギーでケミカル
が入れてある試料容器を加熱する同時に、ガス供給源か
ら供給されガス加熱装置で加熱されたガスを前記試料容
器のガス注入口を通して試料容器の内部へ供給し、この
時蒸発されたケミカルを供給された前記ガスの圧力によ
ってガス排出口を通して排出して、凝縮機で凝縮するこ
とによってケミカルが濃縮される。この時、凝縮機で凝
縮されたケミカルをケミカル収集機に収集する。これに
よって、高純度のケミカルが得ることができ、前述の課
題を達成することができる。
エネルギー光源から照射される光エネルギーでケミカル
が入れてある試料容器を加熱する同時に、ガス供給源か
ら供給されガス加熱装置で加熱されたガスを前記試料容
器のガス注入口を通して試料容器の内部へ供給し、この
時蒸発されたケミカルを供給された前記ガスの圧力によ
ってガス排出口を通して排出して、凝縮機で凝縮するこ
とによってケミカルが濃縮される。この時、凝縮機で凝
縮されたケミカルをケミカル収集機に収集する。これに
よって、高純度のケミカルが得ることができ、前述の課
題を達成することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例による
半導体用ケミカルの濃縮装置を示す概略図である。当該
半導体用ケミカルの濃縮装置は熱損失を防止するために
内壁が反射膜でコーティングされたハウジング１０内の
底には、試料容器１４を傾斜するように支持する支持台
１２が設置されており、前記の支持台１２上にはケミカ
ルが満たされた試料容器１４が２５°乃至３０°傾斜す
るように装着されいる。これによって、前記光源から放
出されたエネルギーをより効率的に吸収できるようにな
った。
半導体用ケミカルの濃縮装置を示す概略図である。当該
半導体用ケミカルの濃縮装置は熱損失を防止するために
内壁が反射膜でコーティングされたハウジング１０内の
底には、試料容器１４を傾斜するように支持する支持台
１２が設置されており、前記の支持台１２上にはケミカ
ルが満たされた試料容器１４が２５°乃至３０°傾斜す
るように装着されいる。これによって、前記光源から放
出されたエネルギーをより効率的に吸収できるようにな
った。
【００２０】ＰＦＡ樹脂材質から製作された前記試料容
器１４には、試料供給口、ガス注入口及びガス排出口を
有し、前記ガス注入口はテフロン材質の導管を通して、
ガス加熱装置１６に連結し、更に前記ガス加熱装置１６
はまたガス供給源１８に連結している。また、前記ガス
排出口は、テフロン材質の導管を通して凝縮機２０に連
結され、前記凝縮機２０はさらにケミカル収集機２２に
連結している。
器１４には、試料供給口、ガス注入口及びガス排出口を
有し、前記ガス注入口はテフロン材質の導管を通して、
ガス加熱装置１６に連結し、更に前記ガス加熱装置１６
はまたガス供給源１８に連結している。また、前記ガス
排出口は、テフロン材質の導管を通して凝縮機２０に連
結され、前記凝縮機２０はさらにケミカル収集機２２に
連結している。
【００２１】前記試料容器１４の上側には、高エネルギ
ーを放出する赤外線ランプ２４が、ハウジング１０を通
して設置されている。
ーを放出する赤外線ランプ２４が、ハウジング１０を通
して設置されている。
【００２２】前述のように構成された本発明のケミカル
濃縮装置では、前記試料容器１４の試料供給口を通して
ケミカル試料を供給し蓋（図示せず。）を被せた後、前
記赤外線ランプ２４を作動させて、試料容器１４を前記
試料容器１４の溶融点である３１０℃以下の２３０〜２
５０℃程度に加熱し、前記ガス供給源１８から供給さ
れ、前記ガス加熱装置１６で１８０℃〜２００℃程度に
加熱された窒素ガスを、前記ガス注入口を通して、前記
試料容器１４中に注入し、蒸発されたケミカルガスを前
記のガス排出口を通して排出し、前記凝縮機２０で凝縮
して前記ケミカル収集機２２に収集する過程を通してケ
ミカルが濃縮され、高純度のケミカルが得られる。
濃縮装置では、前記試料容器１４の試料供給口を通して
ケミカル試料を供給し蓋（図示せず。）を被せた後、前
記赤外線ランプ２４を作動させて、試料容器１４を前記
試料容器１４の溶融点である３１０℃以下の２３０〜２
５０℃程度に加熱し、前記ガス供給源１８から供給さ
れ、前記ガス加熱装置１６で１８０℃〜２００℃程度に
加熱された窒素ガスを、前記ガス注入口を通して、前記
試料容器１４中に注入し、蒸発されたケミカルガスを前
記のガス排出口を通して排出し、前記凝縮機２０で凝縮
して前記ケミカル収集機２２に収集する過程を通してケ
ミカルが濃縮され、高純度のケミカルが得られる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の方法によって、試料容器を直接
加熱しないので、ＰＦＡ等の材質で試料容器１４を製作
することができるのでガラス系統の材質を溶かす弗酸等
の試料も濃縮が可能である。
加熱しないので、ＰＦＡ等の材質で試料容器１４を製作
することができるのでガラス系統の材質を溶かす弗酸等
の試料も濃縮が可能である。
【００２４】また、本発明の装置では、試料容器が外部
環境と完全に遮断されるように構成されているので外部
環境からの汚染可能性が排除され、外部環境を汚染させ
る可能性もまた排除され、定量分析のための最適の試料
と高純度のケミカルが得ることができる。
環境と完全に遮断されるように構成されているので外部
環境からの汚染可能性が排除され、外部環境を汚染させ
る可能性もまた排除され、定量分析のための最適の試料
と高純度のケミカルが得ることができる。
【００２５】また、本発明の装置は、加熱された窒素ガ
スを供給して、ケミカルの蒸発を助け、ケミカルの再凝
縮を防止して、ケミカル濃縮時間を短縮させ、試料が試
料容器の壁に沿って放出され得ないので、微量不純物の
回収率が向上される効果があり、これによって蒸留され
て得られるケミカルの純度も、さらに向上される効果が
ある。
スを供給して、ケミカルの蒸発を助け、ケミカルの再凝
縮を防止して、ケミカル濃縮時間を短縮させ、試料が試
料容器の壁に沿って放出され得ないので、微量不純物の
回収率が向上される効果があり、これによって蒸留され
て得られるケミカルの純度も、さらに向上される効果が
ある。
【００２６】以上において、本発明は記載された具体例
に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲
内で、多様な変形及び修正が可能であることは、当業者
によって明らかなものであり、このような変形及び修正
が添付された特許請求範囲に属することは当然なもので
ある。
に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲
内で、多様な変形及び修正が可能であることは、当業者
によって明らかなものであり、このような変形及び修正
が添付された特許請求範囲に属することは当然なもので
ある。
【図１】本発明の一実施例による、半導体用ケミカルの
濃縮装置を示す概略図である。
濃縮装置を示す概略図である。
１０： ハウジング １２： 支持台 １４： 試料容器 １６： ガス加熱装置 １８： ガス供給源 ２０： 凝縮機 ２２： ケミカル収集機 ２４： 赤外線ランプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 孫 秉 宇 大韓民国京畿道水原市長安区亭子洞東新ア パートメント108−410
Claims (12)
- 【請求項１】 ケミカルを蒸発させて濃縮する半導体用
ケミカルの濃縮方法において、 試料容器から離隔されたエネルギー光源を使用してケミ
カルが入っている前記試料容器を加熱し、 前記の試料容器のガス注入口を通しガスを注入し前記ケ
ミカルを蒸発させ、 前記ガスの圧力によって前記蒸発したケミカルを前記試
料容器のガス排出口を通して排出する、 ことを特徴とする半導体用ケミカルの濃縮方法。 - 【請求項２】 前記ガスは窒素ガスであることを特徴と
する請求項１記載の半導体用ケミカルの濃縮方法。 - 【請求項３】 前記エネルギー光源による前記試料容器
の温度は２３０〜２５０℃であることを特徴とする請求
項１項または２項記載の半導体用ケミカルの濃縮方法。 - 【請求項４】 前記窒素ガスの温度は１８０〜２００℃
であることを特徴とする請求項２記載の半導体用ケミカ
ルの濃縮方法。 - 【請求項５】 試料供給口、ガス注入口及びガス排出口
を有する試料容器；前記試料容器から離隔した前記試料
容器を加熱するエネルギー光源；前記試料容器のガス注
入口を通してガスを供給するガス供給源； 及び前記試
料容器とガス供給源間に設けられて前記ガス供給源から
供給されるガスを加熱するガス加熱装置；から構成され
ることを特徴とする半導体用ケミカルの濃縮装置。 - 【請求項６】 前記試料容器のガス排出口を通じて排出
されるガスを凝縮する凝縮機を含むことを特徴とする請
求項５記載の半導体用ケミカルの濃縮装置。 - 【請求項７】 前記凝縮機から凝縮されて排出される液
体を収集するケミカル収集機を含むことを特徴とする請
求項６記載の半導体用ケミカルの濃縮装置。 - 【請求項８】 前記試料容器を傾斜するように支持する
支持台を含むことを特徴とする請求項５乃至請求項７に
記載のいずれか１つの請求項記載の半導体用ケミカルの
濃縮装置。 - 【請求項９】 前記試料容器と、前記エネルギー光源を
囲むハウジングを含むことを特徴とする請求項８記載の
半導体用ケミカルの濃縮装置。 - 【請求項１０】 前記試料容器はテフロン材質であるこ
とを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１つの
請求項記載の半導体用ケミカルの濃縮装置。 - 【請求項１１】 前記の高エネルギー光源は、赤外線ラ
ンプであることを特徴とする、請求項５項または７項記
載の前記半導体用ケミカルの濃縮装置。 - 【請求項１２】 前記ハウジングの内壁は反射膜でコー
ティングされたことを特徴とする請求項９記載の半導体
用ケミカルの濃縮装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1996-23546 | 1996-06-25 | ||
| KR1019960023546A KR100187448B1 (ko) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 반도체용 케미칼 농축방법 및 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022251A true JPH1022251A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=19463278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8333936A Pending JPH1022251A (ja) | 1996-06-25 | 1996-12-13 | 半導体用ケミカルの濃縮方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5900124A (ja) |
| JP (1) | JPH1022251A (ja) |
| KR (1) | KR100187448B1 (ja) |
| TW (1) | TW442314B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008012479A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 精製装置及び精製方法 |
| KR20190066222A (ko) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 주식회사 퓨어엔비텍 | 무방류 수처리장치 및 이를 이용한 무방류 수처리방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534027B2 (en) * | 2000-12-27 | 2003-03-18 | Ashland, Inc. | Process for producing ammonia with ultra-low metals content |
| DE202008011956U1 (de) * | 2008-09-08 | 2008-11-06 | Mikrowellen-Systeme Mws Gmbh | Subboiling-Apparatur |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1532372A (en) * | 1976-10-07 | 1978-11-15 | Sagami Chem Res | Dehydration and incineration of sample material |
| US4347216A (en) * | 1980-06-30 | 1982-08-31 | Mitsubishi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Wet sample decomposing apparatus |
| US4950358A (en) * | 1986-07-07 | 1990-08-21 | Santa Barbara Research Center | Vapor phase epitaxy of semiconductor material in a quasi-open system |
| JPH01189558A (ja) * | 1988-01-23 | 1989-07-28 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | Ｓｉ半導体基板の表面分析方法 |
| JPH0228322A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の前処理方法 |
| US5099557A (en) * | 1988-07-08 | 1992-03-31 | Engelsberg Audrey C | Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source |
| JPH04353750A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-08 | Tadahiro Omi | 固液界面の偏析状態評価方法及びその偏析装置 |
| US5327779A (en) * | 1992-01-24 | 1994-07-12 | Ethyl Corporation | Vapor pressure measurement by gas saturation for mixture |
| US5403434A (en) * | 1994-01-06 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafer |
| US5686656A (en) * | 1996-02-27 | 1997-11-11 | Aviv Amirav | Method and device for the introduction of a sample into a gas chromatograph |
-
1996
- 1996-06-25 KR KR1019960023546A patent/KR100187448B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-12-13 JP JP8333936A patent/JPH1022251A/ja active Pending
-
1997
- 1997-02-22 TW TW086102298A patent/TW442314B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-04-24 US US08/842,276 patent/US5900124A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008012479A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 精製装置及び精製方法 |
| KR20190066222A (ko) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 주식회사 퓨어엔비텍 | 무방류 수처리장치 및 이를 이용한 무방류 수처리방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5900124A (en) | 1999-05-04 |
| TW442314B (en) | 2001-06-23 |
| KR980005730A (ko) | 1998-03-30 |
| KR100187448B1 (ko) | 1999-04-15 |
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