JP2008012479A - 精製装置及び精製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】物質を精製する精製部において系内を流れるキャリアガスを精製部に供給する前に加熱し、より高い温度に加熱された気体をキャリアガスとして精製部の気体供給部より供給する。予め加熱されることによってキャリアガスの温度と、精製部の温度との温度差を小さい状態とすることができる。精製部に供給されたキャリアガスは精製部に設けられた気体排出部より排出される。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、より高純度な物質を高収率で生産性よく精製することを目的とした精製装置、及び精製方法の一例を、図1を用いて説明する。
本実施の形態では、より高純度な物質を高収率で生産性よく精製することを目的とした精製装置、及び精製方法の一例を、図2を用いて説明する。実施の形態1の精製装置及び精製方法において、気体の温度調節の手段が異なる例であり、実施の形態1と同様な機能を有する部分は、同様の材料、方法を用いればよく、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、より高純度な物質を高収率で生産性よく精製することを目的とした精製装置、及び精製方法の一例を、図3を用いて説明する。実施の形態1の精製装置及び精製方法において、気体温度調節手段を詳細に説明する例であり、実施の形態1と同様な機能を有する部分は、同様の材料、方法を用いればよく、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、より高純度な物質を高収率で生産性よく精製することを目的とした精製装置、及び精製方法の一例を、図4を用いて説明する。実施の形態2の精製装置及び精製方法において、気体の温度調節手段を詳細に説明する例であり、実施の形態2と同様な機能を有する部分は、同様の材料、方法を用いればよく、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、より高純度な物質を高収率で生産性よく精製することを目的とした精製装置、及び精製方法の一例を、図5、6を用いて説明する。実施の形態2、4の精製装置及び精製方法において、気体の温度調節手段を詳細に説明する例であり、実施の形態2、4と同様な機能を有する部分は、同様の材料、方法を用いればよく、その繰り返しの説明は省略する。特に、固体試料を用いて、目的物質及び不純物を固体として析出する昇華精製方法について、説明する。
Claims (14)
- 物質を気化して精製する精製部と、前記精製部に設けられ、前記精製部に温度勾配を付ける精製部温度調節手段と、前記精製部の一方の端部に設けられた気体供給手段と、前記精製部の他方の端部に設けられた気体排出部と、気体温度調節手段とを有し、
前記気体供給手段より供給される気体は前記気体温度調節手段により加熱され前記精製部へと供給されることを特徴とする精製装置。 - 物質を気化して精製する精製部と、前記精製部に設けられ、前記精製部に温度勾配を付ける温度調節手段と、前記精製部の一方の端部に設けられた気体供給手段と、前記精製部の他方の端部に設けられた気体排出部とを有し、
前記気体供給手段より供給される気体は前記温度調節手段により加熱され前記精製部へと供給されることを特徴とする精製装置。 - 請求項1又は請求項2において、前記気体は不活性気体であることを特徴とする精製装置。
- 物質を気化して精製する精製部と、前記精製部に設けられ、前記精製部に温度勾配を付ける精製部温度調節手段と、前記精製部の一方の端部に設けられた気体供給手段と、前記精製部の他方の端部に設けられた気体排出部と、気体温度調節手段とを有し、
前記気体供給手段より前記精製部へ第1の気体及び第2の気体が供給され、
前記気体供給手段より供給される第1の気体は前記気体温度調節手段により加熱され前記精製部へと供給されることを特徴とする精製装置。 - 物質を気化して精製する精製部と、前記精製部に設けられ、前記精製部に温度勾配を付ける温度調節手段と、前記精製部の一方の端部に設けられた気体供給手段と、前記精製部の他方の端部に設けられた気体排出部とを有し、
前記気体供給手段より前記精製部へ第1の気体及び第2の気体が供給され、
前記気体供給手段より供給される第1の気体は前記温度調節手段により加熱され前記精製部へと供給されることを特徴とする精製装置。 - 請求項4又は請求項5において、前記第1の気体及び前記第2の気体は不活性気体であることを特徴とする精製装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一項において、前記気体排出部より前記気体を排出する気体排出手段を有することを特徴とする精製装置。
- 請求項1乃至7のいずれか一項において、前記物質は有機化合物材料であることを特徴とする精製装置。
- 精製部において前記精製部の一方の端部より他方の端部へ気体を流しながら、物質が設けられた精製部を加熱して前記物質を気化して精製し、
前記気体は、前記精製部に供給する前に加熱し、前記加熱された気体を前記精製部の一方の端部より供給し、前記供給された気体を前記精製部の他方の端部より排出することを特徴とする精製方法。 - 請求項9において、前記気体は不活性気体であることを特徴とする精製方法。
- 精製部において前記精製部の一方の端部より他方の端部へ第1の気体及び第2の気体を流しながら、物質が設けられた精製部を加熱して前記物質を気化して精製し、
前記第1の気体は、前記精製部に供給する前に加熱し、前記加熱された第1の気体を前記精製部の一方の端部より供給し、前記供給された第1の気体を前記精製部の他方の端部より排出し、
前記第1の気体の温度より前記第2の気体の温度は低いことを特徴とする精製方法。 - 請求項11において、前記気体は不活性気体であることを特徴とする精製方法。
- 請求項9乃至12のいずれか一項において、前記精製部において前記物質を減圧下で気化し精製することを特徴とする精製方法。
- 請求項9乃至13のいずれか一項において、前記物質は有機化合物材料を用いることを特徴とする精製方法。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52137432A (en) * | 1976-05-13 | 1977-11-16 | Sony Corp | Purification apparatus for beta-copper phthalocyanine |
JPH08245717A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-24 | Toshiba Corp | 弗素樹脂の精製方法及び装置 |
JPH1022251A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-23 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体用ケミカルの濃縮方法及び装置 |
JPH10160653A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体用化学物質の濃縮装置及び濃縮方法 |
JP2005511864A (ja) * | 2001-12-15 | 2005-04-28 | エスケーシー カンパニー,リミテッド | 有機電界発光材料の精製装置及び精製方法 |
JP2005161251A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機材料の精製装置 |
JP2006131931A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Canon Inc | 蒸着方法 |
JP2006272071A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | R & D Support:Kk | 有機化合物の昇華精製装置 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS52137432A (en) * | 1976-05-13 | 1977-11-16 | Sony Corp | Purification apparatus for beta-copper phthalocyanine |
JPH08245717A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-24 | Toshiba Corp | 弗素樹脂の精製方法及び装置 |
JPH1022251A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-23 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体用ケミカルの濃縮方法及び装置 |
JPH10160653A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体用化学物質の濃縮装置及び濃縮方法 |
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JP2005161251A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機材料の精製装置 |
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