JPH1022162A - 複合積層セラミック部品 - Google Patents
複合積層セラミック部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低誘電率層と高誘電率層の界面の剥離あるい
は各層に発生するクラックを抑制し、大きな接着強度を
有する複合積層セラミック部品を提供することを目的と
するものである。 【解決手段】 低誘電率層１，４が結晶化ガラスを含ん
だものからなり、焼成時に流動軟化し高誘電率層２，３
および導体層５，６，７，８と結着することにより界面
の剥離あるいは各層に発生するクラックの発生を抑制
し、大きな接着強度を有する信頼性が高く安定した複合
積層セラミック部品を得ることができる。
は各層に発生するクラックを抑制し、大きな接着強度を
有する複合積層セラミック部品を提供することを目的と
するものである。 【解決手段】 低誘電率層１，４が結晶化ガラスを含ん
だものからなり、焼成時に流動軟化し高誘電率層２，３
および導体層５，６，７，８と結着することにより界面
の剥離あるいは各層に発生するクラックの発生を抑制
し、大きな接着強度を有する信頼性が高く安定した複合
積層セラミック部品を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は焼成収縮挙動および
熱膨張率の異なった低誘電率層と高誘電率層および導体
層を積層して一体焼成される複合積層セラミック部品に
関するものである。
熱膨張率の異なった低誘電率層と高誘電率層および導体
層を積層して一体焼成される複合積層セラミック部品に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、多機能化に伴
ってその内部に用いられる電子部品にも軽薄短小化が求
められている。そのために限られた面積のセラミック基
板上に抵抗体や配線パターンなどをより高密度に印刷し
たりチップ部品をより高密度に集積するといった方法を
採用していた。
ってその内部に用いられる電子部品にも軽薄短小化が求
められている。そのために限られた面積のセラミック基
板上に抵抗体や配線パターンなどをより高密度に印刷し
たりチップ部品をより高密度に集積するといった方法を
採用していた。
【０００３】しかしながら、従来の高密度化の方法では
部品の小型化および部品を実装する基板の小型化には限
界がある。さらに、特に高周波用部品では配線パターン
を緻密にすることによってノイズやライン間の容量が発
生しやすくなり、ひいては品質の低下を招くといった問
題があった。
部品の小型化および部品を実装する基板の小型化には限
界がある。さらに、特に高周波用部品では配線パターン
を緻密にすることによってノイズやライン間の容量が発
生しやすくなり、ひいては品質の低下を招くといった問
題があった。
【０００４】このようなことから、基板内部にコンデン
サや共振器を設けた構成の新しい複合積層セラミック部
品が開発されつつある。その一例として、コンデンサあ
るいは共振器を形成するための高誘電率層と、配線パタ
ーン形成用の低誘電率層で挟みこみ、その各積層面に導
体層を設けた構成のものである。
サや共振器を設けた構成の新しい複合積層セラミック部
品が開発されつつある。その一例として、コンデンサあ
るいは共振器を形成するための高誘電率層と、配線パタ
ーン形成用の低誘電率層で挟みこみ、その各積層面に導
体層を設けた構成のものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、異種積
層体を一体焼成することによって得られる複合積層セラ
ミック部品においては、低誘電率層と高誘電率層の焼成
挙動および熱膨張率の相違により両者の界面での剥離あ
るいは焼成体基板の変形が発生したり、内部に生じる歪
みによりそれぞれの層にクラックが生じ易いといった問
題があった。
層体を一体焼成することによって得られる複合積層セラ
ミック部品においては、低誘電率層と高誘電率層の焼成
挙動および熱膨張率の相違により両者の界面での剥離あ
るいは焼成体基板の変形が発生したり、内部に生じる歪
みによりそれぞれの層にクラックが生じ易いといった問
題があった。
【０００６】このような低誘電率層と高誘電率層の界面
での剥離およびそれぞれの層におけるクラックを防ぐた
め、例えば特公平５−１３５２４号公報に示されるよう
に各層の間に各層の材料の混合物からなる中間層を設け
ることにより前述の剥離やクラックを防いでいた。この
方法においては、電子部品の機能発現のためには本来必
要のない中間層を形成しなければならないため工数が増
加してコスト面で不利になるとともに小型化を図るうえ
での障害になるものであった。
での剥離およびそれぞれの層におけるクラックを防ぐた
め、例えば特公平５−１３５２４号公報に示されるよう
に各層の間に各層の材料の混合物からなる中間層を設け
ることにより前述の剥離やクラックを防いでいた。この
方法においては、電子部品の機能発現のためには本来必
要のない中間層を形成しなければならないため工数が増
加してコスト面で不利になるとともに小型化を図るうえ
での障害になるものであった。
【０００７】本発明は以上のような従来の欠点を除去
し、中間層なしでも界面での剥離や各層でのクラックの
発生、さらには変形のない複合積層セラミック部品を提
供することを目的とするものである。
し、中間層なしでも界面での剥離や各層でのクラックの
発生、さらには変形のない複合積層セラミック部品を提
供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、高誘電率層と低誘電率層とを積層し、この
少なくとも積層面に導体層を有し、上記低誘電率層が焼
成時に流動軟化し高誘電率層および導体層と結着する結
晶化ガラスを含んだものから構成されている。
に本発明は、高誘電率層と低誘電率層とを積層し、この
少なくとも積層面に導体層を有し、上記低誘電率層が焼
成時に流動軟化し高誘電率層および導体層と結着する結
晶化ガラスを含んだものから構成されている。
【０００９】この構成によって焼成したとき異種材料の
積層界面における剥離、各層におけるクラックの発生や
全体の変形のない複合積層セラミック部品を得ることが
できる。
積層界面における剥離、各層におけるクラックの発生や
全体の変形のない複合積層セラミック部品を得ることが
できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、高誘電率層と低誘電率層とを積層し、この少なくと
も積層面に導体層を有し、上記低誘電率層が焼成時に流
動軟化し高誘電率層および導体層と結着する結晶化ガラ
スを含んだものから構成され、一体焼成しても界面に剥
離、各層にクラック、全体に変形が発生するといったこ
とが防止できる作用を有する。
は、高誘電率層と低誘電率層とを積層し、この少なくと
も積層面に導体層を有し、上記低誘電率層が焼成時に流
動軟化し高誘電率層および導体層と結着する結晶化ガラ
スを含んだものから構成され、一体焼成しても界面に剥
離、各層にクラック、全体に変形が発生するといったこ
とが防止できる作用を有する。
【００１１】請求項２に記載の発明は、結晶化ガラスと
して軟化点から結晶化開始点の温度までの温度範囲が２
５℃以上のものを用いたものであり、結着性の向上が図
れるという作用を有する。
して軟化点から結晶化開始点の温度までの温度範囲が２
５℃以上のものを用いたものであり、結着性の向上が図
れるという作用を有する。
【００１２】請求項３に記載の発明は、低誘電率層が結
晶化ガラスと非晶質ガラスで構成されたものであり、界
面での剥離や各層でのクラックの発生をより確実になく
すことができる。
晶化ガラスと非晶質ガラスで構成されたものであり、界
面での剥離や各層でのクラックの発生をより確実になく
すことができる。
【００１３】請求項４に記載の発明は、低誘電率層の結
晶化ガラスの主成分がＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｂａ
Ｏであり、非晶質ガラスの主成分がＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3
−ＭＯ（ＭはＭｇ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒの少なくとも１種
以上）−Ｂ2Ｏ3からなるものであり、請求項３の発明と
同様の作用を有する。
晶化ガラスの主成分がＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｂａ
Ｏであり、非晶質ガラスの主成分がＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3
−ＭＯ（ＭはＭｇ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒの少なくとも１種
以上）−Ｂ2Ｏ3からなるものであり、請求項３の発明と
同様の作用を有する。
【００１４】請求項５に記載の発明は、結晶化ガラスと
非晶質ガラスの配合比が、結晶化ガラス１に対して非晶
質ガラスが１〜０．２５である構成としたもので剥離や
クラックの発生を一層確実に抑制する作用を有する。
非晶質ガラスの配合比が、結晶化ガラス１に対して非晶
質ガラスが１〜０．２５である構成としたもので剥離や
クラックの発生を一層確実に抑制する作用を有する。
【００１５】請求項６に記載の発明は、結晶化ガラスの
主成分が、ＭｇＯを５６〜６６重量％、ＳｉＯ2を１３
〜１８重量％、Ｂ2Ｏ3を１２〜１７重量％、ＢａＯを７
〜１１重量％含むものからなる構成としたものであり、
剥離やクラックの発生抑制に有効という作用を有する。
主成分が、ＭｇＯを５６〜６６重量％、ＳｉＯ2を１３
〜１８重量％、Ｂ2Ｏ3を１２〜１７重量％、ＢａＯを７
〜１１重量％含むものからなる構成としたものであり、
剥離やクラックの発生抑制に有効という作用を有する。
【００１６】請求項７に記載の発明は、非晶質ガラスの
主成分が、ＳｉＯ2を６０〜４５重量％、Ａｌ2Ｏ3を０
〜１５重量％、ＭＯを５０〜４０重量％、Ｂ2Ｏ3を０〜
５重量％含むものから構成され、更に剥離やクラックの
発生を抑制するという作用を有する。
主成分が、ＳｉＯ2を６０〜４５重量％、Ａｌ2Ｏ3を０
〜１５重量％、ＭＯを５０〜４０重量％、Ｂ2Ｏ3を０〜
５重量％含むものから構成され、更に剥離やクラックの
発生を抑制するという作用を有する。
【００１７】請求項８に記載の発明は、結晶化ガラスを
構成する酸化物の重量比として（ＭｇＯ＋ＢａＯ）／
（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）が２．３〜２．６である構成で、
剥離やクラックの発生をより確実に防止する作用を有す
る。
構成する酸化物の重量比として（ＭｇＯ＋ＢａＯ）／
（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）が２．３〜２．６である構成で、
剥離やクラックの発生をより確実に防止する作用を有す
る。
【００１８】請求項９に記載の発明は、非晶質ガラスを
構成する酸化物の重量比としてＭＯ／（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ
3＋Ａｌ2Ｏ3）が０．７〜１．０である構成で剥離やク
ラックの発生を抑制する作用を有する。
構成する酸化物の重量比としてＭＯ／（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ
3＋Ａｌ2Ｏ3）が０．７〜１．０である構成で剥離やク
ラックの発生を抑制する作用を有する。
【００１９】請求項１０に記載の発明は、低誘電率層が
結晶化ガラスと非晶質ガラスとセラミック粉体の混合物
で構成されたものであり、剥離やクラックの発生の抑制
とともに変形防止に有効となる。
結晶化ガラスと非晶質ガラスとセラミック粉体の混合物
で構成されたものであり、剥離やクラックの発生の抑制
とともに変形防止に有効となる。
【００２０】請求項１１に記載の発明は、結晶化ガラス
としてホウケイ酸マグネシウムガラスを用い、非晶質ガ
ラスとしてホウケイ酸鉛ガラスを用い、セラミック粉体
としてアルミナを用いた構成であり、剥離、クラック、
変形の発生をより強く抑制する作用を有する。
としてホウケイ酸マグネシウムガラスを用い、非晶質ガ
ラスとしてホウケイ酸鉛ガラスを用い、セラミック粉体
としてアルミナを用いた構成であり、剥離、クラック、
変形の発生をより強く抑制する作用を有する。
【００２１】請求項１２に記載の発明は、ホウケイ酸マ
グネシウムガラスの主成分は、ＭｇＯを５８〜６４重量
％、ＳｉＯ2を１３〜１８重量％、Ｂ2Ｏ3を１１〜１５
重量％、ＢａＯを７〜１１％とし、ホウケイ酸鉛ガラス
の主成分はＳｉＯ2を５９〜６５重量％、Ｂ2Ｏ3を５〜
１０重量％、ＰｂＯを１７〜２４重量％、ＣａＯを６〜
１２重量％としたものであり、剥離、クラック、変形の
発生をより強く抑制する作用を有する。
グネシウムガラスの主成分は、ＭｇＯを５８〜６４重量
％、ＳｉＯ2を１３〜１８重量％、Ｂ2Ｏ3を１１〜１５
重量％、ＢａＯを７〜１１％とし、ホウケイ酸鉛ガラス
の主成分はＳｉＯ2を５９〜６５重量％、Ｂ2Ｏ3を５〜
１０重量％、ＰｂＯを１７〜２４重量％、ＣａＯを６〜
１２重量％としたものであり、剥離、クラック、変形の
発生をより強く抑制する作用を有する。
【００２２】請求項１３に記載の発明は、ホウケイ酸マ
グネシウムガラスを構成する酸化物の重量比として（Ｍ
ｇＯ＋ＢａＯ）／（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）が２．４〜２．
７である構成としたものであり、剥離、クラック、変形
の発生をより有効に抑制するという作用を有する。
グネシウムガラスを構成する酸化物の重量比として（Ｍ
ｇＯ＋ＢａＯ）／（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）が２．４〜２．
７である構成としたものであり、剥離、クラック、変形
の発生をより有効に抑制するという作用を有する。
【００２３】請求項１４に記載の発明は、低誘電率層の
各構成材料の混合割合が重量比でホウケイ酸鉛ガラス／
ホウケイ酸マグネシウムガラスが０．０４〜０．１８で
あり、アルミナ／ホウケイ酸鉛ガラスが０．７０〜１．
５０としたものであり、同様の作用を有する。
各構成材料の混合割合が重量比でホウケイ酸鉛ガラス／
ホウケイ酸マグネシウムガラスが０．０４〜０．１８で
あり、アルミナ／ホウケイ酸鉛ガラスが０．７０〜１．
５０としたものであり、同様の作用を有する。
【００２４】請求項１５に記載の発明は、ホウケイ酸マ
グネシウムガラスの結晶化ピーク温度は７４０℃〜７７
０℃であり、ホウケイ酸鉛ガラスの軟化温度は６１０℃
〜６５０℃のものとしたものであり、確実に焼成時に剥
離、クラック、変形防止の役割を果たすという作用を有
する。
グネシウムガラスの結晶化ピーク温度は７４０℃〜７７
０℃であり、ホウケイ酸鉛ガラスの軟化温度は６１０℃
〜６５０℃のものとしたものであり、確実に焼成時に剥
離、クラック、変形防止の役割を果たすという作用を有
する。
【００２５】請求項１６に記載の発明は、高誘電率層の
主成分をＢｉ−Ｃａ−Ｎｂ系誘電体セラミックとしたも
のであり、上述の作用を実現することができる。
主成分をＢｉ−Ｃａ−Ｎｂ系誘電体セラミックとしたも
のであり、上述の作用を実現することができる。
【００２６】請求項１７に記載の発明は、高誘電率層が
Ｂｉ2Ｏ3−ＣａＯ−ＺｎＯ−ＣｕＯ−Ｎｂ2Ｏ5系の誘電
体であり、低誘電率層が結晶化ガラスとしたものであ
り、剥離やクラックの発生を防止し信頼性の高いものが
提供できることになる。
Ｂｉ2Ｏ3−ＣａＯ−ＺｎＯ−ＣｕＯ−Ｎｂ2Ｏ5系の誘電
体であり、低誘電率層が結晶化ガラスとしたものであ
り、剥離やクラックの発生を防止し信頼性の高いものが
提供できることになる。
【００２７】請求項１８に記載の発明は、低誘電率層が
ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＢａＯ−ＣａＯ−ＭｇＯ−ＺｎＯ
系の結晶化ガラスである構成で上記と同様の作用を有す
る。
ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＢａＯ−ＣａＯ−ＭｇＯ−ＺｎＯ
系の結晶化ガラスである構成で上記と同様の作用を有す
る。
【００２８】請求項１９に記載の発明は、結晶化ガラス
の主成分がＳｉＯ2を４０〜５０重量％、Ａｌ2Ｏ3を１
２〜２０重量％、ＺｎＯを８〜１２重量％、ＭＯ（Ｍは
Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇの少なくとも２種以上）を２１〜３１
重量％、ＢａＯを６〜１６重量％、ＣａＯを１０〜２０
重量％としたものでより剥離、クラックの発生を抑制で
きる。
の主成分がＳｉＯ2を４０〜５０重量％、Ａｌ2Ｏ3を１
２〜２０重量％、ＺｎＯを８〜１２重量％、ＭＯ（Ｍは
Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇの少なくとも２種以上）を２１〜３１
重量％、ＢａＯを６〜１６重量％、ＣａＯを１０〜２０
重量％としたものでより剥離、クラックの発生を抑制で
きる。
【００２９】請求項２０に記載の発明は、結晶化ガラス
を構成する酸化物の重量比としてＭＯ／（ＳｉＯ2＋Ａ
ｌ2Ｏ3）が０．４１〜０．５５である構成で上記と同様
の作用を有する。
を構成する酸化物の重量比としてＭＯ／（ＳｉＯ2＋Ａ
ｌ2Ｏ3）が０．４１〜０．５５である構成で上記と同様
の作用を有する。
【００３０】請求項２１に記載の発明は、導体層が銀で
あり、焼成が窒素雰囲気中で行われたものであり、高品
質な複合積層セラミック部品とすることができる。
あり、焼成が窒素雰囲気中で行われたものであり、高品
質な複合積層セラミック部品とすることができる。
【００３１】以下、本発明の実施の形態について図面を
用いて説明する。図１は本発明の一実施の形態における
複合積層セラミック部品を示す断面図であり、この図１
においては誘電体フィルタ内蔵の複合積層セラミック部
品を一例として示した。
用いて説明する。図１は本発明の一実施の形態における
複合積層セラミック部品を示す断面図であり、この図１
においては誘電体フィルタ内蔵の複合積層セラミック部
品を一例として示した。
【００３２】図１において、結晶化ガラスを主成分とす
る低誘電率層４上には、シールド電極としての導体層８
が形成されるとともにＢｉ−Ｃａ−Ｎｂ系誘電体セラミ
ックスからなる高誘電率層３が設けられている。この高
誘電率層３上には誘電体フィルタとしての電極としての
導体層７が形成され、この上に同じくＢｉ−Ｃａ−Ｎｂ
系誘電体セラミックスからなる高誘電率層２が設けら
れ、この高誘電率層２の上面にはシールド電極としての
導体層６が形成されている。
る低誘電率層４上には、シールド電極としての導体層８
が形成されるとともにＢｉ−Ｃａ−Ｎｂ系誘電体セラミ
ックスからなる高誘電率層３が設けられている。この高
誘電率層３上には誘電体フィルタとしての電極としての
導体層７が形成され、この上に同じくＢｉ−Ｃａ−Ｎｂ
系誘電体セラミックスからなる高誘電率層２が設けら
れ、この高誘電率層２の上面にはシールド電極としての
導体層６が形成されている。
【００３３】この導体層６を設けた高誘電率層２上には
結晶化ガラスを主成分とする低誘電率層１が設けられ、
この低誘電率層１の上面にはランドのあるインダクタン
スを構成する導体層５が形成され、この導体層５の一部
には低誘電率層１と高誘電率層２を貫通するように設け
たスルーホール導体９，１０が接続され、このスルーホ
ール導体９，１０は誘電体フィルタ用の電極としての導
体層７にそれぞれ接続されている。
結晶化ガラスを主成分とする低誘電率層１が設けられ、
この低誘電率層１の上面にはランドのあるインダクタン
スを構成する導体層５が形成され、この導体層５の一部
には低誘電率層１と高誘電率層２を貫通するように設け
たスルーホール導体９，１０が接続され、このスルーホ
ール導体９，１０は誘電体フィルタ用の電極としての導
体層７にそれぞれ接続されている。
【００３４】これらの構成のものはグリーンシートを用
いて積層したものを一括焼成して形成されている。
いて積層したものを一括焼成して形成されている。
【００３５】ここでは誘電体フィルタ内蔵の複合積層セ
ラミック部品を例としたが、コンデンサ、インダクタン
ス、セラミックフィルタなど各種電子部品を内蔵する複
合積層セラミック部品を構成することができ、低誘電率
層と高誘電率層を交互に積層する構成も可能である。
ラミック部品を例としたが、コンデンサ、インダクタン
ス、セラミックフィルタなど各種電子部品を内蔵する複
合積層セラミック部品を構成することができ、低誘電率
層と高誘電率層を交互に積層する構成も可能である。
【００３６】次に本発明の特徴とする高誘電率層と低誘
電率層の材料について具体的な実施の形態により説明す
る。
電率層の材料について具体的な実施の形態により説明す
る。
【００３７】（実施の形態１）高誘電率層および低誘電
率層のグリーンシートをそれぞれ下記のように作製し
た。高誘電率層の作製に当たっては、特開平５−２２５
８２６号公報に記載の誘電率５８のＢｉ2Ｏ3−ＣａＯ−
Ｎｂ2Ｏ5（以下ＢＣＮと略記する）、および特開平５−
２２０９６４号公報に記載の誘電率１００のＢｉ2Ｏ3−
ＣａＯ−ＺｎＯ−ＣｕＯ−Ｎｂ2Ｏ5（以下ＢＣＺＣＮと
略記する）系誘電体粉末５００ｇをメチルエチルケトン
２００ｇ中にジブチルフタレート１０ｇ、ポリビニルブ
チラール樹脂２５ｇを溶かした溶液中に加え、ボールミ
ルで２４時間混合した。得られたスラリーから周知のド
クターブレード法により厚さ２００μｍのＢＣＮ誘電体
グリーンシートを作製した。また、同様な方法で特開平
５−２２０９６４号公報に記載の誘電率１００のＢｉ2
Ｏ3−ＣａＯ−ＺｎＯ−ＣｕＯ−Ｎｂ2Ｏ5（以下ＢＣＺ
ＣＮと略記する）系誘電体粉末を用い、厚さ２００μｍ
のＢＣＺＣＮ誘電体グリーンシートも作製した。
率層のグリーンシートをそれぞれ下記のように作製し
た。高誘電率層の作製に当たっては、特開平５−２２５
８２６号公報に記載の誘電率５８のＢｉ2Ｏ3−ＣａＯ−
Ｎｂ2Ｏ5（以下ＢＣＮと略記する）、および特開平５−
２２０９６４号公報に記載の誘電率１００のＢｉ2Ｏ3−
ＣａＯ−ＺｎＯ−ＣｕＯ−Ｎｂ2Ｏ5（以下ＢＣＺＣＮと
略記する）系誘電体粉末５００ｇをメチルエチルケトン
２００ｇ中にジブチルフタレート１０ｇ、ポリビニルブ
チラール樹脂２５ｇを溶かした溶液中に加え、ボールミ
ルで２４時間混合した。得られたスラリーから周知のド
クターブレード法により厚さ２００μｍのＢＣＮ誘電体
グリーンシートを作製した。また、同様な方法で特開平
５−２２０９６４号公報に記載の誘電率１００のＢｉ2
Ｏ3−ＣａＯ−ＺｎＯ−ＣｕＯ−Ｎｂ2Ｏ5（以下ＢＣＺ
ＣＮと略記する）系誘電体粉末を用い、厚さ２００μｍ
のＢＣＺＣＮ誘電体グリーンシートも作製した。
【００３８】ここでＢＣＮおよびＢＣＺＣＮ系誘電体材
料を用いたのは、その焼成開始温度が後で述べる低誘電
率層材料の焼成時の収縮開始温度に比較的近いためであ
る。一方、例えばチタン酸バリウムを高誘電率材料とし
て用いた場合は、その焼成温度を１２００℃以上で行う
必要があるがこの温度は低誘電率層材料の焼成時の収縮
開始温度よりも高すぎるため、複合積層して焼成した後
得られる基板は変形やクラックが生じやすいと同時に内
層および表層電極として用いられる導電率の高いＡｇや
Ｃｕが溶融してしまうからである。
料を用いたのは、その焼成開始温度が後で述べる低誘電
率層材料の焼成時の収縮開始温度に比較的近いためであ
る。一方、例えばチタン酸バリウムを高誘電率材料とし
て用いた場合は、その焼成温度を１２００℃以上で行う
必要があるがこの温度は低誘電率層材料の焼成時の収縮
開始温度よりも高すぎるため、複合積層して焼成した後
得られる基板は変形やクラックが生じやすいと同時に内
層および表層電極として用いられる導電率の高いＡｇや
Ｃｕが溶融してしまうからである。
【００３９】低誘電率層のグリーンシートは以下のよう
に作製した。低誘電率層に用いられるガラスはＳｉ
Ｏ2，Ｈ3ＢＯ3，Ａｌ（ＯＨ）3，ＣａＣＯ3，ＢａＣ
Ｏ3，Ｍｇ（ＯＨ）2，ＭｇＣＯ3，ＳｒＣＯ3，ＺｎＯ，
Ｌａ2Ｏ3，ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4等の原料を白金または白金ロ
ジウム坩堝中で溶融し、冷却後粉砕してガラス粉末を作
製した。得られたガラス粉末５００ｇをメチルエチルケ
トン３００Ｇ中にジブチルフタレート２５ｇ、ポリビニ
ルブチラール樹脂５０ｇを溶かした溶液中に加え、ボー
ルミルで２４時間混合粉砕した。得られたスラリーから
周知のドクターブレード法により厚さ２００μｍのグリ
ーンシートを作製した。
に作製した。低誘電率層に用いられるガラスはＳｉ
Ｏ2，Ｈ3ＢＯ3，Ａｌ（ＯＨ）3，ＣａＣＯ3，ＢａＣ
Ｏ3，Ｍｇ（ＯＨ）2，ＭｇＣＯ3，ＳｒＣＯ3，ＺｎＯ，
Ｌａ2Ｏ3，ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4等の原料を白金または白金ロ
ジウム坩堝中で溶融し、冷却後粉砕してガラス粉末を作
製した。得られたガラス粉末５００ｇをメチルエチルケ
トン３００Ｇ中にジブチルフタレート２５ｇ、ポリビニ
ルブチラール樹脂５０ｇを溶かした溶液中に加え、ボー
ルミルで２４時間混合粉砕した。得られたスラリーから
周知のドクターブレード法により厚さ２００μｍのグリ
ーンシートを作製した。
【００４０】前述の方法で作製した高誘電率層シートお
よび低誘電率層シートを積層し、６０℃で熱圧着するこ
とにより低誘電率層１，４（各２００μｍ厚）および高
誘電率層２，３（各５００μｍ厚）を作製した。これら
の１，２層中に導体層間の導通を得るためスルーホール
導体９，１０を形成し、銀ペーストを充填した。その
後、１〜４層上に銀ペーストをスクリーン印刷法により
所定の導体パターンに印刷し、それぞれ導体層５，６，
７，８を形成した。次いで各層１〜４層を順次積層し、
８０℃で熱厚着した後、４００℃〜４５０℃で脱バイン
ダーし、その後９００℃〜９５０℃の温度で焼成し、図
１に示す複合積層セラミック部品を形成した。
よび低誘電率層シートを積層し、６０℃で熱圧着するこ
とにより低誘電率層１，４（各２００μｍ厚）および高
誘電率層２，３（各５００μｍ厚）を作製した。これら
の１，２層中に導体層間の導通を得るためスルーホール
導体９，１０を形成し、銀ペーストを充填した。その
後、１〜４層上に銀ペーストをスクリーン印刷法により
所定の導体パターンに印刷し、それぞれ導体層５，６，
７，８を形成した。次いで各層１〜４層を順次積層し、
８０℃で熱厚着した後、４００℃〜４５０℃で脱バイン
ダーし、その後９００℃〜９５０℃の温度で焼成し、図
１に示す複合積層セラミック部品を形成した。
【００４１】以下に具体的な実施の形態２〜５について
述べる。 （実施の形態２）前記実施の形態１における低誘電率層
材料として様々な組成のガラスと、高誘電率層材料（Ｂ
ＣＮおよびＢＣＺＣＮ）との異種材料界面接着性、クラ
ック発生状況、導体層との反応性を調べた。（表１）の
試料番号１〜３は組成の異なる結晶化ガラスの低誘電率
層、試料番号４〜８は組成の異なる非晶質ガラスの低誘
電率層、試料番号９，１０は結晶化ガラスと非晶質ガラ
スの混合系の低誘電率層を用いた。ガラスの軟化点およ
び結晶化温度はＤＴＡ（示唆熱分析）測定を行うことに
より求めた。
述べる。 （実施の形態２）前記実施の形態１における低誘電率層
材料として様々な組成のガラスと、高誘電率層材料（Ｂ
ＣＮおよびＢＣＺＣＮ）との異種材料界面接着性、クラ
ック発生状況、導体層との反応性を調べた。（表１）の
試料番号１〜３は組成の異なる結晶化ガラスの低誘電率
層、試料番号４〜８は組成の異なる非晶質ガラスの低誘
電率層、試料番号９，１０は結晶化ガラスと非晶質ガラ
スの混合系の低誘電率層を用いた。ガラスの軟化点およ
び結晶化温度はＤＴＡ（示唆熱分析）測定を行うことに
より求めた。
【００４２】これらのガラスを用いて前記実施の形態１
のように焼成一体化して得られた基板について、低誘電
率層と高誘電率層（ＢＣＮおよびＢＣＺＣＮ）界面にお
ける剥離の有無を観察した。また、厚さ０．２ｍｍのブ
レードを用いたスライサーで１．０ｍｍ／ｓｅｃの速度
でそれぞれの基板を個片に切断したときの切断面のクラ
ックの有無を観察した。積層界面の接着強度については
引っ張り試験により評価を行った。さらに、一体焼成後
の表層導体と低誘電率層との反応性をテスターにより調
べた。
のように焼成一体化して得られた基板について、低誘電
率層と高誘電率層（ＢＣＮおよびＢＣＺＣＮ）界面にお
ける剥離の有無を観察した。また、厚さ０．２ｍｍのブ
レードを用いたスライサーで１．０ｍｍ／ｓｅｃの速度
でそれぞれの基板を個片に切断したときの切断面のクラ
ックの有無を観察した。積層界面の接着強度については
引っ張り試験により評価を行った。さらに、一体焼成後
の表層導体と低誘電率層との反応性をテスターにより調
べた。
【００４３】
【表１】
【００４４】以上実施の形態１に基づいて作製した結晶
化ガラス系低誘電率層材料と高誘電率層材料の異材質一
体同時焼成体の評価結果を（表１）の試料番号１〜１０
に示す。試料番号１の結晶化ガラスは、ＢＣＮおよびＢ
ＣＺＣＮどちらとも同時焼成はできず、焼成後低誘電率
層と高誘電率層が完全に剥離していた。試料番号２の結
晶化ガラスは、ＢＣＮおよびＢＣＺＣＮの誘電体どちら
とも異材質一体同時焼成が可能であり、どちらの誘電体
とも密着性は良好であった。しかし、高誘電率層がＢＣ
Ｎのときは、ガラスの熱膨張が高誘電率層（ＢＣＮの熱
膨張率：９３×１０-7／℃、ＢＣＺＣＮの熱膨張率：７
６×１０-7／℃）より小さいため、高誘電率層に大きな
引っ張り応力がかかったためＢＣＮ中にクラックが発生
した。また、高誘電率層がＢＣＺＣＮの時はガラスとＢ
ＣＺＣＮの熱膨張がほぼ同一であるためクラックは発生
しなかった。試料番号３の結晶化ガラスは、ＢＣＮおよ
びＢＣＺＣＮの誘電体どちらも異材質一体同時焼成が可
能であり、どちらの高誘電率層とも密着性は良好であっ
た。しかし、高誘電率層がＢＣＺＣＮのときは、ガラス
の熱膨張が高誘電率層より大きいため、低誘電率層に大
きな引っ張り応力がかかったためガラス中にクラックが
発生した。また、高誘電率層がＢＣＮの時はガラスの熱
膨張が若干大きいがクラックは発生しなかった。
化ガラス系低誘電率層材料と高誘電率層材料の異材質一
体同時焼成体の評価結果を（表１）の試料番号１〜１０
に示す。試料番号１の結晶化ガラスは、ＢＣＮおよびＢ
ＣＺＣＮどちらとも同時焼成はできず、焼成後低誘電率
層と高誘電率層が完全に剥離していた。試料番号２の結
晶化ガラスは、ＢＣＮおよびＢＣＺＣＮの誘電体どちら
とも異材質一体同時焼成が可能であり、どちらの誘電体
とも密着性は良好であった。しかし、高誘電率層がＢＣ
Ｎのときは、ガラスの熱膨張が高誘電率層（ＢＣＮの熱
膨張率：９３×１０-7／℃、ＢＣＺＣＮの熱膨張率：７
６×１０-7／℃）より小さいため、高誘電率層に大きな
引っ張り応力がかかったためＢＣＮ中にクラックが発生
した。また、高誘電率層がＢＣＺＣＮの時はガラスとＢ
ＣＺＣＮの熱膨張がほぼ同一であるためクラックは発生
しなかった。試料番号３の結晶化ガラスは、ＢＣＮおよ
びＢＣＺＣＮの誘電体どちらも異材質一体同時焼成が可
能であり、どちらの高誘電率層とも密着性は良好であっ
た。しかし、高誘電率層がＢＣＺＣＮのときは、ガラス
の熱膨張が高誘電率層より大きいため、低誘電率層に大
きな引っ張り応力がかかったためガラス中にクラックが
発生した。また、高誘電率層がＢＣＮの時はガラスの熱
膨張が若干大きいがクラックは発生しなかった。
【００４５】試料番号４，５の非晶質ガラスはガラスの
軟化点が焼成温度（９２０℃）より高いため、ガラスの
焼結がなされておらず、どちらの高誘電率層とも異材質
一体同時焼成はできなかった。
軟化点が焼成温度（９２０℃）より高いため、ガラスの
焼結がなされておらず、どちらの高誘電率層とも異材質
一体同時焼成はできなかった。
【００４６】試料番号６，７の非晶質ガラスはどちらの
高誘電率層とも異材質一体同時焼成が可能であり、密着
性も良好であった。特に高誘電率層がＢＣＮの場合はス
ライサーで切断後、ＢＣＮ層に多数のクラックが発生し
た。この理由としてはガラスの熱膨張がＢＣＮより小さ
いため、ＢＣＮ中に大きな引っ張り応力がかかりクラッ
クが発生したものと考えられる。
高誘電率層とも異材質一体同時焼成が可能であり、密着
性も良好であった。特に高誘電率層がＢＣＮの場合はス
ライサーで切断後、ＢＣＮ層に多数のクラックが発生し
た。この理由としてはガラスの熱膨張がＢＣＮより小さ
いため、ＢＣＮ中に大きな引っ張り応力がかかりクラッ
クが発生したものと考えられる。
【００４７】また、誘電体がＢＣＺＣＮの場合はスライ
サーで切断してもクラックの発生はなかった。これはガ
ラスとＢＣＺＣＮの熱膨張がほぼ等しいため応力発生が
小さかったためと考えられる。
サーで切断してもクラックの発生はなかった。これはガ
ラスとＢＣＺＣＮの熱膨張がほぼ等しいため応力発生が
小さかったためと考えられる。
【００４８】試料番号８の非晶質ガラスもどちらの誘電
体とも異材質一体同時焼成が可能であり、密着性が良好
であった。特に誘電体がＢＣＮの場合はスライサーで切
断後もクラックの発生はなかった。また、誘電体がＢＣ
ＺＣＮの場合はスライサーで切断後ガラス中にクラック
が発生した。
体とも異材質一体同時焼成が可能であり、密着性が良好
であった。特に誘電体がＢＣＮの場合はスライサーで切
断後もクラックの発生はなかった。また、誘電体がＢＣ
ＺＣＮの場合はスライサーで切断後ガラス中にクラック
が発生した。
【００４９】また、試料番号６〜８のガラスはいずれも
導体との反応性が高すぎるため、非晶質ガラス単独で低
誘電率層として用いることは好ましくない。
導体との反応性が高すぎるため、非晶質ガラス単独で低
誘電率層として用いることは好ましくない。
【００５０】以上の結果を基に（表１）の試料番号１の
結晶化ガラスと試料番号６および試料番号７の非晶質ガ
ラスを選択し、それぞれ７：３に配合して低誘電率層と
し、ＢＣＮの高誘電率層とのみ一体同時焼成を行った。
この結果を（表１）の試料番号９，１０に示す。試料番
号９のガラスは異材質一体同時焼成が可能で、ＢＣＮと
の密着性も強くクラックの発生もなかった。また、試料
番号１０のガラスは異材質一体同時焼成が可能でＢＣＮ
との密着性も強かったが、ＢＣＮより熱膨張が高かった
ためＢＣＮ層にクラックが発生した。導体層との反応性
については試料番号９，１０のどちらのガラスも反応は
なかった。
結晶化ガラスと試料番号６および試料番号７の非晶質ガ
ラスを選択し、それぞれ７：３に配合して低誘電率層と
し、ＢＣＮの高誘電率層とのみ一体同時焼成を行った。
この結果を（表１）の試料番号９，１０に示す。試料番
号９のガラスは異材質一体同時焼成が可能で、ＢＣＮと
の密着性も強くクラックの発生もなかった。また、試料
番号１０のガラスは異材質一体同時焼成が可能でＢＣＮ
との密着性も強かったが、ＢＣＮより熱膨張が高かった
ためＢＣＮ層にクラックが発生した。導体層との反応性
については試料番号９，１０のどちらのガラスも反応は
なかった。
【００５１】以上の結果より、異種材料界面接着強度を
強固にし導体との反応を抑えるためには、結晶化ガラス
を含んだ低誘電率層材料が望ましい。また、軟化流動温
度域が大きい結晶化ガラス（結晶化開始温度−軟化点＝
２５以上）は、ガラスと高誘電率層との十分な反応が得
られるためガラス単独でも低誘電率層を形成することが
可能である。逆に、試料番号１の結晶化ガラスのように
ガラスが軟化後すぐに結晶化するガラスは高誘電率層と
の十分な接着が得られず焼成後高誘電率層からガラスが
完全に剥離してしまう（結晶化開始温度−軟化点＝１
４）。
強固にし導体との反応を抑えるためには、結晶化ガラス
を含んだ低誘電率層材料が望ましい。また、軟化流動温
度域が大きい結晶化ガラス（結晶化開始温度−軟化点＝
２５以上）は、ガラスと高誘電率層との十分な反応が得
られるためガラス単独でも低誘電率層を形成することが
可能である。逆に、試料番号１の結晶化ガラスのように
ガラスが軟化後すぐに結晶化するガラスは高誘電率層と
の十分な接着が得られず焼成後高誘電率層からガラスが
完全に剥離してしまう（結晶化開始温度−軟化点＝１
４）。
【００５２】しかしながら、単独では使えない試料番号
１の結晶化ガラスでも試料番号９，１０のように耐熱性
の良い結晶化ガラスと軟化流動性に優れた非晶質ガラス
を混合した系で低誘電率層を形成することにより、接着
性に優れ、導体との反応性を抑えた異材質一体同時焼成
体を形成することが可能である。しかし、基板中でのク
ラック発生を抑止するためには高誘電率層と結晶化ガラ
スとの熱膨張をできるだけ一致させる必要がある。
１の結晶化ガラスでも試料番号９，１０のように耐熱性
の良い結晶化ガラスと軟化流動性に優れた非晶質ガラス
を混合した系で低誘電率層を形成することにより、接着
性に優れ、導体との反応性を抑えた異材質一体同時焼成
体を形成することが可能である。しかし、基板中でのク
ラック発生を抑止するためには高誘電率層と結晶化ガラ
スとの熱膨張をできるだけ一致させる必要がある。
【００５３】また、試料番号４〜８の非晶質ガラスの組
成において、接着性を強固にするにはＭＯ／（ＳｉＯ2
＋Ｂ2Ｏ3＋Ａｌ2Ｏ3）比が０．７〜１．０が好ましい。
ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯの総重量を示す。
成において、接着性を強固にするにはＭＯ／（ＳｉＯ2
＋Ｂ2Ｏ3＋Ａｌ2Ｏ3）比が０．７〜１．０が好ましい。
ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯの総重量を示す。
【００５４】（実施の形態３）実施の形態２の結果よ
り、試料番号９の非晶質ガラス組成を基に各成分の最適
化（（表２），（表３）の試料番号１１〜３９）を行っ
た。ここでは高誘電率層としてＢＣＮを用いた。評価方
法については実施の形態２と同様である。試料番号１１
〜１４まではＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比、試料番号１５〜１
７まではＳｉＯ2／Ｂ2Ｏ3比、試料番号１８〜１９まで
はＡｌ2Ｏ3／Ｂ2Ｏ3比、試料番号２０〜３５まではＢａ
Ｏ／ＣａＯ／ＳｒＯ比、試料番号３６〜３９まではＺｎ
Ｏ，Ｐ2Ｏ5比の最適化を図ったものである。
り、試料番号９の非晶質ガラス組成を基に各成分の最適
化（（表２），（表３）の試料番号１１〜３９）を行っ
た。ここでは高誘電率層としてＢＣＮを用いた。評価方
法については実施の形態２と同様である。試料番号１１
〜１４まではＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比、試料番号１５〜１
７まではＳｉＯ2／Ｂ2Ｏ3比、試料番号１８〜１９まで
はＡｌ2Ｏ3／Ｂ2Ｏ3比、試料番号２０〜３５まではＢａ
Ｏ／ＣａＯ／ＳｒＯ比、試料番号３６〜３９まではＺｎ
Ｏ，Ｐ2Ｏ5比の最適化を図ったものである。
【００５５】
【表２】
【００５６】
【表３】
【００５７】試料番号１１〜１４の結果より、Ｓｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3の置換においては、極端な熱膨張率の変
化は見られないが、試料番号１４組成で若干熱膨張率が
大きくなり、クラックが発生することからＳｉＯ2は６
０〜４５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3は０〜１５ｗｔ％が好まし
い。また、試料番号１５〜１９の結果よりＢ2Ｏ3は０〜
５ｗｔ％が好ましい。Ｂ2Ｏ3が１０ｗｔ％以上では軟化
温度が低下し、表層の導電層と激しく反応するためであ
る。
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3の置換においては、極端な熱膨張率の変
化は見られないが、試料番号１４組成で若干熱膨張率が
大きくなり、クラックが発生することからＳｉＯ2は６
０〜４５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3は０〜１５ｗｔ％が好まし
い。また、試料番号１５〜１９の結果よりＢ2Ｏ3は０〜
５ｗｔ％が好ましい。Ｂ2Ｏ3が１０ｗｔ％以上では軟化
温度が低下し、表層の導電層と激しく反応するためであ
る。
【００５８】試料番号２０〜３５の結果より、ＢａＯは
１５〜３５ｗｔ％、ＣａＯは５〜２５ｗｔ％、ＳｒＯは
０〜１０ｗｔ％が好ましい。ＢａＯ，ＳｒＯが高含有に
なると低膨張側にシフトし、なおかつ軟化温度が高くな
り易い。また、ＣａＯが高含有になると高膨張側にシフ
トし、軟化温度が低くなりやすい。
１５〜３５ｗｔ％、ＣａＯは５〜２５ｗｔ％、ＳｒＯは
０〜１０ｗｔ％が好ましい。ＢａＯ，ＳｒＯが高含有に
なると低膨張側にシフトし、なおかつ軟化温度が高くな
り易い。また、ＣａＯが高含有になると高膨張側にシフ
トし、軟化温度が低くなりやすい。
【００５９】また、ＺｎＯ，Ｐ2Ｏ5については、試料番
号３６〜３９の結果よりそれぞれ０〜１０ｗｔ％、０〜
５ｗｔ％の範囲で添加可能である。
号３６〜３９の結果よりそれぞれ０〜１０ｗｔ％、０〜
５ｗｔ％の範囲で添加可能である。
【００６０】（実施の形態４）試料番号１の結晶化ガラ
スを基に構成成分の最適化を行った（（表３）〜（表
５）の試料番号４０〜６０）。ここでは高誘電率層とし
てＢＣＮを用いた。試料番号４０〜４５までは非晶質ガ
ラスの組成を一定（非晶質ガラス試料番号２８組成）に
し、ＭｇＯ−ＢａＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス中のＭ
ｇＯの量について検討を行ったものである。ＭｇＯには
ガラスの熱膨張率を増加させる働きがあるため、ＭｇＯ
が多すぎる場合には低誘電率層の熱膨張率が高誘電率層
の値に比べて大きくなりすぎる。そのため、一体焼成し
た場合低誘電率層に引っ張り応力がかかりすぎこの層に
クラックが発生した。一方、ＭｇＯが少なすぎる場合に
はガラスの熱膨張率が低下するため低誘電率層の熱膨張
率が高誘電率層の値に比べて小さくなりすぎる。そのた
め、一体焼成した場合には高誘電率層に引っ張り応力が
働き、スライサーで基板を切断したとき高誘電率層側に
クラックが発生した。以上の結果よりＭｇＯ−ＢａＯ−
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラスのＭｇＯの量は５６〜６６ｗ
ｔ％が好ましい。
スを基に構成成分の最適化を行った（（表３）〜（表
５）の試料番号４０〜６０）。ここでは高誘電率層とし
てＢＣＮを用いた。試料番号４０〜４５までは非晶質ガ
ラスの組成を一定（非晶質ガラス試料番号２８組成）に
し、ＭｇＯ−ＢａＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス中のＭ
ｇＯの量について検討を行ったものである。ＭｇＯには
ガラスの熱膨張率を増加させる働きがあるため、ＭｇＯ
が多すぎる場合には低誘電率層の熱膨張率が高誘電率層
の値に比べて大きくなりすぎる。そのため、一体焼成し
た場合低誘電率層に引っ張り応力がかかりすぎこの層に
クラックが発生した。一方、ＭｇＯが少なすぎる場合に
はガラスの熱膨張率が低下するため低誘電率層の熱膨張
率が高誘電率層の値に比べて小さくなりすぎる。そのた
め、一体焼成した場合には高誘電率層に引っ張り応力が
働き、スライサーで基板を切断したとき高誘電率層側に
クラックが発生した。以上の結果よりＭｇＯ−ＢａＯ−
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラスのＭｇＯの量は５６〜６６ｗ
ｔ％が好ましい。
【００６１】
【表４】
【００６２】
【表５】
【００６３】試料番号４６〜４９まではＭｇＯ−ＢａＯ
−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス中のＳｉＯ2の量について検
討を行ったものである。ＳｉＯ2はガラス形成酸化物で
あると同時に、ガラスの熱膨張率を低下させる働きがあ
る。そのため、ＳｉＯ2の量が多すぎる場合には低誘電
率層の熱膨張率が低下し、高誘電率層側にクラックが発
生した。逆にＳｉＯ2の量が少なすぎる場合にはＭｇＯ
による熱膨張率の増加効果が大きくなり、低誘電率層側
にクラックが発生した。以上の結果よりＳｉＯ 2の量は
１３〜１８ｗｔ％が好ましい。
−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス中のＳｉＯ2の量について検
討を行ったものである。ＳｉＯ2はガラス形成酸化物で
あると同時に、ガラスの熱膨張率を低下させる働きがあ
る。そのため、ＳｉＯ2の量が多すぎる場合には低誘電
率層の熱膨張率が低下し、高誘電率層側にクラックが発
生した。逆にＳｉＯ2の量が少なすぎる場合にはＭｇＯ
による熱膨張率の増加効果が大きくなり、低誘電率層側
にクラックが発生した。以上の結果よりＳｉＯ 2の量は
１３〜１８ｗｔ％が好ましい。
【００６４】試料番号５０〜５５まではＭｇＯ−ＢａＯ
−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス中のＢ2Ｏ3の量について検
討を行ったものである。Ｂ2Ｏ3の量が多すぎる場合には
ガラスの熱膨張率が高くなりすぎ、量が少なすぎる場合
には逆に熱膨張率が低くなりすぎる。以上の結果よりＢ
2Ｏ3の適正な範囲は１２〜１７ｗｔ％である。
−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス中のＢ2Ｏ3の量について検
討を行ったものである。Ｂ2Ｏ3の量が多すぎる場合には
ガラスの熱膨張率が高くなりすぎ、量が少なすぎる場合
には逆に熱膨張率が低くなりすぎる。以上の結果よりＢ
2Ｏ3の適正な範囲は１２〜１７ｗｔ％である。
【００６５】試料番号５６〜６０まではＭｇＯ−ＢａＯ
−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス中のＢａＯの量について検
討を行ったものである。ＢａＯの量が多すぎる場合には
ガラスの熱膨張率が低くなり、少なすぎる場合には逆に
熱膨張率が高くなる。以上の結果よりＢａＯの適正な組
成範囲は７〜１１ｗｔ％である。また、試料番号４０〜
６０の結果より、総合評価として最も最適な（ＭｇＯ＋
ＢａＯ）／（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）の範囲は、２．３〜
２．６である。
−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス中のＢａＯの量について検
討を行ったものである。ＢａＯの量が多すぎる場合には
ガラスの熱膨張率が低くなり、少なすぎる場合には逆に
熱膨張率が高くなる。以上の結果よりＢａＯの適正な組
成範囲は７〜１１ｗｔ％である。また、試料番号４０〜
６０の結果より、総合評価として最も最適な（ＭｇＯ＋
ＢａＯ）／（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）の範囲は、２．３〜
２．６である。
【００６６】（実施の形態５）低誘電率層中におけるＭ
ｇＯ−ＢａＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系結晶化ガラスとＳｉ
Ｏ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）系非晶質ガ
ラスの配合比の最適化を図った（（表５）の試料番号６
１〜６６）。ここでは高誘電率層としてＢＣＮを用い
た。（表２）の試料番号２８の非晶質ガラスと（表５）
の試料番号６０の結晶化ガラスを用い、それぞれの配合
を重量比で１０：０（（表５）の試料番号６１・Ｂ／Ａ
比：Ｂ）、２：８（（表５）の試料番号６２・Ｂ／Ａ
比：０．２５）、３：７（（表５）の試料番号６３・Ｂ
／Ａ比０．４）、５：５（（表５）の試料番号６４・Ｂ
／Ａ比１．０）、６：４（（表５）の試料番号６５・Ｂ
／Ａ比１．５）、０：１０（（表５）の試料番号６６・
Ｂ／Ａ比：Ａ）の低誘電率層を形成し実施の形態２と同
様な評価を行った。（表５）の試料番号６１〜６６の結
果より、非晶質ガラスと結晶化ガラスの混合比（Ｂ／
Ａ）は０．２５〜１．０の範囲が好ましい。Ｂ／Ａ比の
最適範囲外、特にＢ／Ａが小さくなると非晶質ガラス
（Ｂ）が多くなるため接着強度は強くなるが、低誘電率
層全体としての熱膨張率が小さくなり、基板内にクラッ
クが発生する。また、Ｂ／Ａ比が大きくなると結晶化ガ
ラスの量が多くなるため、低誘電率層全体としての熱膨
張率が大きくなり過ぎ、焼成後、密着成分として働く非
晶質ガラスの量が少なくなりすぎ剥離が生じてしまう。
ｇＯ−ＢａＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系結晶化ガラスとＳｉ
Ｏ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）系非晶質ガ
ラスの配合比の最適化を図った（（表５）の試料番号６
１〜６６）。ここでは高誘電率層としてＢＣＮを用い
た。（表２）の試料番号２８の非晶質ガラスと（表５）
の試料番号６０の結晶化ガラスを用い、それぞれの配合
を重量比で１０：０（（表５）の試料番号６１・Ｂ／Ａ
比：Ｂ）、２：８（（表５）の試料番号６２・Ｂ／Ａ
比：０．２５）、３：７（（表５）の試料番号６３・Ｂ
／Ａ比０．４）、５：５（（表５）の試料番号６４・Ｂ
／Ａ比１．０）、６：４（（表５）の試料番号６５・Ｂ
／Ａ比１．５）、０：１０（（表５）の試料番号６６・
Ｂ／Ａ比：Ａ）の低誘電率層を形成し実施の形態２と同
様な評価を行った。（表５）の試料番号６１〜６６の結
果より、非晶質ガラスと結晶化ガラスの混合比（Ｂ／
Ａ）は０．２５〜１．０の範囲が好ましい。Ｂ／Ａ比の
最適範囲外、特にＢ／Ａが小さくなると非晶質ガラス
（Ｂ）が多くなるため接着強度は強くなるが、低誘電率
層全体としての熱膨張率が小さくなり、基板内にクラッ
クが発生する。また、Ｂ／Ａ比が大きくなると結晶化ガ
ラスの量が多くなるため、低誘電率層全体としての熱膨
張率が大きくなり過ぎ、焼成後、密着成分として働く非
晶質ガラスの量が少なくなりすぎ剥離が生じてしまう。
【００６７】従って本発明の実施の形態１〜５において
は低誘電率層と高誘電率層の同時焼成により、共振器内
蔵複合積層セラミック部品を得ることができる。また、
高誘電率層内には共振器以外にもコンデンサ等も内蔵で
きることは言うまでもない。
は低誘電率層と高誘電率層の同時焼成により、共振器内
蔵複合積層セラミック部品を得ることができる。また、
高誘電率層内には共振器以外にもコンデンサ等も内蔵で
きることは言うまでもない。
【００６８】（実施の形態６）前記実施の形態２〜５の
低誘電率層とは異なる結晶化ガラス単独、非晶質ガラス
単独、結晶化ガラスと非晶質ガラスの混合系、結晶化ガ
ラスと非晶質ガラスとアルミナ粉末の混合系で低誘電率
層を形成したときの接着性、クラック発生度合い、導体
との反応性を調べた。ここでは高誘電率層としてＢＣＮ
を用いた。評価方法は実施の形態と同様である。その結
果を（表６）〜（表８）の試料番号１〜２０に示す。試
料番号１〜４はホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラス
のみで低誘電率層を形成した場合の焼成体評価結果であ
る。この場合、基板は平坦に形成できたが異種材料の界
面で剥離が生じた。
低誘電率層とは異なる結晶化ガラス単独、非晶質ガラス
単独、結晶化ガラスと非晶質ガラスの混合系、結晶化ガ
ラスと非晶質ガラスとアルミナ粉末の混合系で低誘電率
層を形成したときの接着性、クラック発生度合い、導体
との反応性を調べた。ここでは高誘電率層としてＢＣＮ
を用いた。評価方法は実施の形態と同様である。その結
果を（表６）〜（表８）の試料番号１〜２０に示す。試
料番号１〜４はホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラス
のみで低誘電率層を形成した場合の焼成体評価結果であ
る。この場合、基板は平坦に形成できたが異種材料の界
面で剥離が生じた。
【００６９】
【表６】
【００７０】（表６）の試料番号５〜８はホウケイ酸鉛
系非晶質ガラスのみで低誘電率層を形成した場合の焼成
体基板の評価結果である。この場合異種材料界面での剥
離は生じなかったが、焼成体基板に反りやクラックが生
じた。
系非晶質ガラスのみで低誘電率層を形成した場合の焼成
体基板の評価結果である。この場合異種材料界面での剥
離は生じなかったが、焼成体基板に反りやクラックが生
じた。
【００７１】（表７）の試料番号９〜１２はホウケイ酸
マグネシウム系結晶化ガラスとホウケイ酸鉛系非晶質ガ
ラスの混合系で低誘電率層を形成した場合の焼成体基板
の評価結果である。この場合、接着性は良好であったが
焼成体基板に反りが生じた。
マグネシウム系結晶化ガラスとホウケイ酸鉛系非晶質ガ
ラスの混合系で低誘電率層を形成した場合の焼成体基板
の評価結果である。この場合、接着性は良好であったが
焼成体基板に反りが生じた。
【００７２】
【表７】
【００７３】（表７）の試料番号１３〜１６はホウケイ
酸マグネシウム系結晶化ガラスとアルミナ粉末の混合系
で低誘電率層を形成した場合の焼成体基板の評価結果で
ある。この場合、異種材料界面での接着性が得られなか
った。さらに、９００℃〜９５０℃での焼成が不可能な
ものであった。
酸マグネシウム系結晶化ガラスとアルミナ粉末の混合系
で低誘電率層を形成した場合の焼成体基板の評価結果で
ある。この場合、異種材料界面での接着性が得られなか
った。さらに、９００℃〜９５０℃での焼成が不可能な
ものであった。
【００７４】（表８）の試料番号１７〜２０はホウケイ
酸鉛系非晶質ガラスとアルミナ粉末の混合系で低誘電率
層を形成した場合の焼成体基板の評価結果である。この
場合、異種材料界面での接着性は得られたが基板切断時
に切断面にクラックが発生した。
酸鉛系非晶質ガラスとアルミナ粉末の混合系で低誘電率
層を形成した場合の焼成体基板の評価結果である。この
場合、異種材料界面での接着性は得られたが基板切断時
に切断面にクラックが発生した。
【００７５】
【表８】
【００７６】（表８）の試料番号２１はホウケイ酸マグ
ネシウム系結晶化ガラス、ホウケイ酸鉛系非晶質ガラス
およびアルミナ粉末の混合系で低誘電率層を形成した場
合の焼成体基板の評価結果である。この場合、異種材料
界面の接着性は良好であり、クラックの発生も基板の反
りもなかった。
ネシウム系結晶化ガラス、ホウケイ酸鉛系非晶質ガラス
およびアルミナ粉末の混合系で低誘電率層を形成した場
合の焼成体基板の評価結果である。この場合、異種材料
界面の接着性は良好であり、クラックの発生も基板の反
りもなかった。
【００７７】以上の結果からホウケイ酸マグネシウム系
結晶化ガラス、ホウケイ酸鉛系非晶質ガラスおよびアル
ミナの３種の構成成分がない場合には複合積層基板を実
現することは不可能であった。
結晶化ガラス、ホウケイ酸鉛系非晶質ガラスおよびアル
ミナの３種の構成成分がない場合には複合積層基板を実
現することは不可能であった。
【００７８】（実施の形態７）ホウケイ酸マグネシウム
系結晶化ガラスおよびホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの組
成が複合積層基板に与える影響について評価を行った。
ここでは高誘電率層としてＢＣＮを用いた。
系結晶化ガラスおよびホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの組
成が複合積層基板に与える影響について評価を行った。
ここでは高誘電率層としてＢＣＮを用いた。
【００７９】（表８）の試料番号２２〜２４および（表
９）の試料番号２５〜２８はそれぞれホウケイ酸マグネ
シウム系結晶化ガラス中のＭｇＯおよびＢａＯの量につ
いて検討を行ったものである。ＭｇＯ，ＢａＯにはガラ
スの熱膨張率を増加させる働きがあるため、ＭｇＯおよ
びＢａＯの量が多すぎる場合には低誘電率層の熱膨張率
が高誘電率層の熱膨張率に比べて大きくなりすぎる。そ
のため、グリーンシート積層体を一体焼成した場合に働
く引っ張り応力が大となり、この層にクラックが発生し
た。一方、ＭｇＯおよびＢａＯが少なすぎる場合にはガ
ラスの熱膨張率が低下するために低誘電率層の熱膨張率
が高誘電率層の値に比べて小さくなりすぎる。そのた
め、グリーンシート積層体を一体焼成した場合に高誘電
率層に引っ張り応力が働き、スライサーで基板を切断し
て得られた個片断面の高誘電率層側にクラックが発生し
た。
９）の試料番号２５〜２８はそれぞれホウケイ酸マグネ
シウム系結晶化ガラス中のＭｇＯおよびＢａＯの量につ
いて検討を行ったものである。ＭｇＯ，ＢａＯにはガラ
スの熱膨張率を増加させる働きがあるため、ＭｇＯおよ
びＢａＯの量が多すぎる場合には低誘電率層の熱膨張率
が高誘電率層の熱膨張率に比べて大きくなりすぎる。そ
のため、グリーンシート積層体を一体焼成した場合に働
く引っ張り応力が大となり、この層にクラックが発生し
た。一方、ＭｇＯおよびＢａＯが少なすぎる場合にはガ
ラスの熱膨張率が低下するために低誘電率層の熱膨張率
が高誘電率層の値に比べて小さくなりすぎる。そのた
め、グリーンシート積層体を一体焼成した場合に高誘電
率層に引っ張り応力が働き、スライサーで基板を切断し
て得られた個片断面の高誘電率層側にクラックが発生し
た。
【００８０】
【表９】
【００８１】（表９）の試料番号２９〜３２はホウケイ
酸マグネシウム系結晶化ガラス中のＳｉＯ2の量につい
て検討を行ったものである。ＳｉＯ2はガラス形成酸化
物であると同時にガラスの熱膨張率を低下させる働きが
ある。そのため、ＳｉＯ2の量が多すぎる場合には低誘
電率層の熱膨張率が低下し、前記と同様の理由で高誘電
率層側にクラックが発生した。逆にＳｉＯ2の量が少な
すぎる場合にはＭｇＯによる熱膨張率の増加効果が大き
くなり、前記と同様の理由で低誘電率層にクラックが発
生した。
酸マグネシウム系結晶化ガラス中のＳｉＯ2の量につい
て検討を行ったものである。ＳｉＯ2はガラス形成酸化
物であると同時にガラスの熱膨張率を低下させる働きが
ある。そのため、ＳｉＯ2の量が多すぎる場合には低誘
電率層の熱膨張率が低下し、前記と同様の理由で高誘電
率層側にクラックが発生した。逆にＳｉＯ2の量が少な
すぎる場合にはＭｇＯによる熱膨張率の増加効果が大き
くなり、前記と同様の理由で低誘電率層にクラックが発
生した。
【００８２】（表１０）の試料番号３３〜３６はホウケ
イ酸マグネシウム系結晶化ガラス中のＢ2Ｏ3の量につい
て検討を行ったものである。Ｂ2Ｏ3の量が多すぎる場合
には焼成時のホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラスの
結晶化温度が低くなり、少なすぎる場合には前記結晶化
温度は高くなる。したがってＢ2Ｏ3量として最適な範囲
が存在し、本発明の複合積層体の焼成にはＢ2Ｏ3量がこ
の範囲にあることが望ましい。これはホウケイ酸マグネ
シウム系結晶化ガラスの結晶化温度が複合積層体の焼成
に与える影響について先に述べた理由によるものであ
る。
イ酸マグネシウム系結晶化ガラス中のＢ2Ｏ3の量につい
て検討を行ったものである。Ｂ2Ｏ3の量が多すぎる場合
には焼成時のホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラスの
結晶化温度が低くなり、少なすぎる場合には前記結晶化
温度は高くなる。したがってＢ2Ｏ3量として最適な範囲
が存在し、本発明の複合積層体の焼成にはＢ2Ｏ3量がこ
の範囲にあることが望ましい。これはホウケイ酸マグネ
シウム系結晶化ガラスの結晶化温度が複合積層体の焼成
に与える影響について先に述べた理由によるものであ
る。
【００８３】また、ホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガ
ラス中におけるガラス形成酸化物であるＳｉＯ2および
Ｂ2Ｏ3の合計量が少なすぎる場合にはガラス作製時に溶
融し難く、均質なガラスを得ることが困難であった。
ラス中におけるガラス形成酸化物であるＳｉＯ2および
Ｂ2Ｏ3の合計量が少なすぎる場合にはガラス作製時に溶
融し難く、均質なガラスを得ることが困難であった。
【００８４】
【表１０】
【００８５】（表１０）の試料番号３７〜４０、（表１
１）の試料番号４１〜４４、（表１１）の試料番号４５
〜４８はそれぞれホウケイ酸鉛系非晶質ガラス中におけ
るＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3およびＣａＯの量について検討を行
ったものである。ホウケイ酸鉛ガラス中におけるＳｉＯ
2，Ｂ2Ｏ3およびＣａＯ量が多すぎると前記ガラスの軟
化温度が高くなりすぎ、逆に少なすぎると前記ガラスの
軟化温度が低くなりすぎる。特にＳｉＯ2およびＢ2Ｏ3
の量が少なすぎる場合には前記ガラスの形成が困難とな
る。したがってＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3およびＣａＯの量が請
求項１２の限定範囲外の場合には前記ホウケイ酸鉛系非
晶質ガラスは複合積層基板の低誘電率層材料中の成分と
しては好ましくなく、ホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの軟
化温度の与える影響について先に述べたように複合積層
焼成体の変形あるいは異種材料界面での剥離が生じた。
１）の試料番号４１〜４４、（表１１）の試料番号４５
〜４８はそれぞれホウケイ酸鉛系非晶質ガラス中におけ
るＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3およびＣａＯの量について検討を行
ったものである。ホウケイ酸鉛ガラス中におけるＳｉＯ
2，Ｂ2Ｏ3およびＣａＯ量が多すぎると前記ガラスの軟
化温度が高くなりすぎ、逆に少なすぎると前記ガラスの
軟化温度が低くなりすぎる。特にＳｉＯ2およびＢ2Ｏ3
の量が少なすぎる場合には前記ガラスの形成が困難とな
る。したがってＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3およびＣａＯの量が請
求項１２の限定範囲外の場合には前記ホウケイ酸鉛系非
晶質ガラスは複合積層基板の低誘電率層材料中の成分と
しては好ましくなく、ホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの軟
化温度の与える影響について先に述べたように複合積層
焼成体の変形あるいは異種材料界面での剥離が生じた。
【００８６】
【表１１】
【００８７】（表１２）の試料番号４９〜５２はホウケ
イ酸鉛系非晶質ガラス中におけるＰｂＯの量について検
討を行ったものである。この場合はＰｂＯの量が多すぎ
るとガラスの軟化温度が低くなりすぎ、更にはガラスの
形成が困難となった。逆にその量が少なすぎると前記ガ
ラスの軟化温度が高くなりすぎた。したがって先に述べ
た理由により複合積層焼成体の変形あるいは異種材料界
面での剥離が生じた。
イ酸鉛系非晶質ガラス中におけるＰｂＯの量について検
討を行ったものである。この場合はＰｂＯの量が多すぎ
るとガラスの軟化温度が低くなりすぎ、更にはガラスの
形成が困難となった。逆にその量が少なすぎると前記ガ
ラスの軟化温度が高くなりすぎた。したがって先に述べ
た理由により複合積層焼成体の変形あるいは異種材料界
面での剥離が生じた。
【００８８】
【表１２】
【００８９】以上の結果から、複合積層基板を形成する
ためにはホウケイ酸マグネシウムガラスおよびホウケイ
酸鉛ガラスの組成は請求項１２に記載の範囲内にあるこ
とが望ましいことがわかった。
ためにはホウケイ酸マグネシウムガラスおよびホウケイ
酸鉛ガラスの組成は請求項１２に記載の範囲内にあるこ
とが望ましいことがわかった。
【００９０】（実施の形態８）次に、ホウケイ酸マグネ
シウム系結晶化ガラスとホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの
混合割合およびアルミナとホウケイ酸鉛系非晶質ガラス
の混合割合が複合積層基板に与える影響について検討を
行った。ここでは高誘電率層としてＢＣＮを用いた。
シウム系結晶化ガラスとホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの
混合割合およびアルミナとホウケイ酸鉛系非晶質ガラス
の混合割合が複合積層基板に与える影響について検討を
行った。ここでは高誘電率層としてＢＣＮを用いた。
【００９１】（表１２）の試料番号５３〜５６および
（表１３）の試料番号５７〜６０はそれぞれ低誘電率層
中におけるホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラスとホ
ウケイ酸鉛系非晶質ガラスの重量比およびホウケイ酸鉛
ガラスとアルミナの重量比について検討を行ったもので
ある。ホウケイ酸鉛系非晶質ガラスは高誘電率層との接
着に寄与するのでホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの量が少
ないと複合積層基板焼成体の異種材料界面で剥離が生じ
た。また、ホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラスは焼
成時に結晶化して基板状になり、複合積層体の変形抑制
に寄与するので、ホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラ
スの量が少ないと焼成時において低誘電率層は変形しや
すい状態を保ち続け、複合積層基板焼成体に変形が生じ
た。更にこの場合、低誘電率層の熱膨張率が小さくなる
ので基板にクラックが発生しやすくなった。また、アル
ミナは主にホウケイ酸鉛系非晶質ガラスと反応し、ホウ
ケイ酸鉛系非晶質ガラスの流動性が高くなりすぎないよ
うに流動性をコントロールする働きがある。したがって
アルミナの量が多すぎる場合にはホウケイ酸鉛系非晶質
ガラスの流動性が低すぎて複合積層焼成体基板の異種材
料界面で剥離が生じ、逆に無いもしくは少なすぎる場合
にはホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの流動性が高すぎて複
合積層基板焼成体に変形が起こりやすくなった。
（表１３）の試料番号５７〜６０はそれぞれ低誘電率層
中におけるホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラスとホ
ウケイ酸鉛系非晶質ガラスの重量比およびホウケイ酸鉛
ガラスとアルミナの重量比について検討を行ったもので
ある。ホウケイ酸鉛系非晶質ガラスは高誘電率層との接
着に寄与するのでホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの量が少
ないと複合積層基板焼成体の異種材料界面で剥離が生じ
た。また、ホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラスは焼
成時に結晶化して基板状になり、複合積層体の変形抑制
に寄与するので、ホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラ
スの量が少ないと焼成時において低誘電率層は変形しや
すい状態を保ち続け、複合積層基板焼成体に変形が生じ
た。更にこの場合、低誘電率層の熱膨張率が小さくなる
ので基板にクラックが発生しやすくなった。また、アル
ミナは主にホウケイ酸鉛系非晶質ガラスと反応し、ホウ
ケイ酸鉛系非晶質ガラスの流動性が高くなりすぎないよ
うに流動性をコントロールする働きがある。したがって
アルミナの量が多すぎる場合にはホウケイ酸鉛系非晶質
ガラスの流動性が低すぎて複合積層焼成体基板の異種材
料界面で剥離が生じ、逆に無いもしくは少なすぎる場合
にはホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの流動性が高すぎて複
合積層基板焼成体に変形が起こりやすくなった。
【００９２】
【表１３】
【００９３】以上の結果から、ホウケイ酸マグネシウム
系結晶化ガラスとホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの混合割
合およびアルミナとホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの混合
割合は請求項１４の範囲内にあることが望ましいことが
わかった。
系結晶化ガラスとホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの混合割
合およびアルミナとホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの混合
割合は請求項１４の範囲内にあることが望ましいことが
わかった。
【００９４】（実施の形態９）次にホウケイ酸マグネシ
ウム系結晶化ガラスの結晶化温度およびホウケイ酸鉛系
非晶質ガラスの軟化温度が複合積層基板に与える影響に
ついて検討を行った。ここでは高誘電率層としてＢＣＮ
を用いた。
ウム系結晶化ガラスの結晶化温度およびホウケイ酸鉛系
非晶質ガラスの軟化温度が複合積層基板に与える影響に
ついて検討を行った。ここでは高誘電率層としてＢＣＮ
を用いた。
【００９５】（表１３）の試料番号６１〜６４および
（表１４）の試料番号６５，６６はホウケイ酸マグネシ
ウム系結晶化ガラスの結晶化温度について検討を行った
ものである。ホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラスの
結晶化温度が低いともう１つのガラス成分であるホウケ
イ酸鉛系非晶質ガラスの軟化温度に近づくため、低誘電
率層成分全体として軟化してから焼成完了までの温度領
域が狭くなった。すなわち焼成時における低誘電率層成
分の焼成反応が急激に進むため、低誘電率層成分が高誘
電率層成分に拡散し難くなり、焼成体の異種積層界面で
剥離が生じやすくなった。逆にホウケイ酸マグネシウム
系結晶化ガラスの結晶化温度が高すぎると低誘電率層成
分の焼成反応が遅すぎるため、高誘電率層成分の焼成反
応領域と一部重なった。低誘電率層と高誘電率層とでは
焼成時における収縮率が異なるので、同じ温度域で両者
の焼成反応が起こると複合積層体全体として変形が起こ
りやすくなり、焼成体基板の反りが生じた。ただし、前
記の剥離や変形はホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラ
スの結晶化温度が請求項１５の範囲外であっても前記ガ
ラスの組成が請求項１２の組成範囲内であれば許容範囲
に抑制できた。
（表１４）の試料番号６５，６６はホウケイ酸マグネシ
ウム系結晶化ガラスの結晶化温度について検討を行った
ものである。ホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラスの
結晶化温度が低いともう１つのガラス成分であるホウケ
イ酸鉛系非晶質ガラスの軟化温度に近づくため、低誘電
率層成分全体として軟化してから焼成完了までの温度領
域が狭くなった。すなわち焼成時における低誘電率層成
分の焼成反応が急激に進むため、低誘電率層成分が高誘
電率層成分に拡散し難くなり、焼成体の異種積層界面で
剥離が生じやすくなった。逆にホウケイ酸マグネシウム
系結晶化ガラスの結晶化温度が高すぎると低誘電率層成
分の焼成反応が遅すぎるため、高誘電率層成分の焼成反
応領域と一部重なった。低誘電率層と高誘電率層とでは
焼成時における収縮率が異なるので、同じ温度域で両者
の焼成反応が起こると複合積層体全体として変形が起こ
りやすくなり、焼成体基板の反りが生じた。ただし、前
記の剥離や変形はホウケイ酸マグネシウム系結晶化ガラ
スの結晶化温度が請求項１５の範囲外であっても前記ガ
ラスの組成が請求項１２の組成範囲内であれば許容範囲
に抑制できた。
【００９６】
【表１４】
【００９７】（表１４）の試料番号６７〜７２はホウケ
イ酸鉛系非晶質ガラスの軟化温度について検討を行った
ものである。ホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの軟化温度が
低すぎる場合には前記ガラスが軟化してから低誘電率層
焼成までの温度領域が広くなった。そのため高誘電率層
側に過剰に前記ガラスが拡散し、ガラスを多く含んだ高
誘電率層の部分は本来の高誘電率層に比べて焼成収縮挙
動が異なったものになるが、そのため、焼成体基板の反
りが生じやすくなった。一方、ホウケイ酸鉛系非晶質ガ
ラスの軟化温度が高すぎる場合にはガラスが軟化してか
ら低誘電率層焼成までの温度領域が狭くなった。そのた
め、前記のような理由で焼成体の異種積層界面での剥離
が生じ易くなった。ただし、ガラスの軟化温度が請求項
１５の範囲外であっても、前記ガラス組成が請求項１２
の範囲内であれば剥離を防止でき、変形を許容範囲内に
収めることができた。
イ酸鉛系非晶質ガラスの軟化温度について検討を行った
ものである。ホウケイ酸鉛系非晶質ガラスの軟化温度が
低すぎる場合には前記ガラスが軟化してから低誘電率層
焼成までの温度領域が広くなった。そのため高誘電率層
側に過剰に前記ガラスが拡散し、ガラスを多く含んだ高
誘電率層の部分は本来の高誘電率層に比べて焼成収縮挙
動が異なったものになるが、そのため、焼成体基板の反
りが生じやすくなった。一方、ホウケイ酸鉛系非晶質ガ
ラスの軟化温度が高すぎる場合にはガラスが軟化してか
ら低誘電率層焼成までの温度領域が狭くなった。そのた
め、前記のような理由で焼成体の異種積層界面での剥離
が生じ易くなった。ただし、ガラスの軟化温度が請求項
１５の範囲外であっても、前記ガラス組成が請求項１２
の範囲内であれば剥離を防止でき、変形を許容範囲内に
収めることができた。
【００９８】以上のことから、実施の形態６〜９の特許
請求の範囲外においては異種材料を積層、一体焼成する
ことにより複合積層セラミック部品に適した基板を得る
ことができなかった。
請求の範囲外においては異種材料を積層、一体焼成する
ことにより複合積層セラミック部品に適した基板を得る
ことができなかった。
【００９９】一方、実施の形態７の特許請求の範囲内で
は異種積層界面での剥離が生じず、積層界面でのクラッ
クもなかった。更に前記剥離防止効果は（表９）の試料
番号２９〜３２および（表１０）の試料番号３３〜３６
で示されるように、（ＭｇＯ＋ＢａＯ）／（ＳｉＯ2＋
Ｂ2Ｏ3）＝２．４〜２．７の場合に特に顕著であった。
ＳｉＯ2およびＢ2Ｏ3はガラス形成酸化物である。一
方、ＭｇＯおよびＢａＯはガラス修飾酸化物であり、ガ
ラス構造の中に入ることによって主にガラスの熱膨張率
を高くする働きがある。したがって、前記の（ＭｇＯ＋
ＢａＯ）／（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）の範囲は前記ガラス形
成酸化物およびガラス修飾酸化物の割合が複合積層体基
板の低誘電率層中の成分として最適な領域にあると考え
られる。
は異種積層界面での剥離が生じず、積層界面でのクラッ
クもなかった。更に前記剥離防止効果は（表９）の試料
番号２９〜３２および（表１０）の試料番号３３〜３６
で示されるように、（ＭｇＯ＋ＢａＯ）／（ＳｉＯ2＋
Ｂ2Ｏ3）＝２．４〜２．７の場合に特に顕著であった。
ＳｉＯ2およびＢ2Ｏ3はガラス形成酸化物である。一
方、ＭｇＯおよびＢａＯはガラス修飾酸化物であり、ガ
ラス構造の中に入ることによって主にガラスの熱膨張率
を高くする働きがある。したがって、前記の（ＭｇＯ＋
ＢａＯ）／（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）の範囲は前記ガラス形
成酸化物およびガラス修飾酸化物の割合が複合積層体基
板の低誘電率層中の成分として最適な領域にあると考え
られる。
【０１００】実施の形態８では基板の反りが更に改善さ
れた。これは低誘電率層材料中において高誘電率層との
接着に寄与する非晶質ガラス成分および結晶質ガラス成
分と、焼成時における反りなどの変形を抑制する働きを
有する結晶質ガラス成分およびセラミック粉体の混合割
合が最適な領域にあったためであると考えられる。また
実施の形態９では基板の平坦性、異種積層界面での剥離
防止に特に効果的であった。
れた。これは低誘電率層材料中において高誘電率層との
接着に寄与する非晶質ガラス成分および結晶質ガラス成
分と、焼成時における反りなどの変形を抑制する働きを
有する結晶質ガラス成分およびセラミック粉体の混合割
合が最適な領域にあったためであると考えられる。また
実施の形態９では基板の平坦性、異種積層界面での剥離
防止に特に効果的であった。
【０１０１】したがって本発明の実施の形態６〜９にお
いては低誘電率層と高誘電率層の同時焼成により、共振
器内蔵複合積層セラミック部品を得ることができる。な
お、本発明は前記の実施の形態６〜９に限定されるもの
ではなく、低誘電率層成分の構成成分であるガラスに添
加可能な成分としてＳｎＯ2，Ｐ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3などを
挙げることができる。また、高誘電率層内には共振器の
以外にもコンデンサなども内蔵できることは言うまでも
ない。
いては低誘電率層と高誘電率層の同時焼成により、共振
器内蔵複合積層セラミック部品を得ることができる。な
お、本発明は前記の実施の形態６〜９に限定されるもの
ではなく、低誘電率層成分の構成成分であるガラスに添
加可能な成分としてＳｎＯ2，Ｐ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3などを
挙げることができる。また、高誘電率層内には共振器の
以外にもコンデンサなども内蔵できることは言うまでも
ない。
【０１０２】（実施の形態１０）前記実施の形態１の複
合積層セラミック部品の高誘電率層をＢＣＺＣＮとした
ときの（表１）の試料番号２の結晶化ガラスの最適化を
行った。評価方法としては前記実施の形態と同様な方法
で行った。
合積層セラミック部品の高誘電率層をＢＣＺＣＮとした
ときの（表１）の試料番号２の結晶化ガラスの最適化を
行った。評価方法としては前記実施の形態と同様な方法
で行った。
【０１０３】以上実施の形態１に基づいて作製した結晶
化ガラス系低誘電率層材料と高誘電率層材料の異材質一
体同時焼成体の評価結果を（表１５）の試料番号１〜２
６に示す。
化ガラス系低誘電率層材料と高誘電率層材料の異材質一
体同時焼成体の評価結果を（表１５）の試料番号１〜２
６に示す。
【０１０４】
【表１５】
【０１０５】異種の材料を一体焼成する場合、その界面
における剥離および各層に残留する熱応力に起因して発
生するクラックを抑止するためには、両材料の焼成挙動
と熱膨張率を一致させることが必要である。高誘電率層
ＢＣＺＣＮ材の焼成開始温度は８５７℃、熱膨張率は７
６×１０-7／℃であり、低誘電率層のガラスの軟化点と
熱膨張率をこの値に一致させれば、界面における剥離、
クラックの発生のない良好な異種積層部品を作製するこ
とができる。
における剥離および各層に残留する熱応力に起因して発
生するクラックを抑止するためには、両材料の焼成挙動
と熱膨張率を一致させることが必要である。高誘電率層
ＢＣＺＣＮ材の焼成開始温度は８５７℃、熱膨張率は７
６×１０-7／℃であり、低誘電率層のガラスの軟化点と
熱膨張率をこの値に一致させれば、界面における剥離、
クラックの発生のない良好な異種積層部品を作製するこ
とができる。
【０１０６】（表１５）の試料番号１〜７はＳｉＯ2と
ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｍｇの少なくとも２種以上）の
成分比率について検討を行ったものである。ＳｉＯ2に
は熱膨張率を低下させる働きがある。ＳｉＯ2が多すぎ
る場合には低誘電率層の熱膨張率が低下するため、低誘
電率層の熱膨張率が高誘電率層の値に比べ小さくなりす
ぎる。そのため高誘電率層に引っ張り応力が働き、スラ
イサーで基板を切断して得られた個片断面の高誘電率層
側にクラックが多く発生する。逆にＳｉＯ2の量が少な
すぎるとＭｇＯによる熱膨張率の増加効果が大きくな
り、低誘電率層の熱膨張率が高くなり低誘電率層に引っ
張り応力が働くため、低誘電率層と高誘電率層の界面で
剥離が生じる。以上の結果よりＳｉＯ2は４０〜５０ｗ
ｔ％、ＭＯは２１〜３１ｗｔ％が好ましい。
ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｍｇの少なくとも２種以上）の
成分比率について検討を行ったものである。ＳｉＯ2に
は熱膨張率を低下させる働きがある。ＳｉＯ2が多すぎ
る場合には低誘電率層の熱膨張率が低下するため、低誘
電率層の熱膨張率が高誘電率層の値に比べ小さくなりす
ぎる。そのため高誘電率層に引っ張り応力が働き、スラ
イサーで基板を切断して得られた個片断面の高誘電率層
側にクラックが多く発生する。逆にＳｉＯ2の量が少な
すぎるとＭｇＯによる熱膨張率の増加効果が大きくな
り、低誘電率層の熱膨張率が高くなり低誘電率層に引っ
張り応力が働くため、低誘電率層と高誘電率層の界面で
剥離が生じる。以上の結果よりＳｉＯ2は４０〜５０ｗ
ｔ％、ＭＯは２１〜３１ｗｔ％が好ましい。
【０１０７】試料番号８〜１１は、ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3
の成分比率について検討したものである。ＳｉＯ2の量
が多すぎる場合には低誘電率層の熱膨張率が低くなりす
ぎるため、高誘電率層に引っ張り応力が大きく働き、焼
成直後の段階で基板が破壊していた。またＡｌ2Ｏ3の量
が多すぎる場合には低誘電率層の軟化点が低くなり、高
誘電率層の焼成開始温度よりも低くなりすぎて基板にう
ねりを生じる。（表１５）の結果よりＡｌ2Ｏ3は１２〜
２０ｗｔ％が好ましい。
の成分比率について検討したものである。ＳｉＯ2の量
が多すぎる場合には低誘電率層の熱膨張率が低くなりす
ぎるため、高誘電率層に引っ張り応力が大きく働き、焼
成直後の段階で基板が破壊していた。またＡｌ2Ｏ3の量
が多すぎる場合には低誘電率層の軟化点が低くなり、高
誘電率層の焼成開始温度よりも低くなりすぎて基板にう
ねりを生じる。（表１５）の結果よりＡｌ2Ｏ3は１２〜
２０ｗｔ％が好ましい。
【０１０８】試料番号１２〜１５は、ＳｉＯ2とＺｎＯ
の成分比率について検討を行ったものである。ＳｉＯ2
の量に比してＺｎＯの量が少ない場合には、低誘電率層
の軟化点が高くなりすぎ界面において剥離が起こる。逆
にＺｎＯの量が多い場合には、軟化点が低くなりすぎて
基板にうねりを生じる。（表１５）の結果より８〜１２
ｗｔ％が好ましい。
の成分比率について検討を行ったものである。ＳｉＯ2
の量に比してＺｎＯの量が少ない場合には、低誘電率層
の軟化点が高くなりすぎ界面において剥離が起こる。逆
にＺｎＯの量が多い場合には、軟化点が低くなりすぎて
基板にうねりを生じる。（表１５）の結果より８〜１２
ｗｔ％が好ましい。
【０１０９】試料番号１６〜２２まではＭＯ（ＭはＣ
ａ，Ｍｇ，Ｂａ）の量について検討を行ったものであ
る。ＢａＯの量が多すぎる場合は、低誘電率層の軟化点
が高くなりすぎて界面で剥離が起こる。またＣａＯの量
が多すぎると低誘電率層の熱膨張率が高くなりすぎて上
記と同様の理由で界面で剥離が起こる。（表１５）の結
果よりＢａＯは６〜１６ｗｔ％、ＣａＯは１０〜２０ｗ
ｔ％の範囲が好ましい。
ａ，Ｍｇ，Ｂａ）の量について検討を行ったものであ
る。ＢａＯの量が多すぎる場合は、低誘電率層の軟化点
が高くなりすぎて界面で剥離が起こる。またＣａＯの量
が多すぎると低誘電率層の熱膨張率が高くなりすぎて上
記と同様の理由で界面で剥離が起こる。（表１５）の結
果よりＢａＯは６〜１６ｗｔ％、ＣａＯは１０〜２０ｗ
ｔ％の範囲が好ましい。
【０１１０】従って本発明の実施の形態１０においては
低誘電率層と高誘電率層の同時焼成により、共振器内蔵
複合積層セラミック部品を得ることができる。またその
範囲内でも、ＭＯ／（ＳｉＯ2＋Ａｌ2Ｏ3）が０．４１
〜０．５５の場合、特に大きな接着力を得ることができ
る。なお、本発明は前記の実施の形態２に限定されるも
のではなく、低誘電率層成分の主成分であるガラスに添
加可能な成分としてＳｎＯ2，Ｐ2Ｏ5などを挙げること
ができる。また、高誘電率層内には共振器以外にもコン
デンサ等も内蔵できることは言うまでもない。
低誘電率層と高誘電率層の同時焼成により、共振器内蔵
複合積層セラミック部品を得ることができる。またその
範囲内でも、ＭＯ／（ＳｉＯ2＋Ａｌ2Ｏ3）が０．４１
〜０．５５の場合、特に大きな接着力を得ることができ
る。なお、本発明は前記の実施の形態２に限定されるも
のではなく、低誘電率層成分の主成分であるガラスに添
加可能な成分としてＳｎＯ2，Ｐ2Ｏ5などを挙げること
ができる。また、高誘電率層内には共振器以外にもコン
デンサ等も内蔵できることは言うまでもない。
【０１１１】（実施の形態１１）前記実施の形態１の共
振器内蔵複合積層セラミック部品において、高誘電率層
としてはＢＣＺＣＮを用い、低誘電率層としては（表１
５）の試料番号４，１４および２２のガラスを用い、導
体層５，６，７，８およびスルーホール導体９，１０を
銀（１００％）ペーストで形成し、これを大気中および
窒素雰囲気中で９００℃の温度で焼成し、部品の外観の
観察および導体層６のシート抵抗を測定した。評価した
結果を（表１６）に示す。
振器内蔵複合積層セラミック部品において、高誘電率層
としてはＢＣＺＣＮを用い、低誘電率層としては（表１
５）の試料番号４，１４および２２のガラスを用い、導
体層５，６，７，８およびスルーホール導体９，１０を
銀（１００％）ペーストで形成し、これを大気中および
窒素雰囲気中で９００℃の温度で焼成し、部品の外観の
観察および導体層６のシート抵抗を測定した。評価した
結果を（表１６）に示す。
【０１１２】
【表１６】
【０１１３】導体に銀を使用した複合セラミック部品を
大気中で９００℃で焼成すると、低誘電率層ガラスがシ
ールド層および配線パターンの銀（（図１）の５，６，
８）と反応を起こし基板に変形を生じた。また反応を生
じた銀のシート抵抗は７〜８ｍΩと大きな値となった。
しかし焼成工程を窒素雰囲気中で行えば、ガラスと銀と
の反応は抑止され平坦な基板を焼成することが可能とな
り、銀のシート抵抗も２．０〜２．３ｍΩと小さな値を
得ることができた。
大気中で９００℃で焼成すると、低誘電率層ガラスがシ
ールド層および配線パターンの銀（（図１）の５，６，
８）と反応を起こし基板に変形を生じた。また反応を生
じた銀のシート抵抗は７〜８ｍΩと大きな値となった。
しかし焼成工程を窒素雰囲気中で行えば、ガラスと銀と
の反応は抑止され平坦な基板を焼成することが可能とな
り、銀のシート抵抗も２．０〜２．３ｍΩと小さな値を
得ることができた。
【０１１４】従って本発明の実施の形態１１において
は、複合積層セラミック部品の内部導体層として、シー
ト抵抗の小さい銀（１００％）を使用することができ
る。
は、複合積層セラミック部品の内部導体層として、シー
ト抵抗の小さい銀（１００％）を使用することができ
る。
【０１１５】
【発明の効果】以上の点から、本発明の複合積層セラミ
ック部品の低誘電率層として結晶化ガラスを含んだ系の
ガラスにすることにより、ＢＣＮあるいはＢＣＺＣＮの
高誘電率層材料と一体焼成して形成することが可能であ
る。更にその場合に焼成体の異種材料の積層界面におけ
る剥離および各層におけるクラックの発生を抑止でき
る。その結果、信頼性が高く安定した複合積層セラミッ
ク部品を得ることができる。
ック部品の低誘電率層として結晶化ガラスを含んだ系の
ガラスにすることにより、ＢＣＮあるいはＢＣＺＣＮの
高誘電率層材料と一体焼成して形成することが可能であ
る。更にその場合に焼成体の異種材料の積層界面におけ
る剥離および各層におけるクラックの発生を抑止でき
る。その結果、信頼性が高く安定した複合積層セラミッ
ク部品を得ることができる。
【図１】本発明の複合積層セラミック部品の一実施の形
態を示す断面図
態を示す断面図
【符号の説明】 １ 低誘電率層 ２ 高誘電率層 ３ 高誘電率層 ４ 低誘電率層 ５ 導体層（配線パターン） ６ 導体層（シールド層） ７ 導体層（共振器） ８ 導体層（シールド層） ９ スルーホール導体 １０ スルーホール導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 隆一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 木村 涼 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (21)
- 【請求項１】 高誘電率層と低誘電率層とを積層し、こ
の少なくとも積層面に導体層を有し、上記低誘電率層が
焼成時に流動軟化し高誘電率層および導体層と結着する
結晶化ガラスを含んだものから構成された複合積層セラ
ミック部品。 - 【請求項２】 結晶化ガラスとして軟化点から結晶化開
始点の温度までの温度範囲が２５℃以上のものを用いた
請求項１に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項３】 低誘電率層が結晶化ガラスと非晶質ガラ
スで構成された請求項１に記載の複合積層セラミック部
品。 - 【請求項４】 低誘電率層の結晶化ガラスの主成分がＭ
ｇＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ 3−ＢａＯであり、非晶質ガラス
の主成分がＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ（ＭはＭｇ，Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｓｒの少なくとも１種以上）−Ｂ2Ｏ3からな
る請求項３に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項５】 結晶化ガラスと非晶質ガラスの配合比
が、結晶化ガラス１に対して非晶質ガラスが１〜０．２
５である請求項３に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項６】 結晶化ガラスの主成分が、ＭｇＯを５６
〜６６重量％、ＳｉＯ 2を１３〜１８重量％、Ｂ2Ｏ3を
１２〜１７重量％、ＢａＯを７〜１１重量％含むものか
らなる請求項３に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項７】 非晶質ガラスの主成分が、ＳｉＯ2を６
０〜４５重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１５重量％、ＭＯを５
０〜４０重量％、Ｂ2Ｏ3を０〜５重量％含むものからな
る請求項３に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項８】 結晶化ガラスを構成する酸化物の重量比
として（ＭｇＯ＋ＢａＯ）／（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）が
２．３〜２．６である請求項６に記載の複合積層セラミ
ック部品。 - 【請求項９】 非晶質ガラスを構成する酸化物の重量比
としてＭＯ／（ＳｉＯ 2＋Ｂ2Ｏ3＋Ａｌ2Ｏ3）が０．７
〜１．０である請求項７に記載の複合積層セラミック部
品。 - 【請求項１０】 低誘電率層が結晶化ガラスと非晶質ガ
ラスとセラミック粉体の混合物で構成された請求項１に
記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項１１】 結晶化ガラスとしてホウケイ酸マグネ
シウムガラスを用い、非晶質ガラスとしてホウケイ酸鉛
ガラスを用い、セラミック粉体としてアルミナを用いた
請求項１０に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項１２】 ホウケイ酸マグネシウムガラスの主成
分は、ＭｇＯを５８〜６４重量％、ＳｉＯ2を１３〜１
８重量％、Ｂ2Ｏ3を１１〜１５重量％、ＢａＯを７〜１
１％とし、ホウケイ酸鉛ガラスの主成分はＳｉＯ2を５
９〜６５重量％、Ｂ2Ｏ3を５〜１０重量％、ＰｂＯを１
７〜２４重量％、ＣａＯを６〜１２重量％とした請求項
１１に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項１３】 ホウケイ酸マグネシウムガラスを構成
する酸化物の重量比として（ＭｇＯ＋ＢａＯ）／（Ｓｉ
Ｏ2＋Ｂ2Ｏ3）が２．４〜２．７である請求項１２に記
載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項１４】 低誘電率層の各構成材料の混合割合が
重量比でホウケイ酸鉛ガラス／ホウケイ酸マグネシウム
ガラスが０．０４〜０．１８であり、アルミナ／ホウケ
イ酸鉛ガラスが０．７０〜１．５０である請求項１１に
記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項１５】 ホウケイ酸マグネシウムガラスの結晶
化ピーク温度は７４０℃〜７７０℃であり、ホウケイ酸
鉛ガラスの軟化温度は６１０℃〜６５０℃である請求項
１１に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項１６】 高誘電率層の主成分はＢｉ−Ｃａ−Ｎ
ｂ系誘電体セラミックである請求項１に記載の複合積層
セラミック部品。 - 【請求項１７】 高誘電率層がＢｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｚｎ
Ｏ−ＣｕＯ−Ｎｂ2Ｏ5系の誘電体であり、低誘電率層が
結晶化ガラスである請求項１に記載の複合積層セラミッ
ク部品。 - 【請求項１８】 低誘電率層がＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ
ａＯ−ＣａＯ−ＭｇＯ−ＺｎＯ系の結晶化ガラスである
請求項１７に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項１９】 結晶化ガラスの主成分がＳｉＯ2を４
０〜５０重量％、Ａｌ2Ｏ3を１２〜２０重量％、ＺｎＯ
を８〜１２重量％、ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｍｇの少な
くとも２種以上）を２１〜３１重量％、ＢａＯを６〜１
６重量％、ＣａＯを１０〜２０重量％とした請求項１８
に記載の複合積層セラミック部品。 - 【請求項２０】 結晶化ガラスを構成する酸化物の重量
比としてＭＯ／（ＳｉＯ2＋Ａｌ2Ｏ3）が０．４１〜
０．５５である請求項１９に記載の複合積層セラミック
部品。 - 【請求項２１】 導体層が銀であり、焼成が窒素雰囲気
中で行われた請求項１に記載の複合積層セラミック部
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17469796A JP3726359B2 (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 複合積層セラミック部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17469796A JP3726359B2 (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 複合積層セラミック部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022162A true JPH1022162A (ja) | 1998-01-23 |
| JP3726359B2 JP3726359B2 (ja) | 2005-12-14 |
Family
ID=15983095
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17469796A Expired - Fee Related JP3726359B2 (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 複合積層セラミック部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3726359B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7144833B2 (en) | 2003-09-29 | 2006-12-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic device using the same |
| JP2007042291A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 絶縁ペースト |
| JP2012167008A (ja) * | 2012-04-06 | 2012-09-06 | Kyocera Corp | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 |
| KR101241133B1 (ko) | 2011-06-29 | 2013-03-11 | (주) 아모엘이디 | 무수축 바리스터 기판, 무수축 바리스터 기판을 갖는 엘이디 패키지 및 무수축 바리스터 기판의 제조 방법 |
| JPWO2013084334A1 (ja) * | 2011-12-08 | 2015-04-27 | 日本碍子株式会社 | 大容量モジュール用基板、及び当該基板の製造方法 |
-
1996
- 1996-07-04 JP JP17469796A patent/JP3726359B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7144833B2 (en) | 2003-09-29 | 2006-12-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic device using the same |
| JP2007042291A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 絶縁ペースト |
| KR101241133B1 (ko) | 2011-06-29 | 2013-03-11 | (주) 아모엘이디 | 무수축 바리스터 기판, 무수축 바리스터 기판을 갖는 엘이디 패키지 및 무수축 바리스터 기판의 제조 방법 |
| JPWO2013084334A1 (ja) * | 2011-12-08 | 2015-04-27 | 日本碍子株式会社 | 大容量モジュール用基板、及び当該基板の製造方法 |
| JP2012167008A (ja) * | 2012-04-06 | 2012-09-06 | Kyocera Corp | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3726359B2 (ja) | 2005-12-14 |
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